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Republica Bolivariana de Venezuela Ministerio Popular para la Educacin Universitaria Luz- Escuela de Ingeniera Elctrica Profesor: Claudio Bustos

Integrantes: Diego Colina CI:20379427 Genrry Hernndez CI:21358567 Nerio Prieto CI:20059606

Maracaibo, 4 de junio de 2012

Marco Terico Transistor: El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, video, relojes, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc. Polarizacin: la polarizacin elctrica (tambin llamada densidad de polarizacin o simplemente polarizacin) es el campo vectorial que expresa la densidad de los momentos elctricos dipolares permanentes o inducidos en un material dielctrico. El vector de polarizacin P se define como el momento dipolar por unidad de volumen. La unidad de medida en el SI es coulomb por metro cuadrado. Amplificador: Su funcin es incrementar la intensidad de corriente, la tensin o la potencia de la seal que se le aplica a su entrada, obtenindose la seal aumentada la salida. Para amplificar la potencia es necesario obtener la energa de una fuente de alimentacin externa. En este sentido, se puede considerar al amplificador como un modulador de la salida de la fuente de alimentacin. Generadores de seales: Un generador de seales, de funciones o de formas de onda es un dispositivo electrnico de laboratorio que genera patrones de seales peridicas o no peridicas tanto analgicas como digitales. Se emplea normalmente en el diseo, test y reparacin de dispositivos electrnicos. Zona Activa de un Transistor: Unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT). Unin Base Colector polarizada inversamente. Zona de Corte: Unin Base-Emisor polarizada inversamente. Base-Colector polarizada inversamente. No hay movimiento de electrones (slo minoritarios)

Circuitos de Polarizacin Polarizacin de Corriente de Base Se procedi a estudiar el siguiente circuito:

Con los siguientes elementos: RC= 50 RB=26k Transistor NPN 2222 Fuente DC de 12 Voltios Se realizaron las siguientes mediciones: Vrc=5.20 V Vrb=9.8 V VCE=5,13 V Ic= 101 mA Ie= 102 mA Ib= 368 A Los valores Calculados fueron los siguientes: Ib= 434 A Ic= 43,46 mA VCE=9,8 V Ie=43,46 mA

Anlisis Observamos que los datos calculados deja mucho que pensar ya que el margen de error entre resultados tericos y medidos es bastante amplio, en este caso entra a jugar un factor muy importante ya en los valores medidos se usa un hFe constante considerado = 100 el cual a la hora de el funcionamiento del transistor varia segn el voltaje y la corriente que atraviesa a travs de el mismo. En este circuito tambin debemos destacar que en este circuito la amplificacin depende de la Rc ya que entre mayor sea la carga hmica mayor cada de tensin habr y menor ser la cada de tensin en el VCE, pero al mismo tiempo tambin se necesita tener una Rb considerablemente alta pero no tanto como observamos en el circuito estudiado con la finalidad de que la corriente de base sea bastante pequea debera ser aproximadamente 10 veces menor que Ic. Como el punto de operacin es muy inestable, este tipo de polarizacin se evita si queremos que le transistor funcione como amplificador. Polarizacin de retro alimentacin de colector Se procedi a estudiar el siguiente circuito:

Con los siguientes elementos: RC= 100 RB=41k RE=85 Transistor NPN 2222a Fuente DC de 12 Voltios

Se realizaron las siguientes mediciones: Vrc=2.8 V VCE=5.43 V Vrb=4.8 Ic= 27,6 mA Ie= 28 mA Ib= 120 A Los valores Calculados fueron los siguientes: Ib= 189,32 A Ic= 18,93 mA VCE=8,4 V Ie=18,93 mA Anlisis Los datos calculados son distintos a los medidos, esto lo podemos referir a que la corriente de ib en clculos dependen de un hFE en el denominador por este ser 100 es decir el valor mnimo obtenemos una ib bastante grande por eso la ib calculada es mayor a la medida, y luego la ic seria hFE. Ib por lo tanto al ser el valor mnimo nuevamente obtenemos una incongruencia una corriente de colector ms pequea que la medida. En este circuito tambin debemos destacar que en este circuito la amplificacin depende de la Rc y Rb ya que a mayor valor hmico obtendremos mayor cada y al obtener mayores cadas de tensin el VCE sera muy pequeo, y tambin depende un poco de Rb que para completar la amplificacin debera ser considerablemente grande para obtener una corriente de base bastante pequea. El circuito trabaja de manera que: Si la ganancia aumenta, Ic aumenta provocando que disminuya Vce porque aumenta la cada de tensin en Rc y Re, al disminuir Vce disminuye el voltaje en Rb. Como disminuye el voltaje en Rb la corriente de base se hace ms pequea y esto compensa el incremento de la corriente de colector. Una de las propiedades ms importantes es que el transistor nunca se satura aun cuando Rb sea igual a cero, A medida que disminuye el voltaje lo mnimo que llega es a 0,7 v y el transistor trabaja como un Diodo. Circuito de Polarizacin por divisin de Tensin

Se procedi a estudiar el siguiente circuito:

Con los siguientes elementos: RC= 500 RB1=1k RB2=1k RE=5k Transistor NPN 2222a Fuente DC de 12 Voltios Se realizaron las siguientes mediciones: Vrc=0.47 V VCE=5.5 V Ic= 1.01 mA Ie= 1 mA Ib= 6 A Los valores Calculados fueron los siguientes: Ib= 10,48 A Ic= 1,05 mA VCE=6,18 V Ie=1,05 mA Anlisis Los datos calculados son muy parecidos a los medidos, lo ms probable es que el hFe mnimo que es el seleccionado para realizar los clculos tericos se acerc realmente al hFe con el que trabajo el transistor por lo tanto los datos son

bastante exactos. Las pequeas variaciones tambin puede ser a causa de la tolerancia de las resistencias y que a fuente no entrega en su 100% los 12 voltios. Este tipo de polarizacin es el ms utilizado en los circuitos lineales, por ese motivo se le conoce como polarizacin universal. Las resistencias Rb1 y Rb2 forman un divisor de tensin del voltaje Vcc, para facilitar la polarizacin entre la unin base emisor. Este es casi sin duda uno de los mejores circuitos de polarizacin ya que ofrece mayor estabilidad del punto de operacin con respecto a cambios en ganancia de corriente. Circuito de Polarizacin por Retroalimentacin de Emisor Se procedi a estudiar el siguiente circuito:

Con los siguientes elementos: RC= 50 RB=37k RE=100 Transistor NPN 2222a Fuente DC de 12 Voltios Se realizaron las siguientes mediciones: Vrc=1,9 V VCE=4,71 V

Ic= 37,2 mA Ie= 37,3 mA Ib= 156 A Los valores Calculados fueron los siguientes: Ib= 10,48 A Ic= 1,05 mA VCE=6,18 V Ie=1,05 mA Anlisis Los datos calculados son muy parecidos a los medidos, lo ms probable es que el hFe mnimo que es el seleccionado para realizar los clculos tericos se acerc realmente al hFe con el que trabajo el transistor por lo tanto los datos son bastante exactos. Las pequeas variaciones tambin puede ser a causa de la tolerancia de las resistencias y que a fuente no entrega en su 100% los 12 voltios. Este circuito proporciona mayor estabilidad del punto de operacin que el de polarizacin fija, el efecto de retroalimentacin provoca que si aumenta o la ganancia, entonces por ejemplo Ic incrementa, el voltaje en Re aumenta por lo que se produce un decremento de tensin en Rb. Si el voltaje en Rb disminuye entonces la Ib tambin disminuye, lo cual obliga a que Ic se decremento. Otro detalle importante es bastante difcil logra obtener un circuito de estas caractersticas con los valores comerciales de resistencias.

Circuito de Amplificador de 1 etapa. Se realizo el montaje del Siguiente Circuito

Elementos utilizados: Generador de Seales: 80 mV 2 capacitores de 100 F Rb1= 26k Rb2= 4,7k Rc= 4k Re=50 Carga= 1k Vcc= 4,65 v (El voltaje inicial era 12 v, pero en vista de que se saturaba sin condensador se empez a disminuir gradualmente el voltaje hasta encontrar un equilibrio) Los valores medidos fueron los siguientes: Ve=0,09 V Ic=300 A Ib= 7 A Vce=4,1 V Vin=80mV Vout=200mV Se calcularon los siguientes valores tericos: Vrc=0,95 V VCE=3,7 V Ic= 237,78 A Ie= 237,78 A Ib= 15,07 A

Anlisis Se logro configurar un buen circuito donde se logro obtener una buena ganancia fue tal, que no se pudo realizar la prueba con capacitor en paralelo con Re, ya que de esta manera aumenta la amplificacin y el resultado en el osciloscopio era unas curvas achatadas, por debajo y por arriba lo que significaba que el transistor se saturaba y entraba en corte. En el circuito encontramos que se uso una resistencia Rb2 de 4.7k ohm, y una Rb1 de 26k ohm con la finalidad de obtener una cada de tensin pequea, al obtener una cada de tensin pequea y restarle la cada del diodo obtendramos el voltaje de Re, que se utilizo pequea para no tener una corriente de emisor tan pequea, adems a razn de los problemas de que se disminuyo el voltaje de la fuente. De esta manera se logro que la cada en Vce= 3,7 V y se logro obtener una muy buena amplificacin. Circuito del Amplificador

Onda del Generador de Seales

Onda Amplificada con deformacin en el pico superior por presencia de poca saturacin.

La ganancia calculada es Av=-2,8 , es decir es ms del doble por lo tanto se logro interconectar un circuito bastante bueno, y podemos observar en las graficas la salida de la seal a travs del osciloscopio. Nota el Circuito con capacitor en paralelo con Re no se pudo realizar debido a que la amplificacin del circuito anterior fue tal, que al colocar el capacitor se saturo por arriba y por debajo la onda en el osciloscopio.

Circuito de Amplificador de 2 etapas Se realizo el montaje del siguiente Circuito:

Elementos utilizados: Generador de Seales: 80 mV 2 capacitores de 100 F Rb1= 26k Rb2= 4,7k Rc= 4k Re=50 Carga= 1k Vcc= 4,65 v Los valores medidos fueron los siguientes: Ve1=0,09 V Ic1=300 A Ib1= 7 A Vce1=4,1 V Vin=80mV Vout=200mV VB2= 1,16V VE2=0,46V IC2=0,1704mA VCE2=3,34V

Se calcularon los siguientes valores tericos: Vrc=0,95 V VCE=3,7 V Ic= 237,78 A Ie= 237,78 A Ib= 15,07 A VB2= 1,16V VE2=0,71v IC2=0,260mA VCE2=2,7 V AV2= -1,707 Anlisis Se logro configurar un buen circuito donde se logro obtener una buena ganancia, para la primera etapa. Ya en la segunda etapa la seal de entrada estaba bastante amplificada por lo que al conectar la segunda etapa obtuvimos una disminucin en la salida, debido a tal amplificacin, que con la amplificacin de la segunda etapa estaba muy cerca de la saturacin como se puede observar en las imgenes obtenidas por el osciloscopio. En el circuito encontramos que se uso una resistencia Rb2 de 4.7k ohm, y una Rb1 de 26k ohm con la finalidad de obtener una cada de tensin pequea, al obtener una cada de tensin pequea y restarle la cada del diodo obtendramos el voltaje de Re, que se utilizo pequea para no tener una corriente de emisor tan pequea, adems a razn de los problemas de que se disminuyo el voltaje de la fuente. De esta manera se logro que la cada en Vce= 3,7 V y se logro obtener una muy buena amplificacin. De la misma forma se configuro el mismo procedimiento en la 2da etapa, deberamos destacar que quizs se saturo con mayor facilidad ya que la resistencia Rb2 de la segunda etapa fue 10k ohm produce una cada bastante grande de tensin, lo que genera que Ic sea algo grande y sobre pase la corriente de saturacin, por eso obtuvimos una curva achatada por debajo y si se colocaba un el capacitor en paralelo con Re aumentara mucho mas la corriente se saturara el BJT. La ganancia calculada es Av=-2,8 para la primera etapa, para la segunda etapa es Av2=-1,7 es decir para la segunda etapa disminuye por el tema de la amplificacin de la primera etapa y por el gran valor hmico de Rb2 = 10k ohm por lo tanto se

produce que en la parte negativa de la onda entre en corte y se sature por debajo el transistor. Onda de Salida del Amplificador de segunda etapa, no presenta amplificacin pero se debe a que alcanzo el punto de saturacin, se pude observar que la parte de la onda negativa est reducida casi a la mitad

Nota el Circuito con capacitor en paralelo con Re no se pudo realizar debido a que la amplificacin del circuito anterior fue tal, que al colocar el capacitor se saturo por arriba y por debajo la onda en el osciloscopio obteniendo una onda muy deformada.

Conclusiones Diego Colina: o Se comprob experimentalmente que los circuitos de polarizacin son de gran importancia, ya que de esta manera conocemos el comportamiento del transistor dependiendo del tipo de conexin que se realice, observando cuales de los circuitos son ms estables y eficientes, y en forma personal me parece es el circuito de Polarizacin por divisin de tensin ya que no se satura con facilidad y tiene bastante estabilidad con relacin al punto de operacin respecto a las variaciones de ganancia de corriente. o Se comprob experimentalmente que si se configura una serie de elementos resistivos como fuentes de voltaje tanto AC como DC, para este caso DC seria para realizar la polarizacin del circuito, y la fuente AC que sera la seal que se desea a amplificar, y un transistor BJT podramos magnificar la seal de entrada, para obtener un fenmeno conocido como amplificacin ya sea de voltaje o de corriente. o Se pueden utilizar o configurar ms de 1 etapa para los amplificadores, de esta manera podremos magnificar una seal, y luego magnificarla nuevamente y obtener una seal ms grande aun, y de ser necesario se podra reducir la onda al gusto. o En estos casos nombrados anterior mente los transistores tienen varios factores externos que influyen en su funcionamiento, uno de estos seria la temperatura, a mayor temperatura el transistor aumenta la conduccin de corriente, y tambin para los BJT las corrientes y las capacitancias parasitas limitan su funcionamiento al mximo. Genrry Hernndez Mediante la experimentacin con las diferentes configuraciones de circuitos de polarizacin se comprob cuales podran servir ms para diferentes propsitos y las diferencias entre todas, se podra decir que la mas resaltante entre todas termino siendo la polarizacin por divisor de voltaje por su estabilidad superior con respecto a las dems y su capacidad de amplificar que tambin termino siendo mayor sin llegar a saturarse tan rpido como las dems configuraciones. Al montar los circuitos de amplificacin se comprob que se puede producir un exceso de amplificacin produciendo esto que la seal se corte en

determinadas zonas donde se sobrepasa el lmite soportado por el transistor y la configuracin del circuito lo que ocasiona un efecto no deseado haciendo necesario reconfigurar el mismo para no sobrepasarlo; en nuestro caso el condensador en paralelo con Re produca este efecto lo q nos oblig a quitarlo. Tambin se comprob que se pueden montar circuitos de amplificacin de ms de una etapa trayendo como beneficio que la seal se amplifique mucho ms; pero lo que se observ al hacer esto es que tambin puede producir que la seal se corte sino se hace debidamente as que esto debe hacerse cuidadosamente para evitar este efecto no deseado.