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Processo CVD
11.4. Processos de Deposio de Dieltricos e Si-poli Si-poli xido de Silcio Nitreto de Silcio
11.1. Introduo
Deposio Qumica a partir de Fase Vapor (Chemical Vapor Deposition CVD)
CVD: reaes qumicas que transformam molculas gasosas chamada precursor, em material slido na forma de filmes, sobre o substrato .
CVD
Mtodo mais comum de deposio de filmes finos, utilizados atualmente na fabricao de CIs. Deposio de filmes finos isolantes (dieltricos), condutores e semicondutores.
Outros Exemplos:
Alguns filmes so usados temporariamente como camada de mscara, enquanto que outros filmes tornam partes do circuito sendo fabricado.
A tcnica CVD atende vrios dos requisitos citados, com vantagens sobre outras tcnicas.
cintica
do
1) introduo na cmara dos gases reagentes e diluentes a dada composio e fluxo; 2) transporte/movimento das espcies reativas at o substrato; 3) adsoro das espcies reativas na superfcie do substrato; 4) migrao das espcies na superfcie e reaes qumicas de formao do filme; 5) dessoro dos subprodutos da reao; 6) transporte dos subprodutos da reao para a regio de fluxo principal; e 7) remoo dos subprodutos gasosos da reao e gases no consumidos no processo, da cmara de reao.
Nucleao Formao de Ilhas Crescimento das ilhas Coalescncia Formao de filme contnuo
Processo CVD CVD: : A taxa de deposio (DR) est relacionada com a taxa de reao qumica (CR), taxa de difuso do precursor no boundary layer e taxa de adsoro do precursor sobre a superfcie. superfcie .
Regimes de Deposio
a)
H 3 regimes:
- Baixas temperaturas a taxa de reao qumica baixa e a taxa de deposio bastante sensvel a temperatura. regime limitado por reao de superfcie. - temperaturas altas deposio bem menos sensvel temperatura. regime limitado por transporte de massa. - Se aumentarmos mais a temperatura, a taxa decresce rapidamente devida a nucleao na fase gasosa. processo indesejvel.
b)
c)
Temperaturas baixas somente poucas molculas possuem energia suficiente para iniciar a reao.
Ao alcanar determinada temperatura, a taxa de reao torna-se controlada por taxa de reagentes que chegam a superfcie do substrato.
Velocidade do fludo na superfcie do reator zero. Aumenta a medida que se distancia da parede. H uma certa distncia da entrada do gs, apresenta um perfil parablico. Perfil de velocidade reator tubular
Concentrao dos reagentes num reator de paredes frias. Zero na superfcie do susceptor e aumenta rapidamente com distncia da superfcie.
Perfil de temperatura
Reator de paredes quentes: na entrada somente os gases prximos a parede so aquecidas. Pouco adiante, gases prximos do centro so aquecidos. Se o reator for longo, em algum ponto o gs e aquecido uniformente.
Reator de paredes frias : a temperatura do gs mais alto na superfcie do susceptor e decresce rapidamente para um valor constante, a uma certa distncia da superfcie.
Tipos de Reatores
Reatores APCVD: (a) horizontal (tubo de parede quente), (b) sistema de movimento contnuo com injeo de gs e (c) APCVD de movimento contnuo tipo plenum.
Reator Epitaxial ou reator vertical tipo Bell-Jar ou Pancake aquecido por induo.
(a)
(b)
Reatores LPCVD de parede quente (a) e fria (b). O reator do tipo (a) pode processar at 200 lminas por fornada. O do tipo (b) conhecido tambm como reator vertical isotrmico.
(a) Reator de Fluxo Radial(Placas Paralelas) + baixa temperatura; capacidade limitada; manual; podem cair partculas sobre o filme/substrato.
(a)
(b) Reator Horizontal de Parede Quente + lminas em p e paralelo ao fluxo; + alta capacidade; + baixa temperatura; manual; Gerao de particulas durante a carga.
(b)
Reatores CVD com Plasma Remoto RPECVD (remote, indirect ou downstream PECVD)
A cmara onde o plasma gerado est separada da cmara de reao onde se encontram os substratos. os substratos no ficam expostos diretamente radiao do plasma e portanto no so bombardeados pelos ons de alta energia.
Vantagens
Simples Alta taxa de deposio Baixa temperatura Excelente uniformidade e pureza Processamento de muitas lminas por vez ( at 200) Baixa temperatura Alta taxa de deposio Boa cobertura de degrau Mesmas que PECVD sem a radiao do substrato pelo plasma Baixa temperatura Alta qualidade dos filmes depositados Alta taxa de deposio Boa cobertura de degrau
Desvantagens
Cobertura de degraus ruins Contaminao por partculas Alta temperatura Baixa taxa de deposio
Aplicaes
xidos de baixa temperatura, dopados ou no xidos de alta temperatura, dopados ou no, nitreto de silcio, polisilcio, W e WSi. Deposio de dieltricos sobre metais em baixa temperatura e nitreto de silcio Mesmas que PECVD e dieltricos de porta em estruturas MOS Mesmas que RPECVD
LPCVD
PECVD
RPECVD ECR