El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo.

Es el ms sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grficas muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones tambin se estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa empleada y para poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes. Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real, consideremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el smbolo y las caractersticas que se muestran en la figura 1.1a y b, respectivamente.

(a)

(b) Figura 1.1 Diodo ideal: (a)smbolo; (b) caracterstica.

En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha en el smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia: Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir corriente en una sola direccin. En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la definicin de los smbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con la que se muestra en la figura 1.1.a, la parte de las caractersticas que se consideran en la figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje inverso, las caractersticas a la izquierda son pertinentes. En el caso de que la corriente a travs del diodo tenga la direccin que se indica en la figura 1.1.a, la parte de las caractersticas que se considerar se encuentra por encima del eje horizontal, en tanto que invertir la direccin requerir el empleo de las caractersticas por debajo del eje. Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID y la polaridad de VD en la figura 1.1.a (cuadrante superior derecho de la figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es

(corto circuito)

donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin. Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de la figura 1.1.b,

(circuito abierto)

donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin.

En sntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.

Figura 1.2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la regin de conduccin o en la de no conduccin observando tan solo la direccin de la corriente ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma direccin que la de la flecha del mismo elemento, ste opera en la regin de conduccin. Esto se representa en la figura 1.3a. Si la corriente resultante tiene la direccin opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, el circuito abierto equivalente es el apropiado.

Figura 1.3 (a) Estado de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal determinados por la direccin de corriente de la red aplicada.

Como se indic con anterioridad, el propsito principal de esta seccin es el de presentar las caractersticas de un dispositivo ideal para compararlas con las de las variedades comerciales.

Diodo Semiconductor El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, as como las tcnicas y tecnologas que se utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y por esa razn no se abordar el tema, si alguien desea saber un poco ms de esto, puede consultar el captulo 13, 20 y/o 21 del libro de texto.

Regin de Agotamiento En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en , o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo: - No hay polarizacin (VD = 0 V). - Polarizacin directa (VD > 0 V). - Polarizacin inversa (VD < 0 V). VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio. ID = Imayoritarios - IS

Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente ID del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente IS. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa, IS. El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio. 1.3 Curvas caractersticas (ideal, real y aproximadas) de un diodo.

La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente ecuacin:

-------- K = 11,600/ -------- 1 para Ge TK = TC + 273 ----------------------------------------------- para Si

Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del doble en magnitud por cada 10 C de incremento en la temperatura. Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo, mostrada anteriormente, y la forma compleja de la ecuacin, con frecuencia se utiliza un modelo simplificado:

El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o de los dispositivos junto a los cuales se conectar el diodo sea mucho mayor que la resistencia promedio del diodo rd, la cual se podra calcular como rd, en promedio, la resistencia de un diodo de pequea seal es de 26. Red >> rd

1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de especificaciones.

Los dispositivos electrnicos (entre ellos los semiconductores) son sensibles a frecuencias muy elevadas. En los diodos se presentan dos efectos principales a altas frecuencias: Capacitancias parsitas de Transicin y de Difusin. Tiempo de recuperacin en Sentido Inverso. En la regin de polarizacin inversa se presenta principalmente la capacitancia de la regin de agotamiento (CT), en tanto que en la de polarizacin directa se presenta principalmente la capacitancia de difusin o de almacenamiento (CD).

El tiempo de recuperacin en sentido inverso se representa por trr. Cuando el diodo est polarizado directamente y el voltaje aplicado se invierte repentinamente, idealmente se debera observar que el diodo cambia en forma instantnea del estado de conduccin al de no conduccin. Sin embargo, debido a un nmero considerable de portadores minoritarios en cada material, el diodo se comportar como se muestra en la siguiente figura:

ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. tt - Intervalo de Transicin. Tiempo requerido para que la corriente inversa se reduzca al nivel asociado con el estado de no conduccin. 5ns trr 1 s en diodos de recuperacin muy rpida ( trr 150 Pseg.)

Hojas de especificaciones del diodo. 1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura especfica). 2. Mxima Corriente Directa IF (Temp. especfica). 3. Corriente de Saturacin Inversa IR (voltaje y temperatura especficos). 4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (Temperatura). 5. Mximo nivel de disipacin de Potencia PDmx (Temperatura). 6. Capacitancias parsitas. 7. Tiempo de recuperacin en sentido inverso trr. 8. Intervalo de temperatura de operacin. 1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos. DIODOS ZENER La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la d un diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.

De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ. As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra sobrevoltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED) El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA. Principio de Funcionamiento: En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma

en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

Otros diodos son: Diodos Schottky (Diodos de Barrera). Diodos Varactores o Varicap. Diodos Tunel. Fotodiodos. Diodos emisores de luz infrarroja. Diodo de inyeccin lser (ILD). Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros. En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios: - Qu tan vlido es utilizar las aproximaciones ? - Qu tan exacto puede ser un clculo y/o una medicin realizada en el laboratorio ? Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100 puede ser realmente de 98 o de 102 o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V. 1.6 Comportamiento de CC de un diodo.

ANLISIS POR RECTA DE CARGA La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendr un efecto importante sobre el punto de regin de operacin de un dispositivo (en este caso el diodo).

Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff: V - VD - VL = 0 V = VD + IDRL Si se realiza un anlisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una lnea recta sobre la curva de caractersticas del diodo, entonces la interseccin de stas representar el punto de operacin de la red o punto Q.

Ntese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de tal manera que representa las caractersticas de la red. Si se modifica el valor de V o de RL o de ambos, entonces la recta de carga cambiar tambin. Los extremos de la recta de carga se obtienen buscando las intersecciones con los ejes ( ID = 0 y despus VD = 0):

Si VD = 0:

V = IDRL ID = V / RL Si ID = 0:

V = VD VD = V Como se mostr anteriormente, una lnea recta trazada entre estos dos puntos define la recta de carga. Es muy vlido tambin utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva del modelo simplificado. En este caso, el punto Q no cambiar o cambiar muy poco.

Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal, entonces s cambiara mucho el punto Q.

COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO En esta seccin se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de CD. Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de cada diodo (Conduccin o No Conduccin). Despus de determinar esto se puede poner en su lugar el equivalente adecuado y determinar los otros parmetros de la red. En lo subsecuente, se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de CC (Corriente Continua, Corriente Directa). A continuacin se abordarn algunos puntos y conceptos a tomar en cuenta previos y para el anlisis de un circuito con diodos: 1.- Un diodo estar en estado activo si VD = 0.7V para el Si y VD = 0.3 para el Ge. 2.- Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de cada diodo (conduccin o no conduccin). 3.- Despus de verificar el punto anterior, en ocasiones es conveniente poner en lugar del diodo, el circuito equivalente adecuado y posteriormente determinar los otros parmetros de la red. 4.- Hay que tener en cuenta que: o o Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a travs de sus terminales (hasta VPI en el caso de un diodo), pero la corriente siempre es cero (IS en el caso de un diodo, aunque IS 0). Un corto circuito tiene una cada de cero volts a travs de sus terminales (0.7 volts para un diodo de Si, 0.3 volts para un diodo de Ge, 0 volts para un diodo ideal) y la corriente estar limitada por la red circundante. En los diversos circuitos que se muestran a continuacin, determine VD, ID y VR. 1.-

Con V = 12 volts Realizando la malla: V - VT - VR = 0 12 - 0.7 - IR = 0 Despejando I de la ecuacin anterior: I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA

Si en el ejemplo anterior se invierte el diodo: 2.-

Con el diodo invertido la corriente por l ser cero (si se utiliza el modelo simplificado) y entonces I = 0. 12 - VD - VR = 0, donde VR = IR = 0 VD = 12 volts I = ID = 0 A

3.-

En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la la fuente es adecuada para polarizar el diodo, el nivel de voltaje es insuficiente para activar al diodo de silicio y ponerlo en el estado de conduccin.

De acuerdo con la grfica ID = 0 0.4 - 0.4 - VR = 0 0.4 - 0.4 - IR = 0 I = 0 VR = 0 4.-

12 - VTSi - VTGe - IDR = 0 , si ID = I 12 - 0.7 - 0.3 - I (5.6k) = 0 I = 11V / 5.6k = 1.96 mA VR = (1.96 mA)(5.6 k) = 11 Vo = VR = 11V

5.-

6.-

V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0 10 - IR1 -0.7 - IR2 + 5 = 0 14.3 - I(R1 + R2) = 0 I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v

7.-

10 - VR - 0.7 = 0 10 - (I)(R) - 0.7 = 0 I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v

8.-

9.-

10.-

-VR2 + 20 - VD1 - VD2 = 0

1.7 El rectificador de media onda.

El Vprom o Vcd de esta seal rectificada es:

, pero

f y f = 1/T

Si Vm es mucho mayor que VT Vcd 0.318Vm

Vpp = Valor pico a pico = 2Vp Vp = Valor pico Vpromedio = 0

Ejemplo: Dibuje la salida Vo y calcule el nivel de cd para la siguiente red.

a) con Vi = 20 sen t volts y con diodo ideal. Con el diodo conectado de esta manera, ste conducir nicamente en la parte negativa de Vi.

Vcd = -0.318Vm = -0.318(20) Vcd = -6.36 volts

b)Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno de silicio.

Vcd = - 0.318(Vm - VT) Vcd = - 0.318(20 -0.7) Vcd = - 6.14V

c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6 sen t volts.

d) Repita el inciso anterior con diodo ideal.

El voltaje pico inverso del diodo es de fundamental importancia en el diseo de sistemas de rectificacin. El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el diodo entrara en la regin de avalancha o regin Zener. La mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan un voltaje de c.d. para trabajar. Debido a que el voltaje de lnea es alterno, lo primero que debe hacerse en cualquier equipo electrnico es convertir o "rectificar" el voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa (c.d.). La tarea de la "fuente" o fuente de alimentacin de cualquier equipo o aparato electrnico es obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir del voltaje de linea (127 VRMS).

El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el voltaje de CA, segn como sea necesario.

donde: V1 = Voltaje en el devanado primario V2 = Voltaje en el devanado secundario N1 = # de vueltas en devanado primario N2 = # de vueltas en el devanado secundario

P.e. Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:

1.8 El rectificador de onda completa (R.O.C.)

Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda completa. La primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:

Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivacin Central

Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT) Para cada diodo: VPI 2Vm

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn.

Formacin de la zona de carga espacial Al unir ambos cristales, se manifiestan dos procesos: 1. La difusin de huecos del cristal p al n ( Jh ) y 2. una corriente de electrones del cristal n al p ( Je ). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones, como zona de carga espacial, de agotamiento, de deflexin,de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de cargas induce una diferencia de tensin (V) que actuar sobre los electrones con una determinada fuerza de desplazamiento que se opondr a la difusin de huecos y a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Esta diferencia de tensin de equilibrio (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga de espacial una vez alcanzado el equilibrio suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, donde se acumulan cargas negativas se le denomina nodo, representndose con la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa con la letra C (o K).

A (p)

C o K (n)

Representacin simblica del diodo pn.

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado. La polarizacin puede ser: inversa: Vp > Vn o directa: Vp < Vn.

Polarizacin inversa del diodo pn.

Polarizacin inversa En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p (la de menor tensin), lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y por tanto la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (vase semiconductor) a ambos lados de la unin, lo que produce una pequea corriente (del orden de 1 A), denominada corriente inversa de saturacin. Por efecto de la polarizacin inversa, las concentraciones de minoritarios (electrones en la zona p (n p ) y huecos en la zona n (pn )) disminuyen a medida que nos aproximamos a la unin, desde los valores iniciales del diodo no polarizado hasta cero.

Polarizacin directa del diodo pn. Polarizacin directa. En este caso, al contrario que en el anterior, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de las corrientes de electrones y huecos a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Las concentraciones de conductores minoritarios, se incrementan desde los valores iniciales a medida que nos acercamos a la unin. En la representacin simblica del diodo, la flecha indica el sentido de la polarizacin directa.

Curva caracterstica del diodo Tensin umbral, de codo o de partida (V ): La tensin umbral de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,

incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para incrementos pequeos de tensin se producen variaciones grandes de intensidad. Corriente mxima (Imax ): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que depende de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, vara sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ): Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrnhueco. Depende de la temperatura del material, y se admite que se duplica por cada incremento de 10 de la temperatura. Tensin de ruptura (Vr ): Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, del orden de 5 V, el diodo comienza a conducir tambin en polarizacin inversa. La ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto diodo inverso (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran e incrementan su energa cintica, de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar que salten a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocan con ms electrones de valencia y los liberan tambin. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia y aumentar la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas de entre 4 y 6 V la ruptura del diodo se puede producir por ambos efectos. Modelos matemticos. El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor de William Bradford Shockley), que permite estimar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente elctrica y la diferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin. q es la carga del electrn. T es la temperatura absoluta de la unin. k es la constante de Boltzmann. n es el coeficiente de emisin, que depende del proceso de fabricacin del diodo y suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y aproximadamente 2 (para el silicio).

El trmino es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K o 27 C).

Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo mediante tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal que se muestran en la figura. El ms simple de todos (4) es el diodo ideal.

Un semiconductor tipo n es aquel que esta dopado con exceso de electrones libres, mientras que un semiconductor tipo p corresponde a uno dopado con aumento de huecos. Al unir un semiconductor p con uno n, obtenemos un semiconductor llamado diodo de unin pn, el cual es un dispositivo cuya tensin-corriente es NO lineal. Diodo proviene de la palabra DI= dos y ODO= Electrodo, es decir, elemento de 2 terminales, que reciben el nombre de nodo (+) y Ctodo (-)

PARA RECORDAR FACILMENTE CUAL ES EL CATODO -(zona n) SE BUSCA EN EL SIMBOLO LA LETRA K INVERTIDA

DIODO IDEAL PDF PAG 12 DIODO_SEMICONDUCTOR http://prof.usb.ve/gsanchez/Curso_Elec1/Teoria_Diodos.pdf http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-2.circuitos-con-diodos.pdf http://enlacesalesianoslaserena.bligoo.cl/media/users/26/1310730/files/352053/guiaPrueba2_Re spuestas_.pdf

http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ejercicios.html

http://cdigital.dgb.uanl.mx/te/1080092543/1080092543_03.pdf http://referencias111.wikispaces.com/file/view/Capitulo1_ce1.pdf

http://www.slideshare.net/OthonielHernandezOvando/26-rectificador-de-onda-completa{

http://www.slideshare.net/OthonielHernandezOvando/25-rectificador-de-media-onda

El diodo Zener - caractersticas - aplicaciones

Es un tipo especial de diodo, que diferencia del funcionamiento de los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa) siempre se utiliza en polarizacin inversa. En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el mismo diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Funcionando de esta manera el diodo zener mantiene entre sus terminales una tensin de valor constante.

Smbolo del diodo zener (A - nodo K - ctodo) En este caso se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.

Analizando la curva del diodo zener se ve, que en el lugar donde se marca como regin operativa, la corriente (Ir, en la lnea vertical inferior) puede variar en un amplio margen, pero la tensin (Vz) vara muy poco. Esta se mantiene aproximadamente en 5.6 V. (para un diodo zener de 5.6 V) Aplicaciones del diodo Zener? La principal aplicacin que se le da al diodo Zener es la de regulador. Qu hace un regulador con Zener? Un regulador con zener ideal mantiene una tensin fija predeterminado a su salida, sin importar las variaciones de tensin en la fuente de alimentacin y/o en la carga

DIODO ZENER
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:

En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz. El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de disrupcin.

Podemos distinguir:

1. 2. 3. 4.

Vz nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener). Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (Vz min). Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max). Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de V z nom y Iz max.

Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):

1. 2. 3.

Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a I z min. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que I z max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito

DIODO ZENER La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.

Figura N02

De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ. As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

Figura N03 En el circuito que se muestra en la figura N03, se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera. De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz. El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de disrupcin. Podemos distinguir:

Vz nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener). Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (Vz min). Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max). Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.

En la grfica N01, se puede observar la curva caracterstica de este tipo de diodo.

Grfica N01 Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):

Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito