Practica 4 Rectificadores y curvas I vs V en diodos Laboratorio de Electrnica Facultad de Ciencias Universidad Nacional Autnoma de Mxico Autores: Cadena I.

, Ana C.; Cruz C., Julin G.; Olivar V., Silverio R.; Yez G., Andrs A Resumen En el presente trabajo se analiz el comportamiento de 3 diodos distintos: un diodo 1N400, un diodo zener y un LED rojo. Se arm un circuito compuesto por una fuente de corriente alterna, un diodo y una resistencia. Se midi la intensidad de corriente como funcin de la diferencia de potencial y se obtuvo al graficar un comportamiento exponencial de acuerdo a la ecuacin (1). Tambin se analiz el comportamiento de un diodo y un puente de diodos como rectificadores de corriente alterna, de media onda y de onda completa respectivamente. Se conect un circuito con un filtro RC y se midi con un osciloscopio la forma de la onda, tanto para el circuito con un diodo como con puente de diodos. Se utilizaron resistencias de 270, 560 y 1000 y condensadores de: 100F, 470 F y 1000 F. Se obtuvo que el filtro ms efectivo fue el formado por el condensador de 1000 F y la resistencia de 1000, a partir del clculo del factor de rizo.

I.

Introduccin

Un cristal es un slido cuyos tomos estn distribuidos simtrica y peridicamente. Los metales, los semiconductores y muchos aislantes son cristalinos. Se considera un modelo de cristal de silicio en la figura (1). Cada tomo est rodeado por cuatro ms prximos y los cuatro electrones de valencia se comparten por igual con los cuatro vecinos inmediatos, en consecuencia, cada enlace covalente entre un tomo y uno de sus vecinos contiene dos electrones, en la figura un circulo representa un ion con carga 4q Al elevar la temperatura, algunos electrones de los enlaces covalentes adquieren energa trmica, debida a los tomos en vibracin, para abandonar los enlaces. El electrn que abandona su enlace covalente se

convierte en libre, dejando el hueco con carga positiva q ya que la regin era elctricamente neutra. Una vez creado el hueco, un electrn de valencia de otro enlace covalente puede pasar fcilmente al hueco sin la necesidad de adquirir la energa para convertirse en electrn libre, con lo que el hueco pasa a una nueva posicin. De esta manera los huecos, utilizando los electrones ligados de los enlaces covalentes, se mueven por la estructura cristalina. Los electrones libres y los huecos chocan con los tomos del cristal. La rotura trmica de los enlaces covalentes crea huecos y electrones libres en igual nmero, el nmero de enlaces rotos por unidad de tiempo crece rpidamente con la temperatura adems sucede el proceso inverso; es decir cuando electrn libre cae en un hueco de un enlace covalente tiene lugar la recombinacin del hueco con el electrn, en este caso el par electrn-hueco desaparecen. Un semiconductor de tipo N tiene impurezas donantes las cuales son elementos con cinco electrones de valencia por tomo tales como el fsforo arsnico y el antimonio. Cada donante ocupa en la estructura cristalina el lugar de un tomo de silicio y una vez completados los enlaces covalentes queda un electrn sobrante. Este electrn siente una atraccin dbil con el ion positivo y a temperatura constante la energa es suficiente para que se convierta en un electrn libre, en consecuencia el tomo donante queda ionizado y cada donante contribuye con un electrn libre. Un semiconductor tipo P tiene impurezas aceptadoras que son elementos con 3 electrones de valencia por tomo, como son el boro, el indio y el aluminio. En la estructura cristalina, a un tomo aceptador posee un hueco donde falta un electrn para completar un enlace covalente. Unin PN Cuando un monocristal de semiconductor contiene una regin tipo P y otra tipo N, existe una unin tipo PN. Consideremos la figura (2), las densidades de portadores son funcin de x y las dos regiones estn contaminadas uniformemente. Al juntar las regiones P y N muchos huecos de la regin P situados junto a la unin la atravesaran convirtindose en portadores minoritarios de la regin N, anlogamente muchos electrones libres de la regin N atraviesan la unin y penetran en la regin P, lo que ocasiona que se destruyan por recombinacin con los huecos de la regin P.

En este proceso transitorio prcticamente ninguno de los iones de impureza localizados junto a la unin estn neutralizados ya que desaparecieron los portadores mayoritarios, en consecuencia a uno y otro lado de la unin se crea una capa delgada de cargas iguales pero de signo contrario como se muestra en la figura (2). Figura 2. Unin PN A veces se le denomina regin de empobrecimiento o de agotamiento, en donde las densidades de portadores mayoritarios son pequeas frente a las de contaminantes. Esta capa crea un campo elctrico dirigido de los iones donantes positivos de la regin N hacia los iones aceptadores negativos de la regin P. Supongamos que ahora se conecta una fuente V a las terminales exteriores de la unin PN. La diferencia de potencial aplicada aumentar o disminuir el campo elctrico en las proximidades de la unin segn sea la polaridad del potencial. La capa dipolar se dilata o se contrae para ajustarse al nuevo campo y cambiara la densidad de portadores mayoritarios por unidad de tiempo, como el campo no influye en la circulacin de portadores minoritarios a travs de la unin se producir un desequilibrio y aparecer una corriente I. Si V es positiva I es positiva y esta condicin es la de polarizacin en sentido directo. Es decir la fuente tiene conectado su polo positivo a la regin P y su polo negativo a la regin N. Una V negativa que dara I negativa constituye la condicin de polarizacin inversa. La corriente vara de acuerdo a: ( )

En donde q= carga del electrn, T=temperatura absoluta en Kelvin, K= constante de Boltzman, la relacin se representa en la figura (3). De la ecuacin (1) I y E siempre tienen el mismo signo para valores de V muy negativos I se aproxima a , valor que se denomina corriente de saturacin. La unin conduce a partir de un valor de V que es aproximadamente 0.7 VD para una unin de Silicio.
Figura 3. Curva de corriente vs voltaje unin PN

Al conectar una fuente en sentido inverso, es decir la terminal positiva a la regin N y la terminal negativa a la regin P entonces el campo elctrico est dirigido de N hacia P. La unin PN conduce ms fcilmente en el sentido directo (I positiva) o favorable que en el sentido inverso (I negativa). Una unin que tenga dos conductores exteriores puede utilizarse como vlvula que slo deje circular la corriente apreciable en un sentido, este dispositivo se llama diodo y se representa por el smbolo:

Diodos Zener Son diodos diseados para trabajar en la zona de ruptura la cual se caracteriza porque la corriente puede variar ampliamente con el potencial constante. La curva caracterstica I vs V se representa en la figura (4).

Rectificacin de media onda

Figura 4. Curva caracterstica diodo zener

Una seal de corriente alterna tiene dos componentes: el semi-ciclo positivo y el semi-ciclo negativo. Dado que los diodos solo permiten el paso de corriente en un sentido y bloquean el otro son ideales para rectificar corriente. En la figura 5 se representa esquemticamente un rectificador de media onda en el cual un diodo se interpone entre la fuente y la carga.

Figura 5. Circuito rectificador con diodo

Cuando la tensin vS de la fuente es positiva, el sentido de la corriente es favorable y se produce la circulacin, por lo cual suponiendo el diodo ideal (y por lo tanto sin cada de tensin), ser vL = vS. Cuando, en cambio, vS < 0, el diodo no conduce y entonces vL = 0. El proceso se indica en la figura (6), se representa tanto el potencial Vs como la corriente IL e Is. Es importante destacar que la tensin

en la carga es unidireccional (positiva) pero no continua (constante), esta forma de onda no es la deseable para alimentar dispositivos electrnicos, que generalmente requieren una alimentacin constante. Este problema se soluciona al utilizar filtros

Figura 6. Rectificacin de media onda con circuito

Rectificadores de onda completa El circuito rectificador de media onda tiene el defecto de desaprovechar la componente negativa sin embargo se puede utilizar un rectificador de onda completa como un puente de diodos mostrado en la figura (7).

Figura 7. Circuito rectificador con puente de diodos

Cuando vS > 0, los diodos D1 y D2 estn polarizados en forma directa y por lo tanto conducen, en tanto que D3 y D4 no conducen. Despreciando las cadas en los diodos por ser estos ideales, resulta vL = vS > 0. Cuando la fase de la entrada se invierte, pasando a ser vS < 0, sern D3 y D4 quienes estarn en condiciones de conducir, en tanto que D1 y D2 se cortaran. El resultado es que la fuente se encuentra ahora aplicada a la carga en forma opue sta, de manera que vL = vS > 0. Las formas de onda de la entrada y la salida se muestran en la figura 8.

Figura 8. Rectificacin de onda

Filtro RC

En la figura (9) se muestra el circuito de un rectificador de media onda con filtro capacitivo.

Figura 9. Circuito rectificador con filtro RC

El condensador y la resistencia conforman un filtro pasa-bajos. Si se observa la figura (10) a medida que crece Vs el diodo se polarizara en forma directa y por lo tanto conducir. Dado que la resistencia de la fuente y la resistencia del diodo son idealmente nulas, el voltaje de salida seguir a la de la entrada. El proceso continuar hasta el momento t1 en que el voltaje de entrada disminuye a mayor velocidad que la descarga del condensador a travs de la resistencia, ya que en ese caso el diodo pasar a estar polarizado inversamente y dejar de conducir. A partir de ese momento el voltaje de salida es independiente al de entrada y se Figura 10. Proceso de rectificacin filtro RC comporta de manera exponencial para la descarga del condensador. Entre tanto el voltaje de entrada continuar con su variacin senoidal con variacin positiva y negativa. En un instante t2 la cada exponencial de la salida se cruzara con el ascenso senoidal de la entrada y el diodo volver a conducir con lo que repite el proceso anterior. De tal manera que la grfica de corriente rectifica corresponde a la segunda grfica de la figura (10). Los objetivos para el presente trabajo son: analizar el comportamiento de 3 distintos tipos de diodos; un diodo 1N4744, un diodo zener y un LED, todos de silicio y observar el funcionamiento de un diodo como rectificador de corriente alterna.

II.

Desarrollo experimental

Parte a: Estudio del comportamiento de diferentes tipos de diodos semiconductores En una protoboard se arm el circuito de la figura (12).

Fig. 12: Circuito analizado en la parte a.

Entre los puntos a y b se midi la diferencia de potencial, para esto se us la seal proyectada en un osciloscopio (TDS-1002, Tektronix). Entre los puntos b y c se midi la corriente con un multmetro (True RMS DIGITAL MULTIMETER, DM441B, LG). Para generar el voltaje se us una fuente de voltaje variable (DC Power Supply, hp). El resistor R1 usado tena una resistencia de 1.0071k 0.0025k (esto de acuerdo al manual del multmetro). Ya que el osciloscopio esta conectado a tierra, fue necesario hacer modificaciones al circuito para lograr una tierra comn, el nuevo circuito se muestra en la figura (13).

Fig. 13: circuito modificado

El circuito de la Figura 13 es equivalente al circuito de la Figura 12, puesto que el orden de los componentes de un circuito en serie no influye en el resultado. El multmetro (para medir corriente) se conect en serie con la resistencia y el diodo; ya que se midi la corriente que entra al diodo, el multmetro se ubic entre la resistencia y el diodo. Es importante resaltar la forma en que se conect el osciloscopio; el osciloscopio se conecta al circuito mediante un cable coaxial,

podemos decir que las conexiones est n polarizadas, ya que la terminal negra se distingue de la roja en el hecho de que funge como tierra. Al hacer la conexin como se muestra en la Figura (13) se logr que la tierra fuera comn a la fuente y al osciloscopio, cerrando as el circuito. Los diodos semiconductores analizados fueron: Diodo semiconductor de silicio 1N400, un diodo zener y un LED rojo. Para analizarlos slo se sustituyeron en el circuito (por ). El anlisis consisti en medir la diferencia de potencial y la corriente a travs del diodo, adems de cambiar la polaridad (esto se consigui conectando las terminales de los diodos en sentido opuesto). Parte b: Procesos de conversin de CA a CD y eliminacin de componentes indeseables Se arm el circuito de la figura 14 en una protoboard. El transformador utilizado tena un voltaje de salida de 12VRMS, de este slo se utiliz medio embobinado. El diodo usado (tal como se muestra en la figura 3) fue uno identificado con el cdigo 1N4001. Como resistores de carga se usaron los de 5W de potencia, con resistencias de 270, 560 (tolerancia 10%) y 1000 (tolerancia 10%), las cuales se sustituyeron alternadamente. Para cada resistencia de carga se analizaron los casos en los que el condensador no se conectaba al circuito y en el que se conectaba. Los condensadores usados tenan una capacidad de 100F, 470 F y 1000 F. El an lisis del circuito fue a travs de la observacin de la forma de la onda en la resistencia de carga, para esto se us el osciloscopio. Estos mismos pasos se siguieron para el circuito de la figura 15. Adems se determin el factor del rizo para cada circuito y para cada combinacin de resistencias y condensadores. Para esto se usaron los datos del periodo y el voltaje pico-pico arrojados por el osciloscopio.

Figura 14. Circuito rectificador

Figura 15. Circuito rectificador con puente de diodos

III.

Resultados

Parte a. Se reporta el voltaje medido en las terminales del diodo 6V 1N4744, Zener y del diodo LED, para cada circuito, as como la intensidad de corriente medida con el multmetro en el circuito. Se grafic I vs V. Diodo 6V 1N400
Ve [V] 25 (0.125) 22 (0.110) 19 (0.095) 16 (0.080) 13 (0.065) 10 (0.050) 7 (0.035) 4 (0.020) 1 (0.005) -1 (0.005) -5 (0.025) -10 (0.050) -15 (0.075) -20 (0.100) -25 (0.125) Vo [V] 0.722 (0.022) 0.717 (0.022) 0.712 (0.021) 0.704 (0.021) 0.693 (0.021) 0.681 (0.020) 0.664 (0.020) 0.633 (0.019) 0.544 (0.016) -1.040 (0.031) -5.170 (0.155) -10.20 (0.306) -15.20 (0.456) -20.20 (0.606) -25.40 (0.762) Io [mA] 24.680 (0.133) 21.640 (0.118) 18.440 (0.102) 15.385 (0.087) 12.310 (0.072) 9.264 (0.056) 6.603 (0.043) 3.403 (0.027) 0.457 (0.012) 0.000 (0.010) -0.004 (0.010) -0.009 (0.010) -0.014 (0.010) -0.019 (0.010) -0.024 (0.010)

Tabla 1 Datos experimentales para el primer circuito diodo 6V 1N400

Grfica 1. Vo vs Io para el diodo 1N400

*La incertidumbre asociada corresponde a la incertidumbre tipo B, vase apndice A.

Diodo Zener 1N4001

Ve [V] 25 (0.125) 22 (0.110) 19 (0.095) 16 (0.080) 13 (0.065) 10 (0.050) 7 (0.035) 4 (0.020) 1 (0.005) -1 (0.005) -5 (0.025) -10 (0.050) -15 (0.075) -17 (0.085) -19 (0.095) -20 (0.100) -25 (0.125) -30 (0.150) -35 (0.175) Vo [V] 0.817 (0.025) 0.814 (0.024) 0.810 (0.024) 0.807 (0.024) 0.806 (0.024) 0.803 (0.024) 0.800 (0.024) 0.796 (0.024) 0.710 (0.021) -1.20 (0.036) -5.20 (0.156) -10.0 (0.300) -15.2 (0.456) -15.2 (0.456) -15.2 (0.456) -15.2 (0.456) -15.4 (0.462) -15.5 (0.465) -15.6 (0.468) Io [mA] 24.640 (0.133) 21.520 (0.118) 18.395 (0.102) 15.266 (0.086) 12.278 (0.071) 9.227 (0.056) 6.171 (0.041) 3.274 (0.026) 0.336 (0.012) 0.000 (0.010) -0.004 (0.010) -0.009 (0.010) -0.171 (0.011) -1.909 (0.020) -3.985 (0.030) -4.934 (0.035) -9.800 (0.059) -14.715 (0.084) -19.785 (0.109)

Tabla 2. Datos experimentales para el segundo circuito diodo Zener 1N4001

Grfica 2. Vo vs Io para el diodo

Zener 1N4001

*La incertidumbre asociada corresponde a la incertidumbre tipo B, vase apndice A.

LED
Ve [V] 35 (0.175) 30 (0.150) 25 (0.125) 20 (0.100) 15 (0.075) 10 (0.050) 5 (0.025) 1 (0.005) -1 (-0.005) -4 (-0.020) -7 (-0.035) -10 (-0.050) -13 (-0.065) -16 (-0.080) -20 (-0.100) -25 (-0.125) -30 (-0.150) Vo [V] 2.00 (0.060) 1.81 (0.054) 2.79 (0.084) 1.60 (0.048) 2.40 (0.072 2.22 (0.067) 2.00 (0.060) 1.00 (0.030) -1.04 (0.031) -4.16 (0.125) -7.17 (0.215) -10.1 (0.303) -13.2 (0.396) -15.5 (0.465) -17.4 (0.522) -19.5 (0.585) -21.2 (0.636) Io [mA] 209.4 (1.057) 29.45 (0.157) 22.53 (0.123) 17.56 (0.098) 12.65 (0.073) 7.788 (0.049) 2.984 (0.025) 0.000 (0.010) 0.000 (0.010) -0.003 (0.010) -0.005 (0.010) -0.009 (0.010) -0.012 (0.010) -0.698 (0.013) -2.819 (0.024) -5.765 (0.039) -9.068 (0.055)

Tabla 2. Datos experimentales para el tercer circuito con LED

Grfica 2. Vo vs Io para el LED

*La incertidumbre asociada corresponde a la incertidumbre tipo B, vase apndice A.

Parte b. Rectificadores Para cada circuito se tom foto de la pantalla del osciloscopio conectado en la resistencia de carga se reportan las fotos obtenidas. Circuito con filtro RC Rectificador de media onda condensador: 100 F resistencia: 100

Figura 16. Comportamiento del circuito al conectar el condensador.

Figura 17. Comportamiento sin conectar el condensador.

Circuito con transformador y puente de diodo Rectificador de onda completa condensador: 100 F resistencia: 270

Figura 18. Comportamiento del circuito al conectar el condensador.

Figura 19. Comportamiento sin conectar el condensador.

Rectificador de onda completa condensador: 470 F resistencia: 560

Figura 20. Comportamiento del circuito al conectar el condensador.

Figura 21. Comportamiento sin conectar el condensador.

Rectificador de onda completa condensador: 1000 F resistencia: 1000

Figura 22. Comportamiento del circuito al conectar el condensador.

Figura 23. Comportamiento sin conectar el condensador.

Anlisis de Datos

Capacidad [F] 100 (5.00) 470 (23.5) 1000 (50) 100 (5.00) 470 (23.5) 1000 (50) 100 (5.00) 470 (23.5) 1000 (50)

Resistencia [] 270 (13.5) 270 (13.5) 270 (13.5) 560 (28) 560 (28) 560 (28) 1000 (50) 1000 (50) 1000 (50)

Periodo [ms] 16.640 (0.0017) 16.720 (0.0017) 16.660 (0.0017) 16.680 (0.0017) 16.680 (0.0017) 08.760 (0.0009) 16.680 (0.0017) 16.640 (0.0017) 17.250 (0.0017)

Factor de Rizo 0.1779 (0.0547) 0.0380 (0.0117) 0.0178 (0.0055) 0.0860 (0.0264) 0.0183 (0.0056) 0.0045 (0.0014) 0.0482 (0.0148) 0.0102 (0.0031) 0.0050 (0.0015)

Tabla1.4 Factor de Rizo

Capacidad [F] 100 (5.00) 470 (23.5) 1000 (50.0) 100 (5.00) 470 (23.5) 1000 (50.0) 100 (5.00) 470 (23.5) 1000 (50.0)

Resistencia [] 270 (13.5) 270 (13.5) 270 (13.5) 560 (28) 560 (28) 560 (28) 1000 (50) 1000 (50) 1000 (50)

Periodo [ms] 8.350 (0.0008) 7.840 (0.0008) 8.240 (0.0008) 8.320 0.0008) 8.800 (0.0009) 8.340 (0.0008) 8.310 (0.0008) 8.350 (0.0008) 8.600 (0.0009)

Factor de Rizo 0.0446 (0.0137) 0.0089 (0.0027) 0.0044 (0.0014) 0.0214 (0.0066) 0.0048 (0.0015) 0.0021 (0.0007) 0.0120 (0.0037) 0.0026 (0.0008) 0.0012 (0.0004)

Tabla1.5 Factor de Rizo

IV.

Discusin

Para la parte a se observa que las grficas para el diodo, el diodo Zener y el LED corresponden a las esperadas para un diodo de silicio. El punto del potencial a partir de donde la corriente crece exponencialmente y responde a pequeas variaciones de voltaje es aproximadamente 0.6 o 0.7 V lo que tambin era esperado. En el diodo Zener (Grfica 2) se observa que a partir de cierto voltaje negativo el diodo deja pasar corriente. En los otros dos casos al darle corriente negativa a los diodos la corriente casi permanece en cero. En el caso del LED (Grfica 3) Se observa que a partir de cierto voltaje la corriente empieza a pasar otra vez pero la fuente no nos permiti darle ms voltaje. Para la parte b se puede observar que el filtro ms efectivo, en ambos casos es cuando tenemos una resistencia de 1000 y 1000 F, como el periodo casi se mantiene constate el factor de rizo disminuye cuando el producto RC aumenta que es en este caso. V. Conclusiones

Las grficas del comportamiento de los diodos obtenidas coinciden con las esperadas tericamente, de tipo exponencial. El comportamiento de un diodo conectado a un circuito RC si funciono como rectificador de corriente alterna y las grficas del circuito, tanto con condensador, como sin el, coinciden con las esperadas.
En general estudiar al comportamiento de diodos se obtuvieron los datos y las formas de grficas esperadas.

Referencias [1] Holt, Charles. Circuitos electrnicos digitales y analgicos. Ed. Reverte Espaa 1985 [2] Hambley, A. R. (2001). Electrnica. Pearson Educacin. [3] Miranda, J. Evaluacin de datos e incertidumbres, Instituto de fsica 2002, Mxico

Apndice A Parte a: comportamiento de diodos, parte b: rectificacin de corriente Se utilizaron incertidumbres tipo B (tipo no estadstico), por lo que cada valor tiene asignada una incertidumbre de acuerdo a: Especificaciones de los Aparatos Referencia Escala de medicin Incertidumbre 0.5% Manual de la Fuente Volts [v] Hewlett E3611A

Manual del Multmetro Miliamperes [mA] LG DM-441B Resistencias Ohms[]

0.5% + 1dgt

5% (100 ppm reading + 0.6 ns)

Manual del Osciloscopio Periodo [s] Tektronix TDS1002

Factor de rizo Se asign la incertidumbre estndar combinada de acuerdo a la ley de propagacin de incertidumbres. Con: Donde cada variable tiene una incertidumbre tipo B asociada: T=T+T, R=R+R y C=C+C. Entonces se tiene: | | ( | | | | )