Circuitos Electricos y Electronicos

Unidad Temas 1 Circuitos elctricos. Subtemas 1.1 Corriente elctrica. 1.1.1 Corriente directa. 1.1.2 Corriente alterna. 1.2 Elementos de circuitos bsicos. 1.2.1 Pasivos. 1.2.2 Activos. 1.2.3 Fuentes de alimentacin. 1.3 Anlisis de circuitos. 1.3.1 Tcnicas de solucin. 1.3.2 Transformadores. 2.1 Caractersticas de los semiconductores. 2.1.1 Silicio. 2.1.2 Germanio. 2.1.3 Materiales tipo p y n. 2.2 Dispositivos semiconductores. 2.2.1 Diodos. 2.2.2 Transistores. 2.2.3 Tiristores. 2.3 Aplicaciones con semiconductores. 2.3.1 Rectificadores. 2.3.2 Amplificadores. 2.3.3 Conmutadores. 2.3.4 Fuentes de poder. 2.4 Amplificadores operacionales. 2.4.1 Caractersticas. 2.4.2 Configuraciones. 3.1 Sistemas numricos. 3.1.1 Representacin y conversiones entre diferentes bases. 3.1.2 Operaciones bsicas 3.1.3 Algoritmos de booth. 3.1.4 Algoritmos de divisin. 3.2 lgebra booleana. 3.2.1 Teoremas y postulados. 3.2.2 Minterminos y maxiterminos. 3.2.3 Mapas de karnaugh. 3.3 Lgica combinacional. 3.3.1 Compuertas lgicas. 3.3.2 Dise de circuitos. 3.3.3 Familias lgicas.

Electrnica analgica.

Electrnica digital.

3.3.4 Aplicacin de compuertas lgicas. 3.4 Lgica secuencial. 3.4.1 Flips-flops. 3.4.2 Aplicaciones. 3.5 Convertidores. 3.5.1 Conceptos y caractersticas de los convertidores. 3.5.2 Tipos analgico/digital y digital/ analgico.

Unidad1. Circuitos elctricos.

1.1. Corriente elctrica.
El termino corriente elctrica, o simplemente corriente, se emplea para describir la tasa de flujo de carga que pasa por alguna regin de espacio. La mayor parte de las aplicaciones prcticas de la electricidad tienen que ver con corrientes elctricas. Por ejemplo, la batera de una luz de destellos suministra corriente al filamento de la bombilla cuando el interruptor se conecta. Una gran variedad de aparatos domsticos funcionan con corriente alterna. En estas situaciones comunes, el flujo de carga fluye por un conductor, por ejemplo, un alambre de cobre. Es posible tambin que existan corrientes fuera de un conductor. Por ejemplo, una haz de electrones en el tubo de imagen de una TV constituye una corriente.

Definicin de corriente elctrica Siempre que se mueven cargas elctricas de igual signo se establece una corriente elctrica. Para definir la corriente de manera ms precisa, suponga que las cargas se mueven perpendiculares a una superficie de rea A, como en la figura 27.1. (Esta sera el rea de la seccin transversal de un alambre, por ejemplo.) La corriente es la tasa a la cual fluye la carga por esta superficie. Si Q es la cantidad de carga que pasa por esta rea en un intervalo de

tiempo t, la corriente promedio, Ipro, es igual a la carga que pasa por A por unidad de tiempo: Fig. 27.1 Cargas en movimiento a travs de un rea A. La tasa de flujo de carga en el tiempo a travs del rea se define como la corriente I. la direccin de a la cual la carga positiva fluira si tuviera libertad de hacerlo.

Si la tasa a la cual fluye la carga vara en el tiempo, la corriente tambin vara en el tiempo, y definimos a la corriente instantnea I como el lmite diferencial de la ecuacin:

La unidad de corriente del Sistema Internacional es el ampere (A).

Esto significa que 1 de corriente es equivalente a 1C de carga que pasa por el rea de la superficie en 1s.

Fig. 27.2. Una seccin de una conductor uniforme de rea de seccin transversal A. los portadores de carga se mueven con una velocidad vd y la distancia que recorren en un tiempo t esta dada por x = vdt. El nmero de portadores de cargas mviles en la seccin de longitud x est dado por nAvdt , donde n es el nmero de portadores de carga mviles por unidad de volumen. Las cargas que pasan por la superficie en la figura 27.1 pueden ser positivas negativas o de ambos signos. Es una convencin dar a la corriente la misma direccin que la del flujo de carga positiva. En un conductor como el cobre la corriente se debe al movimiento de electrones cargados negativamente. Por lo tanto, cuando hablamos de corriente en un conductor ordinario, como un alambre de cobre, la direccin de la corriente es opuesta a la direccin del flujo de los electrones. Por otra parte, si se considera un haz de protones cargados positivamente en un acelerador, la corriente est en la direccin del movimiento de los protones. En algunos casos gases y electrolitos, por ejemplo la corriente es el resultado del flujo tanto de cargas positivas como negativas. Es comn referirse a una carga en movimiento (ya sea positiva o negativa) como un portador de carga mvil. Por ejemplo, los portadores de carga en un metal son los electrones. Es til relacionar la corriente con el movimiento de partculas cargadas. Pan ilustrar este punto, considere la corriente en un conductor de rea de seccin transversal A (figura 27.2). El volumen de un elemento del conductor de longitud x (la regin sombreada en la figura 27.2) es A x. Si n representa el nmero de portadores de carga mvil por unidad de volumen, entonces el nmero de portadores de carga mvil en el elemento de volumen es nA Por lo tanto, la carga Q en este elemento es Q= Nmero de cargas x carga por partcula = (nA x)q Donde q es la carga en cada partcula. Si los portadores de cargas se mueven con una velocidad vd la distancia que se mueven en un tiempo t es x = vdt. En consecuencia, podemos escribir q en la forma Q = (nAvdt)q Si dividimos ambos lados de la ecuacin por t, vemos que la corriente en el conductor est dada por

La corriente elctrica

La corriente elctrica es un flujo ordenado de electrones que atraviesa un material. Algunos materiales como los "conductores" tienen electrones libres que pasan con facilidad de un tomo a otro. Estos electrones libres, si se mueven en una misma direccin conforme saltan de un tomo a tomo, se vuelven en su conjunto, una corriente elctrica. Para lograr que este movimiento de electrones se de en un sentido o direccin, es necesario una fuente de energa externa. Cuando se coloca un material elctricamente neutro entre dos cuerpos cargados con diferente potencial (tienen diferente carga), los electrones se moveran desde el cuerpo con potencial ms negativo hacia el cuerpo con potencia ms positivo. Ver la figura

Cuerpo negativo (-) ---> Flujo de lo electrones va de izquierda a derecha ---->

Cuerpo positivo (+)

El flujo de electrones va del potencial negativo al potencial positivo. Sin embargo se toma por convencin que el sentido de la corriente elctrica va desde el potencial positivo al potencial negativo. Esto se puede visualizar como el espacio (hueco) que deja el electrn al moverse de un potencial negativo a un positivo. Este hueco es positivo (ausencia de un electrn) y circula en sentido opuesto al electrn. La corriente elctrica se mide en Amperios (A) y se simboliza como I.

los metales son conductores de la electricidad. Si tenemos dos cuerpos aislados, uno con carga positiva y otro con negativa, y los ponemos en contacto mediante un hilo metlico, las cargas elctricas se desplazan y se produce una corriente elctrica. En los metales, las partculas cargadas que tienen libertad de desplazamiento son los electrones, unidades de carga elementales de carga negativa al cuerpo cargado positivamente. No obstante, por convenio, se dice que la corriente elctrica es de sentido contrario al movimiento de los electrones, es decir, se dirige desde el cuerpo positivo al negativo. Este convenio se tom antes de que se conociese la existencia de los electrones, y an perdura. INTENSIDAD DE LA CORRIENTE

La intensidad de la corriente elctrica, I, se define como la cantidad de electricidad que pasa por una seccin transversal del conductor en cada segundo. Q Matemticamente: I = t La unidad de intensidad en el Sistema Internacional es el Amperio. DIFERENCIA DE POTENCIAL La corriente de electrones en un conductor se puede comparar con la corriente de agua que se produce cuando se pone en contacto dos depsitos que tienen distinto nivel. El agua fluye desde el depsito ms alto, con mayor energa potencial, al ms bajo, con una energa potencial menor. De una manera anloga, las cargas elctricas se desplazan cuando existe una diferencia de potencial entre dos cuerpos cargados o entre dos puntos de un mismo conductor con distinto potencial. Se considera que el potencial mayor corresponde al polo positivo.

CORRIENTE ELCTRICA
Cuando se establece una corriente elctrica, siempre se mueven cargas elctricas de un mismo signo. Para definir la corriente de manera ms precisa, supongamos que las cargas se mueven perpendiculares a una superficie de rea A, como en la figura 4.1. La corriente es la tasa a la cual fluye la carga por esta superficie . Si Q es la cantidad de carga que pasa por esta rea en un intervalo de tiempo t, la corriente promedio, Ipro, es igual a la carga que pasa por A por unidad de tiempo: Ipro = Q/t (4.1)

Si la tasa a la cual fluye la carga varia en l tiempo, la corriente tambin varia en el tiempo, y definimos a la corriente instantnea I como el limite diferencial de la ecuacin anterior: _ I = dQ/dt (4.2)

La unidad de corriente es el ampere (1A = 1C/1s) en el SI. Las cargas que pasan por la superficie en la figura 4.1 pueden ser positivas, negativas o de ambos signos. Es una convencin dar a la corriente la misma direccin que la del flujo de carga positiva. En un conductor como el cobre la corriente se debe al movimiento de electrones

cargados negativamente. Por lo tanto, cuando hablamos de corriente en un alambre de cobre, la direccin de la corriente es opuesta a la direccin de flujo de electrones.

Figura 4.1: Cargas en movimiento a travs de un rea. La tasa de flujo de carga en el tiempo a travs del rea se define como la corriente I. La direccin de la corriente es la direccin la cual la carga positiva fluira si tuviera libertad de hacerlo.

Es til relacionar la corriente con el movimiento de partculas cargadas. Para ilustrar este punto, se considera la corriente en un conductor de rea de seccin transversal A (figura 4.2). El volumen de un elemento del conductor de longitud x. Si n representa el nmero de portadores de carga mvil por unidad de volumen, entonces el nmero de portadores de carga mvil en el elemento de volumen es nA x. Por lo tanto, la carga Q en este elemento es:

Q = Nmero de cargas x carga por partcula = (nA x)q

Donde q es la carga en cada partcula: Si los portadores de carga se mueven a una velocidad vd, la distancia que se mueven en un tiempo t es x = vdt. En consecuencia, podemos escribir q en la forma:

Q = (nA vd t)q
Dividiendo ambos lados de la ecuacin por t, se observa que la corriente en el conductor esta dada por: I = Q/t = nq vdA (4.3)

Figura 4.2: Seccin de un conductor uniforme de rea de seccin transversal A. Los portadores de carga se mueven con una velocidad vd, y la distancia que recorren en un tiempo t esta dada por x = vdt.

La velocidad de los portadores de carga, , es en realidad una velocidad promedio que se conoce como velocidad de arrastre o como velocidad de deriva. Para entender su significado, considere un conductor en el cual los portadores de carga son electrones libres. Si el conductor esta aislado, estos electrones experimentan movimiento aleatorio similar al de las molculas de gas. Cuando una diferencia de potencial es aplicado a travs del conductor, se establece un campo elctrico en el conductor y este crea una fuerza elctrica sobre los electrones, y en consecuencia, una corriente. En realidad, los electrones no se mueven en lneas rectas a lo largo del conductor. En lugar de esto, experimentan repetidos choques con los tomos del metal el resultado es un complicado movimiento en zigzag (figura 4.3). La energa transferida de los electrones a los tomos del metal durante los choques origina un aumento en la energa vibratoria de los tomos y un correspondiente incremento en la temperatura del conductor. Pero a pesar de que los electrones choquen, se mueven lentamente a lo largo del conductor (en una direccin opuesta a E) a la velocidad de arrastre, vd. El trabajo realizado por el campo sobre los electrones supera la perdida de energa promedio debida a los choques, y esto proporciona una corriente estable. El choque de los electrones dentro del conductor se puede considerar como una friccin interna efectiva (o fuerza de arrastre), parecida a la que experimentan las molculas de un lquido que fluye a travs de una tubera obstruida con virutas de acero.

Figura 4.3: Representacin esquematica del movimiento en zigzag de un portador de carga en en conductor. Los cambios de direccin se deben a choques con tomos en el conductor.

1.1.1. Corriente directa.

Con cd denotamos la corriente directa, que implica un flujo de carga que fluye siempre en una sola direccin. Una batera produce corriente directa en un circuito porque sus bornes tienen siempre el mismo signo de carga. Los electrones se mueven siempre en el circuito en la misma direccin: del borne negativo que los repele al borne positivo que los atrae. An si la corriente se mueve en pulsaciones irregulares, en tanto lo haga en una sola direccin es cd.
Corriente Elctrica Continua: El flujo de corriente en un circuito producido siempre en una direccin. Se le denota como corriente D.C. (Direct current) o C.C. (Corriente continua). La Corrientes continua Es el resultado de el flujo de electrones (carga negativa) por un conductor (alambre de cobre casi siempre), que va del terminal negativo al terminal positivo de la batera, pasando por el

foco / bombillo. No es equivocacin, la corriente sale del terminal negativo y termina en el positivo. Lo que sucede es que es un flujo de electrones que tienen carga negativa. La cantidad de carga de electrn es muy pequea. Una unidad de carga muy utilizada es el Coulomb (mucho ms grande que la carga de un electrn). 1 Coulomb = la carga de 6 280 000 000 000 000 000 electrones en notacin cientfica: 6.28 x 1018 electrones Para ser consecuentes con nuestro grfico y con la convencin existente, se toma a la corriente como positiva y sta circula desde el terminal positivo al terminal negativo. Lo que sucede es que un electrn al avanzar por el conductor va dejando un espacio [hueco] positivo que a su vez es ocupado por otro electrn que deja otro espacio [hueco] y as sucesivamente, generando una serie de huecos que viajan en sentido opuesto al viaje de los electrones y que se puede entender como el sentido de la corriente positiva que se conoce.

La corriente es la cantidad de carga que atraviesa la lmpara en un segundo, entonces Corriente = Carga en coulombs / tiempo I=Q/T

Si la carga que pasa por la lmpara es de 1 coulomb en un segundo, la corriente es de 1 amperio Nota: Coulomb tambin llamado Coulombio Ejemplo: Si por la lmpara o bombillo pasa una carga de 14 coulombs en un segundo, entonces la corriente ser: I = Q / T = 14 coulombs / 1 segundo = 14 amperios La corriente elctrica se mide en (A) Amperios y para circuitos electrnicos generalmente se mide en mA (miliAmperios) o (uA) microAmperios. Ver las siguientes conversiones. 1 mA (miliamperio) = 0.001 A (Amperios) 1 uA (microAmperio) = 0,000001 A (Amperios)

CORRIENTE CONTINUA El flujo de agua entre dos depsitos se mantiene mientras haya niveles distintos, y se para cuando los niveles sean iguales. Si queremos que la corriente de agua contine, debemos instalar una bomba que, trasvasando agua desde el recipiente con nivel ms bajo hasta el recipiente con nivel ms alto, mantenga la diferencia de alturas. As el flujo de agua realiza un circuito cerrado.

Del mismo modo, para que se mantenga una corriente elctrica, debemos hacer que permanezca la diferencia de potencial. Esto se consigue por medio de los generadores de corriente, que juegan un papel anlogo al de la bomba de agua del ejemplo anterior. Generadores elctricos sencillos y cotidianos son las pilas que se emplean para linternas, radios, etc., y las bateras de los automviles. Estos generadores tienen un polo positivo y otro negativo. Cuando se unen ambos mediante un hilo conductor, la corriente elctrica va de + a -. Como sabemos, el sentido del desplazamiento de los electrones es contrario al de la corriente. En el hilo metlico, las cargas negativas van de - a + y, en el interior del generador, de + a -. Las pilas y las bateras hacen que los electrones se muevan por el conductor en un solo sentido, de - a +, y producen una corriente continua.

1.1.2. Corriente alterna.

La corriente alterna (ca) se comporta como su nombre lo indica. Los electrones del circuito se desplazan primero en una direccin y luego en sentido opuesto, con un movimiento de vaivn en torno a posiciones relativamente fijas. Esto se consigue alternando la polaridad del voltaje del generador o de otra fuente. La popularidad de que goza la ca proviene del hecho de que la energa elctrica en forma de ca se puede transmitir a grandes distancias por medio de fciles elevaciones de voltaje que reducen las prdidas de calor en los cables. La aplicacin principal de la corriente elctrica, ya sea cd o ca, es la transmisin de energa en forma silenciosa, flexible y conveniente de un lugar a otro.
Corriente Elctrica Alterna: El flujo de corriente en un circuito que vara peridicamente de sentido. Se le denota como corriente A.C. (Altern current) o C.A. (Corriente alterna). La corriente alterna (C.A.) La diferencia de la corriente alterna con la corriente continua, es que la continua circula slo en un sentido. La corriente alterna (como su nombre lo indica) circula por durante un tiempo en un sentido y despus en sentido opuesto, volvindose a repetir el mismo proceso en forma constante. Este tipo de corriente es la que nos llega a nuestras casas y la usamos para alimentar la TV, el equipo de sonido, la lavadora, la refrigeradora, etc. El siguiente grfico aclara el concepto:

En este caso el grfico muestra el voltaje (que es tambin alterno) y tenemos que la magnitud de ste vara primero hacia arriba y luego hacia abajo (de la misma forma en que se comporta la corriente) y nos da una forma de onda llamada: onda senoidal. El voltaje vara continuamente, y para saber que voltaje tenemos en un momento especfico, utilizamos la frmula; V = Vp x Seno () donde Vp = V pico (ver grfico) es el valor mximo que obtiene la onda y es una distancia angular y se mide en grados Aclarando un poco esta ltima parte y analizando el grfico anterior, se ve que la onda senoidal es peridica (se repite la misma forma de onda continuamente) Si se toma un perodo de sta (un ciclo completo), se dice que tiene una distancia angular de 360o. Y con ayuda de la frmula que ya dimos, e incluyendo (distancia angular para la cual queremos saber el voltaje) obtenemos el voltaje instantneo de nuestro inters. Para cada distancia angular diferente el valor del voltaje es diferente, siendo en algunos casos positivo y en otros negativo (cuando se invierte su polaridad.) FRECUENCIA:(f) Si se pudiera contar cuantos ciclos de esta seal de voltaje suceden en un segundo tendramos: la frecuencia de esta seal, con unidad de ciclos / segundo, que es lo mismo que Hertz o Hertzios. PERIODO:(T) El tiempo necesario para que un ciclo de la seal anterior se produzca, se llama perodo (T) y tiene la frmula: T = 1 / f, o sea el perodo (T) es el inverso de la frecuencia. (f) VOLTAJE PICO-PICO:(Vpp) Analizando el grfico se ve que hay un voltaje mximo y un voltaje mnimo. La diferencia entre estos dos voltajes es el llamado voltaje pico-pico (Vpp) y es igual al doble del Voltaje Pico (Vp) (ver grfico) VOLTAJE RMS.(Vrms): Se puede obtener el voltaje equivalente en corriente continua (Vrms) de este voltaje alterno con ayuda de la frmula Vrms = 0.707 x Vp . Ver ms Este valor de voltaje es el que obtenemos cuando utilizamos un voltmetro. Ahora, algo para pensar........:

Si se prepara un voltmetro para que pueda medir voltajes en corriente alterna (a.c.) y medimos la salida de un tomacorriente de una de nuestras casas, lo que vamos a obtener es: 110 Voltios o 220 Voltios aproximadamente, dependiendo del pas donde se mida. El voltaje que leemos en el voltmetro es un VOLTAJE RMS de 110 o 220 Voltios.!!! Cul ser el voltaje pico (Vp) de esta seal??? Revisando la frmula del prrafo anterior despejamos Vp. Vp = Vrms / 0.707 - Caso Vrms = 110 V, Vp = 110 / 0.707 = 155.6 Voltios - Caso Vrms = 220 V, Vp = 220 / 0.707 = 311.17 Voltios

CORRIENTE ALTERNA Ya debes de conocer lo que es un imn. Es un cuerpo que tiene propiedades magnticas y atrae objetos de hierro. Tambin sabes que un cuerpo imantado tiene dos polos que se denominan norte y sur. Cuando enfrentamos dos polos del mismo nombre, se repelen, mientras que los polos de nombre distinto se atraen. Pues bien, las propiedades magnticas estn relacionadas con las propiedades elctricas, hasta el punto de que hay una parte de la Fsica que estudia ambas simultneamente y se denomina Electromagnetismo. El primer investigador que puso de manifiesto la relacin de la electricidad con el magnetismo fue el fsico dans Oersted. Su experimento consisti en colocar una aguja imantada capaz de girar alrededor de un eje perpendicular, como las que se usan en las brjulas, en una posicin paralela a un hilo conductor por el que puede pasar una corriente elctrica. Cuando cerramos el interruptor y pasa la corriente, sta influye en el imn y hace que se site en una posicin perpendicular a la corriente elctrica. De este experimento podemos deducir que la corriente elctrica tiene propiedades magnticas. Cuando acercamos o alejamos un imn suficientemente potente a un circuito que tiene una pequea bombilla, sta se ilumina. Sin duda, el imn, al moverse, ha generado una corriente elctrica. La intensidad de la corriente es tanto mayor cuanto ms deprisa se mueva el imn. Asimismo, se produce una corriente elctrica si se hace girar un circuito entre los polos de un imn que permanece fijo. En este caso la intensidad de la corriente tambin aumenta cuando la velocidad de giro es mayor. Por los procedimientos descritos se consigue una corriente que se denomina alterna porque adquiere alternativamente sentidos opuestos. As, en el primer ejemplo, cuando se acerca el imn al conductor metlico la corriente va en un sentido y, cuando se aleja, va en sentido contrario. En el segundo ejemplo, cuando el conductor metlico da media vuelta se produce una corriente de sentido opuesto a la que se produce en la media vuelta posterior. En consecuencia, en la corriente alterna los electrones no circulan en un solo sentido, como hacen en la corriente continua, sino que oscilan. Debido a este peculiar movimiento, en la corriente alterna no existen polos + y -. La corriente alterna es la que se produce en los alternadores de las centrales elctricas, y es el tipo de corriente que llega a las industrias y a nuestras casas.

1.2.

Elementos de circuitos bsicos. 1.2.1. Pasivos.

Dentro de estos elementos encontramos las resistencias, las inductancias, condensadores.

Los componentes pasivos son aquellos que dentro de un circuito no proporcionan ganancia, pero si consumen energa elctrica.

Entre los componentes pasivos bsicos encontramos a las resistencias y a los condensadores. Para un uso correcto de los mismos y para cada aplicacin es interesante conocer las caractersticas tcnicas que definen su comportamiento.

Existen diversos tipos de estos elementos, tanto desde el punto de vista de su comportamiento, materiales base para su fabricacin o caractersticas constructivas y geomtricas. Por ltimo, es importante conocer el grupo concreto a que pertenece cada componente, y determinar su valor nominal, que vendr expresado mediante un cdigo de colores o de marcas.

ELEMENTOS PASIVOS EN CORRIENTE ALTERNA

ELEMENTO SMBOLO IMPEDANCIA P Q DIAGRAMA

RESISTENCIA

I2R

REACTANCIA INDUCTIVA

XL = L

90

I2XL

REACTANCIA CAPACITIVA

XC= 1 / (C)

-90

-I2XC

IMPEDANCIA R-L-C EN SERIE

arccos R/Z

UICos

UIsen

el ngulo de V respecto de I

RESISTENCIAS
Desde el punto de vista de vista de la resistividad , podemos encontrar materiales conductores (no presentan ninguna oposicin al paso de la corriente elctrica), aislantes (no permiten el flujo de corriente), y resistivos (que presentan cierta resistencia). Dentro de este ltimo grupo se situan las resistencias. Las resistencias son componentes elctricos pasivos en los que la tensin instantnea aplicada es proporcional a la intensidad de corriente que circula por ellos. Su unidad de medida es el ohmio (). Se pueden dividir en tres grupos: Resistencias lineales fijas: su valor de resistencia es constante y est predeterminado por el fabricante. Resistencias variables: su valor de resistencia puede variar dentro de unos lmites. Resistencias no lineales: su valor de resistencia varia de forma no lineal dependiendo de distintas magnitudes fisicas (temperatura, luminosidad, etc.).

RESISTENCIAS LINEALES FIJAS

Estos componentes de dos terminales presentan un valor nominal de resistencia constante (determinado por el fabricante), y un comportamiento lineal.

Caractersticas tcnicas
Estas son las especificaciones tcnicas ms importantes que podemos encontrar en las hojas de caractersticas que nos suministra el fabricante: Resistencia nominal (Rn): es el valor hmico que se espera que tenga el componente. Toleancia: es el margen de valores que rodean a la resistencia nominal y en el que se encuentra el valor real de la resistencia. Se expresa en tanto por ciento sobre el valor nominal. Los valores de resistencia nominal y tolerancia estan normalizados a travs de la norma UNE 20 531 79 de tal forma que disponemos de una gama de valores y sus correspondientes tolerancias (series de valores normalizados y tolerancias para resistencias) a las que tenemos que acogernos a la hora de elegir la resistencia necesitada. Potencia nominal (Pn): es la potencia (en vatios) que la resistencia puede disipar sin deteriorarse a la temperatura nominal de funcionamiento. Tensin nominal (Vn): es la tensin continua que se corresponde con la resistencia y potencia nominal.

Intensidad nominal (In): es la intensidad continua que se corresponde con la resistencia y potencia nominal. Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): es la mxima tensin continua o alterna eficaz que el dispositivo no puede sobrepasar de forma continua a la temperatura nominal de funcionamiento. Temperatura nominal (Tn): es la temperatura ambiente a la que se define la potencia nominal. Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): es la mxima temperatura ambiente en la que el dispositivo puede trabajar sin deteriorarse. La disipacin de una resistencia disminuye a medida que aumenta la temperatura ambiente en la que est trabajando.

Coeficiente de temperatura (Ct): es la variacin del valor de la resistencia con la temperatura. Coeficiente de tensin (Cv): es la variacin relativa del valor de la resistencia respecto al cambio de tensin que la ha provocado. Estabilidad, derivas: representa la variacin relativa del valor de la resistencia por motivos operativos, ambientales, peroidos largos de funcionamiento, o por el propio funcionamiento. Ruido: se debe a seal (o seales) que acompaan a la seal de inters y que provoca pequeas variaciones de tensin.

CLASIFICACIN DE RESISTENCIAS LINEALES

La clasificacin de estas resistencias se puede hacer en base a los materiales utilizados para su construccin, basicamente mezclas de carbn o grafitos y materiales o aleaciones metlicas. Tambin se pueden distinguir distintos tipos atendiendo a caracteristicas constructivas y geomtricas. Una clasificacin sera la siguiente: DE CARBN: -Aglomeradas: -De capa. METLICAS: -De capa.

-De pelcula. -Bobinadas.

RESISTENCIAS DE CARBN
Es el tipo ms utilizado y el material base en su construccin es el carbn o grafito. Son de pequeo tamao y baja disipacin de potencia. Segn el proceso de fabricacin y su constitucion interna, podemos distinguir:

RESISTENCIAS AGLOMERADAS
Tambin se conocen con el nombre de "composicin", debido a su constitucin: una mezcla de carbn, materia aislante, y resina aglomerante. Variando el porcentaje de estos componentes se obtienen los distintos valores de resistencias. Entre sus caractersticas se puede destacar: -Robustez macnica y elctrica (sobrecarga). -Bajos coeficientes de tensin y temperatura. -Elevado nivel de ruido. -Considerables derivas.

RESISTENCIAS DE CAPA DE CARBN

En este tipo de resistencias, la fabricacin est basada en el deposito de la composicin resistiva sobre un cuerpo tubular formado por materiales vtreos cermicos. Como caractersticas ms importantes: -Elevado coeficiente de temperatura. -Soportan mal las sobrecargas. -Ruido y coeficiente de tensin prcticamente nulos. -Mayor precisin y menores derivas que las aglomeradas:

RESISTENCIAS METLICAS
Estas resistencias estn constituidas por metales, oxidos y aleaciones metlicas como material base. Segn el proceso de fabricacin y aplicacin a la que se destinan podemos distinguir:

RESISTENCIAS DE CAPA METLICA

Estn constituidas por un soporte que puede ser de pirex, vidrio, cuarzo o porcelana, sobre el que se depositan capas por reduccin quimica para el caso de xidos metlicos o por vaprizacin al vaco para metales o aleaciones metlicas. Los xidos ms utilizados son de estao, antimonio e indio, como metales y aleaciones de oro, platino, indio y paladio dentro del grupo de metales preciosos. Estos componentes tienen una gran estabilidad y precisin y un bajo nivel de ruido por lo que suelen ser utilizadas en aplicaciones exigentes. Entre sus caracteristicas ms importantes: -Rangos reducidos de potencia y tensin. -Estrechas tolerancias y elevada estabilidad. -Bajo coeficiente de temperatura y altas temperaturas de funcionamiento. -Reducido nivel de ruido.

RESISTENCIAS DE PELCULA METLICA

La diferencia fundamental con las anteriores est en las tcnicas de fabricacin utilizadas, mediante las cuales se han conseguido integrar redes de resistencias. Los materiales base usados en su fabricacin y los cuerpos soporte son los caractersticos de las resistencias metlicas, a excepcion de los xidos metlicos. Dentro de este tipo tambin podemos diferenciar dos tipos: de pelcula delgada y de pelcula gruesa, diferenciandose en las caractersticas constructivas. Las principales ventajas de estas resistencias radica en su reducido tamao, y sobretodo en la disponibilidad de redes de resistencias como componente integrado. A pesar de su reducido margen de potencia, inferior a 1/2 W, las ventajas respecto a las resistencias discreta se pueden resumir en: -Coste menor para un mismo nmero de resistencias. -Reduccin del cableado, peso y espacio en el circuito. -Tolerancias ms ajustadas. -Caractersticas generales de las unidades integradas muy similares y valores nominales prcticamente idnticos. -Posibilidad de obtencin de valores hmicos distintos en funcin de la configuracin interna y el nmero de resistencias integradas. Esta ltima posibilidad est ligada al tipo de encapsulado en que se presenta la red. En la prctica los ms comunes que se nos presentan son: -Tipo SIL, disposicin de terminales en una linea, usada tambin para algunos tipos de conectores. -Tipo DIL, caracterstica de los encapsulados de circuitos integrados.

RESISTENCIAS BOBINADAS
En este tipo se emplean como soportes ncleos cermicos y vtreos, y como materiales resistivos metales o aleaciones en forma de hilos o cintas de una determinada resistividad, que son bobinados sobre los ncleos soporte. Generalmente se suele hacer una subdivisin de este tipo en bobinadas de potencia y bobinadas de precisin, segn la aplicacin a la que se destinan. Como caractersticas genrales se pueden destacar las siguientes: -Gran disipacin de potencias y elevadas temperaturas de trabajo. -Elevada precisin, variacin con la temperatura y baja tensin de ruido. -Considerables efectos inductivos. -Construccin robusta. Las resistencias bobinadas se pueden incluir en algunos de los modelos comerciales siguientes: hilo descubierto, esmaltadas, vitrificadas,y aisladas.

RESISTENCIAS VARIABLES
Estas resistencias pueden variar su valor dentro de unos lmites. Para ello se les ha

aadido un tercer terminal unido a un contacto movil que puede desplazarse sobre el elemento resistivo proporcionando variaciones en el valor de la resistencia. Este tercer terminal puede tener un desplazamiento angular (giratorio) o longitudinal (deslizante). Segun su funcin en el circuito estas resistencias se denominan: Potencimetros: se aplican en circuitos donde la variacin de resistencia la efectua el usario desde el exterior (controles de audio, video, etc.). Trimmers, o resistencias ajustables: se diferencian de las anteriores en que su ajuste es definitivo en el circuito donde van aplicadas. Su acceso est limitado al personal tcnico (controles de ganancia, polarizacin, etc.). Reostatos: son resistencias variables en las que uno de sus terminales extremos est electricamente anulado. Tanto en un potencimetro como un trimmer, al dejar unos de sus terminales extremos al aire, su comportamiento ser el de un reostato, aunque estos estn diseados para soportar grandes corrientes.

Caractersticas tcnicas
Estas son las especificaciones tcnicas ms importantes que podemos encontrar en las hojas de caractersticas que nos suministra el fabricante:

Recorrido mecnico: es el desplazamiento que limitan los puntos de parada del cursor (puntos extremos). Recorrido elctrico: es la parte del desplazamiento que proporcionan cambios en el valor de la resistencia. Suele coincidir con el recorrido mecnico. Resistencia nominal (Rn): valor esperado de resistencia variable entre los lmites del recorrido elctrico. Resistencia residual de fin de pista (rf): resistencia comprendida entre el lmite superior del recorrido elctrico del cursor y el contacto B (ver figura). Resistencia residual de principio de pista (rd): valor de resisiencia comprendida entre lmite inferior del recorrido elctrico y el contacto A (ver figura). Resistencia total (Rt): resistencia entre los terminales fijos A o A' y B, sin tener en cuenta la conexin del cursor e incluyendo la tolerancia. Aunque a efectos practicos se considera igual al valor nominal (Rt=Rn).

Resistencia de contacto (rc): resistencia que presenta el cursor entre su terminal de conexin externo y el punto de contacto interno (suele despreciarse, al igual que rd y rf). Temperatura nominal de funcionamiento (Tn): es la temperatura ambiente a la cual se define la disipacin nominal. Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): mxima temperatura ambiente en la que puede ser utilizada la resistencia. Potencia nominal (Pn): mxima potencia que puede disipar el dispositivo en servicio continuo y a la temperatura nominal de funcionamiento. Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): mxima tensin continua ( o alterna eficaz) que se puede aplicar a la resistencia entre los terminales extremos en servicio continuo, a la temperatura nominal de funcionamiento. Resolucin: cantidad mnima de resistencia que se puede obtener entre el cursor y un extremo al desplazar (o girar) el cursor. Suele expresarse en % en tensin, en resistencia, o resolucin angular. Leyes de variacin: es la caracterstica que particulariza la variacin de la resistencia respecto al desplazamiento del cursor. Las ms comunes son la ley de variacin lineal, y la logartmica (positiva y negativa):

Linealidad o conformidad: indica el grado de acercamiento a la ley de variacin terica que caracteriza su comportamiento, y es la mxima variacin de resistencia real que se puede producir respecto al valor total (nominal) de la resistencia.

RESISTENCIAS VARIABLES
Estas resistencias pueden variar su valor dentro de unos lmites. Para ello se les ha aadido un tercer terminal unido a un contacto movil que puede desplazarse sobre el elemento resistivo proporcionando variaciones en el valor de la resistencia. Este tercer terminal puede tener un desplazamiento angular (giratorio) o longitudinal (deslizante). Segun su funcin en el circuito estas resistencias se denominan: Potencimetros: se aplican en circuitos donde la variacin de resistencia la efectua el usario desde el exterior (controles de audio, video, etc.).

Trimmers, o resistencias ajustables: se diferencian de las anteriores en que su ajuste es definitivo en el circuito donde van aplicadas. Su acceso est limitado al personal tcnico (controles de ganancia, polarizacin, etc.). Reostatos: son resistencias variables en las que uno de sus terminales extremos est electricamente anulado. Tanto en un potencimetro como un trimmer, al dejar unos de sus terminales extremos al aire, su comportamiento ser el de un reostato, aunque estos estn diseados para soportar grandes corrientes.

Caractersticas tcnicas
Estas son las especificaciones tcnicas ms importantes que podemos encontrar en las hojas de caractersticas que nos suministra el fabricante:

Recorrido mecnico: es el desplazamiento que limitan los puntos de parada del cursor (puntos extremos). Recorrido elctrico: es la parte del desplazamiento que proporcionan cambios en el valor de la resistencia. Suele coincidir con el recorrido mecnico. Resistencia nominal (Rn): valor esperado de resistencia variable entre los lmites del recorrido elctrico. Resistencia residual de fin de pista (rf): resistencia comprendida entre el lmite superior del recorrido elctrico del cursor y el contacto B (ver figura). Resistencia residual de principio de pista (rd): valor de resisiencia comprendida entre lmite inferior del recorrido elctrico y el contacto A (ver figura). Resistencia total (Rt): resistencia entre los terminales fijos A o A' y B, sin tener en cuenta la conexin del cursor e incluyendo la tolerancia. Aunque a efectos practicos se considera igual al valor nominal (Rt=Rn). Resistencia de contacto (rc): resistencia que presenta el cursor entre su terminal de conexin externo y el punto de contacto interno (suele despreciarse, al igual que rd y rf). Temperatura nominal de funcionamiento (Tn): es la temperatura ambiente a la cual se define la disipacin nominal.

Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): mxima temperatura ambiente en la que puede ser utilizada la resistencia. Potencia nominal (Pn): mxima potencia que puede disipar el dispositivo en servicio continuo y a la temperatura nominal de funcionamiento. Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): mxima tensin continua ( o alterna eficaz) que se puede aplicar a la resistencia entre los terminales extremos en servicio continuo, a la temperatura nominal de funcionamiento. Resolucin: cantidad mnima de resistencia que se puede obtener entre el cursor y un extremo al desplazar (o girar) el cursor. Suele expresarse en % en tensin, en resistencia, o resolucin angular. Leyes de variacin: es la caracterstica que particulariza la variacin de la resistencia respecto al desplazamiento del cursor. Las ms comunes son la ley de variacin lineal, y la logartmica (positiva y negativa):

Linealidad o conformidad: indica el grado de acercamiento a la ley de variacin terica que caracteriza su comportamiento, y es la mxima variacin de resistencia real que se puede producir respecto al valor total (nominal) de la resistencia.

RESISTENCIAS NO LINEALES
Estas resistencias se caracterizan porque su valor ohmico, que vara de forma no lineal, es funcin de distintas magnitudes fsicas como puede ser la temperatura, tensin, luz, campos magnticos,etc.. As estas resistencias estn consideradas como sensores. Entre las ms comunes podemos destacar las siguientes: -Termistores o resistencias NTC y PTC. En ellas la resistencia es funcin de la temperatura. -Varistores o resistencias VDR. En ellas la resistencia es funcin de la tensin. -Fotoresistencias o resistencias LDR. En estas ltimas la resistencia es funcin de la luz.

TERMISTORES
En estas resistencias, cuyo valor ohmico cambia con la temperatura, adems de las caractersticas tpicas en resistencias lineales fijas como valor nominal, potencia

nominal, tolerancia, etc., que son similares para los termistores, hemos de destacar otras: Resistencia nominal: en estos componentes este parmetro se define para una temperatura ambiente de 25C: Autocalentamiento: este fenmeno produce cambios en el valor de la resistencia al pasar una coriiente elctrica a su traves. Hemos de tener en cuenta que tambien se puede producir por una variacin en la temperatura ambiente. Factor de disipacin trmica: es la potencia necesaria para elevar su temperatura en 1C. Dentra de los termistores podemos destacar dos grupos: NTC y PTC.

RESISTENCIAS NTC
Esta resistencia se caracteriza por su disminucin del valor resistivo a medida que aumenta la temperatura, por tanto presenta un coeficiente de temperatura negativo. Entre sus caracteristicas se pueden destacar: resistencia nominal de 10 ohmios a 2M, potencias entre 1 microvatio y 35W, coeficiente de temperatura de -1 a -10% por C; y entre sus aplicaciones: regulacin, compensacin y medidas de temperaturas, estabilizacin de tensin, alarmas, etc.

RESISTENCIAS PTC
Estas, s diferencia de las anteriores, tiene un coeficiente de temperatura positivo, de forma que su resistencia aumentar como consecuencia del aumento de la temperatura (aunque esto slo se da en un margen de temperaturas).

VARISTORES
Estos dispositivos (tambien llamados VDR) experimentan una disminucin en su valor de resistencia a medida que aumenta la tensin aplicada en sus extremos. A diferencia de lo que ocure con las NTC y PTC la variacin se produce de una forma instantnea. Las aplicaciones ms importantes de este componente se encuentran en: proteccin contra sobretensiones, regulacin de tensin y supresin de transitorios.

FOTORESISTENCIAS
Estas resistencias, tambin conocidas como LDR, se caracteriza por su disminucin de resistencia a medida que aumenta la luz que incide sobre ellas. Las principales apicaciones de estos componentes: controles de ilumnacin, control de circuitos con rels, en alarmas, etc..
CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA La Corriente alterna tiene la gran ventaja de que la energa elctrica puede transportarse a largas distancias a tensiones muy elevadas y corrientes bajas para reducir la perdida de energa en forma de calor por efecto Joule. Luego puede transformarse, con perdida mnima de energa , en tensiones ms bajas y seguras . Ms del 99 % de la energa elctrica utilizada hoy en da se produce mediante generadores elctricos en forma de corriente alterna. En Norteamrica la potencia elctrica se suministra

mediante una corriente sinusoidal de 60 Hz, mientras que en prcticamente el resto lo hace a 50 Hz. La corriente alterna se genera fcilmente mediante induccin magntica en los generadores de ca y estn proyectados para producir una fem. alterna. 3.8.1-Fuentes de corriente Alterna Un circuito de CA se compone de elementos de circuito de un generador que brinda la corriente alterna. El principio bsico del generador de CA es una consecuencia directa de la ley de induccin de Faraday. Cuando una bobina se hace girar en un campo magntico a frecuencia angular constante w, un voltaje sinusoidal (FEM) se induce en la bobina, este voltaje instantneo es: V= Vmax. Sen wt Donde Vmax es el voltaje de salida mximo del generador de CA, o la amplitud de voltaje, la frecuencia angular esta dada por w=2 =2/T, donde es la frecuencia de la fuente y T es el periodo. Considere un generador de CA conectado a un circuito en serie que contiene elementos R, L, C. Si se da la amplitud de voltaje y la frecuencia del generador, junto con los valores de R, L y C, encuentre la amplitud y constante de fase de la corriente. Con el propsito de simplificar nuestro anlisis de circuitos que contiene dos o ms de elementos, empleamos construcciones grficas conocidas como diagramas de fasores. La longitud del fasor representa la amplitud (Valor mximo) de la cantidad en tanto que la proyeccin del fasor sobre el eje vertical representa el valor instantneo de esa cantidad. 3.8.2-Resistores de un circuito de CA Considere un circuito de CA simple compuesto por un resistor y un generador de C, en cualquier instante la suma algebraica del potencial que aumente o disminuye alrededor de un lazo cerrado en un circuito debe ser 0, por lo tanto, V-Vr =0, o V = Vr= Vmax.sen Wt donde Vr es la cada de voltaje instantnea a travs del resistor, por consiguiente, la corriente instantnea en el resistor es Ir V/R = Vmax /R. sen Wt = Imax.Sen Wt donde Imax es la corriente mxima: Imax = Vmax/R, de acuerdo con esto vemos que la cada de voltaje instantnea a travs del resistor es Vr=imax.r. Sen Wt. Debido a que Ir y Vr varan ambas como Sen Wt y alcanzan sus valores mximos al mismo tiempo, como se muestra en la figura, se dice que estn en fase. Las longitudes de las flechas corresponden a Vmax y Imax. Las proyecciones de la flecha sobre el eje vertical dar Ir y Vr. En el caso de un circuito resistivo, los fasores de corriente y voltaje se encuentran a lo largo de una misma lnea como en la figura, debido a que Ir y Vr estn en fase. El valor de la Corriente sobre un ciclo es cero, es decir la corriente se mantiene en la direccin positiva durante el mismo tiempo y en la misma magnitud que se mantiene en la direccin negativa. Sin embargo la direccin de la corriente no tiene efecto en el comportamiento del resistor , esto puede entenderse reconociendo que los choques entre los electrones y los tomos fijos del resistor, originan un aumento en la temperatura del resistor. A pesar de que este aumento de la temperatura en el resistor depende de la corriente pero a su vez es independiente de ella. Asociacin de resistencias Existen dos modos fundamentales de conectar o asociar las resistencias entre s, en serie y en paralelo o derivacin. En la asociacin en serie las resistencias se conectan una tras otra de modo que por todas ellas pasa la misma intensidad de corriente. En la asociacin en paralelo la conexin se efecta uniendo los dos extremos de cada una de ellas a un mismo par de puntos. En este caso la diferencia de potencial entre los extremos de cualquiera de las resistencias asociadas es la misma, pero, de acuerdo con el principio de no acumulacin de cargas, la intensidad total que llega al nudo o punto de bifurcacin se reparte entre ellas. Se denomina resistencia equivalente de una asociacin de resistencias a aquella resistencia nica por la que podra sustituirse la asociacin sin alterar la intensidad que circula por el circuito. En el caso de una asociacin en serie de tres resistencias, la frmula de la resistencia equivalente Re se obtiene como sigue. De acuerdo con la ley de Ohm aplicada a cada una de ellas, se tiene:

V1 = I R1 ; V2 = I R2 ; V3 = I R3 donde V1, V2 y V3 son las tensiones entre sus extremos respectivos e I la intensidad de corriente que las atraviesa, igual para todas ellas. De acuerdo con el principio de conservacin de energa referido a la unidad de carga, la cantidad total de energa que pierde la unidad de carga al atravesar las tres resistencias ser igual a la suma de las cantidades que pierde en cada resistencia, es decir: V = V1 + V2 + V3 = IR1 + IR2 + IR3 = I (R1 + R2 + R3) Si la ley de Ohm se aplica a la asociacin en su conjunto, se tiene V = I Re Comparando ambas ecuaciones resulta:

Ecuacin que puede generalizarse a cualquier nmero de resistencias. Si la asociacin fuera en paralelo, al llegar al nudo la corriente se reparte entre las diferentes resistencias y, de acuerdo con el principio de no acumulacin de cargas, se cumplir, en este caso, la relacin I = I1 + I2 + I3 con V1 = V2 = V3 = V Aplicando la ley de Ohm a cada resistencia, resulta ahora: V = I1 R1 ; V = I2 R2 ; V = I3 R3 Para la asociacin en su conjunto se tendr: V = I Re Si se sustituyen los valores de I, I1, I2 e I3 en la ecuacin de las intensidades se obtiene:

es decir:

En este caso es la suma de los inversos la que da lugar, no a la resistencia equivalente, sino a su inverso. Por tal motivo en este tipo de asociacin el valor de la Re, resulta ser inferior al de la ms pequea de las resistencias asociadas.

bobina
Smbolo del inductor

La bobina o inductor es un elemento muy interesante. A diferencia del condensador o capacitor, la bobina por su forma (espiras de alambre arrollados) almacena energa en forma de campo magntico. Todo cable por el que circula una corriente tiene a su alrededor un campo magntico generado por la corriente, siendo el sentido de flujo del campo magntico, el que establece la ley de la mano derecha (ver electromagnetismo). Al estar la bobina hecha de espiras de cable, el campo magntico circula por el centro de la bobina y cierra su camino por su parte exterior Una caracterstica interesante de las bobinas es que se oponen a los cambios bruscos de la corriente que circula por ellas. Esto significa que a la hora de modificar la corriente que circula por ellas (ejemplo: ser conectada y desconectada a una fuente de poder de corriente directa), esta tratar de mantener su condicin anterior. Las bobinas se miden en Henrios (H.), pudiendo encontrarse bobinas que se miden en MiliHenrios (mH). El valor que tiene una bobina depende de: - El nmero de espiras que tenga la bobina (a ms vueltas mayor inductancia, o sea mayor valor en Henrios). - El dimetro de las espiras (a mayor dimetro, mayor inductancia, o sea mayor valor en Henrios). La longitud del cable de que est hecha la bobina. - El tipo de material de que esta hecho el ncleo, si es que lo tiene. Qu aplicaciones tiene una bobina? - Una de la aplicaciones ms comunes de las bobinas y que forma parte de nuestra vida diaria es la bobina que se encuentra en nuestros autos y forma parte del sistema de ignicin. - En los sistemas de iluminacin con tubos fluorescentes existe un elemento adicional que acompaa al tubo y que comnmente se llama balastro - En las fuentes de alimentacin tambin se usan bobinas para filtrar componentes de corriente alterna y solo obtener corriente continua en la salida

http://www.unicrom.com/Tut_bobina.asp

Inductancias.- Llamaremos inductancia al campo

magntico que crea una corriente elctrica al pasar a travs de una bobina de hilo conductor enrrollado alrededor de la misma que conforma un inductor. Un inductor puede utilizarse para diferenciar seales cambiantes rpidas o lentas. Al utilizar un inductor con un condensador, la tensin del inductor alcanza su valor mximo a una frecuencia dependente de la capacitancia y de la inductancia. La inductancia depende de las caractersticas fisicas del conductor y de la longitud del mismo. Si se enrolla un conductor, la inductancia aumenta. Con muchas espiras (vueltas) se tendr ms inductancia que con pocas. Si a esto aadimos un ncleo de ferrita, aumentaremos

considerablemente la inductancia. La energa almacenada en el campo magntico de un inductor se calcula segn la siguiente formula: W = I L/2 ... siendo: W = energa (julios); I = corriente (amperios; L = inductancia (henrios). El Clculo de la inductancia: La inductancia de una bobina con una sola capa bobinada al aire puede ser calculada aproximadamente con la frmula simplificada siguiente: L (microH)=d.n/18d+40 l siendo:L = inductancia (microhenrios); d = dimetro de la bobina (pulgadas); l= longitud de la bobina (pulgadas); n = nmero de espiras o vueltas.

Como ya se ha dicho, la unidad para la inductancia es el HENRIO. En una bobina habr un henrio de inductancia cuando el cambio de 1 amperio/segundo en la corriente elctrica que fluye a travs de ella provoque una fuerza electromotriz opuesta de 1 voltio. Un transformador o dos circuitos magnticamente acoplados tendrn inductancia mutua equivalente a un HENRIO cuando un cambio de 1 amperio/segundo en la corriente del circuto primario induce tensin equivalente a 1 voltio en el circuito secundario.
http://www.bricopage.com/inductancias.html

Inductancia
De Wikipedia, la enciclopedia libre.
Es la propiedad de un circuito que establece la cantidad de flujo magntico que lo atraviesa, en funcin de la corriente que circula por l. El coeficiente de autoinduccin, L, es la medida de esta propiedad y se define:

donde es el flujo magntico e I es la corriente. El valor de este coeficiente viene determinado exclusivamente por la geometra del circuito y por la permeabilidad magntica del espacio donde ste se expresa. Un cambio en la intensidad de la corriente (dI / dt) resultar en un cambio en el campo magntico y, por lo mismo, un cambio en el flujo que est atravesando el circuito, lo que dar lugar a la generacin de una fuerza electromotriz autoinducida en l, debido a la Ley de Faraday, y por tanto a la circulacin de una corriente que se opone a su propio cambio de corriente (vase la Ley de Lenz). El valor de la fuerza electromotriz autoinducida (o fuerza contraelectromotriz) viene dado por:

La Unidad del Sistema Internacional de Medidas de la inductancia es el henrio (H). La inductancia de un solenoide (un circuito en forma de bobinado mltiple, idealmente infinito y sea que no presenta resistencia) viene determinada por:

donde es la permeabilidad magntica del ncleo, N es el nmero de espiras, A es el area de la seccin transversal del bobinado y l es su longitud. sta, y la inductancia de formas ms complicadas, pueden derivarse de las ecuaciones de Maxwell. Obtenido de "http://es.wikipedia.org/wiki/Inductancia"
INDUCTANCIA. Inductancia (tambin denominada inductancia propia) es la propiedad de un circuito o elemento de un circuito para retardar el cambio en la corriente que pasa por l. El retardo est acompaado por absorcin o liberacin de energa y se asocia con el cambio en la magnitud del campo magntico que rodea los conductores. En cualquier circuito, todo flujo magntico, alrededor de los conductores que transportan la corriente, pasa en la misma direccin a travs de la ventana formada por el circuito. Cuando el interruptor de un circuito elctrico se cierra, el aumento de corriente en el circuito produce un aumento del flujo. El cambio del flujo genera un voltaje en el circuito que se opone al cambio de corriente. Esta accin de oposicin es una manifestacin de la ley de Lenz en la que cualquier voltaje magntico inducido se generar siempre en una direccin tal, que se opone a la accin que lo causa. La inductancia se simboliza con la letra L y se mide en henrios (H) y su representacin grfica es por medio de un hilo enrollado, algo que recuerda que la inductancia se debe a un conductor ligado a un campo magntico. La fuente del campo magntico es la carga en movimiento, o corriente. Si la corriente vara con el tiempo, tambin el campo magntico vara con el tiempo. Un campo que vara con el tiempo

induce a un voltaje en cualquier conductor presente en el campo. El parmetro de circuito de la inductancia relaciona el voltaje inducido con la corriente. La magnitud del voltaje inducido en cualquier bobina, por un flujo magntico variable es proporcional al numero de vueltas de la bobina y a la velocidad de variacin del flujo a travs de su ventana. Esta relacin se conoce como ley de Faraday. Expresada en trminos matemticos: En donde e= voltaje inducido en la bobina (V) N= nmero de vueltas conectadas en serie en la bobina d/dt= velocidad de variacin El signo menos proviene de la ley de Lenz, e indica que el voltaje se genera en una direccin opuesta al cambio de flujo que lo causa. Debido a su accin de oposicin, el voltaje inducido magnticamente se denomina frecuentemente fuerza contra-electromotriz. Un cambio en la magnitud o direccin de la corriente en cualquier conductor o bobina siempre establecer un voltaje en una direccin opuesta al cambio. Por tanto la direccin de la tensin inducida depender de si la corriente est aumentando o disminuyendo. Asimismo, cualquier cambio de la velocidad del flujo de electrones en un conductor en una bobina establecer un voltaje que podr retardar, pero no evitar dicho cambio. 2.1-Inductancia concentrada. La inductancia propia de un circuito se puede incrementar aadiendo en serie una inductancia concentrada, llamada inductancia o inductor. La inductancia concentrada es una bobina de alambre con o sin ncleo ferromagntico. Si la inductancia concentrada es mucho mayor que la inductancia propia producida por los alambres de conexin, que es el caso comn, la inductancia de los alambres de conexin puede despreciarse. Cuando se analizan circuitos que contienen inductancias concentradas, debe considerase la resistencia de la bobina y la cada de voltaje debida a esa resistencia. La figura a) muestra un inductor. Si se le asigna la direccin de referencia de la corriente en el inductor en la direccin de la cada de voltaje entre las terminales del inductor se obtienen: a) Donde V se mide en voltios L en Henryos, I en amperios y T en segundos. Si la corriente sigue la direccin de aumento de voltaje en el inductor, la ecuacin se escribe con un signo negativo. Viendo la ecuacin, el voltaje entre las terminales de un inductor es proporcional a la variacin con el tiempo de la corriente en el inductor. Al llegar a ese punto se pueden hacer dos observaciones. Primero, si la corriente es constante, el voltaje en el inductor ideal es cero. De esta manera el inductor se comporta como un cortocircuito para una corriente constante. Segundo, la corriente no puede cambiar en forma instantnea en un inductor; es decir la corriente no puede variar en una cantidad finita en un tiempo cero. La ecuacin nos indica que este cambio requerira un voltaje infinito, y los voltajes infinitos no son posibles. 2.2-Energa almacenada en una bobina. Para establecer el flujo alrededor de un conductor con corriente, la fuente suministra energa elctrica. Toda esta energa se almacena en el campo como energa magntica; nada se consume. Cuando la corriente se disminuye, el flujo que circunda los alrededores se disminuye, haciendo que la energa liberada se libere. La energa almacenada en el campo magntico es diferente a las prdidas de energa en los conductores, las cuales se transforman en energa calorfica. De este modo, cuando se analizan las relaciones de energa en un inductor, es conveniente hacer un modelo de circuito equivalente, que muestre la inductancia y la resistencia por separado. La energa almacenada en el campo magntico de un inductor, en un instante de tiempo, es proporcional a la inductancia propia del inductor y al cuadrado de la corriente en ese instante. Expresado en trminos matemticos queda:

En donde Wk= energa acumulada en la inductancia en un tiempo T, (j) Ik= corriente en el tiempo T, (A) L= Inductancia (H)

CAPACIDAD Se define capacidad C de un condensador como la relacin entre la magnitud de la carga Q de uno cualquiera de los conductores y la diferencia de potencial Vab entre ellos. La capacitancia es la propiedad de un circuito elctrico, o elemento del circuito, para retardar un cambio en el voltaje que pasa a travs de l. El retardo es causado por la absorcin o liberacin de energa y est asociado con un cambio de la carga elctrica. En la mayora de los casos, los conductores suelen tener cargas de igual magnitud y signo opuestos, de modo que la carga neta del condensador es nula. Entonces el campo elctrico en la regin comprendida entre los conductores es proporcional a la magnitud de esta carga y por tanto la diferencia de potencial Vab entre los conductores es tambin proporcional a la magnitud de carga Q.

De esta definicin se deduce que la mitad de capacidad es el coulomb por volt (1C/V). Una capacidad de un coulomb por volt se denomina farad (1F) en honor de Michael Faraday. Como el farad es una unidad de capacidad grande se utilizan unidades de tamao ms adecuado, como el microfarad (1F= 10^-6 F) o el picofarad (1pF=10^-12F). Cuando se dice que un condensador tiene una carga Q, significa que la carga del conductor de mayor potencial es Q y la de menor potencial es -Q. 1.1-El Condensador. Dos Conductores cualesquiera separados por un aislador se dice que forman un condensador. El parmetro de circuito de la capacidad se representa con la letra C y se mide en Faradios. Un Condensador se representa por el smbolo: Las unidades de medida utilizadas en los condensadores es la descrita en el penltimo prrafo del apartado anterior. De la ecuacin de capacidad anterior surgen dos observaciones importantes. Primero, el voltaje no puede cambiar de forma instantnea en las terminales del condensador. Dicha ecuacin indica que este cambio producira una corriente infinita, lo que fsicamente es imposible. Segundo, si el voltaje en las terminales es constante, la corriente en el condensador es cero. Esto se debe a que no se puede establecer una corriente de conduccin en el material dielctrico del condensador. La corriente de desplazamiento solo se puede producir con un voltaje que vare con el tiempo. Por lo tanto un condensador se comporta como un circuito abierto si el voltaje es constante Los condensadores tienen muchas aplicaciones en circuitos elctricos. Se utilizan para sintonizar los circuitos de radio, para suavizar la corriente rectificada suministrada por una fuente, para eliminar la chispa que se produce cuando se abre repentinamente un circuito con inductancia. El sistema de encendido de los motores de un coche tiene un condensador para eliminar chispazos al abrirse y cerrarse los platinos. 1.2-Accin de carga.

Si dos conductores separados por un material aislante, como el aire, el papel, el caucho, el plstico o el vidrio, se conectan a un generador de CC o a una batera, los electrones libres en el material conductor se orienta en la direccin de la tensin de excitacin. La batera que acta como una bomba de electrones transfiere algunos de estos electrones libres del conductor A al conductor B. La transferencia de electrones hace que el conductor B sea cada vez ms negativo y el conductor A cada vez ms positivo. As se crea una diferencia de potencial entre los conductores. Del material que pierde electrones se dice que est cargado positivamente y del que gana electrones se dice que est cargado negativamente. Si el proceso de carga continua, con el tiempo el conductor B llegar a estar lo suficientemente cargado negativamente como para evitar transferencia adicional de electrones. Cuando esto ocurre, el voltaje medido del conductor A al conductor B es igual y opuesto a la tensin de excitacin. La rapidez del movimiento de los electrones est limitada por la resistencia de los materiales conductores. Por lo tanto, el proceso de carga requerir de ms tiempo si se utilizan materiales de resistencias ms altas. 1.3-Energa almacenada en un condensador, El proceso de transferencia de carga elctrica de una placa del condensador a la otra, produce una acumulacin de energa. Esta energa en forma de cargas elctricas desplazadas, permanece almacenada por algn tiempo despus de que se desconecta la tensin de excitacin. La cantidad de energa almacenada en el condensador depende de la capacitancia y del voltaje a travs de l, elevado al cuadrado. Por consiguiente: En donde Wc= Energa acumulada en el condensador, joules (J) C= Capacitancia, farads (F) Vc= Voltaje medido entre placas de polaridad opuesta, volt (V) La energa almacenada en el condensador no se libera en el instante en que ste se desconecta del generador. La duracin de la carga depende de factores tales como la resistencias del dielctrico, la constante dielctrica, la superficie de dispersin la humedad y la radioactividad del ambiente 1.4-Condensador de placas paralelas. El tipo de condensadores ms frecuentes consiste en principio en dos placas conductoras paralelas y separadas por una pequea distancia. Todo el campo del condensador est comprendido entre estas dos placas, y las cargas sobre estas placas estn distribuidas uniformemente sobre sus superficies opuestas. Esta disposicin se conoce como condensador de placas paralelas. En los circuitos de radio se utilizan con mucha frecuencia condensadores variables capacidad puede variar. Estos condensadores suelen tener cierto nmero de placas metlicas paralelas fijas conectadas entre s que constituyen una placa del condensador, mientras que un segundo juego de placas mviles (tambin conectadas entre s) forman la otra placa. Las placas mviles estn montadas en un eje y pueden interlaminarse entre las fijas con mayor o menor extensin. El rea efectiva del condensador es la de la porcin interlaminada de las placas. Un condensador variable se representa por el smbolo: 1.5-Condensadores en serie y en paralelo. En la figura 1 se ha conectado en serie dos condensadores entre los puntos a y b, que se mantienen a una diferencia de potencial constante Vab. Inicialmente ambos condensadores estn descargados. En esta conexin, los dos condensadores tienen la misma carga Q. Podra plantearse la cuestin de que la placa inferior C1 y la superior C2 tuvieran cargas diferentes que las otras placas, pero en ese caso la carga neta de cada condensador no sera nula y el campo elctrico resultante en el conductor de unin de los condensadores ocasionara un flujo de corriente que circulara hasta reducir a cero la carga total de cada uno. Por consiguiente, en una conexin en serie la magnitud de la carga de todas las placas es la misma. Figura 1:

En base a la figura 1 tenemos que: La Capacidad equivalente C de una combinacin en serie se define como la de un solo condensador de carga Q igual a la de la combinacin, cuando la diferencia de potencial V es igual. En la figura 2 hay dos condensadores conectados en paralelos entre los puntos a y b. En este caso la diferencia de potencial Vab=V es la misma para ambos, y las cargas y no son necesariamente iguales, son: La carga total suministrada por la fuente es: La capacidad equivalente c de una combinacin en paralelo se define como la de un solo condensador cuya carga total es igual que la de la figura 2 en su primera parte. Figura 2: 1.6-Efecto de un dielctrico. La mayor parte de los condensadores tienen entre sus placas un material slido no conductor o dielctrico. Un tipo normal de condensador son los constituidos por tiras de chapa metlica, que constituyen las placas, separadas por tiras de papel parafinado o lminas de plstico como el mylar, que actan de dielectro. En los condensadores electrolticos el dielectro es una pelcula finsima de un oxido no conductor situada entre una placa metlica y una disolucin conductora. Debido al pequeo espesor del dielectro, condensadores electrolticos de dimensiones relativamente pequeas pueden llegar a tener entre 100 y 1000 F. La capacitancia de un condensador de dimensiones dadas es mayor cuando hay un dielectro entre las placas que cuando estn separadas por el aire o por el vaco. Este efecto puede demostrarse con la ayuda de un electrmetro sensible, un dispositivo que puede medir la diferencia de potencial entre dos conductores sin que pase carga alguna de uno a otro. Un condensador est cargado con una carga Q y una diferencia de potencial Vo. Cuando se sita entre las placas una lmina de dielectro como parafina, vidrio o poliestireno, se observa que la diferencia de potencial disminuye hasta un valor V. Al quitar el dielectro, la diferencia de potencial vuelve a su valor inicial, lo que demuestra que las cargas iniciales de las placas no han sido afectadas por la insercin del dielectro. La capacitancia inicial del condensador Co, era: Como Q no vara y se observa que V es menor que Vo, se deduce que C es mayor que Co. La relacin entre C y Co se llama constante dielctrica del material K. Como C siempre es mayor que Co, las constantes dielctricas de todos los dielectros son mayores que la unidad.

http://html.rincondelvago.com/capacidad_inductancia_corriente-continua-y-alterna.html

CAPACITANCIA.
DEFINICIONES.

CAPACITOR

CONDENSADOR:

capacitor

es

un

dispositivo

elctrico formado por dos conductores aislados entre si, que al aplicarles una diferencia de potencial V, se reacomoda su carga elctrica, uno queda con carga +Q y el otro con una carga de Q, de esta forma se dice que el capacitor esta cargado con carga Q.

Fig. 1 Un capacitor se compone de dos conductores aislados elctricamente uno del otro y de sus alrededores. Una vez que el capacitor se carga, los dos conductores tienen cargas iguales pero opuestas.

CAPACITANCIA. Es la razn de la magnitud de la carga en uno u otro conductor con la diferencia de potencial resultante entre ambos conductores. Se define la capacitancia de un capacitor como: C

=Q/V

La capacitancia C depende tanto de factores geomtricos (rea de las placas y distancia entre ellas) como de factores intrnsicos del material dielctrico, representados estos ltimos por la constante de permitividad del material, como lo expresa la siguiente ecuacin que representa la capacitancia de un par de placas planas y paralelas: C=eA/d Donde A es el rea de las placas, d la distancia que las separa y epsilon es constante de permitividad para cada material dielctrico particular. Esta constante est relacionada con la constante de permitividad del vaco (epsilon 0) a travs de la constante dielctrica del material Ke, como se muestra en la siguiente ecuacin:

= Ke *

Donde la permitividad del vaco (o del aire) es:

= 8.85 x 10 12 [ C 2 / N m 2 ]

Mientras mayor sea la constante dielctrica (Ke), mayor ser la capacitancia. Los valores de capacitancia siempre son positivos. Adems, ya que la diferencia de potencial aumenta a medida que la carga almacenada se incrementa, la proporcin Q/V es constante para un capacitor dado. En consecuencia, la capacitancia de un dispositivo es una medida de su capacidad para almacenar carga y energa potencial elctrica; esta tiene unidades del SI Coulomb por volt, que es el farad (F), en honor a Michael Faraday. [Capacitancia] = 1 F = C / V FARAD. Unidad de la capacitancia (F) es la transferencia de carga de un coulomb en un conductor cuando se eleva su potencial en un volt.

Si un conductor tiene una capacitancia de un farad, una transferencia de carga de un coulomb al conductor elevar su potencial en un volt. El farad es una unidad de capacitancia muy grande. En la prctica, los dispositivos comunes tienen capacitancias que varan de microfaradios (F) o picofaradios ( pF). La capacitancia depende, de entre otras cosas, del arreglo geomtrico de los conductores. Debido al enorme tamao del coulomb como unidad de carga, el farad como unidad de capacitancia suele ser tambin demasiado grande en aplicaciones prcticas. En consecuencia, comnmente se usan los siguientes submltiplos. 1 microfarad (F) = 10-6 F 1 picofarad (pF) = 10-12 F Como un ejemplo, calcularemos la capacitancia de un conductor esfrico aislado de radio R y carga Q. (El segundo conductor puede considerarse como una esfera conductora hueca concntrica de radio infinito.) Puesto que el potencial de la esfera es simplemente K eQ / R (donde V = 0 en el infinito), su capacitancia es: C = Q/V = Q /(Ke Q/R) = R /Ke = 4

R
0

Esto demuestra que la capacitancia de una esfera cargada aislada es proporcional a su radio e independiente tanto de la carga como de la diferencia de potencial. Por ejemplo, una esfera metlica aislada de 0.15 m de radio tiene una capacitancia de: C = 4

R = 4 (8.85 x 10
0

12

C2/Nm2)(0.15) = 17 pF

RIGIDEZ DIELCTRICA. Es la intensidad del campo elctrico para el cual el material deja de ser un aislador y se convierte en un conductor.

La rigidez dielctrica de un material vara considerablemente con las condiciones del ambiente, como presin, humedad, etc. Es difcil obtener valores exactos.

CLCULO

DE

CAPACITANCIA

EN

DIFERENTES

CONFIGURACIONES.
La capacitancia de un par de conductores con cargas opuestas se puede calcular capacitor es simple. Ahora se calculara la capacitancia a tres geometras con las que estamos familiarizados, es decir, dos placas paralelas, dos cilindros coaxiales y dos esferas concntricas. En estos ejemplos, suponemos que los conductores cargados estn separados por el vaco. simplemente usamos C = Q/V. Como se podra esperar, el clculo se efecta con relativa facilidad si la geometra del

EL CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS.

En la figura 2 una placa tiene una carga Q la otra, carga Q. La carga por unidad de rea sobre cualquier placa es = Q/A. Se puede ignorar los efectos de borde y suponer que el campo elctrico es uniforme entre las placas y cero en cualquier otra parte, cuando las placas se encuentren cercanas una de la otra (en comparacin de su longitud y ancho). A partir de esto, el campo elctrico entre placas es: E = /

= Q/

A
0

Donde

es la permitividad del espacio libre. La diferencia de

potencial entre las placas es igual a Ed; por lo tanto:

V = Ed = Q d/

A
0

Al sustituir este resultado en la ecuacin que define la capacitancia encontramos que: C = Q/V = Q / (Q d/

A)
0

C=

A/d
0

La ecuacin anterior indica que, la capacitancia de un capacitor de placas paralelas es proporcional al rea de sus placas e inversamente proporcional a la separacin de estas. Como podemos observar, la capacitancia depende nicamente de la geometra del capacitor

Fig. 2. Capacitor de placas paralelas.

COMBINACINES DE CAPACITORES.
Es muy comn que dos o ms capacitores se combinen en circuitos de varias maneras, por ejemplo: en paralelos o en serie. Para una combinacin en paralelo, la capacitancia equivalente es igual a la suma de las capacitancias individuales, mientras que

para una combinacion en serie, el recproco de la capacitancia es igual a la suma de los recprocos de las capacitancias individuales.

Figura 3: a) Combinacin en paralelo de dos capacitores. b) Diagrama de circuito para la combinacin en paralelo. c) La diferencia de potencial es igual para a travs de cada capacitor, y la capacitancia equivalente es Ceq = C1 + C2.

En la figura 3, se muestran dos capacitores conectados en paralelo. Las placas de la izquierda de los capacitores se conectan por un alambre conductor en la terminal positiva de la batera y estn, por tanto, al mismo potencial que la terminal positiva. De igual modo, las placas de la derecha estn conectadas a la terminal negativa de la batera, y por ende, se encuentran al mismo potencial que la terminal negativa. Cuando los capacitores se conectan primero en el circuito, los electrones se trasfieren a travs de la batera y las placas de la izquierda a las placas de la derecha, dejando a las primeras cargadas positivamente y a las segundas cargadas negativamente. La fuente de energa para esta transferencia de carga es la energa qumica interna almacenada en la batera, la cual se convierte en energa elctrica. El flujo de carga cesa cuando el voltaje

a travs de los capacitores es igual al de la batera. Los capacitores alcanzan su carga mxima cuando se interrumpe el flujo de carga. Nombrando Q1 y Q2 a las cargas mximas en los dos capacitores, la carga total Q almacenada por los dos capacitores es: Q = Q1 + Q2 Cuando deseamos sustituir estos dos capacitores por uno equivalente con una capacitancia C eq. Este capacitor equivalente tiene el mismo efecto externo sobre el circuito que los dos capacitores. Es decir, debe almacenar Q unidades de carga. En la figura 3b, vemos que: la diferencia de potencial a travs de cada capacitor en el circuito paralelo es la misma e igual al voltaje de la batera, V. En la figura 3c, vemos que el voltaje en el capacitor equivalente tambin es V. De modo, tenemos Q 1 = C1 V Para el capacitor equivalente, Q = Ceq V La sustitucin de estas relaciones en la ecuacin Q = Q1 + Q2 produce: Ceq V = C1 V + C2 V Ceq = C1 + C2 Si nos encontramos en la solucin de algn problema tres o ms capacitores conectados en paralelo, la capacitancia equivalente se obtendr como: Ceq = C1 + C2 + C3 + Q 2 = C2 V

As pues, vemos que la capacitancia equivalente de una combinacin en paralelo de capacitores es mayor que cualquiera de las capacitancias individuales. Al tener dos capacitores conectados en serie. Para esta combinacin de capacitores la magnitud de la carga debe ser siempre la misma en todas las placas. Para ver por que esto es cierto, observemos en detalle como se realiza el proceso de transferencia de carga. Comencemos con capacitores descargados y veamos que sucede justo despus de que una batera se conecta al circuito. Al conectar la batera se trasfieren electrones de la placa izquierda de C 1 a la placa derecha de C2 a travs de la batera. A medida de que esta carga negativa se acumula en la placa derecha de C 2, una cantidad equivalente de carga negativa es obligada a salir de la placa izquierda de C2 y deja a esta con un exceso de carga positiva. La carga negativa que sale de la placa izquierda de C 2 se acumula en la placa de la derecha de C1, donde otra vez una cantidad equivalente de carga negativa sale de la placa izquierda. El resultado de todo esto es que todas las placas derechas ganan una carga de Q mientras que todas las placas de la izquierda tienen una carga de + Q. Cuando se requiere simplificar o tener una capacitancia

equivalente, suponemos que el capacitor equivalente realiza la misma funcin que la combinacin en serie; por lo que, el capacitor equivalente debe tener una carga de Q en su placa derecha y de +Q en su placa izquierda. Aplicando la definicin de capacitancia del circuito, tenemos: V = Q / Ceq Donde V es la diferencia de potencial entre las terminales de la batera y Ceq es la capacitancia equivalente. Y vemos que: V = V 1 + V2

Donde V1 y V2, son las diferencias de potencial en los capacitores C1 y C2. En general, la diferencia de potencial a travs de cualquier nmero de capacitores en serie es igual a la suma de la diferencia de potencial a travs de los capacitores individuales. Puesto que Q = CV puede aplicarse a cada capacitor, la diferencia de potencial a travs de cada uno es: V1 = Q/C1 V2 = Q/C2

Al sustituir estas expresiones en V = Q / Ceq, tenemos: Q / Ceq = Q/C1 + Q/C2 Cancelando Q, obtenemos la relacin: 1/ Ceq = 1/C1 + 1/C2 Si este anlisis se aplica a tres o ms capacitores conectados en serie, se encuentra que la capacitancia equivalente es: 1/ Ceq = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3 + Esto demuestra que la capacitancia equivalente de una combinacin en serie siempre es menor que cualquier capacitancia individual en la combinacin.

ENERGA ASOCIADA AL CAMPO ELCTRICO.

Si las placas de un capacitor cargado se conectan entre si por medio de un conductor, como un alambre, la carga se mueve de una placa a la otra hasta que las dos se descargan. A menudo, la descarga puede observarse como una chispa. Al tocar accidentalmente las placas opuestas de un capacitor cargado, sus dedos actan como un conductor, por lo que el capacitor puede descargarse, y el resultado puede ser un choque elctrico. El grado del choque que usted recibe depende de la capacitancia y el voltaje aplicado al capacitor. Este choque seria fatal en los casos que se presentaran altos voltajes, como en la alimentacin elctrica de un aparato de televisin. Considerando un capacitor de placas paralelas inicialmente descargado; al conectarse a una batera que le suministra una carga Q, suponemos que el capacitor se carga lentamente de modo que el problema puede considerarse como un sistema electroesttico. La diferencia de potencial final en el capacitor es V = Q/C. Debido a que la diferencia de potencial inicial es cero, la diferencia de potencial promedio durante el proceso de carga es V/2 = Q/2C. A partir de esto podramos concluir que el trabajo necesario para cargar el capacitor es W = QV/2 = Q2/2C. Aunque este resultado es correcto, es ms adecuada una prueba ms detallada que a continuacin se presenta. Suponga que q es la carga en el capacitor en cierto instante durante el proceso de carga. En el mismo instante, la diferencia de potencial en el capacitor es V = q/C. El trabajo necesario para transferir un incremento de carga dq de la placa de carga q a la placa de carga q (la cual esta a mayor potencial) es: dW = V dq = (q/C )dq

As que, el trabajo total requerido para cargar el capacitor de q = 0 hasta cierta carga final q = Q es:
Q

W=

(q/C) dq = Q2/2C
0

Pero el trabajo hecho al cargar al capacitor puede considerarse como la energa potencial U almacenada en el. Utilizando Q = C V, podemos expresar la energa potencial electrosttica almacenada en un capacitor cargado en las siguientes formas alternativas. U = Q2/2C = Q V = C V2 Este resultado se aplica a cualquier capacitor, sin que importe su geometra. La energa almacenada aumenta a medida que la carga se incrementa y conforme crece la diferencia de potencial para una capacitancia dada. En la prctica hay un lmite para la energa o carga mxima que puede almacenarse. Esto se debe a que la descarga elctrica ocurre al final entre las placas del capacitor a un valor de V suficientemente grande. Por esta razn, los capacitores suelen etiquetarse con un voltaje de operacin mximo. La energa W almacenada en un capacitor que tenga una carga q y una diferencia de potencial V y de capacidad C es:
W= 1 1 1 q2 qV = CV 2 = 2 2 2 C

La energa almacenada en un capacitor puede considerarse como si se estuviera almacenando en el campo elctrico creado entre las placas cuando se carga el capacitor. Esta descripcin en razonable en vista del hecho de que el campo elctrico es proporcional a la carga en el capacitor. Para un capacitor de placas paralelas, la diferencia de potencial se relaciona con el campo elctrico por medio

de la relacin V = Ed. As mismo, su capacitancia es C = 0A/d. La sustitucin de estas expresiones en la ecuacin 3.8 produce: U = (0A/d) (E2d2) = (0A/d) E2 Puesto que el volumen ocupado por el campo elctrico es A d, la energa por unidad de volumen uE = U/Ad, llamada la densidad de energa, es uE = 0 E2 Aunque esta ecuacin se obtuvo para un capacitor de placas paralelas, es en general la expresin vlida. Es decir, la densidad de energa en cualquier campo elctrico es proporcional al cuadrado del campo elctrico en el volumen unitario.

EJERCICIO 1 Cul es la carga mxima que puede colocarse en una esfera conductora de 50 cm de radio? La intensidad del campo en la superficie de la esfera, en el punto de ruptura del aire es dada por E = kQ/r2 = 3MNC Donde se ha supuesto que la rigidez dielctrica del aire es 3 MN/c. si se resuelve se obtiene Q= (3*106NC) r2 / k Q= (3*106 N/C) (0.2)2/ 9*109 N*m2 C2 Q= 8.33 * 10-5 C = 83.3 C EJERCICIO 2 Un capacitor tiene una capacitancia de 4F y se conecta a una batera de 60 V Cul es la carga en el capacitor? Q = C*V Q = (4 F) (60 V)

Q = 240 C EJERCICIO 3 Las placas de un capacitor de placas paralelas tiene una separacin de 3 mm en aire, y el rea de separacin de cada placa es de 0.2 m2 Cul es la capacitancia? C = * (A/ d) C = (8.85*1012 C2N*m2)(0.2 m2) 3 *10-3 m C = 590 * 10-12 F C = 590 Pf EJERCICIO 4 La combinacin en serie de los dos capacitores mostrados en la figura 1 estn conectados a una diferencia de potencial de 1000 V. Encuentre: V1 C1 + + + 3 pF V = 1000 V Fig. 1. a. La capacitancia equivalente Ceq de la combinacin.
1 1 1 1 1 1 = + = + = C eq C1 C 2 3 pF 6 pF 2 pF de donde C = 2 pF .

V2 C2 + + 6 pF -

b. La magnitud de las cargas en cada capacitor. En una combinacin en serie, cada capacitor tiene la misma carga, que es igual a la carga de la combinacin. Entonces, utilizando el resultado de a), obtenemos:
q1 = q 2 = q = C eqV = 2 10 12 F (1000 V ) = 2nC.

c. La diferencia de potencial a travs de cada capacitor.

V1 = V2 =

q1 2 10 9 C = = 667 V C1 3 10 12 F q2 2 10 9 C = = 333 V C 2 6 10 12 F

d. La energa almacenada en los capacitares.

Energa en C1 = 1 2 q1V1 =
1 2

Energa en C 2 = 1 2 q 2V2 =

Energa de la combinacin = ( 6.7 + 3.3) 10 9 J = 10 10 7 J = 1J

1 2

( 2 10 C ) ( 667 V ) = 6.7 10 ( 2 10 C ) ( 333 V ) = 3.3 10

9 9

J = 0.67 J J = 0.33J

El ltimo problema tambin se puede obtener directamente de EJERCICIO 5

1 2

2 qV o de 1 2 C eqV .

La combinacin de capacitares en paralelo mostrada en la figura 2 est conectada a una fuente que suministra una diferencia de potencial de 120 V. Calcular la capacitancia equivalente Ceq, la carga en cada capacitor y la carga en la combinacin. C1 + + 2 pF -

C2 + + 6 pF -

+ Para una combinacin en paralelo,

120 V Fig. 2.

C eq = C1 + C 2 = 2 pF + 6 pF = 8 pF

A cada capacitor se le ha aplicado una diferencia de potencial de 120 V. Por consiguiente:

q1 = C1V1 = 2 10 12 F (120 V ) = 240 pC

q 2 = C 2V2 = 6 10 12 F (120 V ) = 720 pC

La carga de la combinacin es q1 + q2 =960 pC. O, podra escribirse

q = C eqV = 8 10 12 F (120 V ) = 960 pC

EJERCICIO 5 Cada una de las placas paralelas de un capacitor tiene un rea de 200 cm 2, y se encuentran separadas por un espacio de aire de 0.4 cm. a) Calcular su capacitancia. Para un capacitor de placas paralelas con un espacio de aire:
C = K 0 A 200 10 4 m 2 = (1) 8.85 10 12 F / m = 4.4 10 11 F = 44 pF 3 d 4 10 m b) Si el capacitor est conectado a una fuente que suministra una diferencia de potencial de 500 V, calcular la carga, la energa almacenada y el valor de E entre las placas.

q = CV = 4.4 10 11 F ( 500 V ) = 2.2 10 8 C = 22 nC Energia = 1 2 qV = E=

1 2

( 2.2 10

C ( 500 V ) = 5.5 10 6 C = 5.5 J

V 500 V = = 1.25 10 5 V m = 125 K V m d 4 10 3 m

c) Si un lquido con una K = 2.60 se vaca entre las placas para sustituir al espacio de aire, qu carga adicional le suministrar al capacitor la fuente de 500 V? Ahora el capacitor tendr una capacitancia K = 2.60 ms grande que el valor anterior. Por consiguiente:
q = CV = 2.60 4.4 10 11 F ( 500 V ) = 5.7 10 8 C = 57 nC

El capacitor ya tena una carga de 22 nC y entonces 57 22 o bien deben ser agregados. CONDENSADORES

Los condensadores son componentes pasivos diseados con el fin de almacenar energa electrosttica o presentar una capacidad elctrica determinada. Otra forma de definirlo sera la siguiente: componentes pasivos de dos terminales en los que la intensidad que los atraviesa (aparentemente) es proporcional a la variacin de tensin existente entre sus terminales respecto al tiempo. Su unidad de medida en el S.I. es el Faradio aunque

por las limitaciones caractersticas de los mismos se usan distintos submltiplos (micro, / nano, n / pico, p ). Desde el punto de vista constructivo, un condensador est constituido por dos placas conductoras separadas por un material dielctrico. En su interior se establece un campo elctrico, sin prdida de energa, como consecuencia de la polarizacin dielctrica (no confundir material aislante y dielctrico, todos los dielctricos son aislantes, pero no todos los aislantes son dielctricos; los dielctricos son materiales no conductores en los que resulta posible su polarizacin). La capacidad de un condensador va a depender del tamao de sus placas, de la distancia que las separa y del material del que est formado el dielctrico. Igual que en las resistencias nos vamos a encontrar con condensadores: -Condensadores fijos: su valor capacitivo no se puede alterar. -Condensadores variables: se puede modificar su capacidad dentro de unos mrgenes determinados.

Caractersticas tcnicas
Capacidad nominal (Cn): es la capacidad que se espera que tenga el condensador. Estos valores suelen corresponderse con valores normalizados de la serie E-12, aunque tambin se usan los de las series E-6 y E-24, que son los mismos que se dan para resistencias ( ver series de valores normalizados para resistencias para las series citadas). Tolerancia: es la variacin que puede presentar respecto al valor nominal del condensador dado por el fabricante. Se expresa en % y puede ser asimtrica (-a +b %). Coeficiente de temperatura: expresa la variacin del valor del condensador con la temperatura. Se suele expresar en %/C (tanto por ciento por grado centgrado), o en ppm/C (partes por milln por grado centgrado). Tensin mxima de funcionamiento (Vn): tambin llamada tensin nominal, es la mxima tensin continua o alterna eficaz que se le puede aplicar al condensador de forma continua y a una temperatura menor a la mxima de funcionamiento, sin que este sufra algn deteriodo. Tensin de pico (Vp): mxima tensin que se puede aplicar durante un breve intervalo de tiempo. Su valor es superior a la tensin mxima de funcionamiento. Corriente nominal (In): es el valor continuo o eficaz de la corriente mxima admisible para una frecuencia dada en la que el condensador puede trabajar de forma continua y a una temperatura inferior a la mxima de funcionamiento. Corriente de fugas (If): pequea corriente que hace que el condensador se descargue a lo largo del tiempo. Factor de perdidas (tg): teoricamente cuando se aplica una tensin alterna a un condensador se produce un desfase de la corriente respecto a la tensin de 90 de

adelanto, pero en la prctica esto no es as. La diferencia entre estos 90 y el desfase real se denomina angulo de prdidas.

CONDENSADORES FIJOS
Estos condensadores tienen una capacidad fija determinada por el fabricante y su valor no se puede modificar. Sus caractersticas dependen principalmente del tipo de dielctrico utilizado, de tal forma que los nombres de los diversos tipos se corresponden con los nombres del dielctrico usado. De esta forma podemos distinguir los siguientes tipos: -Cermicos. -Plstico. -Mica. -Electrolticos. -De doble capa elctrica.

Condensadores cermicos
El dielctrico utilizado por estos condensadores es la cermica, siendo el material ms utilizado el dixido de titanio. Este material confiere al condensador grandes inestabilidades por lo que en base al material se pueden diferenciar dos grupos: Grupo I: caracterizados por una alta estabilidad, con un coeficiente de temperatura bien definido y casi constante. Grupo II: su coeficiente de temperatura no est prcticamente definido y adems de presentar caractersticas no lineales, su capacidad vara considerablemente con la temperatura, la tensin y el tiempo de funcionamiento. Se caracterizan por su elevada permitividad. Las altas constantes dielctricas caractersticas de las cermicas permiten amplias posibilidades de diseo mecnico y elctrico.

Condensadores de plstico
Estos condensadores se caracterizan por las altas resistencias de aislamiento y elevadas tempeeraturas de funcionamiento. Segn el proceso de fabricacin podemos diferenciar entre los de tipo k y tipo MK, que

se distinguen por el material de sus armaduras (metal en el primer caso y metal vaporizado en el segundo). Segn el dielctrico usado se pueden distinguir estos tipos comerciales: KS: styroflex, constituidos por lminas de metal y poliestireno como dielctrico. KP: formados por lminas de metal y dielctrico de polipropileno. MKP: dielctrico de polipropileno y armaduras de metal vaporizado. MKY: dielctrco de polipropileno de gran calidad y lminas de metal vaporizado. MKT: lminas de metal vaporizado y dielctrico de teraftalato de polietileno (polister). MKC: makrofol, metal vaporizado para las armaduras y policarbonato para el dielctrico. A nivel orientativo estas pueden ser las caractersticas tpicas de los condensadores de plstico: TIPO CAPACIDAD TOLERANCIA TENSION TEMPERATURA KS KP 2pF-330nF 2pF-100nF +/-0,5% +/-5% +/-1% +/-5% +/-1% +/-5% +/-5% +/-20% 25V-630V 63V-630V 0,25KV-40KV 25V-630V 25V-630V -55C-70C -55C-85C -40C-85C -55C-85C -55C-100C -55C-100C

MKP 1,5nF-4700nF MKY 100nF-1000nF MKC 1nF-1000nF

+/-5% +/-20% 0,25KV-40KV

MKT 680pF-0,01mF +/-5% +/-20%

Condensadores de mica
El dielctrico utilizado en este tipo de condensadores es la mica o silicato de aluminio y potasio y se caracterizan por bajas prdidas, ancho rango de frecuencias y alta estabilidad con la temperatura y el tiempo.

Condensadores electrolticos
En estos condensadores una de las armaduras es de metal mientras que la otra est constituida por un conductor inico o electrolito. Presentan unos altos valores capacitivos en relacin al tamao y en la mayora de los casos aparecen polarizados. Podemos distinguir dos tipos: -Electrolticos de aluminio: la armadura metlica es de aluminio y el electrolito de tetraborato armnico. -Electrolticos de tntalo: el dielctrico est constituido por xido de tntalo y nos encontramos con mayores valores capacitivos que los anteriores para un mismo tamao. Por otra parte las tensiones nominales que soportan son menores que los de aluminio y su coste es algo ms elevado.

Condensadores de doble capa elctrica

Estos condensadores tambin se conocen como supercondensadores o CAEV debido a la gran capacidad que tienen por unidad de volumen. Se diferencian de los condensadores convencionales en que no usan dielctrico por lo que son muy delgados.

Las caractersticas elctricas ms significativas desde el punto de su aplicacin como fuente acumulada de energa son: altos valores capacitivos para reducidos tamaos, corriente de fugas muy baja, alta resistencia serie, y pequeos valores de tensin.

CONDENSADORES VARIABLES
Estos condensadores presentan una capacidad que podemos variar entre ciertos lmites. Igual que pasa con las resistencias podemos distinguir entre condensadores variables, su aplicacin conlleva la variacin con cierta frecuencia (por ejemplo sintonizadores); y condensadores ajustables o trimmers, que normalmente son ajustados una sola vez (aplicaciones de reparacin y puesta a punto). La variacin de la capacidad se lleva a cabo mediante el desplazamiento mecnico entre las placas enfrentadas. La relacin con que varan su capacidad respecto al ngulo de rotacin viene determinada por la forma constructiva de las placas enfrentedas, obedeciendo a distintas leyes de variacin, entre las que destacan la lineal, logartmica y cuadrtica corregida.

IDENTIFICACIN DE CONDENSADORES
Vamos a disponer de un cdigo de colores, cuya lectura vara segn el tipo de condensador, y un cdigo de marcas, particularizado en los mismos. Primero determinaremos el tipo de condensador (fijo o variable) y el tipo concreto dentro de estos. Las principales caractersticas que nos vamos a encontrar en los condensadores van a ser la capacidad nominal, tolerancia, tensin y coeficiente de temperatura, aunque dependiendo de cada tipo traern unas caractersticas u otras. En cuanto a las letras para la tolerancia y la correspondencia nmero-color del cdigo de colores, son lo mismo que para resistencias. Debemos destacar que la fuente ms fiable a la hora de la identificacin son las caractersticas que nos proporciona el fabricante. A continuacin vemos la identificacin de los principales tipos de condensadores: -Condensadores cermicos tipo placa, grupo 1 y 2. -Condensadores cermicos tipo disco, grupo1. -Condensadores cermicos de disco, grupo2. -Condensadores cermicos tubulares. -Condensadores de plstico. -Condensadores electrolticos. -Condensadores de tntalo.

INDUCTANCIA. Inductancia (tambin denominada inductancia propia) es la propiedad de un circuito o elemento de un circuito para retardar el cambio en la corriente que pasa por l. El retardo est acompaado por absorcin o liberacin de energa y se asocia con el cambio en la magnitud del campo magntico que rodea los conductores. En cualquier circuito, todo flujo magntico, alrededor de los conductores que transportan la corriente, pasa en la misma direccin a travs de la ventana formada por el circuito. Cuando el interruptor de un circuito elctrico se cierra, el aumento de corriente en el circuito produce un aumento del flujo. El cambio del flujo genera un voltaje en el circuito que se opone al cambio de corriente. Esta accin de oposicin es una manifestacin de la ley de Lenz en la que cualquier voltaje magntico inducido se generar siempre en una direccin tal, que se opone a la accin que lo causa. La inductancia se simboliza con la letra L y se mide en henrios (H) y su representacin grfica es por medio de un hilo enrollado, algo que recuerda que la inductancia se debe a un conductor ligado a un campo magntico. La fuente del campo magntico es la carga en movimiento, o corriente. Si la corriente vara con el tiempo, tambin el campo magntico vara con el tiempo. Un campo que vara con el tiempo induce a un voltaje en cualquier conductor presente en el campo. El parmetro de circuito de la inductancia relaciona el voltaje inducido con la corriente. La magnitud del voltaje inducido en cualquier bobina, por un flujo magntico variable es proporcional al numero de vueltas de la bobina y a la velocidad de variacin del flujo a travs de su ventana. Esta relacin se conoce como ley de Faraday. Expresada en trminos matemticos: En donde e= voltaje inducido en la bobina (V) N= nmero de vueltas conectadas en serie en la bobina d/dt= velocidad de variacin El signo menos proviene de la ley de Lenz, e indica que el voltaje se genera en una direccin opuesta al cambio de flujo que lo causa. Debido a su accin de oposicin, el voltaje inducido magnticamente se denomina frecuentemente fuerza contra-electromotriz. Un cambio en la magnitud o direccin de la corriente en cualquier conductor o bobina siempre establecer un voltaje en una direccin opuesta al cambio. Por tanto la direccin de la tensin inducida depender de si la corriente est aumentando o disminuyendo. Asimismo, cualquier cambio de la velocidad del flujo de electrones en un conductor en una bobina establecer un voltaje que podr retardar, pero no evitar dicho cambio. Inductancia concentrada. La inductancia propia de un circuito se puede incrementar aadiendo en serie una inductancia concentrada, llamada inductancia o inductor. La inductancia concentrada es una bobina de alambre con o sin ncleo ferromagntico. Si la inductancia concentrada es mucho mayor que la inductancia propia producida por los alambres de conexin, que es el caso comn, la inductancia de los alambres de conexin puede despreciarse. Cuando se analizan circuitos que contienen inductancias concentradas, debe considerase la resistencia de la bobina y la cada de voltaje debida a esa resistencia. La figura a) muestra un inductor. Si se le asigna la direccin de referencia de la corriente en el inductor en la direccin de la cada de voltaje entre las terminales del inductor se obtienen: a) Donde V se mide en voltios L en Henryos, I en amperios y T en segundos. Si la corriente sigue la direccin de aumento de voltaje en el inductor, la ecuacin se escribe con un signo negativo. Viendo la ecuacin, el voltaje entre las terminales de un inductor es proporcional a la variacin con el tiempo de la corriente en el inductor. Al llegar a ese punto se pueden hacer dos observaciones. Primero, si la corriente es constante, el voltaje en el inductor ideal es cero.

De esta manera el inductor se comporta como un cortocircuito para una corriente constante. Segundo, la corriente no puede cambiar en forma instantnea en un inductor; es decir la corriente no puede variar en una cantidad finita en un tiempo cero. La ecuacin nos indica que este cambio requerira un voltaje infinito, y los voltajes infinitos no son posibles. Energa almacenada en una bobina. Para establecer el flujo alrededor de un conductor con corriente, la fuente suministra energa elctrica. Toda esta energa se almacena en el campo como energa magntica; nada se consume. Cuando la corriente se disminuye, el flujo que circunda los alrededores se disminuye, haciendo que la energa liberada se libere. La energa almacenada en el campo magntico es diferente a las prdidas de energa en los conductores, las cuales se transforman en energa calorfica. De este modo, cuando se analizan las relaciones de energa en un inductor, es conveniente hacer un modelo de circuito equivalente, que muestre la inductancia y la resistencia por separado. La energa almacenada en el campo magntico de un inductor, en un instante de tiempo, es proporcional a la inductancia propia del inductor y al cuadrado de la corriente en ese instante. Expresado en trminos matemticos queda: En donde Wk= energa acumulada en la inductancia en un tiempo T, (j) Ik= corriente en el tiempo T, (A) L= Inductancia (H)

Inductancias.- Llamaremos inductancia al campo

magntico que crea una corriente elctrica al pasar a travs de una bobina de hilo conductor enrrollado alrededor de la misma que conforma un inductor. Un inductor puede utilizarse para diferenciar seales cambiantes rpidas o lentas. Al utilizar un inductor con un condensador, la tensin del inductor alcanza su valor mximo a una frecuencia dependente de la capacitancia y de la inductancia. La inductancia depende de las caractersticas fisicas del conductor y de la longitud del mismo. Si se enrolla un conductor, la inductancia aumenta. Con muchas espiras (vueltas) se tendr ms inductancia que con pocas. Si a esto aadimos un ncleo de ferrita, aumentaremos considerablemente la inductancia. La energa almacenada en el campo magntico de un inductor se calcula segn la siguiente formula: W = I L/2 ... siendo: W = energa (julios); I = corriente (amperios; L = inductancia (henrios).

El Clculo de la inductancia: La inductancia de una bobina con una sola capa bobinada al aire puede ser calculada aproximadamente con la frmula simplificada siguiente: L (microH)=d.n/18d+40 l siendo:L = inductancia (microhenrios); d = dimetro de la bobina (pulgadas); l= longitud de la bobina (pulgadas); n = nmero de espiras o vueltas.

Como ya se ha dicho, la unidad para la inductancia es el HENRIO. En una bobina habr un henrio de inductancia cuando el cambio de 1 amperio/segundo en la corriente elctrica que fluye a travs de ella provoque una fuerza electromotriz opuesta de 1 voltio. Un transformador o dos circuitos magnticamente acoplados tendrn inductancia mutua equivalente a un HENRIO cuando un cambio de 1 amperio/segundo en la corriente del circuto primario induce tensin equivalente a 1 voltio en el circuito secundario. Cuando la corriente cambia de intensidad se debe considerar un efecto denominado induccin. Induccin. Es la propiedad de un circuito que hace que se oponga a cualquier cambio en la intensidad de la corriente Al considerar primero el aumento de los valores de la intensidad que transcurre entre 0 y 90, lgicamente tambin aumentar la fuerza del campo magntico. Al aumentar la intensidad, las lneas magnticas alrededor del conductor A se expansionarn y al hacerlo cortarn al conductor B, que es adyacente al A. Siempre que hay un movimiento relativo entre un conductor y lneas magnticas, se induce una Fem en el conductor ; por tanto, habr una fem inducida en el conductor B. El efecto de esta fuerza se puede simular cortando el conductor B y colocando en su lugar una fuente de voltaje. El efecto total ser el de detener una bobina y dos fuentes de voltaje ; estas son la

fem aplicada y la fem inducida. Segn esto, la fem inducida ser de direccin opuesta a la aplicada y se reducir el efecto de la fem aplicada en su intento de empujar a la corriente a trves de la bobina. Cuanto ms rpido sea el cambio en la intensidad, mayor ser la fem inducida y por lo tanto mayor l oposicin al cambio de intensidad.

Clculo de la inductancia
Considere un circuito aislado formado por un interruptor, una resistencia y una fem como fuente. Cuando se cierra el interruptor la corriente no alcanza su valor mximo, E/R, instantneamente. La ley de la induccin electromagntica (ley de Faraday) impide que esto ocurra. Lo que sucede es lo siguiente : al incrementarse la corriente en el tiempo, se genera a travs de la espira un flujo magntico que se incrementa en el tiempo. Este aumento en el flujo induce al circuito una fem que se opone al cambio del flujo magntico a travs de la espira. Por la ley de Lenz, el campo elctrico inducido en el alambre tiene sentido opuesto al de la corriente que circula por el circuito, y esta contra fem produce un incremento gradual en la corriente. Este efecto se llama autoinduccin, ya que el flujo variable a travs del circuito se produce por el mismo circuito. La fem producida se llama fem autoinducida. Para dar una descripcin cuantitativa de la autoinduccin, partiremos de la ley de induccin de Faraday, la cual dice que la fem inducida es igual al negativo de la razn de cambio del flujo magntico en el tiempo. Como el flujo magntico es proporcional al campo magntico, que a su vez es proporcional a la corriente en el circuito, la fem

autoinducida siempre ser proporcional a la razn de cambio de la corriente en el tiempo. Para una bobina de N espiras muy juntas y de geometra fija (una bobina toroidal o un selenoide ideal) se encuentra que

donde L es una constante de proporcionalidad, llamada inductancia del dispositivo, que depende de las caractersticas geomtricas y fsicas del circuito. De esta ecuacin, se puede ver que la inductancia de una bobina de N espiras se puede calcular con la ecuacin : donde se supone que el flujo a travs de cada espira es el mismo. Esta ecuacin se utilizar para calcular la inductancia de algunas geometras especficas. Tambin se puede escribir la inductancia como la relacin.

Esta ecuacin se toma como la definicin de la inductancia de cualquier bobina independientemente de su forma, dimensiones o caractersticas del material. As como la resistencia es una medida de la oposicin a la corriente, la inductancia es una medida de oposicin al cambio de la corriente. La unidad SI de la inductancia es el henry (H), el cual, se puede ver que equivale a 1 volt-segundo por ampere :

Como se podr ver, la inductancia de un dispositivo depende nicamente de su geometra. Sin embargo, el clculo de la inductancia de cualquier dispositivo puede ser muy difcil para geometras complejas. Ejemplo 6.1. Inductancia de un selenoide.

Calcule la inductancia de un selenoide devanado uniformemente con N espiras y longitud l. Se supone que l es muy grande comparada con el radio y que el ncleo del selenoide es aire. Solucin. En este caso, puede considerarse que el campo dentro del selenoide es uniforme y se puede calculara con la ecuacin :

donde n es el nmero de vueltas por unidad de longitud, N/l. El flujo a traves de cada vuelta se obtiene de: en donde A es el rea de la seccin trasversal del selenoide. Utilizando esta expresin y la ecuacin se encuentra :

Esto demuestra que L depende de los factores geomtricos y es proporcional al cuadrado del nmero de vueltas. Ejemplo 6.2. Clculo de la inductancia y de la fem. a). Calcule la inductancia de un selenoide que tiene 300 vueltas si la longitud del selenoide es de 25cm y el rea de la seccin trasversal es 4cm = 4 X 104m. Solucin. Utilizando la ecuacin se obtiene

b). Calcule la fem autoinducida en el selenoide descrito en a) si la corriente que circula por la inductancia decrece a razn de 50 A/s.

Solucin. Utilizando la ecuacin se obtiene: y dado que dI/dt=50A/s,

Energa asociada al campo magntico

La fem inducida por un inductor impide a la batria establecer instantneamente una corriente. Por lo tanto, la batera tiene que realizar un trabajo contra el inductor para generar una corriente. Parte de la energa suministrada por la batera se convierte en calor en la resistencia por el efecto Joule, mientras que la energa restante se almacena en le campo magntico del inductor. Si se multiplica cada trmino de la ecuacin por la corriente I y se ordenan los trminos de la expresin, se tiene:

Esta ecuacin dice que la razn con la cual la batera suminsitra energa, IE, es igual a la suma del calor perdido en la resistencia por efecto Joule, I2R, y la razn con la cual se almacena energa en el inductor, LI (dI/dt). Por lo tanto, la ecuacin anterior es una expresin de la conservacin de la nerga. Si Um designa la energa almacenada en el inductor para cualquier tiempo, entonces la razon dUm/dt con la cual se almacena energa en el inductor se puede escribir en la forma

Para encontrar la energa almacenada en el inductor, se puede escribir esta ecuacin como dUm=LI dI e integrar :

donde L es constante y se ha saco la integral. La ecuacin anterior representa la energa almacenada como energa magntica en el campo del inductor cuando la corriente es I. Ntese que la ecuacin es similar en forma a la ecuacin de la energa almacenada en el campo elctrico de un capacitor, Q/2C. En cualquier caso, se puede ver que se realiza un trabajo para establecer un campo. Tambin se puede determinar la energa por unidad de volumen, o densidad de energa, almacenada en un campo magntico.

Densidad de energa magntica

Ya que Al es el volumen del selenoide, la energa almacenada por unidad de volumen en un campo magntico est dada por

Aunque la ecuacin anterior se dedujo para el caso especfico de un soleniode, sta es valida pora cualquier regin del espacio en donde exista un campo magntico. Obsrvese que es similar en forma a la ecuacin de la energa por unidad de volumen almacenada por un campo elctrico. En ambos casos la densidad de energa es proporcional al cuadrado de la intensidad del campo.

Inductancia Mutua
Con frecuencia el flujo magntico a travs de un circuito vara con el tiempo como consecuancia de las corrientes variables que existen en circuitos cercanos. Esto da origen a una fem inducida mediante

un proceso conocido como induccin mutua, llamada as proque depende de la interaccin de dos circuitos. Consideremos dos bobinas devanadas en forma muy estrecha, como se muestra en la vista de la seccin trasversal de la figura 6.1. La corriente I1 en la bobina 1, que tiene N1 espiras, genera lneas de compo magntico, algunas de ellas atravesarn la bobina 2, que tine N2 espiras.

Fig. 6.1. Una vista de seccin trasversal de dos bobinas adyacentes. Una corriente en la bobina 1 genera un flujo, parte del cual atraviesa a la bobina 2. El flujo correspondiente a travs de la bobina 2 producido por la bobina 1 se representa por
21.

Se define la inductancia mutua M21

21

de la bobina 2 con respecto a la bobina 1 como la razn de N 2 la corriente I1

La inductancia mutua depende de la geometra de los dos circuitos y de sus orientaciones relativas entre s. Es claro que al incrementarse la separcacin entre los circuitos, la inductancia mutua decrece ya que el flujo que une a los dos circuitos decrece.

Si la corriente I1, vara con el tiempo, se puede ver por la ley de Faraday y la ecuacin anterior que la fem inducida en la bobina 2 por la bobina 1 est dada por

De igual forma , si la corriente I2 vara con el tiempo, la fem inducida en la bobina 1 por la bobina 2 est dada por Estos resultados son semejantes en su forma a la expresin de la fem autoinducida . La fem inducida por induccin mutua en una bobina siempre es proporcional a la razn de cambio de la corriente en la otra bobina. Si las razones con las cuales las corrientes camiban con el tiempo son iguales (esto es, si dI1/dt=dI2/dt), entonces se encuentra que E1=E2. Aunque las constantes de proporcionalidad M12 y M21 aparenten ser diferentes, se puede demostrar que son iguales. Entonces haciendo M12 = M21 = M, las ecuaciones convierten en : y La unidad de la inductancia mutua tambin es el henry. y se

Ejemplo 6.3. Inductancia mutua de dos solenoides. Un solenoide de longitud l tiene N1 espiras, lleva una corriente I y tiene un rea A en su seccin trasversal. Una segunda bobina est devanada alrededor del centro de la primera bobina, como se muestra en la figura 6.2. Encuentre la inductancia mutua del sistema.

Fig. 6.2. Una pequea bobina de N2 vueltas enrolladas alrededor del centro de un solenoide largo de N1 vueltas. Solucin. Si el solenoide lleva una corriente I1, el campo magntico en el centro est dado por

Como el flujo 21 a travs de la bobina 2 debido a la bobina 1 es BA, la inductancia mutua es :

Por ejemplo, si N1=500 vueltas, A=3X10-3m2, l=0.5m y N2=8 vueltas, se obtiene :

1.2.2. Activos. 1.2.3. Fuentes de alimentacin. 1.3. Anlisis de circuitos. Tipos de anlisis de circuitos
Para analizar un circuito se realiza primero el paso desde el circuito fsico (esquema de movilidad o admitancia en nuestro caso) a un sistema de ecuaciones. Para ello cada

elemento del circuito se representa por un modelo matemtico, y el sistema de ecuaciones se determina a partir de las ecuaciones del modelo de cada elemento junto con las restricciones topolgicas impuestas por la interconexin de los componentes. Estas restricciones se reflejarn en los lemas de Kirchoff de nudos y mallas. En general se llegar as a un sistema de ecuaciones algebraico-diferenciales del tipo ya estudiado cuando veamos las analogas electromecnicas. En general existen cuatro tipos fundamentales de anlisis de circuitos (de estos bsicos se derivan otros para anlisis de ruido, sensibilidad, de monte carlo, etc.): 1. Anlisis en continua de un circuito lineal 2. Anlisis en alterna, pequea seal, de un circuito lineal (hubiese sido posible usarlo en ANALOGIA.EXE, aunque se ha optado por el anlisis transitorio). 3. Anlisis en continua de un circuito no lineal. 4. Anlisis transitorio (escogido en ANALOGIA.EXE).

Anlisis en continua de un circuito lineal

Este primer caso es el ms sencillo, ya que los elementos reactivos se ignoran, puesto que en continua una bobina se comporta como un cortocircuito, y un condensador como un circuito abierto, por lo que solo necesitaramos un mtodo para formular las ecuaciones de la red (por ejemplo el anlisis por nudos, que veremos en detalle) y un algoritmo para resolver el sistema de ecuaciones lineales resultantes (eliminacin por Gauss, factorizacin LU, etc). Adems muchos elementos de la matriz de admitancias de la red son nulos, reducindose notablemente el esfuerzo de clculo.

Anlisis en alterna, pequea seal, de un circuito lineal

El anlisis en alterna para pequea seal es ms complejo que el caso en continua, y es un mtodo que hubiese sido aplicable al anlisis realizado en ANALOGIA.EXE, puesto que los elementos del circuito han de ser lineales y en nuestro caso siempre lo son. En el caso de que hubiese elementos no lineales (transistores, diodos, etc.) sera necesario un paso previo de linealizacin en base a ciertos modelos. Este mtodo es anlogo al anterior, salvo que el sistema resultante es de naturaleza compleja, y el proceso (que se repite n veces, siendo n el nmero de muestras en que descomponemos la seal) de anlisis es: 1) Sustituir en las bobinas el valor de L por LS (Laplace), o sea, L por jwL (Fourier).

2) Sustituir en los condensadores el valor de C por 1/CS (Laplace), o sea C por 1/jwC (Fourier). 3) Pasar al dominio de la frecuencia las seales que excitan el circuito (las funciones de los generadores de corriente). 4) Formular las ecuaciones complejas resultantes (Kirchoff) como en el caso continuo. 5) Resolver el sistema complejo resultante. 6) Pasar el sistema al dominio temporal Ms tarde veremos una comparativa entre este mtodo y el mtodo de anlisis transitorio en el que se expondrn las razones del uso de este ltimo mtodo en el programa frente al anlisis en alterna.

Anlisis en continua de un circuito no lineal

El anlisis en continua de un circuito con elementos no lineales (circuito no generado nunca por ANALOGIA.EXE) como es el caso de las redes activas se resuelve por un procedimiento iterativo en una secuencia de circuitos equivalentes lineales. El circuito equivalente linealizado se obtiene utilizando los trminos de primer grado del desarrollo en serie de Taylor, alrededor de un punto inicial, de las relaciones no lineales. El sistema de ecuaciones se plantea y resuelve por los mismos procedimientos que en el caso de continua. La solucin obtenida es el siguiente punto de funcionamiento, alrededor del cual se efecta el desarrollo en serie, y se repite el procedimiento iterativamente hasta que la solucin converge dentro de un margen especificado con el valor de la iteracin previa.

Anlisis transitorio
El anlisis transitorio ha sido escogido en ANALOGIA.EXE para el anlisis del circuito. Determina la respuesta en el tiempo a seales de entrada definidas por el usuario: pulsos, rampas, ondas triangulares, sinusoidales, deltas, etc. Este tipo de anlisis determina la respuesta del circuito en el dominio del tiempo para un intervalo especificado de tiempo (0..T). La solucin se determina tomando en el intervalo (0..T) una sucesin de instantes (0, t1, t2, t3, ... T). Este intervalo determina en gran medida la exactitud de la solucin, y se define en las opciones de muestreo (frecuencia de muestreo y nmero de muestras) del men de opciones. Seguidamente las ecuaciones diferenciales de los modelos de los elementos reactivos (veremos ms adelante los distintos modelos, optndose por el trapezoidal) se

convierten en ecuaciones algebraicas mediante tcnicas de integracin numrica. Despus de esta transformacin la solucin en cada instante se obtiene iterativamente, como en el caso del anlisis en continua. El mtodo de integracin elegido produce un error de truncamiento que depende del intervalo (que coincide con 1/frecuencia de muestreo). definido

El siguiente diagrama de flujo ilustra el funcionamiento del anlisis transitorio efectuado por ANALOGIA.EXE:

http://www.arrakis.es/~ppriego/analcir/tipos.htm

1.3.1. Tcnicas de solucin. 1.3.2. Transformadores.

El Transformador Es un dispositivo que se encarga de "transformar" el voltaje de corriente alterna que tiene a su entrada en otro diferente que entrega a su salida. El transformador se compone de un ncleo de hierro sobre el cual se han arrollado varias espiras (vueltas) de alambre conductor. Este conjunto de vueltas se llaman bobinas y se denominan: Bobina primaria o "primario" a aquella que recibe el voltaje de entrada y Bobina

secundaria o Secundario" a aquella que entrega el voltaje transformado. - La Bobina primaria recibe un voltaje alterno que har circular, por ella, una corriente alterna. - Esta corriente inducir un flujo magntico en el ncleo de hierro - Como el bobinado secundario est arrollado sobre el mismo ncleo de hierro, el flujo magntico circular a travs de las espiras de ste. - Al haber un flujo magntico que atraviesa las espiras del "Secundario", se generar por el alambre del secundario una voltaje Habra una corriente si hay una carga (el secundario est conectado a una resistencia por ejemplo) La razn de la transformacin del voltaje entre el bobinado "Primario" y el "Secundario" depende del nmero de vueltas que tenga cada uno. Si el nmero de vueltas del secundario es el triple del primario. En el secundario habr el triple de voltaje. La frmula: Nmero de espiras del primario (Np) Voltaje del primario (Vp) ----------------------------------------------------------- = -----------------------------------------Nmero de espiras del secundario (Ns) Voltaje del secundario (Vs) Entonces: Vs = Ns x Vp / Np Un transformador puede ser "elevador o reductor" dependiendo del nmero de espiras de cada bobinado. Si se supone que el transformador es ideal. (la potencia que se le entrega es igual a la que se obtiene de l, se desprecian las perdidas por calor y otras), entonces: Potencia de entrada (Pi) = Potencia de salida (Ps). Pi = Ps Si tenemos los datos de corriente y voltaje de un dispositivo, se puede averiguar su potencia usando la siguiente frmula. Potencia (P) = Voltaje (V) x corriente (I) P = V x I (watts) Aplicamos este concepto al transformador y... P(bobinado primario) = P(bobinado secundario) y... La nica manera de mantener la misma potencia en los dos bobinados es de que cuando el voltaje se eleve la corriente se disminuya en la misma proporcin y viceversa. Entonces: Nmero de espiras del primario (Np) Corriente del secundario (Is) ---------------------------------------------------- = ---------------------------------------Nmero de espiras del secundario (Ns) Corriente del primario (Ip) As, para conocer la corriente en el secundario cuando tengo la corriente Ip (corriente en el primario), Np (espiras en el primario) y Ns (espiras en el secundario) se utiliza siguiente frmula: Is = Np x Ip / Ns

Transformadores
Circuitos Acoplados Magnticamente
Anteriormente vimos el fenmeno de autoinduccin, aqu veremos una de las aplicaciones de este fenmeno que es el transformador.

La autoinduccin esta representada por la ecuacin

(3.4.1) y a L, el inductor se le llama autoinduccin, donde el voltaje es proporcional a la variacin de corriente en el tiempo por el parmetro de autoinduccin (3.3.1).

La ecuacin (3.3.1) es el prembulo a lo que se conoce como inductancia mutua. Esto es que si una corriente circulando por una primera bobina, produce un flujo magntico a su alrededor y tambin en la segunda bobina que se encuentra cerca; el flujo variable en el tiempo que rodea a la segunda bobina induce un voltaje en la terminales de la segunda bobina (circuito abierto), este voltaje es proporcional a la tasa de cambio de la corriente en el tiempo ( ) de =la corriente que circula en la primera bobina. La figura 3.24.a muestra un modelo simple de dos bobinas L1 y L2, que se encuentran colocadas lo

Figura 3.24. (a) La corriente i1 en L1 produce un voltaje de circuito abierto v2 en L2, (b) La corriente i2 en L2 produce un voltaje de circuito abierto v1 en L1.

suficientemente cerca para exista interaccin y donde el flujo producido por una corriente i1(t), circulando por L1 establezca un voltaje de circuito abierto v2(t) en los terminales de L2.Sin considerar signos relacionales, el coeficiente de inductancia mutua, o simplemente inductancia mutua se define por

(3.4.2) Donde el orden de los subndices de la inductancia mutua M21, indica que en L2 se induce un voltaje debido al flujo de una corriente en L1. Si el arreglo de bobinas se invierte (figura 3.24.b), en L1 se producir un voltaje de circuito abierto provocado por el flujo de corriente en L1, o sea

(3.4.3) El parmetro de inductancia mutua se mide en henrys y siempre es positivo, sin embargo el voltaje inducido puede ser negativo.

En un inductor se puede seguir una norma de asignacin de signos de polaridad, la convencin pasiva de los signos, pero en una inductancia mutua no se puede llevar a cabo esta convencionalidad, debido a que existen cuatro terminales en el arreglo. La determinacin de la polaridad se establece en la convencin de puntos. La cual establece que:

"Una corriente que entra por la terminal punteada de una bobina produce un voltaje de circuito abierto entre las terminales de la segunda bobina, cuyo sentido es el de la

direccin indicada por una referencia de voltaje positivo en la terminal punteada en esta segunda bobina"

"Una corriente que entra por la terminal no punteada de una bobina proporciona un voltaje con la referencia positiva en la terminal no punteada de la segunda bobina."

Combinaciones que se detallan en la figura 3.25 y que de acuerdo a la situacin de donde entre la corriente dar voltajes positivos en los casos (a) y (d) y voltajes negativos en los casos (b) y (d).

Figura 3.25. Convencin de los puntos para induccin mutua

Hasta aqu se han considerado inducciones de voltaje mutuo en circuito abierto. Pero en general, estar circulando una corriente diferente de cero en cada una de las dos bobinas, y se producir un voltaje mutuo en cada una de ellas debido a la corriente que circula en la otra. Esto es que a parte del voltaje que se produce por la induccin mutua se tiene un segundo voltaje debido a la propia bobina, cuyos signos se designaran de acuerdo con la convencin pasiva de los puntos y de las polaridades de los voltajes indicados. Esto queda explicado junto con la figura 3.26 de la forma siguiente:

Si una corriente i que entra por una terminal punteada (no-punteada) de una bobina, induce un voltaje punteada) en la otra bobina. con polaridad positiva en la terminal punteada (no-

Y si ambas corrientes entran (o salen) por los terminales punteados de la bobina, los trminos de inductancia mutua y de autoinduccin de cada par de terminales tienen el mismo signo, de otra manera, tienen signos opuestos.

Figura 3.26. Combinaciones de inductancia mutua de acuerdo a la convencin de los puntos

Es decir para (a) y (b) de la figura 3.26.

(3.4.4) y respectivamente para (b) y (c)

(3.4.5)

(3.4.6) y finalmente para (c) y (d) respectivamente tenemos que

(3.5.7)

(3.6.8) Las ecuaciones (3.3.4), (3.3.5), (3.3.6), (3.3.7), y (3.3.8) definen un voltaje producido por la inductancia mutua en todas las combinaciones posibles.

Transformador
Los transformadores son dispositivos que utilizan el fenmeno del campo magntico para transferir energa de un circuito a otro. Es un circuito que contienen dos o mas bobinas que producen un campo magntico que se intersectan mutuamente conduciendo a la autoinduccin mutua. En la figura 3.27. se presenta un modelo de transformador en el cual se tienen dos corrientes de malla. A la corriente de malla I1, se le llama primario y a la corriente I2, se le llama secundario, la primera es donde por lo general esta la fuente de energa y en la segunda la carga. Los inductores o bobinas designados por L1 y L2, tambin

Figura 3.27. Transformador

se les denomina primario y secundario.

Como dijimos el transformador consta de dos inductores, o bobinas enrolladas alrededor de un ncleo, que por lo general es de material magntico (figura 3.28). Si una corriente existe en el devanado (bobina) del primario, esta origina un campo magntico alrededor del ncleo, y si existe una segunda bobina (secundario) en el mismo ncleo, el campo magntico actuara sobre ella induciendo una corriente. Si la corriente el continua (CD), el campo es constante y no afectara a la segunda bobina, por el contrario si la corriente varia en relacin al tiempo (corriente alterna, CA) generara un campo variable, este campo variable ejercer una fuerza sobre las cargas libres del conductor de la bobina del secundario y producir una corriente que depender de la magnitud del campo y del nmero de conductores (secundario) que cortan este campo. As de esta manera, una corriente variable en el primario, origina un flujo de corriente en el secundario del transformador.

Figura 3.28. Estructura de un transformador

El flujo de corriente que se induce en el secundario un transformador tiene un voltaje asociado con l. La ley de Faraday establece que "la magnitud del voltaje inducido por la variacin de un flujo magntico en una bobina de N vueltas esta dada por

(3.4.9) donde a M se le conoce como inductancia mutua existente entre las bobinas"

Las vueltas que tenga la bobina del primario en relacin con las vueltas que tenga la bobina del secundario, es de suma importancia ya que establecen una relacin de vueltas

(3.4.10)

En la ecuacin (3.3.10), Np es el nmero de vueltas que tenga la bobina del primario y Ns es el nmero de devueltas de la bobina del secundario. La relacin de vueltas determina cuanto crece o disminuye el voltaje de salida de un transformador.

La relacin del voltaje a travs del primario (Vp) al voltaje a travs del secundario (Vs) es igual a la relacin de vueltas

(3.4.11)

Unidad 2. Electrnica analgica.

2.1 Caractersticas de los semiconductores.
Los semiconductores mas empleados para la fabricacin de circuitos integrados son Silicio y Germanio, adems requieren que les aada tomos adicionales de Boro, Indio, Fosforo y Antimonio. Estos tomos se unen entre si formando una red cristalina, como se muestra en la Figura #1.3.
Figura #1.3. Red Cristalina del Silicio y Germanio

Semiconductores: Estrucura atmica del silicio y del germanio El tomo, como hemos visto antes, est constituido por un ncleo rodeado de electrones. El ncleo atrae a los electrones, pues tiene una carga positiva, pero, gracias a la fuerza centrfuga, el electrn se mueve en una rbita estable. Basndonos en la teora de Bohr y Sommerfeld sobre la estructura atmica, analizaremos la distribucin de protones, electrones y neutrones en los tomos del silicio y del germanio.

2.1.1
El silicio

Silicio.

El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio. Un tomo aislado de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. Como puede apreciarse en la figura 2.1, la primera rbita contiene 2 electrones, y la segunda contiene 8. Los 4 electrones restantes se hallan en la rbita exterior. En la figura 2.1, el ncleo y las dos primeras rbitas constituyen la parte interna del tomo de silicio. Esta parte interna tiene una carga resultante de +4 debido a los 14 protones en el ncleo y los 10 electrones de las dos primeras rbitas. Obsrvese que hay 4 electrones en la rbita exterior o de valencia; por este motivo, el silicio es un semiconductor. Cristales de silicio Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. Cada tomo de silicio comparte sus electrones de valencia con los tomos de silicio vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se muestra en la figura 3. Cuando un tomo posee 8 electrones en su rbita de valencia, como se aprecia aqu, se vuelve qumicamente estable. Los crculos sobreados representan las partes internas del silicio. Aunque el tomo central tena originalmente 4 elctrones en su rbita de valencia, ahora tiene 8 electrones en esa rbita.

El Silicio es un material que posee 14 electrones de los cuales cuatro se localizan en la ultima capa o banda de valencia. Estas capas o bandas son niveles de energa en donde se encuentran confinados los electrones, para pasar de una banda a otra los electrones necesitan emitir o absorber un fotn de luz o energa. Los niveles superiores requieren de menor energa y los niveles inferiores requieren de mas trabajo para sacar o introducir un electrn. El la Figura #1.4, se muestra el proceso de emisin y absorcin de fotones.
Figura #1.4. Absorcin y emisin de fotones

Las bandas de Energa se conocen como: Banda de Conduccin, Banda Ruptura y

Banda de Valencia, cada uno de estos niveles tiene un potencial mximo de operacin como se muestra en la Figura #1.5. Figura #1.5. Bandas de Energa

Los tomos de silicio se unen entre s para formar una estructura ms estable, esas uniones se conocen como enlaces covalentes; sin embargo como estos tomos se encuentran en la capa de valencia requieren de muy poca energa para ser sacados al nivel de conduccin, en donde los electrones tienen un movimiento aleatorio el cual es principio de la generacin de corriente en los semiconductores. Los materiales Semiconductores se clasifican de acuerdo a su pureza, tenemos materiales Intrnsecos y materiales Extrnsecos. Los materiales intrnsecos, son los que no tienen impurezas o tomos diferentes. Los materiales extrnsecos poseen impurezas o tomos diferentes a su naturaleza; los materiales intrnsecos por si solos no poseen suficientes caractersticas elctricas para producir niveles de corriente considerables, por lo tanto se dopan de otros elementos para aumentas sus ventajas. En la Figura #1.6 se muestra al silicio en su estado natural y en dopado con un elemento.
Figura #1.6. Atomo de Silicio. Estructura Cristalina. Silicio Dopado

http://cpi.ing.uc.edu.ve/Electronica/capitulo1/default.htm
El silicio es un elemento qumico no metlico situado en el grupo IVa de la tabla peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbonoideos. Aislado por J.J. Berzelius en 1824, es el elemento ms abundante en la corteza terrestre despus del Oxgeno. Se presenta en forma amorfa y cristalizada. El primero es un polvo pardusco, ms activo que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul grisceo y brillo metlico. Es muy duro y poco soluble. Fundamentalmente presenta el estado de oxidacin. Sus propiedades son intermedias a las del Carbono y el Germanio. Se utiliza en aleaciones, en la preparacin de las siliconas, en la industria cermica y en la fabricacin de transistores y pilas solares. Caractersticas del Silicio

Smbolo: Si Nmero atmico: 14 Grupo: 14 Periodo: 3 Masa atmica: 28,0855 uma Punto de fusin: 1683K (1410C/2571F) Punto de ebullicin: 2628K (2355C/4271F) Densidad: 2330 kg/m3

General Nombre, Smbolo, Nmero Serie qumica Grupo, Perodo, Bloque Densidad, dureza Mohs Apariencia Silicio, Si, 14 metaloide 14 , 3, p 2330 kg/m3, 6.5 gris oscuro, tinte azulado

Propiedades atmicas Peso atmico Radio atmico (calc.) Radio covalente Radio de van der Waals Configuracin electrnica e- por nivel energtico Estado de oxidacin (xido) Estructura cristalina Estado de la materia Punto de fusin Punto de ebullicin Volumen molar Entalpa de vaporizacin Entalpa de fusin Presin de vapor Velocidad del sonido Electronegatividad Conductividad elctrica Conductividad trmica 1 Potencial de ionizacin 2 Potencial de ionizacin 3 Potencial de ionizacin 4 Potencial de ionizacin 5 Potencial de ionizacin 6 Potencial de ionizacin 7 Potencial de ionizacin 8 Potencial de ionizacin 9 Potencial de ionizacin 10 Potencial de ionizacin 28.0855 uma 110 (111)pm 111 pm 210 pm [Ne]3s2 3p2 2, 8, 4 4 (anftero) Cbica centrada en el cuerpo Propiedades fsicas slido (no nmagntico) 1687 K (2577 F) 3173 K (5252 F) 12.06 10-3 m3/mol 384.22 kJ/mol 50.55 kJ/mol 4.77 Pa a 1683 K __ m/s a __ K 1.90 (Escala de Pauling) 2.52 10-4/m ohmnios 148 W/ 786.5 kJ/mol 1577.1 kJ/mol 3231.6 kJ/mol 4355.5 kJ/mol 16091 kJ/mol 19805 kJ/mol 23780 kJ/mol 29287 kJ/mol 33878 kJ/mol 38726 kJ/mol Informacin diversa Capacidad calorfica especfica 700 J/

El silicio es un elemento qumico no metlico situado en el grupo 14 de la tabla peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbonoideos. Es el segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre (27,7% en peso) despus del oxgeno. Se presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, ms activo que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul grisceo y brillo metlico.

Caractersticas principales
Sus propiedades son intermedias entre las del carbono y el germanio. En forma cristalina es un muy duro y poco soluble y presenta un brillo metlico y color grisceo. Aunque es un elemento relativamente inerte y resiste la accin de la mayora de los cidos, reacciona con los halgenos y lcalis diluidos. El silicio transmite ms del 95% de las longitudes de onda de la radiacin infrarroja.

Aplicaciones
Se utiliza en aleaciones, en la preparacin de las siliconas, en la industria cermica y debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un inters especial en la industria electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de obleas o chips en los que se pueden implementar transistores, pilas solares, y una gran variedad de circuitos electrnicos. El silicio es un elemento vital en numerosas industrias. El dixido de silicio (arena y arcilla) es un importante constituyente del hormign y los ladrillos y se emplea adems en la produccin de cemento portland. Por sus propiedades semiconductoras se usa en la fabricacin de transistores, clulas solares y todo tipo de dispositivos semicondutores; por esta razn se conoce como Silicon Valley (Valle del Silicio) a la regin de California en la que concentran numerosas empresas del sector de la electrnica y la informtica. Otros importantes usos del silicio son:

Como material refractario, se usa en cermicas y esmaltados. Como elemento de aleacin en fundiciones. Fabricacin de vidrio y cristal para ventanas y aislantes entre otros usos. El carburo de silicio es uno de los abrasivos ms importantes. Se usa en lseres para obtener una luz con una longitud de onda de 456 nm. La silicona se usa en medicina en implantes de seno y lentes de contacto.

Historia
El silicio (del latn silex, slice) fue identificado por primera vez por Antoine Lavoisier en 1787, y posteriormente tomado como compuesto por Humphry Davy en 1800. En 1811 Gay-Lussac, y Louis Thenard probablemente, prepar silicio amorfo impuro calentando potasio con tetrafluoruro de silicio. En 1824 Berzelius prepar silicio amorfo empleando un mtodo similar al de Gay-Lussac, purificando despus el producto mediante lavados sucesivos hasta aislar el elemento.

Abundancia y obtencin
El silicio es uno de los componentes principales de los aerolitos, una clase de meteoroides. Medido en peso el silicio representa ms de la cuarta parte de la corteza terestre y es el segundo elemento ms abundante por detrs del oxgeno. El silicio no se encuentra en estado nativo; arena, cuarzo, amatista, gata, pedernal, palo y jaspe son algunas de los minerales en los que aparece el xido, mientras que formando silicatos se encuentra, entre otros, en el granito, feldespato, arcilla, hornblenda y mica. El silicio comercial se obtiene a partir de slice de alta pureza en horno de arco elctrico reduciendo el xido con electrodos de carbono a temperatura superior a 1900 C: SiO2 + C Si + CO2 El silicio lquido se acumula en el fondo del horno de donde se extrae y se enfra. El silicio producido por este proceso se denomina metalrgico y tiene una pureza superior al 99%. Para la construccin de dispositivos semiconductores es necesario un silicio de mayor pureza, silicio ultrapuro, que puede obtenerse por mtodos fsicos o qumicos. Los mtodos fsicos de purificacin del silicio metalrgico se basan en la mayor solubilidad de las impurezas en el silicio lquido, de forma que ste se concentra en las ltimas zonas solidificadas. El primer mtodo, usado de forma limitada pra construir componentes de radar durante la segunda guerra mundial, consiste en moler el silicio de forma que las impurezas se acumulen en las superficies de los granos; disolviendo stos parcialmente con cido se obtena un polvo ms puro. La fusin por zonas, el primer mtodo usado a escala industrial, consiste en fundir un extremo de la barra de silicio y trasladar lentamente el foco de calor a lo largo de la barra de modo que el silicio va solidificando con una pureza mayor al arrastrar la zona fundida gran parte de las impurezas. El proceso puede repetirse las veces que sea necesario hasta lograr la pureza deseada bastando entonces cortar el extremo final en el que se han acumulado las impurezas. Los mtodos qumicos, usados actualmente, actan sobre un compuesto de silicio que sea ms fcil de purificar descomponiendolo tras la purificacin para obtener el silicio. Los compuestos comnmente usados son el triclorosilano (HSiCl3), el tetracloruro de silicio (SiCl4) y el silano (SiH4). En el proceso Siemens, las barras de silicio de alta pureza se exponen a 1150C al triclorosilano, gas que se descompone depositando silicio adicional en la barra segn la siguiente reaccin: 2 HSiCl3 Si + 2 HCl + SiCl4 El silicio producido por ste y otros mtodos similares se denomina silicio policristalino y tpicamente tiene una fraccin de impurezas de 0,001 ppm o menor. El mtodo Dupont consiste en hacer reaccionar tetracloruro de silicio a 950C con vapores de cinc muy puros:

SiCl4 + 2 Zn Si + 2 ZnCl2 Este mtodo, sin embargo, est plagado de dificultades (el cloruro de cinc, subproducto de la reaccin, solidifica y obstruye las lneas) por lo que eventualmente se ha abandonado en favor del proceso Siemens. Una vez obtenido el silicio ultrapuro es necesario obtener un monocristal, para lo que se utiliza el proceso Czochralski.

Istopos
El silicio tiene nueve istopos, con nmero msico entre 25 a 33. El istopo mas abundante es el Si 28 con una abundancia del 92.23%, el Si 29 tiene una abundancia del 4.67% y el Si 30 que tiene una abundancia del 3.1 todos ellos son estables. El Si 32 es radiactivo que proviene del decaimiento del argn. Su tiempo de semivida es aproximadamente de unos 276 aos. Padece un decaimiento beta que lo transforma en P-32 (que tiene un periodo de semivida de 14.28 aos).

Precauciones
La inhalacin del polvo de slice cristalina puede provocar silicosis.

2.1.2

Germanio.

El germanio es un elemento qumico con nmero atmico 32, y smbolo Ge perteneciente al grupo 14 de la tabla peridica de los elementos.

Caractersticas principales
Es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco grisceo lustroso, deleznable, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a los cidos y lcalis. Forma gran nmero de compuestos organometlicos y es un importante material semiconductor utilizado en transistores y fotodetectores. A diferencia de la mayora de semiconductores, el germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad.

Aplicaciones
Las aplicaciones del germanio se ven limitadas por su elevado coste y en muchos casos se investiga su sustitucin por materiales ms econmicos.

Fibra ptica. Electrnica: Radares y amplificadores de guitarras elctricas usados por msicos nostlgicos del sonido de la primera poca del rock and roll; aleaciones SiGe en circuitos integrados de alta velocidad.

ptica de infrarrojos: Espectroscopios, sistemas de visin nocturna y otros equipos. Lentes, con alto ndice de refraccin, de ngulo ancho y para microscopios. En joyera se usa la aleacin Au con 12% de germanio. Como elemento endurecedor del aluminio, magnesio y estao. Quimioterapia. El tratracloruro de germanio se usa como catalizador en la sntesis de polmeros (PET).

Historia
La propiedades del germanio (del latn Germania, Alemania) fueron predichas en 1871 por Mendeleyev en funcin de su posicin en la tabla peridica, elemento al que llam eka-silicio. El alemn Clemens Winkler demostr en 1886 la existencia de este elemento, descubrimiento que sirvi para confirmar la validez de la tabla peridica habida cuenta de las similitudes entre las propiedades predichas y las observadas:

Ekasilicio Germanio (Predichas, 1871) (Observadas, 1886) Masa atmica 72 72,59 Densidad (g/cm) 5,5 5,35 Calor especfico (J/kgK) 0,31 0,32 Punto de fusin (C) alto 960 Frmula del xido RO2 GeO2 Frmula del cloruro RCl4 GeCl4 Densidad del xido (g/cm) 4,7 4,70 Punto de ebullicin del cloruro (C) 100 86 Color gris gris

Propiedad

Abundancia y obtencin
Los nicos minerales rentables para la extraccin del germanio son la germanita (69% de Ge) y ranierita (7-8% de Ge); adems est presente en el carbn, la argirodita y otros minerales. La mayor cantidad, en forma de xido (GeO2), se obtiene como subproducto de la obtencin del cinc o de procesos de combustin de carbn (en Rusia y China se encuentra el proceso en desarrollo). Las reservas demostradas, ligadas a minerales de zonc y plomo rondan Con pureza del 99,99%, para usos electrnicos se obtiene por refino mediante fusin por zonas resultando cristales de 25 a 35 mm usados en transistores y diodos; con esta tcnica las impurezas se pueden reducir hasta 0,0001 ppm.

El desarrollo de los transistores de germanio abri la puerta a numerosas aplicaciones electrnicas que hoy son cotidianas. Entre 1950 y los primeros 70, la electrnica constituy el grueso de la creciente demanda de germanio hasta que empez a sustituirse por el silicio por sus superiores propiedades elctricas. Actualmente la gran parte del consumo se destina a fibra ptica (cerca de la mitad), equipos de visin nocturna y catlisis en la polimerizacin de plsticos, aunque se investiga su sutitucin por catalizadores ms econmicos. En el futuro es posible que se extiendan las aplicaciones electrnicas de las aleaciones silicio-germanio en sustitucin del arseniuro de galio especialmente en las telecomuniciones sin cable.

Precauciones
Algunos compuestos de germanio (tetrahidruro de germanio) tienen una cierta toxicidad en los mamferos pero son letales para algunas bacterias.

General Nombre, smbolo, nmero Germanio, Ge, 32 Serie qumica Grupo, periodo, bloque Densidad, dureza Mohs Metaloides 14, 4 , p 5323 kg/m3, 6 Blanco grisceo Apariencia

Propiedades atmicas Peso atmico Radio medio Radio atmico calculado Radio covalente Radio de Van der Waals Estados de oxidacin (xido) Estructura cristalina 72,64 uma 125 pm 125 pm 122 pm Sin datos

Configuracin electrnica [Ar]3d10 4s2 4p2 4 (anftero) Cbica centrada en las caras Slido 1211,4 K 3093 K 330,9 kJ/mol 36,94 kJ/mol 0,0000746 Pa a 1210 K 5400 m/s a 293,15 K 2,01 (Pauling) 320 J/(kgK) 1,45 m-1-1 59,9 W/(mK)

Propiedades fsicas Estado de la materia Punto de fusin Punto de ebullicin Entalpa de vaporizacin Entalpa de fusin Presin de vapor Velocidad del sonido Electronegatividad Calor especfico Conductividad elctrica Conductividad trmica

Informacin diversa

1 potencial de ionizacin 762 kJ/mol 2 potencial de ionizacin 1537,5 kJ/mol 3 potencial de ionizacin 3302,1 kJ/mol 4 potencial de ionizacin 4411 kJ/mol 5 potencial de ionizacin 9020 kJ/mol Istopos ms estables iso.
70 72 73

AN

Vida media MD ED MeV PD Ge es estable con 38 neutrones Ge es estable con 40 neutrones Ge es estable con 41 neutrones

Ge 21,23% Ge 27,66% Ge 7,73%

El germanio El germanio es un ejemplo de semiconductor. En la figura 2 se muestra un tomo de germanio. En el centro se halla un ncleo con 32 protones. En este caso los electrones se distribuyen como sigue: 2 electrones en la primera rbita, 8 en la segunda y 18 en la tercera. Los ltimos 4 electrones se localizan en la rbita exterior o de valencia.

Figura 2. tomo de germanio

Figura 2.1. tomo de silicio

http://tesla.cuao.edu.co/analoga/acadavid/nueva/electronica1/apuntes/semicon/teoria/semicon.htm

2.1.3

Materiales tipo p y n.

Materiales semiconductores tipo N y tipo P.

Configuracin Electrnica de los elementos Semiconductores:

Elemento _electrones Boro _____ B __ 5 Carbono __ C __ 6 Aluminio __ Al __13 Silicio ____ Si __ 14 Fsforo ___ P __15 Galio ____ Ga __31 Germanio__Ge __32 Arsnico __As __33

1S 2 2 2 2 2 2 2 2

2S 2P 2_1 2_2 2_6 2_6 2_6 2_6 2_6 2_6

3S 3P 3d

4S 4P 4d 4f

5S 5P

2_1 2_2 2_3 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_1 2_2 2_3

Indio _____In __ 49 Estao ____Sn__ 50 Antimonio__Sb_ 51 Electrones por

2 2 2

2_6 2_6 2_6

2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10

2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10

2_1 2_2 2_3

Nivel (2 )

18

32

Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren. Un enlace covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos tomos. El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar e cristal. Los tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que tienden a romper los enlaces y liberar as los electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor, mejor podr conducir.

Material Intrnseco Cristal de Silicio

Material Intrnseco Tipo N Cristal de Silicio "dopado" con tomos de Arsnico. tomos "Donadores"

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos donadores. Los materiales tipo N se crean aadiendo elementos de impureza (tomos) que tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".

Material Extrnseco Tipo P Cristal de Silicio "Dopado" con tomos o impurezas de Galio. tomos "Aceptores"

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan tomos aceptores. Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que tengan tres electrones de valencia. Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrn se denomina portador mayoritario y el hueco, portador minoritario. Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al tomo padre, el tomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como ion donador y se representa con un circulo encerrando un signo positivo. Por razones similares, el signo negativo aparece en el ion aceptor. Tipo N

 Iones Donadores (tomos de impurezas con 5 electrones). - Portadores Mayoritarios. + Portador Minoritarios. (Huecos generados cuando algunos electrones de tomos de silicio adquieren suficiente energa para romper el enlace covalente y convertirse en electrones libres y/o portadores Mayoritarios). Tipo N

Tipo P

 - Iones Aceptores (tomos de impurezas con 3 electrones). + Portadores Mayoritarios. - Portadores minoritarios. (electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energa para romper el enlace covalente, el hueco que dejan se convierte en portado mayoritario).

Tipo P

Diodo Semiconductor El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, as como las tcnicas y tecnologas que se utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y por esa razn no se abordar el tema, si alguien desea saber un poco ms de esto, puede consultar el captulo 13, 20 y/o 21 del libro de texto.

Regin de Agotamiento En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en , o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo: - No hay polarizacin (VD = 0 V). - Polarizacin directa (VD > 0 V). - Polarizacin inversa (VD < 0 V). VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio. ID = Imayoritarios - IS

Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente ID del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente IS. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa, IS. El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.

http://html.rincondelvago.com/diodos-y-transistores.html

Materiales Tipo n y Materiales Tipo p

Un material semiconductor tipo n se produce introduciendo impurezas con valencia de 5 electrones, tales como el antimonio o el fsforo dentro de la estructura del cristal. En equilibrio trmico los electrones del tomo de impureza comparten enlaces con los electrones del silicio, quedando un electrn libre, se requiere solo una pequea cantidad de energa para liberar estos electrones donadores los cuales una vez liberados de sus tomos se comportan en forma similar a los electrones libres de un metal. La concentracin de estas cargas se denota con las letras Nd. Figura #1.8. Material tipo n

La presencia de electrones donadores altera el equilibrio en el material. Segn la Ley de Accin de Masas " El producto de las concentraciones de huecos y electrones debe ser constante", la concentracin en el material dopado ser: n = Nd + p Esta expresin indica que los electrones en el semiconductor esta relacionada con la concentracin del material donador y los huecos que surgen por la energa trmica. Un material semiconductor tipo p se produce introduciendo impurezas aceptadoras de valencia 3 como el Boro o el Indio, por cada tomo de impureza hay un electrn de silicio sin compaero; es decir tiene un nivel de baja energa, lo cual lo predispone a capturar cualquier electrn que pase; cuando la red cristalina adquiere energa trmica algunos electrones vecinos son capturados (aceptado) por un tomo de impureza, esto crea un ion negativo inmvil en la red cristalina y deja solo un electrn en el enlace covalente. La concentracin de las impurezas se denota con Na y la concentracin del material se calcula como: p = Na + n Figura #1.9. Material tipo p

SEMICONDUCTOR TIPO N Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su

capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornas, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro. SEMICONDUCTOR TIPO P Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la apricin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P

http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.htm

2.2

Dispositivos semiconductores. 2.2.1 Diodos.

EL DIODO
El nacimiento del diodo surgi a partir de la necesidad de transformacin de corrientes alternas en continua. La corriente en un diodo presenta un sentido de circulacin de cargas positivas que van desde el nodo al ctodo, no permitiendo la circulacin de la corriente en el sentido opuesto, lo cual nos permite la conversin de corriente alterna a continua, procedimiento conocido como rectificacin. Esto ocurre porque por el diodo solamente podr circular corriente cuando el nodo sea ms positivo que el ctodo. Estn compuestos por dos regiones de material semiconductor que se llama unin P-N. Entre las dos partes de la unin P-N, y en la zona de contacto entre ambas, se produce una regin denominada de transicin, donde se genera una pequea diferencia de potencial quedando la zona N a mayor tensin que la P. Cuando se le aplica una tensin al diodo con el terminal positivo conectado a la zona P y el negativo a la N se producir una circulacin de corriente entre ambas debido a que una pequea parte de esta tensin nivelar la diferencia de potencial entre zonas, quedando stas niveladas en tensin, y el resto de la tensin aplicada producir una circulacin de electrones de la zona N a la P.

Si esa tensin externa se aplica con los bornes intercambiados, es decir el terminal positivo de la fuente conectado a la zona N y el negativo a la regin P, no habr circulacin de corriente por el diodo, debido a que por efecto de la tensin aplicada se aumentar la diferencia de potencial existente entre las zonas P y N, impidiendo as la circulacin de corriente a travs del mismo. Entre las diversas clases de diodos que se encuentran en el mercado, podemos citar las siguientes: diodos rectificadores (en montaje individual o puente rectificador), diodos de seal, diodos de conmutacin, diodos de alta frecuencia, diodos estabilizadores de tensin, diodos especiales. EL DIODO SIN POLARIZACION: Es posible producir un cristal como el de la figura (a) que tiene la mitad del tipo p y la otra mitad del tipo n. La unin es donde se encuentran las regiones tipo p y tipo n. Un cristal pn como este se le conoce comnmente con el nombre de diodo.

CAPA DE AGOTAMIENTO: Cuando un bloque de silicio tipo N se une a un bloque de silicio tipo P, forman una unin o juntura llamada diodo de unin PN o juntura PN, como se muestra en la figura (b). En este proceso se forma una barrera elctrica en la unin de los materiales, que evita que los electrones del material tipo N se pasen al material tipo P, a este proceso se le llama capa de agotamiento.

POTENCIAL DE BARRERA: Despus de cierto punto, la capa de agotamiento acta como una barrera para la posterior difusin de electrones libres a travs de la unin. La diferencia de potencial a travs de la capa de agotamiento se llama potencial de barrera. Este potencial de barrera, a una temperatura de 25C, es igual a 0.7V para diodos de silicio (los diodos de germanio tienen un potencial de barrera de 0.3V).

POLARIZACION DIRECTA: La figura (a) muestra una fuente de cc aplicada a un diodo. El terminal positivo de la fuente esta conectado al material tipo p, y el terminal negativo al material tipo n. Esta conexin se llama polarizacin directa. Como recordatorio, debe notarse que el sigo (+) se conecta al lado p y el signo (-) al lado n.

POLARIZACION INVERSA: Si se invierte la polaridad de la fuente de alimentacin de cc, se le aplica polarizacin inversa al diodo, como se indica en la figura (a). Ahora el signo (+) se conecta al lado n y el signo (-) al lado p. Cul es el efecto de la polarizacin inversa? "el efecto de la polarizacin inversa es que la capa de agotamiento se ensancha. Cuanto mayor sea la polarizacin inversa, ms ancha es la capa de agotamiento; esta detiene su crecimiento cuando su diferencia de potencial es igual al voltaje de la fuente.

TIPOS DE DIODOS:

RANGO DE VOLTAJE Y CORRIENTE: Los diodos se clasifican en trminos de la corriente y el voltaje que pueden manejar. Esta clasificacin se resume en forma de una referencia compuesta por letras y nmeros. Estas referencias se usan en todos los semiconductores y el prefijo 1N significa que ese componente es un diodo. Como ejemplo un diodo 1N4001 puede manejar IF = 1 A y VFT = 600v0. Sin embargo, los valores dados representan la mxima corriente y el mximo voltaje inverso que pueden ser aplicados. Se recomienda usar diodos con una capacidad mayor por lo menos en un 25% a los valores de corriente y voltaje de trabajo del circuito.

Clases de Diodos
-Diodo de barrera SCHOTTKY:

Tambin es conocido como diodo de barrera superficial o de portadores de alta energa. Su rea de aplicacin se limitaba primero a intervalos de frecuencia sumamente altas debido a su rpido tiempo de respuesta y muy baja figura de ruido. Otras reas de aplicacin del dispositivo incluyen los sistemas de radar, la lgica TTL Schottky para computadoras, los mezcladores y detectores en los equipos de comunicaciones, instrumentacin y en los convertidores analgico digitales. Su construccin es muy diferente de la unin p-n convencional por el hecho de que se crea una unin semiconductora de metal (ver figura). El semiconductor es por lo general silicio de tipo n (aunque en ocasiones se utiliza silicio tipo p)

Inicio -Diodo VARACTOR: Los diodos varactores (llamados tambin varicap "diodo con capacitancia-voltaje variable" o sintonizadores) son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin p-n cuando el elemento esta polarizado inversamente. Su simbologa es la siguiente:

-Diodo SHOCKLEY: Es un diodo pnpn de cuatro capas con solo dos terminales externas como se muestra en la figura con su smbolo grafico. Las caractersticas del dispositivo son exactamente iguales a las encontradas para el SCR con IG = 0. Como indica la caracterstica, el dispositivo esta en el estado de corte (representacin en circuito abierto) hasta que se alcanza el voltaje de ruptura, en cuyo instante la condicin de avalancha se desarrollara y el dispositivo se encender.

Inicio -Diodo TUNEL: El diodo tnel se fabrica dopando el material semiconductor que formara la unin tipo p-n en un nivel de cien a miles de veces mayor que un diodo semiconductor tpico. Esto producir una regin de agotamiento bastante reducida del orden de magnitud de 10-6 cm o por lo comn alrededor de 1/100 del ancho de esta regin para un diodo semiconductor comn. Es en esta delgada regin de agotamiento donde muchos portadores pueden "pasar a travs de un tnel", en ves de intentar superarla a potenciales de polarizacin directa bajos que explican el pico en la curva. Esta reducida regin de agotamiento produce portadores que "atraviesan perforando" a velocidades que superan en mucho a las que se producen en los diodos convencionales. El diodo tnel puede, por lo tanto, utilizarse en aplicaciones de alta velocidad como en las computadoras, donde se requieren tiempos de conmutacin del orden de nanosegundos o picosegundos.

Simbologa
Diodo rectificador Diodo rectificador

Diodo rectificador

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener *

Diodo varicap *

Diodo varicap

Diodo varicap

Diodo Gunn Impatt

Diodo supresor de tensin *

Diodo supresor de tensin

Diodo de corriente constante

Diodo de recuperacin instantnea, Snap

Diodo tnel *

Diodo tnel

Diodo rectificador tnel

Diodo Schottky

Diodo Pin *

Diodo Pin

Fotodiodo

Diodo LED

Fotodiodo bidireccional NPN

Fotodiodo de dos segmentos ctodo comn PNP

Fotodiodo de dos segmentos ctodo comn PNP

Diodo sensible a la temperatura

Puente rectificador

Puente rectificador *

Aplicaciones Compuertas OR y AND, Recortadores, Sujetadores

COMPUERTA OR:

Tabla de verdad:

A 0 0 1 1

B 0 1 0 1

S 0 1 1 1

Analizando paso a paso 1.- si A=0 y B=0 llevamos ambas entradas A y B a 0v (tierra) Que ocurre con D1 y D2? La terminal positiva de cada uno de los diodos esta conectada a tierra por lo tanto estn polarizados inversamente. Recordemos que: Polarizacin directa Polarizacin inversa

Por lo tanto al estar D1 y D2 inversamente que sucede? Recordemos que: Polarizacin directa: "El diodo conduce" Diodo ideal: el diodo acta como un suiche

Para una segunda aproximacin VD silicio = 0.7v VD germanio = 0.3v

Para una tercera aproximacin VD silicio = 0.7v VD germanio = 0.3v En esta aproximacin tenemos en cuenta la resistencia del diodo

Para una tercera aproximacin VD silicio = 0.7v VD germanio = 0.3v En esta aproximacin tenemos en cuenta la resistencia del diodo

Cmo se halla Rd?

Existen varios mtodos: R DC o esttica: VD / ID En un punto de la curva caracterstica R AC o dinmica: VD / ID Si por ejemplo se desea hallar la R AC para una corriente de 15ma que se hace? Se ubica este punto de 15ma en la curva caracterstica y a este punto se le traza una recta tangente obteniendo as un V y un I sea dos valores de voltaje y 2 valores para la corriente para hallar RAC = V / I R promedio: RAV Esta resistencia se halla entre los rangos mximos y mnimos del diodo por ejemplo: si el rango de trabajo de un diodo es Vmin = 0.6v y Vmax = 0.8v simplemente se marca en la curva caracterstica a que niveles de corriente corresponde cada uno de ellos, entonces se obtendr Imin y Imax, entonces R promedio = V / I = Vmax Vmin / Imax Imin R dinmica = 26mv / ID esta es otra forma de cmo se puede hallar la resistencia para una corriente dada. Continuando con el anlisis de la compuerta OR, decamos que: D1 y D2 se polarizan inversamente como ya explicamos D1 y D2 actan como suiches abiertos

Que voltaje se tiene a la salida, si no hay ninguna fuente que lo este alimentando, voltaje a la salida = 0v. Entonces para A=0

B=0 S=0 2.- Analizando la segunda posibilidad A = 0, quiere decir la entrada A conectada a tierra B = 0, quiere decir la entrada B conectada a un nivel alto de voltaje

Para este ejemplo estamos considerando el nivel alto de voltaje = 5v Que ocurre con D1 y D2? D1: Esta conectado a tierra como vimos en el anlisis anterior, esta polarizado inversamente, entonces D1 acta como suiche abierto. D2: La terminal positiva esta conectada al terminal positivo de la fuente sea que esta polarizado directamente, el diodo acta como un suiche cerrado para una primera aproximacin, para una segunda aproximacin V D silicio = 0.7v y VD germanio = 0.3v, para una tercera aproximacin se tiene en cuenta la resistencia del diodo y el voltaje en el diodo seria igual al voltaje umbral Si=0.7v, Ge=0.3v mas la cada de voltaje en la resistencia V D = VU + VRD Para este ejemplo estamos utilizando una segunda aproximacin VD silicio = 0.7v sea que el circuito queda de la siguiente forma:

El voltaje a la salida es igual VS = 5v 0.7 = 4.3v VS = 4.3v corresponde a un nivel alto de voltaje Entonces para A=0 B=1 S=1 3.-analizando la tercera posibilidad A=1, A conectado a un nivel alto de voltaje B=0, B conectado a tierra

D1: conduce porque esta polarizado directamente D2: no conduce, esta polarizado inversamente

Vs = 5 0.7v = 4.3v corresponde a un nivel alto Entonces para: A=1

B=0 S=1 4.-Analizando la cuarta posibilidad A=1, A conectado a un nivel alto B=1, B conectado a un nivel alto

D1: conduce esta polarizado directamente D2: conduce esta polarizado directamente Vs = 5 0.7 = 4.3v nivel alto de voltaje Entonces para: A=1 B=1 S=1 Inicio COMPUERTA AND: Tabla de verdad

A 0 0

B 0 1

S 0 0

1 1

0 1

0 1

Analizando paso a paso: - Primera posibilidad Para A=0, A conectado a tierra B=0, B conectado a tierra

D1: El terminal negativo esta conectado a tierra, esta polarizado directamente "conduce" D2: Igual que D1 - Segunda posibilidad

Para A=0, A conectada a tierra. B=1, B conectada a un nivel alto de voltaje

D1: Polarizado directamente, el diodo conduce. D2: Polarizado inversamente, porque el terminal positivo de la fuente de 7v esta conectado al terminal negativo del diodo, por lo tanto el diodo no conduce, se comporta como un circuito abierto. - Tercera posibilidad Para A=1, A conectada a un nivel alto. B=0, B conectada a un nivel bajo.

D1: Polarizado inversamente, no conduce, se comporta como un circuito abierto. D2: Polarizado directamente, conduce. - Cuarta posibilidad Para A=1, A conectada a un nivel alto. B=1, B conectada a un nivel alto.

Al estar D1 y D2 abiertos, aslan totalmente la fuente de 7v y quedara:

Vs = 7v, nivel alto. RECORTADORES: Recortador en serie positivo: Circuito 1

El voltaje de entrada Vin es una seal alterna, para nuestro ejemplo es una onda senoidal, pero tambin se pueden utilizar otro tipo de seales alternas como son ondas triangulares y cuadradas. Como se comporta un diodo con una entrada alterna? Su comportamiento no cambia, sus condiciones de polarizacin directa e inversa son las mismas. Polarizacin directa Polarizacion inversa

El circuito 1 es un recortador serie positivo porque recorta la parte positiva del voltaje de entrada. D1 silicio = Vo = 0.7v

Recortador en serie negativo: Recorta la seal en la parte negativa 4.3v

Condicin para que el diodo conduzca? A la entrada debe haber un voltaje positivo. Vin>0 : voltaje positivo Vin= (0,10v) Para segunda aproximacin VD = 0.7v

Vin 0.7 = Vo Vo = 10 0.7 = 9.3v Conclusin : Para Vin>0 diodo conduce Vo = 9.3v Para Vin<0 diodo no conduce Vo = 0v (recorta la seal) SUJETADORES: Esta aplicacin es til cuando se desea sujetar o mantener una seal a un diferente nivel de DC. Existen 2 tipos de montajes

Consideraciones para el anlisis de sujecin: 1.-Siempre se inicia el anlisis de las redes de sujecin considerando aquella parte de la seal de entrada que polariza directamente el diodo. 2.-Durante el periodo en que el diodo conduce puede suponerse que el capacitor se cargara en forma instantnea hasta un nivel de voltaje determinado por el voltaje de entrada, el voltaje del diodo y si se coloca una fuente DC 3.-Se supone que durante el periodo que el diodo no conduce (cuando esta abierto) el capacitor mantendr toda su carga y consecuentemente su voltaje. Esto se logra haciendo que el tiempo de descarga del capacitor 5 = 5 * RL sea mayor que el tiempo que el diodo esta abierto.

4.-En todo el anlisis debe tenerse cuidado respecto a la localizacin y polaridad de referencia para Vo para asegurar que se obtienen los niveles apropiados de dicha cantidad. 5.-Compruebe siempre que la excursin total de salida debe corresponder con la seal de entrada.

Fuentes
Sirven para convertir seal AC en DC, alimentar una carga por tiempo indefinido Diagrama de bloques general:

Transformador de entrada:

N1 / N2 = V1 / V2 = I2 / I1 N1= # de vueltas del primario N2= # de vueltas del secundario El tamao del transformador depende de la potencia. Se usan trafos pequeos (menos de 150w) PUENTE RECTIFICADOR

Ciclo positivo (+) Ciclo negativo (-) D1= se abre D1= conduce D2= conduce D2= se abre D3= se abre D3= conduce

D4= conduce D4= se abre DIODO ZENER

El diodo zener para que trabaje como regulador de voltaje tiene que cumplir las siguientes condiciones: - Debe estar polarizado inversamente y Vin > Vz Vin = (1.4 1.8) * Vz - Si Vin < Vz entonces el diodo zener se abre - Si el diodo zener se polariza directamente trabaja como un diodo rectificador Montaje completo de la fuente con zener

Montaje fuente dual con LM317, LM337

2.2.2

Transistores.

TRANSISTORES
El transistor es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de poder gobernar a voluntad la intensidad de corriente que circula entre dos de sus tres terminales (emisor y colector), mediante la circulacin de una pequea corriente aplicada en el tercer terminal (emisor). Este efecto se conoce con el nombre de amplificacin de corriente, y nos permite aplicarle en el emisor una corriente muy pequea con cualquier forma de variacin en el tiempo, y obtener la misma corriente, con la misma variacin en el tiempo, pero de mayor amplitud. Se utilizan fundamentalmente en circuitos que realizan funciones de amplificacin, control, proceso de datos, etc. El funcionamiento interno se puede describir a partir de lo ya explicado para los diodos, con la diferencia de que este ltimo posee dos uniones semiconductoras, esto es: el transistor posee dos zonas semiconductoras, que pueden ser N o P, y entre ambas una muy delgada del tipo P o N respectivamente. Este conjunto formar dos uniones: una N-P, entre el emisor y la base, y la otra P-N entre la base y el colector (si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P, es decir un transistor NPN. Si las regiones exteriores son del tipo P y la interior del tipo N el transistor ser del tipo PNP). Si le aplicamos una tensin externa a la unin N-P, de forma que quede polarizada en directa, se producir una circulacin de corriente entre ambas regiones. Aplicando una segunda tensin externa a la otra unin, de modo que sta quede en inversa (el terminal positivo de la fuente conectado al colector y el negativo a la base), la corriente generada

en la otra unin, ser atrada por la diferencia de potencial positiva aplicada al colector, generando que prcticamente toda la corriente proveniente del emisor llegue al colector, salvo una pequea cantidad de corriente que saldr por la base. Y es justamente esta pequesima corriente de base la que nos permite gobernar la corriente circulante desde el emisor al colector. El sentido de circulacin de la corriente adoptado hasta ahora es el de circulacin de los electrones, y como la convencin utilizada toma el sentido opuesto entonces en un transistor del tipo NPN la corriente ser entrante por el colector y la base, y saliente por el emisor. Debido a que la corriente de emisor ser siempre un mltiplo de la de base obtendremos los resultados deseados de amplificacin. Supongamos que dicha corriente de colector (Ic) es 100 veces la corriente de emisor (Ie), entonces si Ib = 5 mA; Ie = 500 mA. Si ahora Ib = 2 mA; Ie = 200 mA. Donde se puede apreciar que una pequea variacin en la corriente de base (3 mA), produce una gran variacin en la de emisor (300 mA). Dicho factor de amplificacin es denominado generalmente con la letra griega b (Beta). Ya hemos hecho notar que existen transistores del tipo NPN y PNP segn sean los dopados de las tres regiones, pero entre ambos tipos no existe ninguna diferencia en cuanto a lo funcional, salvo que todos los sentidos de circulacin de las corrientes son opuestos en uno y otro, por lo tanto, para polarizar un transistor PNP, de igual manera que uno NPN, se debern utilizar tensiones opuestas en uno y otro. Los transistores tienen una caracterstica muy interesante que es la capacidad que tienen stos de entregar una intensidad de corriente constante a una resistencia, independientemente del valor de sta, es decir que las variaciones de corriente obtenidas por la accin de la base, producirn en la resistencia una variacin de la tensin, la cual ser, segn la ley de Ohm: V = I x R. Entonces V depender del valor de la corriente de base y de la resistencia en el colector, siendo V mayor cuando mayor es R, estando fijado el lmite por el valor de la tensin externa aplicada al circuito. Este efecto resulta en una "amplificacin de tensin", que es una de las caractersticas mas importante de los transistores y el motivo por el cual son de uso casi imprescindible en los montajes electrnicos. Esta amplificacin de tensin se calcula como la relacin entre el voltaje en la resistencia de carga y la tensin aplicada entre las junturas baseemisor. Los transistores, segn sea la tecnologa de fabricacin, se clasifican en grandes grupos con diferentes caractersticas: Bipolares, Fet, Mosfes, Uni unin. Hasta el momento nos hemos referido al primer grupo de ellos. El estudio y anlisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las "curvas caractersticas" del mismo, con las cuales se puede caracterizar completamente el comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor, siendo sta expresada en relaciones grficas de las corrientes Ib, Ic e Ie, en funcin de las tensiones externas y para las distintas configuraciones: Emisor Comn (EC), Base Comn (BC) y Colector Comn (CC).

Las curvas describen el comportamiento de los transistores, pero como estos no se comportan todos de igual manera, las curvas varan segn el tipo de transistor, y, si bien difieren de un tipo a otro, son muy semejantes en la forma. Adems no se refieren a uno en concreto, sino que son un promedio de un gran nmero de unidades. Estas grficas son proporcionadas por el fabricante, y como el montaje ms comn es la de emisor comn, y adems stos nos suministran las curvas basadas en este tipo de configuracin, nos centraremos en el anlisis de las curvas referidas a este tipo de montaje. Tambin es importante conocer los valores mx, mn y tpico de las caractersticas ms importantes, para poder emplear, en los clculos, el valor que resultare ms desfavorable a fin de asegurarnos que el funcionamiento de cualquier unidad de la muestra estar dentro de lo estipulado. Las curvas caractersticas mas importantes son las caracterstica de entrada y la de salida. En las de entrada, se expresan las grficas de la relacin entre la corriente de base (Ib) y la tensin base-emisor (Vbe) para la tensin colector-emisor (Vce) constante. A partir de ellas podemos calcular la corriente que circula por la base cuando se aplica una tensin externa entre sta y el emisor. Como el transistor en montaje en emisor comn tiene comportamiento similar al de un diodo polarizado en directa, las curvas son de igual forma, es decir, que existe una determinada tensin umbral por debajo de la cual la corriente es prcticamente nula (Vd = 0,3 V para transistores de Germanio y 0,6 V para los de Silicio). Tambin de las caractersticas de entrada podemos deducir la resistencia de entrada del transistor, que es la variacin de la tensin base-emisor (Vbe) con respecto a la corriente de base (Ib). En las curvas de salida se grafica la corriente de colector Ic en funcin de la tensin colector-emisor Vce cuando mantenemos constante Ib. Generalmente se dibuja una familia de curvas para distintas Ib. En esta grfica se observa que por encima de un valor de tensin colector emisor Vce1 la corriente se mantiene prcticamente constante, independientemente del valor de Vce. Por debajo de este valor sucede todo lo contrario, Ib vara rpidamente con pequeas variaciones de Vce. Este valor de Vce1 es aproximadamente 0,5 V. A esta zona de funcionamiento donde Ic es cuasi constante, se denomina regin activa y es en la que se desea que funcione el transistor cuando se lo usa en amplificadores. En este caso Ic solamente depende de Ib. De la misma manera que en las caractersticas de entrada podemos deducir la resistencia de entrada, en las caractersticas de salida podemos deducir la resistencia de salida de la forma: Variacin de la tensin Vce con respecto a Ic. Otro factor que podemos deducir es la ganancia de corriente del transistor (b). De las curvas se deduce, al ser casi horizontal, que la resistencia de salida ser muy elevada. Tambin se definen, y es muy importante tenerlos en cuenta, algunos valore mximos que no hay que sobrepasar: Tensin mxima colector-emisor cuando Ib = 0. Vceo

Tensin mxima emisor-base Veb Corriente mxima de colector Ic Potencia mxima disipada PD o Ttot Otra familia de transistores muy importante es la de los de efecto de campo, de los cuales es parte el FET. Los mismos realizan la funcin de control de la corriente mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales. Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une los dos terminales (Fuente y Drenador), a esta regin se la llama canal y sobre sta existe otra con signo opuesto que se conecta a la puerta, entre ambas se forma una unin PN o NP, segn sea su topologa. Este conjunto est montado sobre un semiconductor con igual signo al de la puerta. Cuando se aplica una tensin entre Drenador y Fuente, habr circulacin de corriente por el canal. El control de dicha corriente se har con una tensin variable que es aplicada a la puerta, ya que, al aplicar dicha tensin, las uniones P-N se polarizan en forma inversa, haciendo que el canal se haga ms delgado y, por consiguiente, aumente la resistencia de ste, generando as una variacin de la corriente circulante por l. Como esta corriente de Puerta ser extremadamente dbil debido a que se trata de una unin polarizada en inversa, ser posible variar la corriente que circula por el transistor sin que sea necesario absorber corriente de l. Tambin la familia de transistores MOS o MOSFET (Metal, Oxido, Semiconductor) es parte de los transistores de efecto de campo. Este tipo de transistor es fabricado partiendo de un semiconductor tipo P en el que se difunden dos regiones tipo N que forman la fuente y el Drenador, y, encima de la superficie de estos, se aplica una capa de dixido de silicio (SiO2), que tiene la propiedad de ser muy aislante, sobre la que est situada la Puerta. Entre Fuente y Drenador tambin existir un canal similar al del tipo FET, cuya resistencia y anchura ser controlada con la tensin de puerta. En las curvas caractersticas de los transistores de efecto de campo se representa la corriente de Drenador (ID) en funcin de la tensin aplicada entre Drenador y Fuente (VDS). Como en el caso de la transferencia de los transistores bipolares, se traza una curva para cada uno de los valores de VGS deseados. Tambin en estas curvas se observan dos zonas; desde el origen la corriente crece con la tensin, pero alcanzado cierto valor Vp, se hace constante y se forma a partir de all la segunda zona, a estas dos zonas se las llama regin lineal a la primera y regin de saturacin a la ltima.

Teoria
Unin de aleacin: La tcnica de la unin de aleacin es tambin una extensin del mtodo de aleacin de la manufactura de diodos semiconductores, pero en un transistor se depositan dos

puntos de la misma impureza sobre cada lado de una oblea semiconductora que tiene la impureza opuesta como se muestra en la figura 13.7. La estructura completa se calienta despus hasta que ocurre la fusin y cada punto se une en aleacin a la oblea de la base, lo que produce las uniones tipo p-n que se indican en la figura 13.7. El punto del colector y la unin resultante son mas grandes para soportar la corriente mayor y la disipacin de potencia en la unin del colector y la base.

Crecimiento de la unin: La tcnica de Czochralski se emplea para formar las dos uniones p-n de un transistor de crecimiento de la unin. El proceso, como se muestra en la figura 13.8, requiere que el control de impurezas y la relacin de retiro sean tales que se asegure el ancho apropiado de la base y los niveles de dopado de los materiales tipo n y p. Los transistores de este tipo en general estn limitados a un valor nominal menor que w.

Difusin: El mtodo que se emplea con mayor frecuencia en la fabricacin de transistores es la tcnica de difusin. El proceso bsico se presento en el anlisis de la fabricacin del diodo semiconductor. La tcnica de difusin se emplea en la produccin de transistores en meseta y planares, cada uno de los cuales puede ser del tipo de difusin o epitaxial. En la siguiente figura 13.9 podemos ver el proceso de difusin de un transistor.

TRANSISTOR SIN POLARIZACION En un transistor hay tres regiones de impurificacin: el emisor, la base y el colector. Entre la base y el emisor hay una unin pn; a esta parte del transistor se le llama diodo emisor o diodo del emisor. Hay otra unin pn entre la base y el colector; esta parte del transistor se llama diodo colector. TRANSISTOR POLARIZADO En operacin normal, el diodo emisor tiene polarizado directa y el diodo colector tiene polarizacin inversa. En estas condiciones, el emisor enva electrones libres a la base. La mayor parte de estos electrones libres pasan por la base hacia el colector.

CORRIENTES EN UN TRANSISTOR La razn de la corriente del colector a la corriente de la base se llama ganancia de corriente y se le denota por cd o bien por hfe. En transistores de baja potencia, el valor de ganancia de corriente oscila entre 100 y 300. La corriente del emisor es la ms grande de las tres corrientes, la corriente del colector es casi igual de grande que la del emisor y la corriente de la base es mucho mas pequea.

TRANSISTORES - BJT
BJT: transistor de juntura bipolar

Tiene 3 terminales

1.- Base 2.- Emisor 3.- Colector Hay 2 tipos de transistores: 1.- NPN 2.- PNP

ANALISIS DE PEQUEA SEAL DEL BJT Emisor comn: Principales caractersticas: 1.- Invierte la seal de entrada 180 2.- Impedancia de salida Z0 Rc 3.- Impedancia de entrada segn la configuracin que esta entre media alta 4.- Es la configuracin ms utilizada. Entrada: Base Emisor Polarizacin por divisor de voltaje Salida: Colector Emisor

Modelo:

Imp. de entrada: Zi = R1//R2// re R1 // R2 = R Zi = R // re Ganancia de voltaje: Av = Vo / Vi Vo = -Io (Rc // RL) Vo = - ib (Rc // RL) Vo = - (Vi / re) (Rc // RL) Vo / Vi = (Rc//RL) / re Av = (Rc // RL) / re

Imp. de salida: Zo = Rc

Ganancia de corriente: aprox. Zi re Ai = Io / Ii = ib / Ii ib = Vi / re Vi = Zi*Ii Vi = re * Ii Io / Ii = Vi / Ii re = ( re)Ii / Ii * re = Ai = Ai = Io / Ii Ai = -Av (Zi / Rc)

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR DE UNA ETAPA Av= -10 Ft= 10khz Mpp= Mxima excursin de salida = 150

Rl= 10K Rg= Imp. De salida del generador

Anlisis: - Av= -10 diseo de baja ganancia, no se conecta condensador a Re - Se desea que tenga mxima excursin de salida Mpp= VCEQ = ICQ.rc condicin para que halla Mpp - Escojo Vceq e Icq Vceq = 10v Icq = 8mA Como Vceq= Icq.rc rc = impedancia de salida rc = 10v/8mA = 1.25K sin carga rc = Rc rc = 1.25K con carga rc = Rc//Rl rc = Rc//Rl = Rc.10K / Rc+10k = 1.25K 10K Rc = 12.5K + 1.25K Rc Rc = 1.42K Av = -10 = -Rc/RE RE = Rc/10 = 1.42K /10 = 142 RE = 142 VE = RE * ICQ = 142 * 8mA = 1.13v Ecuacin de salida: Vcc = VCEQ + ICQ Rc + VE Vcc = 10v + 8mA*1.42K + 1.13 Vcc = 22.49v IC = IB IB = ICQ / = 8mA / 150 = 0.05mA IB = 0.05mA

Ecuacin de entrada: Vcc = RBIB + VBE + ( +1)IBRE RB = Vcc VBE ( +1)IBRE / IB RB = 22.49 0.7 (151)*0.05mA*142 / 0.05mA RB = 414k MODELO AC

Ci = 1 / 2 FcZi Ci = 1 / 2 (1khz)(21050) = 10nf Co = 1 / 2 (1khz)(1.42k+10k) 10nf Zin = RB // ( (re + RE) + Rg) ( RE) + Rg = 21050 Zo = Rc // RL = 1.25K

Vin para que no halla distorsin? Av = Vo / Vi Vi = Vo / Av Vi = 10v / 10v Vi = 1v Inicio CONFIGURACIN EMISOR SEGUIDOR Caractersticas: - Av = 1 - No desfasa la seal. - Sirve para acoplar impedancias. -Como su nombre lo dice la seal se toma del emisor.

Anlisis en DC : los condensadores se abren

Ecuacin de entrada:

Vcc = RBIB + VBE + ( +1)IBRE IB = 15 0.7 / 330K + (101)1K IB = 3mA Ecuacin de salida: VCE = Vcc ICQRE = 15v 3v =12v MODELO EN AC

Zi = (RB // (re + RE) + Rg Zo (re // RE) re Av Vo / Vi Vo = REVi / RE + re Av = Vo / Vi = RE / RE + re = 1 Inicio ETAPAS EN CASCADA

MODELO EN DC Vc1 = VB2 Etapa 1: IB = 12 0.7 / 330k + (101)330 = 31 A Ic1 = IB1 = 3.1mA VCE = Vcc Ic1 (Rc1 + RE1) = 12 3.1mA (3k + 330 ) VCE = 1.67 VC1 = Vcc Ic1 Rc = 2.7v Etapa 2: VC1 = VB2 =2.7v VE2 = VB2 VBE2 = 2v IE2 = VE2 / RE2 = 2v / 1k = 2mA VCE2 = Vcc IC2 (Rc2 + RE1) = 12 2mA(3k ) VCE2 = 6v MODELO EN AC

Av1 = (-Rc1 // Zi2 ) / RE1 Zo1 = Rc1 // Zi2 Av2 -Rc2 / re2 Avt = -Av1 * -Av2 re1 = 26mV / IE1 = 26mV / 3.1mA = 8.3 re2 = 26mV / IE2 = 26mV / 2mA = 13 Zi1 = RB1 // ( (re + RE1)) = 330k // 100/8.3+330 ) = 30.65k Zi1 = 30.65k

Zo1 = RC1 // Zi2 = 3k // 915 = 701 Zi2 = R1 // R2 // re2 = 15k // 3.9k //1300 = 915 Av1 = (-Rc1 // Zi2 ) / RE1 = 701 / 330 = -2.12 Av1 = -2.12 Zo2 = Rc2 = 2K Av2 -Rc2 / re2 = 2k / 13 = -153.8 AVT = Av1 * AV2 = -2.12 * -153.8 = 326.1 sin desfase Inicio ACOPLE POR CONDENSADOR

Etapa 1: Ic1 = 3.1mA VCEQ = 1.67v Etapa 2: VB2 = (12*3.9k ) / (3.9k + 15k ) = 2.47v VE = 2.47v 0.7 = 1.77v IE2 = VE2 / RE2 = 1.77v / 1k = 1.77mA VCE2 = 12 1.77(3k ) = 6.69v MODELO EN AC

Es el mismo al acoplarlo directamente. Lo nico que cambia es: Re2 = 26mV / 1.77mA = 14.6 Zi2 = 15k // 3.9k // 1460 = 991 Zo1 = Rc1 // Zi2 = 3k // 991 = 744 Av1 = (-Rc1 // Zi2 ) / RE1 = -744 / 330 = -2.25 Av2 = -Rc2 / re2 = 2k / 14.6 = -136.9 AVT =n (-2.25) (-136.9) = 308.02 Inicio CONEXION CASCODE Una conexin cascode tiene un transistor en serie con otro, proporciona una alta impedancia de entrada y tiene una Buena operacin en alta frecuencia.

Anlisis en DC: - Los condensadores se abren - La fuente alterna se pone en corto-circuito

VA = VBASE Q2 = VR2 + VR3 VB = VBASE Q1 = VR3 Vcc VR1 VR2 VR3 = 0 Divisor de voltaje VR3 = R3 * Vcc / R1 + R2 + R3 = 4.9v VR2 = R2 * Vcc / R1 + R2 + R3 = 5.8v VR3 + VR2 = 10.8v = VBQ2 = 4.9v = VBQ1 Para hallar IE ? Ecuacin transistor Q2 VB VBE = VE 4.9 0.7 = VE = 4.2v VE = IE * RE IE = VE / RE = 4.2 / 1.1k = 3.8mA IE ICQ1 ICQ2 ANLISIS EN AC

- Los condensadores se ponen en corto. - El Vcc se pone en corto.

Las resistencias 1.1k y 6.8K desaparecen ya que sus dos terminales van a tierra. La base de Q2 va a tierra

MODELO AC

Zi = 56k // 4.7k // re1 re1 = 26mV / Ic1 = re2 = 26mV / Ic2 como : Ic1 = Ic2 re1 = re2 = 6.8 Zi // re = 1.3K Av1 = Vo / Vi = -Io * Zo / Ii * Zi = - ib * Zo / ib * re Av1 = Zo1 / re1 Av1 = re2 / re1 = -1 Av1 = -1 Av2 = Vo / Vi = Io * Zo / Ii * Zi = IE * Zo2 / IE * Zi2 1 Av2 = Zo2 / Zi2 = Rc / re = 1.8k / 6.8 Av2 = 265 AVT = Av1 * Av2 = -265 Inicio CONEXION DARLIGTON

La principal caracterstica de la conexin darligton es que el transistor compuesto acta como una sola unidad con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de corriente de cada transistor. D=1*2

TRANSISTORES - JFET
"Transistor Efecto de Campo"

Su nombre se refiere a que se establece un campo elctrico por medio de las cargas presentes que controlaran la trayectoria de conduccin del circuito de salida. Existen 2 tipos: canal n y canal p Canal n: canal p:

Un jfet se asemeja a dos diodos: 1 diodo Gate - Source 1 diodo Gate Drain

BJT Base Emisor Colector

FET Gate Source Drain

Caractersticas del JFET: -La Zi es alta (M ). -La Av es menor a la del BJT. -Son dispositivos controlados por voltaje VGS. -Es menos sensible a cambios en la tensin de entrada. -produce menos cambios en Is Zonas de trabajo

BJT

FET

Activa Corte Saturacin Ruptura

Estrangulamiento Corte Zona ohmica Ruptura

Curva Caracterstica

Vp = tensin de estrangulamiento o contraccin, separa la zona ohmica de la zona de estrangulamiento. El JFET en la zona ohmica acta como una resistencia RDS = Vp / IDSS y en la zona de estrangulamiento acta como una fuente de corriente.

Parmetros de Entrada: VGS = voltaje Gate Source: es el que controla el JFET IG = corriente de Gate 0A RG = Resistencia de Gate M

Parmetros de Salida: VDS = voltaje Drain Source (en el BJT = VCE) ID Is = corriente Drain (en BJT = Ic IE ) Nota: VGS = -Vp : voltaje de apagado = -Vp

Cuando VGS 0 se puede utilizar: Vp voltaje de estrangulamiento proporcional. Vp = frontera entre la z. Ohmica y z. De estrangulamiento. Vp = ID*RDS RDS = Vp / IDSS Si VDS > Vp Fuente de corriente (z. De estrangulamiento) Si VDS <Vp RDS (z. Ohmica)

Modelo JFET (Fte I) Modelo JFET (z. ohmica)

Ejemplo:

1.-

IDSS = 8mA Vp = 4v para VGS = 0 RD = 2K Ec. de Entrada: VGS = VG VS VS = 0

VGS = -VFTE + RG IG IG = 0 VGS = -VFTE

Ec. Shockley: ID = IDSS (1 VGS / VGSOFF)2 Vp = - VGSOFF = 4v VGS = 0 ID = IDSS (1 0 / 4)2 ID = 8mA VDS = VDD ID(RD) = 10 8mA (2k ) = -6v Como VDS = -6v valor ilogico VDS < Vp -6 < 4 JFET trabaja en la zona ohmica RDS = Vp / IDSS = 4v / 8mA = 500

Modelo:

ID = IDSS = 8mA VDS = VRDS por divisin de tensin VDS = 10*500 / 2500 = 2v 2.- VGS = -3v y RD = 1k ID = IDSS (1 3v/4v)2 = 0.5mA VDS = VDD - IDRD = 10- (0.5mA)(1k ) = 9.5v

RDS = Vp / IDSS = 4v / 8mA = 500 Vp = ID * RDS = 0.5mA * 500 = 0.25v VDS > Vp = 9.5v > 0.25v JFET fuente de corriente

El JFET acta como amplificador cuando trabaja como fuente de corriente. Parmetros importantes: Una caracterstica principal de la operacin JFET en AC es que un voltaje de AC aplicado entre la puerta y la fuente controlan la corriente entre drenaje fuente, esta accin es la que se describe en la transductancia (gm) = I / V gm: transductancia gm = corriente-drenaje-fuente / voltaje compuerta-fuente gm = gmo (1 VGSO / VGSOFF) gmo = 2IDSS / Vp gmo = es el valor de la transconductancia en el punto de polarizacin VGS = 0 y representa un valor fijo de ganancia mxima del dispositivo JFET. Como el modelo del JFET Fte I (se desea que quede en trminos de gm) gm = I / V I = gm V

Impedancia de salida: rd = VDS / ID Vgs=constante El fabricante proporciona Yos = admitancia de salida ( s) rd = resistencia tpica del JFET entre drenaje fuente gm o Yfs = admitancia de transferencia directa

Impedancia de entrada

Zi = idealmente principal caracterstica Zi 109 Problema de divisor de tensin:

IDSS = 10mA Vp = 6v Yos = 50 s Ec. de entrada: VG = (VDD * R2) / (R1 + R2) = (20v*47k ) / (80k + 47k ) = 7.4v VG = VGS + VS VGS = VG - VS = 7.4v ID(1k ) VGS = 7.4v ID(1k )

Resolviendo por la curva universal figura # 2 Halle: m = Vp / IDSS*RS m = 6 / 10mA*1k = 0.6 M = m * (VG / Vp) M = 0.6 * (7.4 / 6v) = 0.74

Para graficar: 1.- Ubique el punto M = 0.74 en el eje respectivo. 2.- Ubique m = 0.6 partiendo como origen de M = 0.74 En nuestro caso el corte en el eje m= 4. 3.- Trazamos una recta entre M = 0.74 y m = 4 El punto Q en el eje x = VGS / Vp = -0.12 eje y = ID / IDSS = 0.78 VGS = -0.12 * 6 = -0.74v ID = 0.78 / 10mA = 7.8mA MODELO AC

Zi = 80k // 47k = 29.6k Zo = RD = 3k gm = gm0 (1 (VGSQ / VGSOFF)) gm = 2IDSS / Vp (VGSQ / VGSOFF)) gm = 2*10mA / 6 (1 (0.74 / 6)) = 2.92ms Av = -gm*Vgs*RD / Vgs(1 + gmRS) = -gmRD / (1 + gmRS) Av = - (2.92ms * 3k ) / (1 + 2.92ms*1k ) = -2.23 Cuanto varia Av ? si colocamos Cs Av = -gm * RD = -2.92 * 3k = -8.76

TRANSISTORES - MOSFET
Los mosfet se dividen en tipo decremental y tipo incremental. Los trminos decremental e incremental definen sus modos bsicos de operacin, mientras que la palabra MOSFET significa transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor. Puesto que existen diferencias en las caractersticas y operacin de cada tipo de mosfet, estos son tratados en secciones separadas. - Decremental o de empobrecimiento

-Incremental o de enriquecimiento

Mosfet de tipo decremental: existen canal n y canal p. Caractersticas: - Para un mosfet decremental, canal n Una pastilla de material tipo p se forma en una base de Si y se denomina sustrato (ss) - Las terminales de drain y source se conectan a travs de contactos metlicos a las regiones con dopado tipo n, unidas tambin por un canal tipo n. - Gate se conecta a la superficie de contacto metalico, pero permanece aislada del canal n, por una capa delgada de SiO2 (Dixido de Silicio). - No hay conexin elctrica directa entre la Gate y el canal para un mosfet. - La capa de SiO2 es la que cuenta para Zin.

Smbolo: Canal n Canal p

Operacin bsica: Funciona similar a un JFET (canal n o canal p). La ecuacin que describe comportamiento: ID = IDSS (1 VGS / VGSOFF)2 Si Vgs = 0 ID = IDSS saturado (s. cerrado) Si Vgs = VgsOFF ID = 0A corte (s abierto)

Diferencia con el JFET: Para el JFET Vgs = # negativo (canal n) Para el mosfet decremental Vgs = # negativo o un # positivo (canal n) Ejercicio: Mosfet decremental

IDSS = 12mA VGSOFF = -6v YOS = 25 s En DC Ecuacin de entrada: VGS = VG - VS VG = 15v * 47M / 47M + 240M = 2.45 VGS = 2.45v ID 1.3k se trabaja con la grafica # 2 (1) m = Vp / IDSS RS = 0.38 M = m * VG / Vp = 0.38 * 2.45v / 6v = 0.15

En la grafica: VGS / Vp = -0.44 VGS = -(0.44)*6 = -2.64 ID / IDSS = 0.3 ID = (0.3)*12mA = 3.6mA Reemplazo el valor de ID en (1) VGS = 2.45v (3.6mA) * (1.3k ) = -2.23v

VGSQ = -2.23v IDQ = 3.6mA Ecuacin de salida: VDS = 15v 3.6mA (2.3k ) VDS = 3.12v Vp = ID * RDS = 3.6mA * (6v / 12mA) = 1.8v VDS > Vp amplifica Modelo AC

rd = 1 / Yos = 1 / 25 s = 40k Zi = 240M // 47M = 39.3M Zo = 2k // 40k = 1.99k Av = -gm (Rd // rd) = gm = gm (1 (VGS / VGSOFF) = (2 * IDSS) / Vp (1- (-2.23/-6)) = 2.51ms Av = -(2.51ms) * (1.9k ) -7 Av -7 Mosfet incremental

VGS(th) = 5v ID (encendico) = 3mA VGS (encendido) = 10v Yos = 20 s Ec. de entrada VGS = VG - VS VG = (40v*18M ) / (18M +22M ) VGS = 18v ID 0.82k Se debe trazar una curva para encontrar la solucion VGSQ y IDQ ID = k (VGS VT)2 Se toman los siguientes puntos: para la recta de carga Cuando ID = 0A en (1) VGS = 18v Cuando VGS = 0v en (1) ID = 18v / 0.82k = 21.95mA

Solucion: VGS = 12.5v ID = 6.7mA Para la curva: ID = k (VGS VT)2 K = (ID(enc)) / (VGS(enc) VGS(th))2 = 3mA / (10 5 )2 K = 0.12*10-3 A/V2

ID = 0.12*10-3 A/V2 (VGS 5)2 Si VGS = 10v ID = 3mA Si VGS = 15v ID = 12mA

Recta de carga: VGS = 18v ID = 21.95mA VGSQ = 12.5v reemplazo en 1 ID = (18v 12.5v) / 0.82k 6.7mA

Ec. de salida: VDS = 40 6.7mA (3k + 0.82k ) = 14.06v VDS saturacion = VGS VT = 12.5v 5v = 7.5 Si VDS > VDS saturacion amplifica

Modelo AC

rd = 1 / Yos = 1 / 20 s = 50k Zi = 22M // 18M = 9.9M Zo = 3k // 50k = 2.83k Av = -gm (Rd // rd)

gm = 2k (VGSQ VT ) = 2 * 0.12*10-3 A/V2 (12.5 5) gm = 1.8ms Av = (-1.8ms) (2.83k ) -5.09 Av = -5.09

TRANSISTORES - Otros
TIRISTORES Tiristor: Es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentacin interna para producir un nuevo tipo de conmutacin. A diferencia del transistor bipolar y de los FET, los pueden funcionar ya sea como amplificadores lineales o como conmutadores, los tiristores solo funcionan de esta ultima manera. La principal aplicacin de este nuevo dispositivo es el control de cantidades grande de corriente de carga para motores, calentadores, sistemas de alumbrado y otros dispositivos semejantes. Aplicacin: control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminacin etc.

Realimentacin positiva si la IB2 se incrementa, IC2 aumenta lo que obliga a IB1 a aumentar y a su vez IC1 aumenta, este aumento continua hasta que ambos transistores se saturan, actuando como un interruptor cerrado. Si IB2 disminuye hace que IC2 IB1 y IC1 disminuyan hasta que los transistores se cortan, actuando como interruptores abiertos. Como cerrarlo: con un circuito de disparo (un pico de tensin) Como abrirlo: mediante un disparo de polarizacin inversa o mediante el bloqueo por disminucin de I. SCR "Rectificador controlado de silicio"

Posee un tercer terminal que es el control, por ser construido de silicio tiene una elevada capacidad de potencia y temperatura. Se caracteriza porque en la regin de conduccin tiene una resistencia dinmica de valor casi despreciable 0.01 a 0.1 mientras que su resistencia inversa es de 100k o mas. Su smbolo se muestra a continuacin:

Aplicaciones del SCR: Los SCR se han diseado para controlar altas potencias hasta de 10Mw con corrientes de 2000A a 1800v y su intervalo de frecuencia de trabajo se acerca a los 50Khz. Se aplican en: -Controles de elevadores. -Circuitos de retraso de tiempo. -Fuentes de alimentacin reguladas. -Interruptores estticos. -Inversores. -Cargadores de bateras. Tambin tiene aplicaciones de alta frecuencia como calentamiento por induccin y limpieza ultrasnica. SCS "Interruptor controlado de silicio" Al igual que el SCR es un dispositivo PN de cuatro capas, las cuales se dan por la adicin de una compuerta de nodo. Sus caractersticas son similares a las del SCR. Su circuito equivalente con transistores es el siguiente:

El efecto de la corriente de compuerta de nodo es que entre mayor sea su valor menor ser el voltaje nodo ctodo para disparar el dispositivo. La conexin nodo compuerta hace que el SCS conduzca o se corte puesto que cuando se le aplica un pulso negativo a este terminal el dispositivo conduce. Ventajas con respecto al SCR: -Tiene un tiempo menor de apagado, el cual va desde 1 a 10 s. -Mayor control y sensibilidad de disparo. -Una situacin de encendido ms predecible. Desventajas: Valores nominales, bajos de potencia, corriente y voltaje que van desde 100 a 300mA y desde 100 a 500mw. Aplicaciones: Los SCS se aplican en: -Circuitos de computadora (contadores, registros y circuitos temporizados) -Generadores de pulsos. -sensores de voltaje. -Osciladores. GTO "Interruptor controlado por compuerta" Tiene tres terminales como el SCR y su circuito equivalente de transistores como sus caractersticas son similares a las de este.

Una caracterstica muy importante es que puede conducir o cortarse con un pulso apropiado en la compuerta ctodo, con ello puede aumentar la corriente de compuerta necesaria para el disparo. Una caracterstica del GTO es su conmutacin mejorada, pues el tiempo de disparo es aproximadamente 1 s, que es la misma de apagado, lo que hace importante en aplicaciones de alta velocidad. Aplicaciones: Algunas de las reas de aplicacin del GTO incluyen los contadores, los generadores de pulsos, multivibradores y reguladores de voltaje. Se pueden realizar generadores diente de sierra empleando un GTO y un diodo zener.

LASCR "SCR activado por luz" Es un SCR cuyo estado es controlado por luz que incide sobre una capa de semiconductor de silicio del dispositivo. Su smbolo es el siguiente

Como se puede aprecia el LASCR tambin posee una terminal de compuerta que permite el disparo del dispositivo usando los mtodos usados con el SCR para ello. Sus valores nominales mximos de corriente y potencia son aproximadamente 3 A y 0.1w. Aplicaciones: -Controles pticos luminosos. -Relevadores. -Control de fase. -Control de motores.

-Computadores. Tambin se pueden aplicar en circuitos lgicos optoelectricos (compuertas AND y OR) para energizar cargas etc.

DIAC Es una combinacin inversa en paralelo de dos terminales de capas semiconductoras que permiten el disparo en cualquier direccin. Su smbolo es el siguiente:

Apartir de esta figura podemos concluir que no existe un ctodo, sino dos nodos (o electrodos) y si el nodo 1 es positivo con respecto al nodo 2 las capas aplicables son p2n2p2n3, si por el contrario el nodo 2 es positivo con respecto al nodo 1 las capas sern p2n2p1n1. Una de las aplicaciones mas sobresalientes del DIAC es en los detectores de aproximado, interruptores de contacto.

TRIAC Es una aplicacin del DIAC con una terminal de compuerta que controla las condiciones de disparo del dispositivo en cualquier direccin, es decir IG controla la accin del dispositivo como en el SCR. Una de sus aplicaciones principales es en el control de potencia a una carga por medio de la conmutacin. Existen en la actualidad TRIAC que pueden manejar cargas superiores a 10kw

TRANSISTOR MONOUNION (UJT) Dispositivo de tres terminales construido de la siguiente manera:

Una barra de silicio tipo n impura, posee dos contactos de base unidos a ambos extremos de una superficie y una barra de aluminio en la superficie opuesta. La unin PN del dispositivo se forma entre la barra de aluminio y la de silicio tipo N. Se le llama monounion por la sola unin PN. Aplicaciones: El UJT se emplea en la construccin de osciladores, circuitos de disparo, generadores diente de sierra, control de fase, circuitos temporizados. Simbologia

2.2.3

Tiristores.
El Tiristor (SCR) (Silicon Controled Rectifier)

El SCR y la corriente continua: Rectificador controlado de silicio, estos elementos semiconductores son muy utilizados para controlar la cantidad de potencia que se entrega a una carga, donde: - A = nodo - C = ctodo, tambin representado por la letra K - G = compuerta o gate Tomar en cuenta el grfico siguiente: ver que es un circuito de corriente continua

Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este conduce y se comporta como un diodo en polarizacin directa Si no existe corriente en la compuerta el tristor no conduce. Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios. Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero. Como se puede ver el SCR , tiene dos estados: 1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja 2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada El SCR y la corriente Alterna Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o foco La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en rojo) causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir.

Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el desfase que hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se active en diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la seal. y deje de conducir.

TIRISTORES
Los tiristores son un grupo de dispositivos semiconductores diseados especialmente para trabajar en regmenes de altas corrientes y/o altos voltajes, sus aplicaciones principales son en el campo de la electrnica de potencia. La mayora de tiristores tienen dos estados corte y conduccin y en el caso de conduccin la corriente no est determinada por el dispositivo sino por el circuito de carga. Dentro del grupo de tiristores tenemos los siguientes dispositivos

o o o o o

SCR: Rectificador controlado de silicio TRIAC GTO: SCR con compuerta de apagado SUS: Interruptor unilateral de silicio DIAC

Otros dispositivos usados para grandes corrientes son

o o

IGBT: Transistor bipolar de compuerta esislada Mosfet de potencia.

El transistor de una unin (UJT) es un dispositivo que se usa para el disparo de tiristores. Los Tiristores ms usados son el SCR y el TRIAC

SCR PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO SCR

Es un dispositivo de tres terminales que se comporta como un disco rectificador,

conduce en directo y no conduce en inverso, pero adicionalmente para entrar en conduccin debe inyectarse en el compuerta una corriente mayor que una corriente de compuerta mnima (IGmin) que es diferente para cada referencia de SCR, la aplicacin de la corriente de compuerta cuando el SCR est en directo para que entre en conduccin se llama el disparo del SCR. Una vez que el SCR ha entrado en conduccin, se mantiene as todo el tiempo que el circuito externo mantenga una corriente a travs del SCR mayor que una corriente mnima de sostenimiento. Cuando la corriente del SCR se hace menor que la corriente de sostenimiento ste deja de conducir, a este proceso se llama conmutacin apagado. Conmutacin natural: cuando el circuito de carga por los voltajes aplicados hace que la corriente sea menor que la de sostenimiento. Conmutacin forzada: Cuando se coloca un circuito adicional que induzca la conmutacin, hay tres formas tpicas: a. b. c. Colocar un interruptor normalmente abierto en paralelo, al cerrarlo la corriente se va por el interruptor y la corriente del SCR se vuelve cero apagndose. Colocar un interruptor normalmente cerrado en serie, al abrirlo la corriente se hace cero y apaga el SCR. Un circuito que inyecte una corriente de ctodo hacia nodo de forma que la suma de las corrientes inyectada y de carga se haga menor que la corriente de sostenimiento.

Cuando el voltaje de nodo a ctodo vara en el tiempo (dv/dt) muy rpido el SCR puede entrar en conduccin sin corriente de compuerta, sta es una situacin indeseada y se debe de evitar pues produce estados de conduccin no deseados.

Las caractersticas principales de un SCR son: ITmax : Mxima corriente que puede conducir (pico, RMS o promedio) VDmax : Mximo voltaje entre nodo o ctodo (inverso o directo en no conduccin). IGTmin :Corriente de compuerta mnima para producir el dispatro. VGTmax :Voltaje compuerta ctodo mximo Ihold min : Corriente de sostenimiento mnima. VFON :Voltaje nodo ctodo cuando est en conduccin dv/dt
max

: Mxima variacin de voltaje admisible sin disparo

CIRCUITOS DE DISPARO APLICACIONES DE SCR

Existen muchas aplicaciones de SCR de las cuales se indican aqu unas pocas.

DISPARO DE UNA ALARMA

El reed switch se cierra en presencia de un campo magntico, ejemplo un imn, a travs de R pasa la corriente de compuerta, el SCR entra en conduccin y el rel se cierra activando la sirena, aunque el campo magntico se retire y el reed switch se abra el SCR ya que est en conduccin y se mantendr as hasta que se abra el circuito usado el pulsador normalmente cerrado (NC). En la parte de SCR se escoge de forma que soporte la corriente que requiere la bobina del rel, la resistencia se escoge de forma que por ella pase una corriente mayor que IGTmin.

mx

V / IGTmin

CIRCUITOS DE APLICACIN CONVERTIDOR DC - DC

Se usa para obtener un voltaje DC a partir de otro voltaje DC mayor por el mtodo de aserrado (Chopper), se aconseja para cargas inductivas, en caso de carga resistiva se debe usar una bobina en serie que acte como filtro.

Descripcin de funcionamiento: Desde un circuito electrnico se enva un pulso a la entrada del transformador T1, se genera un pulso en el secundario y genera la corriente de compuerta necesaria para que entre en conduccin D1, el voltaje VX se hace aproximadamente igual a V1 y ese es el voltaje aplicado a 11 y a la carga, al tiempo se realiza un proceso de carga del condensador C a travs de R1, el

condensador se carga al voltaje VX, transcurrido un tiempo t1 se en va un impulso VD2 al transformador T2 y este genera la corriente de compuerta para que entre en conduccin D2, haciendo que el condensador se descargue haciendo pasar una corriente de derecha a izquierda por D1, esta corriente se anula con la corriente que va hacia la carga y D1 se apaga. Por efecto de la autoinduccin en las bobinas L1 y L2 entra en conduccin el diodo D3 protegiendo al SCR D1 de la "patada inductiva". Despus de un tiempo t1 se reinicia el proceso, mientras el diodo D1 esta apagado el voltaje VX

es aproximadamente cero, el valor medio de VX es: VXM = (t1/T )V1; Variando t1 y manteniendo T constante VXM puede variar de cero a V1. __

PUENTES RECTIFICADORES CONTROLADOS

PUENTES RECTIFICADORES CONTROLADOS
Son puentes rectificadores de onda completa (monofsicos o polifsicos) donde la mitad de los diodos se reemplazan por SCR. Aplicando unos milisegundos se retardo (tiempo de disparo) entre el instante en que la seal alterna pasa por cero para disparar el SCR.

A mayor tiempo de disparo ser menor el voltaje medio en la carga, para 60 Hz con un tiempo de disparo de 4.16 ms el voltaje habr bajado a la mitad y con td= 8.33 ms el voltaje habr llegado a cero. Puente rectificado trifsico controlado y formas de onda.

2.3

Aplicaciones con semiconductores. 2.3.1 Rectificadores.

Un rectificador es un dispositivo formado por componentes elctricos y electrnicos con la finalidad de proporcionar una energa elctrica continua a partir de una alterna. El cambio de las caractersticas de la energa elctrica se hace a partir de componentes semiconductores que estn conectados conjuntamente en un arreglo que permite seguir cambiando tales caractersticas con la ayuda de otros componentes como los capacitores, los transistores o los diodos zener. Su utilidad reside en el hecho de que la mayora de los circuitos electrnicos actuales necesitan ser alimentados con una corriente elctrica continua y con una tensin mucho menor a la existente en las lneas de corriente alterna. Se les puede encontrar en una inmensidad de aparatos electrodomsticos, de laboratorio, porttiles, etc. A todo el conjunto de componentes y dispositivos que conforman el rectificador se le da el nombre de fuente de alimentacin. Los componentes del rectificador tienen la siguiente funcin:

Transformador: Provee de la energa elctrica necesaria para poder tener un voltaje e intensidad de salida determinada. El voltaje a su salida es mayor que el obtenido a la salida de todo el arreglo, esto sucede por pedidas en los diodos, transduccin de la energa elctrica a calorfica, etc., ha de tomarse en cuenta tambin que comnmente el voltaje que se seala a la salida del transformador es un voltaje pico, de electricidad se sabe que existe un voltaje efectivo y a partir de este se toma en cuenta la cada de voltaje de los diodos y de otros componentes con motivo de obtener el voltaje de salida determinado. Entre otras funciones, el transformador separa el circuito de alimentacin de corriente alterna de todo el arreglo del rectificador y dems circuitos conectados, esto como resultado del eslabn electromagntico existente. Diodo(s): Deja(n) pasar solamente una parte de la onda de corriente alterna. A partir de esta separacin se puede proseguir a verdaderamente rectificar y filtrar la onda a travs del capacitor. Capacitor: Cuando el diodo ha dejado pasar una corriente elctrica, esta llega hasta las terminales del capacitor, lo carga, y este se descarga en un intervalo de tiempo dependiente de la resistencia existente en el circuito y de la capacitancia del capacitor. Si el capacitor no se ha descargado totalmente hasta que nuevamente llegue corriente a sus terminales, este se cargar nuevamente a partir de un determinado valor que puede ser ms o menos el mismo a travs del tiempo, esto se comprende mejor analizando la siguiente figura: descarga

v t

Regulador: Cuando el capacitor ha filtrado la corriente elctrica, se encuentra que esta no es totalmente constante como se quisiera. Por lo tanto, el papel del regulador ser estabilizar esa corriente y proporcionar una con una valor ms o menos constante a travs del tiempo. La estabilizacin sea hace a coste de que el regulador genere ms calor si el voltaje es mayor al requerido.

Rectificador de media onda En este tipo de rectificador slo se utiliza el semiciclo positivo de la onda de corriente alterna. Describe el siguiente arreglo: Fase Neutro

+ -

Como ya se explico anteriormente, cuando la corriente pasa por el diodo slo pasar el semiciclo positivo, el capacitor se cargar, pero existir un intervalo de tiempo considerable entre ciclo y ciclo. Si las condiciones de resistencia y capacitancia no son las adecuadas para obtener un buen filtraje, entonces se encontrar que existe una salida muy rizada o con muchas protuberancias semejantes a los dientes de una sierra. Aunque el regulador tiene el papel de estabilizador, este no podra ser suficiente para rectificar an mas la onda si es que presenta an valores alternos considerables. Generalmente estos rectificadores se caracterizan por la ausencia del regulador, si no existe este, considrese slo lo dicho en un principio.

Rectificador de onda completa Este tipo utiliza cuatro diodos en una configuracin bien determinada (puente de diodos) en la cual pasa el semiciclo positivo por dos de ellos y luego el negativo por los otros dos, al final se obtiene lo siguiente: Fase Neutro

+ -

En este caso los dos semiciclos de la corriente son aprovechados, sucede lo siguiente: C.A. Fase 1

D1 D3

D2 + Puente de diodos D4 C.A. Neutro

Imagnese una alimentacin elctrica constante sobre el puente de diodos, pero inciese este anlisis suponiendo que llega primero el semiciclo positivo de la onda. Cuando esto sucede, slo el diodo dos permite la conduccin, el uno no porque el ctodo se vuelve positivo con respecto a su nodo. La corriente tiene paso y fluye a travs de la resistencia y permite que el capacitor se carge. Luego pasa a travs del diodo tres por tener su ctodo negativo con respecto a su nodo. Pasado el semiciclo positivo se encuentra el negativo, la corriente fluir esta vez por el diodo uno ya que su ctodo se vuelve negativo con respecto a su nodo. La corriente tiene paso y fluye a travs de la resistencia y permite que el capacitor se carge nuevamente. Luego pasa a travs del diodo cuatro por tener el ctodo negativo con respecto al nodo. Por lo tanto se obtendr lo siguiente en la terminal sealada como (+): v t

La ventaja del rectificador de onda completa con respecto al de media onda es el aprovechamiento de toda esta. Adems de una mayor constancia en la alimentacin de corriente sobre el capacitor y con ello una mejor rectificacin, en donde el capacitor se descargar pero ser alimentado ms rpidamente. El regulador tendr a su entrada un voltaje con menos variaciones y su estabilizacin ser mucho mejor que si tuviera muchas como es el caso del rectificador de media onda. A su salida el voltaje es constante con variaciones despreciables.

Clculo del rectificador (fuente de alimentacin) y consideraciones para el diseo Todo dispositivo electrnico que va a ser utilizado en una aplicacin que requiere exactitud debe tener por lo menos un anlisis matemtico de sus caractersticas y propiedades. Es necesario para saber su comportamiento y las capacidades que este posee mientras se encuentra trabajando o cuando se le relacione con otros circuitos. Los rectificadores son los dispositivos que ms se utilizan en combinacin con otros circuitos, cada uno es diferente y se tiene que tener una adaptacin a sus necesidades de alimentacin de energa

elctrica. Unos requieren ms voltaje, menos corriente, etc., por ello las consideraciones para la elaboracin de una fuente seran las siguientes:

Transformador: Ha de considerarse el voltaje y la frecuencia de la acometida del proveedor de energa elctrica. El voltaje comn oscila entre los 110V y los 127V, un cambio en este voltaje no parece que afectar mucho al de la salida del transformador, pero si los componentes no soportan tales cambios, el transformador debe ser ajustado para tener un voltaje de salida menor al que marcan los componentes como mximo permisibles. La frmula para calcular el voltaje e intensidad de salida con respecto a la entrada relaciona el nmero de espiras en el devanado secundario y el primario, como sigue:

(N1 / N2) = (V1 / V2) = (I2 / I1), de donde N es el nmero de espiras en el primario y en el secundario respectivamente, V es el voltaje e I la intensidad. A veces no es necesario contar las vueltas porque el transformador ya viene marcado con los voltajes pertinentes. El voltaje de salida debe ser considerado por que a partir de este se restarn perdidas para obtener un voltaje a la salida pero de toda la fuente.

Diodos: La mayora de los diodos rectificadores restan 0.6V al voltaje que se conecta a una de sus terminales. Otros factores que han de considerarse son: el voltaje que soportan cuando son polarizados inversamente, la corriente de fuga existente, la corriente que pueden conducir, etc. Si un diodo es excedido en sus capacidades seguramente dejar de funcionar muy violentamente, ya sea quemndose o haciendo un pequeo pop. La corriente de fuga es algo considerable por que puede afectar la onda de salida hacindola tener valores de voltaje negativo, lo que puede afectar a cmo se d todo el proceso, pero la mayora de los diodos rectificadores tienen valores de fuga tan pequeos que son despreciables. Capacitor: El uso de capacitores electrolticos involucra una polarizacin determinada de estos, adems de un voltaje mximo soportado. Si este es excedido, seguramente el capacitor dejar de funcionar y explotar muy abruptamente. Un factor importante en la eleccin de capacitores es su capacitancia, ya que de esta (y de la resistencia) depende en qu tiempo se cargar y se descargar el capacitor, entre mayor sea esta y la resistencia el tiempo ser mayor pero se puede afectar la intensidad y el voltaje existente en el circuito. Resistencia: Esta depende a la del circuito a conectar y la propia de la fuente. Puede ser variable y controlable a la vez, pero un factor importante es que se mantenga en un valor lo suficientemente posible como para que la descarga del capacitor sea en un mayor tiempo pero no se sacrifique el voltaje y la intensidad a conste de esto. Regulador: La intensidad que se puede demandar al circuito y la potencia que se necesite est directamente relacionada a las

caractersticas del regulador. Este tambin tiene corriente mxima a soportar y un voltaje por igual, si sus valores son excedidos el regulador se quemar. Cuando se adquiere un regulador se debe especificar el voltaje de entrada con el que trabajar, el necesario en su salida, la potencia soportada y la intensidad mxima a su salida. RECTIFICAR Rectificar es convertir una corriente bidireccional (alterna) en una unidireccional. Un rectificador entregar a la carga una tensin unidireccional pero no continua, con lo cual, contendr armnicos. Lo mismo sucede con las corrientes. Las magnitudes de salida se compondrn de una parte continua positiva y una serie de armnicos. RECTIFICADORES NO CONTROLADOS Los rectificadores no controlados estn formados exclusivamente por diodos. La relacin entre la tensin de C.A. y C.C. es constante. Al no haber semiconductores controlados no hay circuito de mando, por lo que la simplicidad y fiabilidad de estos equipos son muy grandes. No hay problemas de bloqueo. En rgimen estacionario los diodos van entrando y saliendo de conduccin de una forma natural obligados por la fuente de alimentacin. RECTIFICACIN EN CONMUTACIN PARALELA SIMPLE Para rectificar un conjunto de q tensiones alternas e1,e2,...eq lo ms simple es utilizar un conjunto de q diodos, que pueden estar conectados con los ctodos comunes o bien con los nodos comunes.

En la configuracin con los ctodos comunes la tensin de salida toma en cada instante el valor de la mayor tensin de entrada. Supongamos, por ejemplo, que en un determinado momento es e1>ek, con k=2,3...q. Imaginemos que fuera D2 el que condujera. Sera u=e2 y la tensin en D1 seria Ud1=e1-u=el -e2 >O, lo cual es imposible por la incapacidad de los diodos de soportar tensin directa. Necesariamente ha de conducir D1, porque entonces u=e1 y el resto de los diodos estn polarizados inversamente puesto que ek-u=ek-e1 < O.

Conduciendo Dl se verifica que i=id1. En el instante en que otra tensin supera a el se pone a conducir el diodo correspondiente y D1 se bloquea.

En la configuracin con los nodos comunes la tensin de salida toma en cada instante el valor de la menor tensin de entrada. La nica diferencia entre ambas configuraciones es que dan de salida con polaridad distinta. En la prctica es pieza fundamental del rectificador el transformador de entrada, cuyas misiones ms importantes son:

Aislar galvnicamente la salida de C.C. del generador de alterna. Acomodar el valor de la tensin de salida al valor exigido, gracias a una adecuada relacin de transformacin. Mediante una configuracin conveniente contribuir a disminuir el rizado a la salida.

RECTIFICADOR EN CONMUTACIN PARALELA DOBLE PDq. El montaje de onda completa necesita doble nmero de diodos que el anterior, la mitad de los cuales estn con los ctodos comunes y la otra mitad con los nodos comunes.

En cada instante, la tensin de salida es igual a la diferencia entre la tensin ms positiva y la ms negativa de e1,e2...eq. En efecto, segn lo visto antes, la tensin uAN toma el valor de la mayor de las tensiones el ,e2,...eq. Y la tensin uBN toma el valor de la menor de esas mismas tensiones. Como: u=uAN-uBN el valor de la tensin de salida es igual a la diferencia entre la mayor y la menor de las tensiones del secundario. En esta configuracin la intensidad en cada devanado secundario es bidireccional.

ESTUDIO TERICO DEL RECTIFICADOR P3 Dibujamos el transformador con los diodos y la carga de forma simplificada y anotamos las corrientes y cadas de tensin que soporta cada elemento.

Para ver la cada de tensin en el diodo D1, observamos que si el D1 est conduciendo la cada de tensin que soporta es cero, mientras que si conduce D2 la cada de tensin que soporta es (V1-V2). Si conduce D3 la cada de tensin que soporta es (V1-V3). Adems comprobamos que cuando un diodo est conduciendo los dems estn bloqueados: VD2=V2-V<0 VD3=V3-V1<0

Potencia aparente del secundario del transformador en funcion de la potencia util:

Factor de utilizacion o potencia del secundario:

Las grficas de tensin en la carga, cada de tensin en los diodos, intensidad en la carga y corriente por el diodo son las siguientes:

2.3.2

Amplificadores.

Amplificador, dispositivo para aumentar la amplitud, o potencia, de una seal elctrica. Se utiliza para ampliar la seal elctrica dbil captada por la antena de un receptor de radio, la emisin dbil de una clula fotoelctrica, la corriente atenuada de un circuito telefnico de larga distancia, la seal elctrica que representa al sonido en un sistema de megafona y para muchas otras aplicaciones. Un dispositivo de amplificacin de uso muy comn es el transistor. Otras formas de dispositivos amplificadores son los distintos tipos de tubos de vaco termoinicos como el triodo, el pentodo, el klistrn y el magnetrn. Las pequeas variaciones en la tensin de entrada generan variaciones correspondientes, pero mucho mayores, en la tensin de salida. El coeficiente de estos cambios de tensin se denomina factor de amplificacin. Cuando el factor de amplificacin supera una determinada cantidad en un tubo termoinico, la seal de salida deja de coincidir con la seal de entrada y queda distorsionado. Esta situacin se mitiga haciendo funcionar el amplificador por debajo del factor de amplificacin mximo. Cuando se requiere mayor amplificacin de la que es posible en una misma fase de amplificacin (es decir, en un transistor o en un tubo de vaco y sus circuitos asociados) se utiliza un amplificador multigradual o secuencial. La salida de una fase es utilizada como entrada por la siguiente. La amplificacin de los circuitos fotoelctricos puede incrementarse utilizando fototubos altamente sensibles, denominados fotomultiplicadores. Los transistores han sustituido en gran medida los tubos de electrones en los dispositivos ms comunes. Estos elementos semiconductores de estado slido ofrecen un alto factor de amplificacin, funcionan sin distorsin en una amplia banda de frecuencias y pueden ser extremadamente pequeos. Utilizando tcnicas de circuito integrado es posible colocar miles de amplificadores de transistor en pequesimas placas de silicio. La respuesta a los impulsos de un amplificador determina su capacidad de reproducir un pulso de entrada de onda cuadrada (un tipo de seal elctrica regular) de forma rpida y precisa; las entradas de ondas cuadradas son dirigidas hacia un amplificador para su recuento o cronometraje. La respuesta a los impulsos es importante en los circuitos informticos digitales, la modulacin por impulsos codificados y los instrumentos de radar y nucleares, es decir, dondequiera que se procesen pulsos de onda cuadrada de alta frecuencia. Por ejemplo, en un radimetro, la frecuencia con que las partculas de radiacin golpean contra un elemento sensible, como el diodo de unin de un semiconductor, es una medida de la intensidad o de la concentracin de partculas. La emisin de diodo resultante puede ser una serie de impulsos que a continuacin son amplificados y dirigidos hacia un transductor para poder ser vistos. Los amplificadores con caractersticas de bajo nivel de ruido son esenciales para los satlites de comunicaciones. Las seales electromagnticas de microondas (de frecuencia extremadamente alta) son amplificadas por dispositivos mser (amplificacin de microondas por emisin estimulada de

radiacin). En lugar de amplificar corriente elctrica el mser amplifica directamente las seales electromagnticas. Los amplificadores suelen clasificarse por el tipo de elementos elctricos del circuito. Los amplificadores de acoplamiento por inductancia estn conectados sobre todo por bobinas y transformadores; los de acoplamiento por capacitancia mediante condensadores, y los de acoplamiento por impedancia mediante restatos. Los amplificadores de acoplamiento directo estn conectados sin ese tipo de componentes elctricos, y se utilizan para alternar corrientes de muy baja frecuencia, como las que se producen en muchos ordenadores analgicos. Las dems modalidades se emplean para bandas de frecuencias amplias. Los amplificadores de audiofrecuencias funcionan entre 0 y 100.000 ciclos por segundo (hercio), o 100 kilohercios (kHz). Los amplificadores de banda intermedia sirven para las frecuencias entre 400 kHz y 5 millones de Hz, y as sucesivamente.

Amplificacin, distorsin y ruido En una situacin ideal, una seal amplificada tendr la misma forma que la seal original, pero una potencia mayor. La distorsin se produce cuando la seal amplificada deja de tener la misma amplitud que la seal original. El ruido se produce cuando las seales adicionales se superponen a la seal amplificada durante las transmisiones; por ejemplo, durante una tormenta elctrica.

Amplificador triodo Un circuito amplificador triodo consta adems de un triodo, de un restato de carga, bateras y una fuente de tensin variable. El triodo es un tubo de cristal al vaco que contiene un ctodo C, un nodo A y una rejilla de control G. La batera A calienta el filamento que hay en el ctodo, de manera que los electrones pueden moverse libremente. La batera B mantiene una diferencia de potencial entre el ctodo y el nodo, y suministra la energa que los electrones ganan al fluir desde el ctodo hacia el nodo. Este flujo se puede controlar aplicando una tensin negativa a la rejilla con la batera C. Cuanto mayor sea la tensin negativa de la rejilla, menos electrones fluirn desde el ctodo hacia el nodo. Pequeos cambios en la tensin de la rejilla provenientes de una seal de radio o de sonido (fuente S) pueden producir grandes variaciones en el flujo de corriente desde el ctodo al nodo, y dentro del resto del circuito.

Biblioteca de Consulta Microsoft Encarta 2005. 1993-2004 Microsoft Corporation. Reservados todos los derechos. AMPLIFICADORES CON BJT Se puede explicar la accin bsica de amplificacin del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura 2.23. La polaridad de corriente directa no aparece en la figura debido a que nuestro inters se limita a la respuesta en corriente alterna. Para la configuracin de base comn, la resistencia de corriente alterna de entrada determinada por las caractersticas de la figura 2.22 es muy pequea y casi siempre vara entre 10 y 100 . La resistencia de salida, segn se determin en las curvas de la figura 2.18 es muy alta (mientras ms horizontales sean las curvas, mayor ser la resistencia) y suele variar entre 50 k y 1 M . La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unin con polarizacin directa en la entrada (base-emisor) y a la unin con polarizacin inversa en la salida (base-colector). Utilizando un valor comn de 20 para la resistencia de entrada, se encuentra que

Figura 2.22. Caractersticas del punto de entrada o manejo para un amplificador a transistor de silicio de base comn. Ii = Vi / Ri = 200mV / 20 IL = Ii +10 mA VL = ILR = (10 mA)(5 k = 50 V = 10 mA

Figura 2.23. Accin bsica de amplificador de voltaje de la configuracin base comn. AV = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250 Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan entre 50 y 300. La amplificacin de corriente (IC / IE) es siempre menor que 1 para la configuracin de la base comn. La accin bsica de amplificacin se produjo mediante la transferencia de una corriente i desde un circuito de aja resistencia a uno de alta.

Transferencia + Resistor ==> Transitor http://www.cucweb.uqroo.mx/usuarios/computo/rglz/electronica/tem4_6_.htm

Figura 2: amplificador de transistor npn La tensin de una fuente se aplica a la base del transistor. Los pequeos cambios en esta tensin aplicada a travs de R1 (entrada) dan como resultado grandes cambios en la tensin a travs del restato indicado como R2 (salida). Una posible aplicacin de este circuito podra ser la amplificacin de sonidos. En este caso, la entrada sera un micrfono y el restato R 2 sera un altavoz. Los amplificadores de alta fidelidad tienen muchos ms transistores, tanto para aumentar la potencia de salida como para reducir la distorsin que se produce en circuitos sencillos como el que se ve en la ilustracin.

2.3.3

Conmutadores.

BJT COMO CONMUTADOR Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A travs de un diseo adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor en los circuitos lgicos de las computadoras. Observe la figura 2.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic sobre la base o a la terminal de entrada. Tambin obsrvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. La nica fuente de dc est conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la seal aplicada, en este caso 5 V.

Figura 2.24. Transistor inversor. El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin conmute de corte a la saturacin, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 2.52. para estos propsitos se asumir que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0 A (una excelente aproximacin de acuerdo con las mejoras de las tcnicas de fabricacin). Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el diseo debe asegurar que la red est saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva IB, que aparece cerca del nivel de saturacin. El nivel de saturacin para la corriente del colector y para el circuito est definido por: ICsat = Vcc/ Rc http://www.cucweb.uqroo.mx/usuarios/computo/rglz/electronica/tem4_6_.htm

Fuentes de poder. 2.4 Amplificadores operacionales. 2.4.1 Caractersticas.

Las caractersticas ms importantes del amplificador operacional pueden resumirse en: Ganancia de tensin en cc. elevada entre 103 a 106, esta es la relacin entre una variacin en la tensin de salida y la variacin correspondiente en la entrada diferencial de tensin, como esta ganancia es tan elevada, solo se necesita un pequeo diferencial de voltaje entre sus terminales de entrada para obtener el mximo valor en su terminal de salida. Ej. Si la ganancia de

2.3.4

voltaje es de 104 y el voltaje de saturacin, sea voltaje mximo de salida es de 10 voltios, el voltaje diferencial que se necesita entre sus terminales de entrada es de 10/104 = 0.001, como este valor diferencial de voltaje es tan pequeo se puede decir idealmente que sus terminales de entrada estn en corto circuito, denominado tambin corto virtual. Impedancia de entrada elevada, de 10 K a 1000 M, esta impedancia de entrada tan alta hace que la corriente de entrada al amplificador operacional sea prcticamente nula (Ient = 0), por lo tanto para el anlisis de circuitos se considera como un circuito abierto.

Bajo consumo de potencia. Resistencia de salida. Esta se encuentra aproximadamente entre 50 y 200. La resistencia de salida efectiva de un amplificador operacional se reduce cuando se conectan los componentes externos de realimentacin, por lo que se considera que la resistencia de salida total se considera 0. Entradas de modo comn. El amplificador operacional es bsicamente un amplificador diferencial, de modo que idealmente podra amplificar slo la diferencia entre los voltajes que aparecen en la entrada, as que cualquier voltaje que aparezca simultneamente en sus dos entradas sera completamente eliminada y de ninguna manera afectara la seal de salida, pero sin embargo una pequea parte de la seal en modo comn aparecer en la salida. Ej. La entrada no inversora tiene una entrada de 5 V dc, y la entrada inversora tiene una seal de entrada de 5 V dc + 0.5 mV p-p ac. Idealmente el amplificador operacional slo amplificara la diferencia de

0.5 mV ac. e ignorara la seal de modo comn de 5 V dc. que es la seal que aparece en ambos terminales de entrada. La salida tendr una componente que es solamente del orden de una milsima o menos de la seal en modo comn que aparece en sus entradas. El factor exacto de atenuacin de la seal en modo comn se denomina ganancia de modo comn, y es la relacin entre:

Una especificacin ms utilizada para ver la capacidad de un amplificador operacional para ignorar una seal de modo comn es la razn de rechazo en modo comn, abreviada CMRR. Y es la relacin entre:

Ej: Un amplificador operacional con una ganancia diferencial de 50.000, y una ganancia de modo comn de 0.001, la razn de rechazo en modo comn es de:

Esto quiere decir que el amplificador operacional amplifica una seal diferencial 50 millones de veces lo que amplifica una seal en modo comn. Entre mas alto sea el CRM, mejor es el amplificador operacional. Desbalance (offset): El desbalance es el problema que hace que el valor de voltaje de salida no sea cero cuando el voltaje de entrada es cero. En trminos grficos, la curva de transferencia no pasa por el origen. Esto se puede observar en la siguiente figura.

 De colector abierto: Esto implica que al amplificador operacional internamente tiene un transistor bipolar el cual le permite el manejo de una gran diversidad de cargas.

Introduccin, caractersticas.
Un amplificador se pudiera considerar como una caja negra (figura 1), en la cual se tiene un determinado circuito electrnico capaz de actuar sobre la seal de entrada y entregar una salida modificada en amplitud, con la misma forma. Aunque tambin podra presentarse una salida con la misma magnitud que la entrada.

Figura 1. Amplificador (caja negra) Generalmente los amplificadores son circuitos (discretos o integrados) utilizados para realizar una tarea de amplificacin sobre una seal de entrada. Este tipo de amplificadores se les llama operacionales, por que en un principio fueron creados para

construir computadoras analgicas donde realizaban operaciones matemticas (suma, resta, integracin, derivacin, etc.). Los amplificadores operacionales (abreviado AO), son dispositivos electrnicos dispuestos en circuitos integrados (CI). Los AO son amplificadores multietapa (figura 2), con entrada diferencial, es este tipo de entrada la que le da sus caractersticas principales. El aspecto de un amplificador se observa en la figura 3.

Figura 2. Entrada diferencial de un AO

CARACTERISTICAS IDEALES DE UN AO.

A partir de aqu nos basaremos en las caractersticas fsicas y elctricas del AO ms popular, el 741. En la figura 4 se ve un diagrama de lo que se considera un AO ideal, aqu se tiene que un amplificador tiene:

Resistencia de entrada infinita. Resistencia de salida nula. Ganancia de tensin infinita. Respuesta de frecuencia infinita. Insensibilidad a la temperatura.

Sin embargo en forma fsica esto no se cumple y lo veremos mas adelante. En la figura 5 se observa el diagrama de patillas de un AO 741, (contando las patillas desde la marca en sentido antihorario), vemos las entradas del AO marcada como IN y +IN, que son las entradas inversora y no inversora, respectivamente. Algo que es importante

mencionar es que el AO debe alimentarse a partir de una fuente simtrica, el rango de alimentacin lo determina la hoja de caractersticas de cada fabricante.

Figura 5. Esquema de patillas de un AO (741)

A continuacin se describen las caractersticas ms importantes que tiene un AO, los valores dados sern en referencia a un AO comercial, el 741, aunque el numero de AO, sea el mismo, estos valores (reales) pueden variar de fabricante en fabricante, por esto es aconsejable que siempre se acuda a las hojas tcnicas que el fabricante proporciona de cada uno de sus productos.

Ganancia de un AO. El AO, tiene dos ganancias, la ganancia de lazo abierto, AO, y la ganancia de lazo cerrado, Av. La definicin de ganancia de lazo abierto la define la siguiente ecuacin:

(1) donde Eo, es el voltaje de salida, Ei, el voltaje de entrada y Ao, la ganancia de lazo abierto. Esta ganancia es intrnseca en cada operacional y es del orden de 200 x 103. La ganancia de lazo cerrado se expondr ms adelante.

Figura 6. Caractersticas de entrada y salida de un AO.

Tensin de offset de salida.

Debido a que los amplificadores estn integrados por transistores a la entrada, estos no son perfectamente iguales y por lo tanto tienen corrientes de polarizacin (Ib) diferentes ocasionando un voltaje en su entrada, aunque sus entradas, ambas estn a tierra (cero volts), y debido a la alta ganancia del AO, este voltaje (1 mV tpico), se amplifica y refleja en la salida, o sea, ocasionando una tensin de desvo (Voff). Los AO tienen unas entradas para minimizar este voltaje de devio (OFFSET NULL).

Impedancias de entrada (Zi) y de salida (ZO).

Aunque idealmente un operacional tiene una impedancia de entrada (Zi) y una impedancia de salida (Zo) de infinita y cero respectivamente, el AO presenta en forma fsica una impedancia de entrada del orden de 2M y de una impedancia de salida de unos 75 M (figura 6)

Ancho de banda (BW).

Figura 7. Ancho de banda El ancho de banda es la gama de frecuencias en las cuales el amplificador es sensible y puede responder a las seales de entrada (figura 7). El ancho de banda de un AO en lazo abierto es hasta cierto punto insignificante, de unos 10Hz, sin embargo debido a la retroalimentacin negativa de las configuraciones que pueden adoptar los AO, el ancho de banda se ve mejorado en gran manera.

Velocidad de respuesta (Slew Rate, SR)

La rapidez con que un sistema, en este caso un AO, sigue fielmente una seal senoidal aplicada a su entrada y con determinada frecuencia se le conoce como velocidad de respuesta, que es la razn de la taza de cambio del voltaje de salida con relacin al tiempo, es decir

(2) El valor de SR en un AO 741 es de 0.5V/uS. Dependiendo de el valor de SR que se tenga ser la frecuencia con que opere un amplificador si distorsionar la seal a su salida.

Rango de voltaje de entrada

El rango de voltaje de entrada en un AO es de 80% del voltaje de alimentacin, Vcc.

Saturacin

Cuando un AO presenta deformacin de la seal en de salida en su cresta (plana), se dice que el amplificador esta saturado (figura 8), y esto se da cuando el voltaje de salida a rebasado el 90% del valor del voltaje de alimentacin.

Figura 8. Saturacin de un AO

Alimentacin

Alimentacin con fuente simtrica de 15 V, para excursiones de seales positivas y negativas.

2.4.2

Configuraciones.

Amplificadores con retroalimentacin.

Los AO, pueden configurarse en dos modos: con retroalimentacin, o sin retroalimentacin, sin retroalimentacin, la ganancia del AO, es la determinada por el fabricante, y si esquema se muestra en la figura 1. Este tipo de configuracin se ocupa mucho en el diseo de comparadores.

Figura 1. AO en lazo abierto.

La retroalimentacin positiva, es una forma de conectar el AO en lazo cerrado (figura 2), aqu la seal de entrada es aplicada en la entrada no inversora del AO. Este tipo de circuitos son inestables por el tipo de retroalimentacin (positiva), y su aplicacin se ve ms bien en el diseo de osciladores.

Figura 2. AO en lazo cerrado con retroalimentacin positiva

Otra manera de conectar un AO, es con retroalimentacin negativa (figura 3), esta forma de conexin es la ms importante y utilizada en el diseo de circuitos electrnicos con AO, ntese que la seal es conectada al AO por la entrada inversora. En este captulo se vern solo circuitos con este tipo de retroalimentacin.

Figura 3. AO en lazo cerrado con retroalimentacin negativa

La ganancia de un sistema en lazo cerrado y con retroalimentacin negativa como el de la figura 4esta dada por la ecuacin:

(1)

Figura 4. Diagrama a bloques de un sistema de lazo cerrado con retroalimentacin negativa donde

Vi = seal de entrada. Vo =seal de salida. Avo = ganancia en lazo abierto del AO (dada por el fabricante). B = factor de retroalimentacin negativa. Vd = seal diferencial. Vf = seal de retroalimentacin de la entrada.

Analizando la ecuacin (1), vemos que si l ganancia de lazo abierto tiende a infinito, la ganancia de lazo cerrado Avf es

(2) esta ultima expresin demuestra que la ganancia de lazo cerrado puede ser controlada por el factor de retroalimentacin B, donde este factor puede ser constituido desde una sola resistencia hasta un circuito algo ms complejo.

Amplificador inversor.
Esta configuracin de amplificador se le da este nombre porque la seal se desfasa 180 con respecto de la seal de entrada y se representa en la figura 5. Donde la ganancia de voltaje Avf es

(3) el signo negativo indica el desfasamiento de la seal de entrada. La impedancia de entrada del circuito hay que considerarla a la hora de disear cualquier circuito con AO en este tipo d configuracin ya que esta impedancia de entrada es aproximadamente la resistencia Ri, es decir (4) y el factor de retroalimentacin B, esta dado por

(5)

Figura 5. Amplificador Inversor.

Amplificador No inversor.
En el caso de conectar la seal de entrada Vi, en la entrada no inversora (+) del AO, la seal de salida tiene la misma fase que la de la entrada, y a esta configuracin se le conoce por esto como amplificador no inversor.

Figura 6. Amplificador no inversor.

El amplificador no inversor mostrado en la figura 6, tiene una ganancia de voltaje definida por la ecuacin

(6) Y la impedancia de entrada y salida del amplificador son respectivamente (7)

(8) donde Ro es la impedancia caracterstica del AO, y que es dada por el fabricante. Y el factor de retroalimentacin B, es el indicado en la ecuacin (5)

Seguidor de voltaje.

El seguidor de voltaje o buffer, es un caso especial de aplicacin de un AO, como muestra la figura 7, aqu se hace que la resistencia de entrada Ri = (es decir un circuito abierto) y la resistencia de retroalimentacin Rf = 0 (un corto circuito), y por lo tanto la ganancia de voltaje queda determinada por

(9) y esto quiere decir que cualquier seal de entrada tendr un factor de amplificacin igual a la unidad.

Figura 7. Seguidor de tensin. El seguidor de tensin tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida muy baja. Esto redita en que su aplicacin en diversos circuitos no ocasiona efecto de carga. El seguidor de tensin es aplicado en diversas aplicaciones como son: Aislamiento de etapas Refuerzo de corriente Adaptacin de impedancia, etc. Para fines prcticos se recomienda que en algunos casos el seguidor de tensin tenga una resistencia en la entrada para limitar la corriente de carga (figura 8), y para que la ganancia siga siendo la unidad la resistencia Rf es del mismo valor que la de Ri, as seguir comportndose como seguidor de tensin. Es aconsejable que las resistencias sean exactamente del mismo valor para conseguir lo anterior

Figura 8. Seguidor de tensin con limitacin de corriente a la entrada.

Compensacin en frecuencia.

Un AO tiene un ancho de banda (BW) determinado y finito en lazo abierto de aproximadamente 10Hz y de 1MHz (para el 741) en lazo cerrado. La ganancia que presenta un AO en aumento de su ancho de banda, es de atenuacin a un ritmo de 20dB/decada. La pregunta seria a qu se debe esto?. En la figura 1 se aprecia un diagrama de Bode de respuesta frecuencial de un AO. En el se ve el aumento del ancho de banda a cambio de sacrificar la ganancia. En lazo abierto (lnea azul) aunque su ancho de banda es muy limitada alcanza su mxima ganancia, Avo. Y conforme se controla esta ganancia, por efecto de la retroalimentacin negativa, (lazo cerrado), el aumento del ancho de banda se ve favorecido.

Figura 1. Diagrama de Bode de respuesta a la frecuencia de un AO

La respuesta mostrada de un AO en cuanto a la limitacin del su ancho de banda obedece a que internamente el AO posee una red de atraso formado por un capacitor de 30pF, para el 741; este circuito de atraso es un compensador en frecuencia para la

estabilidad del AO, algunos AO tienen la posibilidad de manipular este compensador en forma externa con la instalacin de una red (capacitor resistor), y as conseguir un ajuste del ancho de banda en lazo abierto que sea necesario.

Amplificador suma, diferencia.

Amplificador sumador inversor
Los AO, como su propio nombre lo indica, pueden realizar operaciones de tipo aritmtico. Aqu el primer caso, un circuito sumador. En la figura 1 tenemos un circuito sumador implementado con un AO en configuracin inversor.

Figura 1. Amplificador sumador inversor.

Donde el voltaje a la salida es

(1) y Re, la resistencia equivalente es para balancear las corrientes de polarizacin (IB) del AO, la cual es la suma de todas las Resistencias involucradas en paralelo.

S en el caso de que R1=R2=R3=Rf, el voltaje de salida ser (2)

Y si en el caso de que R1=R2=R3=3Rf se tendr que

(3) A la operacin realizada en este ultimo caso se conoce como media aritmtica de las seales aplicadas.

Amplificador sumador no inversor

Si a un sumador inversor se le cambia la configuracin a no inversor, se tendr un circuito como el de la figura 2, un amplificador sumador no inversor.

Figura 2. Amplificador sumador no inversor. En este circuito el voltaje de salida no se invierte la tensin de salida con respecto a la entrada y su valor de salida la determina la siguiente ecuacin

(4) donde G es la conductancia respectiva de cada resistencia implicada. El primer miembro de la igualdad el la ganancia del AO de lazo cerrado y el segundo es la suma propiamente de las seales implicadas.

Un caso particular de este circuito se tendra si R1=R2=R3 y Rf=0, siendo el voltaje de salida

(5) que seria la media aritmtica de las seales de entrada.

Amplificador diferencial (sustractor)

El amplificador sustractor o diferencial se presenta en la figura 3. La operacin que realiza el AO en este circuito es restar la seal de la entrada inversora de la seal de la entrada no inversora, una simple operacin de resta aritmtica.

Figura 3. Amplificador diferencial El voltaje de salida esta determinado por la ecuacin siguiente:

(6) donde se aprecia que la diferencia (o resta) de los voltajes de entrada se multiplican por un factor de ganancia determinada por R2/R1. Esto quiere decir que una vez efectuada

la operacin de resta, se puede amplificar este resultado una razn determinada por los valores de R1 y R2. Una consideracin importante en este circuito es que las resistencias deben ser iguales con bajas tolerancias par evitar un error en la salida. Adems se recomienda que si los voltajes son iguales se considere el ruido que podra presentarse porque esto influye mucho en la salida, ms si las seales de entrada son de muy bajo valor.

Diferenciador, integrador. Amplificador diferenciador

El circuito diferenciador que muestra la figura 1, esta diseado con un AO y cuenta con un capacitor C en la entrada inversora.

Figura 1. Diferenciador Este circuito realiza la derivada de la funcin de la seal que entra. Su voltaje de salida Vo es

(1) obsrvese que aun sigue siendo una configuracin inversora, por tal motivo su salida esta invertida respecto a la entrada. La ganancia de voltaje depende fuertemente de la frecuencia, en este caso la ganancia de voltaje, Vo, es directamente proporcional a la magnitud de la frecuencia de la seal de entrada, esto es

(2) donde f, es la frecuencia de la seal.

Si aplicamos al diferenciador de la figura 1, una seal triangular con determinada frecuencia, obtenemos a la salida una seal de onda cuadrada, como se ve en la figura 2. Aqu los valores de magnitud de la seal de salida son:

(3) La ecuacin anterior da el valor del voltaje pico de la salida, que es el valor picopico entre un medio del periodo por RC.

El diferenciador de la figura 1, por su dependencia de la frecuencia en cuanto a la ganancia, es muy sensible a cambios de esta (frecuencia), por los tanto llega a tener inestabilidad de ganancia (nofija), sensibilidad a ruidos, se satura muy rpido.

Figura 2. Seales de entrada y salida de un diferenciador

Diferenciador prctico

A continuacion se ver un diferenciador que adquiere mas estabilidad con respecto a la frecuencia al colocar una resistencia Ri, en la entrada del amplificador, en serie con el capacitor C (Figura3).

Figura 3. Diferenciador prctico Aqu la ganancia de voltaje es:

(4) De esta ecuacin se observa que la ganancia se estabiliza en Rf/Ri (modulo) cuando la frecuencia crece indefinidamente. Este diferenciador se comporta como un inversor a altas frecuencias. En la practica no se utilizan frecuencias sin limite, y aqu la frecuencia de trabajo del amplificador donde se comporta como diferenciador (por debajo de esta) se denomina frecuencia limite, fL, y se determina a partir de la frecuencia de corte de la red de retardo del diferenciador (a la entrada) y es

(5) Por arriba de esta frecuencia el diferenciador se comporta como un inversor.

Si f es la frecuencia de la seal aplicada, se resume que si f < fL el circuito acta como diferenciador si f < fL el circuito acta como amplificador inversor de ganancia finita Rf/Ri. En el diseo prctico de un diferenciador para obtener la mayor precisin se debe de considerar lo siguiente

RiC T/10 Rf 10Ri

Amplificador Integrador
El amplificador integrador es un circuito de suma importancia y es muy utilizado en la elaboracin de circuitos electrnicos, esta configuracin, no presenta los inconvenientes del diferenciador. En la figura 4 se presenta el esquema de un amplificador integrador bsico.

Figura 4. Amplificador integrador bsico

En este amplificador el voltaje de salida esta definido por

(6) Si existiera una condicin inicial, es decir que el capacitor presentara una carga inicial, este voltaje se tendra que sumar al resultado de la ecuacin anterior. En la figura 5 se muestra un arreglo para permitir descargar el capacitor antes de efectuar una operacin de integracin.

Figura 5. Integrador con interruptor para descargar el capacitor El resultado de la integracin sobre una seal lo muestra la figura 6, donde la onda cuadrada, esta presente en la entrada del integrador, y su salida es una onda triangular. Los valores de voltaje pico estn dados por:

(7) y la ganancia del circuito es

(8) Observe que la ganancia es inversamente proporcional a la frecuencia, esto da como resultado que el circuito nos sea tan sensible a los ruidos de alta frecuencia. De la ecuacin anterior (8), se ve que a medida que la frecuencia tiende a cero, la ganancia crece desmesuradamente. Para esto a continuacin se presentara un circuito prctico para solventar este inconveniente.

Figura 6. Seales de entrada y salida de un integrador

Amplificador integrador prctico.

Debido a los cambios de ganancia que presenta un integrador con los cambios de frecuencia, sobre todo a muy baja frecuencia se presenta un integrador prctico en la figura 7.

Figura 7. Amplificador integrador prctico

La ganancia de voltaje de este circuito ser

(9) Cuando la frecuencia sea nula, es decir CD, la ganancia se estabilizara a un valor dado por Rf/Ri. Y se prev que para frecuencia altas trabaje como integrador y a bajas frecuencias como inversor con una ganancia de - Rf/Ri. Se define la frecuencia don el amplificador se comporta como integrador y por debajo de esta como inversor como fL, y es dada por

(10) Si f es la frecuencia de la seal aplicada, se resume que si f < fL el circuito acta como amplificador inversor de ganancia finita Rf/Ri. si f < fL el circuito acta como diferenciador En el diseo prctico de un diferenciador para obtener la mayor precisin se debe de considerar lo siguiente

RiC 10T Rf 10Ri

AMPLIFICADORES OPERACIONALES CON REALIMENTACIN NEGATIVA Cuando se utilizan amplificadores operacionales en esta configuracin, lo que se desea es realizar amplificar la ganancia de la seal de entrada de una forma controlada. Existen varias configuraciones de los amplificadores con realimentacin negativa. EL AMPLIFICADOR INVERSOR Se dice que es inversor debido a que la polaridad de salida es opuesta a la polaridad de entrada, en pocas palabras si la seal de entrada es en DC la salida ser tambin una seal amplificada en DC pero de polaridad contraria.

Como la impedancia de entrada del amplificador es muy alta, la corriente I1 no entra a este y es como se observa en la figura anterior. Adems por su alta ganancia de voltaje se puede considerar en corto virtual los dos terminales de amplificador, por lo tanto VL estar a tierra. Del pin negativo, la corriente I1 es:

EL AMPLIFICADOR NO INVERSOR Es no inversor debido a que la polaridad de salida tiene igual polaridad de entrada.

Como la impedancia de entrada del amplificador es muy alta, la corriente I1 no entra a este y es como se observa en la figura anterior. Adems por su alta ganancia de voltaje se puede considerar en corto virtual los dos terminales de amplificador, por lo tanto VL estar V1. Del pin negativo, la corriente I1 es:

AMPLIFICADOR RESTADOR

Del pin positivo Como la impedancia de entrada es muy alta, la corriente I1 es como se observa en la figura, y el voltaje VL se calcula simplemente realizando un divisor de voltaje.

Del pin negativo:

Reemplazando (1) en (2) queda:

AMPLIFICADORES DE INSTRUMENTACIN La estructura del amplificador operacional es la siguiente.

La ultima etapa del amplificador de instrumentacin (AMPOP 3) es un amplificador diferencial o como restador, o sea que la ganancia de esta parte es la siguiente:

Ahora solo falta calcular los voltajes correspondientes a V1 y V2. Para V1: Como se puede observar, el pin negativo del AMPOP 1 est Vb, y nos queda la siguiente configuracin para el AMPOP 2.

Para V2: En este caso el pin negativo del AMPOP 2 se encuentra referenciado a Va, lo cual produce la siguiente configuracin para el AMPOP 1.

De la ecuacin del restador sabemos que:

por lo tanto,

Se asume generalmente que R2 = R1 entonces

CONVERSOR VOLTAJE CORRIENTE Es necesario en instrumentacin industrial entregar una corriente que es proporcional a un cierto voltaje, aun cuando la resistencia de carga pueda variar.

La configuracin mas sencilla para desarrollar un fuente de corriente constante es un amplificador operacional en configuracin no inversora, como se observa en la figura. En este caso el voltaje de entrada V1 es el voltaje que se aplica a la resistencia R, por lo tanto la corriente de carga de IL es:

Observe que el voltaje de salida depende de la resistencia de carga, y como este no puede sobrepasar del voltaje de saturacin, este limita la mxima resistencia de carga que el circuito puede soportar. Por ejemplo, si el voltaje de saturacin Vout = 12 voltios, R = 250, y V1 cambia en un rango de 1 a 5 voltios, el rango de valores de RL segn la ecuacin anterior es:

Por lo tanto para que el circuito funcione adecuadamente, la resistencia mxima de carga RL debe ser menor a 350. Nota: La resistencia de carga no queda referenciada a la tierra del sistema. CONVERSOR VOLTAJE CORRIENTE REFERENCIADO A TIERRA

Del pin negativo:

Del pin positivo

Si reemplazamos (1) en (2) se obtiene

Si se desea implementar una fuente de corriente de 4 20ma, se logra haciendo que la diferencia de voltaje (V1-V2) est en un rango de 1 5v y las resistencias R de 250.

Observe que la ecuacin anterior depende nicamente de las fuentes y de las resistencias fijas del circuito, por lo tanto idealmente se podra aumentar la resistencia de carga hasta al infinito, pero en realidad existe una restriccin, y es que el voltaje de salida (Vout) no puede superar el voltaje de saturacin del amplificador operacional, por lo tanto partiendo de la ecuacin del voltaje de salida podemos encontrar los valores lmites de la resistencia de carga RL que puede manejar el circuito.

Por ejemplo, si el voltaje de saturacin Vout = 12 voltios, R = 250, V2 = 1 voltio y V1 cambia en un rango de 0 a 4 voltios, el rango de valores de RL segn la ecuacin anterior es:

Por lo tanto para que el circuito funcione adecuadamente, la resistencia mxima de carga RL debe ser menor a 275.

Configuraciones del Amplificador operacional. a. Lazo Abierto. A= 10^6, est dada por el fabricante. Se usa principalmente en la implementacin de comparadores.

b. Lazo cerrado con realimentacin positiva.

A = 1 + R2/r1. Se usa en la implementacin de osciladores.

c. Lazo cerrado con realimentacin negativa.

A = -R2/R1. Se usa para hacer inversiones de una seal.

Unidad 3. Electrnica digital.

3.6 Sistemas numricos.
Los sistemas de numeracin son conjuntos de dgitos usados para representar cantidades, as se tienen los sistemas de numeracin decimal, binario, octal, hexadecimal, romano, etc. Los cuatro primeros se caracterizan por tener una base (nmero de dgitos diferentes: diez, dos, ocho, dieciseis respectivamente) mientras que el sistema romano no posee base y resulta ms complicado su manejo tanto con nmeros, as como en las operaciones bsicas. Los sistemas de numeracin que poseen una base tienen la caracterstica de cumplir con la notacin posicional, es decir, la posicin de cada nmero le da un valor o peso, as el primer dgito de derecha a izquierda despus del punto decimal, tiene un valor igual a b veces el valor del dgito, y as el dgito tiene en la posicin n un valor igual a: (bn) * A donde: b = valor de la base del sistema

n = nmero del dgito o posicin del mismo A = dgito. Por ejemplo: digitos: 1 2 4 9 5 3 . 3 2 4 posicion 5 4 3 2 1 0 . -1 -2 -3 El sistema numrico decimal El sistema de numeracin decimal es el ms usado, tiene como base el nmero 10, o sea que posee 10 dgitos (o simbolos) diferentes (0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9). El sistema de numeracin decimal fu desarrollado por los hindes, posteriormente lo introducen los rabes en Europa, donde recibe el nombre de sistema de numeracin decimal o arbigo. Si se aplica la notacin posicional al sistema de numeracin decimal entonces el dgito nmero n tiene el valor: (10n)* A Sistema Binario El sistema de numeracin ms simple que usa la notacin posicional es el sistema de numeracin binario. Este sistema, como su nombre lo indica, usa solamente dos dgitos (0,1). Por su simplicidad y por poseer nicamente dos dgitos diferentes, el sistema de numeracin binario se usa en computacin para el manejo de datos e informacin. Normalmente al dgito cero se le asocia con cero voltios, apagado, desenergizado, inhibido (de la computadora) y el dgito 1 se asocia con +5, +12 volts, encendido, energizado (de la computadora) con el cual se forma la lgica positiva. Si la asociacin es inversa, o sea el nmero cero se asocia con +5 volts o encendido y al nmero 1 se asocia con cero volts o apagado, entonces se genera la lgica negativa. A la representacin de un dgito binario se le llama bit (de la contraccin binary digit) y al conjunto de 8 bits se le llama byte, as por ejemplo: 110 contiene 3 bits, 1001 contiene 4 y 1 contiene 1 bit. Como el sistema binario usa la notacin posicional entonces el valor de cada dgito depende de la posicin que tiene en el nmero, as por ejemplo el nmero 110101b es: 1*(20) + 0*(21) + 1*(22) + 0*(23) + 1*(24) + 1*(25) = 1 + 4 + 16 + 32 = 53d La computadora est diseada sobre la base de numeracin binaria (base 2). Por eso este caso particular merece mencin aparte. Siguiendo las reglas generales para cualquier base expuestas antes, tendremos que: Existen dos dgitos (0 o 1) en cada posicin del nmero. Numerando de derecha a izquierda los dgitos de un nmero, empezando por cero, el valor decimal de la posicin es 2n. Por ejemplo,11012 (en base 2) quiere decir:

1*(23) + 1*(22) + 0*(21) + 1*(20) = 8 + 4 + 0 + 1 = 1310

Sistema Octal El sistema de numeracin octal es tambin muy usado en la computacin por tener una base que es potencia exacta de 2 o de la numeracin binaria. Esta caracterstica hace que la conversin a binario o viceversa sea bastante simple. El sistema octal usa 8 dgitos (0,1,2,3,4,5,6,7) y tienen el mismo valor que en el sistema de numeracin decimal. Como el sistema de numeracin octal usa la notacin posicional entonces para el nmero 3452.32q tenemos: 2*(80) + 5*(81) + 4*(82) + 3*(83) + 3*(8-1) + 2*(8-2) = 2 + 40 + 4*64 + 64 + 3*512 + 3*0.125 + 2*0.015625 = 2 + 40 + 256 + 1536 + 0.375 + 0.03125 = 1834 + 40625dentonces, 3452.32q = 1834.40625d El subindice q indica nmero octal, se usa la letra q para evitar confusin entre la letra o y el nmero 0. Sistema Hexadecimal Un gran problema con el sistema binario es la verbosidad. Para representar el valor 20210 se requieren ocho dgitos binarios, la versin decimal slo requiere de tres dgitos y por lo tanto los nmeros se representan en forma mucho ms compacta con respecto al sistema numrico binario. Desafortunadamente las computadoras trabajan en sistema binario y aunque es posible hacer la conversin entre decimal y binario, ya vimos que no es precisamente una tarea cmoda. El sistema de numeracin hexadecimal, o sea de base 16, resuelve este problema (es comn abreviar hexadecimal como hex aunque hex significa base seis y no base dieciseis). El sistema hexadecimal es compacto y nos proporciona un mecanismo sencillo de conversin hacia el formato binario, debido a sto, la mayora del equipo de cmputo actual utiliza el sistema numrico hexadecimal. Como la base del sistema hexadecimal es 16, cada dgito a la izquierda del punto hexadecimal representa tantas veces un valor sucesivo potencia de 16, por ejemplo, el nmero 123416 es igual a: 1*163 + 2*162 + 3*161 + 4*160 lo que da como resultado: 4096 + 512 + 48 + 4 = 466010 Cada dgito hexadecimal puede representar uno de dieciseis valores entre 0 y 1510. Como slo tenemos diez dgitos decimales, necesitamos inventar seis dgitos adicionales para representar los valores entre 1010 y 1510. En lugar de crear nuevos simbolos para estos dgitos, utilizamos las letras A a la F. La conversin entre hexadecimal y binario es sencilla, considere la siguiente tabla: Binario 0000 0001 Hexadecimal 0 1

0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111

2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F

Esta tabla contiene toda la informacin necesaria para convertir de binario a hexadecimal y visceversa. Para convertir un nmero hexadecimal en binario, simplemente sustituya los correspondientes cuatro bits para cada dgito hexadecimal, por ejemplo, para convertir 0ABCDh en un valor binario: 0 A B C D (Hexadecimal) 0000 1010 1011 1100 1101 (Binario) Por comodidad, todos los valores numricos los empezaremos con un dgito decimal; los valores hexadecimales terminan con la letra h y los valores binarios terminan con la letra b. La conversin de formato binario a hexadecimal es casi igual de fcil, en primer lugar necesitamos asegurar que la cantidad de dgitos en el valor binario es mltiplo de 4, en caso contrario agregaremos ceros a la izquierda del valor, por ejemplo el nmero binario 1011001010, la primera etapa es agregarle dos ceros a la izquierda para que contenga doce ceros: 001011001010. La siguiente etapa es separar el valor binario en grupos de cuatro bits, as: 0010 1100 1010. Finalmente buscamos en la tabla de arriba los correspondientes valores hexadecimales dando como resultado, 2CA, y siguiendo la convencin establecida: 02CAh.

3.6.1Representacin y conversiones entre diferentes bases.

Decimal a binario, Octal, Hexadecimal
Cuando deseamos efectuar la conversin de decimal a binario o ha cualquier otro sistema con base r es ms conveniente si el nmero se separa en parte entera y en una parte fraccionaria, y la conversin de cada parte se efecta por separado : Ejemplo : Convertir el numero (41)10 a binario 41 1 LSB 20 0

21 22 23 24 (41)10 = (101001)2

10 5 2 1

0 1 0 1

MSB

Para convertir cualquier entero decimal ha cualquier sistema de base r la divisin se hace entre r en lugar de 2. Ejemplo : Convertir el numero (153)10 a base 8 153 154 155 1 LSB 19 3 2 2 MSB

(153)10=(231)8 Para convertir una fraccin decimal a binario, el sistema que se sigue es similar al que utilizamos para los enteros, sin embargo, se usa la multiplicacin en lugar de la divisin, y los enteros se acumulan en lugar de los residuos. Ejemplo : convertir (0.6875)10 a base 2 Entero 0.6875 0.3750 0.75 0.5 Fraccin *2 1 0.3750 (a-1) *2 0 0.75 *2 1 0.5 *2 1 0.0 (a-2) (a-3) (a-4) Coeficiente = 1 = 0 = 1 = 1

(0.6875)10=(0.1011)2 Cuando deseamos convertir una fraccin decimal en nmero expresado en base r, el procedimiento es similar, la multiplicacin se hace con r en lugar de 2 y los coeficientes se encuentran con los enteros. Ejemplo : convertir (0.513)10 a base 8 Entero 0.513 0.104 0.832 * * * 8 8 8 Fraccin 4 0 6 0.104 0.832 0.656 a-1 a-2 a-3 Coeficiente = = = 4 0 6

0.656 0.248 0.984

* * * 8 7 0.872 a-6

8 8 = 7

5 1

0.248 0.984

a-4 a-5

= =

5 1

Cuando deseamos hacer la conversin de un nmero decimal de una parte entera y una parte fraccionaria la conversin se hace por separado y posteriormente se combinan las dos respuestas. Ejemplo : (41.6875)10 -> (101001.1011)2

Binario a Decimal, Octal, Hexadecimal.

Un nmero binario x puede convertirse en decimal efectuando la suma de las potencias cuyo valor es uno. Ejemplo : (1010.011)2 = 1*23+0*22+1*21+0*20+0*2-1+1*2-2+1*2-3 = 8+0+2+0+0+0.25+0.125 = 10.375 Las conversiones entre cdigo binario, octal y hexadecimal es muy importante en las comparaciones digitales, ya que cada dgito octal corresponde a tres dgitos binarios y a cada dgito hexadecimal corresponde cuatro dgitos binarios. (10110001101011.111100000110)2 -> (26153.7406)8 Cuando deseamos convertir un nmero binario a hexadecimal, el proceso es similar excepto que el nmero binario se divide en grupos de 4. (10110001101011.11110010)2 -> (2C6B.F2)16 Los nmeros binarios son difciles de manejar ya que se requiere dos o cuatro veces mas dgitos que su equivalente decimal. Ejemplo : (111111111111)2 -> (4095)10 Una forma de reducir esta deficiencia es emplear la relacin entre el sistema de nmeros binarios con el sistema octal o hexadecimal. El nmero binario (111111111111)2 tiene 12 dgitos y los podemos expresar en octal (7777) 8 (cuatro dgitos) o en hexadecimal como (FFF) 16 (tres dgitos), la representacin octal o hexadecimal es mas deseable ya que se representa en forma mas compacta, como un tercio o un cuarto del nmero de dgitos requeridos por el nmero binario equivalente.

3.6.2Operaciones bsicas
OPERACIONES: SUMA BINARIA 1001......(9) +011......(3) 1100 .....(12) 1011 .......(11) + 111 ......(7) 10010......(18) RESTA BINARIA 1001......(9) - 101......(5) 0100......(4) 1000 ...(8) - 111...(7) 0001...(1)

MULTIPLICACIN BINARIA. 0100......(4) *0010....(2) 1000......(8) 0011......(3)---------------Multiplicando *0010....(2)---------------Multiplicador 0110.....(6)---------------Resultado 1001......(9)...............Multiplicando *1011....(11) ............Multiplicador 1001 1001 0000 1001 1100011..............(99)..........Resultado DIVISIN BINARIA: 9/3 =3 1001 / 11 = 0011
Nota: es recomendable hacer la divisin en decimal y luego pasarlo a binario

productos parciales

SUMA HEXADECIMAL. Se hace de manera directa: 58 + 24 = 7C

58 + 4B = A3

Complementos. Este tipo de operacin se utilizan en las computadoras digitales para simplificar la operacin de sustraccin y para manipulaciones lgicas. Existen 2 tipos de complementos : a) El complemento de r. b) El complemento de r-1. a)El complemento de r. El complemento de r de un nmero positivo N en base r con una parte entera de n dgitos, ser definido como el complemento de r a n y se define como rn-N; Obtener el complemento de 10 de (52520)10 105-52520=47480 Obtener el complemento de 10 de (0.3267)10 100-0.3267=0.6733 Obtener el complemento de 10 de (25.639)10 102-25.639=74.361 Ejemplo : Obtener el complemento de 2 de (101100)2 26-(101100)2 = (100000)2-(101100)2=(0.1010)2 Por lo tanto tendremos que el complemento de 10 de un nmero decimal se puede formar dejando todos los ceros significativos sin cambios se resta el primer dgito del cero menos significativo de 10 y, entonces se restan todos los pocos dgitos menos significativos menores de 9. El complemento de 2 puede formarse dejando todos los ceros menos significativos y el primer dgito diferente de 0 sin cambio, entonces se reemplazan los 1 por 0 y los 0 por 1 en los otros dgitos mas significativos. b)Complemento de r-1.

Para un nmero positivo N en base r con una parte entera de n dgitos y una parte fraccionaria de n dgitos y una parte fraccionaria de m dgitos, el complemento de r-1 de m se define como rn-r-m-N. Ejemplos : Obtener el complemento de 9 de (52520)10 105-100-52520=47479 Obtener el complemento de 9 de (0.3267)10 100-10-4-0.3267=0.6732 Obtener el complemento de 9 de (25.639)10 102-10-3-25.639=74.36 Obtener el complemento de 1 de (101100)2 26-20-101100=10011 Obtener el complemento de 1 de (0.0110)2 20-2-4-0.0110= Por lo tanto deducimos que : El complemento de 9 de un nmero decimal se forma simplemente al restar cada dgito de 9. Y el complemento de 1 de un nmero binario es mas simple, ya que solo consiste en cambiar los 1 por 0 y los 0 por 1. Puesto que el complemento de r-1 es fcil de obtener, algunas veces es conveniente usarlo cuando se desea el complemento de r. Sustraccin con complemento de r. La sustraccin de 2 nmeros positivos (M-N), ambos en base r, puede hacerse como sigue : 1.- Agrguese el minuendo m al complemento de r del sustraendo n. 2.- Verifique el resultado que se obtuvo en el paso 1 para el caso que exista un acarreo final. a) Si existe un acarreo final, descrtese. b) Si no existe un acarreo final, tmese el complemento de r de nmero que se obtuvo en el paso 1 y colquese un signo negativo en frente. Ejemplo :

Utilizando el complemento 10 reste 72532-03250 complemento 10 de 03250=96750 72532-96750=69282 como no existe acarreo final se utiliza el paso b). complemento 10 de 69282=27468 03250-27468=30718 complemento 10 de 30718=69282 resultado -69282 Utilizando el complemento 2 realice M-N con los nmeros binarios dados. M=1010100 N=1000100 complemento de N = 0111100 0111100 1010100 ----------1 0010000 1011 1110 -----0101 1011 0001 -----1100 Resultado = -0011 Sustraccin con complemento (r-1). El procedimiento para esta operacin es exactamente el mismo que para el complemento a r excepto por una variacin llamada acarreo final. Para la resta de M-N en base r puede calcularse tomando en cuenta los siguientes puntos : 1.- Agrguese el minuendo M al complemento de (r-1) del sustraendo N. 2.- Verifique el resultado que se obtuvo en el paso 1 para un acarreo final.

a) Si ocurre un acarreo final agrguese uno al dgito menos significativo (acarreo final desplazado). b) Si no ocurre un acarreo final tmese el complemento de (r-1) del nmero obtenido en le paso 1 y colquese al frente un signo negativo. Ejemplo : Realice el complemento de r-1 de M-N, M=72532 y N=03250 complemento 9 de N = 96749 72532 96749 -------1 69281 como existe un acarreo final se realiza el paso a) 69281+1=69282 Realice el complemento de r-1 de M-N, N=03250 y M=72532 complemento 9 de N = 72532 03250 27467 --------30717 como no existe acarreo final se realiza el paso b) complemento 9 de 30717=69282 Resultado -69282 Ejemplo : Obtener M-N para los siguiente valores, M=1010100 y N=1000100 complemento 1 de 1000100 = 0111011 1010100 0111011 ----------1 0001111

como existe un acarreo final se realiza el paso a) 0001111 1 ---------0010000 REPRESENTACION DE NUMEROS NEGATIVOS
Para representar los nmeros con signo dentro de un sistema digital; por lo regular se utiliza la magnitud del nmero y su signo. Esto se lleva a cabo agragando otro bit, al nmero denominado bit del signo. En general un cero en el bit del signo representa un nmero positivo y un uno un negativo. Esto se puede observar en la siguiente figura:

Para los nmeros negativos existen tres formas para representar la magnitud:

MAGNITUD VERDADERA COMPLEMENTO A 1 COMPLEMENTO A 2

Solamente se va a tratar a los dos ltimos puntos . COMPLEMENTO A 1 El complemento a 1 se obtiene cambiando cada cero del nmero por "1" y cada uno en "0". Ejemplo: El complemento a 1 del nmero binario 1 0 1 1 0 1 es :

010010 Al representar nmeros negativos en forma de complemento a 1, el bit del signo se convierte en 1 y la magnitud se transforma de forma binaria verdadera en su complemento 1. Ejemplo: -57 = 1 1 1 1 0 0 1....................original 1 0 0 0 1 1 0.....................complemento a 1 El primer nmero indica el bit del signo. COMPLEMENTO A 2. El complemento a 2 se forma tomando el complemento a 1 del nmero y sumando "1" a la posicin del LSB. Ejemplo: Convertir 1 1 1 0 0 1(57 decimal) en su forma de complemento a 2: 111001 0 0 0 1 1 0..............complemento a 1 +1................suma "1" al LSB 000111 -57 se escribe : 1 0 0 0 1 1 1 en su representacin de complemento a 2

SUMA Y RESTA EN COMPLEMENTO A 2

Los mtodos de complemento a 1 y complemento a 2 son parecidos solo que el ms utilizado es el de complemento a 2 debido a su gran utilidad. SUMA EN COMPLEMENTO A DOS Para la suma de complemento a 2 existen 5 tipos de suma en la cualhay que observar, que el bit del signo de cada nmero se utiliza de igual manera que la magnitud.Existen diferentes tipos de suma:

2 NUMEROS POSITIVOS. Este tipo de suma se hace de manera directa: +9...........01001

+4...........00101 13...........01101

...... el primer dgito es el bit del signo

NUMERO POSITIVO Y NUMERO NEGATIVO MENOR Como ejemplo se hara la adicin de +9 -4 (-4 est en complemento a 2) +9---------0 1001 (consumando) -4---------1 1100 (sumando)

5-------- 1 0 0101 (resultado) despreciable as que el resultado es : 00101

aparece otro 1(azul) que es un acarreo pero

NUMERO POSITIVO Y NUMERO NEGATIVO MAYOR Como ejemplo se hace la suma de -9+4: -9-----------10111 +4----------00100 -5................11011

DOS NUMEROS NEGATIVOS -9---------10111 -4---------11100 -13-------110011

El primer "1" es el del acarreo, pero se desprecia, el segundo "1" es del signo del bit. Por lo que el resultado queda de la siguiente manera: 1 0 0 1 1 RESTA EN COMPLEMENTO A DOS la resta depende de la suma del complemento a dos y no difiere de los casos vistos anteriormente . Para restar un nmero binario (el sustraendo) de otro nmero binario (minuendo), se siguen los siguientes pasos: I. Se toma el complemento 2 del sustraendo, incluyendo el bit del signo. si el sustraendo es positivo se transforma en negativo en forma de complemento a dos. Si el sustraendo es negativo hace lo contrario, en ambos casoso solo se cambia el signo del sustraendo.

II. III.

El siguiente paso es sumar el resultado del paso anterior al minuendo. Este resultado de la resta es la diferencia.El bit del signo de esta diferencia determina si es + -. Hay que tomar en cuenta que los dos nmeros tienen el mismo nmero de bits.

Ejemplo: restar 9-4 minuendo(+9)----------01001 sustraendo(+4)---------00100 Se cambia el sustraendo a complemento a 2: 11100, esto es igual a:-4 (+9).....01001 (-4)......11100 (+5)....100101 el "1" que aparece se desprecia y el resultado es : 00101

3.6.3Algoritmos de booth.
Algoritmo de Booth El algoritmo de Booth est basado en una representacin digital denominada Signed Digit (SD). Para nmeros en base 2, la representacin SD de un dgito tiene 3 posibles valores (0, 1 y -1), por lo que existe una redundancia (los nmeros se pueden representar de varias formas). Por ejemplo, el valor -9 (10111), se puede representar de las siguientes formas con SD de 5 bits: De todas estas representaciones, existe una con el menor nmero de valores distintos de 0 (forma cannica). El algoritmo de Booth es una aproximacin ms elegante para multiplicar nmeros signados. Comienza haciendo la observacin de que con la posibilidad de sumar y restar hay mltiples formas de calcular un producto. Suponer que queremos multiplicar:

Booth observo que una ALU que pudiera sumar o restar poda obtener el mismo resultado de ms de una manera. Por ejemplo, como podemos sustituir una cadena de

"unos" del multiplicador por una resta inicial cuando veamos primero un uno y ms tarde sumamos el bit despus del ltimo uno. Por ejemplo:

La clave de la idea de Booth, esta en sus grupos de clasificacin de bits al comienzo, en medio o al final de una ejecucin de unos. Por supuesto, una cadena de ceros evita ya aritmtica, as que podemos dejar estos slos. El algoritmo en s tiene dos pasos: 1- Dependiendo de los bits actuales y anteriores hacer : 00 01 10 11 Ninguna operacin aritmtica. Suma el multiplicando a la mitad izquierda del producto. Resta el multiplicando de la mitad izquierda del producto. Ninguna operacin aritmtica.

2- Desplaza el producto a la derecha. Si se adapta este algoritmo al circuito de sumas y restas sucesivas, hay que introducir la correccin A*2n cuando Bn-1=1, es decir, para multiplicandos negativos. Por tanto, eliminando el ultimo paso del algoritmo de sumas y restas, se obtiene un algoritmo adecuado para trabajar en complemento a dos. Adaptacin al circuito de la figura 2: Inicializar: A<-0 , el contador de fases I<-N, el multiplicardor B<-Multiplicador, y el multiplicando MQ<-Multiplicando Comparar el bit MQ0 con el MQ-1. Si es principio de cadena de "unos", restar A<-A-B Si es final de cadena de "unos" (esto es, es el primer 0 despus de uno o varios 1), sumar A<-A+B Decrementar: I<-I-1 Desplazar aritmticamente a la derecha el conjunto concatenado A||MQ0||MQ-1. Observar el contador I. Si es menor que 0, volver al segundo paso. Si es igual a 0, terminar.

3.6.4Algoritmos de divisin. 3.7 lgebra booleana. 3.7.1Teoremas y postulados.

Para utilizar el anlisis de los circuitos lgicos y tambien para expresar su operacin matemtica se utilizan diferentes teoremas booleanos que nos permiten simplificar las expresiones y los circuitos lgicos. Existe un primer grupo de teoremas ( compuesta por 8 teoremas), de una sola variable en donde x puede ser un "0" "1".Estos teoremas no necesitan de mucha explicacin debido a su simplicidad para entenderlos; tales teoremas son: 1. x * 0 = 0 2. x * 1 = x 3. x * x = x 4. x * x' = 0 5. x + 0 = x 6. x + 1 = 1 7. x + x = x 8. x + x' = 1

A continuacin se presentan otros teoremas en los cuales implican ya no solo una variable sino mltiples: 9. x * y= y * x 10. x+y = y +x 11. x + (y+z) = (x+y) +z 12. x(yz) = (xy)z = xyz 13. [x(y+z) = xy + xz]..........[(w+x)(y+z) = wy + xy + wz + xz ] 14. x + xy = x 15. x + x'y = x + y Los teoremas 9 y 10 son leyes conmutativas, osea que el orden con que se opere una compuerta OR AND no afecta el resultado. Los teoremas 11 y 12 son las leyes asociativas, quiere decir que se puede agrupar variables en una OR AND como se quiera. Las dos reglas del teorema 13 son el de las leyes distributivas. Teoremas de Demorgan. Los teoremas de morgan son de gran utilidad para la simplificacin de funciones en las cuales se invierte un producto suma de variables: 16. ( x + y) = x' * y' 17. (x* y) = x' + y' El teorema 16 dice que al invertir la suma OR de dos variables, esta inversin es la misma de la de cada variable en forma individual pero con la operacin AND. En el teorema 17 al invertir el producto de dos variable, es lo mismo que invertir cada variable operadas con OR.

Definicin de lgebra de Boole. Postulados.

Se define como lgebra de Boole a un sistema matemtico con un conjunto de elementos B y dos operaciones binarias cerradas () y (+) siempre y cuando se cumplan los siguientes postulados: P1.- las operaciones tienen la propiedad conmutativa. a+b = b+a ab = ba P2.- las operaciones son distributivas entre s a(b+c) = ab + ac a+(bc) = (a+b)(a+c) P3.- las operaciones tienen elementos identidad diferentes dentro de B. Estos elementos son definidos como 0 para (+) y 1 para ().

a+0 = a a1 = a P4.- para cada elemento, a, del conjunto B, existe otro elemento denominado complemento, a tambin del conjunto B, tal que se cumple: a+a = 1 aa = 0 Como podemos ver, en cualquier lgebra booleana se cumple el principio de dualidad: Cualquier teorema o identidad algebraica deducible de los postulados anteriores puede transformarse en un segundo teorema o identidad vlida sin mas que intercambiar las operaciones binarias y los elementos identidad. Como en cualquier lgebra, podemos disponer de constantes y de variables. As, una constante se define como cualquier elemento del conjunto B. Mientras que una variable es un smbolo que representa un elemento arbitrario del lgebra, ya sea una constante o una frmula algebraica completa.

Teoremas del lgebra de Boole.

En cualquier lgebra de Boole se pueden demostrar los siguientes teoremas: Teorema 2.1.- El elemento a del 4 postulado (denominado complemento o negacin de a) est unvocamente determinado, es decir, es nico. Demostracin.- Supongamos que existen dos complementos de a: a1 y a2. a2 = a21 = a2(a+ a1) = a2a + a2a1 = aa1 + a2a1 = (a + a2)a1 = a1 Teorema 2.2.- (o Teorema de elementos nulos) Para cada cualquier elemento a, se verifica a+1 = 1 y a0 = 0 Demostracin.a+1 = 1(a+1) = (a+a)(a+1) = a + a1 = a + a = 1 a0 = a0+0 = a0 + aa = a(a+0) = aa = 0 Teorema 2.3.- Cada uno de los elementos identidad es el complemento del otro, es decir, 1 = 0 y 0 = 1 Demostracin.- Si fuese cierto, deberan cumplir el cuarto postulado del lgebra: 1 = 0 + 0 0 = 0 0 Por ser nico l complemento: 0 = 1 1 = 1 + 1 0 = 1 1 Por ser nico el complemento: 1 = 0 Teorema 2.4.- (o Teorema de idempotencia) Para cada elemento a, se verifica: a+a=a aa=a Demostracin.-

a + a = a + a 1 = a + a (a + a) = a + a a + a a = a (1 + a) = a 1 = a a a = a a + 0 = a a + a a = a(a + a) = a1 = a Teorema 2.5.- (o Teorema de involucin) Para cada elemento de a, se verifica que el complemento del complemento de a es a, es decir, (a) = a Demostracin.a + (a) = 1 = a + a = a + a > a = (a) a (a) = 0 = a a = a a > a = (a) Teorema 2.6.- (o Teorema de absorcin) Para cada par de elementos, a y b, se verifica: a+ab=a a (a + b) = a Demostracin.a + a b = a 1 + a b = a (1 + b) = a 1 = a a(a + b) = (a + 0) (a + b) = a + 0 b = a Teorema 2.7.- Para cada par de elementos, a y b, se verifica: a + a b = a + b a (a + b) = a b Demostracin.a + a b = (a + a)(a + b) = 1(a + b) = a + b a (a + b) = a a + a b = a b Teorema 2.8.- (o Leyes de DeMorgan) Para cada par de elementos, a y b, se verifica (a + b) = a b (a b) = a + b Demostracin.- Se comprobar si se satisface el cuarto postulado a + b + (a + b) = a + b + a b = a + a b + b + b a = = a + b + b + a = a + a + b + b = 1 + 1 = 1 (a + b) (a b) = a a b + b b a = b 0 + 0 a = 0 + 0 = 0 a b + (a b) = a b + a + b = a b + a + a b + b = = a + a + b + b = 1 + 1 = 1 a b (a + b) = a a b + a b b = 0 b + a 0 = 0 + 0 = 0 Teorema 2.9.- (o Leyes de DeMorgan generalizadas) Para cualquier conjunto de elementos se verifica: (X0 + X1 + + Xn) = X0 X1 Xn (X0 X1 Xn) = X0 + X1 + + Xn Teorema 2.10.- (o Teorema de asociatividad) Cada uno de los operadores binarios (+) y () cumple la propiedad asociativa, es decir, para cada tres elementos, a, b y c, se verifica (a + b) + c = a + (b + c) (a b) c = a (b c)

3.7.2Miniterminos y maxiterminos.
MAXITERMINOS Y MINITERMINOS.

Uno de los mtodos para simplificar funciones son en forma de minitrminos y maxitrminos. Por lo regular los minitrminos son relacionados con compuertas AND en forma de productos, y los mxiterminos en forma de suma (OR) .A continuacin se muestra una tabla de minitrminos y mxitrminos para tres variables: MINITERMINOS xyz 000 001 010 011 100 101 110 111 TERMINO X'Y'Z' X'Y'Z X'YZ' X'YZ XY'Z' XY'Z XYZ' XYZ DESIGNACION m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 MAXITERMINOS TERMINO X+Y+Z X'+Y'+Z X'+Y+Z' X'+Y+Z X+Y'+Z' X+Y'+Z X+Y+Z' X+Y+Z DESIGNACION M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7

En el caso de los minitrminos siempre que haya una funcin lgica en base a una tabla caractersticas siempre va aproducir " 1" lgico. En forma inversa los maxit rminos en una funcin siempre va a ser "0" ; por ejemplo de la siguiente tabla: xyz 000 001 010 011 100 101 110 111 FUNCION F1 0 1 0 0 1 0 0 1 FUNCION F2 0 0 0 1 0 1 1 1

Si tomamos F1 utlizando minitrminos solo ocupamos los "1": f1 = x'y'z + xy'z' +xyz = m1+m4+m7 f1(xyz)= sum(1,4,7) se hace lo mismo con f2: f2= x'yz +xy'z +xyz' +xyz= m3+m5+m6+m7

f2(xyz) = sum(3,5,6,7). Ahora volvemos a tomar f1 utlizando maxitrminos, solo ocupamos "0": f1 = (x+y+z)(x+y'+z)(x+y'+z')(x'+y+z')(x'+y'+z)= M0*M2*M3*M5*M6 fi(xyz) = (0,2,3,5,6) Se hace lo mismo con f2: f2= (x+y+z)(x+y+z')(x+y'+z)(x'+y+z)= M0*M1*M2*M4 f2(xyz) = (0,1,2,4)

Suma de miniterminos. Como sabemos cualquier funcin booleana puede expresarse como una suma de miniterminos. La suma de estos elementos que son los que definen una funcin booleana son aquellos que dan los 1s de la funcin en una tabla de verdad. Algunas veces es conveniente expresar la funcin booleana en la forma de suma de miniterminos. Si no puede hacerse en esta forma entonces puede realizarse primero por la expansin de la expresin en una suma de los trminos AND. Despus cada trmino se inspecciona para ver si contiene todas las variables, si se han perdido una o ms variables, se aplica el operador AND con una expresin x+x en donde x es una de las variables perdidas. Ejemplo: Expresar la funcin F = A+BC en una suma de miniterminos. F= A+BC F(A,B,C) A= A(B+B) = AB+AB = AB(C+C) + AB(C+C) = ABC + ABC + ABC +ABC BC = BC (A+A) = ABC + ABC F = ABC+ABC+ABC+ABC+ABC+ABC F = ABC+ABC +ABC+ABC+ABC F = m1+ m4+m5+ m6+ m7 F(A,B,C)=SUM(1,4,5,6,7)

La SUMatoria representa al operador OR que opera en los trminos y nmeros siguientes son los minitrminos de la funcin. Las letras entre parntesis que siguen a F forman una lista de las variables en el orden tomado cuando el minitrmino se convierte en un trmino AND. Producto de los maxitrminos. Para expresar una funcin booleana como un producto de maxitrminos, primero debe llevarse a una forma de trminos OR. Esto es posible al uso de la ley distributiva; esto es si x+yz = (x+y) (x+z); para cualquier variable perdida x en cada trmino se opera a OR con xx. Ejemplo: F = (x+y) (x+z) (y+z) (x+y) = x+y+zz = (x+y+z) (x+y+z) (x+z) = x+z+yy = (x+y+z) (x+y+z) (y+z) = y+z+xx = (x+y+z) (x+y+z) F = (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) F = (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) F = (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) M0 M2 M4 M5 F(x,y,z) = PI(0,2,4,5) El operador PI denota la operacin AND de maxitrminos; y los nmeros son los maxitrminos de la funcin.

3.7.3Mapas de karnaugh.
MAPAS DE KARNAUGH.
Una de las maneras ms efectivas para la simplificacin de funciones es el mtodo de mapeo. En la siguiente figura aparece un mapa de dos variables; por lo tanto existen 4 minitrminos, por lo mismo el mapa tiene 4 cuadros(m0,m1,m2,m3)fig.a. En la figura b se muestra las relaciones entre los cuadros y las dos variables, los 0 y 1 de cada renglon indican las variables de x y y :

Como ejemplo se muestra una funcin xy(fig.c) que es igual a m3 ,y se coloca un "1" en m3, de igual forma la funcin x+y es igual a x'y+xy'+xy 0 m1+m2+m3 (fig.d) De la misma manera se ocupan mapas para tres variables:

Los minitrminos se distribuyen en la tabla como si fuera un cdigo reflegado, de la misma manera en la figura b se acomodan los 0 y los 1 de las variables X,Y. se utiliza como ejemplo la siguiente funcin para simplificar: F = xz + x'yz' +xy'z' + xy'z F = m3+m2+m4+m5

Primero se marca 1 en cada cuadro correspondiente, como se muestra a continuacin:

La funcin esta representada en los recuadros marcados con 1. posteriormente se divide el rea en cuadros adyacentes. el rectngulo superior derecho da como resultado X'Y y el inferior izquierdo XY' sea: F = x'y + xy'

Asi mismo para un mapa de cuatro variables se sigue la misma tcnica de los cuadros adyacentes, tambien hay mapa para 5 y 6 variables solo que estas son ms difciles de entender.
Mapas de Karnaugh Un mapa de Karnaugh es una representacin grfica de una funcin lgica a partir de una tabla de verdad. El nmero de celdas del mapa es igual al nmero de combinaciones que se pueden obtener con las variables de entrada. Los mapas se pueden utilizar para 2, 3, 4 y 5 variables.

Mapa de Karnaugh empleando Suma de Productos (SDP)

La simplificacin de expresiones lgicas mediante el mapa de Karnaugh utiliza un mtodo grfico basado en la Suma de Productos. Mapa de Karnaugh de tres variables El mapa de Karnaugh se construye a partir de la tabla de verdad de la funcin lgica. El mapa por medio de una matriz de 8 celdas, representa los ocho mintrminos posibles que se pueden obtener con tres variables, en un arreglo de una matriz de 2x4. Por tanto, la primera fila contiene el primer valor posible ("0") y la segunda fila el valor ("1"). Las variables 2 y 3 se agrupan por columna y se distribuyen en las cuatro columnas de acuerdo a las combinaciones posibles para obtener los mintrminos requeridos. Sus valores son 00, 01, 10 y 11. Por ejemplo, la celda m2 corresponde al mintrmino 2, ubicado en la fila 0 y la columna 10. La unin de estos dos nmeros da el nmero 010, cuyo equivalente es el trmino ABC el decimal 2. La tabla 2.4.1. muestra el mapa de Karnaugh para 3 variables.
Lnea 0 1 2 3 4 5 6 7 A 0 0 0 0 1 1 1 1 B 0 0 1 1 0 0 1 1 C 0 1 0 1 0 1 0 1 Mintrmino ABC ABC ABC ABC ABC ABC ABC ABC Mintrmino mx m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 Funcin de Salida F(0,0,0) F(0,0,1) F(0,1,0) F(0,1,1) F(1,0,0) F(1,0,1) F(1,1,0) F(1,1,1)

(a)

(b)

(c)

Tabla 2.4.1. Mapa de tres variables La caracterstica de ordenamiento de un mapa de Karnaugh radica en el cambio de un solo bit en los trminos de las celdas adyacentes de filas y columnas. En la tabla 2.4.1. las entradas BC se colocan secuencialmente, cambiando cada vez una sola variable, por eso resulta el orden: 00, 01, 11 y 10. En la interactividad 2.4.1., la pulsacin de cada cuadro activa el mintrmino correspondiente.

Interactividad 2.4.1. Mapa de tres variables Por ejemplo, la variable C est negada en m4 y m5 no lo est, mientras que A y B no cambia. Las celdas de los bordes superior e inferior e izquierdo y derecho tambin cumplen esta condicin al agruparlas unas a otras. En el teorema 12 de la leccin 1, se demuestra que la suma de los trminos mnimos en celdas adyacentes pueden ser simplificadas en un trmino AND de dos literales. Por consiguiente, aplicando el teorema para los trminos m4 y m5 del mapa se tiene: m4 + m5 = ABC + ABC = AB(C+C) = AB Los trminos m4 y m6 se pueden asociar de la misma forma: m4 + m6 = ABC + ABC = AC(B+B) = AC Ejemplo Simplificar la funcin F1= (m3, m4, m5, m6, m7). F1 = (m3, m4, m5, m6, m7) = ABC + ABC+ ABC + ABC+ ABC Aplicando el teorema 6 de la leccin 1 para el trmino ABC. F1 = (m3, m4, m5, m6, m7) = (m4, m5, m6, m7) + (m3, m7) = [ABC+ ABC + ABC+ ABC] + [ABC + ABC].

El primer trmino en la sumatoria es el grupo 1 y el segundo trmino corrresponde al grupo 2. En un mapa de karnaugh, los mintrminos de cada grupo se relacionaran a travs de lazos independientes. Desarrollando la expresin, F1 = [AB(C+C) + AB(C+ C)] + [BC(A+A)]= AB(1) + AB(1) + BC(1) = A(B+B) + BC = A + BC. El mapa se construye colocando un 1 en las celdas correspondientes a los mintrminos presentes en la funcin de salida. Por ejemplo, para el trmino F(1,1,0)= ABC = 1 se situara un 1 en la celda 110. Para los mintrminos no presentes en la funcin se pone un 0. Por ejemplo el trmino F(0,0,1)= AB'C = 0, ser una celda con valor 0 en la celda 001. Despus de situar los unos en el mapa, se procede con la agrupacin de 1s, la determinacin del trmino producto correspondiente a cada grupo y la suma de los trminos producto obtenidos. La determinacin del trmino producto se realiza de acuerdo los siguientes criterios: 1.Una celda representa un mintrmino, dando como resultado un trmino de cuatro literales. 2. Dos celdas agrupadas pueden representar la asociacin de dos mintrminos, dando como resultado un trmino de dos literales. 3.Cuatro celdas agrupadas pueden representar la asociacin de cuatro mintrminos, dando como resultado un trmino de un literal. 4. Ocho celdas agrupadas representan un valor de funcin igual a 1. Ejemplo Sea la funcin del ejemplo anterior, simplificarla por medio del mtodo del mapa. La tabla de verdad del ejemplo anterior es la siguiente,
Lnea 0 1 2 3 4 5 6 7 A 0 0 0 0 1 1 1 1 B 0 0 1 1 0 0 1 1 C 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida F 0 0 0 1 1 1 1 1

Tabla 2.4.2. Tabla de verdad de la funcin F1. El mapa de Karnaugh se configura de acuerdo a los mintrminos iguales a 1 y las celdas se agrupan tal como en la figura 2.4.1.

Figura 2.4.1. Mapa de Karnaugh de la funcin F1. El primer grupo se forma con los mintrminos m4, m5, m6 y m7 y el segundo grupo con los mintrminos m3 y m7. Del primer grupo resulta el trmino A ya que para las cuatro columnas de la tabla existen transiciones entre las variables B y C. El segundo grupo da como resultado el trmino BC por el cambio existente en la variable A. En total, la funcin queda reducida a la expresin: F1 = A + BC Mapa de Karnaugh de cuatro variables La construccin de un mapa de Karnaugh de 4 variables es similar al de 3 variables. La diferencia radica en el nmero de variables de entrada. El mapa por medio de una matriz de 16 celdas, representa los 16 mintrminos posibles (24) que se pueden obtener con cuatro variables de entrada, en un arreglo de 4 x 4. La disposicin de celdas en el mapa se muestra en la tabla 2.4.3.
Lnea 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 A 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 B 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 C 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 D 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 Mintrmino ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD Mintrmino mx m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 m8 m9 m10 m11 m12 m13 m14 m15 Funcin de Salida F(0,0,0,0) F(0,0,0,1) F(0,0,1,0) F(0,0,1,1) F(0,1,0,0) F(0,1,0,1) F(0,1,1,0) F(0,1,1,1) F(1,0,0,0) F(1,0,0,1) F(1,0,1,0) F(1,0,1,1) F(1,1,0,0) F(1,1,0,1) F(1,1,1,0) F(1,1,1,1)

(a)

(b)

(c)

Tabla 2.4.3. Mapa de cuatro variables Por ejemplo, la celda m9 corresponde al mintrmino 9, ubicado en la fila 10 y la columna 01. La unin de estos dos nmeros da el nmero 1001, cuyo equivalente es el trmino ABCD - el decimal 9. La minimizacin por medio de un mapa de 4 variables se puede efectuar con las celdas adyacentes entre s y las celdas de los bordes que se pueden concatenar para reducir la expresin. Por ejemplo, m13 y m15 son celdas adyacentes as como m0, m8, m2 y m10. El mapa se construye colocando un 1 en las celdas correspondientes a los mintrminos presentes en la funcin de salida. Por ejemplo, para el trmino F(1,1,0,0)= ABCD = 1 se situara un 1 en la celda 1100. Para los mintrminos no presentes en la funcin se pone un 0. Por ejemplo el trmino F(1,1,1,1)= ABCD = 0, ser una celda con valor 0 en la celda 1111. Igual que en el mapa de 3 variables, se procede con la agrupacin de 1s, la determinacin del trmino producto correspondiente a cada grupo y la suma de los trminos producto obtenidos. Las reglas para reducir trminos en un mapa de Karnaugh de 4 variables son las siguientes: 1.Una celda representa un mintrmino, dando como resultado un trmino de cuatro literales. 2. Dos celdas agrupadas pueden representar la asociacin de dos mintrminos, dando como resultado un trmino de tres literales. 3.Cuatro celdas agrupadas pueden representar la asociacin de cuatro mintrminos, dando como resultado un trmino de dos literales. 4.Ocho celdas agrupadas pueden representar la asociacin de ocho mintrminos, dando como resultado un trmino de un literal. 5. Diecisis celdas agrupadas pueden representan un valor de funcin igual a 1. Ejemplo Simplquese la funcin de Boole F2= (m1, m3, m8, m10, m12, m14)

Figura 2.4.2. Mapa de Karnaugh de la funcin F2. El primer grupo se forma con los mintrminos m1 y m3 y el segundo grupo se forma con los mintrminos m8, m10 y m12, m14. Del primer grupo resulta el trmino ABD ya que en la columna 1 no se presentan cambios para las variables A y B y se presenta transicin en la variable C en las columnas 2 y 3. El segundo grupo da como resultado el trmino AD. La razn radica en la simplificacin de la variable B en la tercera y cuarta fila y en la variable C en la primera y cuarta columna.

Sumando los mintrminos obtenidos se tiene la ecuacin simplificada: F2 = ABD + AD

Mapas de Karnaugh empleando Producto de Sumas (PDS)

La simplificacin de expresiones lgicas mediante el mapa de Karnaugh tambin es posible mediante el mtodo de producto de sumas. En este mtodo, cada celda representa un maxtrmino. La construccin del mapa es similar a la suma de productos. La diferencia radica en que cada celda representa un maxtrmino. Por ejemplo, la celda m2 corresponde al maxtrmino 2, ubicado en la fila 0 y la columna 10. La unin de estos dos nmeros da el nmero 010, cuyo equivalente es el trmino A+B+C. La figura 2.4.3. muestra el mapa de Karnaugh para 3 variables.

Figura 2.4.3. Mapa de tres variables. La representacin de la funcin lgica se hace simplemente copiando los ceros de la tabla de verdad en las celdas del mapa. Este mtodo es ms apropiado cuando en la columna de resultados de la tabla de verdad predominan los ceros. Ejemplo Utilizar el mapa de Karnaugh para minimizar el producto de sumas, F3 = (A+B+C)(A+B+C)(A+B+C)(A+B+C) Los maxtrminos se trasladan a cada una de las celdas del mapa de Karnaugh y las celdas se agrupan tal como en la figura 2.4.4.

Figura 2.4.4. Mapa de Karnaugh de la funcin F3 El trmino suma para cada grupo se muestra en la figura y la suma de productos resultante es: F3 = C Ejemplo Utilizar el mapa de Karnaugh para minimizar el producto de sumas,

F4 = (A+B+C+D)(A+B+C)(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A +B'+C+D) El segundo trmino tiene que ampliarse a (A+B+C+D)(A+B+C+D). La funcin completa se pasa al mapa de karnaugh mostrado en la figura 2.4.5.

Figura 2.4.5. Mapa de Karnaugh de la funcin F4 El trmino suma para cada grupo se muestra en la figura 2.4.5. y el producto de sumas resultante es: F4 = (A+C+D)(B'+D')(A'+D')

Condiciones de No Importa
Hasta el momento se ha asumido que la funcin es igual a 0 en los casos donde la funcin no es igual a 1. En algunas aplicaciones esta suposicin no es siempre verdadera ya que existen combinaciones de entrada que no presentan. En un mapa de Karnaugh estas combinaciones de entrada sirven de herramienta para simplificar la funcin y su representacin se hace por medio de una X en la celda del mapa. Segn la agrupacin que convenga se asume un valor de 1 0 para la X con el fin de obtener la expresin ms simple. Ejemplo Simplificar la funcin de Boole F5 = (m0, m4, m7, m9) con condiciones de importa, NI = (m1, m5, m11, m14). Los mintrminos se marcan con un 1, las condiciones de no importa con una X y las celdas restantes con 0. El mapa de Karnaugh de la funcin F5 se muestra en la figura 2.4.6.

Figura 2.4.6. Mapa de Karnaugh de la funcin F5 En suma de productos obtenemos, F5 = ACD + A'BC + ABCD + AB'D

3.8 Lgica combinacional. 3.8.1Compuertas lgicas.

A CONTINUACIN SE MUESTRAN 6 DE LAS COMPUERTAS BASICAS MS IMPORTANTESDENTRO DEL DISEO :

La primer compuerta es una AND La segunda compuerta es una OR El tercer es un inversor El siguiente es una NAND El quinto es una NOR la ltima es una XOR

La compuerta "Y" Es una de las compuertas mas simples dentro de la Electrnica Digital. Su representacin es la que se muestra en las figuras. Como se puede ver tiene dos entradas A y B, aunque puede tener muchas ms (A,B,C, etc.) y slo tiene una salida X.

compuerta AND de 2 entradas

compuerta AND de 3 entradas

La compuerta AND de 2 entradas tiene la siguiente tabla de verdad A B X 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 Se puede ver claramente que la salida X solamente es "1" (1 lgico, nivel alto) cuando tanto la entrada A como la entrada B estn en "1".En otras palabras "La salida X es igual a 1 cuando la entrada A y la entrada B son 1 Esta situacin se representa en el lgebra booleana como: X = A * B o X = AB. Una compuerta AND de 3 entradas se puede implementar con interruptores de la siguiente manera:

A A A A A C C C C

B A A C C A A C C

C A C A C A C A C

Lmpara Apagada Apagada Apagada Apagada Apagada Apagada Apagada Encendida

A = Abierto C = Cerrado Una compuerta AND puede tener muchas entradas. Una AND de mltiples entradas puede ser creada conectando compuertas simples en serie. Si si se necesita una AND de 3 entradas y no hay disponible, es fcil crearla con dos compuertas AND en serie o cascada como se muestra en la siguiente figura:

Tabla de verdad

A B C X 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 De igual manera, se puede implementar circuitos AND de 4 o ms entradas La compuerta NO Y Una compuerta NAND (NO Y) se puede implementar con la concatenacin de una compuerta AND con una compuerta NOT, como se muestra en la siguiente figura.

Smbolo de compuerta NAND

Equivalente con compuertas AND y NOT

Al igual que en el caso de la compuerta AND, sta se puede encontrar en versiones de 2, 3 o ms entradas. La tabla de verdad de este tipo de compuerta es la siguiente:

A 0 0 1 1

B 0 1 0 1

X 1 1 1 0

Tabla de verdad de una compuerta NAND de 2 entradas

A 0 0 0 0 1 1 1 1

B 0 0 1 1 0 0 1 1

C 0 1 0 1 0 1 0 1

X 1 1 1 1 1 1 1 0

Tabla de verdad de una compuerta NAND de 3 entradas Como se puede ver la salida X slo ser "0" cuando todas las entradas sean "1". Nota: Un caso interesante de este tipo de compuerta, al igual que la compuerta NOR o "NO O",

es que en la primera y ltima lnea de la tabla de verdad, la salida X es tiene un valor opuesto al valor de las entradas En otras palabras: Con una compuerta NAND se puede obtener el comportamiento de una compuerta NOT o "NO" Aunque la compuerta NAND parece ser la combinacin de 2 compuertas (1 AND y 1 NOT), sta (la compuerta NAND) es mas comn al realizar diseos, que las compuertas AND. En la realidad este tipo de compuertas no se construyen como si combinramos los dos tipos de compuertas antes mencionadas, si no que tienen un diseo independiente

Compuerta NOT creada con una compuerta NAND

Tabla de verdad

I 0 1

X 0 1

La compuerta "No O" Una compuerta NOR (No O) se puede implementar con la concatenacin de una compuerta OR con una compuerta NOT, como se muestra en la siguiente figura

Smbolo de compuerta NOR

Equivalente con compuertas OR y NOT

Al igual que en el caso de la compuerta OR, sta se puede encontrar en versiones de 2, 3 o ms entradas. Las tablas de verdad de estos tipos de compuertas son las siguientes:
Tabla de verdad de una compuerta NOR de 2 entrada

A 0 0 1 1

B 0 1 0 1

X 1 0 0 0

Tabla de verdad de una compuerta NOR de 3 entradas

A 0 0 0 0 1 1 1 1

B 0 0 1 1 0 0 1 1

C 0 1 0 1 0 1 0 1

X 1 0 0 0 0 0 0 0

Como se puede ver la salida X slo ser "1" cuando todas las entradas sean "0". Compuerta NOT creada con compuerta NOR Un caso interesante de este tipo de compuerta, al igual que la compuerta NAND, es que cuando stas (las entradas A y B o A, B y C) se unen para formar una sola entrada, la salida (X) es exactamente lo opuesto a la entrada, en la primera y la ltima lnea de la tabla de verdad. En otras palabras: Con una compuerta NOR podemos implementar el comportamiento de una compuerta NOT
Compuerta NOT creada con una compuerta NOR

Tabla de verdad

I 0 1

X 1 0

La compuerta "O" Es una de las compuertas mas simples dentro de la Electrnica Digital.. Su representacin y tabla de verdad se muestran a continuacin:

Tabla de verdad A B X

0 0 1 1

0 1 0 1

0 1 1 1 o X=B+A

Y se representa con la siguiente funcin booleana: X = A + B

Esta misma compuerta se puede implementar con interruptores como se muestra en la siguiente figura, en donde se puede ver que: cerrando el interruptor A "O" el interruptor B se encender la luz

"1" = cerrado , "0" = abierto, "1" = luz encendida En las siguientes figuras se muestran la representacin de la compuerta "OR" de tres entradas con su tabla de verdad y la implementacin con interruptores Representacin de una compuerta OR de 3 entradas con su tabla de verdad

Compuerta "OR" de 3 entradas implementada con interruptores

Se puede ver claramente que la luz se encender cuando cualquiera: A o B o C este cerrada La compuerta NOT Dentro de la electrnica digital, no se podran lograr muchas cosas si no existiera la compuerta NOT (compuerta NO), tambin llamada compuerta inversora, que al igual que las compuertas AND y OR tiene una importancia fundamental. La compuerta NOT se representa con el siguiente smbolo, y su tabla de verdad es:

La salida de una compuerta "NOT" tiene el valor inverso al de su entrada. En el caso del grfico anterior la salida X = A. Esto significa que si a la entrada tenemos un "1" lgico, a la salida har un "0" lgico y si a la entrada tenemos un "0" a la salida habr un "1" Nota: Ver que el apstrofe en la siguiente expresin significa "negado": X = A La compuertas NOT se pueden conectar en cascada, logrando despus de dos compuertas, la entrada original. Ver la siguiente fig.

TERMINOLOGIA DIGITAL DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Aunque en la actualidad diversos fabricantes tienen sus propias terminlologias para los CI digitales la mayoria de estas terminologa esta estandarizada. PARAMETROS DE CORRIENTE Y VOLTAJE. VIH (min)--Voltaje de entrada de nivel alto:Es el voltaje que se necesita para un 1 lgico de entrada; otro nivel por debajo de este no es reconocido como 1 lgico VIL (max)--Voltaje de entrada de nivel bajo:Es el voltaje necesario para un 0 lgico en la entrada. VOH (min)--Voltaje de salida de nivel alto:Es el nivel de voltaje de salida de un estado 1 lgico; se especifica por lo general el valor mnimo de VOH . VOL (max)--Voltaje de salida de nivel bajo: Es el nivel de voltaje de salida de un estado 0 lgico; se especifica por lo general el valor mnimo de VOL . IIH --Corriente de entrada de nivel alto:Es la corriente que hay en la entrada, cuando se aplica un nivel alto de voltaje en la misma. IIL --Corriente de entrada de nivel bajo:Es la corriente que hay en la entrada, cuando se aplica un nivel bajo de voltaje en la misma. IOH --Corriente de salida de nivel alto:Corriente que fluye a partir de una salida en el estado 1 lgico en condiciones de carga especfica. IOL --Corriente de salida de nivel bajo:Corriente que fluye a partir de una salida en el estado 0 lgico en condiciones de carga especfica.

FACTOR DE CARGA DE SALIDA (Fan-out). El factor de carga de salida es el nmero mximo de entradas logicas estandar que una salida puede manejar confiablemente. RETARDOS EN LA PROPAGACION.Existen dos tiempos de retardos de propagacin: tPLH :tiempo de retardo al pasar del estado lgico 0 al lgico1 (de BAJO a ALTO) tPHL :tiempo de retardo al pasar del estado lgico 1 al lgico0 (de ALTO a BAJO) REQUERIMIENTOS DE POTENCIA.La mayora de los CI necesitan de cierta potencia elctrica para operar.La cantidad de potencia que necesita se especifica en trminos de corriente de la fuente ICC y de la potencia real ICC * VCC . INMUNIDAD AL RUIDO.Los campos electricos y magneticos pueden afectar las conexiones en el encapsulado; estas seales no deseadas se llaman ruido.La inmunidad al ruido es la capacidad del circuito para tolerar voltajes ruidosos en las entradas.A una medida cuantitativa de inmunidad al ruido se le denomina margen de ruido: El margen de ruido de estado alto VNH se define : VNH = VOH (min) - VIH (min). El margen de ruido de estado bajo VNL se define : VNL = VIL (max) - VOL (max) COMPLEJIDAD DE LOS CI. En la siguiente tabla se especifican los 5 niveles bsicos de complejidad: COMPLEJIDAD Integracin a escala pequea (SSI) Integracin a escala mediana (MSI) Integracin a escala grande (LSI) Integracin a escala muy grande(VLSI) Integracin a escala ultra grande(ULSI) NUMERO DE COMPUERTAS Menos de 12 de 12 a 99 de 100 a 9999 de 10000 a 99999 100000 ms

3.8.2Diseo de circuitos.
DISEO DE CIRCUITOS LOGICOS COMBINACIONALES

La tabla de verdad para un circuito nos sirve para conocer el nivel de salida y todas los combinaciones posibles de entrada . Y en base a la misma tabla se determina su expresin booleana. Por ejemplo la siguiente figura:

Se muestra un circuito con dos entradas y una salida x. En la tabla la salida x es "1", solo si A = 0 y B=1. Para saber que ciscuito lgico se debe utilizar, hay que checar las condiciones de la tabla en el caso de la figura lo mas comveniente es usar una compuerta AND; con entradas A'B, de tal forma que x = A'B. Tomemos otro ejemplo como el que se muestra en lafigura:

Como se puede observar la salida x=1 es solo en dos casos: Cuando A=0 y B=1 y cuando A=1y B=0. Para ambos casos, se utilizan compuertas AND ya que esta produce la salida deseada con estas combinaciones y la salida de estas 2 compuertas llegan a una OR que nos dara la funcin resultante, que sera : x = A'B + AB' Que son las condiciones de salida que nos marca la tabla. De esta manera se pueden disear un sin nmeros de circuitos basandose en dos puntos primordiales del diseo :

LA TABLA DE VERDAD EL CIRCUITO LOGICO

EJEMPLO: Disee un circuito lgico que tenga tres entradas A,B y C y cuya salida sea alta solo cuando la mayora de las entradas sean altas.:

Primero se elabora la tabla de verdad de acuerdo al enunciado del ejemplo en donde x= 1, si 2 mas entradas son "1"; por lo tanto la funcin de salida es: x = A'BC + AB'C +ABC' + ABC

Haciendo la simplificacin por mapas de K. :

x = BC +AC +AB Esta expresin nos da como resultado el circuito lgico de la figura del ejemplo.

CIRCUITOS COMBINACIONALES MSI

DECODIFICADORES: Un decodificador vendra siendo un circuito combinacinal el cual la informacin binaria la convierte en lneas de salida, siempre y cuando la entrada binaria sea de n lneas de entrada hasta un mximo de 2 n lneas de salida.En la siguiente figura se muestra un diagrama a bloques de un decodificador general con N entradas y M salidas.

Como ejemplo de decodificador se presenta el siguiente circuito que es un decodificador de 3-8 lneas:

Como se ve las tres entradas se decodifican en 8 salidas, entonces cada salida vendra siendo los minitrminos de las variables de entrada.Los inversores son los complementos de las entradas, mientras que las compuertas AND generan los minitrminos. una aplicacin del circuito sera en un convertidor de binario en octal; para complementar el circuito se tiene su tabla de entrada y salida: ENTRADAS XYZ 000 001 010 011 100 101 110 111 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 SALIDAS D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1

CODIFICADORES: Un codificador es aquella funcin digital la produce una accin inversa a la del decodificador, osea que tiene mas lneas de entrada y menos de salida. MULTIPLEXORES. La accin del multiplexor es la de generar mayor margen de informacin sobre un nmero ms pequeo de canales. El multiplexor digital es un circuito combinacional que selecciona informacin binaria de muchas lneas de entrada, dirigida a una sola salida En la siguiente figura se muestra un multiplexor de 4- a- 1 lnea donde cada entrada entra a una AND, las lneas de seleccin son S1 y S0

En la tabla de funciones siguiente se muestra las lineas de entrada y salida para cada posible combinacin. S1 S0 0 0 0 1 Y I0 I1

1 1

0 1

I2 I3

IMPLEMENTACION DE CIRCUITOS
Sigueindo con el punto anterior(punto4.3), tenemos la implementacin de dos de los circuitos ms usados en la lgica combinacional. SUMADOR Uno de los circuitos combinacionales ms usados es el de la adicin de "bits". MEDIO SUMADOR: Un circuito bsico y simple para explicar la funcin del sumador es la del medio sumador que consiste en la adicin de 2 bits. Como se muestra en la tabla siguiente: x y 00 01 10 11 C S 0 0 0 1 0 1 1 0

S e puede observar que se asigna a las 2 variables de entrada X y Y y a las 2 variables de salida C (acarreo) y S(salida) El acarreo en la salida es "1" si las entradas son "1", en caso contrario es "0". La salida S es el bit menos significativo de la suma. Las funciones resultantes en forma de suma de productos son : S = x'y + xy' C = xy Y la representacin de esta funcin en un diagrama lgico es :

SUMADOR COMPLETO: El sumador completo consiste en un circuito combinacional que es la suma de tres bits de entrada, consta de 3 variables de entrada y dos variables ( C y S) de salida: xyz 000 001 010 011 100 101 110 111 C 0 0 0 1 0 1 1 1 S 0 1 1 0 1 0 0 1

Como se observa en la tabla x,y y z representan las diversas combinaciones de las variables. La salida S es igual a 1 solo cuando una entrada es 1. La salida C lleva una cuanta de los "1", si 2 3 entradas son "1". Al final se obtienen 2 funciones de salida en minitrminos : S = x'y'z +x'yz' +xy'z' + xyz C = xy +xz +yz yel diagrama lgico es el siguiente:

RESTADORES:
En forma similar al sumador la sustraccin de numeros binarios se puede realizar en dos formas: MEDIO RESTADOR Y RESTADOR COMPLETO. MEDIO RESTADOR: Parecido al medio sumador de 2 bits, el medio restador posee 2 variables de entrada y 2 de salida: x y 00 01 10 11 B D 0 0 1 1 0 1 0 0

La salida de B es 0 si x es mayor igual que y. La salida de D es resultado de la operacin aritmtica 2B + x -y.Las funciones lgicas resultantes son:

D = x'y + xy' B = x'y El circuito de diseo es el siguiente:

RESTADOR COMPLETO: Este circuito lleva a cabo una sustraccin entre 3 bits. Contiene 3 entradas y 2 salidas. las 3 entradas x,y y z son el minuendo, sustraendo y la toma preva. Las 2 salidas D y B son la diferencia y la salida: xyz 000 001 010 011 100 101 110 111 B 0 1 1 1 0 0 0 1 D 0 1 1 0 1 0 0 1

Las funciones de salida son : D = x'y'z + x'yz' +xy'z' + xyz B = x'y +x'z +yz El circuito para este restador completo es el siguiente:

El circuito es parecido al sumador completo.

3.8.3Familias lgicas.

FAMILIA LOGICA TTL

En la actualidad , la familia lgica transistor-transistor(TTL) todava tiene uso en diversas aplicaciones.Su circuito lgico bsico es la compuerta NAND :

En la salida del circuito, los transistores Q3 y Q4 estan en una configuracin tipo ttem. En funciones normales Q3 Q4 conducir segn su estado lgico. CARACTERISTICAS DE LA SERIE TTL ESTANDAR: En la actualidad diversas compaias se dedican a establecer diversas caracteristicas de los CI digitales dependiendo de la compaia, pero en general se estandarizan. Hojas de especificaciones de los fabricantes: Para ilustrar las caractersticas de la serie TTL standar se usar la hoja de especificaciones del CI 7400 TYPES SN5400,SN7400 QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE -NAND GATES

Recommended operating conditions SN7400 MIN NOM MAX 5.5 4.75 5 5.25 UNIT

SN5400 MIN NOM MAX VCC Suply Voltage 4.5 5

VIH High-level input voltage VIL Low-level input voltage IOH High-level output current IOL Low-level output current TA Operating free-air temperature

2 0.8 -0.4 16 -55 125

2 0.8 -0.4 16 0 70

V V mA mA
0

Electrical characteristics over recommended operating free-air temperature range( unless otherwise noted)

SN5400 PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX VIK VOH VOL II IIH IIL IOS ICCH ICCL VCC =MIN II =12mA VCC =MIN VIL =0.8V IOH =0.4m A

SN7400 UNIT MIN TYP MAX -1.5 V 3.4 0.2 0.4 1 40 -1.6 -18 -55 4 4 8 12 12 22 V V mA uA mA mA mA mA

-1.5 2.4 0.4 1 40 -1.6 -20 -55 8 22 3.4 0.2

2.4

VCC =MIN VIH =2V IOL =16mA VCC =MAX VI = 5.5V VCC =MAX VI = 2.4 VCC =MAX VI =0.4 VCC = MAX VCC = MAX VI = 0V VCC =MAX VI= 4.5V

HOJA DE ESPACIFICACIONES PARA CI 7400 ( CORTESIA DE TEXAS INSTRUMENTS)

RANGOS DE VOLTAJE DE ALIMENTACION Y TEMPERATURA: En las series 54 y 74 la fuente de alimentacin ( Vcc ) es de 5V , la serie 74 funciona adecuadamente en un rango de 4.75 a 5.25V, en la serie 54 estos valores son desde 4.5 a 5.5 V. La serie 74 esta diseada para trabajar bajo temperaturas que van desde 0o a 70o

C, la serie 54 desde -55o hasta 125o C; por lo que la serie 54 es mas caro debido a su alta tolerancia de temperatura. NIVELES DE VOLTAJE En la siguiente tabla se muestra los niveles de entrada y salida de voltaje de la serie 74 standar NIVEL MINIMO TIPICO MAXIMO VOL VOL VIL VIH -2.4 -2.0 0.1 3.4 --0.4 -0.8 --

El margen de ruido CD en estado bajo es de: VNL = VIL (MAX) - VOL (MAX) = 0.8v-0.4V = 400mV El margen de ruido CD en estado alto es : VNH = VOH (MIN) - VIH (MIN) = 2.4V -2.0V = 400mV DISIPACION DE POTENCIA . Una compuerta NAND TTL disipa una potencia promedio de 10 mW, osea que ICCH sea igual a 4mA y que ICCI sea de 12 mA, entonces ICC (prom) = 8mA y una PD (prom) = 8mA * 5V = 40mW RETARDOS DE PROPAGACION. Las series TTL standar tiene retardos de propagacin caractersticos de tPLH = 11ns y tPHL = 7ns, y tiene un retardo de propagacin promedio de : tpd = 9 ns. La serie TTL standart tiene un factor de carga tipico de 10, osea que se puede conectar a 10 entradas TTL, nuevamente.

FAMILIA LOGICA ECL

La lgica TTL utiliza transitores en modo de saturacin, y asi dependiendo del tiempo de almacenamiento va a ser su velocidad de transicin. Existe otra familia lgica bipolar la cual evita la saturacin del transitor, y as aumentar su velocidad de transicin. A esta familia se le conoce como lgica acoplada al emisor (ECL). La ECL trabaja mediante la transicin de corriente con lo cual una corriente parcial fija menor que IC(sat) es cambiada de un colector a otro del transisitor. debido a este fenmeno tambien se le conoce cmo lgica de modo de corriente (CML). CARACTERISTICAS DEL ECL.

Las caractersticas mas importenes de la familia lgica ECL son: 1.- Los transistores nunca se saturan, as que la velocidad de transicin es muy alta. El tiempo de retraso comn en la propagacin es de 2 ns 2.-Los niveles lgicos son nominalmente -0.8V y -1.70V para el 1 y 0 lgicos. 3.-Los mrgenes de ruido de ECL en el peor de los casos es de 250 mV, esto hace al ECL no muy seguro en procesos industriales 4.- Un bloque lgico ECL produce una salida y su complemento, y as elimina los inversores. 5.- El factor de carga es de 25, la disipacin de potencia es de 25 mW En la siguiente tabla aparece una comparacin de la ECL con otras familias TTL: FAMILIA LOGICA 7400 74L00 74H00 74S00 74LS00 ECL tpd(ns) 9 33 6 3 9.5 2 PD(mW) 10 1 23 23 2 25 MARGEN DE RUIDO 400mV 400mV 400mV 300(VNL) 300(VNL 250mV INTENSIDAD(MHZ) 25 3 40 80 30 120

FAMILIA LOGICA MOS

La tecnologa MOS ( semiconductor de xido metlico) se debe bsicamente a su estructura bsica MOS de un electrodo metlico montado en un aislador de xido sobre una base semiconductora. Los transistores usados son transisitores MOSFET. Las ventajas del MOSFET es que es simple, debajo costo y ademas son pequeos y de poco consumo de energa. Tambien los circuitos integrados MOS tienen mas elementos de circuito en un solo integrado que los bipolares normales. CARACTERISTICAS : Velocidad de operacin. La velocidad de propagacin depende de su alta impedancia de entrada Rout = 10 12 ohms, y asu capacitancia de comperta alta que es de C LOAD = 2 a 5 picofarad. Margen de ruido.

Los margenes de ruido van de 1.5 V cuando opera desde VDD = 5V, y aumentar proporcionalmente sea mayor el valos de VDD. Factor de carga ( Fan-out). Para frecuencias mayores de 100 KHz su capacitancia de entrada afecta el tiempo de transicin, pero por lo general usa un factor de carga de 50, que es aceptable. Consumo de energa. Consumen pequea potencia debido a su alta impedancia de entrada, dependiendo de su dos estados de operacin: 1.- VIN = 0V:RON(Q1) = 100 KOHM;ROFF(Q2)=10 10OHMS.ID corriente de la fuente VDD =0.05nA, Y PD = 5v*0.05nA = 0.25 nW 2.- VIN = 5V:RON(Q1) = 100 KOHM;ROFF(Q2)=1KHMS.LA ID = 5v/101k=50uA, Y PD = 5 * 50Ua = 0.25 mW.

FAMILIA LOGICA CMOS.

La familia lgica MOS complementaria (CMOS) utiliza los mosfet de canal p y n, la CMOS es ms rpida y consume menos enrga que la otras familias lgicas al usar este tipo de transistores, aunque es muy complejo su proceso de fabricacin, sin embrago la CMOS ha crecido dentro del rea del MSI. El proceso de fabricacin es ms simple que el del TTL. CARACTERISTICAS BASICAS. Voltaje de suministro de energa. Algunos circuitos CMOS por ejemplo la serie 4000A el volteje VDD = 3-15Vy otros dispositivos de la serie 4000B operan con valores de 3-18V. Niveles de voltaje. Los requisitos de voltaje de entrada de los dos estados lgicos de un CMOS se especifican como un porcentaje del voltaje de suministro VDD como se muestra en la siguiente tabla: VOLTAJE VDD VOH VIH VOL VIL MINIMO 3V VDD 70% VDD --MAXIMO 18V --0V 30% VDD

Margenes de ruido. Segun la tabla anterior los margenes de ruido se calculan de la siguiente manera: VNH = VOH(min) - VIH(min) VNH = VDD - 70% VDD VNH = 30% VDD Disipacin de energa. Cuando un circuito CMOS se encuentra en estado esttico, su disipacin de energa es baja. aunque en condiciones normales de operacin es muy bueno. Velocidad de transicin. La velocidad de transicin es relativamente rpida debido a su muy baja imppedancia de salida en cada estado. Entradas que no se usan. Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas. Todas las entradas CMOS tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje, o bin a otra entrada. Susceptibilidad a cargas estticas. La alta impedancia en la entrada las hace especialmente propensas a una acumulacin de cargasa estticas y as producir voltajes altos que daen el aislamiento electrosttico entre la compuerta y el canal del MOSFET. Dentro de otras caractersticas que presenta la serie CMOS se encuentran los tiempos de transicin de entrada y el factor de carga (fan-out) INTERFACES CMOS/TTL Dentro de las interfaces de CMOS a TTL se utiliza el trmino de sincronizacin, sincronizacin es aquel circuito que toma la seal de salida de un circuito impulsor de tal manera de hacerlo compatible con los requisitos de carga. Dentro de esta gama de interfaces se encuentra una de la cual es muy importante se trata de CMOS conduciendo a TTL; en el cual la entrada CMOS es mul alta, referiendose al trmino de impulsor este no se cargara, esto es a grandes rasgos parte de las interfaces existe otra que es la de CMOS de alto voltaje impulsado por TTL VNL = VIL(MAX)- VOL(MAX) VNL= 30% VDD -0 VNL = 30%VDD

Familias TTL y CMOS

La compuerta TTL fue una mejora introducida a la compuerta DTL. Los parmetros ms importantes de las compuertas TTL son el retardo de propagacin (ns), la disipacin de potencia

(mW), y el producto velocidad -potencia (pJ). El producto velocidad-potencia indica un retardo en la propagacin con una disipacin de potencia determinada.

Caractersticas Generales de los Circuitos Digitales

Las caractersticas de un circuito digital se usan con el fin de comparar las compuertas de las distintas familias lgicas. Estas se listan a continuacin:

o o o

Fan Out (Cargabilidad de salida): Es el mximo nmero de cargas que pueden ser gobernadas en la salida de la compuerta sin alterar su operacin normal. Fan In (Cargabilidad de entrada): Es el mximo nmero de entradas que puede tener una compuerta. Tensin de Umbral: Una curva de transferencia de una puerta lgica inversora se muestra en la figura 9.1.1. En la figura se distinguen dos tensiones de umbral; la primera para el estado lgico cero (Vu, 0) y la segunda para el estado lgico uno (Vu, 1). Los puntos de pendiente -1 representan estas tensiones de umbral . Por lo tanto, la tensin de umbral es la tensin en la que la compuerta comienza a cambiar de estado lgico. Margen de ruido: Es el lmite de tensin de ruido admisible a la entrada del elemento lgico, sin registrar cambios en el estado de la salida. Existen dos mrgenes de un ruido, uno para el estado lgico uno y otro para el estado lgico cero.

Figura 9.1.1. Curva de transferencia de un circuito lgico inversor Vsal, 0 mx = Mxima tensin en la salida de una compuerta cuando su estado lgico es cero y con cargabilidad de salida mxima. Vsal, 1 mn = Mnima tensin a la salida de una compuerta cuando su estado lgico es uno y con cargabilidad mxima posible. Vu, 0 = Tensin de umbral del estado lgico de entrada cero. Vu, 1 = Tensin de umbral del estado lgico de entrada uno. En circuitos digitales es comn conectar dos puertas de las mismas caractersticas, una enseguida de otra, tal como indica la figura 9.1.2. Por consiguiente, la tensin mxima de entrada en estado cero VE,0 mx, es equivalente a la mxima tensin de salida en estado cero Vs,0 mx. De igual forma, la tensin mnima de entrada en estado uno VE,1 mn es igual a la tensin

mnima de salida en estado uno Vs,1 mn.

Figura 9.1.2. Compuertas Lgicas Interconectadas. Los margenes de ruido se definen de la forma siguiente: Margen de ruido en estado cero a la entrada: Es la diferencia entre Vu, 0 y VE,0 mx. M0 = Vu, 0 - VE,0 mx = Vu, 0 - Vs,0 mx Margen de ruido en estado uno a la entrada: Es la diferencia entre VE,1 mn y Vu, 1. M1 = VE,1 mn - Vu, 1 = Vs,1 mn - Vu, 1

o o

Tiempo de programacin medio (tpd): Es el tiempo de retardo promedio en la transicin de una seal de la entrada a la salida en los casos que esta pasa del estado 1 a 0 y viceversa. Potencia disipada: Es la potencia consumida por la compuerta. La disipacin de potencia en funcin de la frecuencia de una compuerta TTL es constante dentro del rango de operacin. En cambio, la compuerta CMOS depende de al frecuencia (ver figura 9.1.3).

Figura 9.1.3. Curva de potencia en funcin de la frecuencia

Producto potencia dispada-tiempo de propagacin: Es el producto de los dos tipos de caractersticas mencionadas.

La velocidad de la compuerta es inversamente proporcional al retardo de propagacin.

Familia TTL (Lgica de Transistor - Transistor)

Esta fue la primera familia de xito comercial, se utiliz entre 1965 y 1985. Los circuitos TTL utilizan transistores bipolares y algunas resistencias de polarizacin. La tensin nominal de alimentacin de los circuitos TTL son 5 V DC.

Niveles Lgicos TTL En el estudio de los circuitos lgicos, existen cuatro especificaciones lgicos diferentes: VIL, VIH, VOL y VOH. En los circuitos TTL, VIL es la tensin de entrada vlida para el rango 0 a 0.8 V que representa un nivel lgico 0 (BAJO). El rango de tensin VIH representa la tensiones vlidas de un 1 lgico entre 2 y 5 V. El rango de valores 0.8 a 2 V determinan un funcionamiento no predecible, por la tanto estos valores no son permitidos. El rango de tensiones de salida VOL, VOH se muestra en la figura 9.1.4.

Figura 9.1.4. Nivel lgico de entrada de un circuito TTL

Circuitos Lgicos CMOS (Metal xido Semiconductor Complementario) La tecnologa CMOS es la ms utilizada actualmente para la construccin de circuitos integrados digitales, como las compuertas, hasta los circuitos como las memorias y los microprocesadores. La tensin nominal de alimentacin de los circuitos CMOS son +5 V y +3,3 V.
Niveles Lgicos CMOS En la figura 9.1.5. se muestran las tensiones VIL, VIH, VOL, VOH vlidas para los dispositivos CMOS de nivel +5 VDC.

Figura 9.1.5. Nivel Lgico de Entrada de un circuito CMOS +5 V __ Configuracin de Salidas en las Familias TTL y CMOS El funcionamiento interno de estos dispositivos se rige por dos estados bien diferenciados a los cuales se les asigna los valores lgicos uno o cero. La convencin es asignar el valor lgico uno al interruptor y el valor lgico cero al interruptor abierto. En lugar de interruptores se usan transistores bipolares o unipolares.

Configuraciones de Salida en las Compuertas TTL

Las compuertas TTL tienes tres tipos de configuraciones de salida: 1. 2. 3. Salida de Colector Abierto. Salida de Poste Totmico. Salida de Tres Estados.

Compuerta con Salida de Colector Abierto La compuerta bsica TTL fue una modificacin DTL. La figura de la compuerta citada se muestra en la figura 9.2.1.

Figura 9.2.1. Compuerta NAND TTL de colector abierto La resistencia externa RL debe conectarse para que la salida hale hacia el nivel alto, cuando el transistor Q3 est en corte. Si cualquiera de los niveles lgicos de entrada es cero, la juntura base-emisor en Q1 se polariza directamente. Por consiguiente, la tensin en la base Q1 es igual a: 0.2 V(Tensin de entrada) + 0.7(VbeQ1) = VbQ1 = 0.9 V El transistor Q3 comienza a conducir cuando la suma de las cadas de tensin de VbcQ1, VbeQ2 y VbeQ3 sean superiores a 1.8 V. Como la tensin en VbQ1 es 0.9.V, el transistor Q3 queda en estado de corte. Por lo tanto, s se conecta una resistencia al colector, la tensin de salida ser un 1 lgico. Si todos los niveles lgicos de entrada son 1, los transistores Q2 y Q3 se saturan debido a que la tensin en la base de Q1 es superior a la suma de las cadas de tensin VbcQ1, VbeQ2 y VbeQ3. Entonces el estado de salida es igual a cero lgico (0).

Compuerta con Salida de Tipo Totmico (Totem Pole) Las compuertas se caracterizan por tener una impedancia de salida determinada. Esta impedancia se compone de una resistencia ms una capacitancia. La capacitancia se carga exponencialmente de bajo a alto segn la constante de tiempo RC, cuando el transistor de salida pasa de bajo a alto. La diferencia entre una compuerta de colector abierto y una de tipo totmico radica en el transistor Q4 y el diodo D1.

Figura 9.2.2. Compuerta TTL de salida tipo totmico La salida es baja cuando Q2 y Q3 se encuentran en saturacin como en la compuerta de colector abierto. La ecuacin siguiente expresa el valor de la tensin en el colector de Q2: 0.7(VbeQ3) + 0.2 V(VceQ2) = VcQ2 = 0.9 V Como F = VceQ3 = 0.2 V, el transistor Q4 est en corte por: 0.6 V(VbeQ4) + 0.6 V(VD1) < 0.11 V(VcQ2 VbQ4) ya que VcQ2 = VbQ4 . Por lo tanto Q4 est en corte. El diodo se coloca para provocar una cada en el lazo y asegurar el corte de Q4 con Q3 saturado. En una transicin de estado lgico 1 en la salida por causa de cambio en la entrada a 0, los transistores Q2 y Q3 se cortan. En este caso, la salida se mantiene un instante de tiempo baja debido a que el voltaje en el condensador no puede cambiar instantneamente. En el momento que Q2 entra en corte, Q4 conduce por el voltaje conectado a su base a travs de la resistencia de 1.6 KW. El transistor Q4 se satura momentneamente por la corriente exigida por el condensador, incrementndose el voltaje de acuerdo a una constante de tiempo RC. El proceso anterior es rpido por la baja resistencia equivalente entre 130 KW, la resistencia de saturacin del transistor y la resistencia del diodo. Por consiguiente, la transicin de un valor lgico bajo a uno alto es ms rpida. En la medida de acumulacin de carga a la salida, el voltaje de salida la corriente por el transistor Q4 disminuye, por lo que ste pasa a la regin activa. Entonces, el voltaje de salida es: F = 5 - 0.6 V(VbeQ4) - 0.6 V(VD1) = 3.6 V Compuerta con Salida de Tres Estados (Triestado) Las compuertas de tres estados por su construccin se clasifican en TTL y CMOS. La compuerta de tres estados se presenta en las compuertas de tipo totmico que permiten la

conexin alambrada de las salidas para formar un bus comn. Las compuertas de tres estados tienen los siguientes estados de salida: 4. 5. 6. Un estado de bajo nivel (0). Un estado de alto nivel (1). un estado de alta impedancia o estado flotante (Z).

En la figura 9.2.3. se muestran los smbolos de las compuertas.

Figura 9.2.3. Compuertas de tres estados La compuerta de tres estados funciona normalmente con la entrada B1 en alto. La compuerta inversora de tres estados se activa en su funcionamiento con la entrada B2 en bajo. Cuando la entrada C es baja, la salida es un circuito abierto con con una impedancia alta, independiente del valor lgico en la entrada A1 (Ver figura Figura 9.2.3.a). En el estado Z no existe posibilidad de circulacin de corriente en ningn sentido. En la tabla 9.2.1. se indican los valores de salida para estas dos compuertas.
A1 B1 C1 A2 B2 0 1 0 1 0 0 1 1 Z Z 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 C2 0 1 Z Z

Tabla 9.2.1. Compuertas TTL de tres estados Compuerta de Tres Estados TTL El circuito en estado Z se basa en bloquear los dos transistores de la salida Totem- Pole a la vez cuando se active la entrada de control. La figura 9.2.4. muestra el inversor TTL 3-State. La entrada B2 en alto, hace que el transistor T5 se corte; por lo tanto la corriente base colector de T5 satura los transistores T6 y T7. El diodo D6 conduce y esto produce que los transistores de salida del circuito se corten, debido al potencial bajo en el emisor de T1 y el colector de T2. La conduccin de T1, bloquea a T2 y T4 no recibe corriente en la base, por lo que entra a estado de corte. De otro lado, el colector del transistor T2 queda a un potencial muy prximo a masa, llevando a T3 a corte.

Figura 9.2.4. Circuito Inversor de tres estados TTL Compuerta de Tres Estados CMOS En el circuito CMOS de la figura 9.2.5., el estado de la salida es igual a la entrada slo si la entrada B1 est en nivel alto (1). Cuando la entrada B1 est en nivel bajo (0), la salida se encuentra en nivel de impedancia alta (Z) y es independiente del nivel de entrada A1. En el funcionamiento del circuito interno de la figura 9.2.5., en el estado de entrada B1=0 conduce el transistor QP1 (canal P) y la activacin de este elemento hace conducir a QN3 (canal N); por lo tanto el drenador QN3 queda a un potencial de 0 V y esto sita al transistor QN5 en estado de corte. El potencial de 0 V en la puerta del transistor QP3 hace conducir a ste, colocando al transistor QP5 en estado de corte. En este estado de la entrada de control, los transistores de salida QP5 y QN5 estn en corte y el terminal de salida queda en estado de alta impedancia o tercer estado. Cuando la entrada B1 est en nivel bajo (1), el estado de salida es igual de la entrada, tal como se deduce del funcionamiento del circuito. Si la compuerta tiene estado de entrada A1=1, conduce el transistor QP5 y QN5 entra en corte, lo cual hace la salida C1 igual a 1. Cuando A1=0, conduce el transistor QN5 y QP5 entra en corte, lo cual hace la salida C1 igual a 0.

Figura 9.2.5. Circuito de tres estados CMOS __ Las compuertas se encuentran disponibles segn la tecnologa de fabricacin.

Familia CMOS
Inversor Un dispositivo CMOS consiste en distintos dispositivos MOS interconectados para formar funciones lgicas. Los circuitos CMOS combinan transistores PMOS y NMOS. El conocimiento sobre el funcionamiento de los transistores MOS es importante para la comprensin de la leccin. La convencin de los transistores MOS de canal p y canal n es la siguiente:

Figura 9.3.1. Smbolos para transistores MOS La operacin del transistor MOS se basa en los siguientes preceptos bsicos: 1. 2. 3. El transistor MOS de canal p conduce cuando el voltaje de puerta a fuente es negativo. El transistor MOS de canal n conduce cuando el voltaje de puerta a fuente es positivo. Cualquiera de los dos dispositivos entra a corte cuando el voltaje de puerta a fuente es cero.

El circuito mostrado en la figura 9.3.2. representa un inversor CMOS y est formado por un transistor de canal tipo P(QP1) y otro de canal tipo N(QN1). Cuando la entrada A1 est en nivel bajo (0), QP1 y QN1 estn a potencial cero. La entrada est a 0 V con respecto a la fuente de QN1 y a -VSS con respecto a la fuente de QP1. Como resultado el transistor QP1 se activa y el transistor

QN1 se pone en estado de corte. El resultado es un camino de baja impedancia de VSS a la salida F y uno de alta impedancia de tierra a la salida. Cuando la entrada A1 est en nivel alto (1), QP1 y QN1 estn a potencial VSS. Como resultado el transistor QP1 se pone en estado de corte y el transistor QN1 se activa. El resultado es un camino de baja impedancia de tierra a la salida y uno de alta impedancia de VSS a la salida F. La tabla 9.3.1. ilustra los estados en el circuito lgico.
A1 0 1 Q1 ON OFF Q2 F

OFF 1 ON 0

Tabla 9.3.1. Tabla de Estados del Inversor CMOS

Figura 9.3.2. Circuito lgico de un inversor CMOS Compuerta NAND En una compuerta NAND CMOS, las entradas en nivel alto, hacen que los transistores QP1 y QP2 entren en corte y ambos transistores QN1 y QN2 en conduccin (Ver Tabla 9.3.2). La salida pasa a bajo (0) a travs de QN1 y QN2. Cuando ambas entradas estn en bajo, QP1 y QP2 entran a conduccin y QN1 y QN2 entran a corte. La salida pasa a alto a travs de QP1 y QP2. En las parejas de transistores ya sean de canal n de canal p, si cualquier entrada es baja, uno de los transistores entra a corte y otro a conduccin. La salida pasa a alto (1) acoplandose a travs del transistor en conduccin a VSS. El circuito mostrado en la figura 9.3.3. representa una compuerta NAND CMOS.
A1 0 0 1 1 B1 0 1 0 1 QP1 ON ON OFF OFF QP2 ON OFF ON OFF QN1 OFF OFF ON ON QN2 F

OFF 1 ON 1

OFF 1 ON 0

Tabla 9.3.2. Tabla de estados de la compuerta NAND CMOS

Figura 9.3.3. Circuito lgico de la compuerta NAND CMOS Las entradas no usadas de una compuerta CMOS no se pueden dejar abiertas, porque la salida resulta ambigua. Cuando sobra alguna entrada de una compuerta CMOS se debe conectar a otra entrada o a uno de los dos terminales de alimentacin. Esto tambin es vlido para circuitos secuenciales y dems circuitos CMOS. Ejemplo: Contadores, Flip-Flops, etc. Compuerta NOR En una compuerta NOR CMOS, las entradas en nivel alto, hacen que los transistores QP1 y QP2 entren en corte y ambos transistores QN1 y QN2 en conduccin (Ver Tabla 9.3.3). La salida pasa a bajo (0) a travs de QN1 y QN2. Cuando ambas entradas estn en bajo, QP1 y QP2 entran a conduccin y QN1 y QN2 entran a corte. La salida pasa a alto (1)a travs de QP1 y QP2. En las parejas de transistores ya sean de canal n de canal p, si cualquier entrada es baja, uno de los transistores entra a corte y otro a conduccin. La salida pasa a bajo ( 0) acoplandose a travs del transistor en conduccin a tierra. El circuito mostrado en la figura 9.3.4. representa una compuerta NOR CMOS.
A1 0 0 1 1 B1 0 1 0 1 QP1 ON ON OFF OFF QP2 ON OFF ON OFF QN1 OFF OFF ON ON QN2 F

OFF 1 ON 0

OFF 0 ON 0

Tabla 9.3.3. Tabla de estados de la compuerta NOR CMOS

Figura 9.3.4. Circuito lgico de la compuerta NOR CMOS

Familia TTL
INVERSOR La descripcin de los elementos del inversor lgico de la figura 9.3.5. se muestra en la tabla 9.3.4. Cuando la entrada E es alta (1), la unin base-emisor de Q1 se polariza inversamente y la unin base colector se polariza directamente. La circulacin de corriente por esta juntura provoca la saturacin del transistor Q2. El transistor Q2 excita a Q3, acercndose el potencial de colector de ste a tierra. La tensin de colector de Q3, bloquea el transistor Q4. Cuando la entrada est en nivel bajo (0), la unin base-emisor de Q1 se polariza directamente y la unin base colector se polariza inversamente. La circulacin de corriente por esta juntura tiene el sentido hacia tierra. Q2 entra en estado de corte por la ausencia de circulacin de corriente en su base. Por lo tanto, el colector del transistor Q2 est en nivel alto y hace entrar en conduccin a Q4. La saturacin de Q4 permite un nivel lgico 1 en la salida. El potencial de tierra en el emisor de Q2 impide la conduccin de Q3.
Dispositivo Q1 D1 Q2 Q3 y Q4 Descripcin Transistor de acoplamiento Diodo de fijacin de nivel de entrada Transistor divisor de fase Transistores Totem Pole

Tabla 9.3.4. Tabla descriptiva de los elementos del inversor

Figura 9.3.5. Circuito lgico de un inversor lgico TTL NAND La compuertas NAND se detall en la leccin de configuraciones de salida TTL. Comparacin entre las Distintas Familias Lgicas Las caractersticas vistas en la leccin 1 se utilizan usualmente para comparar las distintas familas lgicas. Las caractersticas estticas y las dinmicas sirven de buen comparacin entre las familias lgicas. La compuerta NAND sirve de comparacin entre cada familia.

Caractersticas Estticas
Entre las caractersticas estticas escogidas se encuentran:

o o o o o
Funcin de Transferencia

Funcin de transferencia. Caractersticas de entrada. Caractersticas de salida. Cargabilidad de salida (Fan-Out). Disipacin de potencia.

La funcin de transferencia de tecnologa CMOS se aproxima ms a la ideal en comparacin con la tecnologia TTL. Entre las razones ms importantes se encuentran los estados bajo ( 0) y alto (1) sin carga, el umbral de conmutacin y el margen de transicin nulo. Caractersticas de Entrada Los estados en los niveles de tensin de entrada y salida se explicaron en la leccin 1. En la familia TTL los niveles lgicos bajos son ms importantes que los niveles altos. De las grficos 9.1.4. y 9.1.5. se puede concluir la preferencia de un valor VILmx lo ms elevado posible y un valor VIHmn lo ms reducido posible. Caractersticas de Salida Las entradas de las compuertas CMOS nunca deben dejarse flotantes. La estructura de entrada de un elemento TTL contiene una resistencia que proporciona un camino a Vss. La estructura de los dispositivos CMOS no contiene la resistencia y tiene una impedancia de entrada extremadamente alta. Por la anterior, un ruido pequeo hace que la entrada sea baja alta. En el caso de un ruido

entre el nivel lgico 0 y 1, los dos transistores de entrada pueden estar en conduccin y puede circular una corriente excesiva. En ocasiones la corriente afecta la fuente de tensin y crea una oscilacin de alta frecuencia en la salida del dispositivo. Segn especificacin del fabricante es necesario conectar la entrada de estos dispositivos a Vss, tierra u otra fuente. Las figuras 9.1.4. y 9.1.5. establecen la diferencia de salida entre las familias TTL y CMOS. Cargabilidad de Salida (Fan-Out) La cargabilidad se puede establecer de acuerdo a nmero mximo de cargas que se pueden conectar a la salida de una compuerta, para una tensin de salida a nivel bajo de 0.3 V (VOL= 0.3 V). La referencia 4000B tiene un fan - out menor en comparacin a la familia TTL estndar. Disipacin de Potencia Por razones econmicas predominan los dispositivos de baja disipacin de potencia. La diferencia de potencia CMOS es un milln de veces menor a la familia TTL.

Caractersticas Dinmicas
La caracterstica dinmica de una familia lgica es el comportamiento del dispositivo ante la conmutacin. Las caractersticas dinmicas ms importantes son:

o o

Retardo de propagacin y frecuencia mxima de funcionamiento. Disipacin de potencia en conmutacin. (familia CMOS).

Retardo de propagacin y frecuencia mxima de funcionamiento El diseo de un sistema digital de un regimen de trabajo a alta velocidad debe incluir un tiempo de retardo de propagacin de compuertas bajo. Lgicamente, un menor retardo de propagacin se traduce en una mayor frecuencia mxima de funcionamiento. El tiempo de propagacin medio (tPD) se mide en nS y la mxima de frecuencia de funcionamiento en MHz. En la tabla 9.4.1. se muestran los tiempos de la familias lgicas TTL y CMOS. Disipacin de Potencia en Conmutacin En la familia CMOS, la disipacin de potencia se da prcticamente en rgimen de conmutacin. La mayor disipacin de potencia en regimen esttico ocurre en la familia TTL. La tabla 9.4.1. muestra algunas caractersticas de las compuertas TTL y CMOS.
Caractersticas F TTL CMOS 3,3 V CMOS 5 V AHC 3,7

LS ALS LV LVC ALVC HC AC 7 9 4,3 3 150 24 7 5

Retardo de Propagacin de puerta, tp (ns) 3,3 10 Frecuencia mxima de reloj (MHz) Excitacin de salida IOL(mA)

145 33 45 20 8 8

90 100 12 24

50 160 170 4 24 8

Tabla 9.4.1. Caractersticas de Compuertas TTL y CMOS Compuerta de Transmisin CMOS

La compuerta de transmisin es un dispositivo utilizado como interruptor controlado por tensin. Generalmente se emplean transistores para cumplir la funcin de interrupcin y existen compuertas en tecnologa NMOS, PMOS y CMOS. Compuerta de transmisin NMOS

La compuerta NMOS corresponde a un transistor MOS de canal N conectado en la configuracin que se muestra en la figura 9.5.1. En la figura se observa que la fuente se encuentra conectada a tierra. Este transistor puede conducir corriente en cualquiera de sus dos direcciones (Vsal/Vent o viceversa) cuando la tensin en la compuerta (VG) supere la tensin de umbral para encenderlo, es decir, aplicando un 1 lgico.

Figura 9.5.1. Compuerta de Transmisin NMOS Compuerta de transmisin PMOS El transistor MOS de canal P conectado en la configuracin de la figura 9.5.2 funciona como compuerta de transmisin. Su funcionamiento es similar a la compuerta de transmisin NMOS, excepto que la lgica que maneja para entrar en conduccin es inversa, es decir que la tensin en la compuerta (VG) debe ser negativa para encender el transistor, en este caso la seal aplicada corresponde a un 0 lgico.

Figura 9.5.2. Compuerta de Transmisin PMOS Compuerta de transmisin CMOS Esta compuerta agrupa algunas caractersticas de las compuertas de transmisin NMOS y PMOS. En la figura 9.5.3 (a) se ilustra el circuito de esta compuerta, observe que esta compuerta contiene un transistor NMOS, un PMOS y un Inversor.

Figura 9.5.3. Compuerta de transmisin CMOS El inversor es empleado para tener una sola seal de control para encender o apagar los transistores. Cuando VC se encuentra en bajo (0 lgico) el transistor NMOS se apaga al igual que el transistor PMOS, anlogamente, si la tensin VC cambia alto (1 lgico), los transistores se encenderan. Existe otra representacin de esta compuerta de transmisin, la cual se ilustra en la figura 9.5.3 (b). Note que la compuerta no tiene incluido el inversor y que las seales de control son C y C'. Otra opcin de representacin se muestra en la figura 9.5.3 (c). FAMILIAS LGICAS BSICAS A partir de ahora, entraremos en lo que realmente es la electrnica digital. Para ello, comenzaremos por descubrir cmo estn diseadas, electrnicamente, las puertas lgicas, as como describiremos las primeras familias lgicas que dieron lugar a las distintas puertas. Antes de abordar lo que es el diseo de las puertas lgicas, hay que dejar claros algunos conceptos que aparecern a partir de ahora. Desde un punto de vista electrnico, en un sistema de continua o nivel lgico, un bit se caracteriza por uno de los dos niveles de tensin, es decir, las variables vendrn en la forma de una tensin que puede ser alta o baja. As, se definen dos niveles de tensin, a uno le corresponder el 1 lgico y al otro el 0 lgico. Por lo tanto, tendremos dos clases de lgicas: Si la tensin ms positiva es el nivel 1, y la otra es el nivel 0, se dice que el sistema emplea lgica positiva. Si, por el contrario, se designa al nivel 1 el estado de tensin ms negativo y el ms positivo al 0 lgico, entonces diremos que estamos ante una lgica negativa.

Puerta lgica OR diseada con ambas lgicas, positiva y negativa

La puerta AND en lgica negativa utiliza el mismo circuito de la puerta OR en lgica positiva Cabe destacar que los valores absolutos de las dos tensiones no tienen significado en estas definiciones. Por ejemplo, el estado 0 no representa necesariamente el nivel de tensin 0. Los niveles digitales no se especifican con precisin sino que cada estado se define con un margen de tensiones dentro de cada nivel. Esto se debe a varias razones: 1.Los parmetros de un dispositivo fsico, como puede ser un transistor, no son idnticos de un elemento a otro, an perteneciendo a la misma familia; adems, varan con la temperatura. 2.Puede haber rizado o picos de tensin en la fuente de alimentacin o en las tomas de tierra, as como otras fuentes de seal perturbadoras que representan lo que se denomina ruido del circuito. Para entender cmo puede hacer variar a una puerta un cambio de lgica, estudiaremos el caso de una puerta AND. Llamaremos L al nivel bajo de tensin y H al nivel alto. En lgica positiva nos dara: ABSSAB LLL000 LHL010 HLL100 HHH111 Si ahora lo pasamos a lgica negativa resultar: ABSABS LLL111

LHL101 HLL011 HHH000 Si nos fijamos en ambas tablas de verdad, observaremos que en lgica positiva la puerta que se define es una AND; mientras que, por el contrario, en la segunda tabla la funcin definida es una OR. Por consiguiente, a la hora de disear nuestra puertas lgicas, hemos de tener en cuenta si vamos a actuar con lgica positiva o negativa. La familia lgica de diodos Esta lgica es la ms sencilla de todas y est basada en la conduccin o no de los diodos. Se construyen empleando bsicamente diodos. Observemos una puerta OR en lgica negativa. Las resistencias que aparecen delante de los diodos son las que incorpora el propio generador de tensin. Consideremos, primero, el caso en que la tensin presente en las entradas A, B y C, tenga un valor igual a la tensin del nivel 0; entonces, la diferencia de potencial en cada uno de los diodos ser 0. Como para que cada diodo conduzca es preciso que est polarizado en sentido directo con un valor superior a su tensin umbral, ninguno de los diodos conducir. Por lo tanto, la tensin que hay en la salida es la tensin del nivel 0, es decir, habr un 0 lgico en su salida. Si ahora la entrada A pasa al estado 1, lo cual para la lgica negativa significa el potencial menos positivo que en el estado 0, entonces D1 conducir y, por lo tanto, la tensin que habr en la salida ser la misma que hay en la entrada A ms la tensin umbral del diodo. De manera que en la salida tendremos un 1 lgico. Si considerramos el caso de una puerta AND en lgica negativa nos daramos cuenta de que tiene el mismo funcionamiento que una puerta OR en lgica positiva. De hecho, si comparamos ambas figuras, veremos que el circuito de una AND en lgica negativa y una OR en lgica positiva es el mismo. La desventaja de esta familia lgica es que, si se empalman varias puertas de diodos seguidas, hay un desplazamiento de los niveles lgicos a causa de las cadas de tensin producidas en los diodos que conducen. Otro de los inconvenientes que tiene es que no se puede construir la puerta NOT. La lgica DCTL y RTL La lgica de transistores directamente acoplados o DCTL (Direct Coupled Transistor Logic) se basa en las condiciones de corte y saturacin de un transistor. A cada una de las puertas se le hace corresponder un transistor que permitir o no el paso de corriente hacia la salida segn el nivel en que se encuentre su entrada correspondiente.

La lgida DCTL se basa en la propiedad de los transistores de corte y saturacin Para mostrar cmo funciona dicha lgica pondremos un ejemplo. Consideremos primeramente que todas las entradas se hallan a nivel 0 y que estamos en lgica positiva. Puesto que la tensin colector-emisor de un transistor de silicio saturado es de 0,2 V, y su tensin umbral es de 0,5 V, el transistor Q1 conducir muy poco. En consecuencia, la corriente en Q1 es casi cero y la salida tiende a alcanzar la tensin de alimentacin +V, quedando la salida fijada en una tensin basede 0,8 V para el silicio. Por consiguiente, con todas las entradas en el estado 0, la salida est a nivel alto. Si consideramos que la entrada A est a nivel 1, el transistor Q1 estar en saturacin, y la salida ser la tensin colector-emisor de un transistor saturado, si es de silicio 0,2 V. Luego, la salida estar a nivel bajo. Los inconvenientes en esta familia lgica son: Las corrientes inversas de saturacin de todos los transistores de entrada se suman a la resistencia R del circuito del colector comn y, a determinadas temperaturas, la cada de tensin puede ser tan baja que los transistores no saturen. Las diferentes caractersticas en los transistores pueden llegar a pertubar el buen funcionamiento de la puerta. Para solucionar este problema se crearon las puertas RTL, que consisten en el mismo tipo de circuito pero aadiendo unas resistencias en las bases de los transistores de las entradas. El funcionamiento es anlogo a las DCTL.

Puerta RTL

3.8.4Aplicacin de compuertas lgicas. 3.9 Lgica secuencial.

Los circuitos digitales que hasta ahora se han considerado, han sido combinacionales, esto es, las salidas en cualquier momento dependen por completo de las entradas presentes en ese tiempo. Aunque cualquier sistema digital es suceptible de tener circuitos combinacionales, la mayoria de los sistemas que se encuentran en la practica tambien incluyen elementos de memoria, los cuales requieren que el sistema se describa en terminos de Logica Secuencial. Un diagrama a bloques de un circuito secuencial consta de un circuito combinacional al que se conectan elementos de memoria para formar una trayectoria de retroalimentacion. Los elementos de memoria son dispositivos capaces de almacenar dentro de ellos informacion binaria.La informacion binaria almacenada en los elementos de memoria en cualquier dado se define como el estado del circuito secuencial. El circuito secuencial recibe informacion binaria de entradas externas. Estas entradas, junto con el estado presente de los elementos de memoria, determinan el valor binario en las terminales de salida. Tambien determinan las condiciones para cambiar el estado en los elementos de memoria. Hay dos tipos principales de circuitos secuenciales. Su clasificacion depende del temporizado de sus seales. Un circuito secuencial sincrono es un sistema cuyo comportamiento puede definirse por el conocimiento de sus seales en instantes discretos de tiempo. El comportamiento de un circuito secuencial asincrono depende del orden en el cual cambian sus seales de entrada y puede afectarse en cualquier instante de tiempo.Los elementos de

memoria que por lo comun se utilizan en los circuitos secuenciales asincronos son dispositivos de retardo de tiempo.La capacidad de memoria de un dispositivo de retardo de tiempo se debe al hecho de que toma un tiempo finito para que la seal se propague a travez del dispositivo. Un sistema logico secuencial asincrono, por definicion, debe emplear seales que afecten los elementos de memoria solo en instantes discretos de tiempo. Una forma de lograr este objetivo es usar pulsos de duracion limitada a travez del sistema, de modo que una amplitud de pulso represente la logica 1 y otra amplitud (o la ausencia de pulso) represente la logica 0. Los sistemas logicos secuenciales sincronos utilizan amplitudes fijas, como niveles de voltaje para seales binarias. La sincronizacion se logra a travez de un dispositivo sincronizador llamado reloj maestro generador, el cual genera un tren periodico de pulsos de reloj.Los pulsos de reloj se distribuyen a travez del sistema de tal forma que los elementos de memoria estan afectados solo por la llegada del pulso de sincronizacion. Los elementos de memoria que se utilizan en los circuitos secuenciales de reloj se llaman flip-flops estos circuitos son celdas binarias capaces de almacenar un bit de informacon. Un circuito flip-flop tiene dos salidas, una para el valor normal y otra para el valor complementario del bit almacenado en el. la informacion binaria puede entrar a un flip-flop es una gran varidead de formas, hecho que da lugar a diferentes tipos de flip-flops. ELEMENTOS BIESTABLES
Dentro de los circuitos lgicos que se han estado analizando por lo regular son circuitos en el cual la salida depende de lo que en ese momenrto se tenga a la entrada sea que no tienen la capacidad de guardar un cambio hecho en diferente lapso del tiempo. En la siguiente figura se muestra un sistema digital en el cual se relacionan compuertas lgicas con dispositivos de memoria, dentro del cual se analizar los elementos de memoria bsicos en cual quier circuito que son los biestables ( flip-flops).

En la siguiente figura se presenta un circuito bsico de un flip-flop con compuertas NAND:

Su tabla de verdad es la siguiente: S R Q Q' 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1( despues que S=1,R=0) 0 0(despues que S=0,R=1) 1

3.9.1Flips-flops.
Un circuito flip-flop puede mantener un estado binario en forma indefinida (en cuanto se suministre potencia al circuito) hasta que recibe la direccion de una seal de entrada para cambiar de estado.La diferencia principal entre los diversos tipos de flip-flops esta en el numero de entradas que poseen y en la manera en la cual las entradas afectan el estado binario. Circuito Basico Flip-Flop Como ya se menciono anteriormente, estos circuitos pueden construirse con compuertas NAND o dos compuertas NOR. Cada circuito forma un flip-flop basico, La conexion y el acoplamiento cruzado mediante la salida de una compuerta a la entrada de otra constituye una trayectoria de retroalimentacion. Por esta razon los circuitos se clasifican como secuenciales asincronos. Cada flip-flop tiene dos salidas Q y Q', y dos entradas, SET para ajustar y RESET para restaurar. A este tipo de flip-flop se les llama RS directamente acoplado o seguro. Un flip-flop tiene dos estados utilies, cuando Q=1 y Q'=0, esta en el estado ajuste (o estado 1). Cuando Q=0 y Q'=1, esta en el estado despejado (o estado 0). Las salidas Q y Q' son complementarias la una de la otra y se refieren como las salidas normal y complementaria, respectivamente. El estado binario del flip-flop se toma para que sea el valor de la salida normal. Bajo operacion normal, ambas entradas permanecen en 0 a menos que tenga que cambiarse el estado de flip-flop. La aplicacion de un 1 momentaneo a la entrada de ajuste provoca que el flip-flop pase al estado ajuste. La entrada ajuste debe volver a 0 antes de que un 1 se aplique a la entrada restaurar. Un 1 momentaneo aplicado a la entrada de restaurar causa que el flip-flop vaya al estado despejado. caundo ambas entradas son inicialmente 0, un 1 aplicado a la entrada de puesto mientras el flip-flop esta en el estado despejado deja las salidas sin cambio. cuando se aplica un 1 a ambas entradas de ajuste y restaurar, ambas salidas pasan a 0, este estado del flip-flop es indefinido y por lo tanto se evita. si ambas entradas ahora van a 0, el estado del flip-flop es indeterminado y depende de cual entrada permanezca en 1 mas tiempo de la transicion a 0.

FLIP-FLOP D

El flip-flop D es una modificacion del RS con reloj. Las compuertas NAND 1 y 2 forman un flip-flop basico y las compuertas 3 y 4 se modifican para formar un flip-flop RS son reloj. La entrada D va en forma directa a la entrada S y su complemento, a traves de la compuerta 5, se aplica a la entrada R. En tanto que el pulso de reloj en la entrada este en 0, las compuertas 3 y 4 tienen un 1 en sus salidas, sin importar el valor de las otras entradas. Esto se apega al requisito de que las entradas del flip-flop basico NAND permanezcan inicialmente en el nivel 1. La salida D muestrea durante la ocurrencia de un pulso de reloj. Si es 1, la salida de la compuerta 3 pasa a 0, cambiando el flipflop al estado de ajuste (a menos de que ya este puesto), si es 0, la salida de la compuerta 4 va a 0, cambiando el flip-flop al estado despejado. El flip-flop tipo D recibe esta denominacion debido a su capacidad de tranferir "datos" en el flip-flop. En forma basica es un flip-flop RS con un inversor en la salida R, El inversor agregado reduce el numero de entradas de 2 a 1. La entrada CP con frecuencia recibe la designacion variable G (gate) para indicar que esta entrada habilita el seguro con conpuertas para hacer posible la entrada de informacion al circuito.

FLIP-FLOP JK
Un flip-flop JK es un refinamiento del RS ya que el estado indeterminado del RS se define en el JK.Las entradas J y K se comportan como las entradas S y R para ajustar y despejar el flip-flop. Cuando se aplican seales de entrada en forma simultanea a J como a k, el flip-flop cambia a su estado complementario, esto es si Q=1, cambia a Q=0 y viceversa. En un fli-flop JK temporizado, la salida Q opera AND con las entradas K y CP, de modo que el flip-flop se despeja durante un pulso de reloj solo si Q era previamente 1. En forma similar, la salida Q' opera AND con las entradas J y CP de modo que el flip-flop se ajusta con un pulso de reloj solo si Q'era previamente 1. Observese que debido a la conexion de retroalimentacion en el flip-flop JK, una seal CP permanece en 1 (en tanto J=K=1) una vez que las salidas se han complementado provocara transiciones repetidas y continuas de las salidas. Para evitar esta operacion indeseable, los pulsos de reloj deben tener una duracion mas corta que el retardo de propagacion a traves del flip-flop.

FLIP-FLOP T
El flip-flop tipo T es una version de una sola entrada del flip-flop JK, el flip-flop T se obtiene mediante un tipo JK si ambas entradas se ligan. La denominacion T proviene de la capacidad del flip-flop para conmutar (toggle), o cambiar de estado. Sin importar el estado presente del flip-flop, asume el

estado complementario cuando ocurre el pulso de reloj mientras la entrada T es logica 1.

DISPARO DEL FLIP-FLOP

El estado de un flip-flop se cambia por una modificacion momentanea en la seal de entrada. este cambio momentaneo se le denomina gatillo y la transicion que provoca se dice que dispara el flip-flop. Los flip-flops asincronos, como los circuitos basicos, requieren una entrada de gatillo definida por un cambio de nivel de seal. este nivel debe de volver a su valor inicial (0 en NOR y 1 en NAND) antes de que aplique un segundo gatillo. Los flip-flops temporizados se disparan por pulsos.Un pulso comienza desde un valor inicial de 0, pasa en forma momentanea a 1 y despues de un corto tiempo, regresa a su valor 0 inicial. El intervalo de tiempo desde la aplicacion del pulso hasta que ocurre la transicion de la salida es un factor critico que requiere mas investigacion. Un pulso de reloj puede ser positivo o bien negativo. Una fuente positiva de reloj permanece 0 durante el intervalo entre pulsos y pasa a 1 al ocurrir un pulso. El pulso pasa a traves de dos transiciones de seal: desde 0 a 1 y el regreso de 1 a 0, La transicion positiva se define como borde positivo y la transicion negatica como el borde negativo, esta definicion tambien se aplica a los pulsos negativos. Flip-Flop maestro-esclavo Este arreglo, se construye mediante dos flip-flops separados. un circuito sirve como un maestro y el otro como un esclavo. Este circuito consta ademas de lo ya mencionado con un inversor. Cuando el pulso de reloj CP es 0, la salida del inversor es 1. Ya que la entrada de reloj del esclavo es , el flip-flop esta habilitado si la salida Q es igual a Y, en tanto que Q'es igual a Y'. El flipflop maestro se habilita porque CP=0. Cuando el pulso llega a 1, entonces la informacion en las entradas externas R y S se transmiten al flip-flop maestro, sin embargo, el flip-flop esclavo esta aislado mientras el pulso este en su nivel 1, ya que la saluida del inversor es 0. Cuando el pulso regresa a 0, el flip-flop maestro esta aisalado, lo cual evita que lo afecten las entradas externas. el flipflop esclavo pasa entonces al mismo estado que el flip-flop maestro. El comportamiento del flip-flop maestro-esclavo que acaba de describirse dicta que loscambios de estado en todos los flip-flops coincidan con la transicion de borde negativo del pulso. No obstante, algunos flip-flops maestro-esclavo IC cambian los estados de salida en la transicion de borde positivos de los pulsos de reloj. Esto sucede en flip-flops que tienen un inversor adicional en la CP terminal y la entrada del maestro, tales se disparan

con pulsos negativos de modo que el borde negativo del pulso afecte al maestro y el borde positivo afecte al esclavo y las terminales de salida. Flip-Flop Disparo por Borde Otro tipo de flip-flop que sincroniza los cambios de estado durante la transiciopn de pulsos de reloj es el disparado por borde en este tipo de flipflop, las transiciones de salida ocurren e un nivel especifico del pulso de reloj. Cuando el nivel del pulso de entrada excede el nivel umbral, las entradas estan bloquedas y, de este modo, el flip-flop no responde a los cambios adicionales enlas entradas hasta que el pulso de reloj regresa a 0 y ocurre otro pulso. Algunos flip-flops disparados por borde provocan una transicion en el borde positivo del pulso y otros causan una transicion en el borde negativo del pulso.

2CARACTERISTICAS DE CONSTRUCCION Y OPERACION DE LOS FL

FLIP FLOP SR Basandose en el principio del F-F bsico el F-F SR como el que se muestra en la figura es un flip-flop bsico NOR y dos compuertas AND

A continuacin se muestra su tabla caracterstica: Q S R 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 Q(t+1) 0 0 1 INDETERMINADO 1

1 0 1 1 1 0 1 1 1

0 1 INDETERMINADO

Si el pulso de reloj es "0" las salidas de las and es "0", aunque R y S tengan algun valor. Si el pulso de reloj es 1 entonces las entradas S y R originan salidas de las and. Y as alcanzar al F-F bsico. Existe un estado de ajuste: S=1,R=0y CP = 1 Si S=1 y R=1, al pasar un pulso de reloj, ambas salidas = 0. Al eliminarse el pulso el F-F se vuelve indeterminado. Ahora se presenta el smbolo grfico de este tipo de F-F:

FLIP-FLOP TIPO D. El F-F tipo D que se muestra en la siguiente figura es una modificacin del SR. Las compuertas Nand 1 y 2 forman un F-F bsico y las compuertas 3y4 lo modifican :

La entrada D es la R y la salida de la Nand 5 es el complemento D (entrada S).

Si el pulso de reloj = 0 las compuertas 3 y 4 tienen "1" en sus salidas. La salida d transfiere datos a cada cambio del pulso de reloj osea: si es 1 la salida de la compuerta 3 = 0 y el F-F pasa al estado de ajuste. si es "0" la salida de la compuerta 4 = 0 y el F-f pasa al estado despejado. A continuacin se muestra el smbolo grfico y su tabla caracterstica:

FLIP FLOP TIPO JK. El F-F JK tiene la misma base que el SR, ya que las entradas JK se comportan parecidas a las entradas S y R. El F-F est en estado despejado si Q es previamente 1, de igual forma la salida Q' se ajusta en pulso de reloj; si Q' es previamente 1. A continuacin se presenta el F-F JK:

FLIP FLOP TIPO T.

El flip-flop T es una versin similar al J-K ya que ambas entradas se ligan este tipo de flip flop recibe este nombre debido a su accin de conmutar, cambiar de estado, a continuacin se presenta un F-F T:

Otro punto importante para el anlisis y diseos de circuitos con F_F son sus tablas de excitacin para cada tipo de flip-flop en cada tabla existen dos columnas Q(t) y Q(t+1). Q(T) 0 0 1 1 Q(T) 0 0 1 1 Q(T+1) 0 1 0 1 Q(T+1) 0 1 0 1 S 0 1 0 X D 0 1 0 X R X 0 1 0 Q(T) 0 0 1 1 Q(T) 0 0 1 1 Q(T+1) 0 1 0 1 Q(T+1) 0 1 0 1 J 0 1 X X T 0 1 1 0 K X X 1 0

3.9.2Aplicaciones.

APLICACION DE LOS FLIP-FLOPS.

Dentro del mundo del diseo lgico se ocupan los F-F, ya que estos dispositivos son muy versatiles para diferentes aplicaciones, existen una diversiddad de aplicaciones de las cuales mencionaremos las siguientes: DETECCION DE UNA SECUENCIA DE ENTRADA. En ocasiones se necesita que una salida sea activada por una secuencia en las entradas, y esta no se puede realizar con compuertas bsicas; para este caso se necesitan los biestables para ejecutar esta accin. En la siguiente figura se muestra un F-F con cronmetro que se emplea para responder a ciertas secuencias en la entrada:

ALMACENAMIENTO Y TRANSFERENCIA DE LA INFORMACION. Otras de las aplicaciones de los f-f es la de utilizarlos para almacenar informacin en grupos (registros), osea la transferencia de datos de un F-F a otro en forma sncrona. En la siguiente figura se muestra la operacin de transferencia sincrnica de diversos tipos de F-F:

REGISTROS DE CAMBIO. La funcin bsica de los registros de cambio es la de transferir el contenido de un registro a un segundo registro, un bit a la vez. Estas son algunas de las principales aplicaciones en las cuales se utilizan los biestables, aunque todava existen un mar de aplicaciones.

CONTADORES
En diversas aplicaciones se combinan los F-F y las compuertas lgicas para de esta manera producir ciertos contadores registros. Dentro del grupo de contadores se encuentran los contadores asncronos y los contadores sincronos.

CONTADORES ASINCRONOS. Dentro de la gama de contadores asncronos tenemos el del ejemplo de la siguiente figura:

Y su operacin es ms menos la siguiente:

La pulsacin del cronmetro es mediante el F-F A, y a cad cambio de pulsacin cambiar de estado alto a nivel bajo, la salida de a sirve como entrada del B entonces los niveles de estado lgico varian progresivamente va pasando de uno a otro Flip-Floppara entender mejor se presenta su tabla de estados y sus formas de onda de las pulsaciones: DCBA NUMERO DE OSCILACIONES 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1

1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1

13 14 15

En el diagrama de las formas de onda se puede observar que la salida del flip flop es el doble del de la salida anterior osea que se van multiplicando mas bien dicho es el doble. CONTADORES SINCRONICOS A diferencia de los asincrnicos los contadores sincronos estos se caracterizan en que las pulsaciones de reloj a todas las entradas de reloj de todos los flipflops. A continuacin se presenta un diagrama lgico de un contador sincronico de 3-bit este diagrama es un ejemplo fcil y bsico:

REGISTROS.
La calsificacin de los registros radica bsicamente en la forma en que se ingresan datos al registro para su almacenamiento, as como la manera de sacar dichos registros como salida. Dentro de la clasificacin de los registros se enlistan los ms importantes:

ENTRADA Y SALIDA PARALELO ENTRADA Y SALIDA SERIE ENTRADA EN PARALELO Y SALIDA SERIE ENTRADA EN SERIE Y SALIDA EN PARALELO

ENTRADA Y SALIDA EN PARALELO. En este tipo de registros hay 2 clasificaciones: EL 74174 En la siguiente figura se muestra el diagrama de un 74174, es un registro de 6 bits cuyas entradas en paralelo son : D5 - D0 y sus salidas: Q5 - Q0 en el registro TSP de la entrada de cronmetro se cargan los datos de la entrada, para posicionar en forma asncrona los F-F se utiliza MR.

EL 74178. Es un registro de cambio de 4 bits que tiene una entrada de datos en paralelo(P0-P3), y las salidas ( Q0-Q3). Tambien posee una entrada de datos en serie Ds y dos activadas PE y SE. A continuacin se presenta su circuito lgico.

ENTRADA Y SALIDA SERIE.

4731B Dentro de los registros de entrad y salida serie tenemos al 4731B que es un registro de cambios cudruple CMOS de 4 bits. Consta de 4 registros de cambios de 64 bits iguales en un solo integrado. En la siguiente figura se muestra el diagrama; en el cual nosmuestra una entrada serie Ds utilizado en el cronmetro. En la figura se muestra una salida Q63 que es la que esta habilitada como salida:

ENTRADA EN PARALELO Y SALIDA SERIE. 74165 Este tipo de registro es de 8 bits. este tipo de dispositivo tiene ambas entradas de datos serie Ds entrada de datos en paralelo . Por lo regular este tipo de registro utiliza F-F Sr con cronmetro con respuesta de TSN de cornmetro. Cada F-f que se usa en este registro consta de preset y CL para la entrada de datos en paralelo. ENTRADA SERIE Y SALIDA EN PARALELO 74164. Este tipo de registro de cambios es para 8 bits con salidas de sus F-f muy rpida. Consta de una combinacin de una compuerta AND en la entrada para de esta manera no producir una sola entrada serie. A continuacin se presenta su smbolo lgico, en el cual Q0...Q7 son las salidas de los FF, y A y B son las entradas de la compuerta AND ( serie):

EXHIBICION DE CONTADORES Y REGISTROS.

En el punto anterior se exhibi circuitos de los diferentes tipos de registros existentes a continuacin par complementar se muestra otros tipos de aplicaciones. APLICACIONES DE LOS CONTADORES.

CONTADOR DE FRECUENCIAS. Existen muchas aplicaciones para este tipo de circuitos aqu se mencionan de manera general dos tipos que son:

CONTADOR DE FRECUENCIAS

CRONOMETRO DIGITAL.

Un contador de frecuencias es un circuito que sirve para medir y monitorear una seal de pulsacin. Uno de los circuitos bsicos para la elaboracion de un contador de frecuencia se muestra en la siguiente figura de manera simplificada

Cabe sealar que el circuito de pulsacin se puede elaborar de diferentes maneras y utilizando diversos dispositivos electrnicos. CRONOMETRO DIGITAL. Otras de las aplicaciones ms conocidas de los contadores radica en los cronmetros digitales. El cronmetro digital es aquel que funciona como reloj de tiempo exhibe el tiempo del da en horas, minutos y segundos. Para cosntruirlo se necesita una frecuencia bsica de reloj ; para cronmetros digitales de batera la frecuencia necesaria se obtiene del cuarzo (cristal del cuarzo). Para cronmetros digitales operados con corriente la frecuencia que se usa es de 60 Hz.

MULTIPLICACION Y DIVISION CON LOGICA SECUENCIAL.

Dentro del nmero de aplicaciones de la lgica secuencial , tomandose en cuenta como ejemplo para la divisin con lgica secuencial tomemos como circuito de partida el del contador binario del siguiente circuito, el cual tambien opera como divisor de frecuencias.

El contador tiene 23 = 8 diferentes estados por lo msimo a este contador se le conoce como contador MOD-8(divisin), el nmero MOD se refiere bsicamente al nmero de estados que transcurren en el conteo. Si se aade otro FF el conteo se haria desde 0000 a 1111, osea 24 = 16 estados y se llamara MOD-16.El nmero MOD nos seala la divisin de frecuencia de respuesta del ltimo FF.

3.10 Convertidores. 3.10.1 Conceptos y caractersticas de los convertidores.

Caractersticas bsicas de un convertidor A/D A continuacin describiremos las caractersticas esenciales que hemos de tener en cuenta para realizar nuestras medidas de un modo decente. No mencionaremos todas, sino las ms bsicas, dejando un estudio en profundidad de los convertidores para otro documento.Las caractersticas que no debemos olvidar son stas:

Impedancia de entrada Rango de entrada Nmero de bits Resolucin Tensin de fondo de escala Tiempo de conversin Error de conversin

Hay una serie de caractersticas que son comunes a otros tipos de circuitos que no detallaremos, aunque siempre hay que tener en cuenta, como la impedancia de entrada, fanout, etc.Nmero de bits: Es el nmero de bits que tiene la palabra de salida del convertidor, y por tanto es el nmero de pasos que admite el convertidor. As un convertidor de 8 bits slo podr dar a la salida 28=256 valores posibles.Resolucin:Es el mnimo valor que puede distinguir el convertidor en su entrada analgica, o dicho de otro modo, la mnima variacin, Vi, en el voltaje de entrada que se necesita para cambiar en un bit la salida digital. En resumen, tenemos que:

donde n es el nmero de bits del convertidor, y Vfe la tensin de fondo de escala, es decir, aquella para la que la salida digital es mxima. La tensin de fondo de escala depende del tipo de convertidor, pero normalmente se fija a nuestro gusto, en forma de una tensin de referencia externa, (aunque en algunos casos, como el del convertidor ADC 0804 la tensin de fondo de escala es el doble de la tensin de referencia).Por ejemplo, un convertidor de 8 bits con una tensin de fondo de escala de 2V tendr una resolucin de:

En cambio, para el mismo convertidor, si cambiamos la tensin de referencia, y por tanto la de fondo de escala, la resolucin ser de:

Tiempo de conversin: Es el tiempo que tarda en realizar una medida el convertidor en concreto, y depender de la tecnologa de medida empleada. Evidentemente nos da una cota mxima de la frecuencia de la seal a medir. Este tiempo se mide como el transcurrido desde que el convertidor recibe una seal de inicio de conversin (normalmente llamada SOC, Start of Conversin) hasta que en la salida aparece un dato vlido. Para que tengamos constancia de un dato vlido tenemos dos caminos:

Esperar el tiempo de conversin mximo que aparece en la hoja de caractersticas. Esperar a que el convertidor nos enve una seal de fin de conversin.

Si no respetamos el tiempo de conversin, en la salida tendremos un valor, que dependiendo de la constitucin del convertidor ser: Un valor aleatorio, como consecuencia de la conversin en curso El resultado de la ltima conversin 5. Errores en los convertidores analgico/digital. Un convertidor no es un circuito perfecto, sino que que presenta una serie de errores que debemos tener en cuenta. Algunos de los que ms importancia tienen son los siguientes: Error de offset:El error de offset es la diferencia entre el punto nominal de offset (cero) y el punto real de offset. Concretamente, para un convertidor A/D este punto es el punto central de todos aquellos valores de la entrada que nos proporcionan un cero en la salida digital del convertidor. Este error afecta a todos los cdigos de salida por igual, y puede ser compensado por un proceso de ajuste.

Error de cuantificacin: Es el error debido a la divisin en escalones de la seal de entrada, de modo que para una serie de valores de entrada, la salida digital ser siempre la misma. Este valor se corresponde con el escalonado de la funcin de transferencia real, frente a la ideal. Podemos verlo en esta figura:Como vemos, cada valor digital tiene un error de cuantificacin de +- LSB (Bit menos significativo). Por tanto, cada cdigo digital representa un valor que puede estar dentro del LSB a partir del punto medio entre valores digitales continuos. Error de linealidad (linealidad integral): Este error es la manifestacin de la desviacin entre la curva de salida terica y la real, de modo que para iguales incrementos en la entrada, la salida indica distintos incrementos. Error de apertura: Es el error debido a la variacin de la seal de entrada mientras se est realizando la conversin. Este error es uno de los ms importantes cuando se estn muestreando seales alternas de una frecuencia algo elevada, (como por ejemplo el muestreo de voz) pero tiene poca importancia cuando medimos seales cuasi-continuas, como temperatura, presin, o nivel de lquidos. Para minimizar este tipo de error se usan los circuitos de muestreo y retencin. Este error es importante, ya que si no lo tenemos en cuenta raramente podemos digitalizar adecuadamente seales alternas. Si consideramos un error que no afecte a la precisin total de la conversin, ( por lo que habr de ser menor que LSB) la frecuencia mxima de muestreo deber ser:

En esta frmula Ta es el tiempo de apertura del circuito de muestreo y retencin, o bien el tiempo total de conversin si el anterior no existe, y n el n de bits del convertidor. El circuito de muestreo y retencin puede estar a veces integrado dentro de la misma cpsula del convertidor, lo que nos puede simplificar el diseo enormemente.

3.10.2 Tipos analgico/digital y digital/ analgico.

CONVERSION DE DIGITAL A ANALOGICO

Bsicamente, la conversin D/A es el proceso de tomar un valor representativo en cdigo digital, y convertirlo en un voltaje corriente que sea proporcional al valor digital. Este voltaje corriente es una cantidad analgica, ya que puede tomar diferentes valores de cierto intervalo en la siguiente figura se presenta un diagrama a bloques de un convertidor D/A de 4 bits as como su tabla:

Un circuito bsico de un convertidor D/A es el que se muestra en la siguiente figura. Las entradas A,B,C y D , son entradas binarias de 0 a 5 volts. El operacional funciona cmo sumatorio de los voltajes de entrada. En el circuito RF = 1K y las resisitencias de entrada varan de 1 a 8 K ohms. La entrada D tiene RIN = 1K . La entrada C tiene RIN = 2K,se atenua en un 0.5 ohms con respecto a la otra. En forma anloga, la entrada B ser atenuada en 0.25 y la entrada A en 0.125, la salida del amplificador esta dada por: VOUT = -(VD +0.5VC + 0.25VB + 0.125VA) La salida del amplificador es un voltaje analgico y representa una suma con valor asignado de las entradas digitales:

A continuacin se muestra su tabla de salida: DCBA 0000 VOUT (VOLTS) 0

0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 ESPECIFICACIONES DEL DAC.

-0.625 -1.250 -1.875 -2.500 -3.125 -3.750 -4.375 -5.000 -5.625 -6.250 -6.875 -7.500 -8.125 -8.750 -9.375

Resolucin.La resolucin porcentual de un DAC depende nicamente del nmero de bits, por lo regular los fabricantes especifican la resolucin en nmero de bits Precisin. Hay dos formas de expresar la precisin, en error de escala completa y error de linealidad. El error de escala completa es la mxima desviacin de la salida del DAC de su valor estimado. El error de linealidad es la desviacin mxima en el tamao de etapa del de escala completa. Ambos errores se dan en forma porcentual. Tiempo de respuesta. Es el tiempo que se necesita para que la salida pase de cero a escala completa cuando la entrada binaria cambia de todos los ceros a todos los unos. APLICACIONES DEL DAC. CONTROL. La salida digital de una computadora puede convertirse en una seal de control analgica para ajustar la velocidad de un motor, la temperatura de un horno para controlar alguna variable fsica. ANALISIS AUTOMTICO.

Las computadores se programan para generar seales analgicas(DAC) que se utilizan para anlizar circuitos analgicos.Esta salida analgica del circuito de prueba se convertir a un valor digital con un ADC y alimentar a la computadora para ser almacenada y analizada. CONTROL DE AMPLITUD DIGITAL. Un DAC multiplicativo se utiliza para ajustar digitalmente la amplitud de una seal analgica.Una aplicacin de este fenmeno es en el control de volumen digital de un estereo otro aparato digital. Tambien se utilizan en diferentes convertidores A/D que uitlizan DAC ya que son parte de sus circuitos.

CONVERSION DE ANALOGICO A DIGITAL.

Un convertidor A/D toma un voltaje de entrada analgico y despues de cierto tiempo se produce un cfigo der salida digital que representa la entrada analgica. El proceso de conversin A/D es por lo regular ms complejo y largo que el proceso D/A y por lo mismo se han credao mucho mtodos. Existen varios tipos de ADC que utilizan un convertidor D/A como parte de sus circuitos en la figura siguiente es un diagrama a bloques de un ADC.

La operacin bsica de los convertidores A/D de este tipo es el siguiente: 1.- El comando start pasa a alto, dando inicio la operacin 2.- A una razn determinada por el cronmetro la unidad de control modifica continuamente el nmero binario que est almacenado en el registro. 3.- El nmero binario del registro es convertido en un voltaje analgico, VA'; por el convertidor D/A. 4.- El comparador compara VA' con la entrada analgica VA.En tanto que VA'< VA, la salida del comparador permanece en alta. Cuando VA', excede de VA por lo menos en una cantidad = Vt(voltaje umbral), la salida del comparador pasa a baja y suspende el proceso de modificacin del nmero del registro. En este punto, VA' es un valor muy aproximado de VA y el nmero digital del registro que es el equivalente digital de VA' es asimismo el equivalente digital de VA en los lmites de la resolucin y exactitud del sistema.

CIRCUITOS BASICOS
Convertidor A/D con rampa digital. En la siguiente figura se muestra un diagrama completo de un convertidor con rampa:

El funcionamiento del circuito es de la siguiente manera:

Se aplica un pulso start positivo, el cual devuelve el contador a cero. Al mismo tiempo deshabilita la comperta and. Con el contador en cero, VA'=0, la salida del comparador es alta.

Cuando start esta en nivel bajo, la compuerta and se activa y as los pulsos pasan por el contador. Conforme el contador avanza, la salida VA' del D/A crece en voltajes iguales a su resolucin. Llega un momento en que VA' excede a VA en una cantidad igual mayor a VT.En esta etapa la salida del comparador es en baja, deteniendo al contador hasta que se tenga un pulso que represente digitalmente el valor de VA.

ADC de aproximaciones sucesivas. Este es un tipo mas usado del ADC.Tiene circuitos ms complejos que el ADC de rampa, pero un tiempo de conversin ms corto. La disposicin bsica se muestra en la siguiente figura:

El funcionamiento es de la siguiente manera: 1. La lgica de control fija el MSB del registro alto y los demas bits bajos. Esto produce un valor de VA' en la salida del DAC igual al valor del MSB. Si VA' es ahora mayor que VA, la salida del comparador es en nivel de baja, esto hace que la lgica de control regrese al MSB a nivel bajo; en caso contrario se conserva en nivel alto. 2. La lgica de control fija el siguiente bit del registro en 1.Produciendo as un nuevo valor de VA'. si este valor es mayor que VA, el comparador pasa a bajo y as indicar a la lgica de control al bit 0. En caso contrario se mantiene en 1.

3. Este proceso se continua para cada uno de los bits de registro. Este proceso de ensayo y error requiere de un ciclo de cronmetro por bit.

El Convertidor Analgico - Digital ADC En el mundo real las seales analgicas varan constantemente, pueden variar lentamente como la temperatura o muy rpidamente como una seal de audio. Lo que sucede con las seales analgicas es que son muy difciles de manipular, guardar y despus recuperar con exactitud. Si esta informacin analgica se convierte a informacin digital, se podra manipular sin problema. La informacin manipulada puede volver a tomar su valor analgico si se desea con un DAC (convertidor Digital a Analgico) Hay que definir que tan exacta ser la conversin entre la seal analgica y la digital, para lo cual se define la resolucin que tendr. Primero se define el nmero mximo de bits de salida (la salida digital). Este dato permite determinar el nmero mximo de combinaciones en la salida digital. Este nmero mximo est dado por: 2n donde n es el nmero de bits. Tambin la resolucin se entiende como el voltaje necesario (seal analgica) para lograr que en la salida (seal digital) haya un cambio del bit menos significativo.(LSB) Para hallar la resolucin se utiliza la siguiente frmula: Resolucin = ViFS / [ 2 n - 1] Donde: - n = nmero de bits del ADC - ViFS = es el voltaje que hay que poner a la entrada del convertidor para obtener una conversin mxima (todas las salidas son "1") Ejemplo # 1: Si se tiene un convertidos analgico / digital de 4 bits y el rango de voltaje de entrada es de 0 a 15 voltios

Con n = 4 y ViFS = 15 Voltios La resolucin ser = ViFS / [2n -1] = 15 / [24 - 1] = 15 / 15 = 1 voltio / variacin en el bit menos significativo Esto significa que un cambio de 1 voltio en la entrada, causar un cambio del bit menos significativo (LSB) a la salida. En este caso este bit es D0. Ver la siguiente tabla. De esta manera se construye una tabla de que muestra la conversin para este ADC: Entrada analgica Voltios 0 Salida digital de 4 bits D3 0 D2 0 D1 0 D0 0

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1

0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 Ejemplo # 2:

0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1

1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1

Un ADC de 8 bits genera solo "1" (las 8 salidas en 1), cuando en la entrada hay un voltaje de 2.55 voltios (entrada analgica mxima). La resolucin es = ViFS / [2n -1] = 2.55 / [28 - 1] = 10 miliVoltios / variacin en el bit menos significativo Se puede ver que mientras ms bits tenga el convertidor ms exacta ser la conversin Si se tiene una seal de valor mximo de 15 voltios y aplicamos esta seal analgica por diferentes convertidores analgico digital se puede tener una idea de la variacin de la resolucin con el aumento del nmero de bits del convertidor # de bits del ADC 4 bits 8 bits 16 bits 32 bits Resolucin 15 voltios / 15 = 1Voltio 15 voltios / 255 = 58.8 miliVoltios 15 voltios / 65536 = 0.23 milivoltios 15 voltios / 4294967296 = 0.0000035 milivoltios

Esto significa que a mayor nmero de bits del ADC, un cambio ms pequeo en la magnitud analgica causar un cambio en el bit menos significativo (LSB) de la salida, aumentando as la resolucin El Convertidor Digital - Analgico Concepto bsico del DAC (Digital to Analog Converter) En el mundo real las seales analgicas varan constantemente, pueden variar lentamente como la temperatura o muy rpidamente como una seal de audio. Lo que sucede con las seales analgicas es que son muy difciles de manipular, guardar y despus recuperar con exactitud. Si esta informacin analgica se convierte a informacin digital, se podra manipular sin problema. La informacin manipulada puede volver a tomar su valor analgico si se desea con un DAC (convertidor Digital a Analgico) Un DAC contiene normalmente una red resistiva divisora de tensin, que tiene una tensin de referencia estable y fija como entrada.

Hay que definir que tan exacta ser la conversin entre la seal analgica y la digital, para lo cual se define la resolucin que tendr. En la siguiente figura se representa un convertidor Digital - Analgico de 4 bits. cada entrad digital puede ser slo un "0" o un "1". D0 es el bit menos significativo (LSB) y D3 es el ms significativo (MSB). El voltaje de salida analgica tendr uno de 16 posibles valores dados por una de las 16 combinaciones de la entrada digital.

La resolucin se define de dos maneras: Primero se define el nmero mximo de bits de salida (la salida digital). Este dato permite determinar el nmero mximo de combinaciones en la salida digital. Este nmero mximo est dado por: 2n donde n es el nmero de bits. Tambin la resolucin se entiende como el voltaje necesario (seal analgica) para lograr que en la salida (seal digital) haya un cambio del bit menos significativo.(LSB) Para hallar la resolucin se utiliza la siguiente frmula: Resolucin = VoFS / [ 2n - 1] Donde: - n = nmero de bits del ADC - VoFS = es el voltaje que hay que poner a la entrada del convertidor para obtener una conversin mxima (todas las salidas son "1") Ejemplo: Se tiene un convertidos digital - analgico de 8 bits y el rango de voltaje de salida de 0 a 5 voltios. Con n = 8, hay una resolucin de 2N = 256 o lo que es o mismo: El voltaje de salida puede tener 256 valores distintos (contando el "0") Tambin: resolucin = VoFS / [ 2n - 1] = 5 / 28-1 = 5 / 255 = 19.6 mV / variacin en el bit menos significativo Con n = 4 bits, se consiguen 2n = 16 posibles combinaciones de entradas digitales La salida analgica correspondiente a cada una de las 16 combinaciones depender del voltaje de referencia que estemos usando, que a su vez depender del voltaje mximo que es posible tener a la salida analgica. Si V mximo es 10 Voltios, entonces el Vref. (voltaje de referencia) ser 10 / 16 = 0.625 Voltios. Si el voltaje mximo es 7 voltios, Vref = 7 / 16 = 0.4375 Voltios. Se puede ver estos voltajes de referencia sern diferentes (menores) si se utiliza un DAC de 8 o mas bits. Con el de 8 bits se tienen 256 combinaciones en vez de 16. ESto significa que el voltaje mximo posible se divide en mas partes, logrndose una mayor exactitud.

Si el Vref = 0.5 Voltios Entrada digital D3 D2 D1 D0 Salida analgica Voltios

0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1

0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1

0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1

0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5

Se puede ver que mientras ms bits tenga el convertidor ms exacta ser la conversin Si se tiene diferentes tipos de DAC y todos ellos pueden tener una salida mxima de 15 voltios, se puede ver que la resolucin y exactitud de la salida analgica es mayor cuando ms bits tenga. Ver siguiente cuadro # de bits del DAC 4 bits 8 bits 16 bits 32 bits Resolucin 15 voltios / 15 = 1Voltio 15 voltios / 255 = 58.8 miliVoltios 15 voltios / 65536 = 0.23 milivoltios 15 voltios / 4294967296 = 0.0000035 milivoltios

FISICA GENERAL Octava edicin Frederick J. Bueche Ed. McGraw Hill FISICA GENERAL Francis W. Sears y Mark W. Zemansky

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