Repblica Bolivariana de Venezuela. Instituto Universitario Politcnico Santiago Mario. Extensin genovs.

Realizado Por: Luis Hernndez C. I: 20905525 Ing. en sistema Porlamar 10 de octubre del 2013

El diodo Zener es un diodo de cromo que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr.Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Caractersticas del diodo Zener. El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente. Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa), conducen siempre en el sentido de la flecha. En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante. En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa.

Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.

Caractersticas de los transistores BJT. transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son: Region activa, region de saturacin y regin de ruptura; Cuando un transistor BJT trabaja en regin activa, quiere decir que est trabajando como amplificador de una seal (Corriente o voltaje), esta regin de funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es muy pequea en comparacin a la de colector y emisor (que son parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es PNP o NPN). Mientras que la regin de corte indica que el transistor prcticamente esta apagado, es decir Ib = Ic = Ie =0A. Por ltimo, un transistor de unin bipolar est saturado cuando Ic=Ie=Imax; En este caso la

magnitud de la corriente depende de la tensin de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.

Caractersticas de los transistores JFET.

El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenado, fuente y puerta.

En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el smbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el smbolo de un JFET de canal. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenado debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal.