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I.

OBJETIVO.Analizar las caractersticas electrnicas de las compuertas lgicas TTL y CMOS. MARCO TERICO.-

II.

TECNOLOGA TTL TTL es la sigla en ingls de transistor-transistor logic, es decir, "lgica transistor a transistor". Es una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares. CARACTERSTICAS TECNOLOGIA TTL

Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75v y los 5,25V (como se ve, un rango muy estrecho). Normalmente TTL trabaja con 5V. Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto). La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y ltimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco ms de los 250 MHz. Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de circuitos adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves prdidas).

Figura N1: Tecnologa TTL FAMILIAS TTL

TTL : Serie estndar. TTL-L (low power) : Serie de bajo consumo. TTL-S (schottky) : Serie rpida (usa diodos Schottky). TTL-AS (advanced schottky) : Versin mejorada de la serie anterior.

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TTL-LS (low power schottky) : Combinacin de las tecnologas L y S (es la familia ms extendida). TTL-ALS (advanced low power schottky) : Versin mejorada de la serie LSS . TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky) . TTL-AF (advanced FAST) : Versin mejorada de la serie F . TTL-HCT (high speed C-MOS) : Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles con TTL. TTL-G (GHz C-MOS) : GHz ( From lbkj

TECNOLOGIA CMOS Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas. En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales cuyo consumo es considerablemente bajo. CARACTERSTICAS DE LA TECNOLOGIA CMOS

VENTAJAS
La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricacin de circuitos integrados digitales:

El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico se encuentra en la regin de corte en estado estacionario. Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin. Los circuitos CMOS son sencillos de disear. La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas.

INCONVENIENTES
Algunos de los inconvenientes son los siguientes:

Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es comparativamente menor que la de otras familias lgicas.
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Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentacin de los circuitos integrados. El latch-up produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo. Siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este riesgo es prcticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos de difusin con suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente conectado a masa o alimentacin.

PUERTA S O BUFFER La puerta lgica S, realiza la funcin booleana igualdad. En la prctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensin, para adaptar impedancias (buffer en ingls). La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta S es:

Tabla de verdad puerta SI Entrada 0 1 Salida 0 1

Figura N2: Puerta Si III. MATERIALES Y EQUIPOS Cantidad 02 02 08 10 CI 01 04 Descripcin Fuentes de alimentacin Potencimetros de 50 Kohm Leds de colores variados 7404, 74H04, 74LS04, 74C02, 7404, 74LS04, 74H04, 74C14, 74LS07, 74LS14, 4069, 40106B Osciloscpio Resistencias de 330 ohm Dip switch de 4 posiciones Multmetro Protoboard, cables de conexin
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IV.

PROCEDIMIENTO

UMBRAL DE ENTRADA Y SALIDA

1. Implementar los siguientes circuitos y para cada uno de ellos siga los pasos indicados:

2. Conecte en multmetro en funcin voltmetro a la entrada como a la salida de la puerta lgica. 3. Subir la tensin de entrada desde 0V, y cuando cambie de estado, anotar en la casilla (VIHmin o VILmax?) 4. Ahora bajar la entrada desde 5V, cuando cambie de valor, anotar en la casilla (VIHmin o VILmax?)

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5. Busque estos valores en el Datasheet del C.I. en el manual o en internet, y complete la tabla.
CI: 4069 (NOT) V in V out 0 3.2 0.5 3.11 1 3 1.5 2.88 2 2.6 2.5 2.24 3 1.74 3.5 0.33 4 0.12 4.5 0.02 5 0 CI: 74C02 (NOR) V in V out 0 0.1 0.5 0.2 1 0.3 1.5 0.3 2 0.3 2.5 3.3 3 3.33 3.5 3.4 4 3.4 4.5 3.4 5 3.4 CI: 7404 (NOT) V in V out 0 4.53 0.5 4.52 1 4.48 1.5 4.43 2 4.38 2.5 4.28 3 2.56 3.5 0.02 4 0.02 4.5 0.02 5 0.02 CI: 74LS04P (NOT) V in V out 0 3.18 0.5 3.77 1 3.57 1.5 3.3 2 3.3 2.5 3.28 3 2.35 3.5 2.35 4 2.35 4.5 2.3 5 2.3 CI: 74LS07N (YES) V in V out 0 0.3 0.5 0.6 1 0.9 1.5 0.9 2 0.9 2.5 3.37 3 3.38 3.5 3.41 4 3.45 4.5 3.45 5 3.45 CI: 74H04 (NOT) V in V out 0 4.62 0.5 4.6 1 4.58 1.5 4.55 2 4.4 2.5 4.38 3 2.68 3.5 0.06 4 0.01 4.5 0.01 5 0.01 5 CI: 74HC04AP (NOT) V in V out 0 4.63 0.5 4.63 1 4.63 1.5 4.63 2 4.63 2.5 4.63 3 2.66 3.5 0.01 4 0.01 4.5 0.01 5 0.01 CI: 74LS02P (YES) V in V out 0 0.3 0.5 0.6 1 0.9 1.5 0.9 2 0.9 2.5 3.37 3 3.38 3.5 3.41 4 3.45 4.5 3.45 5 3.45 CI: 74C14 (NOT) V in V out 0 3.35 0.5 3.35 1 3.3 1.5 3.3 2 3.3 2.5 0.2 3 0.18 3.5 0.18 4 0.18 4.5 0.17 5 0.16

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CI: 74LS04 (NOT) V in V out 0 3.18 0.5 3.77 1 3.57 1.5 3.3 2 3.3 2.5 3.28 3 2.35 3.5 2.35 4 2.35 4.5 2.3 5 2.3 SN74LS14N (NOT) V in(Subida) 3.34 3.33 3.33 3.33 0.16 0.16 0.16 0.16 0.16 0.16 0.16

V in 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

CI: 40106BP (NOT) V in(Subida) V out(Bajada) 3.24 3.24 3.24 3.24 3.24 3.24 3.24 3.24 3.24 3.24 3.24 3.24 3.23 0 0 0 0 0 0 0 0 0

V in 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

V out(Bajada) 3.35 3.35 3.35 0.16 0.16 0.16 0.16 0.16 0.16 0.16 0.16

TIEMPO DE PROPAGACIN. 6. Armar el siguiente circuito:

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Comparar con el osciloscopio las dos seales y calcular el tiempo de propagacin, buscar en el Datasheet ese valor, anotar en la tabla para cada compuerta utilizada: Medido 50 ns Terico 10ns

Tp

Figura N3: Tiempo de propagacin en TTL 7. Repita los pasos anteriores para compuertas de tecnologa CMOS a partir del siguiente circuito.

Figura N4: Tecnologa CMOS

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V.

CUESTIONARIO FINAL: 5.1 Fundamentar como se forman los materiales para compuertas lgicas TTL y CMOS Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal, habitualmente de silicio, pero tambin existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc. Circuitos hbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolticos, pero, adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa monoltica. Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnologa hbrida hasta que los progresos en la tecnologa permitieron fabricar resistencias precisas. Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos sin cpsula (dices), transistores, diodos, etc, sobre un sustrato dielctrico, interconectados con pistas conductoras. Las resistencias se depositan por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se encapsula, tanto en cpsulas plsticas como metlicas, dependiendo de la disipacin de potencia que necesiten. En muchos casos, la cpsula no est "moldeada", sino que simplemente consiste en una resina epoxi que protege el circuito. En el mercado se encuentran circuitos hbridos para mdulos de RF, fuentes de alimentacin, circuitos de encendido para automvil , etc. En la tecnologa CMOS se utiliza un semiconductor complementario de oxido metlico. 5.2 Por qu no coinciden los valores medidos y el datasheet? Es producto de la precisin con la cual estos circuitos son fabricados, ya que el valor en el datasheet es el valor terico. Adems se debe tambin a efectos de mala conexin del voltmetro. 5.3 Por qu no se han rellenado los VO medidos? Es producto de que este valor se ver afectado por la resistencia interna de nuestro voltmetro. 5.4 Cules son las caractersticas que determinan la mxima condicin de operacin, mxima velocidad y menor consumo de una familia de compuertas de CI Van a depender directamente de una correcta instalacin de la puerta, con valores de tensin y corriente de acuerdo al datasheet. El consumo es determinado segn la familia, en el caso de CMOS este es bajo, mientras que en TTL el consumo es mayor.
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5.5 En cada punto cada circuito del informe inicial dibujar la grfica de la seal e indicar las magnitudes y frecuencias medias y no simuladas.

Figura N5: Seal de entrada y salida de una puerta 5.6 Indicar en que aplicaciones prcticas en donde se usan las compuertas TTL y CMOS. Aplicaciones TTL Microprocesadores, como el 8X300, de Signetics, la familia 2900 de AMD y otros. Memorias RAM Memorias PROM PAL, Programmable Array Logic, consistente en una PROM que interconecta las entradas y cierto nmero de puertas lgicas. Aplicaciones CMOS Circuitos integrados Sensores Memorias Interfaces VI. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES a) Se observ que hay que tener cuidado al realizar mediciones en las puertas lgicas, debido a que podemos daar el componente. b) Se observ que las puertas lgicas tienen un ligero calentamiento. c) Se concluy que las compuertas responden a operaciones lgicas. d) Se concluy que las compuertas se pueden utilizar para desarrollar aplicaciones en electrnica. VII. BIBLIOGRAFA

Tocci Ronald - Sistemas digitales principios y aplicaciones Editorial Prentice hall M. Morris Mano Diseo digital Editorial Pearson 2003 - Mxico
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