Ao del desarrollo rural y la seguridad alimentaria

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Per, DECANA DE AMRICA)

FACULTAD DE ING ELECTRONICA Y ELECTRICA 3 INFORME PREVIO TEORIA ATOMICA

CURSO : ELECTROTECNIA

EXPERIMENTO: TEORIA ATOMICA PROFESORA : EAP: GRUPO : ALUMNO :

13190230

LITA SOTO ING. DE TELECOMUNICACIONES 01

ESPINOZA SONCCO EDSON SAUL

14-10-2013

3 INFORME PREVIO TEORIA ATOMICA

1. DESCRIVA LA ESTRUCTURA ATOMICA En el tomo distinguimos dos partes: el ncleo y lacorteza. - El ncleo es la parte central del tomo y contiene partculas con carga positiva, los protones, y partculas que no poseen carga elctrica, es decir son neutras, losneutrones. La masa de un protn es aproximadamente igual a la de un neutrn. Todos los tomos de un elemento qumico tienen en el ncleo el mismo nmero de protones. Este nmero, que caracteriza a cada elemento y lo distingue de los dems, es el nmero atmico y se representa con la letra Z. - La corteza es la parte exterior del tomo. En ella se encuentran los electrones, con carga negativa. stos, ordenados en distintos niveles, giran alrededor del ncleo. La masa de un electrn es unas 2000 veces menor que la de un protn. Los tomos son elctricamente neutros, debido a que tienen igual nmero de protones que de electrones. As, el nmero atmico tambin coincide con el nmero de electrones.

2. DEFINA EL PRINCIPIO DE PAULI Wolfgang Pauli, propuso su famoso principio que establece: no es posible la existencia de un mismo tomo de dos electrones cuyos cuatro nmeros cunticos sean iguales
Esto explica que los electrones se distribuyan en capas alrededor de un ncleo y que por tanto los tomos con ms electrones ocupen un tamao mayor, adems de que no sea posible interpenetrar de cierta manera las nubes electrnicas de los tomos, este hecho explica la impenetrabilidad de la materia ordinaria macroscpica. Otro fenmeno fsico del que es responsable el principio de Pauli es el ferromagnetismo, en el que el principio de exclusin implica una energa de intercambio que induce al alineamiento paralelo de electrones vecinos (que clsicamente se alinearan antiparalelamente).

3. DESCRIVA LA DIFERENCIA ENTRE SEMICONDUCTOR Y UN CONDUCTOR TEORIA DE BANDAS DEFINICION:

UN

AISLANTE

UN

Al separar dos tomos (de carga n) considerablemente no interactan entre s y sus niveles de energa se pueden considerar casi nulos, o sea, como aislados pero al juntar estos dos tomos, sus rbitas exteriores empezaran a traslaparse y al llegar a una interaccin bastante intensa forman dos niveles diferentes (n). Al realizar esto con un gran numero de tomos ocurre algo similar. Conforme los tomos se acercan unos a otros, los diversos niveles de energa atmicos empiezan a dividirse. A esta divisin es a lo que podemos llamar una Banda, y el ancho de esta banda de energa que surge de un nivel de energa atmica particular es independiente del nmero de tomos en un slido. El ancho de una banda de energa depende slo de las interacciones de vecinos cercanos, en tanto que el nmero de niveles dentro de la banda depende del nmero total de partculas interactuando. En otras palabras seria lo mismo decir que los electrones pueden ocupar un nmero discreto de niveles de energa, pueden tener solamente aquellas energas que caen dentro de lasbandas permitidas. La banda donde se mueven normalmente los electrones de valencia se conoce como banda de valencia, y los electrones que se mueven libremente y conducen la corriente se mueven en la banda de conduccin. Conductores: Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de conduccin. Aislantes: En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y facilidad. Semiconductores: En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran separadas por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin hace que sea relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les hace imposible el movimiento.

4. DEFINA: PORTADOR LIBRE,MATERIAL INTRINSECO,MATERIAL EXTRINSECO,BANDA DE VALENCIA,BANDA DE CONDUCCION Y BANDA PROHIBIDA. PORTADOR LIBRE: Portador libre denota en fsica una partcula libre (mvil y no enlazada) portadora de una carga elctrica. Como ejemplo los electrones y los iones. En la fsica de semiconductores, los huecos producidos por falta de electrones son tratados como portadores de carga. En soluciones inicas, los portadores de carga son los cationes y aniones disueltos. Similarmente, los cationes y aniones de los lquidos disociados sirven como portadores de carga en lquidos y en slidos inicos derretidos. En el plasma, as como en el arco elctrico, los electrones y cationes del gas ionizado y del material vaporitado de los electrodos actan como portadores de carga. En vaco, en un arco elctrico o en un tubo de vaco, los electrones libres actan como portadores de carga.

MATERIAL INTRINSECO: Se le llama as al cristal del semiconductor que es qumicamente puro, y que adems no presenta defectos en su red cristalina. A 0k no existen portadores de carga libres, y el semiconductor se comporta como un aislante, pero al incrementarse la temperatura empiezan a generar pares electrn - hueco. Estos pares electrn - hueco se generan al romperse los enlaces entre los tomos. Igualmente puede ocurrir aniquilaciones de pares electrn hueco cuando un electrn de la banda de conduccin hace una transicin a la banda de valencia y ocupa un estado vaco (hueco), este proceso es denominado recombinacin.

MATERIAL EXTRINSECO:
Los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque tienen un pequeo porcentaje de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es, posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento est dopado. Dependiendo de si est dopado de elementos trivalentes, o pentavalentes, se diferencian dos tipos:

Semiconductores extrnsecos tipo n:

Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la ltima capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrn quede fuera de ningn enlace covalente, quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, adems de la formacin de los pares eh, se liberan los electrones que no se han unido. Como ahora en el semiconductor existe un mayor nmero de electrones que de huecos, se dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y a las impurezas se las llama donadoras. En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por ejemplo; introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro. Semiconductores extrnsecos de tipo p: En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara. Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.

BANDA DE VALENCIA: En la teora de slidos, se denomina banda de valencia al ms alto de los intervalos de energas electrnicas (o bandas) que se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto.

BANDA DE CONDUCCION: En semiconductores y aislantes, la banda de conduccin es el intervalo de energas electrnicas que, estando por encima de labanda de valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo elctrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes elctricas. Los electrones de un semiconductor pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energa, generalmente debido a la excitacin trmica. BANDA PROHIBIDA:
La banda prohibida (o hueco en el ancho de banda) (en ingls bandgap), en lafsica del estado slido y otros campos relacionados, es la diferencia de energa entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. Est presente en aislantes y semiconductores.

5. BIBLIOGRAFIA.
http://html.rincondelvago.com/conductores-semiconductores-yaislantes_1.html http://www.buenastareas.com/ensayos/Material-Intrinseco/886119.html http://es.wikipedia.org/wiki/Banda_de_conducci%C3%B3n http://es.wikipedia.org/wiki/Banda_prohibida http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925813.html