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Cours ECE1 / E2 / S.

Azzopardi 2011

Electronique pour la Conversion de lEnergie 1

Intervenant: Stphane Azzopardi


Contact E-mail: stephane.azzopardi@enseirb-matmeca.fr ou stephane.azzopardi@ims-bordeaux.fr Web: www.enseirb-matmeca.fr/~azzopard/ Tel.: 05 56 84 23 40 (ENSEIRB-MATMECA) ou 05 40 00 28 08 (IMS) Filire Electronique
Ecole Nationale Suprieure dElectronique, Informatique Tlcommunication, Mathmatique et Mcanique de Bordeaux
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Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Contenu du cours
I. Introduction
A. Gnralits B. Linaire vs. Dcoupage C E C. Exemples l D. Principe de commutation de lnergie

IV. Notion de thermique


A. Gnralits B. Conduction, rgime g stationnaire C. Radiateurs D. Application llectronique E. Conduction, rgime non stationnaire F. Quelques rsultats exprimentaux

II. Les composants actifs


A. Introduction B. Diode C. Transistor bipolaire D Transistor MOS D.

V. Les boitiers
A. Introduction B Boitiers mtalliques B. C. Boitiers plastiques D. Boitiers isols E. Boitiers pour montage en surface F. Boitiers contacts presss G. Montage des boitiers

III. Les composants passifs


A. Rsistances B. Condensateurs C. Inductances

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Contenu des TD et BE
TD1 : Convertisseurs abaisseur de tension*, lvateur de tension et mixte (abaisseur-lvateur de tension) TD2 : Dimensionnement dune inductance* TD3 : Circuit de commande du transistor de puissance TD4 : Commutation de la diode et du transistor de puissance TD5 : Calcul de pertes dans la diode et dans le transistor de puissance pu ssa ce / Dimensionnement e s o e e t de radiateur ad ateu Rvision : Convertisseurs CUK, SEPIC, ZETA BE1 : Etude dun Voltage Regulator Module BE2 : Elments parasites dans un convertisseur abaisseur de tension
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I. Introduction

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A. Gnralits : lectrotechnique = conversion de lnergie?

Figure I-A-1. Le nouveau visage de la conversion de lnergie


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I. Introduction
A. Gnralits : rle des circuits de puissance

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Application des circuits lectroniques : traitement de linformation Electronique analogique (capteurs, mis en forme) Electronique numrique (traitement) Energie ? => lectronique pour la conversion de lnergie (puissance)

Figure I-A-2. Exemple de traitement de lnergie

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I. Introduction
A. Gnralits : discipline en forte croissance
Domaine jeune en plein essor Aspect multidisciplinaire
millions d' 'e uros

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March mondial des convertisseurs


7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 2002 2007 2012

L'lectronique pntre partout


tracteur agricole TGV machine automobile avion 0% 10% 20% 30% 40%

contenu en lectronique

Figure I-A-4. Quelques chiffres1 Figure I-A-3. Nature multidisciplinaire de llectronique de puissance

Etude de march ralise par la socit Dcision en septembre 2003

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I. Introduction
A. Gnralits : classifications des sources dnergie
Nature des sources : continues ou alternatives Notions de conversion de lnergie Commutatrices Machines tournantes Transformateurs Convertisseurs statiques
v1
Primtre du cours ECE1

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f1, v1

v2'

f2, v2

Figure I-A-5. Diffrents types de convertisseurs


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I. Introduction
A. Gnralits : le systme de conversion
Les composants passifs Les condensateurs Les inductances, les transformateurs (shunt) ) Les rsistances ( Commutation => CEM => filtres Charge Circuit de commande Circuits de rtroaction Rgulation R l i

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Figure I-A-6. Synoptique dun systme de puissance

IMS

Gaia Converter

Figure I-A-7. Ralisations


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I. Introduction
A. Gnralits : historique

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Figure I-A-8. Historique des composants actifs pour la conversion dnergie

Verrou technologique li aux composants de puissance Verrou technologique li la structure des convertisseurs
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I. Introduction
A. Gnralits : principaux composants actifs
Composants bipolaires Composants unipolaires

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Diode

Schottky

Thyristor Triac

Bipolaire MOSFET

IGBT

MCT

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

(f)

(g)

(h)

Figure I-A-9. Symboles de quelques composants de puissance semi-conducteur

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I. Introduction
A. Gnralits : classification des composants actifs (Si)
Frquence Courant commut Tension bloque

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Figure I-A-10. Utilisation des composants de puissance semi-conducteur


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I. Introduction
A. Gnralits : concept de la commutation
Souci principal : rendement lev (de 80 99%) Eviter lchauffement des composants (dure de vie rduite) Rduction du systme de refroidissement (volume)

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Rendement lev possible par utilisation de composants de puissance semi-conducteur en rgime de commutation (alimentation dcoupage)

satur actif tif

bloqu
Figure I-A-11. Rgime linaire et rgime de commutation (tat bloqu et tat passant ou satur)
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I. Introduction
A. Gnralits : domaines dapplication

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Production de lnergie (solaire, arognrateurs, piles combustibles) Transport de lnergie Conditionnement de lnergie Transports (TGV, Tram, vhicule lectrique, vhicule hybride, navires, automobiles, avion pole AESE ...) Habitations (clairage, chauffage, climatisation, rfrigrateurs, cuisinires, fours, quipements audiovisuels, ordinateur, tlphone) Industrie (clairage, ventilation, fours, lectrochimie, machines outils, pompes, compresseurs ) Tlcommunication et industrie arospatiale (chargeurs, alimentation dcoupage, gestion de lnergie, alimentations non interruptibles)

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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (solaire)
Conversion DC => AC

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Figure I-A-12. Toit solaire et son systme intelligent de conversion de lnergie

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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (olien)
Conversion AC => DC => DC => AC

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Figure I-A-13. Eolienne et son systme intelligent de conversion de lnergie

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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (domestique)

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Figure I-A-14. Applications domestiques de la conversion et gestion de lnergie


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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (journalier)

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Figure I-A-15. La conversion et la gestion de lnergie au quotidien


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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (transports)

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Chercher lerreur

A380

Dreamliner Figure I-A-16. La conversion de lnergie dans les transports


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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
en attendant la voiture 100% lectrique : voiture hybride

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E-tron

Prius III

Figure I-A-17. Cas de lautomobile hybride


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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
Voitures 100% lectriques : vers une ralit ?

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Figure I-A-18. Peut on rver dune voiture 100% lectrique ?


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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
Voitures lectriques : les premiers pas en 1881

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Figure I-A-19. La premire voiture lectrique


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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
Voitures lectriques : vers une ralit en 2011~2012

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Smart

Zest

Eliica

Tesla
Figure I-A-20. Quelques modles de voiture lectrique
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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)

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Voitures lectriques : AutoLib Electrique de Bollor (autopartage)

U i Batscap Usine B t

Bluecar
Figure I-A-21. Lautolib lectrique propos par V. Bollor
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I. Introduction
A. Gnralits : pilotage dun moteur lectrique

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Par rhostat (faible puissance)

Par transistor ballast (faible puissance) Par hacheur simple cadran

Par hacheur quatre cadrans Par onduleur triphas Figure I-A-22. Diffrentes topologies de commande de moteur suivant sa nature
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I. Introduction
A. Gnralits : lampes basse consommation
Exemple de conversion AC => DC => AC

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Onduleur

Charge

DC ~ 325V
Commande

AC

Filtrage

AC

Figure I-A-23. Schma lectrique dun ballast lectronique


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I. Introduction
A. Gnralits : chargeur de batterie de tlphone portable
Exemple de conversion AC => DC => DC
Abord au cours ECE2 Isolement

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DC ~ 325V
Redressement Filtrage

Filtrage

DC
Charge

AC

Filtrage Commande Rgulation

Figure I-A-24. Schma lectrique chargeur de batterie pour tlphone portable (flyback)
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I. Introduction
A. Gnralits : les entreprises

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Composants actifs : Toshiba, Fuji, Infineon, Freescale, International Recitifer, Mitsubishi, Toyota ,ST... Composants passifs : Wrth Elektronik, Elektronik Maxwell, Maxwell LEM LEM, EPCOS, EPCOS Curamik Mise en boitier : Denfoss, Semikron, ABB, Microsemi (Bruges) Circuits de commande : Texas Instruments, MicroChip, FairChild Convertisseur petite puissance : Vicor, Gaia Converter (Le Haillan) Convertisseur Co e t sseu forte o te pu puissance ssa ce : EDF, , Leroy e oy So Somer, e , Alstom sto End Users : Renault, Peugeot, Toyota, EADS, Airbus, Hispano Suiza, Thales, Valeo, Alstom

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I. Introduction
A. Gnralits : lIMS
Equipe Intgration de Puissance .

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=> Stages 2A, PFE, thses

Figure I-A-25. Equipe Intgration de Puissance de lIMS


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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : analogie avec lhydraulique
Robinet composant actif Baignoire composant passif de stockage dnergie Fuite deau fuite dnergie

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Figure I-B-1. Comparaison entre la commande proportionnelle et la commande dcoupage


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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : b-aba de la conversion DC-DC

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~ 25%

~ 40%

~ 95%

Figure I-B-2. Conversion de lnergie DC-DC : plusieurs approches

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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : alim. linaires stabilises
Alimentations linaires stabilise en tension ou en courant

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Figure I-B-3. Alimentation linaire stabilise en V

Figure I-B-4. Alimentation linaire stabilise en I

Transistor ballast pilot par lment non linaire (diode zener) Vs = Vz Vbe avec Vs < Ve Stabilit relative

10 2

vS 10 1 Vs

Le principe est de stabiliser VR laide dun lment non linaire (diode zener) Is = (Vz Vbe)/R avec Vs < Ve Stabilit relative :

10 2

iS 10 1 Is
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : alim. linaires rgules
Alimentation linaire rgules en tension ou en courant

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Figure I-B-5. Alimentation linaire rgule en V

Figure I-B-6. Alimentation linaire rgule en I

Tension de sortie contrle et Tension aux bornes de la rsistance compare une tension de rfrence R parcourue par Is compare une non linaire (diode zener) tension de rfrence Asservissement Stabilit relative dpend de la qualit de la rfrnce, du capteur, gain de boucle
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : exemple dalim. linaire

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Etude dune alimentation linaire rgule en tension (2,5V @ 10A) Composition : rfrence de tension (LM185 BX-1.2), amplificateur derreur (RtoR LMC6041), ( ), transistor ballast (BDW93) ( ) et 3 rsistances Ve = 5V, Vs = 2,5V, Vref = 1,235, R1 = 4,87k, R2 = 4,75k, stat = 750

Ib = 13,3mA Is = 10A => P(BDW93) = 25W

Figure I-B-7. Schma dune alimentation linaire.

=> Rendement infrieur 50% => Systme de refroidissement dimensionn en consquence pour de fort courant
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : alim. issues du secteur

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Figure I-B-8. Schma dune alimentation linaire

Figure I-B-9. Schma dune alimentation dcoupage

Facile mettre en uvre Tensions et courants trs stables Peu perturbatrices Transformateur volumineux et lourd Transistor dissipe forte puissance Radiateur encombrant Faible rendement (<50%)
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Transformateur de taille rduite Pertes rduites dans le transistor Rendement leve (75 95%) Difficile mettre en uvre Ondulation rsiduelle en sortie Perturbatrice
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : alim. issues source continue

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Figure I-B-10. Schma dune alimentation linaire Figure I-B-11. Schma dune alimentation dcoupage

Avantages et inconvnients identiques au cas prcdent (mis part ceux inhrents au transformateur)

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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : CEM

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Le dcoupage du courant induit de fortes perturbations lectromagntiques et il est ncessaire deffectuer un antiparasitage de lalimentation perturbatrice : Par un filtrage de ligne en amont et en aval des circuit commutateurs Par un blindage g lectromagntique g q reli correctement la terre

Figure I-B-12. Mise en place dun antiparasitage


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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : choix du principe utilis

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Alimentation dcoupage : gain de poids et de place sans trop de contraintes de stabilits relatives et de susceptibilits lectromagntiques, gnrations de tensions inverses ou suprieures la source Alimentation linaire : tension hautement rgules

Figure I-B-13. Quelques chiffres


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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : comparaison

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M.T.B.F. : Mean Time Before Failure

Figure I-B-14. Quelques chiffres (suite .)


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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : notion de dcoupage
Dcoupage : outils de base de llectronicien de puissance (1)

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Le travail de llectronicien de puissance consiste dterminer les conditions douverture et de fermeture dinterrupteurs lectroniques en vue dassurer une fonction donne de conversion Analyse de circuit base sur les rsultats classiques des systmes linaires Rponse dun systme linaire : rgime libre + rgime forc

vL

Figure I-B-15. Exemple : circuit inductif RL srie Rponse un chelon de tension


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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : parlons constante de temps
Dcoupage : outils de base de llectronicien de puissance (2)

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Figure I-B-16. Circuit inductif RL srie Rponse une tension rectangulaire priodique

Figure I-B-17. Circuit inductif RL srie Rponse une tension rectangulaire priodique (constante de temps plus longue)
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : linductance parfaite
Notion de magntisation

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Figure I-B-18. Inductance en rgime impulsionnel (inductance relle : RL)

Figure I-B-19. Inductance en rgime impulsionnel (inductance parfaite : R=0)

Une inductance est considre comme parfaite lorsque le courant de travail (ici 20A) est trs infrieur au courant maximum thorique (ici 200A), la tension en ses bornes tant quasiconstante. On adopte la rgle du dixime
Figure I-B-20. Application de la rgle du dixime
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : la diode de roue libre
Notion de dmagntisation

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ton : E = L.di/dt / => pente 1000A/s / toff : vAKon = -L.di/dt => pente -60A/s

Figure I-B-21. I-B-21 Circuit de dmagntisation par diode de roue libre seule (VAKon = 0,6V)

Figure I-B-22. Dmagntisation par diode de roue libre seule

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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : circuit de dmagntisation
Dmagntisation rapide

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ton : E = L.di/dt => pente 1000A/s toff : vAKon + Vz = -L.di/dt => pente -1500A/s

Figure I-B-23. I B 23 Circuit de dmagntisation par diode de roue libre + fem (VAKon + Vz = 0,6V + 15V)

Figure I-B-24. Dmagntisation par diode de roue libre + fem (mode discontinue)

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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : quelques rgles
Loi de dmagntisation des inductances parfaites

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Rgle 1 : il ny a pas de variation instantane de flux dans le circuit inductif (pas de variation instantane dnergie). g ) Pour une inductance seule, , cest donc le courant qui ne peut varier instantanment. Par contre, la tension ses bornes est limage de la drive du courant. Rgle 2 : A la fin de la phase de magntisation (ouverture de linterrupteur) ds que le courant, donc le flux, tend diminuer, la tension aux bornes de lenroulement sinverse et augmente instantanment jusqu ce que la diode de roue libre prvue pour la dmagntisation conduise. Si tel nest pas le cas (pas de chemin possible pour permettre un courant de dmagntisation de circuler), alors l les l tenions i tendent d vers une valeur l infinie. i fi i

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I. Introduction
C. Exemples : quelques convertisseurs non isols

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Alimentation non isole fonctionnant en abaisseur de tension : elle est utilise jusqu quelques centaines de watts pour transformer des tensions continues de 24V, , 42V et secteur redress, , on la trouve aussi dans les applications portables. Alimentation non isole fonctionnant en lvateur et inverseur de tension : on la retrouve couramment lorsque lon passe de V1 V2 avec V2 > V1.
Type Abaisseur Nom Hacheur srie, hacheur dvolteur, buck, step down convertor Hacheur parallle, hacheur survolteur, boost, step up convertor Hacheur stockage inductif, buck-boost, inverting convertor Puissance qq 100W

Elvateur

qq 100W

Abaisseur-Elvateur

qq 100W

Figure I-C-1. Noms et puissance des principaux convertisseurs non isols


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I. Introduction
C. Exemples : le BUCK

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Alimentation dcoupage : exemple du convertisseur abaisseur de tension (BUCK) Deux composants passifs L et C g est reprsente p par p R La charge Deux composants actifs K et D Hypothses dtude : K est actionn priodiquement (ouvert ou ferm la frquence f) rapport cyclique [0; 1] K et D parfaits, L parfaite iL(t) > 0 (conduction continue) C dimensionn tel que Vs << Vs Rgime permanent Notations Valeur moyenne <V(t)>, V, V ^ Valeur crte V Valeur instantane V(t), V
VK iK K Ve D iD iL VD VL L

iD iC C

iS Vs R

Figure I-C-2. Schma de principe dun convertisseur continu-continu non isol abaisseur de tension

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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : rgime permanent

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Evolution de la tension de sortie : rgime transitoire + rgime permanent

Figure I-C-3. Rgime transitoire et rgime permanent dans un convertisseur


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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : tude sur [0;T]
Etude de la topologie du circuit sur une priode de dcoupage
K iK Ve C R iL

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iL
L Vs

L Vs C R

D iD

Figure I-C-4. Schma quivalent pour t

[0; T[

Figure I-C-5. Schma quivalent pour t

[T; T[

Etude des courants et des tensions

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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : courants et tensions

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Figure I-C-7. Courant et tension dans linductance

Rapport de conversion Vs = .Ve (indpendant de R)


Figure I-C-6. Formes dondes courant et tension dans la diode, le transistor et la charge
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : rgles importantes

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Les deux rgles principales en lectronique de puissance applique la conversion statique de lnergie : La a valeur a eu moyenne oye e de la a te tension s o au aux bo bornes es d dune u e inductance ducta ce pa parcourue cou ue pa par un courant priodique est nulle Lorsque la tension aux bornes dun condensateur varie priodiquement, la valeur moyenne du courant qui le traverse est nulle Lors de lutilisation dun simulateur pour une tude de convertisseur, il faut sassurer que le rgime permanent est atteint en vrifiant les deux rgles prcdentes Ces rgles sont gnraliser pour toutes les topologies de convertisseurs

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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : commande synchrone

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Remarque concernant la commande des composants actifs : cas des MOSFET MOSFET : Faible RDSon => remplacement de la diode de roue libre
D G Sub S S S
Temps mort : Body D conduit => pas optimise

D G G

Commande alterne VGS1 et VGS2 => commande synchrone avec gestion de temps mort

Rajout de diode Schottky

Figure I-C-8. Utilisation de MOSFET la place de la diode de roue libre pour amliorer le rendement du convertisseur BUCK
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : conduction critique

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Que se passe t-il si, Vs constante, R augmente ? => Is diminue

Figure gu e I-C-9. C 9 Annulation u at o du cou courant a t dans da s linductance ducta ce

Conduction continue

Inductance critique (pour R donne)

LC =

R .(1 ) 2.f
Conduction discontinue

Figure I-C-10. Variation de Iso en fonction de

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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : conduction discontinue
Que se passe t-il si, Vs constante, Is diminue fortement ?

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Figure I-C-11. Tension aux bornes de la diode et courant dans linductance lors de la conduction continue
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : plan de conduction
Si lon veut garder Vs=cte, il faut agir sur le rapport cyclique

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Conduction Conduction continue continue

Conduction Conduction discontinue discontinue

Figure I-C-12. Variation du rapport de conversion en fonction de Is/Iso


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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : Vs et calcul de C
Quen est-il de londulation de la tension de sortie ?

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Figure I-C-13. Analyses de londulation de la tension de sortie

=> VS =

Ve . .(1 ) 8.L .C.f


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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : effet des composantes de C sur Vs

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La rsistance quivalente ESR domine lvolution de londulation de la tension de sortie du convertisseur

Figure I-C-14. Evolution de londulation de VS en fonction de C et de ESR


[extrait de Buck-Converter Design Demystified, Donald Schelle and Jorge Castorena, Power Electronics Technology, June 2006 ]

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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : bilan des pertes (composants rels)

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Ncessit de rduire les pertes engendres dans la diode de roue libre afin daccroitre le rendement du convertisseur

Figure I-C-15. bilan des pertes dans un convertisseur abaisseur de tension non isol
[extrait de Buck-Converter Design Demystified, Donald Schelle and Jorge Castorena, Power Electronics Technology, June 2006 ]

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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : approche rgulation

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Une alimentation dcoupage est un systme comportant une plusieurs boucles de rgulation

Figure I-C-16. Rgulation dune alimentation dcoupage (convertisseur abaisseur de tension non isol)

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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : Modulation de Largeur dImpulsion

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MLI (Modulation de Largeur dImpulsion) ou PWM (Pulse Width Modulation) Dfinition : La modulation de largeur d impulsions consiste appliquer dimpulsions aux interrupteurs des crneaux de commande de largeur variable avec une priodicit constante.

Figure I-C-17. Train dimpulsions de largeur T Figure I-C-18. Modulation sinusodale MLI
source : Ptdesign - October 2000

N.B. : Ce principe de commande sapplique tous les convertisseurs


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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : exemple de ralisation
convertisseur abaisseur de tension Vs = +5V

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Figure I-C-19 Exemple de convertisseur BUCK avec un circuit du commerce


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I. Introduction
C. Exemples : BOOST (TD1)

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Alimentation dcoupage : exemple du convertisseur lvateur de tension (BOOST) Deux composants passifs L et C La charge g est reprsente p par p R Deux composants actifs K et D Hypothses dtude : K est actionn priodiquement (ouvert ou ferm la frquence f) rapport cyclique [0; 1] K et D parfaits, L parfaite iL(t) > 0 (conduction continue) C dimensionn tel que Vs << Vs Rgime permanent Notations Valeur moyenne <V(t)>, V, V ^ Valeur crte V Valeur instantane V(t), V
VL iL Ve L VK K iK VD D

iD iC C

iS Vs R

Figure I-C-20. Schma de principe dun convertisseur continu-continu non isol lvateur de tension

61 /261

I. Introduction
C. Exemples : BOOST : courants et tensions

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-C-22. Courant et tension dans linductance

Rapport de conversion Vs =
Figure I-C-21. Formes dondes courant et tension dans la diode, le transistor et la charge
62 /261

Ve 1-

(indpendant de R)

31

I. Introduction
C. Exemples : BOOST : conduction critique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Que se passe t-il si, Vs constante, R augmente ? => Is diminue

Figure I I-C-23. C 23. Annulation du courant dans l linductance inductance

Conduction continue

Inductance critique (pour R donne)

LC =

.(1 ) 2 .R 2.f

Figure I-C-24. Variation de Iso en fonction de

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I. Introduction
C. Exemples : BOOST : conduction discontinue
Que se passe t-il si, Vs constante, Is diminue fortement ?

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-C-25. Courant dans linductance et tension aux bornes de linductance l ors de la conduction discontinue

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32

I. Introduction
C. Exemples : BOOST : plan de conduction
Si lon veut garder Vs=cte, il faut agir sur le rapport cyclique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Conduction continue

Conduction discontinue

Figure I-C-26. Variation de M en fonction de Is/Iso


65 /261

I. Introduction
C. Exemples : BOOST : Vs et calcul de C
Quen est-il de londulation de la tension de sortie ?

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-C-27. Analyses de londulation de la tension de sortie

=> VS =

IS . .T = Vs C f .R .C
66 /261

33

I. Introduction
C. Exemples : BOOST : valeur maximale de Vs ?
Linductance L ntant pas parfaite : RL 0

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

L parfaite

L relle

Figure I-C-28. Effet de la rsistance srie de linductance sur le rapport Vs/Ve

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I. Introduction
C. Exemples : BOOST : exemple de ralisation
convertisseur +12V => +19V

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-C-29. Exemple de ralisation de convertisseur BOOST


68 /261

34

I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST (TD1)

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Alimentation dcoupage : exemple du convertisseur lvateur-abaisseur et inverseur de tension (BUCK-BOOST) Deux composants passifs L et C La charge g est reprsente p par p R Deux composants actifs K et D Hypothses dtude : K est actionn priodiquement (ouvert ou ferm la frquence f) rapport cyclique [0; 1] K et D parfaits, L parfaite iL(t) > 0 (conduction continue) C dimensionn tel que Vs << Vs Rgime permanent Notations Valeur moyenne <V(t)>, V, V ^ Valeur crte V Valeur instantane V(t), V
VK iK K Ve VL L iL VD D

iD iC C

iS Vs R

Figure I-C-30. Schma de principe dun convertisseur continu-continu non isol abaisseur-lvateur et inverseur de tension

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I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : courants et tensions
Chronogrammes

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-C-32. Courant et tension dans linductance

Rapport de conversion

Figure I-C-31. Formes dondes courant et tension dans la diode, le transistor et la charge

(indpendant de R)
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35

I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : conduction critique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Que se passe t-il si, Vs constante, R augmente ? => Is diminue

Figure I I-C-33. C 33. Annulation du courant dans l linductance inductance

Inductance critique (pour R donne)

Conduction continue

LC =

(1 ) 2 .R 2.f
Conduction discontinue

Figure I-C-34. Variation de Iso/Isom et ILo/ILom en fonction de


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I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : conduction discontinue
Que se passe t-il si, Vs constante, Is diminue fortement ?

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-C-35. Courant dans linductance lors de la conduction discontinue

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36

I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : plan de conduction
Si lon veut garder Vs=cte, il faut agir sur le rapport cyclique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Conduction continue

Conduction discontinue

Figure I-C-36. Variation de M en fonction de Is/Isom

73 /261

I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : Vs et calcul de C
Quen est-il de londulation de la tension de sortie ?

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-C-37. Analyse de londulation de la tension de sortie

=> VS =

IS . .T = Vs C f .R .C
74 /261

37

I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : exemple de ralisation
convertisseur +5V / -5V @100mA

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-C-38. Exemple de convertisseur BUCK-BOOST avec un circuit du commerce


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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : notion daiguillage
Rgime de commutation (aiguillage de lnergie) Notion dinterrupteur

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-D-1. Aiguillage interrupteurs idaux

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38

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : interrupteurs idaux

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Proprits statiques : Ron nulle - Roff infinie I(V) bidirectionnelle en V et I Proprits dynamiques : commutation instantane tat passant tat bloqu et inversement

Figure I-D-2. Caractristique I(V) de linterrupteur idal

77 /261

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques statiques

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Les composants possdant des caractristiques statiques deux segments

Figure I-D-3. Caractristiques deux segments

Diodes et transistors : composants unidirectionnels en courant et en tension


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39

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques statiques

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Les composants possdant des caractristiques statiques trois segments

Figure I-D-4. Caractristiques trois segments

Thyristors : composants bidirectionnels en courant ou en tension

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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques statiques

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Les composants issus de synthse possdant des caractristiques statiques trois segments

Figure I-D-5. Synthse de caractristiques trois segments

Diode + Transistors : composants bidirectionnels en courant ou en tension


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40

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques statiques

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Les composants possdant des caractristiques statiques quatre segments

Figure I-D-6. Caractristiques quatre segments

Triacs : composants bidirectionnels en courant et en tension (trs lents)


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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques de commut.

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Commutation : passage de ltat bloqu ltat passant et vice-versa Trajectoire suivi par le point de fonctionnement : caractristique dynamique de commutation Trajectoire impose par le circuit extrieur linterrupteur (diffrente au blocage et lamorage) Interrupteur rel : lment dissipatif (pertes en commutation) Deux types de commutation : commande et spontane

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41

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : type de commutation

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-D-7. Blocage et amorage commands

Axes de mme signe : commutation commande

Figure I-D-8. Blocage et amorage spontans

Axes de signe oppos : commutation spontane (pertes minimes)


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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : interrupteur de type D et T

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-D-9. Interrupteur de type D

Figure I-D-10. Interrupteur de type T

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42

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : bidirectionnalit en tension

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-D-11. Interrupteurs bidirectionnels en tension

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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : bidirectionnalit en courant

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-D-12. Interrupteurs bidirectionnels en courant

86 /261

43

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : exemple thyristor + diode

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-D-13. Exemple de fonctionnement dun interrupteur amorage command

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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : dfinition des sources

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

En lectronique de puissance, on appellera indiffremment source un rcepteur ou un gnrateur dnergie

Figure I-D-14. Echanges dnergie entre gnrateur et charge

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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : source de courant/tension

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

une source de tension impose la tension ses bornes indpendamment du courant qui la traverse une source de courant impose le courant qui la travers quelle que soit la tension ses bornes Ces dfinitions correspondent une proprit permanente valable toute les chelles de temps mais qui est rarement vrifie en lectronique de puissance
1m 1H I = 5A VAB = 11,975V

7A 3A

t VL
Fi Figure I-D-15. I D 15 Ali Alimentation t ti d dune l lampe
1H 1m +4V -2V +14V

VAB +8V t
1s 3s 89 /261

Figure I-D-16. Alimentation dun convertisseur (BE1)

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : quelques rgles

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

La tension v(t) aux bornes dun condensateur ne peut pas subir de discontinuit puisque lnergie stocke dans un condensateur ne peut pas varier brusquement. Le courant i(t) dans une inductance ne peut pas subir de discontinuit car lnergie stocke dans une inductance ne peut pas varier brusquement. En lectronique de puissance, un condensateur sera donc considr comme une source de tension et une inductance comme une source de courant.

Figure I-D-17. Sources de tension et de courant

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45

I. Introduction
D. Commutation de lnergie : rversibilit des sources

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Une source est rversible en tension si la tension ses bornes peut changer de signe. Une source est rversible en courant si le courant qui la traverse peut s sinverser inverser. La proprit de rversibilit est une proprit permanente.

Figure I-D-18. Rversibilit des sources

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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : interconnexion des sources

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Une source de tension ne doit pas tre court-circuite mais elle peut tre laisse en circuit ouvert Une source de courant ne doit pas tre laisse en circuit ouvert mais elle peut tre court-circuite. On ne peut pas connecter deux sources de tension en parallle ou deux sources de courant en srie. On ne peut donc connecter entre elles que des sources de nature diffrente. (cependant, si lune des sources est seulement instantane, on peut la connecter une autre source de mme nature).

Figure I-D-19. Interconnexion de deux sources de mme nature (cas particulier)


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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : synthse dun convertisseur

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

On se propose de synthtiser un convertisseur tension-courant Cahier des charges : convertisseur permettant de rgler les changes dnergie entre une source de tension et une source de courant Connexions autorises :

Figure I-D-20. Connexions autorises entre source de tension et de courant

Topologie propose :

Figure I-D-21. Montage en pont quatre interrupteurs

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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : synthse dun convertisseur

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Autres hypothses : aucune des sources nest rversible en courant ou en tension

Figure I-D-22. Phases de fonctionnement du convertisseur

Figure I-D-23. Points de fonctionnement des interrupteurs


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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : synthse dun convertisseur
Topologies possibles

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure I-D-24. Schmas du convertisseur tension-courant sans aucune rversibilit

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I. Introduction
D. Rfrences

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Michel Girard, Hugues Angelis, Magali Girard Alimentation dcoupage , 2me dition, DUNOD, ISBN 2-10-006940-3 Jacques Laroche Electronique de puissance : Convertisseurs , DUNOD DUNOD, ISBN 2-10-007252-8 Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Bruno Allard L'lectronique de puissance - Fondements et perspectives , Technique de lingnieur, D3000, Paris (France) Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France) Henri Foch et al. Outils de base de llectronicien de puissance, Technique de lingnieur, E3151, Paris (France) Thierry Lequeu Cours Alimentation Electronique , polycopi Univ. Tours
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II. Les composants actifs


A. Introduction : composants rels
Matriau semi-conducteur : Silicium

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Etat passant Chute de tension l ltat tat passant (tension de saturation ou rsistance l ltat tat passant) Courant limite maximum Sensible la temprature (environnement et auto-chauffement) Etat bloqu Tension maximale applicable Courant de fuite

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II. Les composants actifs


A. Introduction : conception des composants actifs
Barreau de silicium dcoup en tranche (wafer)

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-A-1. Obtention de wafers partir dun barreau de silicium


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49

II. Les composants actifs


A. Introduction : gravure sur wafer Si
Conception des composants Wafer

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

O 3" (7,62cm) 8" (20,32cm)

Figure II-A-2. Wafer silicium non grav

Figure II-A-3. Wafer silicium grav


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II. Les composants actifs


A. Introduction : roadmap des composants Si-IGBT

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Intgration de plus en plus pouss : augmentation de la densit de courant par cm, augmentation de la puissance commute, auto-chauffement plus important

Figure II-A-4. Evolution des tailles des puces sur sicle (transistor IGBT)
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50

II. Les composants actifs


A. Introduction : lignes de courant verticale

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Au niveau de la physique du semi-conducteur Structure verticale conduction de courant important => grande surface Tenue en tension conditionne par l lpaisseur paisseur de la zone active Face arrire active=> lectrode Ordre de grandeur : J=100A/cm2

Figure II-A-5. II-A-5 Structures de diode verticale et horizontale

1,5cm
Figure II-A-7. Transistors et diodes 200A et 50A Figure II-A-6. Structure de transistor verticale et horizontale
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II. Les composants actifs


A. Introduction : large choix de composants de puissance
Composant unipolaire (lectrons ou trous) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Diode Schottky Composant bipolaire (lectrons et trous) Diode PiN Transistor bipolaire Thyristor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) MCT (MOS Controlled Thyristor) IGCT (Insulated Gate Controlled Thyristor GTO ( (Gate Turn-off Thyristors) y )

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-A-8. Rappel des symboles des principaux composants de puissance semi-conducteur.
102 /261

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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : rappel tat passant / tat bloqu

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-1. Equilibre Polarisation directe Polarisation inverse


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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : zone de charge despace
Jonction abrupte N+P (pitaxie) Modle unidimensionnel

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-2. Distribution de quelques grandeurs lectriques dans la jonction abrupte

=> Modulation de la conductivit de la zone P (zone la moins dope)


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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : diode PiN
Diode dite Punch Throught (PT) Zone pitaxie faiblement dope PModle unidimensionnel

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

=> Modulation de la conductivit de la zone P- (zone la moins dope)

Figure II-B-3. Distribution de quelques grandeurs lectriques dans la jonction punch through
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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : caractristiques technologiques

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Fi Figure II-B-4. II B 4 E Epaisseur i de d la l ZCE en fonction f ti de la concentration de la rgion faiblement dope

Figure II-B-5. Tension davalanche en fonction de la concentration de la rgion faiblement dope

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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : caractristiques technologiques

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-6. Champs lectrique max. en fonction de la concentration de la rgion faiblement dope

Figure II-B-7. Cas des jonctions PT

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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : barrire de potentiel diode PiN

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-8. Potentiel de barrire dune diode PiN

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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : caractristique statique I(V)

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

100A

1,55V

Figure II-B-9. Caractristique direct de la diode PIN ST BYX65-200


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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : recouvrement inverse (TD4)

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-10. Courant et tension de la diode en commutation (phase douverture)


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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : contrle de la dure de vie

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Rduction de la charge stocke par procd de contrle de la dure de vie

Figure II-B-11. Niveaux dnergie des centres de recombinaison


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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : Diode Schokkty
structure mtal-semiconducteur

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-12. Structure de la diode Schottky

=> Pas de modulation de la conductivit de la zone N (zone la moins dope)


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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : caractristique statique I(V)
Caractristiques I(V) dune diode Schottky

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

100A 530mV
Figure II-B-13. Caractristique direct de la diode SCHOTTKY IR 200CNQ050
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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : comparaison PiN / Schokkty

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Dimensionnement des puces de silicium diode PiN / diode Schottky

Figure II-B-14. Quelques chiffres comparatifs entre la diode PiN et la diode Schottky
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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : capacit de barrire
Capacit de barrire des diodes PiN et Schottky

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-15. C(V) de la diode Schottky MBR1035 et de la diode PiN BYV79


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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : rcapitulatif
Comparatif diodes PiN / diode Schottky

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-16. Avantages et inconvnients des diodes PiN et Schottky

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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : diode dcrtage
Utilise pour les surtensions transitoires Transient Voltage Suppressor Destruction = > court circuit Puissance admissible dpend p du signal g appliqu pp q Composants bas cot

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-17. Forme donde 10 x 1000

Figure II-B-18. Puissance crte admissible par un 1.5KE en fonction de la dure de limpulsion
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II. Les composants actifs


B. La diode de puissance : technologie et applications

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-B-19. Variation de la capacit dun suppresseur en fonction de la tension applique

Figure II-B-20. Ecrtage passif et actif

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II. Les composants actifs


C. Le transistor bipolaire de puissance : rappel
Composant bipolaire (2 types de porteurs)

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Faible Vceon (rduction de la rsistance de base par injection de porteurs minoritaires) ) Charge stocke Commande en courant

Figure II-C-1. Principe du transistor bipolaire

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II. Les composants actifs


C. Le transistor bipolaire de puissance : structure

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-C-2. Structure interdigite de transistor bipolaire de puissance


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II. Les composants actifs


C. Le transistor bipolaire de puissance : SOA
Aire de scurit (Safe Operating Area : SOA) RBSOA : Reverse Bias Safe Operating Area FBSOA : Forward Bias Safe Operating p g Area OSAO : Overload Safe Operating Area

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-C-3. Dfinition de lAire de scurit (Safe Operating Area)


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II. Les composants actifs


C. Le transistor bipolaire de puissance : saturation
Phnomnes de saturation viter => Quasi saturation

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-C-4. Densit des porteurs minoritaires


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II. Les composants actifs


C. Le transistor bipolaire de puissance : rsum
Structure verticale et interdigite Avantages Faible chute de tension directe 1 2V Faible courant de fuite 1mA pour un transistor de 30A Une trs bonne tenue en tension Mise en parallle possible (soigner le cblage) Faible cout Inconvnients Commande en courant Ib=0,1 0,2Icsat Temps de commutation levs Phnomne Ph d de second d claquage l Eviter la saturation (rgime de quasi-saturation recommand) Respecter les aires de scurit

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II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : rappels
MOS (Metal Oxide Semi-conductor) Composant unipolaire (un seul type de porteurs => majoritaires) Pas de charge stocke q dutilisation leve Frquence Idal pour les tensions faibles (<100V) Vgs > Vseuil Commande en tension

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-D-1. Coupe du transistor MOS horizontal


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II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : structures
Structures varies du MOS de puissance

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-D-2. Les principales structures verticale MOSFET de puissance

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II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : structure nid dabeille
Vers le MOS HEXFET (1979)

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Composant multicellulaire m lticell laire

Figure II-D-3. Structure du MOS HEXFET


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II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : schma quivalent
Reprsentation schmatique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Fi Figure II-D-4. II D 4 S Symbole b l MOS canal lN

Fi Figure II-D-5. II D 5 S Schma h quivalent i l t avec l lments t parasites it

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II. Les composants actifs D. Le transistor MOS de puissance : caractristique I(V)

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Vgs=3V

Vgs=2V Vgs=1V

Figure II-D-6. Rseau de caractristiques Id-Vds


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II. Les composants actifs

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

D. Le transistor MOS de puissance : en conduction inverse

Conduction MOSFET

Conduction Diode
Figure II-D-7. Rseau de caractristiques Id-Vds dans les 1er et 3me cadrans
129 /261

II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : Rdson
Rsistance ltat passant : Rdson

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-D-8. Variation de la rsistance ltat passant RDSon en fonction de la tension de claquage
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II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : capacits parasites
Capacits inter-lectrodes du MOS de puissance

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-D-10. Structure MOSFET avec les capacits inter-lectrode

Ciss = Cgd + Cgs (input capacitance) Coss = Cgd + Cds (output capacitance) Crss = Cgd (reverse transfer capacitance)
Figure II-D-9. Schma lectrique quivalent du MOSFET avec les capacits inter-lectrode
131 /261

II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : mis en conduction

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure II-D-11. Circuit de commutation sur charge inductive

Figure II-D-12. Commutation du MOSFET

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II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : sensibilit aux dv/dt

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Renclenchement du MOS par les capacits parasites lors du blocage

Figure II-D-13. Possibilits de r-enclenchement du MOSFET sous fort dv/dt


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II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : sensibilit aux dv/dt
Renclenchement du MOS par le transistor bipolaire parasite

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

i(t) = C dv/dt

Figure II-D-14 Activation du transistor bipolaire parasite lors du blocage du MOS


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67

II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : sensibilit aux dv/dt

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Enclenchement du bipolaire parasite par courant inverse dans la diode de structure

Figure II-D-15. Activation du transistor bipolaire parasite ltat bloqu


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II. Les composants actifs


D. Le transistor MOS de puissance : rsum

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Premire commercialisation en 1975 : SILICONIX VN64 60V@12,5A@0,4 Introduction de la gamme HEXFET en 1979 (INTERNATIONAL RECTIFIER) Structure verticale, multicellulaire (VLSI) Avantages Commande en tension ( partir de circuits intgrs) Rapidit de commutation (+1 2 ordre de grandeurs par rapport au bipolaire) Robustesse Mise en parallle facile Inconvnients Utilisation limite aux tension infrieures 400V (Rdson augmente avec la t tension i de d claquage) l ) Cot

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68

II. Les composants actifs


E. Rfrences

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Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Stphane Lefebvre Lefebvre, Fancis Miserey Composants semi-conducteur pour llectronique de puissance , Lavoisier, ISBN 2-7430-0719-2 Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France)

137 /261

III. Les composants passifs


A. Les rsistances : caractristiques gnrales
Valeur ohmique nominale Prcision Puissance nominale (T=70C) Gamme de T dutilisation Dclassement Coefficient de T () Tension nominale Coefficient de tension

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Figure III-A-1. Code des couleurs

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III. Les composants passifs


A. Les rsistances : montage par insertion
Cylindre Valeurs de 0,1 1G Puissance nominale (T=70C) Familles couche carbone ou mtallique couche carbone moins performantes en termes de stabilit en temprature et de bruit 0,25W 2W : 100 1000ppm/K Vu : 250 700V

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couche mtallique moins performantes en termes de stabilit en temprature et de bruit 0,125W 3W : 50 200ppm/K Vu : 250 700V

Figure III-A-2. Rsistances couche carbone

Figure III-A-3. Rsistances couche mtallique 139 /261

III. Les composants passifs


A. Les rsistances : en rseau
une lectrode commune rsistances indpendantes faible puissance (0,125W)

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Figure III-A-4. Rseaux de rsistances

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III. Les composants passifs


A. Les rsistances : montage en surface (CMS)
0,05W 0,250W 1 100M : 10 200ppm/K Vu < 200V

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Peu inductive Effet capacitif


Figure III-A-5. Rsistances CMS
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III. Les composants passifs


A. Les rsistances : tude frquentielle (impdancemtre)

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High accuracy and wide range-Impedance measurement: t 100 Hz to 40 MHz, 0.1 m to 1.6 M, 0.17% 10 kHz to 100 MHz, 0.1 to 1 M, Gain-phase measurement: 10 Hz to 100 MHz, -107 107 dBm to +15 dBm, 0.1 dB resolution
Figure III-A-6. HP4194A Impedance / Gain Phase Analyzer

=> Comportement capacitif 142 /261

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III. Les composants passifs


A. Les rsistances : tude frquentielle (CMS)

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10,2k 10,1k 10,0k 9,9k 9,8k

4 2 0 -2 -4 -6

Figure III-A-7. Caractristique frquentielle dune rsistance CMS 1206 de 10k

=> Comportement capacitif 143 /261

III. Les composants passifs


A. Les rsistances : puissance bobines
qqW qq 100W m qq k : 25 50ppm/K

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=> Inductives

Figure III-A-8. Rsistances de puissance bobines


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III. Les composants passifs


A. Les rsistances : tude frquentielle (bobines)

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800 700 600 500 400 300 200 100 0

90 80 70 60 50 40 30 20 20 10

Figure III-A-9. Caractristique frquentielle dune rsistance bobine

=> Comportement inductif 145 /261

III. Les composants passifs


A. Les rsistances : puissance CMS
~ 10W m qq k : 10 100ppmK-1

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Figure III-A-10. Rsistance de puissance CMS

=> Non inductives !


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III. Les composants passifs


A. Les rsistances : puissance sur radiateur
~ 250W m qq k : 100 200ppmK-1

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Figure III-A-11. Rsistance de puissance monte sur radiateur mtallique

147 /261

III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : les familles

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Figure III-B-1. Les diffrentes familles de condensateurs


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : caractristiques gnrales
Capacit nominale Prcision Gamme de T dutilisation Coefficient de T Tension de service Courant de fuite Tangente de langle de pertes (facteur de dissipation) Augmentation capacit volumique Permittivit plus leve et couches plus fines Tension de service = f(dilectrique)

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149 /261

III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : de type cramique

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Figure III-B-2. Condensateurs cramiques

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : cramique type 1
Type I (r < 500) C = f(T) linaire C et indp. de V Trs grande rigidit dilectrique Trs faible courant de fuite Trs grande stabilit dans le temps Trs faibles pertes Prcision de 1 10%

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=> stabilit, prcision, linarit, faible ESR et ESL


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : vieillissement
Evolution des condensateurs cramique de type 1

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C(T)

C(V) et tan() (V)

C(f) / tan() (f)

C(f) / tan() (f)

Figure III-B-3. Trs bonne caractristiques des condensateurs NPO


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : cramique type 2
Type II (r > 500) Trs forte capacit vol. Trs faible courant de fuite Faible cot C = f(t) C et dp. de V et T Pertes importantes Prcision de 5 20%

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=> Essentiellement utiliss en dcouplage


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : vieillissement

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Evolution des condensateurs cramique de type 2 en fonction de T et V C(T) et tan() (T) C(T) et tan() (V)

Figure III-B-4. Caractristiques des condensateurs X7R, Y4T et Z5U

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : vieillissement

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Evolution des condensateurs cramique de type 2 en fonction de t et f C(t) C(f) et tan() (f)

Figure III-B-5. Caractristiques des condensateurs X7R, Y4T et Z5Un (suite)

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : film plastique auto-cicatrisables

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Figure III-B-6. Condensateurs film plastique

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : quelques comparaisons
Condensateurs film plastique auto-cicatrisables

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Dilectrique Permittivit relative tg (x10-4) Rigidit dilectrique (V/m) Temprature maxi (C)

Polycarbonate Polypropylne (PC) (PP) 3 2

Mylar (PET) 3.2

Tflon (PTFE) 2

15 250

3 200

50 275-300

1 90-170

130

130

150

260

Figure III-B-7. Comparatif des condensateurs film plastique


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : conception
Condensateurs film plastique auto-cicatrisables

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Figure III-B-8. Structure dun condensateur film plastique

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : vieillissement
Condensateurs film plastique auto-cicatrisables A : Mylar B : Polycarbonate C : Tflon (cher !) D : Polypropylne (puissance)

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Figure III-B-9. Variation de la capacit

Figure III-B-10. Variation de langle de pertes


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : vieillissement
Condensateurs film plastique auto-cicatrisables A : Mylar B : Polycarbonate C : Tflon (cher !) D : Polypropylne (puissance)

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A : Tension continue B : Tension sinusodale

Figure III-B-11. Variation de la rsistance interne

Figure III-B-12. Facteur du dclassement

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : tude frquentielle
Condensateurs film plastique auto-cicatrisables
Cramique X7R Mylar

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Cramique = faible ESL, dcouplage

Polystyrne 3,3nF 600Veff Cramique NPO

Cramique = meilleur comportement

Figure III-B-13. Caractristique frquentielle de quelques condensateurs film plastique


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : lectrolytiques
Forte capacit volumique Polariss Rservoir dnergie (continu) Filtrage ou liaison (alternatif) Faibles frquences (fr = qq khz)

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Figure III-B-14. Brochage des condensateurs lectrolytiques


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : lectrolytiques aluminium
Tension de service : 630V maxi Surcharges 1F qq 10 x 1000F Tolrance de 10% + 50% Courant de fuite qui croit avec T (point critique) Soupape de scurit Association en srie (haute tension) Temp : -55C +85C voire +125C Dure de vie limite ESR leve

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Figure III-B-15. Condensateurs lectrolytiques aluminium

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : conception
Condensateurs lectrolytiques aluminium

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Figure III-B-16. Structure dun condensateur lectrolytique

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : vieillissement
Condensateurs chimiques sur carte mre de PC

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Figure III-B-17. Condensateurs dfectueux empchant le PC de se lancer


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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : lectrolytiques au tantale
Trs grande capacit volumique Trs faible courant de fuite Faible inductance srie Longue dure de vie Tension de service maxi : 125V Temp : -55C +85C voire +125C 0.1F qq 100F Possibilit tension inverse !

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Figure III-B-19. Structure dun condensateur au tantale

Figure III-B-18 Condensateurs au tantale

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : tude frquentielle (tantale)
Condensateurs lectrolytiques : au tantale

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Aluminium 4,7F/63V

Tantale 4,7F/50V

Figure III-B-20. Caractristique frquentielle de condensateurs polariss

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III. Les composants passifs


B. Les condensateurs : CMS
Condensateurs pour montage en surface

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cramique c a que

lectrolytique y q

Figure III-B-21. Condensateurs lectrolytiques CMS

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III. Les composants passifs


C. Les inductances : utilisations gnrales
Filtres secteur Alimentations dcoupage Circuits RF Filtre passif audiofrquence Etc

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Composants spcifiques => tude et ralisation


=> Les pertes ne seront pas abordes dans ce cours
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III. Les composants passifs


C. Les inductances : gnralits : circulation de H

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Un champ magntique est cr autour dun conducteur lectrique travers par un courant. Cette circulation du champ magntique constitue une grandeur vectorielle perpendiculaire au courant gnr. Les lignes de champ reprsente le champ magntique magntique. Ces lignes forment forment, dans le cas dun d un conducteur travers par un courant, des cercles ferms concentriques. Le champ magntique H et chaque incrment de distance (dr), tout deux orients dans le sens inverse des aiguilles dune montre le long dune ligne de champ, vont toujours dans la mme direction. Une circulation complte fournit le champ magntique le long dun parcours ferm :
I

H .dr = I

Figure III-C-1. Circulation du champ magntique H dun fil rectiligne

Si plusieurs courants traversent un parcours ferm, la somme des courants doit figurer droite de lquation (en prenant en compte le signe indiquant leur direction : application au transformateur, cours ECE2). La valeur du champ magntique (H) est exprime en A/m
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III. Les composants passifs


C. Les inductances : induction magntique B

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Un potentiel lectrique est cr dans une boucle de conducteur lorsque le champ magntique traversant cette boucle varie en fonction du temps. La surtension au niveau de la boucle est appele induction magntique B. Tout comme la circulation du champ magntique, linduction magntique B est une grandeur vectorielle. Elle vrifie lquation suivante :

U .dt B=
t 0

N .A

Linduction magntique est le quotient de la surtension induite et du produit du nombre de spire (N) avec la surface (A) correspondant aux enroulements de linductance bobine. Linduction magntique est exprime en Tesla (T) = V.s/m

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III. Les composants passifs


C. Les inductances : constante du champ magntique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

LA constante de proportionnalit est appele constante du champ magntique (0). Elle est dfinie par des mesures exprimentales.

0 = 4 10 7 V .s / A.m
Dans le vide et dans lair, cela donne :

B = 0 .H

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III. Les composants passifs


C. Les inductances : flux dinduction magntique

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Le flux dinduction magntique () est le produit scalaire de linduction magntique (B) et du vecteur de surface (dA).

= B.dA
A

Si B est perpendiculaire la surface et que le champ magntique est homogne, on obtient :

= B .A
Le flux dinduction magntique () est exprime dans la mme unit que la surtension, cest--dire, en volt-secondes (V.s) ou en Weber, (Wb)

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III. Les composants passifs


C. Les inductances : permabilit

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

La permabilit dcrit un phnomne important qui se produit dans les matriaux ferromagntiques. Si le matriau ferromagntique est plac dans un champ magntique, magntique on observe une concertation du flux dinduction magntique dans le dit matriau. A linstar des rsistances lectriques, les matriaux ferromagntiques offrent une bonne conduction des lignes de champ. La permabilit peut par consquent, tre dcrite comme une proprit de conduction ou de pntration magntique.

N S N S
Figure III-C-2. Matriau ferromagntique dans un champ magntique

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III. Les composants passifs


C. Les inductances : permabilit relative r

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Le coefficient par lequel linduction (B) varie avec lintroduction du matriau est appel permabilit relative (r)

r =

B B0

lquation permettant dobtenir la permabilit relative est tendue lespace quoccupe le matriau :

B = 0 .r .H
La permabilit relative du matriau nest toutefois pas constante mais essentiellement non linaire (dpend de la courbe hystrsis et frquence)

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III. Les composants passifs


C. Les inductances : caractristiques B(H) idalises
Lieu des points de fonctionnement

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Figure III-C-3. B(H) dans lair (0 = 410-7) ou dans un matriau magntique de permabilit (avec ) non linarit et saturation)

Figure III-C-4. B(H) sans hystrsis ni saturation dans un matriau magntique possdant un entrefer (idal) ou avec saturation
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III. Les composants passifs


C. Les inductances air

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Caractristiques gnrales Comportement linaire Bobinage sur mandrins cylindriques L indpendante du courant qui parcourt l lenroulement enroulement Courant variable => rayonnement (couplage dinductance non souhait)

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III. Les composants passifs


C. Les inductances air : formule de Nagaoka (1909)
Conception des inductances air : pas de saturation

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

L=f(n2)

Formules de Nagaoka (formules empiriques) => valable en comportement inductif


Figure III-C-5. Inductance air (application de la formule de Nagaoka)
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III. Les composants passifs

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

C. Les inductances air : quelques exemples de ralisation

Figure III-C-6. Quelques structures dinductances air


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III. Les composants passifs


C. Les inductances air : tude frquentielle
Inductances air

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Figure III-C-7. Variations du module et de largument de limpdance de linductance en fonction de la frquence

Pertes globales (effet de peau + proximit en HF)


Figure III-C-8. Schma quivalent de linductance air
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III. Les composants passifs


C. Les inductances noyau magntique

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Inductances air volumineuses ! Rduction du volume (air remplac par matriau permabilit leve => on canalise les lignes dinduction) Rduction du rayonnent (utilisation dun noyau magntique : tle de fer ou acier, ferrite ou poudre magntique enrobe) Comportement non linaire (hystrsis, saturation) Pertes par hystrsis et courants de Foucault Problmes thermiques Cot lev

Noyau lmentaire : noyau torique le : longueur effective Ae : aire effective Ve : volume effectif Al : inductance spcifique (nH/spire2)
Paramtres effectifs du tore quivalent

L = n 2 .AL
Inductance spcifique

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III. Les composants passifs


C. Les inductances noyau magntique : constitution

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MnZn (Manganese Zinc) : compos de 50% oxyde de fer (Fe2O3) +30% Mn3O4 + 20% ZnO Permabilit Permabilit initiale (i) : 2300 2300-2800 2800 Densit de flux maximum (BM) : 42004900 G (420-490 mT) Frquence maximale dutilisation : < 3 MHz Faible rsistivit : 50-2000 ohm-cm NiZn (Nickel Zinc) : compos de 50% oxyde de fer (Fe2O3) +30% NiO + 20% ZnO Faible permabilit initiale (i) : 250-375 Densit de flux maximum (BM) : 20004500 G (200-450 mT) Frquence maximale dutilisation : > 3 MHz Forte rsistivit : 105109 ohm-cm

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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : rappel sur le magntisme


Les principes lmentaires permettant de comprendre les inductances reposent sur le phnomne de magntisme ainsi que sur certaines lois fondamentales sur les inductances et les ferrites. Toutefois, les phnomnes et les lois les plus importantes nous sont donnes par ces quelques leons de physiques : Tout aimant possde un ple nord et un ple sud Si lon divise un aimant, un second aimant est cre. Ce second aimant possde, lui aussi un pole nord et un ple sud. Cette division peut tre effectue lchelle molculaire sans destruction de leffet magntique Chaque aimant est entour dun champ magntique, reprsent par des lignes de champs Les lignes de champ magntique sont des lignes fermes. Elles nont ni dbut ni fin. Il existe des matriaux magntisables (comme le fer) et des matriaux nonmagntisables (comme laluminium)

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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : matriaux ferromagntiques


Tout matriau magntique est constitu dun nombre fini de tout petits aimants appels aimants lmentaires, dispos de faon alatoire en labsence de champ magntique. Lorsque dun le matriau magntique est plac dans un champ magntique externe, les aimants lmentaires commencent saligner dans la mle direction Lorsque tous les aimants lmentaire sont orients dans la mme direction selon le champ magntique, on parle de saturation du matriau magntique

Figure III-C-9. Aimants lmentaires et saturation

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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : Lois de Faraday et Ampre


Loi de Faraday : Un circuit soumis un flux magntique (issu d'un champ magntique B) variable est le sige d'une force lectromotrice e (mesure en convention gnrateur) telle que :

e=

d dt

Une fois le conducteur plac dans un champ magntique variable dans le temps, la force lectromotrice proportionnelle au taux de variation du champ magntique est induite dans le conducteur provoquant la circulation dun courant et donc

B = .H
Thorme dAmpre : La circulation, le long d'un circuit ferm, du champ magntique engendr par une distribution de courant est gale la somme algbrique des courants qui traversent la surface dfinie par le circuit orient :

Ni = H .dl

= H m .lm + H g .lg
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III. Les composants passifs


Loi de Faraday (circuit de N spires) :

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C. Les inductances noyau magntique : combinaison des lois

V =N

d dB dH = N .Ae . = N .Ae .e dt dt dt

Thorme dAmpre :

N .i = H .le

V=

N 2 .Ae .e di . le dt

N 2 .Ae .e di di V = . =L dt le dt
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III. Les composants passifs


C. Les inductances noyau magntique : courbe B(H)

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La permabilit du matriau magntique permet daccroitre plus efficacement que lair la facult dun composant concentrer les lignes de flux magntique La permabilit n nest est constante que dans lespace l espace libre ( 0 = 4 x 10 H/m) La densit du flux magntique (reprsent au travers de B) est fonction du courant magntisant (au travers de H) : B = H

Figure III-C-10. Courbe B(H) dun matriau magntique


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III. Les composants passifs


Du matriau magntique vers la structure magntique

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C. Les inductances noyau magntique : courbe B(H) de la structure

Figure III-C-11. Courbe B(H) de la structure magntique


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III. Les composants passifs


De la structure magntique vers le composant lectrique

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C. Les inductances noyau magntique : courbe B(H) du composant

Figure III-C-12. Courbe B(H) du composant lectrique


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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : courbe B(H) rsum


Du matriau magntique vers le composant lectrique en passant par la structure magntique
Matriau magntique Structure magntique

Composant

Figure III-C-13. Courbe B(H) globale


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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : effet de la composition du noyau

Figure III-C-14. Temprature de Curie en fonction du pourcentage doxyde de fer Fe2O3

Figure III-C-15. Saturation en fonction du pourcentage doxyde de fer Fe2O3


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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : spcifications des matriaux

Figure III-C-16. Exemple de matriaux utiliss pour la conception dinductance et transformateur

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III. Les composants passifs


C. Les inductances noyau magntique : les tores

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Utiliss pour raliser des inductances, transformateurs de faible puissance et des transformateurs dintensit Flux de fuite et inductance de fuite trs faible

Figure III-C-17. Rfrence tore Document Ferroxcube


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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : noyau magntique


Obtention de L partir dabaques

Rfrence EFD Rfrence E Rfrence RM Rfrence ER

Rfrence ETD
Figure III-C-18. Document Ferroxcube

Rfrence U
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III. Les composants passifs


noyau en forme de E Application Application faible paisseur Bobinage ralis sur le circuit imprim

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C. Les inductances noyau magntique : noyau magntique planar

Figure III-C-19. Rfrence Planar E Document Ferroxcube

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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : spcifications des matriaux


Chaque composition de ferrite a t conue et optimise pour une gamme dapplications particulire. Les principaux paramtres magntiques spcifis par le fabricant : Permabilit complexe Permabilit initiale Cycle dhystrsis Permabilit damplitude Permabilit incrmentale Pertes spcifiques

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III. Les composants passifs


C. Les inductances noyau magntique : nergie stocke

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Hypothse du tore : lorsquun enroulement de n spires ralis sur un noyau magntique torique est parcouru par un courant dintensit I, le champ magntique H et linduction magntique B sont uniformes dans le tore et nuls l extrieur lextrieur Linductance stocke lnergie W matriau constituant le tore.

1 2 sous forme lectromagntique dans le LI 2

On suppose que tant que linduction magntique est infrieure Bsat, ce matriau prsente un comportement linaire caractris par sa permabilit . On montre que le volume minimum de matriau magntique mettre en uvre LI 2 pour stocker lnergie W est :

Ve min =

2 Bsat

Dans la plupart des cas, on saperoit que Vemin est trs lev => inacceptable Pour augmenter la densit volumique dnergie lectromagntique stocke, on utilise un matriau magntique plus faible.
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III. Les composants passifs


Valable pour les inductances noyau magntique

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C. Les inductances noyau magntique : notion de rluctance

Figure g III-C-20. Schma du tore quivalent

le : longueur effective Ae : aire effective e : rluctance du circuit magntique le : flux magntique H .dl = n.l = H .le = .A B.Ae = . : permabilit e
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III. Les composants passifs


Stockage de lnergie dans le composant lectrique

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C. Les inductances noyau magntique : courbe B(H) stockage dnergie

Energie par unit de volume

Figure III-C-21. Courbe B(H) et stockage dnergie


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III. Les composants passifs


C. Les inductances noyau magntique : notion dentrefer

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Le rajout dun entrefer permet de stocker de lnergie dans lair et trs souvent, lessentiel de lnergie W stocke dans une inductance lest dans lair. En contre partie, lintroduction de lentrefer conduit une diminution de L.

Figure III-C-22. Schma du tore quivalent avec prise en compte dun entrefer

= n.I

0 .Ae l e e+ e r

do la valeur de L, au travers de L = 0 .n lenroulement comportant n spires

Ae l e e+ e r
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=> Le rajout dun entrefer permet de stocker plus dnergie

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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : notion dentrefer sur B(H)


Au niveau de la courbe B(H), lajout de lentrefer se traduit par une rduction de la permabilit relative du matriau rsultant.

Laugmentation de lentrefer dforme la caractristique B(H)

Figure III-C-23. Effet de lentrefer sur la courbe B(H)

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III. Les composants passifs


Valable pour les inductances noyau magntique La valeur du coefficient de self induction L Les formes donde d onde du courant qui parcourt le bobinage La tension de service La plage de temprature ambiante de fonctionnement Le cot objectif Le noyau magntique le mieux adapt Le nombre de spires bobiner Le diamtre du fil utiliser La largeur de lentrefer Les isolants utiliser Electromagntique (pas de saturation) Thermique (Tmax, Tcurie, compatible Tamb) Electrique (Vmax pour les isolants) Economique (cot)

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C. Les inductances : noyau magntique procdure de dimensionnement

Cahier des charges

But de la procdure de dimensionnement

Critres de choix

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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : procdure simplifie


La procdure expose ci-dessous ne prend en compte que le critre lectromagntique. Elle ne conduit pas un composant optimis. Choix du noyau magntique : On connait L et Imax On calcule L.Imax Les abaques des fabricants permettent de choisir le type de noyau et la valeur de la largeur de lentrefer. Contrairement la figure III.C.25a o le circuit magntique ne prsente quun entrefer, dans la plupart des cas une ligne dinduction rencontre deux zones de permabilit 0 (figure III.C.25b). La largeur e dtermine sur labaque correspond la somme des largeurs de ces zones.

(a)

(b)

Figure III-C-24. Les lignes de champ coupent une fois (a) ou deux fois (b) lentrefer

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III. Les composants passifs


Choix du nombre de spire Si lon connait Al (L = Al . n) Sinon

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C. Les inductances noyau magntique : procdure simplifie

e+ n= L

le e r 0. Ae

Choix du diamtre du fil Rgle de mtier : 4 8A/mm On vrifie que l lenroulement enroulement loge dans la fentre de bobinage (une procdure plus optimise permet de calculer lespace occup)

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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : exemple de dimensionnement


La fabrication d'une maquette de convertisseur ncessite la ralisation d'une inductance de 80H. En fonctionnement normal, ce composant est parcouru par le courant priodique reprsent figure III-C-13. On dispose de circuits magntiques en matriau Philips 3F3 (r=1800, Bsat=0,4T @ 25C) de rfrences E20/10/5, E42/21/15 et E65/32/27 et des carcasses correspondantes. 1- Donner un exemple de ralisation du composant : choix du circuit, nombre de spires bobiner, largeur de l'entrefer s'il y a lieu. 2- On utilise du fil de cuivre maill cylindrique de section est gale 11,28 mm2. Vrifier que le bobinage est ralisable. . I (A)
50 40

Figure III-C-26. Forme des carcasses utilises t (s) Figure III-C-25. Allure du courant dans linductance

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III. Les composants passifs

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C. Les inductances noyau magntique : exemple de dimensionnement

Figure III-C-27. Energie maximale stocke en fonction de lpaisseur de lentrefer

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III. Les composants passifs

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

C. Les inductances noyau magntique : exemple de dimensionnement

Figure III-C-28. Quelques caractristiques des noyaux disponibles

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III. Les composants passifs


C. Les inductances : test dune inductance

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Ce test permet de voir si linductance ne sature pas pour le courant dutilisation

Figure III-C-29. Montage dtude

Figure III-C-30. Fonctionnement satisfaisant

Figure III-C-31. Saturation de L

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III. Les composants passifs


C. Les inductances au catalogue : pour circuit RF

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Figure III-C-32. Inductances RF catalogue

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III. Les composants passifs


C. Les inductances au catalogue : RF CMS

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Figure III-C-33. Inductances CMS catalogue


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III. Les composants passifs


C. Les inductances au catalogue : pour la puissance

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure III-C-34. Inductances de puissance catalogue

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III. Les composants passifs


C. Les inductances au catalogue : pour le filtrage

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Figure III-C-35. Inductances pour filtre de mode commun

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III. Les composants passifs


C. Les inductances srigraphies
Forte intgration

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Figure III-C-36. Inductance srigraphie sur circuit imprim

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III. Les composants passifs


D. Rfrences

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Grard Mouris Condensateur utiliss en lectronique de puissance , Technique de lingnieur, D3280, Paris (France) Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France) Trilogie des Inductances : Guide de design /Abc des Transformateurs : Guide dapplication, Wurth Elektronik, juillet 2007

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IV. Notions de thermique


A. Introduction : quelques mots sur la fiabilit

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Fiabilits des composants et systmes lectroniques : influence de la temprature Principaux soucis des concepteurs : fiabilit et cot La fiabilit d dun un composant est dfinie comme sa probabilit de survie : R(t) = nf(t) / ns(t) et son taux de dfaillance : Lambda (t) = 1/ns(t) * dnf(t)/dt

Figure IV-A-1. IV-A-1 Variations du taux de dfaillance en fonction du temps

Au dbut de lexprience : taux de dfaillance lev (mortalit infantile) En cours dexprience : taux constant, dure de vie des composants En fin dexprience : usure, fin de vie des composants

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IV. Notions de thermique


A. Introduction : la dure de vie dpend de T dutilisation

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Dure de vie = f(T) Temprature dutilisation recommande par les fabricants : 125C pour les circuits intgrs 150 175C 175 C pour les transistors de puissance Problme thermiques considrer : vacuation de la chaleur gnre par les composants Vrification des tempratures de fonctionnement des composants qui doivent rester lintrieur des plages recommandes

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IV. Notions de thermique


A. Introduction : mode de transfert thermique : conduction

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Conduction : Le transfert de chaleur par conduction lintrieur dun corps seffectue sans dplacement de matire grce lagitation des molcules

Figure IV-A-2. Transfert de chaleur par conduction

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IV. Notions de thermique


A. Introduction : conductivit thermique des matriaux

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-A-3. Variations du taux de dfaillance en fonction du temps

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IV. Notions de thermique


A. Introduction : la conductivit thermique fonction de T

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Conduction : La conduction thermique dun matriau dpend de la temprature dutilisation du matriau

Figure IV-A-4. Variation de la conductivit thermique des matriaux (W/m/K)

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IV. Notions de thermique


A. Introduction : mode de transfert thermique : convection

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Convection : Le transfert de chaleur par convection met en jeu un mouvement de matire fluide liquide ou gaz qui entraine le transport de la chaleur entre zones chaudes et zones froides

Figure IV-A-5. Plaque chaude verticale

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IV. Notions de thermique


A. Introduction : deux modes de convection

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Lutilisation dun fluide (gaz ou liquide) peut accroitre lefficacit du transfert thermique par convection

Figure IV-A-6. Exemples de valeurs du coefficient dchange par convection (W/m-2/K)

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IV. Notions de thermique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

A. Introduction : mode de transfert thermique : rayonnement


Rayonnement : Le transfert de chaleur par rayonnement seffectue sans support matriel (domaine de linfra-rouge)

Figure IV-A-7. Variations de lmittance spectrale du corps noir en fonction de


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IV. Notions de thermique


B. Conduction, rgime stationnaire : Rth

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Notion de rsistance thermique (Rth) et schma quivalent thermique

Rth = T1 T2 q

R = V1 V2 I

Figure IV-B-1. Dfinition de la rsistance thermique

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IV. Notions de thermique


B. Conduction, rgime stationnaire : Rth du matriau

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-B-2. Conduction travers une couche homogne

Figure IV-B-3. Conduction travers un empilement de couches

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IV. Notions de thermique


B. Conduction, rgime stationnaire : Rth de contact

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-B-4. Conduction travers deux barreaux en contact

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IV. Notions de thermique


B. Conduction, rgime stationnaire : tat de surface
Rsistance thermique de contact non nulle !!

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Figure IV-B-5. Profil de la surface dun radiateur en aluminium

Figure IV-B-6. Profil de la surface dun boitier T0218


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IV. Notions de thermique


B. Conduction, rgime stationnaire : effet de la pression

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Rsistance thermique de contact en diminution avec la pression excerce

Figure IV-B-7. Rsistance thermique de contact

Figure IV-B-8. Variation de la surface de contact en fonction de la force applique


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IV. Notions de thermique


B. Conduction, rgime stationnaire : intercalaire thermique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Rsistance thermique de contact diminue avec lajout dune intercalaire thermique

Figure IV-B-9. Rduction des rsistances thermiques de contact laide dintercalaire thermique

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IV. Notions de thermique


C. Les radiateurs : air
Les radiateurs air : lailette (1) Etendre la surface du radiateur pour accroitre les transferts par convection et rayonnement Approximation de l lailette ailette Amlioration dun facteur 50 du transfert thermique Notion defficacit de lailette

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Figure IV-C-1. Ailette rudimentaire

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IV. Notions de thermique


C. Les radiateurs : ailettes

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Figure IV-C-2. Diffrents types de radiateur avec ailettes


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IV. Notions de thermique


C. Les radiateurs : applications

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Figure IV-C-3. Utilisation du radiateur pour des montages de puissance


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IV. Notions de thermique


C. Les radiateurs : par fluide caloporteur

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Figure IV-C-4. Exemple de refroidisseurs liquide caloporteur (dits boites eau )


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IV. Notions de thermique


C. Les radiateurs : caloduc

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-C-5. Principe du caloduc

Figure IV-C-6. Caloduc avec ventilateur pour microprocesseur

Figure IV-C-7. Carte mre PC portable

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IV. Notions de thermique


D. Application aux composants lectroniques
Conditions : 2 surfaces isothermes + tube de flux P : conduction (boitier), convection et rayonnement Dcoupage par zone du boitier Temprature de jonction (Tmax sur la puce de silicium)

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Loi dOhm lectrique Courant I (A) Rsistance R () Diffrence de potentiel Ui (V)

Loi dOhm thermique Puissance dissipe Q (W) Rsistance thermique Rth (C/W) Diffrence de temprature Ti (C)

U 1 U 2 = I . R

TJ TA = Q. Rth

Figure IV-D-1. Dfinition de la rsistance thermique Analogie lectrique <=> thermique

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IV. Notions de thermique


Coupe dun assemblage de puissance Ta Rthca Tj
Cu

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D. Application aux composants lectroniques : assemblage

Si brasure Substrat

Rthjc Tc

Cu

brasure

semelle

Cu
Rthint Tr Rthrad Ta

interface thermique q radiateur

Transfert thermique par convection + rayonnement (~10%) Transfert thermique par conduction (~90%)
Figure IV-D-2. Coupe dun assemblage de puissance Mise en vidence des Rth
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IV. Notions de thermique


D. Application aux composants lectroniques : schma
Schma quivalent thermolectrique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-D-3. Schma quivalent thermolectrique dun transistor fix sur un radiateur par lintermdiaire dune interface thermique

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IV. Notions de thermique


D. Application aux composants lectroniques : schma
Schma quivalent thermolectrique : cas particulier

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

RthCA reprsente - la convection (RthCA) en parallle avec - la conduction (Rthint + Rthrad)

Figure IV-D-4. Schma thermolectrique avec le systme de refroidissement global

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IV. Notions de thermique


E. Conduction, rgime stationnaire : modlisation
Ecoulement uni-dimensionnel mthode analogique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-E-1. Plaque soumise un chelon de temprature sur sa face gauche

Figure IV-E-2. Ligne de transmission

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IV. Notions de thermique


E. Conduction, rgime stationnaire : chauffement
Impdance thermique transitoire Courbe dchauffement
Figure IV-E-3. Evolution de Tj pour un transistor soumis une impulsion de puissance

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-E-4. Variation de Zth en fonction de tp et D


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IV. Notions de thermique


E. Conduction, rgime stationnaire : modlisation SPICE
Analogie Electrique Thermique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-E-5. Schma quivalent thermolectrique du montage


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IV. Notions de thermique


F. Quelques rsultats exprimentaux : mesure de Tj

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure IV-F-1. IV F 1 Variation de V en fonction de T

Figure IV-F-2. Courbe dtalonnage dune jonction


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IV. Notions de thermique


F. Quelques rsultats exprimentaux : analyseur thermique

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Lanalyseur thermique permet la mesure de la temprature de jonction

Module libre : TP Nano (S8)

Figure IV-F-3. Analyseur thermique

Figure IV-F-4. Mesure des rsistances thermiques


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IV. Notions de thermique


G. Rfrences

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France)

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V. Les boitiers
A. Introduction
Grand nombre de boitiers disponibles (mtallique, plastique) Composants traversants puis montage en surface Norme JEDEC pour les boitiers de puissance (DOxx, TOxx)

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V. Les boitiers
B. Boitiers mtalliques

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Utiliss ds le dbut de la production industrielle pour conditionner les > pastilles de silicium (cot non ngligeable) Embase mtallique + connexions filaires Ddis aux applications forte puissance

Figure V-B-1. Exemples de boitiers mtalliques


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V. Les boitiers
B. Boitiers mtalliques : Do et To

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-B-2. Diodes en boitier DO

Figure V-B-3. Transistors en boitier TO-3


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V. Les boitiers
B. Boitiers mtalliques : data sheet

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-B-5. Rsistances thermiques de boitiers DO et TO (valeurs moyennes)

Figure V-B-4. Caractristiques techniques de boitiers DO et TO

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V. Les boitiers
C. Boitiers plastique
Applications faibles et moyennes puissance Embase cuivre + connexions filaires Boitiers isols ou pas

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-C-1. Quelques exemples de boitiers plastiques


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V. Les boitiers
C. Boitiers plastiques : exemple de boitiers To

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-C-2. Transistors en boitier TO-247

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V. Les boitiers
C. Boitiers plastiques : data sheet

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-C-3. Caractristiques techniques de boitiers plastiques

Figure V-C-4. Rsistances thermiques de boitiers plastiques


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V. Les boitiers
D. Boitiers isols pour montage plat
Applications forte puissance Pastilles isoles de lembase mtallique Connexions sur la face suprieure

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Connexions extrieures et vacuation de la chaleur : 2 fonctions spares Intelligent Power Module (IPM

Figure V-D-1. Boitiers isols pour montage plat


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V. Les boitiers
D. Boitiers isols pour montage plat : exemples

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Onduleur triphas intgr intelligent (avec commande rapproche)

Bras donduleur
Figure V-D-2. Bras donduleur et onduleur complet en boitier isol
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V. Les boitiers
D. Boitiers isols pour montage plat : bras donduleur

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Tr

Tr

D Tr
Figure V-D-3. Dtail dun bras donduleur en boitier isol
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V. Les boitiers
D. Boitiers isols pour montage plat : onduleur MOS

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

D Tr
Figure V-D-4. Onduleur MOSFET
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V. Les boitiers
E. Boitiers pour montage en surface
Applications faibles et moyennes puissance Brasage sur diffrents types de substrats

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-E-1. Composants actifs en boitiers CMS


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V. Les boitiers
E. Boitiers pour montage en surface : data sheet

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-E-2. Caractristiques techniques de boitiers CMS

Figure V-E-3. Rsistances thermiques de boitiers CMS


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V. Les boitiers
F. Boitiers contacts presss
Applications forte trs forte puissance Solution contre la fatigue thermique

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-F-1. Coupe dun thyristor en boitier contacts presss


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V. Les boitiers
F. Boitiers contacts presss : exemple

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-F-2. Thyristor en boitier contacts presss

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V. Les boitiers
F. Montage des boitiers : faible puissance

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Un composant de puissance doit toujours tre fix sur un refroidisseur Respecter le couple de serrage prconis par le fabricant

Figure V-F-3. Montage de boitier TO-3 et TO-220 sur radiateur


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V. Les boitiers
F. Montage des boitiers : forte puissance thyristor

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

Figure V-F-4. Exemple de montage contacts presss


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V. Les boitiers
F. Montage des boitiers : forte puissance IGCT

Cours ECE1 / E2 / S. Azzopardi 2011

ICGT en boitier

Commande rapproche

Figure V-F-5. Exemple de montage contacts presss avec la commande rapproche

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V. Les boitiers
G. Rfrences

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Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France) Jacques Leclercq Electronique de puissance - Elments de technologie, Technique de lingnieur, D3220, Paris (France)

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