EJERCICIOS SISTEMAS NO LINEALES CALCULO DE RAICES 1.

. El crecimiento de poblaciones grandes puede modelarse en perodos cortos suponiendo que el crecimiento de la poblacin es una funcin continua en t mediante una ecuacin diferencial cuya solucin es v t t N ( t )= N0e + ( e 1 ) donde N ( t ) es el nmero de individuos en el tiempo t (medido en aos), N la razn de natalidad, es la poblacin inicial y v es un razn constante 0 inmigracin, que se mide en nmero de inmigrantes al ao. Suponga que una poblacin dada tiene un milln de individuos inicialmente y una inmigracin de 400,000 individuos al ao. Se observa que al final del primer ao poblacin es de 1,506 ,000 individuos. es de la

a) Determine la tasa de natalidad, usando el mtodo de Newton-Rapshon para un dato x 1=1 y usando la tolerancia =105 . inicial b) Calcule una previsin de la poblacin al cabo de tres aos. 2. Use el mtodo de Newton-Raphson para encontrar la solucin del sistema de ecuaciones no lineal. Emplee como valores iniciales x = 1.5, y = 3.5

x 2+xy 10=0
3.

y +3xy 257= 0

Determine la mayor raz real de f ( x ) = x 3 6 x 2 + 11x 6.1 Usando el mtodo de la secante (tres iteraciones, x0=2.5; x1=3.5)

4. La resistividad del silicon dopado esta basado en la carga q del electrn, la densidad del electrn n , y la movilidad del electrn . La densidad del electron esta dada en terminos de la densidad del dopado N y la densidad intrinseca del portador n i . La movilidad del electrn es descrita por la temperatura T , la temperatura de referencia T 0 y la movilidad de referencia 0 . Las ecuaciones que se requieren para calcular la resistividad son:

=
donde

1 qn

T 2.42 1 n = ( N + N 2 +4n 2 ) = ( ) y 0 i 2 T0

T 0=300K , T =1000K , 0= 1360cm ( Vs ) , n i =6.21 x 109 cm3 y una q = 1.7 x 1019 C , resistividad deseada de = 6.5 x 106 V s cm / C . Emplee valores iniciales de N =0 y N =2.5 x 1010 .
Determine N con el mtodo de biseccin. dado
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