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SALTILLO, COAHUILA
JUNIO 2013
DISPOSITIVOS DE MEMORIA
Operaciones
Las operaciones bsicas de una memoria consisten en leer y almacenar informacin mediante el uso del bus de datos y direcciones. Estas operaciones ocurren en un orden lgico, el cual se indica a continuacin: Apuntar a la direccin de memoria que se desea leer o escribir mediante el uso del bus de direcciones Seleccin del tipo de operacin: Lectura o escritura. Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operacin de escritura) Retener los datos de la memoria (en el caso de una operacin de lectura) Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva operacin.
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DISPOSITIVOS RAM ESTATICOS (SRAM) Los dispositivos de memoria RAM estticos mantienen los datos mientras les sea posible aplicado el voltaje de alimentacin DC. Debido a que no es necesario efectuar ninguna accin (excepto la aplicacin de energa) para retener los datos en estos dispositivos, son llamados memorias estticas. Tambin se les conoce como memoria voltil porque no retienen datos sin energa. La diferencia principal entre una ROM y una RAM es que una RAM es escrita durante la operacin normal, mientras que una ROM es programada fuera de la computadora normalmente slo es leda. La SRAM, que almacena datos temporalmente, es utilizada cuando el tamao de la memoria de lectura/escritura es relativamente pequeo. Actualmente, una memoria es pequea si tiene menos de 1MB. Las entradas de control de esta RAM son ligeramente diferentes a las presentadas con anterioridad la terminal OE esta etiquetada como G. la terminal CS es S y la WE es W. a pesar de los cambios en nomenclatura, las terminales de control funcionan exactamente igual que las descritas anteriormente. Otros fabricantes elaboran esta popular SRAM con los nmeros que parte 2016 y 6116. MEMORIA RAM DINAMICA (DRAM) La RAM esttica de mayor tamao, disponible actualmente, es de 128 K x 8. En cambio la RAM dinmica est disponible en tamaos mucho mayores: hasta 64 M x 1. En todos los dems aspectos, una DRAM es bsicamente igual a una SRAM, excepto porque retiene los datos por slo 2 0 4 ms en un capacitor integrado. Despus de 2 o 4ms, el contenido de la DRAM debe de ser completamente reescrito (refrescado) porque los capacitores, los cuales almacenan un 0 o 1 lgicos, pierden sus cargas. En lugar de exigir la tarea casi imposible de leer con un programa el contenido de cada localidad de memoria y despus reescribirlo, el fabricante ha construido la DRAM internamente diferente a la SRAM. En la DRAM, el contenido total de la memoria es refrescado con 256 lecturas en un intervalo de 2 0 4 ms. El refresco se efecta tambin durante una escritura, la lectura, o durante un ciclo especial de refresco. En la seccin 10-6 se proporciona mucho ms informacin acerca del refresco de la DRAM. Otra desventaja de la DRAM es que requiere tantas terminales de direccin que los fabricantes han decidido multiplexar las entradas correspondientes. Observe que una DRAM de 64 K x 4, la TMS4464, que almacena 256 Kb de datos. Solo contiene ocho entradas de direccin, aunque debera contener 16, es decir, el
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nmero requerido para direccionar 64K localidades de memoria. La nica forma en que pueden alojarse 16 bits de direccin en ocho terminales de direccin es en dos incrementos de 8 bits. Al igual que con la SRAM, la terminal R/W escribe los datos de DRAM cuando est en nivel lgico 0, pero no existe una terminal etiquetada como G o de habilitacin. Tampoco existe una estrada S a la DRAM. Como ya se ha mencionado, la entrada CAS selecciona a la DRAM. Si esta seleccionada, la DRAM es escrita R/W =0 y RW=1.
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Capacidad La capacidad de una memoria (RAM y ROM) es el nmero de posiciones de un sistema, o dicho de otra manera, nmero de informaciones que puede contener una memoria. La capacidad total de memoria ser un dato esencial para calibrar la potencia de un computador. La capacidad de la memoria se mide en mltiplos de byte (8 bits): kilobytes (1.024 bytes) y megabytes (1.024 kilobytes). Si bien es cierto, aqu s se aplica la frase de a mayor capacidad, mayor velocidad. A la hora de escoger una memoria, intenta escoger un valor que sea ptimo (sea de 512 megabytes, 1 gigabyte o as) para que tengas mejor rendimiento en tu computadora.
Conclusiones
Este trabajo ha servido para conocer lo que son las memorias no solo superficialmente, sino como realizan su gestin dentro del computador mismo, dndose cuenta que cada una es distinta a la otra en la forma de operar, pero aun as teniendo en cuenta puntos similares. Como hemos visto, la aparicin de las computadoras electrnicas es bastante reciente, y ha tenido un avance vertiginoso. Tanto es as, que hoy en da la competencia entre las empresas productoras de computadores ha provocado la aparicin de nuevos modelos con perodos muy cortos de tiempo, los cuales a veces son de meses. Lo que provoca un aumento en: las velocidades de los procesadores; capacidades de almacenamiento; velocidad de transferencia de los buses; etctera. Lo citado anteriormente a exigido a los fabricantes de memorias, la constante actualizacin de las mismas, superndose una y otra vez en velocidad, capacidad y almacenamiento.
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