Energia Eltrica A energia eltrica uma forma de energia que pode ser transportada com facilidade.

. Gerao: A energia eltrica produzida a partir da energia mecnica de rotao de um eixo de uma turbina que movimenta um gerador. Esta rotao causada por diferentes fontes primrias, como a fora de gua que cai (hidrulica), a fora do vapor (trmica) que pode ter origem na queima do carvo, leo combustvel ou, ainda, na fisso do urnio (nuclear). Transmisso: As usinas hidroeltricas nem sempre se situam prximas aos centros consumidores. Por isto preciso transportar a energia eltrica produzida nas usinas at os locais de consumo: cidades, indstrias e fazendas. Para realizar este transporte que so construdas as subestaes e as linhas de transmisso. Distribuio: Nos centros consumidores, so construdas as subestaes transformadoras. Sua funo baixar a tenso do nvel de transmisso (muito alto) para o nvel de distribuio. A rede de distribuio recebe a energia em um nvel de tenso adequado sua distribuio por toda a cidade, porm inadequada para sua utilizao imediata. Assim, os transformadores instalados nos postes das cidades fornecem a energia eltrica diretamente para as residncias, para o comrcio e outros locais de consumo no nvel de tenso adequado a utilizao.

Tenso e Corrente Eltrica

Chamamos de eltrons as partculas invisveis existentes nos fios, que esto em constante movimento desordenado. Para que estes eltrons se movimentem de forma ordenada nos fios necessrio ter uma fora que os empurre. A esta fora chamamos de tenso eltrica (U). Este movimento ordenado de eltrons, provocado pela tenso, forma ento uma corrente de eltrons. A esta corrente de eltrons chamamos de corrente eltrica (I). Para fazermos idia do comportamento da corrente eltrica, podemos compar-la com uma instalao hidrulica. A presso que a gua faz depende da altura da caixa. A quantidade de gua que flui pelo cano vai depender desta presso, da grossura do cano, e da abertura da torneira. De maneira semelhante, no caso da energia eltrica, temos: A presso da energia eltrica chamada tenso e sua unidade o Volt (V): a corrente eltrica que circula pelo circuito e que depende da tenso e da resistncia, tem como unidade o Ampre (A): e a resistncia que o circuito oferece passagem da corrente medida em Ohms (_). A energia eltrica transportada sob a forma de uma corrente eltrica e esta se apresenta sob duas formas: CORRENTE CONTNUA CC CORRENTE ALTERNADA CA A corrente contnua aquela que mantm sempre a mesma polaridade, fornecendo uma tenso constante, como o caso das pilhas e baterias. Temos um plo positivo e um negativo. A corrente alternada tem a sua polaridade invertida certo nmero de vezes por segundo. Ao nmero de variaes que a corrente faz por segundo d-se o nome de freqncia e a sua unidade Hertz (Hz). Um Hertz corresponde a um ciclo completo de variao da corrente, da ser comum falar em ciclo por segundo ao invs de Hz. Dependendo do tipo de trabalho que temos de executar, podemos necessitar de corrente continua (CC) ou corrente alternada (CA). A maioria dos equipamentos eltricos funciona em corrente alternada (CA), como os motores de induo, os eletrodomsticos, iluminao, etc. A corrente continua (CC) pouco utilizada. Como exemplo, temos: sistema de segurana, equipamentos que funcionam com pilhas ou baterias, motores de corrente continua, etc.

FSICA DOS SEMICONDUTORES 1.1 - Estrutura atmica J sabemos que podemos dividir uma substncia em pores cada vez menores at chegar a menor das pores, que denominamos molcula. A molcula a menor poro que um material pode ser dividido sem que com isso venha sofrer alteraes em suas propriedades. Se dividirmos a molcula em partes, chegaremos ao tomo, sendo que este no mais conservar as propriedades do material subdividido. O tomo composto de outras partculas que so eltrons, prtons e nutrons, conforme a figura abaixo:

Os prtons (p) possuem cargas eltricas positivas. Os eltrons (e) possuem cargas eltricas negativas. Como vemos, o tomo formado por camadas concntricas ande fica ncleo. As camadas so nveis de energia. Chamamos de eltrons de valncia os eltrons que pertencem a ltima camada (camada externa) do tomo. Um tomo possui no mximo 7 (sete) camadas, assim denominadas: k, l, m, n, o, p, conforme abaixo:

As camadas inferiores, uma vez completas, no cedem nem recebem eltrons, logo os eltrons de valncia (eltrons da ltima camada externa) so os nicos em condio de participarem de fenmenos qumicos ou mesmo eltricos. Classificao do Materiais quanto condutividade Os materiais podem ser classificados em 03 (trs) tipos: condutores isolantes semicondutores Condutores: Dizemos que um material condutor, quando os eltrons so fracamente ligados ao ncleo e ao serem submetidos a uma diferena de potencial passam a se locomover no interior do material. Podemos citar como exemplo o ouro, a prata, o cobre e outros. Isolantes: Dizemos que um material isolante, quando os eltrons se encontram fortemente presos em suas ligaes, evitando a circulao desses eltrons. Podemos citar como exemplo, a borracha, a mica, a porcelana, etc. Semicondutores: Dizemos que um material semicondutor se sua resistncia se encontra entre a dos condutores e a dos isolantes. Os principais semicondutores utilizados so: Silcio (Si) Germnio (Ge) A principal caracterstica dos semicondutores a de possuir 04 (quatro) eltrons em sua ltima camada, camada de valncia. Isto permite aos tomos do material semicondutor a formao entre si de ligaes covalentes. Para entendermos como funciona um semicondutor podemos estabelecer paralelos entre o semicondutor, o condutor e um isolante. Se considerarmos, por exemplo, o nmero de portadores de carga de um condutor e de um semicondutor, veremos que o nmero contido em um semicondutor muito menor, resultando tambm em uma resistividade maior e um fato curioso, o coeficiente de temperatura da resistividade do semicondutor grande e negativo, o que faz com que medida que a temperatura do semicondutor aumenta, sua resistividade diminui. Dopagem do semicondutor Chama-se dopagem de um semicondutor, o processo utilizado para construir elementos P e N, atravs da mistura ao silcio (Si) ou germnio (Ge) de quantidades reduzidas de impurezas de elementos trivalentes ou pentavalentes. Elemento trivalente: todo elemento que possua em sua ltima camada (camada de valncia) um total de 03 (trs) eltrons Exemplo: Alumnio, ndio, boro, glio. Elemento pentavalente: todo elemento que possua em sua ltima camada (camada de valncia) um total de 05(cinco) eltrons. Exemplo: Antimnio, nitrognio, fsforo, arsnio. A dopagem um processo que visa aumentar ou diminuir o fluxo de carga num semicondutor, ou seja, interfere em sua condutividade. Isso pode ser feito adicionando (dopando) o material, por exemplo, germnio 5A, com um outro da famlia 3A, por exemplo. Desse modo sero originadas lacunas (cargas positivas) devido tendncia dos eltrons se movimentarem para o mais eletronegativo. Os eltrons ocupam nveis de energia quantizados em tomos isolados de modo a que apenas um eltron ocupe um nvel de energia. Em slidos, os nveis de energia so muito numerosos e esto divididos em bandas muito prximas. A separao das diversas bandas se d por meio de lacunas, as quais so regies energticas proibidas aos eltrons. Em condutores metlicos, como o cobre, por exemplo, a chamada banda de valncia, que corresponde banda mais alta, se encontra parcialmente

preenchida. No caso de um condutor, as energias dos eltrons so ento aumentadas e eles iniciam seu movimento. No caso de um isolante, a banda de valncia se encontra totalmente preenchida e a banda seguinte chamada de banda de conduo. No entanto a lacuna que separa estas duas bandas muito grande, o que impede o fluxo de corrente eltrica, uma vez que a energia que os eltrons teriam que receber seria muito grande. O que acontece no semicondutor, que a banda de valncia tambm se encontra preenchida, porm a lacuna entre esta e a banda de conduo suficientemente menor para que haja condio dos eltrons adquirirem energia necessria para saltarem a lacuna de energia e atingirem a barra de conduo. Tetravalente so componentes qumicos que possui quatro eltrons em sua camada de valncia, ou seja, ele tende a ceder quatro eltrons. Outra forma de se perceber isto pelo nmero de ligaes que ele faz. Como so quatro (em um composto normal), logo, ele tetravalente. A camada de valncia justificada, principalmente, pelas regras do dueto (menos usada, somente alguns casos) e do octeto (mais comum e mais aplicada). Semicondutor tipo N Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade de um material pentavalente, por exemplo, antimnio (Sb), tendo este 05 (cinco) eltrons na camada de valncia, haver a sobra de 01 (um) eltron do antimnio (Sb) que no formar ligao covalente. O tomo do antimnio (Sb) que deu esse eltron chamamos de doador. O silcio (Si) ou germnio (Ge) dopados com elementos pentavalentes so chamados de tipo N, sendo um material negativo. Os portadores de carga no material tipo N, so os eltrons. Semicondutor tipo P Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade de um material trivalente, por exemplo ndio (ln), tendo este 03 (trs) eltrons na camada de valncia, faltar um eltron. Essa falta de eltron comporta-se como uma carga positiva que chamamos de lacuna. Os semicondutores dopados com elementos trivalentes so chamados do tipo P, e ao elemento trivalente da dopagem chamamos de aceitador. Os portadores de carga no material tipo P so as lacunas. Portadores de cargas A condutividade de um semicondutor depende do nmero de portadores de carga, eltrons ou lacunas, dependendo da dopagem. Outro fator que influi na condutividade a temperatura. Este fator contribui para o rompimento da ligao covalente, dando origem a eltrons e lacunas medida que a temperatura aumenta. No material tipo N os eltrons da dopagem mais os surgidos pelo rompimento das ligaes so chamados de portadores majoritrios, pois existem em maior quantidade no material. E as lacunas surgidas no material tipo N, devido ao rompimento das ligaes, chamadas de portadores minoritrios. No material tipo P os portadores majoritrios so as lacunas e os portadores minoritrios so os eltrons: DIODO 2.1 - Juno PN

Se unirmos um material do tipo P a um material do tipo N, de maneira a construirmos um nico cristal, esta juno ser denominada de juno PN ou diodo de juno. Sua grande utilidade reside em deixar passar uma dada corrente em apenas um sentido. Sendo esta corrente alternada, que flui em dois sentidos, passa a fluir em um s sentido. A esta operao chamamos de retificao. Na figura , representamos uma juno PN no polarizada. O material N apresenta um grande nmero de eltrons (portadores majoritrios) e o material P um grande nmero de lacunas (portadores majoritrios). Haver difuso atravs da juno, ou seja, alguns eltrons comeam a aparecer nas proximidades do material P e algumas lacunas, nas proximidades do material N, causando a recombinao (ocupao de uma lacuna por um eltron ) entre esses portadores e uma neutralizao de cargas (um eltron se anula com uma lacuna). Quando um eltron e uma lacuna se encontram, suas cargas individuais neutralizam-se e isto deixa o tomo da impureza carregado. Os tomos das impurezas so fixos. O tomo que produzir o eltron tem agora uma lacuna e se carrega positivamente, e o tomo que produziu a lacuna tem um eltron e se carrega negativamente, e so chamados de ons. Com isto aparecer um campo eltrico entre o material P e o material N e uma diferena de potencial chamada de barreira de potencial ou regio de carga espacial ( camada de depleo ). Depleo significa diminuio ou ausncia e, neste caso, esta palavra corresponde ausncia de portadores majoritrios na regio prxima juno PN . Polarizao Inversa da Juno PN Consiste em colocarmos o terminal positivo da bateria no elemento N juno PN e o terminal negativo da bateria no lado P. Neste caso, os portadores majoritrios do lado P (lacunas) so atrados pelo plo negativo da bateria e do lado N (eltrons) pelo plo positivo da bateria. Os portadores majoritrios se afastam da juno, aumentando a barreira de potencial, no permitindo a passagem de corrente atravs da juno. Na realidade existir uma pequena corrente, devido aos portadores minoritrios. Esta corrente chamada corrente de fuga, e varia com a temperatura. Polarizao direta da Juno PN Consiste em colocarmos o terminal positivo da bateria no elemento P da juno PN e o terminal negativo da bateria ao lado N. Neste caso, os portadores majoritrios so repelidos em direo juno, havendo uma barreira de potencial muito pequena e facilidade para passagem

da corrente eltrica. O diodo apresenta uma resistncia muito baixa para esta polarizao. Os diodos so componentes eletrnicos formados por semicondutores. So usados como semicondutores, por exemplo, o silcio e o germnio, que em determinadas condies de polarizao, possibilitam a circulao de corrente. Externamente, os diodos possuem dois terminais: nodo (A) e o Ctodo (K) e h, prximo ao terminal Ctodo uma faixa que o indica. Possui formato cilndrico. O diodo a aplicao mais simples da unio PN (semicondutores) e tem propriedades retificadoras, ou seja, s deixa passar a corrente em um certo sentido (Anodo-Catodo), sendo o contrrio impossvel, exceto nos diodos zener, que nessa condio deixam passar uma voltagem constante. Existem certas variaes na sua apresentao, de acordo com a corrente que o percorre. O diodo funciona como uma chave de acionamento automtico (fechada quando o diodo est diretamente polarizado e aberta quando o diodo est inversamente polarizado). A diferena mais substancial que, quando diretamente polarizado, h uma queda de tenso no diodo muito maior do que aquela que geralmente se observa em chaves mecnicas (no caso do diodo de silcio, 0,7 V). Assim, uma fonte de tenso de 10 V, polarizando diretamente um diodo em srie com uma resistncia, faz com que haja uma queda de tenso de 9,3 V na resistncia, pois 0,7 V ficam no diodo. Na polarizao inversa, acontece o seguinte: o diodo faz papel de uma chave aberta, j que no circula corrente, no haver tenso no resistor, a tenso fica toda retida no diodo, ou seja, nos terminais do diodo h uma tenso de 10 V. A principal funo de um diodo semicondutor, em circuitos retificadores de corrente, transformar corrente alternada em corrente contnua pulsante. Como no semiciclo negativo de uma corrente alternada o diodo faz a funo de uma chave aberta, no passa corrente eltrica no circuito (considerando o sentido convencional de corrente, do positivo para o negativo). A principal funo de um diodo semicondutor, em circuitos de corrente contnua, controlar o fluxo da corrente, permitindo que a corrente eltrica circule apenas em um sentido. O LED um componente eletrnico semicondutor, ou seja, um diodo emissor de luz ( L.E.D = Light emitter diode ), mesma tecnologia utilizada nos chips dos computadores, que tem a propriedade de transformar energia eltrica em luz. Tal transformao diferente da encontrada nas lmpadas convencionais que utilizam filamentos metlicos, radiao ultravioleta e descarga de gases, dentre outras. Nos LEDs, a transformao de energia eltrica em luz feita na matria, sendo, por isso, chamada de Estado slido ( Solid State ). O LED um componente do tipo bipolar, ou seja, tem um terminal chamado anodo e outro, chamado catodo. Dependendo de como for polarizado, permite ou no a passagem de corrente eltrica e, conseqentemente, a gerao ou no de luz.