DIODOS ZENER INTRODUCCIN Los diodos zener, tambin conocidos como diodos reguladores de tensin (Voltaje regulator diodes),

son elementos semiconductores de silicio que poseen en sentido directo o de paso una caracterstica de diodo rectificador normal, mientras que en sentido inverso, y para una corriente inversa por encima de un determinado valor, presentan una tensin constante cuyo valor depende de las caractersticas tcnicas de cada diodo en particular. Este fenmeno de tensin constante en el sentido de bloqueo convierte a los diodos zener en dispositivos excepcionalmente tiles, cuando se quiere tener una tensin relativamente insensible a las variaciones de la tensin de alimentacin o de la corriente de la carga, es decir, como dispositivos reguladores del valor de la tensin. Los diodos de seales pequeas y los rectificadores nunca se operan de manera intencional en la regin de ruptura ya que se pueden daar. Un diodo zener se comporta muy diferente; es un diodo de silicio que el fabricante ha perfeccionado para operar en la regin de ruptura sin que sufra algn dao. Es decir, mientras los diodos ordinarios no pueden operar en esta regin, los diodos zener son fabricados especialmente para operar en esta regin. El diodo zener es parte fundamental de los circuitos reguladores de voltaje, circuitos que mantienen la carga casi constante a pesar de los cambios en los voltajes de lnea y las cargas. Dependiendo se las caractersticas que se deseen obtener, los diodos zener se fabrican por procesos de aleacin o de difusin. Los diodos con tensiones de ruptura de hasta 9 V presentan mejores caractersticas cuando se fabrican por aleacin, mientras que los que poseen tensiones de ruptura superiores a los 12 V tienen mejores caractersticas si son fabricados por procesos de difusin. Para tensiones de ruptura comprendidas entre 9 y 12 V, el mtodo de fabricacin viene determinado por otros factores. Por aleacin, es un mtodo que consiste en calentar en un horno apropiado y una temperatura de unos 650 C, una pequea pastilla de cristal de silicio tipo N, a la que se coloca encima una minscula cantidad de material tipo P. al ser calentado en el horno se produce la aleacin entre ambos elementos en una zona de forma circular. Los diodos zener fabricados por el procedimiento de difusin se obtienen depositando boro para la fabricacin del material del tipo P en una de las caras de una lmina delgada de cristal de silicio, y en la otra cara vapor de fsforo para la formacin del material tipo N. El conjunto se introduce en un horno una temperatura superior a 1200 C. El calor provoca que en el cristal de silicio penetre el fsforo por un lado y el boro por el otro, difundindose ambos materiales en el cristal. Una vez obtenido el diodo, se procede a la colocacin de los terminales y a protegerlo del medio ambiente mediante una cpsula. El fenmeno de ruptura, es decir, el paso de bloqueo a conduccin en sentido inverso al sobrepasar un determinado valor de tensin, recibi en un principio el nombre de efecto Zener, por que se pens que debido al mecanismo descrito por Zener en su teora sobre los fenmenos de ruptura en dielctricos (pinsese que un diodo polarizado en sentido inverso es comparable perfectamente a un condensador cuyas placas fuesen los cristales P y N y cuyo dielctrico fuese la zona de unin de ambos cristales; por lo tanto, si dicha zona de unin o zona prohibida pasa a ser conductora, ello equivale a la perforacin de un dielctrico). Hoy en da se cree, sin embargo, que esta ruptura se debe a los efectos de campo, cuando se produce para tensiones inferiores a 5 V, y se atribuye a un efecto de avalancha cuando tiene lugar a tensiones por encima de los 7 V. Entre los 5 y 7 V la ruptura es producida por una combinacin de ambos efectos. As pues, para bajas tensiones es vlida la teora la ruptura de Zener y para altas tensiones se acepta la teora de avalancha propuesta por Mc Kay y Mc Affee. Sin embargo, y por los motivos apuntados, todos los diodos Zener se llaman as en honor a este fsico, el valor de tensin bajo el cual se produce la ruptura se le conoce tambin con el nombre de tensin Zener. Efecto Zener y efecto avalancha En el apartado anterior se dice que el fenmeno de ruptura de un diodo Zener puede ser debido al efecto Zener o al efecto de avalancha, segn la tensin inversa aplicada. A continuacin se exponen en pocas lneas la diferencia entre estos dos efectos. Al aplicar una tensin inversa pequea a un diodo, circula una corriente cuyo valor es igual al de la corriente de prdidas superficiales, ms la normal de saturacin, estando formada esta ltima por huecos y electrones generados trmicamente. Si se aumenta la tensin inversa, al principio no aumenta nmero de portadores y, por lo tanto, no aumenta la corriente. Sin embargo, cuando se alcanza un cierto valor de tensin inversa se produce una ruptura espontnea de los enlaces covalentes de los tomos prximos a la unin PN. La ruptura de dichos enlaces genera electrn-hueco y se produce as un notable aumento de la corriente. Esta accin es el efecto Zener propiamente dicho. La tensin a la cual se produce el efecto Zener depende del grado de dopado del silicio y puede ser muy elevada, aunque a menudo se obtiene un aumento de la corriente inversa, debido a un efecto de avalancha, y por debajo del nivel de la tensin inversa que corresponde al efecto Zener citado. Al aumentar la tensin inversa aumenta la velocidad de los portadores. Esta velocidad puede ser suficiente para provocar la ionizacin, si los tomos chocan las molculas del semiconductor con suficiente energa. Los portadores de carga resultantes de la ionizacin por colisin toman parte en nuevas colisiones y producen a su vez nuevos portadores. El rpido aumento del nmero de portadores y, por consiguiente, de la corriente, es lo que constituye el denominado efecto avalancha. Sin embargo, sea cual sea el mecanismo que produzca la ruptura (Zener o avalancha), la tensin de ruptura de un diodo Zener se produce a un nivel bien definido y estable, prcticamente constante. Procurando no sobrepasar la temperatura de unin mxima admisible por el diodo, la ruptura es reversible y no destructiva, es decir, el diodo regresa a su estado de bloqueo al descender la Tensin inversa por debajo del valor de la tensin de ruptura. Esto diferenca a estos diodos de los rectificadores, en los cuales si se alcanza la tensin de Zener el diodo resulta destruido. Tensin de referencia

El voltaje entre el ctodo y el nodo del diodo despus de la ruptura se denomina tensin de referencia. Su valor no puede ser mayor que el de la tensin de ruptura, siendo casi constante. La tensin de referencia es, para cada tipo de diodo, una tensin de valor prcticamente constante y con ciertas tolerancias lgicas de fabricacin. En las hojas de fabricantes se indica normalmente la tensin de Zener y su tolerancia. As, el diodo z Zener BZV85C3V6 posee una tensin de Zener de 3.6 V 5%, lo cual significa que este diodo pasa a conducir en sentido inverso con una tensin en este sentido comprendida entre 3.42 y 3.78 V. Corriente de funcionamiento de un diodo Zener La corriente de funcionamiento de un diodo Zener ha de estar comprendida entre el 20% de la corriente de Zener mxima y la corriente del codo de la caracterstica inversa; es decir, que para que un diodo Zener trabaje cerca del codo de la curva caracterstica inversa, es necesario que la tensin de ruptura posea un valor superior a los 7 V, ya que los diodos con esta tensin de ruptura poseen una caracterstica de ruptura mucho ms pronunciada que la de los diodos con tensin Zener ms baja. Potencia de disipacin en rgimen estable de un diodo Zener La potencia mxima que puede disipar un diodo Zener viene dada por la formula:

Donde:

Ptot = disipacin mxima admisible en rgimen estable. Tjmax =temperatura mxima admisible en la unin y en funcionamiento. Tamb = temperatura ambiente. Rthj-amb = resistencia trmica total entre la unin y el ambiente.

El valor de Rthj-amb lo dan los fabricantes en sus catlogos, y es valido solo para elementos sin disipadores de calor y montados al aire. El factor Rthj-amb depende del tipo y tamao del disipador trmico utilizado y puede ser determinado a partir de la siguiente expresin: Donde: Rthj-amb = Rthj-mb+Rthmb-b+Rthb-amb Rthj-mb = resistencia trmica entre unin y base de montaje. Rthmb-b = resistencia trmica entre base de montaje y radiador. Rthb-amb = resistencia trmica radiador y ambiente.

Ruido Cuando en un diodo zener existen uniones imperfectas o cargas espaciales, se producen variaciones bruscas de tensin de referencia que dan origen a ruidos. ste ruido generalmente muy bajo, nunca superior a los 10mV, por lo que apenas influye sobre la tensin en bornes del diodo. Sin embargo, puede reducirse a una dcima parte conectando un capacitor de 10 a 100 nF en paralelo con el diodo. Este capacitor no afecta al funcionamiento del diodo, ni tender a oscilar. Eleccin del diodo zener Al igual que aburre con la mayor parte de componentes electrnicos, los diodos zener se fabrican normalizados, es decir, con unos valores de tensin de zener y potencia de disipacin determinados. En lo que respecta a la tensin de zener, los diodos zener se fabrican siguiendo la tabla E24, con tolerancias de dicha tensin del 5, 10 y 15 %. Los valores de tensin de zener normalizados son los indicados en tabla siguiente. 2.4 2.7 3 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 110 120 130 160 180 200

Tensiones zener normalizadas en la fabricacin de diodos zener. En lo que respecta a la potencia de disipacin, los diodos de tensin se fabrican para 280 mW, 320 mW, 400 mW, 1.3 W, 2 W, 7.5 W, 10 W, 15 W, 20 W, 75 W. stos datos son, pues, los primeros que han de tenerse en cuenta en la hora de elegir un diodo zener para un circuito y, despus, se las exigencias del circuito as lo aconsejan, debern tenerse presentes todos los dems expuestos en este parte. Cdigo de identificacin de los diodos Zener Existen tres sistemas de identificacin de diodos. El ms moderno consiste en tres letras seguidas de un nmero de serie y el valor que hace referencia a la tensin de Zener. La primera letra es siempre una B, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor de silicio. La segunda letra es una Z, indicativa de que se trata de un diodo Zener. A continuacin sigue una letra (V, X o Y) y un nmero de serie dado por el fabricante.

Finalmente se aade la tensin de Zener utilizando la V como coma decimal. As, el diodo BZV85C6V2 es un diodo Zener de la serie V85 cuya tensin Zener es de 6.2 V. En ocasiones se aade a este cdigo otro complementario que hace referencia a la tolerancia de la tensin de Zener segn el siguiente cdigo: A: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 1%. B: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 2%. C: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 5%. D: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 10%. E: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 15%. El cdigo antiguo est formado por tres letras y un nmero de serie dado por el traficante. La primera letra siempre es una O, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor. Las otras dos letras son AZ, y hacen referencia a que se trata de un diodo Zener. El cdigo norteamericano consiste, al igual que en los diodos rectificadores, en la indicacin 1N seguido de un numero de serie. Estos componentes destacan por sus reducidas dimensiones, en particular aquellos para montaje superficial (SMD). Al igual que los diodos rectificadores semiconductores, el ctodo de los diodos Zener viene indicado por un aro impreso rodeando el cuerpo del componente o por cualquiera de los sistemas ya expuestos en el capitulo anterior. Debe pues respetarse dicha indicacin al conectar un diodo Zener, y recuerde hacerlo en sentido inverso, es decir, con el ctodo conectado al positivo de la fuente de alimentacin que se desea estabilizar. Resistencia zener alta

RZH VS VZ IZK IL

= = = = =

resistor en serie para el diodo zener voltaje de la fuente V voltaje de zener V corriente de zener A corriente de la carga A

El objeto fundamental del diodo zener consiste en proporcionar un voltaje razonablemente regulado que para su operacin, otro equipo lo requiera, el voltaje podra variar como consecuencia de dos factores: primero, un voltaje variable de la fuente; segundo, una corriente variable en la carga. La ecuacin anterior es adecuada ya que considera la corriente variable en la carga, que es la que ocasiona la mayora de los problemas; IL est dada por la carga mxima que ha de alimentarse. Un regulador zener utilizado se muestra en la siguiente figura. La ecuacin dar el valor ms alto para la RZH que conservar el zener en conduccin y tambin suministra la corriente requerida en la carga. Sin embargo, si la carga aumenta ligeramente a IL, la regulacin zener cesar y se obtiene un voltaje inadecuado ms bajo en la carga. No obstante lo anterior, ste mtodo permitir que el zener opere ms fro y al mismo tiempo requiera la carga ms baja de la fuente. Ejemplo: Encuntrese el valor de la RZH en la figura siguiente si el zener es de 15 V con una corriente de mantenimiento requerida IZK de 4 mA.

Puesto que cualquier clculo sobre un zener debe hacerse siempre para la carga mxima que debe alimentar, encontrar RZH de la figura si Vz = 6 V.

Resistencia zener baja

Los diodos zener, con frecuencia denominados diodos de referencia, se fabrican en una gama de voltajes que oscila desde 0.4 hasta 200 V. Los dos valores de potencia ms usados son W y 1 W. La ecuacin dar el valor bajo de resistencia zener a un valor cercano a su lmite mximo puede ocasionar un prematuro mal funcionamiento del mismo. Al utilizar esta

forma de clculo no ser necesario incorporar cualquier demanda de carga, lo cual se debe a que RZL se calcula a su valor ms bajo y no puede pasar ms corriente aun cuando la carga la demande. Las ecuaciones para resistencia alta y resistencia baja del diodo zener llegan a esta conclusin: cuando se requiera la carga ms ligera posible en la fuente y dicha carga sea razonablemente constante, utilcese la ecuacin para resistencia alta. Si VS tiene un valor considerable y la carga es errtica, especialmente e la regin de corrientes elevadas, debe utilizar la frmula para resistencia baja, es decir, esta ltima. Capacidad de un diodo ZENER Al aumentar la tensin inversa aplicada a un diodo ZENER, se produce un movimiento de 3 huecos y electrones aumentando as, la unin PN, como consecuencia de lo anterior, la capacidad del ZENER disminuye.

Donde:

K = Constante propia del diodo V = Tensin aplicada a diodo (Positivo para voltajes inversos) n = Exponente con valor igual a 0.V

Al aumentar el voltaje aplicado al diodo hasta un valor de 2 V, se llega a lo siguiente:

As:

Por lo tanto, C1 < C.