Diodos Zener Tambin llamado diodo avalancha es un semiconductor de silicio diseado para funcionar en la zona de ruptura, tambin es parte

esencial de los reguladores de tensin.

Caractersticas Si a un diodo Zener se le aplica una corriente elctrica del nodo al ctodo(polarizacin directa) toma las caractersticas de un diodo rectificador bsico, pero si se le suministra corriente elctrica de ctodo a nodo (polarizacin inversa), el diodo solo dejara pasar una tensin constante. En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su caracterstica de regulador de tensin. Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula por l, llamada corriente de saturacin Is, esta corriente permanece relativamente constante mientras aumentamos la tensin inversa hasta que el valor de sta alcanza Vz, llamada tensin Zener (que no es la tensin de ruptura zener), para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente empieza a incrementarse

rpidamente por el efecto avalancha. En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de corriente. El diodo zener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango de corriente inversa. Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN Su smbolo es como el de un diodo normal pero tiene dos terminales a los lados. Este diodo se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta corriente porque cuando recibe demasiada corriente se quema.

Transistores BJT El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Caractersticas

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
1.

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

2. 3.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Transistores JFET El transistor Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de efecto de campo es un dispositivo electrnico activo unipolar.

Caractersticas

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente. Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin se hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto mayor es la tensin inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente.