Eletrnica Bsica

1. Teoria Bsica dos Semicondutores.

2. Diodo de Juno PN.
3. Comlementos.
!. Diodos Eseciais
". Circuitos com Diodo.
#. Transistores.

1
Eletrnica Bsica
1. Teoria Bsica dos Semicondutores
1.1 Estrutura da mat$ria
A maioria das substncias presentes na natureza formada pela combinao
de outras, isto , so comostos. Um exemplo comum a gua, formada por
hidrognio e oxignio, os uais indi!idualmente apresentam propriedades
bastante distintas do composto.
"ntretanto, tanto o hidrognio como o oxignio no admitem decomposio
em outras substncias e, por isso, so chamados elementos. "xistem cerca
de #$$ elementos conhecidos e todas as substncias na natureza so
combina%es deles. " as substncias diferem uma das outras pelas diferentes
combina%es de elementos, em seus tipos e&ou propor%es.
Uma poro ualuer de um determinado elemento no pode ser subdi!idida
indefinidamente. ' uma part(cula elementar a ual, se subdi!idida, faz o
elemento perder suas caracter(sticas. "sta part(cula chamada tomo.
Assim, cada elemento se caracteriza por ter uma estrutura at)mica pr*pria.
A formao de um composto ocorre de maneira organizada. +ada elemento
contribui com um determinado n,mero de tomos para formar uma part(cula
maior, chamada mol$cula, ue caracteriza o composto. -ortanto, de forma
similar ao tomo do elemento, a molcula a menor poro poss(!el de um
composto. .e subdi!idida, ele perde suas caracter(sticas.
/ tomo, por sua !ez, formado por trs as part(culas fundamentais0 pr*tons,
nutrons e eltrons 1na realidade existem mais2.
/s r%tons esto sempre presentes no n,cleo e tm carga eltrica positi!a.
/s n&utrons podem estar ou no presentes no n,cleo e no tm carga
eltrica. .ua massa pr*xima da do pr*ton.
/s el$trons esto sempre nas *rbitas e tm carga eltrica negati!a, mas de
magnitude igual 3 do pr*ton. .ua massa cerca de #&#45$ da massa do
pr*ton.
/ n,mero de pr*tons no n,cleo chamado n'mero atmico e
caracter(stica ,nica de cada elemento. "lementos diferentes tm sempre
n,meros at)micos diferentes.
A 6ig # abaixo d o esuema simplificado de um tomo de l(tio. -r*tons so
indicados em !ermelho, nutrons em cinza e eltrons em azul.
2
/ n,mero at)mico do l(tio 7 e, portanto, existem 7 pr*tons no n,cleo.
8ormalmente, o n,mero de eltrons igual ao n,mero de pr*tons. Assim, a
carga eltrica total do tomo nula.
"m algumas situa%es, o tomo poder perder ou ganhar eltrons, isto , ficar
positi!amente ou negati!amente carregado. 8essas condi%es, ele dito ser
um (on ositi)o ou um (on ne*ati)o.
N()eis de Ener*ia
A maneira com ue os eltrons se distribuem nas *rbitas em torno do n,cleo
no aleat*ria. .egue regras bem definidas, ue so as mesmas para todos
os elementos.
Um eltron em *rbita tem uma energia potencial ue depende da sua
distncia at o n,cleo e uma energia cintica ue depende da sua !elocidade.
A soma de ambas a energia total do eltron.
Aui no cabe considerao mais profunda sobre a teoria untica. "sta diz
em linhas gerais ue os estados da matria no !ariam continuamente, mas
sim em peuenos inter!alos discretos, chamados uanta. 8o mundo prtico
isto no percept(!el, pois os !alores so muitos peuenos. 9as os eltrons
so part(culas elementares e o seu comportamento bem definido por tais
inter!alos.
Assim, a energia total ue o eltron pode ter definida em !alores discretos
e, portanto, ele s* pode ocupar determinadas %r+itas ou n()eis de ener*ia.
/s n(!eis poss(!eis so sete e o n,mero mximo de eltrons por camada e
esto representados na 6ig :.

3
/ n(!el mais externo chamado de n()el,camada de )al&ncia e os eltrons
presentes nele so os el$trons de )al&ncia.
/ n,mero de eltrons de !alncia um fator importante do elemento. "le
define a capacidade do tomo de ganhar ou perder eltrons e de se combinar
com outros elementos.
9uitas das propriedades u(micas e eltricas dependem da !alncia.
/s eltrons de !alncia por estarem mais distantes do n,cleo so os ue
podem se libertar mais facilmente do tomo, enuanto os eltrons dos n(!eis
inferiores, uma !ez completas no cedem nem recebem eltrons, logo os
eltrons de !alncia so os ,nicos em condi%es de participarem de
fen)menos u(micos ou eltricos.
Um tomo est!el uando apresenta a ,ltima camada completa, ou se;a, a
primeira camada possui : eltrons e as demais no m(nimo 4 eltrons, !e;a
figura 7 abaixo para melhor exemplificar.
Eletro)al&ncia0 <uando um dos tomos doar definiti!amente um eltron ao
tomo !izinho, e o outro receber o mesmo definiti!amente.
4
1.2 Condutores- .solantes e Semicondutores
-ara ue um material conduza eletricidade, necessrio ue os eltrons de
!alncia, sob ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do n(!el de
!alncia para um n(!el ou +anda de conduo.
+onforme 6ig =, em um material condutor no existem n(!eis ou banda de
energia proibida entre a conduo e a !alncia e, portanto, a corrente flui
facilmente sob a ao do campo eltrico.
> um material isolante tem uma larga banda proibida entre a !alncia e
conduo. " dificilmente ha!er conduo da corrente.
/s semicondutores possuem bandas proibidas com larguras intermedirias.
?sto significa ue podem apresentar alguma conduo, melhor ue os
isolantes, porm pior ue os condutores.
/s principais semicondutores utilizados so o @ermnio 1@e2 e o .il(cio 1.i2.
+onsideramos agora o .il(cio, ue o semicondutor mais usado e tem 5
eltrons de !alncia.
8o estado puro cada, par de eltrons de tomos distintos formam a chamada
li*ao co)alente, de forma ue cada tomo fiue no estado mais est!el,
isto , com 4 eltrons na camada externa.
/ resultado uma estrutura cristalina homognea conforme 6ig A. 8a
realidade tridimensional. "st assim mostrada por uma uesto de
simplicidade.
/ @ermnio 1@e2 possui BC:, DC4, 9C#4 e 8C5.
-odemos notar ue se aplicarmos uma tenso no ha!er corrente, pois os
eltrons encontramEse presos as liga%es de !alncia, no ha!endo eltrons
li!res para a conduo.
5
/ material continua um semicondutor. "ntretanto, uando certas substncias,
chamadas imure/as so adicionadas, as propriedades eltricas so
radicalmente modificadas.
.e um elemento como o antim)nio, ue tem = eltrons de !alncia, for
adicionado e alguns tomos deste substitu(rem o sil(cio na estrutura cristalina,
5 dos = eltrons iro se comportar como se fossem os de !alncia do sil(cio
e o excedente ser liberado para o n(!el de conduo 16ig F2.
/ cristal ir conduzir e, de!ido 3 carga negati!a dos portadores 1eltrons2,
denominado semicondutor tio n.
8otar ue o material continua eletricamente neutro pois os tomos tm o
mesmo n,mero de pr*tons e eltrons. Apenas a distribuio de cargas muda,
de forma a permitir a conduo.
Agora a situao in!ersa conforme 6ig 4.
Uma impureza com 7 eltrons de !alncia 1alum(nio, por exemplo2
adicionada.
Alguns tomos de sil(cio iro transferir um eltron de !alncia para completar
a falta no tomo da impureza, criando um buraco positi!amente carregado no
n(!el de !alncia e o cristal ser um semicondutor tio , de!ido 3 carga
positi!a dos portadores 1buracos&lacunas2.
6
2. Diodo de Juno PN
2.1 .ntroduo
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtmEse uma ;uno pn, ue
um dispositi!o de estado s*lido simples0 o diodo semicondutor de ;uno
0i*ura 1
Ge!ido a repulso m,tua os eltrons li!res do lado n espalhamEse em todas
dire%es, alguns atra!essam a ;uno e se combinam com as lacunas. <uando
isto ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado tornaEse carregado
negati!amente. 1um (on negati!o2
+ada !ez ue um eltron atra!essa a ;uno ele cria um par de (ons. H medida
ue o n,mero de (ons aumenta, a regio pr*xima 3 ;uno fica sem eltrons
li!res e lacunas.
A camada de carga espacial 1++"2 age como uma barreira impedindo a
continuao da difuso dos eltrons li!res. A intensidade desta camada aumenta
com cada eltron ue atra!essa a ;uno at ue se atin;a um euil(brio.


0i*ura 12
A diferena de potencial atra!s desta camada chamada de barreira de potencial.
A uma temperatura de :=I, esta barreira de $,FJ para o sil(cio e $,7J para o
germnio.
7
S(m+olo
0i*ura 11
+omo !isto anteriormente, os eltrons portadores da parte 8 tendem a ocupar
buracos na parte -, deixando esta com um potencial negati!o e a parte 8 com
um potencial positi!o e, assim, formando uma barreira potencial Jo. Assim, a
polaridade da barreira de potencial mantm os eltrons na parte 8 e os buracos
na parte - 16ig #: a2K.e um potencial externo J L Jo for aplicado conforme 6ig
#:b, potencial de barreira ser uebrado e a corrente ele!ada, pois existem
muitos eltrons em 8. GizEse ento ue a ;uno est diretamente olari/ada.
8o caso de in)ersamente olari/ada, 6ig#: +, o potencial de barreira ser
aumentado, impedindo ainda mais a passagem de eltrons e a corrente ser
peuena.
8
A cur!a caracter(stica de um diodo um grfico ue relaciona cada !alor da
tenso aplicada com a respecti!a corrente eltrica ue atra!essa o diodo.
0i*ura 13
8otar ue, acima de um peueno !alor de polarizao direta, a corrente aumenta
bastante, na realidade de forma exponencial, dada por0
? C ?
$
1e
eJ&MN
E #2. /nde ?
$
a corrente de saturao, e a carga do eltron, M a
constante de Ooltzmann e N a temperatura absoluta.
A polarizao in!ersa tem limite. Acima de um determinado !alor ocorre um efeito de
ruptura, uebrando a barreira de potencial e a corrente sobe uase na !ertical. ?sso
usado em diodos reguladores de tenso 1diodos /ener2 por exemplo.
2.2 Pot&ncia de um Diodo
"m ualuer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada
pela corrente ue o atra!essa e isto !ale para o diodo0
- C U P ?
8o se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois
ha!er um auecimento excessi!o. /s fabricantes em geral indicam a potncia
mxima ou corrente mxima suportada por um diodo.
"x.0 1N11! -9AQ C :=$mR
1N!221 ?9AQ C #
A
Usualmente os diodos so di!ididos em duas categorias, os diodos para peuenos
sinais 1potncia especificada abaixo de $,=R2 e os retificadores 1 -9AQ L $,=R2.
9
2.3 3esistor 4imitador de Corrente
8um diodo polarizado diretamente, uma peuena tenso aplicada pode gerar uma
alta intensidade de corrente. "m geral um resistor usado em srie com o diodo
para limitar a corrente eltrica ue passa atra!s deles.
3S chamado de Sesistor limitador de corrente.

<uanto maior o S., menor a corrente ue atra!essa o diodo e o S.
2.! 3eta de Car*a
.endo a cur!a caracter(stica do diodo no linear, tornaEse complexo determinar
atra!s de eua%es o !alor da corrente e tenso sobre o diodo e resistor. Um
mtodo para determinar o !alor exato da corrente e da tenso sobre o diodo, o uso
da reta de carga.
OaseiaEse no uso grfico das cur!as do diodo e da cur!a do resistor.
A corrente ? atra!s do circuito a seguinte0
8o circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. .e forem dados a
tenso da fonte e a resistncia S., ento so desconhecidas a corrente e a tenso
10
sob o diodo.
.e, por exemplo, no circuito ao acima o U. C:J e S. C #$$T, ento0
ma U
U
I
D
D
20 * 01 , 0
100
2
+ =

=
-odemos perceber uma relao linear entre a corrente e a tenso 1 U C ax V b2.
Ge!emos encontrar : pontos da reta de carga para podermos determinEla,
utilizaremos 0
!-onto de .aturao
!-onto de +orte
Ponto de Saturao0 esse ponto chamado de ponto de saturao, pois o
mximo !alor ue a corrente pode assumir.
5D627 .622m8
Ponto de Corte9 esse ponto chamado corte, pois representa a corrente m(nima
ue atra!essa o resistor e o diodo.
.62 8 5D627.
.obrepondo esta cur!a com a cur!a do diodo temEse0
0i*ura 1"
2." E:eitos da Temeratura
A temperatura pode ter efeito marcante sobre as caracter(sticas de um diodo
semicondutor de sil(cio, como demonstrado com um diodo de sil(cio !isto na 6igura
#A. +oncluiEse experimentalmente ue0
11
A corrente de saturao reversa ?s ter sua amplitude praticamente dobrada para
cada aumento de #$
$
+ na temperatura.
Um diodo de germnio, com Is na ordem de ? ou 2A em :=W+, pode apresentar uma
corrente de fuga de ?//A C $,# mA, a uma temperatura de #$$W+. 8(!eis de
corrente dessa magnitude na regio de polarizao re!ersa certamente
uestionariam a condio dese;ada de circuito aberto na regio de polarizao
re!ersa. Jalores t(picos de Is para o sil(cio so muito mais baixos ue para o
germnio para n(!eis similares de corrente e potncia, conforme mostra a figura #A.
3. Comlementos
3.1 7alor ;$dio de Tenso e Corrente de um Sinal Peri%dico.
+onsideremos a funo peri*dica representada na 6ig. #A, cu;a a expresso !em
relacionada a seguir0
0i*. 1#
12
"sta expresso matemtica representa o !alor mdio de uma grandeza peri*dica
ualuer 1tenso ou corrente por exemplo2.
"xemplos0
Gadas as figuras abaixo, ual o !alor mdio da forma de onda representadas0
13
3.2 7alor E:ica/ de Tenso e Corrente de um Sinal Peri%dico
A figura #F abaixo representa a forma de onda peri*dica 1senoidal, no caso2 uma
corrente denominada genericamente de ?
B
.

"sta corrente circulou atra!s de uma resistncia S durante um inter!alo de tempo t
dissipando, por conseguinte uma potencia -.
6ezEse circular pela mesma resistncia 3, durante o mesmo inter!alo de tempo uma
corrente cont(nua ., e dissipouEse a mesma potncia P obtida no caso anterior.
/ ue se pode dizer, ue o !alor efeti!o da corrente peri*dica .
<
de!e ser igual ao
!alor da corrente continua .. para ue possamos obter nos dois casos $ mesmo !alor
de potncia dissipada em 3.
Ao !alor efeti!o da corrente l
<
, denominamos de corrente S9., ou simplesmente
corrente eficaz
A potncia dissipada no resistor no inter!alo de tempo 1t
:
X t
#
2 dada pela seguinte
expresso matemtica0
14
8o mesmo inter!alo de tempo, t
:
Et
#
,CN, passou pelo resistor S uma corrente cont(nua
.- cu;a forma de onda est representada abaixo.
A potncia dissipada no resistor S, dada por0
P6 3 .
2
.endo .
<
6 .
m=
sen
Neremos ue0
2
mx
ef
I
I =
Analogamente podemos calcular o !alor eficaz da tenso.
2
mx
ef
V
V =
!. Diodos eseciais
!.1. D.>D> ?ENE3
A partir de um certo !alor de tenso aplicada ao diodo, ha!er choues dos eltrons
li!res com eltrons das liga%es co!alentes, com poss(!el retirada desses eltrons.
/correr um efeito multiplicati!o, aumentando considera!elmente o n,mero de
eltrons dispon(!eis para a conduo de corrente. "sse efeito, chamado a!alanche,
faz com ue a corrente aumente rapidamente para ualuer no!o acrscimo de
tenso re!ersa aplicada ao diodo.
.e ambos os lados da ;uno forem muito dopados, a regio de depleo ser
estreita. ?sso faz com ue os eltrons no tenham condi%es de ganhar energia
cintica suficiente para retirada de outros eltrons das liga%es co!alentes.
15
-orm o pr*prio campo eltrico pode retirar os eltrons, fazendo com ue ha;a um
aumento consider!el da corrente para ualuer no!o acrscimo de tenso.
"sse mecanismo chama efeito Y"8"S. "xistem diodos especiais ue sustentam a
conduo no sentido re!erso sem se danificarem. /s diodos zener e de a!alanche
so exemplos desses dispositi!os,Z um diodo constru(do especialmente para
trabalhar na tenso de ruptura.
.eu comportamento o de um diodo comum uando polarizado diretamente.
<uando polarizado in!ersamente ao contrrio de um diodo con!encional, ele suporta
tens%es re!ersas pr*ximas a tenso de ruptura, !ide figura #4.
Figura 18
@raficamente poss(!el obter a corrente eltrica sob o zener com o uso de reta de
carga.
0i*ura 11
16
Ponto de corte @ .62 e 7
D?
6 A7
S
Ponto de saturao AAAA ;a= corrente . 6 A7
S
,3
S
3EB548D>3 DE TENSC> C>; ?ENE3
/b;eti!o0 manter a tenso sobre a carga constante e de !alor Jz.
+lculo do resistor de carga S.0
@arante a corrente m(nima para a carga0
@arante ue sob o Yener no circule uma corrente maior ue ?Y9AQ
"xemplo0
Um regulador Yener tem uma tenso de entrada de #=J a :$J e a corrente de carga
de = a :$mA. .e o Yener tem JYCA,4J e ?Y9AQC5$mA, ual o !alor de S.[
17
4.2 Diodos schottky
Giodos de metal e semicondutor atuais, chamados diodos schottMU, so obtidos pela
deposio, por e!aporao ou por meios u(micos, de uma camada metlica sobre a
superf(cie de um semicondutor. 8ormalmente h uma camada de *xido na borda
para e!itar alguns efeitos indese;!eis do campo eltrico mais intenso nesta parte
/ principal destaue do diodo schottMU o menor tempo de recuperao, pois no
h recombinao de cargas do diodo de ;uno.
/utra !antagem a maior densidade de corrente, o ue significa uma ueda de
tenso direta menor ue a do diodo comum de ;uno. A contrapartida uma
corrente in!ersa maior, o ue pode impedir o uso em alguns circuitos.
.o usados principalmente em circuitos de alta fre\ncia, de alta !elocidade de
comutao podendo trabalhar em fre\ncias da ordem de F$@'z.
A tenso de in(cio de conduo depende dos materiais escolhidos na fabricao do
diodo, podendo !ariar de $,:= a $,F=!olts.

!.3 Diodos emissores de lu/ DledE
Ao passar por uma ;uno -8, eltrons sofrem transi%es de n(!eis de energia e, de
acordo com princ(pios da f(sica untica, de!em emitir alguma radiao.
.emicondutores de germnio, de sil(cio e outros comuns no emitem radiao
!is(!el. 9as esta emitida por alguns semicondutores de compostos u(micos,
como arsenieto de glio, fosfeto de glio e (ndio, etc. Deds so simplesmente diodos
de semicondutores desses tipos en!ol!idos em embalagem transl,cida.
/ diodo led de!e ser diretamente polarizado para emitir luz. A figura abaixo d um
circuito bsico.
18
-ara a determinao de S uma !ez conhecido J, podemos supor corrente mxima
de :$ mA e tenso no diodo de : a :,= !olts.
A tenso in!ersa mxima da maioria dos leds peuena, de forma ue uma
in!erso de polaridade com alguns !olts pode ser suficiente para danificar.
A cor da luz emitida depende do material utilizado no cristal e tambm do n(!el de
dopagem.
/s D"Gs suportam no mximo :J & :$ mA.
!.! D.>D> T5NNE4
-ara correntes cu;os !alores esto compreendidos entre ?! e ?p, podemos obter o
mesmo !alor de corrente para 7 diferentes !alores de tenso aplicada. "sta
caracter(stica de !alores m,ltiplos faz com ue o diodoEt,nel se;a ,til em circuitos de
pulso digitais.
/utra aplicao como cha!e, operando em !elocidade muito altas, como o
tunelamento ocorre 3 !elocidade da luz.
7anta*ens9 baixo custo, baixo ru(do, simplicidade de fabricao, alta !elocidade1o
tempo de cha!eamento da ordem de 8anossegundos 2, imunidade ao meio
ambiente e baixa potncia.
Des)anta*ens9 baixa !ariao na tenso de sa(da e o fato de ser um dispositi!o
com dois terminais, com isso no existe isolao entre a entrada e a sa(da,
pro!ocando assim srias dificuldades em pro;etos de circuitos.
19
!." 783.C8P
/s JAS?+A-. so diodos otimizados para trabalharem em polarizao re!ersa,
apresentando maiores !aria%es de capacitncia, em funo do potencial re!erso
aplicado.
-ara baixas fre\ncias so fabricados com sil(cio, sendo usado a arsenieto de glio
para fre\ncias mais ele!adas.
A figura a seguir mostra o comportamento da capacitncia em funo da
polarizao e o s(mbolo do diodo !aricap.
!.# 0>T>D.>D>
A incidncia de energia luminosa numa ;uno -8 libera eltrons da camada de
!alncia para a camada de conduo.
A corrente re!ersa de um diodo de!ido a mo!imentao de portadores minoritrios
ue surgem em ambos os lados da ;uno.
"m um fotodiodo, a corrente re!ersa controlada atra!s da incidncia da luz na
;uno, atra!s de encapsulamentos especiais.

5. Circuitos com Diodo
".1 3eti:icador de ;eia >nda car*a resisti)a
/ retificador de meia onda con!erte a tenso de entrada 1J
.
2 ca numa tenso
pulsante positi!a J
D
.
"ste processo de con!erso de A+ para cc, conhecido como ]retificao^.
0i*ura ".1
20

<uando ti!ermos no nodo do diodo, uma tenso positi!a em relao a aplicada ao
ctodo, ele passar a conduzir, isto o ue ocorre durante o semiciclo positi!o da
tenso secundria.
Gurante este semiciclo, teremos corrente circulando pela carga, e no diodo teremos
uma ueda de tenso ue ser da ordem de $,A !olts uando for de material sil(cio,
e $.7 !olts uando de germnio.
8o pr*ximo semiciclo, semiciclo negati!o da tenso de secundrio, teremos ue o
diodo no conduzir, por estar in!ersamente polarizado, estando seu nodo em um
potencial negati!o em relao ao ctodo.
Gessa forma, neste meio ciclo, no ha!er corrente circulando pela carga, e a
tenso existente no secundrio do transformador ficar detida nos terminais do
diodo ue de!er suportEla.

7alor m$dio da tenso na car*a
7
4
6 )
;FG
,
7alor m$dio da corrente na car*a
.
d
6 .
;FG
,
7alor e:ica/ da tenso na car*a
7
3e:
6 7
;FG
,2
7alor e:ica/ da corrente na car*a e no diodo
.
e:
6 .
;FG
,2
21
/ diodo a ser utilizado de!er ter as seguintes caracter(sticas0
.
dc
H .
;FG
, e 7
3 H
7
;FG
ou 7
ico
".2 Circuito com onto neutro @ >nda Comleta @ Car*a 3esisti)a
?nicialmente !eremos como se comporta o secundrio de um transformador com
ponto neutro.
<uando ti!ermos os potenciais iguais pontos #, : e A o obser!ador !er em relao
a ela o potencial V no ponto # e potencial negati!o no ponto : de!ido a isto ue as
formas de onda de tenso J
.#
e J
.:
so in!ertidas, ou se;a defasadas de #4$.
<uando muda a polaridade da tenso da tenso de entrada, o ponto # passa a ser
negati!o e o ponto : positi!o em relao ao obser!ador 1ponto A2, desta maneira a
forma de onda das tens%es J
.#
e J
.:
ser representada na figura =.=.
22
6ig. =.5
Dogo podemos concluir ue as formas de onda de J
.#
e J
.:
sero no dom(nio do
tempo, apresentadas na figura =.A.
-ara ue J
.#
e J
.:
tenham a mesma amplitude necessrio ue o ponto de neutro
di!ida o secundrio em igual n,mero de espiras.
Setornando no retificador apresentado na figura =.4.
23
<uando J
.#
esti!er no semiciclo positi!o, o diodo G# estar com seu nodo positi!o
de tal maneira ue conduzir como mostra a figura =.4.
8o mesmo instante em ue Js# positi!o, Js: negati!o e este potencial est
sendo aplicado no nodo do diodo G:. Ge!ido a este moti!o o diodo se comporta
como um circuito aberto, no conduzindo.
<uando Jsl passa a ser negati!o, este potencial aplicado ao diodo Gl ue passa a
se comportar como circuito aberto. 8este mesmo instante o potencial de Js:
positi!o e est sendo aplicado no nodo do diodo $: ue passar a conduzir como
mostra a figura =._.
-odeEse notar ue cada diodo conduz somente meio ciclo de onda, exatamente
igual ao retificador de meia onda, e sobre a carga a corrente sempre circula em um
mesmo sentido de tal maneira ue temos na carga tenso e corrente cont(nua
pulsante.
Z interessante obser!ar ue a tenso re!ersa sobre cada diodo o dobro da tenso
de pico ue aparece em cada metade do secundrio.
24
25
A tenso sobre a carga uma tenso cont(nua pulsante e tem0
Jalor mdio J
G+
C : J
mx
&
Jalor eficaz


-ara se dimensionar os diodos necessitamos do !alor mdio da corrente direta ue
circular por eles e de sua tenso re!ersa mxima.
?
G+
C ?
mx
& e J
S
C:J
mx
Dogo os diodos G# e G: de!em possuir0
+orrente mdia L ?
mx
&
Nenso re!ersa L : J
mx
".3 >nda comleta em onte @ Car*a resisti)a
26
8o instante em ue temos Js positi!o, ou se;a, ponto # positi!o em relao ao ponto
:, os diodos G
:
e G
5
conduzem 1ficam em srie2, pois as tens%es ue aparecem
sobre eles propicia tal efeito.
<uando J
.
in!erte a polaridade, o ponto # ser negati!o em relao ao ponto :,
de!ido a estes potenciais os diodos G
#
e G
7
conduzem 1ficam em srie2.
9esmo mudando a polaridade a corrente circula na carga sempre no mesmo
sentido, assim como a tenso J
D
.
27
0i*ura ".12
A tenso e corrente mdia sobre a carga so as mesmas do retificador de onda
completa com ponto neutro, ou se;a0
J
G+
C : J
mx
&
-ara se dimensionar os diodos necessitamos do !alor mdio da corrente direta ue
circular por eles e de sua tenso re!ersa mxima.
?
G+
C ?
mx
& e J
S
CJ
mx
Dogo os diodos de!em possuir0
+orrente mdia L ?
mx
&
Nenso re!ersa L J
mx
".! 0ator 3ile
Gefinio0
Jalor eficaz da ondulao
J
ac
!alor eficaz da tenso de ondulao
3eti:icador de meia onda car*a resisti)a
28
Dogo o fator Sipple da onda ser0
100
3856 , 0
100 x
V
Vmx
x
V
V
mx
dc
ac

= =
6 1-2=1226122I
3eti:icador de onda comleta car*a resisti)a Dtanto ara deri)ao central e
onteE
6!JI
"." Caracter(sticas dos reti:icadores utili/ados Dcar*a resisti)aE
-odemos !erificar ue a melhor retificao seria obtida se utilizssemos em -onte.
29
E=erc(cio 1
Gado o retificador em ponte abaixo e sabendoEse ue a especificao do diodo
indica = A&#:$$J.
?sto uer dizer ue a corrente ?
dc
1mdia2 sobre o diodo pode ser = A 1no mximo2 e a
tenso mxima de pico in!ersa admiss(!el sobre o diodo #:$$J.
-edeEse calcular a mxima potncia cont(nua 1-dc2 ue pode ser extra(da da ponte
uando esti!er sendo alimentada pela tenso de rede de ::$J, considerar ue
JpCJs. J
-
tenso no primrio, J
.
tenso no secundrio.
Sesoluo0
-dc
max
CJdcP?dc, onde JdcC:J
mx
& 1tenso mxima na carga2
.endo a mxima corrente em cada diodo = A, a corrente mdia na carga ser o
dobro da corrente mdia ue circula na carga em cada par de diodos.
?dc
carga
C:P?dc
Dogo0 -dc
max
C1:J
mx
&2P: ?dc
diodo
30
E=erc(cio 2
+alcular a potncia cont(nua mxima ue a ponte pode fornecer.
Nemos0
-
G+
C J
G+
.?
G+
Watts I
Vmx
P
DCDIODO DC
8000 5 * 2 *
14 , 3
1200 . 2
* 2 *
2
max
= = =

".# 0iltro 3eti:icador com car*a 3C D0iltro Caaciti)oE
/s circuitos retificadores apresentados nos itens anteriores tem como aplicao a
con!erso de corrente alternada em corrente cont(nua, ou se;a uma fonte de
alimentao, porm para ue esta fiue completa, falta ainda fazer, filtragem do sinal
retificado para ue o mesmo se aproxime o mximo poss(!el de uma tenso
cont(nua e constante.
A utilizao de um filtro capaciti!o muito comum nas fontes de alimentao ue
no necessitam de boa regulao, ou se;a, ue podem te peuenas oscila%es na
tenso de sa(da. Um exemplo o eliminador de bateria cu;o circuito !em todo
montado na caixinha ue !ai ligada 3 rede eltrica.
A figura =.#7 representa uma fonte de alimentao formada por um transformador
ligado a um retificador de onda completa em ponte, com capacitor de filtro na sa(da
em paralelo com a carga.
A filtragem do sinal retificado pode ser explicada, analisandoEse o grfico da figura
=.#5 1forma de onda na sa(da da fonte de alimentao2.
31
+om o primeiro semiciclo do sinal retificado, o capacitor carregaEse atra!s dos
diodos D1 e D3 at o !alor de pico. <uando a tenso retificada diminui, os diodos
ue esta!am conduzindo ficam re!ersamente polarizados fazendo com ue o
capacitor se descarregue lentamente pela carga SD.
<uando, no segundo semiciclo, a tenso retificada fica maior ue a tenso no
capacitor, os diodos G: e G5 passam a conduzir carregando no!amente o capacitor
at o !alor de pico, e assim sucessi!amente, formando uma ondulao denominada
rile.
A descarga do capacitor lenta de!ido 3 constante de tempo S
D
.+, ou se;a, uanto
maior o capacitor ou a resistncia de carga, maior a constante de tempo e menor o
ripple.
-orm, mesmo com o ripple, percebeEse ue a filtragem aumenta o !alor mdio da
tenso de sa(da, ue ser chamada de Jmf.
/ )alor de ico a ico do rile pode ser calculado pela euao
onde0
Jmf C tenso mdia na carga ap*s a filtragem
f C fre\ncia da ondulao 1depende do tipo de retificador2
SD C resistncia da carga
+ C capacitor de filtro
Assim, para o pro;eto de uma fonte de alimentao de!eEse, antes,estipular a tenso
mdia de sa(da e o ripple dese;ados para, em seguida, calcular capacitor necessrio
para a filtragem, as especifica%es dos diodos e as especifica%es do transformador.
32
EGE;P4> DE 8P4.C8KC>9 ProLeto de uma 0onte de 8limentao
-ro;etar uma fonte com tenso de entrada de #l$Jrms&A$ 'z e tenso mdia de
sa(da de =J com ripple de $,# J, para alimentar um circuito ue tem resistncia de
entrada eui!alente a #B. Utilizar o retificador de onda completa em ponte.
/ !alor do capacitor de filtro pode ser calculado pela euao0
8este caso ser utilizado um capacitor eletrol(tico de 5F$ , o ue acarretar em
uma reduo de ripple, melhorando o desempenho da fonte.
-ara definir as especifica%es 1?
G9
e J
Or
2dos diodos, preciso calcular a corrente
mdia na carga e a tenso de pico no secundrio do transformador.
Assim, a corrente mdia na carga !ale0
/ !alor da tenso de pico na carga pode ser aproximado para0
7
34
6 7
m:
M 7
3
,2 6 " M 2-1,2 6"-2" 7
+omo a tenso de pico na carga relati!amente baixa, de!eEse considerar J, e
como a carga tem uma resistncia muito maior ue a resistncia do diodo S
G
esta
pode ser desprezada.
8o retificador em ponte, de!eEse considerar, ento, uma ueda de tenso de : x J
1dois diodos conduzindo em cada semiciclo2. Assim, a tenso de pico no secundrio
do transformador de!er ser de0
-ortanto, as especifica%es dos diodos de!ero respeitar as seguintes condi%es0
.
D;
.m:,2 ".12
A3
,2 2-" m8
33
6inalmente, necessrio determinar as caracter(sticas do transformador.
A tenso eficaz no secundrio 0
/ transformador tem ue ser dimensionado para uma potncia maior ue a de
trabalho.
+omo a corrente na carga praticamente constante ; ue o ripple peueno, a
potncia de trabalho do transformador pode ser estimada por0
-
N
C J
:p
x?
mf
C A,5=x=x#$
E7
C 7:,:= mR
-ortanto o transformador utilizado de!e ter as seguintes especifica%es0
J
#
C ##$ J1rms2 J
:
C 5,A J1rms2 -L 7:,:= mR
Assim o circuito da fonte fica como mostra a figura =.#=.
".N D>B38D>3 DE TENSC> DE ;E.8 >ND8
8o pico do semiciclo negati!o, G# est polarizado diretamente e G: re!ersamente,
isto faz +# carregar at a tenso Jp.
8o pico do semiciclo positi!o, G# est polarizado re!erso e G: direto. -elo fato da
fonte e +# estarem em srie, +: tentar se carregar at :Jp. Gepois de !rios
ciclos, a tenso atra!s de +: ser igual a :Jp.
34
5.8 Circuitos 4imitadores
Setira tens%es do sinal acima ou abaixo de um dado n(!el.
.er!e para mudar o sinal ou para proteo
4.;.T8D>3 P>S.T.7> D>5 CE.08D>3E
4.;.T8D>3 P>483.?8D>
35
8SS>C.8KC> DE 4.;.T8D>3ES
5S> C>;> P3>TEKC> DE C.3C5.T>S
#8_#5 conduz uando a tenso de entrada excede a =,FJ.
"ste circuito chamado grampo de diodo, porue ele mantm o sinal num n(!el fixo.
36
B38;PE8D>3 CC
/ grampeador cc soma uma tenso cc ao sinal 1no confundir com grampo de
diodo2.
-or exemplo, se o sinal ue chega oscila de E#$J a V#$J, um grampeador cc
positi!o produziria uma sa(da ue idealmente oscila de $ a V:$J 1um grampeador
negati!o produziria uma sa(da entre $ e E:$J2.
37