CONSEJOS PRCTICOS PARA LA RESOLUCIN DE PROBLEMAS

BJT EMISOR COMUN

AO 2011

ELECTRNICA II

Electrnica II

1. Propsito
En este apunte se detallan algunos tems prcticos para analizar y disear circuitos electrnicos.

2. Orden de magnitud de los parmetros de los componentes activos

Cuando se necesita analizar y disear circuitos, es bueno tener en cuenta el orden de magnitud de los parmetros descriptivos de los dispositivos amplificadores. Esto es sumamente til si a priori no se conocen con exactitud los componentes que se van a emplear, y se desean hacer clculos aproximados como por ejemplo en los circuitos realimentados. An en el caso que se conozcan todos los componentes, los parmetros de los componentes activos dependen del punto de polarizacin. A modo de ejemplo, si en un circuito se emplea un BJT de pequea seal de propsitos generales, el mismo podra tener los siguientes parmetros: - r0 del orden de 10 k. - hie del orden de 3 k. - hfe del orden de 100. Para qu sirve tener en cuenta estos valores numricos? Para facilitar el anlisis de circuitos, el clculo de propiedades como impedancia de entrada, ganancia del amplificador realimentado, etc. Por ejemplo, si el circuito estudiado posee un BJT en E.C. y una resistencia de colector Rc < 1 k, resulta r0 // Rc Rc. Del mismo modo, si la resistencia que se conecta en paralelo con la juntura base-emisor del BJT es RB >> 3 k, resulta RB // hie hie. Es importante tener en cuenta que estas consideraciones sirven slo para hacer estimaciones numricas, por lo cual pierde su utilidad cuando se requiere hacer clculos de mayor precisin. No hay que olvidar que el punto de polarizacin condiciona la performance de los componentes activos, lo cual marca una dependencia de los parmetros de pequea seal. Sin embargo, los valores anteriormente citados pueden ser usados como cotas globales. Es decir que en general es r0 > 10 k, hie > 3 k y hfe > 100. Por otro lado, cabe recordar que los parmetros de pequea seal son mutuamente dependientes entre s. Siguiendo con el BJT de pequea seal, su punto de polarizacin I CQ ic determina un valor para hfe y para gm = (donde vale 1 y 2 para = vbe I VT
CQ

transistores de germanio y de silicio respectivamente, y VT = 25 mV). Para este BJT, la resistencia dinmica de entrada hie (que es aproximadamente igual a r) es hie = hfe / gm. Un ejemplo puntual es el siguiente. El transistor BC548A que posee una corriente de polarizacin de ICQ = 2 mA tiene estos valores: hfe mn = 125, gm = 40 mmhos y hie = 3125 .

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Consejos prcticos para la resolucin de problemas

2.1. Algunos datos numricos

A continuacin de describe el orden de magnitud de algunos parmetros de los componentes activos ms empleados. Componente BJT de pequea seal Parmetro r0 hie hfe ri gm rds |Vp| IDSS ri av ro Orden de magnitud Mayor a 10 k Mayor a 3 k Alrededor de 100 Mayor a la decena de M Unidades y decenas de 1 x 10-3 mhos Unidades de k (ver nota 1) Unidades de V (ver nota 2) Unidades y decenas de A (ver nota 3) Mayor a 100 k Alrededor de 1 x 105 Decenas de

JFET de pequea seal

A.O.

Nota 1: Generalmente, la pendiente de la caracterstica de salida del JFET es menos horizontal que la de los BJT, lo que implica que rds < r0. Un valor tpico de rds es 3k. Nota 2: Valores tpicos de |Vp| son 2 V 4 V. Nota 3: Un valor tpico de IDSS es 10 A.

3. Otros consejos prcticos

- Antes de abordar el clculo matemtico de los componentes del circuito, conviene analizarlo desde el punto de vista circuital con el fin de tener una idea global del funcionamiento del circuito y de cada uno de sus componentes. Esto es indispensable para comprender mejor los principios y aplicaciones de la electrnica, y adems sienta las bases para llevar a cabo diseos exitosos. Finalmente, el dominio de este enfoque resulta fundamental en el coloquio final de la materia. - Si en el anlisis del modelo en pequea seal uno se encuentra con fuentes dependientes, no corresponde pasivar las mismas. En todo caso, podra darse el caso de que la variable de control se anule, con lo cual se inhibira el funcionamiento de la fuente antes mencionada y tendra el mismo efecto que si se la pasivara. No obstante, este ejemplo no contradice lo dicho en la primera oracin. Esta situacin podra presentarse en casos donde se calcule el aporte de una seal de entrada a la salida en el proceso de superposicin. - Se puede corroborar la presencia de gruesos errores matemticos analizando las ecuaciones con las que se va trabajando. Una forma de averiguar ello es comprobar la consistencia de unidades. Por ejemplo, una expresin de ganancia de transimpedancia debe poseer unidades de . - Cuando se llegue a un resultado numrico determinado, se debe analizar sus consecuencias en el circuito y sobre todo si el mismo es razonable con los
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componentes adoptados. Por ejemplo, un amplificador inversor no puede tener ganancia positiva. Referencias
Motorola semiconductor technical data. Enlace correspondiente http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/150/128424_DS.pdf al BC548A: