Eletronic A

ELETRNICA II
Londrina, fevereiro de 1999.
Maria Bernadete de Morais Frana
http://www.mariabernadete.rg3.net/
1 Reviso da Teoria Atmica

1.1 Introduo
Em 1897, Thomson descobriu o eltron e provou que ele tinha carga negativa. Os eltrons so atrados pelo ncleo que possui uma carga positiva. Uma fora centrfuga age para fora em cada eltron e a atrao que o ncleo exerce sobre o mesmo equilibra esta fora. Depois, Bohr imaginou um modelo para o tomo que consistia em um ncleo rodeado por eltrons em rbitas bem definidas, este conhecido como tomo de Bohr. Na Figura 1 apresentado este modelo.
Figura 1 - Modelo Atmico de Bohr Os eltrons so dispostos em rbitas elpticas de acordo com a distribuio atmica desenvolvida por Linus Paulling (camadas K, L, M, N, O, P e Q). Quanto mais prximo do ncleo estiver o eltron, ou seja, quanto menor for sua rbita, mais preso estrutura nuclear ele estar. Para deslocar um eltron de uma rbita menor para outra maior necessrio energia para realizar trabalho de vencer a atrao nuclear. A cada rbita est associado um nvel de energia, quanto maior a rbita de um eltron mais alto seu nvel de energia ou sua energia potencial em relao ao ncleo. A ltima rbita de um tomo define a sua valncia, ou seja, a quantidade de eltrons desta rbita que pode se libertar do tomo atravs de bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiao) ou se ligar a outro tomo atravs de ligaes covalentes (compartilhamento dos eltrons da ltima rbita de um tomo com os eltrons da ultima rbita de outro tomo). Esta rbita mais externa recebe o nome de camada de valncia ou banda de valncia. Os eltrons da banda de valncia so os que tm mais facilidade de sair do tomo, pois alm deles possurem mais energia, eles esto mais distantes do ncleo e a fora de atrao eletrosttica menor. Por isso uma pequena quantidade de energia recebida faz com que eles se tornem eltrons livres, formando assim uma banda de conduo, sendo capazes de se movimentarem pelo material. Como as rbitas de um tomo esto a distncias bem definidas em relao ao ncleo, ento pode existir entre uma rbita e outra uma regio onde no possvel existir eltrons, denominada regio proibida. O tamanho dessa banda proibida na ltima camada de eltrons define o comportamento eltrico do material, como mostra a Figura 2, onde trs situaes diferentes esto representadas.
Figura 2 Isolantes, Condutores e Semicondutores. Na Figura 2, observa-se que, em cada um dos casos, a banda proibida tem um tamanho diferente. No primeiro caso, um eltron, para se livrar do tomo, tem que dar um salto de energia muito grande. Desta forma, pouqussimos eltrons tm energia suficiente para sair da banda de valncia e atingir a banda de conduo, fazendo com que a corrente eltrica neste material seja sempre muito pequena. Esses materiais so chamados de isolantes. No segundo caso, um eltron pode passar facilmente da banda de valncia para a banda de conduo sem precisar de muita energia. Isso acontece principalmente nos materiais metlicos, onde a prpria temperatura ambiente suficiente para o surgimento de uma grande quantidade de eltrons livres. Esses materiais so chamados de condutores. O terceiro caso um intermedirio entre os dois outros. Um eltron precisa dar um salto para sair da banda de valncia e atingir a banda de conduo, mas um salto pequeno e, por isso, esses materiais possuem caractersticas intermedirias em relao aos dois anteriores sendo, portanto, chamados de semicondutores.
1.2 Teoria dos Semicondutores

Hoje pode-se afirmar que o mundo depende dos semicondutores. Depois que este tipo de material comeou a ser usado, o mundo da eletrnica se desenvolveu e continua se desenvolvendo numa velocidade de assustar. Existem vrios tipos de materiais semicondutores. Os mais comuns e utilizados so o silcio (Si) e o germnio (Ge). Os materiais semicondutores caracterizam-se por serem tetravalentes, ou seja, apresentam tomos com camada de valncia ocupada por quatro eltrons. Exemplo: O tomo de silcio apresenta a seguinte distribuio: dois eltrons esto na primeira rbita, oito na segunda e os quatro restantes na camada de valncia. Por serem tetravalentes, cada tomo de um semicondutor pode realizar quatro ligaes covalentes com outros quatro tomos. Existem tambm os semicondutores III-V, que so formados a partir da ligao entre um elemento trivalente e um pentavalente. Os mais comuns so o arseneto de glio (GaAs) e o fosfeto de ndio (InP). Nos materiais semicondutores existem as lacunas e os eltrons livres. As lacunas so os vazios na rbita que perdeu um eltron para uma rbita maior (de mais alta energia). Quando acontece o deslocamento de um eltron da banda de valncia, diz-se que ele foi para a banda de conduo e uma lacuna foi deixada. Isto acontece quando a energia trmica recebida quebra algumas ligaes covalentes liberando um eltron para a banda de conduo. Estes eltrons livres podem, na presena de 3
campo eltrico, mover-se estabelecendo uma corrente. As lacunas tambm podem produzir corrente eltrica, apesar de estarem na banda de valncia. Uma lacuna atrai um eltron de valncia que, apenas com uma pequena variao de energia, pode ser deslocado para a lacuna. Assim uma nova lacuna surge no local de onde saiu o eltron. As caractersticas dos materiais semicondutores podem ser alteradas significativamente pela adio de certos tomos de impureza ao material semicondutor relativamente puro. Essas impurezas, embora acrescentadas na proporo de uma parte para 10 milhes, podem alterar a estrutura de bandas suficientemente para mudar totalmente as propriedades eltrica do material. A dopagem a tcnica utilizada para acrescentar as impurezas em um cristal puro, para se conseguir materiais com excesso de eltrons livres (tipo n), ou de lacunas (tipo p). O cristal puro chamado de semicondutor intrnseco e o cristal dopado de semicondutor extrnseco. A impureza tambm conhecida como dopante. Os tomos utilizados para a obteno de semicondutor tipo n so os pentavalentes. Exemplo: arsnio (As), antimnio (Sb) e fsforo (P). O efeito de uma dessas impurezas em um cristal puro de silcio ou germnio, um quinto eltron desassociado de qualquer ligao covalente. Este eltron remanescente vagamente preso ao seu tomo de origem, relativamente livre para se movimentar dentro do material tipo n formado. Como o tomo inserido doou um eltron relativamente livre para a estrutura, impurezas com cinco eltrons de valncia so chamadas tomos doadores. Por outro lado, os trivalentes so utilizados nos semicondutores tipo p, como o alumnio (Al), boro (B) e glio (Ga). A dopagem feita com estes tomos, resulta em um nmero insuficiente de eltrons para completar as ligaes covalentes. Como a vaga resultante aceita facilmente um eltron livre, as impurezas trivalentes acrescentadas so chamadas de tomos receptores. Nos semicondutores tipo n os eltrons livres que no participaram das ligaes so chamados portadores majoritrios, enquanto que as lacunas so os minoritrios. Nos semicondutores tipo p, os majoritrios so as lacunas e os eltrons livres so minoritrios.
2 Transistor A Grande Revoluo

2.1 Introduo
No perodo de 1904-1947 a vlvula foi, sem dvida, um dispositivo eletrnico de interesse e desenvolvimento. Em 1904 a vlvula diodo a vcuo foi apresentada por J.A. Fleming. Pouco depois, em 1906, Lee De Forest acrescentou um terceiro elemento, chamado grade de controle, ao diodo a vcuo, resultando no primeiro amplificador, o triodo. Nos anos seguintes, o rdio e a televiso deram grande estmulo indstria de vlvulas. A produo aumentou de aproximadamente um milho de vlvulas em 1922 para aproximadamente cem milhes em 1937. No nicio da dcada de 30 ganhavam importncia o tetrodo (quatro elementos) e o pentodo (cinco elementos) na indstria de vlvulas. Nos anos seguintes, a indstria eletrnica tornou-se de grande importncia e foram feitos rpidos avanos no projeto, tcnicas de fabricao de alta freqncia e alta potncia, e miniaturizao. Em 23 de dezembro de 1947, entretanto, a indstria eletrnica experimentou o advento de uma direo completamente nova de interesse no seu desenvolvimento. Foi na tarde deste dia que Walter H. Brattain , John Bardeen e William Shockley demostraram a ao amplificadora do transistor no Bell Telephone Laboratories. Devido a esse invento eles ganharam o Prmio Nobel de Fsica em 1956. As vantagens desse novo dispositivo de estado slido de trs terminais em relao vlvula foram bvias: ele era menor e mais leve: no tinha necessidade de filamento, que provoca perda de calor; era mais resistente; era mais eficiente, uma vez que absorvia menos energia; no necessitava de tempo de aquecimento, podendo ser usado a qualquer instante; e exigia menores tenses de operao. Com todas essas vantagens, os transistores revolucionaram a tecnologia eletrnica, permitindo que hoje, com toda a gama de tipos e tecnologias de fabricao, possamos ver as maravilhas que eles fazem.
Figura 3 - Vantagens Evidentes Entre o Transistor e a Vlvula. O transistor contribuiu para todas as invenes relacionadas com os circuitos digitais, componentes optoeletrnicos e microprocessadores. A maior revoluo se deu na tecnologia de computadores. Um microprocessador (corao do computador) pode chegar a ter um milho ou mais de transistores em seus circuitos (todos montados numa nica pastilha de 25 mm2). Antes de 1950 um computador ocupava uma sala inteira e custava milhes de dlares. Hoje, compra-se um bom computador porttil por menos de mil dlares (um pouco mais que mil reais).
2.2 Idias Bsicas de Junes NPN e PNP

A teoria que se aplica aos diodos, que so junes PN, praticamente a mesma utilizada nas junes PNP e NPN. Os conceitos de barreira de potencial, polarizao direta, polarizao reversa entre outros so utilizados para se entender o que acontece com estas junes. Na Figura 4 so representadas junes NPN e PNP.
N P N
(a)
(b)
Figura 4 (a) Juno NPN. (b) Juno PNP. Na Figura 4, tanto para as camadas N como para as P, os sinais apresentados representam as cargas em excesso, ou seja, as camadas N da juno NPN, por exemplo, apresentam tanto cargas negativas quanto positivas, mas os portadores majoritrios so os eltrons. Ento, feita a unio dos materiais, o excesso de eltrons do material tipo N tende a migrar para o material tipo P, visando o equilbrio eletrnico dos dois materiais, em que cada tomo do material N, que perde um eltron, fica com oito eltron na camada de valncia. O mesmo acontece com os tomos do material tipo P, que tem a sua lacuna ocupada por este eltron. Este fenmeno conhecido como recombinao. Como o processo de recombinao ocorre inicialmente na regio prxima juno, um fenmeno interessante acontece: a formao de uma camada de depleo. Depleo significa diminuio ou ausncia e, neste caso, esta palavra corresponde ausncia de portadores majoritrios na regio prxima juno. Com a recombinao so formados os ons negativos e positivos, representados pelos sinais menos e mais circulados na Figura 4, e estes so fixos estrutura devido a ligao covalente. Nestas regies formadas pelos pares de ions (camada de depleo) nas duas junes, criam-se diferenas de potenciais, que so as barreiras de potenciais. Estas diferenas de potenciais, a 25 oC so de aproximadamente 0,7 V para o silcio e 0,3 V para o germnio. Estas tenses sero referenciadas por VT (tenso de Threshold).
2.3 Transistor
O transistor um dispositivo semicondutor de trs camadas que consistem em duas camadas de material tipo n e uma tipo p, ou duas tipo p e uma tipo n. O primeiro chamado transistor NPN, enquanto que o segundo o transistor PNP. 6
O conjunto formado pela juno NPN ou PNP encapsulado com material metlico ou plstico e apresenta para o exterior trs terminais de conexo que partem de cada uma das regies semicondutoras. Na Figura 5 so apresentadas a estrutura e o smbolo esquemtico correspondente a cada tipo de transistor.
N
emissor base
N
coletor emissor
P
coletor
base
C B E (a) NPN B
C E (b) PNP
Figura 5 - Aspectos Construtivos e Smbolos dos Transistores. O transistor possui trs terminais, que so: o emissor, a base e o coletor. O emissor fortemente dopado, ou seja, possui uma quantidade maior de portadores majoritrios. Sua funo injetar estes portadores na base. A base levemente dopada e muito fina; ela permite que a maioria dos portadores injetados pelo emissor cheguem at o coletor. O coletor tem dopagem mdia e recolhe os portadores liberados pelo emissor e que no foram recolhidos pela base. a regio mais extensa das trs e dissipa mais calor. O comportamento bsico dos transistores em circuitos eletrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor atravs da base. Isto possvel polarizando-se adequadamente suas duas junes, como ser visto mais adiante. Este controle de corrente do emissor para o coletor pode ser visto como uma resistncia varivel, da o nome transistor, que vem do ingls TRANsfer - reSISTOR.
2.4 Funcionamento do Transistor

Para entendermos o funcionamento do transistor, faremos todos os estudos daqui para frente considerando o transistor NPN. As mesmas anlises feitas para o NPN so vlidas para o PNP, lembrando que nestes, o fluxo no ser de eltrons livres e sim de lacunas. Isto significa que os sentidos das correntes e tenses so contrrios aos do transistor NPN. Para entendermos o funcionamento do transistor vamos estudar trs maneiras bsicas e diferentes de polariz-lo. Considerando a Figura 6, temos que: No caso (a), duas baterias so conectadas de forma a polarizar diretamente os diodos baseemisor e base-coletor. Devido aos terminais negativos das fontes V1 e V2, os portadores majoritrios das regies N (emissor e coletor) adquirem energia suficiente para superarem as barreiras de potenciais das camadas de deplees e migram para os terminais positivos das baterias. Com isso correntes elevadas circularo pelo emissor, IE, pelo coletor, IC e pela base, IB. Invertendo as polaridades de ambas as baterias, como no caso (b), polariza-se reversamente ambas as junes e pequenas correntes circularo devido aos portadores minoritrios. Estas correntes reversas geralmente so desprezveis, e so chamadas de correntes de fuga. Raramente os transistores utilizados em circuitos lineares so polarizados dessas duas maneiras apresentadas.
No caso (c), que polariza-se diretamente o diodo emissor e reversamente o diodo coletor, ao contrrio do que se possa imaginar (corrente elevada pelo emissor e desprezvel pelo coletor), acontece um fenmeno conhecido como efeito transistor.
N IE V1 (a) N IE V1 (c) P IB V2 N IC V1 (b) V2 P IB V2 N IC N P N
Figura 6 - Polarizaes do Transistor NPN.
2.4.1 Efeito Transistor

Quando o diodo emissor (base-emissor) polarizado diretamente, se a tenso aplicada entre a base e o emissor for maior que o potencial da barreira, um fluxo de eltrons sai do terminal negativo da fonte V1 e entra no emissor (veja Figura 6 (c)). Esta polarizao fora esses eltrons migrarem para a base. Como a base fina e fracamente dopada, proporciona maioria dos eltrons uma vida mdia suficiente para se difudirem atravs da camada de depleo do coletor. O campo da camada de depleo empurra os eltrons para dentro da regio do coletor e estes seguem caminho para o terminal positivo da fonte V2. Na maioria dos transistores NPN, mais de 95% dos eltrons injetados pelo emissor fluem para o coletor, o restante preenchem as lacunas da base e fluem para fora atravs do terminal externo da base. Esta pequena corrente que flui pela base chamada de corrente de recombinao. A Figura 7 refora a explicao do fluxo de eltrons no transistor polarizado diretareversamente.
N P N
IE IB
IC
Figura 7 - Fluxo de Corrente Eletrnica no Transistor NPN.
Com o que foi exposto at aqui, pode-se montar um esquema geral de tenses e correntes de portadores majoritrios para os transistores NPN e PNP. Este esquema mostrado na Figura 8. Aplicando-se a primeira lei de Kirchhoff para as correntes e a Segunda lei de Kirchhoff para as tenses, obtm-se as seguintes equaes para o transistor NPN:
IE = IB + IC .
VCE = VCB + VBE .

Ambas as relaes so sempre constantes. Observe que o sentido das correntes utilizado na Figura 8 o convencional (do positivo para o negativo).
NPN
PNP
Figura 8 - Tenses e Correntes nos Transistores. Para o transistor PNP, a equao que relaciona as correntes a mesma apresentada para o transistor NPN. Entretanto, a equao para as tenses dada por:
VEC = VBC + VEB .
2.5 Efeito Amplificao

Analisando o fenmeno que ocorre com a a polarizao completa do transistor NPN, sob o aspecto da variao das correntes, tem-se o seguinte: Um aumento na corrente da base, IB, provoca um nmero maior de recombinaes, aumentando a corrente do coletor, IC. Da mesma forma, a diminuio na corrente da base provoca a diminuio na corrente do coletor. Isto significa que a corrente da base controla a corrente entre o emissor e coletor. A corrente da base, sendo bem menor que a corrente do coletor, faz com que uma pequena variao IB provoque uma grande variao IC. Isto significa que a variao da corrente do coletor um reflexo amplificado da variao da corrente da base. O fato do transistor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo ativo. Na Figura 9 ilustrado o que foi dito anteriormente. 9
Figura 9 Efeito Amplificao no Transistor NPN. Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente, pode ser expresso matematicamente pela relao entre a variao da corrente do coletor IC e a variao da corrente da base IB, ou seja, I ganho de corrente = C . I B
10
3 Configuraes Bsicas
Os transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: Base Comum (BC), Emissor Comum (EC) e Coletor Comum (CC), onde o termo comum significa que o terminal comum entrada e sada do circuito. Cada uma das configuraes tem caractersticas especficas e aplicaes diferentes. Para facilitar o clculo da polarizao dos transistores, os fabricantes podem fornecer duas funes na forma grfica. Uma relacionada com a caracterstica de entrada e a outra com a caracterstica de sada do transistor em cada configurao. Geralmente, os fabricantes fornecem as curvas da configurao EC, e a partir desta, possvel obter os parmetros para as demais configuraes. A caracterstica de entrada relaciona a corrente e a tenso de entrada para vrios valores constantes de tenso de sada, formando um grupo de curvas, um para cada tenso de sada. Na caracterstica de sada, tem-se a relao entre a corrente e a tenso de sada para vrios valores constantes de corrente de entrada, formando um grupo de curvas, uma para cada corrente de entrada. A partir destes grficos, pode-se calcular os resistores de polarizao mais adequados para determinada configurao e aplicao.
3.1 Configurao Base Comum (BC)

Nesta configurao o emissor o terminal de entrada de corrente e o coletor o terminal de sada de corrente do circuito, sendo o terminal de base, comum s tenses de entrada e sada, como apresentado na Figura 10.
Figura 10 Configurao Base Comum.
3.1.1 Curva Caracterstica de Entrada

Para cada valor constante de tenso de sada VCB, variando-se a tenso de entrada VBE, obtmse uma corrente de entrada IE, resultando no grfico apresentado na Figura 11. Observa-se que a caracterstica de entrada, ou caracterstica de emissor, semelhante curva caracterstica de um diodo, pois a juno emissor-base funciona como um diodo polarizado diretamente. Ou seja, a partir do momento em que a tenso de entrada faz os portadores vencerem a barreira de potencial (VT = 0,7 V para o silcio e VT = 0,3 V para o germnio), a corrente atravs da juno dispara. Assim, nesta regio da curva, pequenas variaes de VBE causam grandes variaes de IE.
11
Figura 11 Curva Caracterstica de Entrada BC.
3.1.2 Curva Caracterstica de Sada BC

Para cada valor constante de corrente de entrada IE, variando-se a tenso de sada VCB, obtmse uma corrente de sada IC, cujo grfico apresentado na .Figura 12.
Figura 12 Curva Caracterstica de Sada BC. Para explicarmos a caracterstica de sada ou de coletor, a dividiremos em trs regies distintas, que coincidem com as trs possveis condies de operao do transistor. Esta regies podem ser observadas nas curvas apresentadas na Figura 13.
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Figura 13 As Trs Regies de Trabalho de um Transistor. As trs regies de trabalho so: Saturao. As duas junes esto polarizadas diretamente, fazendo com que uma pequena variao da tenso VCB (sada) resulte numa enorme variao da corrente do coletor (sada). Neste caso, o transistor est saturado, como seus terminais estivessem em curto-circuito (VCB 0). Ativa ou Linear. A juno emissor-base est polarizada diretamente e a juno basecoletor reversamente. Esta a regio central do grfico de sada onde as curvas so lineares. Portanto, esta a regio utilizada na maioria das aplicaes, principalmente na amplificao de sinais, para que a distoro seja mnima. Corte. As duas junes esto polarizadas reversamente, fazendo com que a corrente de coletor (sada) seja praticamente nula (IC 0). Portanto, o transistor est cortado, como se ele estivesse desconectado do circuito.
3.1.3 Ganho de Corrente na Configurao Base Comum

O ganho de corrente de um circuito qualquer a relao entre a variao da corrente de sada e a variao da corrente de entrada, para tenso de sada constante. Na configurao BC, o ganho de corrente chamado de (alfa), sendo definido matematicamente por:
I C I E
VCB = constante .
Porm, como pode-se observar na Figura 12, na regio ativa, as curvas de IE so praticamente paralelas ao eixo de VCB. Ento pode-se fazer a seguinte aproximao:
IC IE
13
Em que IE e IC so as correntes do emissor e coletor respectivamente, em um ponto particular da caracterstica do transistor. Como a corrente do emissor a soma das correntes do coletor e base, conclui-se que sempre menor que 1. Na maioria dos transistores esse valor est entre 0,9 e 0,998, ou seja, bem prximo de 1. Fisicamente isto significa que na maioria dos transistores entre 90 e 99,8% dos portadores majoritrios injetados pelo emissor do transistor chegam ao coletor.
Exemplo I
Dadas as curvas caractersticas de entrada e sada de um transistor NPN (Figura 14), determinar: a) A tenso de entrada aproximada, a partir da qual a corrente de entrada comea a fluir de forma intensa; b) De qual material semicondutor feito este transistor; c) A corrente de entrada, quando a tenso de entrada vale 1 V; d) A corrente de sada, nas condies do item c; e) A corrente na base, nas condies do item d; f) O ganho de corrente, nas condies do item d.
IE (mA) 50 40 30 20 VCB= 4 V T = 25 o C
IC(mA) 50 40 30 20 10
1 2 VBE(V)
IE 50 mA 40 mA 30 mA 20 mA 10 mA 0 1 2 3 4
sada
-1
VCB(V)
entrada
Figura 14 Curvas Caractersticas do Transistor. RESPOSTAS a) Pela curva caracterstica de entrada, tem-se que a corrente de entrada IE comea quando a tenso de entrada VBE 0,7 V. b) Pelo valor de VBE de conduo, o transistor de silcio. c) Para VBE = 1 V, tem-se que IE = 30 mA (veja na caracterstica de entrada). d) A curva caracterstica de entrada foi obtida para tenso de sada constante VCB = 4 V (veja detalhe na figura da entrada). Entretanto com esse valor na curva caracterstica de sada, juntamente com a corrente de entrada IE obtida no item c, tem-se que a corrente de sada de aproximadamente 28 mA (veja na caracterstica de sada). e) Para o clculo de IB, temos que: f) Com os valores de IC e IE obtidos nos itens anteriores, tem-se que o ganho de corrente do transistor, nestas condies, vale: I 28 mA = C = = 0,93 . IE 30 mA
IE = IB + IC 30 = IB + 28 IB = 2 mA .
14
3.2 Configurao Emissor Comum (EC)

Esta a configurao mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os diversos parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos tm como referncia a configuao emissor comum. Nessa configurao, a base o terminal de entrada de corrente e o coletor terminal de sada de corrente do circuito, sendo que o terminal de emissor comum s tenses de entrada e sada, como mostrado na Figura 15, para o transistor NPN.
Figura 15 Configurao Emissor Comum.
3.2.1 Curva Caracterstica de Entrada EC

Para cada valor constante de tenso de sada VCE, variando-se a tenso de entrada VBE, obtmse uma corrente de entrada IB, resultando num grfico apresentado na Figura 16.
Figura 16 Curva Caracterstica da entrada EC. A curva caracterstica de entrada, ou caracterstica de base, semelhante da configurao BC, pois tem-se tambm a juno polarizada diretamente. Observa-se, portanto, que possvel controlar a corrente de base variando-se a tenso entre base e emissor.
15
3.2.2 Curva Caracterstica de Sada EC

Para cada valor constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada VCE, obtmse uma corrente de sada IC, cujo grfico apresentado na Figura 17.
IC I B1 I B2 I B1 > I B2 > I Bn I Bn = 0 0 VCE

Figura 17 Curva Caracterstica de Sada EC. A caracterstica de sada, ou de coletor, tambm muito parecida com a da configurao BC. Entretanto, observa-se que a inclinao das curvas de IB constante, na regio ativa, maior. Nesta curva, tambm distingem-se tambm as trs regies de trabalho do transistor: Corte: IC 0; Saturao: VCE 0; Ativa: regio entre o corte e a saturao (IB linear).
3.2.3 Ganho de Corrente na Configurao Emissor Comum

Para esta configurao, a relao entre a corrente de sada e a corrente de entrada, ou seja, a relao entre IC e IB, determina o ganho de corrente denominado de (beta), que definido como:
IC . IB
Sendo IC muito maior que IB, o ganho de corrente sempre muito maior que 1, ou seja, na configurao emissor comum, o transistor funciona como um amplificador de corrente. Como a inclinao das curvas da Figura 17 varia para cada valor de IB, o ganho de corrente no constante. Ele depende da temperatura e do valor de corrente de coletor. Por isso os fabricantes no fornecem o seu valor exato, mas sim uma faixa de valores possveis. Por isso no seguro projetar circuito que dependam do . Geralmente os transistores possuem entre 50 e 900, mas existem aqueles que possuem na ordem de 1000. comum encontrar nos catlogos de referencias de transistores o termo hFE, para indicar o beta. O parmetro hFE derivado de um outro sistema de anlise chamado de parmetros hbridos ou parmetros h. No entanto lembre-se que hFE = .
3.2.4 Relao Entre e

A partir do ganho de corrente , da configurao EC, pode-se obter o ganho de corrente , da configurao BC, e vice-versa, como ser demonstrado a seguir. Para um transistor as correntes se relacionam da seguinte forma: 16
IE = I B + IC .
Dividindo-se ambos os lados de (1) por IC e rearranjando, temos:
(1)
IE IB = +1 IC IC 1 1 1 1 = +1 = 1 1 1 = = 1
=
Exemplo II
Dadas as curvas caractersticas de entrada e sada de um transistor NPN, determinar: a) A corrente na base para VBE = 0,8V; b) O ganho de corrente nas condies do item a; c) O ganho de corrente na configurao BC; d) O novo ganho de corrente, caso IB dobre de valor, mantida a tenso VCE; e) O novo ganho de corrente na configurao BC.
Da mesma forma pode-se retirar o valor de em funo de . Obtm-se:
. +1
B ()
500 400 300 200 100 1 2 VBE(V) VCE= 5 V T = 25o C
I C (mA) 300 250 200 150 100 50 0 1 2 3 4 5 6
IB (A)
600 500 400 300 200 100 50
7 V (V) CE
entrada
sada
Figura 15 Curvas Caractersticas do Transistor. RESPOSTAS a) Para VBE = 0,8 V, tem-se que IB = 300 A (veja caracterstica da entrada). b) A curva caracterstica de entrada foi obtida para VCE = 5 V. Entrando com esse valor na curva caracterstica de sada, juntamente com a corrente de entrada IB obtida no item a, tem-se que a corrente de sada IC = 110 mA. Com os valores de IC e IB, tem-se que o ganho de corrente do transistor, nestas condies, vale:
= IC 110 10 3 = = 367 . IB 300 10 6
c) Na configurao BC, o ganho de corrente vale: 367 = = 0,9973 . +1 1 + 367
17
d) Se a corrente de base dobrar de valor, tem-se que IB = 600 A. Usando a curva caracterstica de sada, determina-se o novo valor da corrente de coletor, que IC = 280 A. Assim:
' =
' IC
' IB
280 103 = 467 . 600 106

467 ' = 0,9979 . 467 + 1
e) Na configurao BC, o ganho de corrente vale:

' = ' +1
'
' =
3.2.5 Maneira Prtica de Obter-se a Caracterstica de Sada EC

Utilizando o circuito na configurao emissor comum (EC), apresentado na Figura 18, podese obter dados para as curvas IC versus VCE do transistor. Uma outra opo seria utilizar um traador de curvas do transistor.
RC RB + VBB
V BE
+ _ _
VCE
VCC
Figura 18 - Circuito Para Medir a Corrente e a Tenso do Coletor de um Transistor. A idia variar as alimentaes VBB e VCC para criar diferentes nveis de correntes e tenses para o transistor. Usualmente fixa-se um valor para IB (VBB), varia-se VCC e mede-se os valores de IC e VCE. Com isso pode-se fazer o grfico IC x VCE. Por exemplo, fixando IB em 10 A e variando VCC, obtm-se um resultado cujo esboo mostrado na Figura 19.
I C (mA)
1 1
I B=10
VCE (V)
Figura 19- Curva do Coletor para IB = 10 A. Como pode ser observado, quando VCE zero, o diodo coletor no est com polarizao reversa, portanto sua corrente desprezvel. Para VCE entre zero e aproximadamente 1 V, a corrente do coletor aumenta e torna-se praticamente constante. Isto porque na polarizao reversa preciso que o diodo coletor atinja 0,7 V, para reverter a polarizao do diodo coletor. Feito isso, um fluxo estvel de eltrons atravessa o coletor tornando sua corrente praticamente igual a do emissor. 18
Como o transistor possui de aproximadamente 100, a corrente do coletor de aproximadamente 100 vezes a corrente da base. Entretanto este valor pode variar pois a relao IC/IB no a mesma ao longo da curva. Os fabricantes oferecem dois valores extremos de (hFE). Por exemplo o BD137 possui com valores entre 40 e 250. Depois que o diodo coletor conduz o valor de IC no sofre variaes considerveis com o aumento de VCE. Caso continue-se aumentando VCE o transistor alcana a tenso de ruptura (que ser explicada mais adiante). Repetindo o processo para novos valores de corrente da base, os efeitos repetem-se, ou seja, IC faz-se praticamente constante em valores mais elevados (IC = IB) e cada vez mais o valor da tenso de ruptura menor.
3.3 Configurao Coletor Comum

Nesta configurao, a base o terminal de entrada de corrente e o emissor o terminal de sada de corrente do circuito, sendo que o terminal de coletor comum s tenses de entrada e sada, como apresentado Figura 20. Esta configurao utilizada principalmente em circuitos de casamento de impedncias, pois possui alta impedncia de entrada e baixa impedncia de sada.
Figura 20 Configurao Coletor Comum (CC). Para a configurao coletor comum no necessrio curvas especficas de entrada e sada. Pode-se utilizar as mesmas caractersticas da configurao EC. As caractersticas de sada so praticamente as mesmas, j que IE IC e as correntes de entrada tanto para a configurao EC como para a CC a corrente de base IB. A caracterstica de entrada EC pode ser utilizada para determinarmos informaes de entrada da configurao CC. Para isso basta resolvermos a equao das tenses dada por Kirchhoff, que relaciona as tenses VCE, VBE e VCB da Figura 20.
19
4 Especificaes dos Transistores

Os transistores, como quaisquer outros dispositivos, tm suas limitaes, que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se danifiquem. Os manuais tcnicos fornecem pelo menos quatro parmetros que possuem valores mximos.
4.1 Tenso de Ruptura

Como as duas metades de um transistor so diodos, tenso reversa em demasia em qualquer diodo o leva a ruptura. Essa tenso de ruptura depende da largura da camada de depleo e dos nveis de dopagem. Como o diodo emissor possui alto nvel de dopagem, ele tem uma tenso de ruptura baixa, aproximadamente de 5 a 30 V. O diodo coletor, por outro lado, menos dopado o que implica que ele suporta nveis de tenso mais elevado, aproximadamente de 20 a 300 V.
4.2 Valores de Referncias Mximas

Os transistores de pequenos sinais podem dissipar meio watt ou menos, os de potncia so capazes de dissipar mais de meio watt. Quando formos utilizar um transistor deve-se procurar em sua folha de referncia suas especificaes mximas, pois elas fixam limites das correntes, tenses e outras quantidades importantes do transistor. Os parmetros que geralmente so especificados seus valores mximos pelos fabricantes, so: Tenso mxima de coletor VCEmax; Corrente mxima de coletor ICmax; Potncia mxima de coletor PCmax (que depende da configurao): Para as configuraes EC e CC, temos: PCmax = VCEmax I Cmax . Para a configurao BC, tem-se: PCmax = VCBmax I Cmax . Tenso de ruptura das junes (BV = breakdown Voltage): BVCB0 Tenso de ruptura entre coletor e base, com emissor aberto; BVCE0 Tenso de ruptura entre coletor e emissor, com base aberta; BVCES Tenso de ruptura entre coletor e emissor, com base e emissor curto-circuitados. As limitaes de tenso, corrente e potncia podem ser vistas na curva caracterstica de sada do transistor, como apresentado na Figura 21. So apresentados na tabela seguinte, parmetros de alguns transistores:
Tipo Polaridade BC548 NPN 2N2222 NPN TIP31A NPN 2N3055 NPN BC559 PNP BFX29 PNP VCEmax 45 30 60 80 -30 -60 ICmax 100 800 3000 15000 -200 -600
125 a 900 100 a 300 20 a 50 20 a 50 125 a 900 50 a 125
20
I I max
Regio Proibida
Pmax
V Vmax
Figura 21 Limitaes do Transistor. Ento por exemplo, se um transistor 2N2222 tiver uma tenso VCE = 20 V e corrente IC = 100 mA, pode-se calcular sua potncia como sendo: PD = 20 V 10 0mA = 2000 mW = 2 W . A regio proibida apresentada na Figura 21, corresponde regio cuja potncia excede a potncia mxima permitida pelo transistor. Nesta regio encontram-se as tenses de ruptura do transistor.
21
5 Polarizao dos Transistores

Os transistores so usados em uma grande variedade de aplicaes e de vrias maneiras diferentes. Para usar estes dispositivos para amplificao de sinais de tenso ou corrente, ou como elemento de controle (liga ou desliga), ou qualquer outra aplicao, necessrio primeiro polarizar o dispositivo. Normalmente a razo para esta polarizao ativar o dispositivo, e, em particular, coloclo em operao na regio mais linear de suas caractersticas. A polarizao uma operao esttica uma vez que ela visa fixar um nvel de corrente (atravs do transistor) com uma queda de tenso fixa desejada nos terminais do dispositivo. As informaes necessrias sobre o dispositivo podem ser obtidas a partir de suas caractersticas estticas. Existem dois conceitos importantes quando se trabalha com circuitos, que so sntese e anlise. A sntese a tcnica de como obter os elementos do circuito para que se tenha o ponto de polarizao desejado de corrente e tenso, ou seja, o projeto. A anlise determinar o ponto que realmente resulta para um determinado circuito com determinados elementos. Ento a polarizao de um transistor pode ser estudada usando-se a anlise ou a sntese, onde na primeira parte-se de um circuito pronto para determinao de seu ponto de operao e na segunda parte-se do ponto de operao desejado e determina-se os elementos do circuito.
5.1 Ponto de Operao

Polarizar um transistor fix-lo num ponto de operao em corrente contnua, dentro das suas curvas caractersticas. Isto , escolher valores de correntes e tenses adequadas para o circuito de qual o transistor faz parte. Por isso, a polarizao tambm chamada de polarizao DC, pois fixa, atravs de resistores externos, valores de correntes e tenses contnuas no transistor. Este ponto de trabalho do transistor, determinado pela polarizao chamado de ponto de operao esttica ou ponto quiescente (Q). A escolha do ponto quiescente feita em funo da aplicao que se deseja para o transistor, ou seja, ele pode estar localizado nas regies de corte, saturao ou ativa da curva caracterstica de sada. Restringindo-nos regio de operao segura do transistor, podemos selecionar vrias reas ou pontos de polarizao. A rea ou ponto exato de operao depende freqentemente do uso a que se destina o circuito. Podemos considerar ainda algumas diferenas de operao nos diferentes pontos mostrados na Figura 22 para apresentar algumas idias bsicas sobre o ponto de operao e, portanto, sobre o circuito de polarizao.
I max
B C A
Pmax
D
V Vmax
22
Figura 22 Vrios Pontos de Operao.
Se no fosse utilizada nenhuma polarizao, inicialmente o dispositivo estaria completamente desligado, que resultaria na corrente do ponto A ou seja, corrente nula atravs do dispositivo (e tenso nula nos seus terminais). O ponto B resulta na operao desejada. Se for aplicado um sinal ao circuito, alm do nvel de polarizao, a corrente e a tenso do dispositivo variaro a partir do ponto B permitindo que o transistor reaja (e possivelmente amplifique) s partes positivas e negativas do sinal de entrada. Se por exemplo, o sinal de entrada for pequeno, a tenso e a corrente do transistor variaro mas no suficiente para lev-lo ao corte ou saturao. O corte condio em que o transistor no conduz. A saturao a condio em que a tenso nos terminais do transistor a menor possvel, com a corrente atravs do transistor atingindo um valor limite, dependendo do circuito externo. O ponto C tambm permitiria alguma variao positiva e negativa com o dispositivo ainda operando, mas a tenso de sada no poderia diminuir muito em virtude do potencial do ponto C ser menor que o do ponto B. O ponto C, tambm est muito prximo regio no-linear, em que o ganho do dispositivo menor abaixo da caracterstica e maior acima. O ponto D fixa o ponto de operao do transistor prximo ao nvel mximo de tenso. A oscilao da tenso de sada no sentido positivo portanto limitada, pois caso contrrio a tenso mxima ultrapassada. Ento, se numa determinada aplicao deseja-se que o sinal do circuito varie tanto positiva quanto negativamente em relao ao ponto de operao, o ponto mais indicado o ponto B. Um outro fator de polarizao muito importante deve ser considerado. Tendo calculado a polarizao para um ponto desejado de operao, vemos que o efeito da temperatura tambm deve ser levado em conta. A temperatura faz com que certas caractersticas do dispositivo, tais como ganho de corrente e corrente de fuga (corrente devido ao fluxo de cargas minoritrias), mudem. Uma temperatura mais elevada resulta em uma corrente maior do que temperatura ambiente, conseqentemente prejudicando a condio de operao fixada pelo circuito de polarizao. Por esta razo, o circuito de polarizao tambm deve ter um grau de estabilidade de temperatura, de forma que mudanas da temperatura do dispositivo resultem no mnimo de mudanas do ponto de operao.
5.2 Reta de Carga

A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos quiescentes possveis para uma determinada polarizao. Por ser uma reta, ela necessita apenas de dois pontos de operao conhecidos (geralmente pontos de corte e saturao) para a sua determinao, como pode ser observado na Figura 23. Alm disso, a reta de carga depende da configurao adotada para o transistor, como ser visto a seguir.
IC
I Csat
Reta de Carga
I Ccorte
VCEsat
VCEcorte
VCE
Figura 23 Reta de Carga de um Transistor. 23
5.3 Circuitos Polarizadores do Transistor

Existem vrios circuitos que podem polarizar um transistor. A seguir sero apresentados alguns, com anlise das malhas de entrada e sada e determinao da reta de carga para cada caso.
5.3.1 Polarizao em Base Comum

A configurao em base comum (BC) constitui um ponto relativamente imediato e simples em nossas consideraes sobre polarizao DC. Na Figura 24 apresentada a configurao de um circuito base-comum. VCE RC RE
VBE IE IB VCB IC
VEE
VCC
Figura 24 - Circuito de Polarizao em Base Comum. Como pode ser observado, so necessrias duas fontes dc separadas para esta configurao. As fontes VCC e VEE, junto com os resistores, so utilizadas para fixar o ponto de operao. Os resistores RE e RC, tambm tm a funo de limitar as correntes no transistor de forma que elas no ultrapassem os valores mximos permitidos. Para calcular os resistores, a anlise do circuito feita em duas etapas: anlise da malha de entrada (malha base-emissor) e da malha de sada (malha base-coletor), atravs da Segunda Lei de Kirchhoff. Considerando o circuito da Figura 24, tem-se:
Malha de Entrada:
composta pela bateria VEE, pelo resistor RE e pela juno emissor-base do transistor VBE. Escrevendo a equao de tenso para esta malha, tem-se que: VEE + I E R E + VBE = 0 . Portanto, o resistor RE dado por:
RE =
VEE VBE . IE
VBE a tenso de polarizao direta da junobase-emissor, e vale 0,7 V (para o transistor de silcio) e 0,3 V ( para o transistor de germnio).
Malha de Sada:
Consiste na bateria VCC, no resistor RC e na tenso nos terminais da juno coletor-base do transistor, VCB. Somando as quedas de tenso da malha de sada ou de coletor-base obtemos: + VCC I C R C VCB = 0 . Ento a equao para o resistor RC, :
RC =
VCC VCB . IC
24
Determinao da Reta de Carga
Para esta configurao, determina-se os dois pontos para que seja estabelecida a reta de carga da seguinte forma: Ponto de Saturao: Na saturao, VCBsat = 0. Assim, pela equao da malha de sada, tem-se que:
RC =
VCC VCBsat V 0 V I Csat = CC . I Csat = CC I Csat RC RC
Ponto de Corte: No corte, ICcorte = 0. Assim, pela equao da malha de sada, tem-se:
RC =
VCC VCBcorte VCBcorte = VCC R C I Ccorte VCBcorte = VCC . I Ccorte
Com esses dois pontos, traa-se a reta de carga sobre a curva caracterstica de sada da configurao BC, como apresentado na Figura 25.
IC
(sat)
VCC RC
IE
Reta de Carga
(corte)
VCC
VCB
Figura 25 Reta de Carga na Configurao Base Comum. Determinada a reta de carga, limita-se as possibilidades de operao do transistor, pois o ponto quiescente estar obrigatoriamente sobre ela. Fixado o ponto quiescente (ICQ e VCBQ) atravs dos resistores RE e RC, qualquer variao de tenso ou corrente no transistor corresponder a um deslocamento deste ponto sobre a reta de carga (observe a Figura 26).
IC VCC RC IE
IC
I E
VCC
VCB
VCB
Figura 26 Deslocamento do Ponto Quiescente. 25
Exemplo III
Polarizao na Configurao BC
Polarizar e traar a reta de carga de um transistor com = 150, sabendo-se que o mesmo deve operar no meio da regio ativa, no ponto quiescente formado por: VCBQ = 10 V, ICQ = 2 mA e VBEQ = 0,7 V. Dados do circuito: VEE = 5 V e VCC = 20 V. Caracterstica de Sada do Transistor
I C(mA) IE
4 mA 4 3 2 1 5 10 15 20 3,5 mA 3 mA 2,5 mA 2 mA 1,5 mA 1 mA
Circuito de Polarizao
V (V)
CB
RESPOSTA:
Calculando RC, tem-se:
RC =
Calculando RE, tem-se:
=
VCC VCBQ ICQ
20 10 RC = 5 k . 2 10 3
150 = = 0,9934 150 + 1 +1 ICQ 2 10 3 IEQ = IEQ = IEQ = 2,013 mA 0,9934 VEE VBEQ 5 0,7 RE = RE = IEQ = 2136 IEQ 2,013 10 3
calculados os resistores de polarizao, possvel traar sua reta de carga sobre a curva caracterstica de sada do transistor: V 20 Para VCBsat = 0 ICsat = CC ICsat = = 4 mA . RC 5000 E para ICcorte = 0 VCBsat = VCC = 20 V. A reta de carga mostrada abaixo.
I C(mA)
IE
4 mA 3,5 mA 3 mA 2,5 mA
4 3
I CQ 2
1 5 10
2 mA 1,5 mA 1 mA
VCBQ
15
20
V (V)
CB
Note que o ponto Q acima da curva de IE = 2 mA, j que IEQ = 2,013 mA.
26
Com esses dados possvel calcular tambm a corrente de base quiescente e a potncia dissipada pelo coletor do transistor. IBQ = IEQ ICQ IBQ = 2,013-2 IBQ = 0,013 mA = 13 A. PC = VCBQ.ICQ PC = 10x2x10-3 PC = 20 mW.
Na prtica no muito interessante utilizar mais de uma fonte de alimentao para alimentar um circuito, a no ser em casos muito especiais. Uma alternativa para solucionar este problema apresentada na Figura 27, onde colocado um divisor de tenso na base, alimentado com uma nica fonte VCC, de modo que a tenso em RB2 faa o papel de VEE, e a tenso em RB2 substitua a tenso VCC do circuito de polarizao anterior. RC RE
VEE R B2 V'CC
VCC R B1
Figura 27 Polarizao BC com uma Fonte de Alimentao. Para a Figura 27, temos que:
VEE =
R B2 ' VCC R B2 + R B1
VCC =
R B1 ' VCC . R B2 + R B1
5.3.2 Polarizao em Emissor Comum

Utilizando duas baterias e resistores para limitar as correntes e fixar o ponto quiescente, podese utilizar o circuito na configurao emissor comum apresentado na Figura 28.
Figura 28 Circuito de Polarizao em Emissor Comum.
27
Da mesma forma apresentada na polarizao em base comum, faremos a anlise das malhas de entrada e sada desse circuito.
Malha de Entrada:
Composta pela bateria VBB e o resistor RB e pela juno base-emissor. Ento aplicando a lei das malhas tem-se que: R B I B + VBE = VBB . Portanto a equao de RB :
RB =
Malha de Sada:
VBB VBE . IB
Formada pela bateria VCC, o resistor RC e a juno coletor-emissor. Ento tem-se que R C I C + VCE = VCC . De onde retiramos a equao para RC, como sendo:
RC =
VCC VCE . IC
Como j foi mencionado utilizar duas fontes no prtico na polarizao de um circuito. Existem vrias formas para simplificar esta polarizao, como veremos a seguir.
5.3.3 Polarizao EC com Corrente de Base Constante

Esta polarizao tambm chamada de polarizao fixa. Para eliminar a fonte de alimentao da base VBB, pode-se fazer um divisor de tenso entre o resistor de base RB e a juno base-emissor, utilizando apenas a fonte VCC, como apresentado na Figura 29.
Figura 29 Polarizao EC com Corrente de Base Constante. Para garantir a polarizao direta na juno base-emissor e reversa na juno coletor-emissor, RB deve ser maior que RC, para que VCE seja maior que VBE, para que a corrente do coletor seja muito maior que a corrente da base. Analisando este circuito tem-se que: 28
Malha de Entrada:
R B I B + VBE = VCC .
RB = VCC VBE . IB
Ento a equao para RB :
Malha de Sada:
R C I C + VCE = VCC .
RC = VCC VCE . IC
E a equao para RC :
Neste circuito, como VCC e RB so valores constantes e VBE praticamente no muda, a variao da corrente de polarizao da base desprezvel. Da o motivo desse circuito ser tambm chamado de polarizao fixa.
Exemplo IV Polarizao EC com Corrente de Base Constante
Dado um transistor com = 200 e uma fonte de alimentao de 12 V, determinar os resistores de polarizao (valores comerciais) para o ponto quiescente: VCEQ = VCC/2, ICQ = 15 mA e VBEQ = 0,7 V.
RESPOSTA:
Calculando RC, tem-se:

RC =
VCC VCEQ ICQ
12 6 RC = 400 15 10 3
Os valores comerciais disponveis so RC = 470 ou RC = 390 A potncia dissipada por RC : Para RC = 390 : PRC = RC . I2CQ = 390x(15x10-3)2 = 87,75 mW (1/8 W). Para RC = 470 : PRC = RC . I2CQ = 470x(15x10-3)2 = 106 mW (1/4 W). Calculando RB, tem-se: I 15 10 3 IBQ = CB IBQ = IBQ = 75 A 200 VCC VBEQ 12 0,7 RB = RB = RB = 150667 IBq 75 10 6 O valor comercial adotado RB = 150 k. A potncia de RB : PRB = RB . I2BQ = 150x103x(75x10-6)2 = 0,84 mW (1/8 W).
Este tipo de polarizao no muito utilizada quando se deseja que o transistor trabalhe na sua regio linear. Pois ele tem o inconveniente de ser muito sensvel variaes de temperatura. Ele pode utilizado em circuitos digitais, onde os transistores podem ser utilizados como chaves (em corte ou saturao). Diante deste problema, apresentaremos a seguir como a temperatura influncia o comportamento de um transistor.
5.3.4 Influncias da Temperatura no Comportamento dos Transistores

O cristal semicondutor um material sensvel temperatura, ou seja, seu aumento pode fornecer energia suficiente aos tomos do cristal, gerando novos portadores. Assim sendo, os diodos e 29
transistores sofrem influncia da temperatura. No caso dos transistores, a variao da temperatura altera principalmente o parmetro , a tenso VBE e a corrente de fuga. Na Figura 33, est esboada graficamente a influncia da temperatura para o parmetro e VBE.
I (mA)
C
50 oC
-50 oC
200 150 100 50
100 o C 50 C 25 o C
100 oC
o
25 oC
IC
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
V BE(V)
Figura 30 Influncia da Temperatura no Transistor. A variao de VBE com a temperatura muito baixa, ela diminui 2,5 mV por oC, por isso esta variao na maioria dos casos desprezvel. Porm, a corrente de fuga e o podem ter variaes acentuadas. No caso do , esta mesma variao na temperatura, pode dobrar seu valor. Isto ocasiona uma grande variao na corrente de coletor, sem que haja variao na corrente de base. Isto deixa o circuito da Figura 29, instvel. Vamos analis-lo. Com a determinao do ponto quiescente, o que se deseja fixar a corrente e a tenso de sada do circuito. Na polarizao fixa, reproduzida na Figura 31, o ponto quiescente deve fixar os valores ICQ e VCEQ.
Figura 31 Variao do Ponto Q por Influncia da Temperatura. Analisando a malha de sada, formada por VCC, RC e VCE, observamos que o aumento da temperatura faz com que a corrente do coletor ICQ aumente, aumentando a tenso VRC. Sendo VCC constante, esse aumento de VRC tem que ser compensado pela diminuio de VCEQ. Diminuindo VCEQ, um novo aumento de ICQ provocado, resultando numa realimentao positiva, ou seja, numa instabilidade do circuito.
30
Portanto, uma forma de contornar este problema forar uma realimentao negativa, sempre que houver uma tendncia de instabilidade no circuito. A soluo para isto colocar em sria com o emissor um resistor, como ser visto a seguir.
5.3.5 Polarizao EC com Corrente de Emissor Constante

Neste tipo de polarizao, inserido um resistor RE entre o emissor e a fonte de alimentao, como apresentado na Figura 32.
Figura 32 Polarizao EC com Corrente de Emissor Constante. Analisando este circuito, percebe-se que se ocorrer um aumento na corrente de coletor devido ao aumento da temperatura, a corrente de emissor tambm aumenta. Conseqentemente, aumentam VRC e VRE. Isto provoca uma diminuio de VCEQ, dando incio realimentao positiva (instabilidade). Porm, o aumento de VRE causa uma diminuio de VRB na malha de entrada, j que VBEQ mantm-se praticamente constante. A diminuio de VRB, por sua vez, provoca a diminuio de IBQ e conseqentemente de ICQ, compensando o seu aumento inicial. A resposta dada por RE para o aumento de ICQ, chama-se realimentao negativa, e garante a estabilidade do circuito e do ponto quiescente. Como a realimentao negativa faz ICQ voltar ao seu ponto original, o mesmo acontece com IEQ, que mantm-se tambm constante. Da este circuito de polarizao ser conhecido como polarizao EC com corrente de emissor constante. Agora, faremos uma anlise matemtica do que acontece nesse tipo de polarizao. Equacionando o circuito da Figura 32 tem-se que:
Malha de Entrada:
R B I B + VBE + R E I E = VCC .
RB = VCC VBE R E I E . IB
Ento, a equao para RB :
Malha de Sada:
R C I C + VCE + R E I E = VCC .
Ento, a equao para RC :
31
RC =
VCC VCE R E I E . IC
Neste caso, tem-se duas equaes para trs incgnitas: RB, RC e RE. Na prtica, adota-se um dos seguintes critrios: 1) Adota-se um valor para RE compatvel com as tenses e correntes do circuito; 2) Adota-se uma tenso para VRE de valor pequeno em relao VCC, para que o resto da tenso possa ser utilizada para determinar a tenso e a corrente de sada quiescentes, respectivamente, VCEQ e ICQ (esta ltima atravs de VRC). Normalmente, utiliza-se VRE = VCC/10. Exemplo V Polarizao EC com Corrente de Emissor Constante
Dado um transistor com = 250 e uma fonte de alimentao de 20 V, determinar os resistores de polarizao (valores comerciais) para o ponto quiescente: VCEB = VCC / 2, ICQ = 100 mA e VBEQ = 0,7 V.
RESPOSTA:
Clculo de RC: Adotando-se VRE = VCC/10 = 2 V: VCC VCEQ VRE 20 10 2 RC = = RC = 80 ICQ 100 10 3 Valor comercial adotado: RC = 82 . Potncia de RC: PRC = RC . I2CQ = 82 x (100x10-3)2 = 0,82 W (1,5 W). Clculo de RB: ICQ 100 10 3 IBQ = IBQ = 400 A IBQ = 250 VCC VBEQ VRE 20 0,7 2 RB = RB = 43250 RB = IBQ 400 10 6 Valor comercial : RB = 47 k. Potncia de RB: PRB = RB . I2BQ = 47 x 103 x (4x10-6)2 = 7,52 mW (1/8 W). Clculo de RE: IEQ = ICQ + IBQ IEQ = 100 10 3 + 300 10 6 = 100,4 mA
RE = IEQ VRE RE = 2 RE = 19,92 100,4 10 3
Valor comercial: RE = 22 . Potncia de RE: PRE = RCE. I2EQ = 22 x (100,4x10-3)2 = 222 mW
(1/2 W).
5.3.6 Polarizao EC com Divisor de Tenso na Base

Uma outra forma de solucionar o problema da instabilidade com a temperatura o circuito de polarizao apresentado na Figura 33, conhecido como polarizao por divisor de tenso na base. Este tipo de circuito de polarizao projetado de forma a fixar o valor de VRB2. Da malha de entrada, tem-se: VRB2 = VBE +VRE. Fixado o valor de VRB2, como VBE praticamente constante com a temperatura, VRE tambm permanece constante. Isto garante a estabilidade de IEQ e ICQ, independe da variao de . 32
O valor de RB2 pode ser fixado a partir da sua corrente, adotando-se o seguinte critrio: IB2 = 10.IB. Equacionando este circuito, tem-se:
Figura 33 Polarizao EC com Divisor de Tenso na Base.

Malhas de Entrada:
R B2 I B2 = VE + R E I E ,
R B1 I B1 + VBE + R E I E = VCC .
Portanto, as equaes de RB2 e RB1 so:
R B2 =
VBE + R E I E I B2
R B1 =
VCC - VBE R E I E I B1
Malha de Sada:
R C I C + VCE + R E I E = VCC .
RC = VCC VCE R E I E . IC
VRE = VCC/10.
Ento a equao para RC :
Para este tipo de polarizao, devido ao nmero de incgnita, vale tambm o seguinte critrio prtico:
5.3.7 Determinao da Reta de Carga

Considerando o circuito de polarizao EC apresentado na Figura 33, para determinao de sua resta de carga, temos que encontrar dois pontos que definam esta reta. Estes pontos sero os pontos de corte e saturao, cujas determinaes sero mostradas a seguir.
Ponto de Saturao: significa VCEsat = 0.
Pela equao da malha de sada, tem-se que:
R C I Csat + VCE + R E I Esat = VCC R C I Csat + R E I Esat = VCC .

Como IC IE, tem-se: 33
(R C + R E )I Csat = VCC I Csat =

Ponto de Corte: em que ICcorte = IEcorte = 0.
VCC . (R C + R E )
Pela equao de malha de sada, tem-se:
R C I Ccorte + VCEcorte + R E I Ecorte = VCC VCEcorte = VCC .

Com esse dois pontos, traa-se a reta de carga sobre a curva caracterstica de sada da configurao EC, onde se localizar o ponto quiescente, como apresentado na Figura 34.
Figura 34 Reta de Carga na Configurao EC.

Exemplo VI Polarizao EC com Divisor de Tenso na Base
Dado um transistor com e uma fonte de alimentao de 9 V, determinar os resistores de polarizao (valores comerciais) para o ponto quiescente: VCEQ = VCC/2, ICQ = 20 mA e VBEQ = 0,65 V e traar a sua reta de carga. Caracterstica de Sada do Transistor
I (mA) C
Circuito de Polarizao
IB
140 A 120 A 100 A 80 A 60 A 40 A
50 40 30 20 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9
V CE (V)
RESPOSTA:
Clculo de RC: Adotando-se VRE = VCC/10 = 0,9 V
34

VCC VCEQ VRE ICQ
9 4,5 0,9 RC = 180 20 10 3
RC =
Valor comercial: RC = 180 . Potncia de RC: 2 3 2 P RC = RC I CQ = 180 (20 10 ) = 72mW Clculo de RB1 e RB2:
IBQ = ICQ IBQ = 20 10 3 IBQ = 80 A 250
(1 / 8 W)
IB2 = 10 IBQ IB2 = 10 80 10 6 IB2 = 800 A IB1 = IBQ + IB2 = 80 10 6 + 800 10 6 = 880 A
Da malha inferior de entrada, tem-se: V + VRE 0,65 + 0,9 RB2 = BE RB2 = RB2 = 1937 IB2 800 10 6 Valor comercial: RB2=2k2 . Potncia de RB2: 2 3 6 2 P RB2 = RB2 I B2 = 2,2 10 (800 10 ) = 1, 41 mW
(1 / 8 W)
Da malha formada por VCC, RB1, VBE e VRE, tem-se: V VBE VRE 9 0,65 0,9 RB1 = CC RB1 = RB1 = 8466 . IB1 880 10 6 Valor comercial: RB1 = 8k2 . Potncia de RB1: 2 3 6 2 P RB1 = RB1 I B1 = 8,2 10 (880 10 ) = 6,351 mW
(1 / 8 W)
Clculo de RE: IEQ = ICQ + IBQ IEQ = 20 10 3 + 80 10 6 IEQ = 20,08 mA

RE = IEQ VRE RE = 0,9 RE = 44,8 20,08 10 3
Valor comercial adotado: RE = 47 . Potncia de RE: 2 3 2 P RE = RE I EQ = 47 (20,08 10 ) = 19 mW Determinao da reta de carga: VCC 9 Para VCEsat = 0 ICsat = ICsat = = 40 mA . RC + RE (180 + 47)
(1 / 8 W)
E para ICcorte = 0 VCEsat = VCC = 9 V. A reta de carga com o ponto quiescente calculado mostrada abaixo.
I (mA) C
IB
140 A 120 A 100 A 80 A 60 A 40 A V CE (V)
50 40 30 20 10
1 2 3 4 5 6 7 8 9
35
5.3.8 Polarizao em Coletor Comum

A terceira conexo para o transistor resulta na entrada pelo circuito de base e na sada pelo circuito de emissor, com o coletor comum(CC) s entradas ac e aos sinais de sada. Uma aplicao merece destaque para este tipo de polarizao. o circuito seguidor de emissor, que apresentado na Figura 35.
Figura 35 Circuito Seguidor de Emissor. Observa-se que, como no existe resistor de coletor, este terminal fica diretamente ligado ao plo positivo da fonte de alimentao. Porm, para sinais alternados, uma fonte de tenso contnua considerada um curto. Neste caso, como se o coletor estivesse conectado ao terra da fonte de alimentao, ou seja, para os sinais alternados, o coletor comum s tenses de entrada VE e sada VS. Analisando o circuito, tem-se que a equao que relaciona as tenses de entrada e sada: vS = vE VBE. Este circuito chamado de seguidor de emissor porque a tenso de sada (tenso de emissor) segue as variaes da tenso de entrada (tenso da base). Isto acontece pois, sendo VBE praticamente constante, a tenso de sada ser sempre igual de entrada, subtraindo-se VBE. Por exemplo, sendo VBE = 0,7, se a tenso de entrada variar de 2 V para 4 V (VE = 2 V), tenso de sada variar de 1,3 V para 3,3 V (VS = 2 V). Isto mostra que a tenso est em fase com a tenso de entrada e que este circuito extremamente linear. Outra caracterstica deste circuito que ele possui alta impedncia de entrada e baixa impedncia de sada, sendo muito utilizado para fazer o casamento de impedncias entre circuitos (estes conceitos sero apresentados com mais detalhes nos captulos que trataro sobre amplificadores). O clculo de resistores de polarizao pode ser feito atravs das equaes das malhas de sada e entrada, como seguem:
Malha de Entrada:
R B i B + VBE + R E i E = VCC .
RB = VCC VBE R E i E iB
Portanto, RB vale:
Malha de Sada:
VCE + R E i E = VCC .
Portanto, RE vale: 36
RE =
VCC VCE iE
Exemplo VII
Polarizao CC (Seguidor de Emissor)
Seja um transistor com = 150 e uma fonte de alimentao de 10 V, determinar os resistores de polarizao (valores comerciais) para o ponto quiescente: VCEQ = VCC/2, ICQ = 20 mA e VBEQ = 0,7 V. Clculo de RE: = 0,9934 = +1 ICQ IEQ = 20,133 mA IEQ = VCC VCEQ RE = 248,35 RE = IEQ Valor comercial adotado: RE = 220 . Potncia de RE: 2 3 2 P RE = RE I EQ = 220 (20,133 10 ) = 89 mW Clculo de RB:
(1 / 8 W)
IBQ = IEQ ICQ = 20,133 10 3 20 10 3 IB = 133 A RB = VCC VBE RE IEQ IBQ RB = 36622
Valor comercial adotado: RB = 39 k. Potncia de RB: 2 3 6 2 P RB = RB I BQ = 39 10 (133 10 ) = 0,7 mW
(1 / 8 W)
Pelos valores obtidos, pode-se perceber que este circuito apresenta alta impedncia de entrada (ordem de grandeza de RB) e baixa impedncia (ordem de grandeza de RE). Assim, uma aplicao para ele seria a de servir como circuito de acoplamento (casador de impedncias) entre um circuito de alta impedncia de sada e um circuito de baixa impedncia de entrada, garantindo a mxima transferncia de potncia, como apresentado na Figura 36.
Figura 36 Casamento de Impedncias. Por isso muito importante a linearidade do circuito seguidor de emissor, pois isso garante que o mesmo no ir distorcer o sinal de sada do circuito I. 37
6 Aplicaes Bsicas do Transistor

Entendemos por bsicas, as aplicaes que envolvem apenas os conceitos de polarizao dos transistores. Neste captulo sero analisadas duas aplicaes dos transistores muito importantes para a eletrnica: o transistor como chave e o estabilizador de tenso transistorizado.
6.1 Transistor como Chave

Um transistor operando na regio de saturao e de corte funciona como uma chave, ou seja, como um elemento de controle on-off, conduzindo corrente ou no.
Figura 37 Analogia Transistor Chave. O circuito de polarizao utilizado nesta aplicao o de corrente de base constante com duas fontes de alimentao, sendo que a fonte de polarizao da base , na realidade, o sinal de entrada que controla o transistor, cortando-o (chave aberta) ou saturando-o (chave fechada).
Circuito
Curva Caracterstica.
Figura 38 Transistor Operando como Chave. Para que o transistor opere na regio de corte Q1, necessrio que a tenso de entrada VE seja menor que VBE de conduo. Nesta situao, no circula corrente pelo coletor (ICcorte 0) e a tenso de sada mxima (VS = VCEcorte VCC). Para o transistor trabalhar na regio de saturao Q2, necessrio que a tenso de entrada VE seja maior que VBE de conduo. Nesta situao, a corrente de coletor mxima (ICsat), dentro de um limite imposto pela polarizao, e a tenso de sada mnima. Para dimensionar RC e RB, utiliza-se a anlise das malhas de entrada e sada.
Malha de Entrada:
VRB = VE VBE 38
Malha de Sada:
VRC = VCC VCE
Assim tem-se:
RB =
VE VBE IB
RC =
VE VCE IC
Como o corte do transistor depende apenas da tenso de entrada VE, o clculo dos resistores de polarizao feito baseando-se apenas nos parmetros de saturao. Um transistor comum, quando saturado, apresenta um VCEsat de aproximadamente 0,3 V e um determinado valor mnimo de (entre 10 e 50), para garantir a saturao. A corrente de coletor de saturao ICsat depende da resistncia acoplada ao coletor ou da corrente imposta pelo projeto. Assim, as equaes so reescritas para:
RB =
Exemplo VIII
OFF.
VE VBE I Bsat
RC =
VE VCEsat I Csat
Transistor como Chave
1) No circuito a seguir, deseja-se que o LED seja acionado quando a chave estiver na posio
Parmetros do Transistor BC548:

VBEsat = 0,7 V VCEsat = 0,3 V sat = 20 ICmax = 200 mA VCEmax = 80 V
Parmetros do LED:
VD = 1,5 V ID = 25 mA
Os resistores de polarizao do transistor devem ser calculados considerando a regio de saturao, ou seja, quando a chave estiver na posio ON. Malha de Sada: VRC = VCC VCEsat VD
ICsat = ID
Ento, RC pode ser calculado da seguinte forma: V VCEsat VD RC = CC RC = 288 ICsat Valor comercial adotado: RC = 270 . Potncia de RC: 2 3 2 P RC = RC I Csat = 270 (25 10 ) = 168,75 mW Malha de Entrada: Calculando RB: VRB = VE VBEsat
(1 / 4 W)
39
IBsat = RB =
VE VBEsat IBsat
ICsat IBsat = 1,25 mA sat RB = 6640
Valor comercial: RB = 6k8 . Potncia de RB: 2 3 3 2 P RB = RB I Bsat = 66,8 10 (1,25 10 ) = 10,625 mW
(1 / 8 W)
Quando a chave passa para a posio OFF, a entrada aterrada (VE < VBE), causando o corte do transistor e, conseqentemente o LED se apaga. 2) Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um motor de 110 V/60 Hz sob determinadas condies. Para tanto, necessrio que um transistor como chave atue sobre um rel, j que nem o circuito digital, nem um transistor podem acionar este motor. O circuito uitlizado para este fim est mostrado a seguir:
Neste circuito, em srie com RC coloca-se a bobina do rel. Esta bobina, normalmente apresenta uma resistncia DC da ordem de algumas dezenas de Ohm. Por ser to baixa, o resistor RC tem a funo de limitar a corrente no transistor, para no danific-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para evitar que o transistor se danifique devido corrente reversa gerada por ela no chaveamento do rel. Parmetros do Transistor 2N222: VBEsat = 0,7 V VCEsat 0,3 V sat = 10 ICmax = 500 mA VCEmax = 100 V Clculo de RC: V RR IR VCEsat RC = CC IR Parmetros do rel: RR = 80 IR = 50 mA
RC = 14
Valor comercial adotado: RC = 15 . Potncia de RC: 2 3 2 P RC = RC I Csat = 15 (50 10 ) = 37,5 mW Clculo de RB:
(1 / 8 W)
IBsat =
ICsat IBsat = 5m A sat
Considerando que a tenso de sada nvel alto TTL atinge 5 V tem-se:
40
RB =
VE VBEsat IBsat
RB = 860
Valor comercial: RB = 820 . Potncia de RB: 2 3 2 P RB = RB I Bsat = 820 (5 10 ) = 20,5 mW
(1 / 8 W)
6.2 Fonte de Tenso Estabilizada

Uma outra aplicao para os transistores na construo de fontes de tenso estabilizadas. Uma fonte de tenso estabilizada ideal aquela que mantm a tenso de sada constante, independe da corrente solicitada pela carga. Na prtica, isto s acontece dentro de uma faixa de valores de correntes na sada. Na Figura 39 so apresentados dois circuitos estabilizadores de tenso, sendo um para tenses positivas (com transistor NPN) e o outro para tenses negativas (com transistor PNP).
(a) Tenso de Sada Positiva
(b) Tenso de Sada Negativa
Figura 39 Circuitos Estabilizadores de Tenso. O circuito utilizado para implementar esta fonte baseado na configurao base comum. A tenso de entrada VE pode ser constante (desejando estabiliz-la num valor menor) ou vir de um circuito retificador com filtro, cuja sada apresenta ondulao (ripple). O diodo zener garante a estabilidade e o transistor permite amplificar a faixa de valores de corrente de sada, sem sobrecarregar o diodo zener. RS um resistor limitador de corrente para o diodo zener. Como os dois circuitos so semelhantes, a anlise a seguir ter como referncia o circuito estabilizador de tenso positiva, considerando que o mesmo est alimentando uma carga RL qualquer. Considerando o circuito da Figura 40, a tenso de sada pode ser determinada pela malha externa e pela malha de sada:
Figura 40 Anlise do Circuito Estabilizador de Tenso. 41
Malha Externa: Malha de Sada:
VS = VE VCE . VS = VZ VBE .
(I) (II)
Sendo este um circuito estabilizador de tenso deve compensar tanto as variaes de tenso de entrada VE, como as variaes de corrente de sada IS (causadas pelas variaes na carga RL). Pela equao (II), nota-se que a tenso de sada VS constante, pois tanto a tenso zener VZ como a tenso VBE so estveis. Assim, qualquer variao na carga compensada pela variao de IS, mantendo a tenso de sada constante. No transistor tem-se que: VCE = VCB + VBE. Deste modo, um aumento na entrada VE, causa um aumento em VCB. Como VBE constante, VCE aumenta. Portanto, pela equao (I), VS permanece constante. O mesmo ocorre para diminuio de VE, ou seja, VCE compensa as variaes de tenso na entrada. Como VCB = VRS, as variaes de tenso provocam variaes na corrente IRS, que so absorvidas pelo diodo zener com variaes de IZ, sem que sua tenso de sada se altere. Como se v, as variaes na tenso de entrada e na corrente de sada so sempre compensadas pelas variaes de VCE e IZ. Por outro lado, existem limites mximos e mnimos tanto para VCE como para IZ. Isto limita os valores mximos e mnimos da tenso de entrada e da corrente de sada, para que haja tanto a estabilizao da tenso como a proteo do transistor e do diodo zener.
Limitaes da Tenso de Entrada:
menor.
1. O diodo zener limita a tenso mnima de entrada na garantia de regulao (IZm): VEm = (IB + IZm).RS + VZ. 2. O diodo zener limita a tenso mxima de entrada por sua corrente mxima de conduo (IZM): VEM = (IB + IZM).RS + VZ. 3. O transistor limita a tenso mnima de entrada na sua condio de saturao (VCEsat): VEm = VCEsat+VS 4. O transistor limita a tenso mxima de entrada por sua tenso mxima (VCEmax): VEM = VCEM + VS. Das tenses mnimas VEm, escolhe-se a maior, e das tenses mximas VEM, escolhe-se a
Limitaes Impostas pela Corrente de Sada:
A corrente mnima de sada zero (circuito sem carga) e neste caso, IB = 0 e IZ = IRS. Portanto, a corrente de sada zero faz com que toda a corrente passe pelo diodo zener, limitando os valores mnimos e mximos de RS: A corrente mxima de sada ISM (carga muito baixa) limitada pela corrente mxima de coletor do transistor (ICmax), que por sua vez, depende da potncia mxima que o transistor pode dissipar (PCmax). Considerando IS IC, tem-se: ISM = ICmax e PCmax = (VEM VS) . ISM
As equaes anteriores, referentes s limitaes do circuito e dos dispositivos, devem ser utilizadas conforme as especificaes do projeto e em funo dos dispositivos disponveis ou escolhidos.
42
Exemplo IX Fonte Estabilizada

Projetar uma fonte de alimentao de 15 V para um circuito eletrnico, cujo consumo de corrente varie entre 0 e 100 mA. A tenso de rede de 220 V. 1) Escolha do Circuito de Entrada do Estabilizador de Tenso: Para obter uma tenso contnua para alimentar a fonte estabilizada, podem ser utilizados um transformador abaixador, um retificador de onda completa e um capacitor de filtro, para diminuir o ripple do sinal. O circuito utilizado mostrado a seguir:
2) Escolha do Transformador: Um dado de ordem prtica, que a tenso VE deve ser pelo menos 50% maior que a tenso VS desejada. Assim, a tenso de entrada estimada em: VE = 1,5 x VS VE = 1,5 x 15 VE = 22,5 V. Para este circuito, que utiliza um transformador com derivao central, a tenso de cada parte do secundrio do transformador (V2a e V2b) deve ter um valor de pico prximo ao VE estipulado. Assim, a tenso eficaz no secundrio do transformador deve ser prxima de:
V2a(rms) =
VE
V2a(rms) = 15,91 V
Portanto, ser utilizado um transformador de 220 V/17,5 + 17,5 500 mA. Esta corrente foi escolhida, pois bem maior que a corrente da carga, para que este transformador trabalhe com folga em caso de mximo consumo de corrente. 3) Escolha dos Diodos Retificadores e do Capacitor de Filtro Os diodos escolhidos so do tipo 1N4001 (100 V/ 1 A), facilmente encontrados comercialmente. O capacitor no necessita ter um valor to alto, j que o ripple de sada ser eliminado pelo estabilizador de tenso, mas deve ter uma tenso de isolao maior que a tenso de pico na sada do retificador. Assim, foi escolhido um capacitor de 1000 F / 40 V. 4) Caractersticas do circuito Retificador com Filtro Com estes dispositivos, as caractersticas da tenso de entrada do circuito estabilizador podem ser estimadas em:
VEM = V2a(rms) 2 VT VEM = 17,5 2 0,7 VEM = 24 V .

Considerando um ripple VR = 4,3 V: VEm = VEM VR VEm = 24 4,3 VEm = 19,7 V . 5) Escolha do Transistor: A escolha feita em funo da mxima potncia de coletor. Ento: PCmax=(VEM-VS).ISM=(24 15) x 100x10-3 = 900 mW Para garantir o funcionamento do transistor com folga, escolhe-se um que tenha uma potncia mxima de pelo menos o dobro da potncia desejada. Assim, escolheu-se o transistor BD137, que muito comum no mercado e sua potncia mxima de 8 W, o que satisfaz com muita folga a necessidade do circuito. 6) Escolha do Diodo Zener: Como a fonte de VS = 15 V, o diodo zener deve ter uma tenso de: VZ = VS + VBE VZ = 15 + 0,7 VZ = 15,7 V.
43
Optou-se pelo diodo zener BZW03-C16, com VZ = 16 V e PZM = 6 W. Tem-se portanto: P IZM = ZM IZM = 375 mA VZ
IZm = 0,1 IZM IZm = 37,5 mA
Embora a sua tenso nominal seja um pouco maior que a tenso necessria, a escolha se justifica pelo fato do fabricante prever para este dispositivo uma variao entre 15,3 e 17,1 V. Quando corrente e potncia mximas, mais adiante elas podero ser comparadas com a corrente e potncia mximas do diodo zener neste circuito. 7) Escolha do Resistor Limitador RS: V VZ RSm = EM RSm = 21,33 IZM
RSM =
VEM VZ IZm
RSM = 98,67
Assim: 21,33 RS 98,67 . Valor adotado: RS = 68 . (VEM VZ )2 V 2RSM P P P RSM = 0,94 W . RSM = RSM = RS RS Portanto, ser utilizado: RS= 68 / 2W. 8) Verificao da Corrente e Potncia Mximas do Diodo Zener: V VZ V IZMcirc = 117,65 mA IZMcirc = RSM IZMcirc = EM RS RS
P ZMcic = IZMcir V Z P ZMcic = 1,88 W
Portanto, os parmetros IZM e PZM do diodo zener escolhido esto compatveis com as limitaes do circuito. Finalmente, o circuito da fonte de tenso estabilizada fica como mostrada a seguir:
Neste exemplo, o que se fez realmente foi projetar uma fonte de tenso de 15 V/100 mA, podendo ser utilizada para a alimentao de qualquer circuito de 15 V, desde que o mesmo tenha um consumo mximo de corrente de 100 mA, ou seja, desde que esse circuito represente uma carga RL, cujo valor mnimo seja de: V RLm = S RLm = 150 . ISM
44
7 Fundamentos de Amplificadores
Nas aplicaes mostradas anteriormente, foi considerada somente a polarizao do transistor com um ponto quiescente Q, como base. Agora podemos acoplar em sua base um pequeno sinal alternado. Isto produz flutuaes na corrente do coletor de mesma forma e freqncia, ou seja o transistor utilizado como amplificador de sinais. Entretanto para o estudo adequado dos amplificadores, novos conceitos sero introduzidos, explorando toda a potencialidade do transistor. Assim, alm de amplificador ser uma das principais aplicaes do transistor, seu estudo ser importante para a compreenso de vrios parmetros de circuitos, abrindo as portas para o estudo de diversos outros dispositivos, como o JFET e o MOSFET.
7.1 Parmetros de um Amplificador

Considerando como referncia um transistor polarizado na configurao EC, cujo ponto quiescente est no meio da regio ativa, uma pequena variao na tenso vBE (tenso de entrada) provoca uma variao semelhante na corrente de base iB(corrente de entrada). Esta variao em iB produz na corrente do coletor iC (corrente de sada) e na tenso vCE (tenso de sada), tambm uma variao com forma de onda que acompanha a forma da entrada, como pode ser observado Figura 41. (Note que foram utilizadas letras minsculas para designar as variveis, isto porque estas, agora representam sinais alternados.)
Figura 41 Variaes de Tenso e Corrente no Transistor. Desde que a amplitude do sinal de entrada seja pequena, o transistor usar somente uma pequena parte da reta de carga e a operao ser linear. Por outro lado, se o sinal for muito grande, as flutuaes ao longo da reta de carga levaro o transistor saturao e ao corte. Isto elimina os picos do sinal e o amplificador no mais linear. A partir desta anlise inicial, sero definidos alguns parmetros e conceitos importantes para a anlise e o projeto de circuitos amplificadores.
45
7.1.1 Ganhos de Corrente, Tenso, Potncia e Defasagem

Como a ordem de grandeza das variaes da corrente de coletor IC (em geral, mA) maior que a ordem de grandeza da corrente de base IB (em geral, A), significa que as variaes da corrente de entrada foram amplificadas de um fator Ai, denominado ganho de corrente:
Ai =
I C I B
Da mesma forma, como a ordem de grandeza das variaes da tenso de sada VCE (em geral, V) maior que a ordem de grandeza das variaes da tenso de entrada VBE (em geral, mV), significa que as variaes da tenso de entrada foram amplificadas de um fator Av, denominado ganho de tenso:
Av =
V CE V BE
No caso do ganho de tenso, para este circuito de referncia, seu resultado negativo, pois uma variao positiva na tenso de entrada causa uma variao negativa na tenso de sada. Isto significa que o amplificador defasa a sada em 180. J o ganho de corrente tem um resultado positivo, significando que o amplificador mantm a corrente de sada em fase com a corrente de entrada, ou que a defasagem nula.
Figura 42 Sinais Variveis no Amplificador.

Defasagem, ganho de corrente e ganho de tenso so os trs primeiro parmetros importantes num amplificador, sendo que os dois ltimos do origem a um parmetro complementar, denominado ganho de potncia Ap:
Ap = Av Ai
Obs.: O ganho de potncia calculado em mdulo, pois no faz sentido levar-se em conta um eventual sinal negativo, j que o mesmo refere-se defasagem entre variaes de entrada e sada. Um amplificador genrico pode ser representado pelo smbolo mostrado na Figura 43, sendo A o ganho de corrente, tenso ou potncia, em funo do parmetro que se deseja enfatizar.
46
Figura 43 Smbolo do Amplificador.
7.1.2 Capacitores de Acoplamento

Como foi mencionado anteriormente, para que os transistores possam operar de forma linear como amplificadores, eles devem estar polarizados na regio ativa, cujas tenses e correntes quiescentes so valores contnuos (nveis DC Direct Current) impostos pelos resistores e pela fonte de tenso contnua VCC que alimenta o circuito. Porm, se o sinal varivel de entrada possui tambm um nvel DC (por exemplo: positivo), este soma-se tenso VBEQ, deslocando o ponto quiescente na reta para o prximo da regio de saturao, como mostrado na Figura 44.
Figura 44 Distoro pelo Deslocamento do Ponto Q. Com isso, o sinal de entrada, ao atingir o limite mximo, distorce o sinal de sada. Analogamente, se o sinal de entrada tiver uma componente negativa, o ponto quiescente se desloca no sentido contrrio, provocando uma distoro no sinal de sada devido sua proximidade com a regio de corte. Para evitar este problema, entre o circuito gerador do sinal e a entrada do amplificador, colocado um capacitor de acoplamento de entrada AC (Alternate Current), que bloqueia o nvel DC, deixando passar apenas a componente AC. Por exemplo, na Figura 45(a), a tenso alternada no ponto A transmitida para o ponto B. Para que isto acontea, a reatncia capacitiva XC deve ser muito pequena comparada com a resistncia em srie.
47
R TH
XC
CC - ABERTO
TH
RL
CA - EM CURTO
(a) Capacitor de Acoplamento.
(b)
Figura 45 (a) Capacitor de Acoplamento entre Fonte e Carga. (b) Circuito Equivalente para o
No importa quais sejam os circuitos que esto de cada lado do capacitor; desde que se possa reduzir o circuito a uma nica malha como na figura, a corrente alternada flui atravs de uma resistncia total de RTH + RL. Sabe-se que, num circuito RC com uma nica malha, a intensidade de corrente alternada dada por: 1 V e XC = , I= 2 2fC R 2 + XC
em que R a resistncia total da malha, f a freqncia do sinal e C o valor do capacitor. Na Figura 45(a), R = RTH + RL. medida que a freqncia aumenta, XC diminui at se tornar menor que R. Neste caso, a corrente atinge um mximo de V/R. Em outras palavras, o capacitor acopla sinal convenientemente de A par B quando XC<<R (curto-circuito). Para um sinal DC (f = 0), a reatncia capacitiva XC, muito grande, praticamente impedindo a passagem da corrente, ou seja, funcionando como um circuito aberto. O circuito equivalente para um capacitor de acoplamento mostrado na Figura 45(b). Para efeitos prticos os capacitores podem ser considerados curto-circuitos se, no pior caso, suas reatncias representarem 10% da impedncia do circuito a que afetam. Para o circuito da Figura 45(a), isto representa XC 0,1.R. Utilizando-se, ento, um capacitor de acoplamento na entrada de um amplificador, elimina-se o problema de deslocamento do ponto Q do transistor devido nveis DC no sinal de entrada. Esta mesma preocupao deve ser tomada com relao sada do amplificador, quando esta ligada a uma carga ou a outro circuito. Para evitar alteraes no ponto quiescente, eles devem ser ligados atravs de um capacitor de acoplamento de sada AC. Na Figura 46, o capacitor C1 corta o nvel DC vindo da fonte e o capacitor C2 evita que o nvel DC do amplificador interfira tambm na carga ou circuito de sada.
Figura 46 Uso dos Capacitores de Acoplamento.

48
7.1.3 Impedncia de Entrada e Sada

A resistncia oferecida ao gerador quando este conectado entrada de um amplificador, denominada de impedncia de entrada, ZE, do amplificador. Quando este mesmo amplificador empregado como gerador para outro dispositivo, tambm apresenta uma resistncia interna a este outro dispositivo. Esta resistncia vista pelo outro denominada de impedncia de sada, ZS, do amplificador. Quando se considera um caso de ligao de amplificadores em cascata, para que cada amplificador desempenhe sua funo com o mximo rendimento possvel, ou seja, para que haja a mxima transferncia de potncia de um amplificador para o outro, necessrio que a impedncia de sada de cada estgio amplificador seja igual impedncia de entrada do estgio seguinte. Portanto, a impedncia de entrada ZE e a impedncia de sada ZS so dois parmetros importantes de um amplificador, sendo essa igualdade entre elas denominada casamento de impedncias. Matematicamente, pode-se definir estes parmetros como:
ZE =
VE IE
ZS =
VS , IS
sendo VE e IE a tenso de entrada e corrente de entrada respectivamente, e VS e IS a tenso de sada e corrente de sada respectivamente. Da mesma forma que deve haver o casamento de impedncias entre os estgios de amplificao, o primeiro estgio amplificador deve estar casado com o circuito ou dispositivo que gera o sinal de entrada, que pode ser um gerador de udio, microfone, cpsula magntica de toca-discos, cabeote magntico de toca-fitas, leitor ptico de um toca-discos laser, etc. Tambm, o ltimo estgio amplificador deve estar casado com o circuito ou dispositivo ligado sua sada, que pode ser um altofalante, entrada de udio de um gravador, entrada de um amplificador de potncia, etc.
7.1.4 Curva de Resposta em Freqncia

Em eletrnica, os sinais alternados podem ser classificados em vrias categorias de acordo com sua faixa de freqncia. VLF LF MF HF VHF UHF SHF EHF Very Low Frequencies Freqncias Muito Baixas 3 kHz a 30 kHz Low Frequencies Freqncias Baixas 30 kHz a 300 kHz Medium Frequencies Freqncias Mdias 300 kHz a 3 MHz High Frequencies Freqncias Altas 3 MHz a 30 MHz Very High Frequencies Freqncias Muito Altas 30 MHz a 300 MHz Ultra High Frequencies Freqncias Ultra Altas 300 MHz a 3 GHz Super High Frequencies Freqncias Super Altas 3 GHz a 30 GHz Extra High Frequencies Freqncias Extra Altas 30 GHz a 300 GHz
A faixa de freqncia de udio (sinais audveis ou sonoros) est compreendida entre 20 Hz a 20 kHz. Entre 20 kHz e 3 MHz est a faixa denominada de ultra-som. As faixas denominadas microondas ocupam a faixa entre 3 GHz e 300 GHz. E finalmente, acima de EHF esto as freqncias pticas e os raios na seguinte seqncia: infravermelho, luz visvel, ultravioleta, raios X e raios gama. Ento so necessrios amplificadores para operarem nas diversas faixas de freqncias de sinais eltricos. Entretanto os transistores possuem limitaes que os impedem de trabalhar em todas as faixas, principalmente pelas capacitncias parasitas que surgem nas junes, alm dos prprios capacitores utilizados nos circuitos amplificadores. 49
Desta limitao dos transistores, surge um outro parmetro importante que deve ser levado em considerao no estudos dos amplificadores: a sua curva de resposta em freqncia, que corresponde faixa de freqncia que o amplificador opera com um nvel mnimo de atenuao (inverso do ganho), sendo limitada por uma freqncia de corte inferior fCI e um freqncia de corte superior fCS, como apresentado na Figura 47.
Figura 47 Curva de Resposta em Freqncia.
7.1.5 Decibel
O Bel (B) uma unidade de medida natural, pois est baseado nas nossos sentidos, particularmente na audio. A qualquer estmulo auditivo (potncia sonora), o ouvido humano no responde de forma linear, mas logartmica. Assim, para que uma sensao sonora tenha o dobro da potncia, necessrio que a potncia sonora seja dez vezes maior, e no o dobro. Por isso, Bel uma unidade que mede a relao entre grandezas de forma logartmica, ou seja: X A = log 2 (B) . X1 Em que: X1 e X2 so a mesma grandeza fsica; X2/X1 sempre positivo; A a relao entre grandezas, dada em Bel. Porm, para adequar a ordem de grandeza dessa unidade aos fenmenos fsicos, particularmente aos eltricos, a unidade de medida mais prtica o decibel (dB), ficando a relao entre potncias da seguinte forma: P A p = 10 log 2 (dB) . P1 Esta , ento, uma outra forma de apresentar o ganho de potncia de um circuito amplificador, tomando-se como referncia a potncia em uma carga RL na sada, como apresentado na Figura 48.
A p = 10 log
pL pG
(dB)
Figura 48 Ganho de Potncia de um Amplificador em dB. 50
Como p = v2/R,tem-se:
ZE + 10 log R L . vL ZE ZE A p = 20 log + 10 log = 20 log A v + 10 log vG RL RL Logo, as expresses de ganhos de potncia e tenso ficam respectivamente: vL v2 v2 L RL L ZE = 10 log 2 = 10 log A p = 10 log 2 v vG ZE vG R L G
2
Ap = Av =
Exemplo X Clculos
pL pG vL vG
ou ou
A p (dB) = 10 log A p A v (dB) = 20 log A v
Um gerador fornece uma potncia de 2 mW a um amplificador, que por sua vez entrega carga o dobro da potncia. a) Qual o ganho de potncia em dB?
Ap = 10 log
pG
pL
= 10 log
4 = 3 dB . 2
Isto implica que a potncia de sada est 3 dB acima da potncia de entrada. b) qual seria o ganho em potncia em dB, se a potncia de sada fosse a metade da entrada?
Ap = 10 log
pL 1 = 10 log = 3 dB . pG 2
Neste caso, a potncia de sada estaria 3 dB abaixo da potncia de entrada, ou sofreria uma atenuao de 3 dB. c) Qual seria o ganho de potncia em dB, se a potncia de sada fosse dez vezes maior que a potncia de entrada?
Ap = 10 log
pL 20 = 10 log = 10 dB . pG 2
Agora a potncia estaria 10 dB acima da potncia de entrada.
Portanto, pode-se concluir que quando a potncia dobra ou cai pela metade, as variaes correspondentes so, respectivamente, +3 dB e 3 dB, e quando a potncia multiplicada ou dividida por 10, as variaes correrspondentes so respectivamente, +10 dB e 10 dB. Alm disso, quando o ganho em dB positivo, significa que houve amplificao, e quando negativo, significa que houve atenuao.
No colocar no material agora
No caso de amplificadores ligados em cascata, o clculo do ganho total em dB muito mais simples. Supondo, por exemplo, dois amplificadores com ganhos Av1 e Av2, o ganho total dado por: A Tv = A v1 A v 2 ou A Tv (dB) = A v1 (dB) + A v 2 (dB)
Essas relaes entre potncias e suas respectivas variaes em dB so muito utilizadas na prtica, principalmente na parte de amplificadores udio.
51
No caso da curva de resposta em freqncia, considera-se como freqncias de corte inferior e superior, aquelas em que a potncia de sada cai para sua metade, ou seja, sofre atenuao de 3 dB. Isto significa que a curva de resposta toma a prpria potncia de sada como referncia. Porm, o mais comum representar a curva de resposta em freqncia, tendo como referncia a tenso de sada, sendo necessrio, portanto, determinar qual a correspondncia entre a queda de tenso na sada e a atenuao de 50% ou de 3 dB na potncia de sada. Assim, na regio plana da curva de resposta em freqncia, tem-se como referncia uma tenso vRL e uma potncia de sada pRL (tenso e potncia de referncias na carga). Nas freqncias de corte inferior e superior, como a potncia de sada pL cai metade de pLR, tem-se: pL v2 R v 1 1 1 = 2L L = L = = 0,707 . p LR 2 v LR v LR R L 2 2 Isto significa que, quando a potncia de sada cai pela metade, a tenso de sada cai para v L = v LR 2 ou vL = 0,707 x vLR, isto , tem uma queda de 3 dB. A curva de resposta em freqncia, assim representada, denominada curva de resposta em freqncia normalizada. Na Figura 49, so apresentadas vrias possibilidades de se representar uma curva de resposta em freqncia, tendo tenses ou ganhos de tenso em funo da freqncia do sinal.
Figura 49 Representaes da Curva de Resposta em Freqncia.

At aqui...
7.2 Tipos de Amplificadores

Os amplificadores podem ser divididos em vrias categorias: Quanto amplitude dos sinais: Amplificadores de pequenos sinais ou baixa potncia, cujos sinais de entrada so da ordem de unidades de V a dezenas de mV, ou correntes de coletor da ordem de unidades a centenas de mA, ou potncias de coletor de centenas de mW; Amplificadores de mdia potncia, cujos sinais de entrada so da ordem de centenas de mV, ou correntes de coletor da ordem de centenas de mV, ou correntes de coletor da ordem de centenas de mA a unidades de Ampre, ou potncias de coletor da ordem de centenas de mW a unidades de Watt; Amplificadores de potncia, cujos sinais de entrada so da ordem de centenas de mV, ou correntes de coletor da ordem de unidades a dezenas de Ampre, ou potncias de coletor da ordem de unidades a centenas de Watt. Quanto freqncia dos sinais: Amplificadores de baixa freqncia, que operam com freqncias entre 0,1 Hz a 30 kHz (abaixo da faixa de udio at VLF); Amplificadores de mdia freqncia, que operam com freqncias na faixa de LF; Amplificadores de alta freqncia, que operam com freqncias acima de LF (sendo classificados conforme a faixa de operao: VHF, UHF, microondas, etc). Obviamente, o principal determinante da faixa de operao de potncia e de freqncia de um amplificador o transistor utilizado, sendo fabricados especialmente para cada uma delas. Porm para efeito de estudo dos amplificadores, eles podem ser divididos apenas em trs categorias: amplificadores de baixa potncia e freqncia (amplificadores de pequenos sinais), amplificadores de potncia e amplificadores de alta freqncia, uma vez que tais categorias englobam todos os conceitos de amplificadores.
52
7.3 Teorema da Superposio para Amplificadores

Num amplificador a transistor, a fonte de alimentao DC estabelece correntes e tenses quiescentes. A fonte AC produz ento flutuaes nessas correntes e tenses. O jeito mais simples de se analisar o circuito dividindo a anlise em duas partes: uma anlise DC e outra AC. Em outras palavras, podemos usar o teorema da superposio quando estivermos analisando amplificadores a transistores.
7.3.1 Circuitos Equivalentes DC e AC

Aqui esto os passos a serem seguidos na aplicao da superposio aos circuitos com transistores: 1. Reduza a fonte AC a zero; isto significa pr em curto uma fonte de tenso ou abrir uma fonte de corrente. Abra todos os capacitores. O circuito que permanece chamado circuito equivalente DC. Com este circuito, podemos calcular qualquer corrente e tenso DC que estivermos interessados. 2. Reduza a fonte DC a zero; isto equivale a pr em curto uma fonte de tenso ou abrir uma fonte de corrente. Ponha em curto todos os capacitores de acoplamento e de derivao. O circuito que sobra chamado circuito equivalente AC. Este o circuito que deve ser usado ao se calcular as tenses e as correntes AC. 3. A corrente total em qualquer ramo do circuito a soma da corrente DC e da corrente AC atravs desse ramo. A tenso atravs de qualquer ramo a soma das tenses AC e DC atravs desse ramo. Aqui mostramos como aplicar o teorema da superposio ao amplificador a transistor da Figura 50(a). Inicialmente, faa um curto na fonte de tenso AC e abra todos os capacitores. Tudo o que resta o circuito da Figura 50(b); este o circuito DC. tudo o que importa no que se refere s correntes e tenses DC. Com este circuito, podemos calcular a corrente e a tenso quiescente. Agora, ponha em curto a fonte de tenso DC e os capacitores. O que resta o circuito equivalente AC que apresentado na Figura 50(c). Com ele podemos calcular qualquer tenso e corrente AC que desejarmos.
(a) Circuito Real de um Amplificador.
53
(b) Circuito Equivalente DC.
(c) Circuito Equivalente AC.
Figura 50 Teorema da Superposio.
7.3.2 Notao
Para se manter a notao DC diferente da notao AC comum empregar letras maisculas e ndices para as quantidades DC. Por exemplo, usamos: IE, IC, IB para as corrente DC; VE, VC, VB para as tenses DC ao terra; Da mesma forma, utilizamos letras minsculas e ndices para as tenses e as correntes AC: ie, ic, ib para as correntes AC; ve, vc, vb, para as tenses AC; vbe, vce, vcb para as tenses AC entre os terminais. Tambm comum empregar um sinal menos para indicar duas junes senoidais que esto defasadas de 180O. Por exemplo, a equao Vsada = -Vent , significa que a tenso de sada est 180O defasada em relao tenso de entrada.
54
8 Amplificadores de Pequenos Sinais

Sero apresentados neste captulo um estudo dos amplificadores de pequenos sinais nas trs configuraes: EC, BC e CC. O estudo dos amplificadores transistorizados envolve basicamente trs etapas: Polarizao do transistor (anlise DC); Determinao dos parmetros do amplificador (anlise AC); Determinao da curva de resposta em freqncia. Para cada amplificador aqui apresentado ser mostrado como determinar seus ganhos. Somente para a configurao EC sero determinadas tambm as impedncias de entrada e de sada e ainda uma rpida anlise da resposta em freqncia.
8.1 Amplificador na Configurao EC

Considere como referncia o amplificador emissor comum polarizado com divisor de tenso na base, como mostrado na Figura 51. Pode-se observar que vi aplicado entre base e emissor e a sada vo obtida entre coletor e emissor. (Observe que o mesmo circuito apresentado na seo 7.3, a menos da impedncia da fonte, que no est sendo apresentada aqui para no termos que utilizar o teorema de Thvenin).
Figura 51 Circuito do Amplificador Emissor Comum. Para facilitar a anlise do amplificador, considera-se o mesmo como dois circuitos independentes: um para AC e outro para DC. Em seguida aplica-se o teorema da superposio (veja Seo 7.3).
Circuito Equivalente DC.
Circuito Equivalente AC. 55
As caractersticas dessa configurao, dadas por Zi, Zo, Ai, Av sero avaliadas a seguir. Impedncia de Entrada (Zi) Como a tenso de entrada vi aplicada ao circuito formado pelo paralelo entre RB1, RB2 e pelo transistor, devemos ento conhecer a resistncia que apresenta o transistor para a fonte de vi. O sinal de entrada vi aplicado ao circuito base-emissor do transistor, ento vamos determinar que resistncia oferecida para a fonte de entrada. Para o modelo DC (com vi = 0), a polarizao do diodo vem determinada pelo ponto Q, que implica numa corrente IE para uma tenso VBE. Ao aplicar-se vi, esta produz variaes em torno desse valor de VBE; estas variaes representam um VBE, que provoca umas variaes de IE = IE. O coeficiente de ambas chama-se resistncia dinmica do emissor ou resistncia de emissor para AC.
re =
v VBE re = be , onde re = 25 mV / IE . I E ie
Voltando para a fig 10.9c), note que o transistor s absorve do gerador uma corrente ib e estabelecendo uma aproximao ie ic, temos que: i ic = ib ib e , resultando que a impedncia de entrada do transistor ser:
Z i(T) =
VEnt v be v = Z i ( T ) be Z i ( T ) re I Ent ib ie
Ento a impedncia de entrada do circuito ser: Zi RB1 || RB2 || re. ( onde || significa paralelo). conveniente que Zi seja elevada para reduzir ao mnimo os efeitos da resistncia interna do gerador RG. Ento RB1 e RB2 devem ser de valores elevados. Entretanto como estes so calculados de acordo a polarizar adequadamente o transistor na regio linear, deve-se estabelecer uma soluo de compromisso, uma vez conhecida a impedncia interna da fonte de sinal. Impedncia de Sada (Zo) Semelhante ao caso anterior, devemos utilizar o circuito equivalente AC para estudar a impedncia de sada. Nele observa-se que vo tomada do circuito paralelo formado por RC e pelo circuito coletor-emissor. Da mesma forma, analisando os efeitos das variaes de VCE e IC, tem-se que a resistncia dinmica do coletor, que coincide com a impedncia de sada do transistor, dada por:
Z o(T ) =
VCE v Z o ( T ) = ce . I C ic
A impedncia de sada do amplificador ento: Zo = Zo(T) || RC. Como as variaes de VCE so muito maiores que as de IC (geralmente volts frente a miliampres), conclui-se que a impedncia de sada do transistor muito elevada. Logo, pode-se considerar uma boa aproximao dizer que: Zo = RC. Ganho de Tenso (Av) O ganho de tenso de um amplificador a razo da tenso AC de sada pela tenso AC da entrada. A tenso de sada a componente alternada da tenso sobre RC. Observando o circuito equivalente AC, temos que a tenso de sada, vo dada por: vo = - ic . RC, como ic ie, ento: vo = - ie . RC. Por outro lado, a tenso AC de entrada dada por: 56
Ento temos que o ganho de tenso ser:
v i = r e . ie ,
Av =
O sinal (-) indica que a tenso de sada est defasada 180O em relao a tenso de entrada. De forma grfica, o ganho de tenso pode ser observado na Figura 52.
vo R i R = C e Av = C . vi re i e re
Figura 52 Grfico da Corrente de Entrada e Corrente e Tenso da Sada. Como vi leva associada uma variao da corrente de base (ib) e, portanto um deslocamento do ponto de trabalho em torno de Q, isso implica em variaes de VCE de valor vce. Quando vi aumenta (semiciclo positivo), provoca em deslocamento do ponto em direo regio de saturao; isso implica uma diminuio de vce, alcanando seu valor menor quando vi tem o valor mximo, ocorrendo o contrrio quando vi diminui, de tal forma que, quando seu valor o pico negativo, vce alcana o mais alto valor. Isto faz a tenso de sada, vo, est defasada 180O em relao a tenso de entrada vi.
Ganho de Corrente (Ai) O ganho de corrente Ai vem definido pela relao entre io e ii. O transistor possui ganho de ganho de corrente dado por:
A i(T ) =
ic =. ib
vi , Zi
Quanto ao ganho de corrente do circuito, ser diferente, pois parte da corrente de entrada deriva-se por RB1 e RB2, circulando pelo transistor somente ib. Como
io =
teremos:
vo Zo
ii =
Ai =
Vo Z i . Vi Z o
Funo do CE (capacitor de desacoplamento) O capacitor CE, capacitor de emissor, serve para manter a tenso em RE constante. Vamos analisar o que isso significa.
57
Sem o capacitor: aumentando iB (que uma corrente alternada), aumenta-se tambm iE, portanto surge uma tenso alternada em RE. Como as variaes em iE so vezes maiores que iB, a tenso de emissor provoca uma elevada reduo em vBE, afetando tambm o ganho do amplificador. Conectando o capacitor em paralelo com RE, a componente AC encontra um caminho para o terra, fazendo a tenso em RE manter-se constante. O clculo de CE feito da mesma maneira adotada para os demais capacitores. Este capacitor CE est influenciando apenas no resistor RE, ento, pode-se dizer que, XCE = 0,1RE. Exemplo XI Clculos para Amplificadores EC
Dado o amplificador abaixo, determine seu ganho de tenso, ganho de corrente, impedncia de entrada e de sada. Considere = 80.
a) ganho de tenso Av
Das condies DC, temos que VB dada pelo divisor de tenso formado pelos resistores ligados base e a fonte VCC. Ento:
Av = - RC /re,
re = 25 mV / IE
VB =
A tenso no resistor RE dada por:
5k 18 VB = 1,64V. 5k + 50k
e IE = VE / RE IE = 0,94 mA.
Agora podemos calcular a resistncia do emissor re, E por fim determinar o ganho de tenso. b) Impedncia de entrada Zi
VE = VB VBE VE = 0,93 V re = 26,7 .
Av = - 5000 / 26,7 Av = -187. Zi = RB1 || RB2 || re = 50k || 5k || 80 x 26,7 Zi = 1453,14 Zo = RC Zo = 5k
c) Impedncia de sada Zo d) Ganho de corrente Ai
Ai =
Vo Z i . Ai = 187x 1453,14/5000 Vi Z o
Ai = 54,35
58

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ELETRNICA II

Londrina, fevereiro de 1999.

Maria Bernadete de Morais Frana

1 Reviso da Teoria Atmica

Maria Bernadete de Morais Frana

1.2 Teoria dos Semicondutores

Maria Bernadete de Morais Frana

Maria Bernadete de Morais Frana

2 Transistor A Grande Revoluo

Maria Bernadete de Morais Frana

2.2 Idias Bsicas de Junes NPN e PNP

Maria Bernadete de Morais Frana

2.4 Funcionamento do Transistor

Maria Bernadete de Morais Frana

Figura 6 - Polarizaes do Transistor NPN.

2.4.1 Efeito Transistor

Figura 7 - Fluxo de Corrente Eletrnica no Transistor NPN.

Maria Bernadete de Morais Frana

VCE = VCB + VBE .

VEC = VBC + VEB .

2.5 Efeito Amplificao

Maria Bernadete de Morais Frana

Maria Bernadete de Morais Frana

3.1 Configurao Base Comum (BC)

Figura 10 Configurao Base Comum.

3.1.1 Curva Caracterstica de Entrada

Maria Bernadete de Morais Frana

Figura 11 Curva Caracterstica de Entrada BC.

3.1.2 Curva Caracterstica de Sada BC

Maria Bernadete de Morais Frana

3.1.3 Ganho de Corrente na Configurao Base Comum

Maria Bernadete de Morais Frana

Maria Bernadete de Morais Frana

3.2 Configurao Emissor Comum (EC)

Figura 15 Configurao Emissor Comum.

3.2.1 Curva Caracterstica de Entrada EC

Maria Bernadete de Morais Frana

3.2.2 Curva Caracterstica de Sada EC

IC I B1 I B2 I B1 > I B2 > I Bn I Bn = 0 0 VCE

3.2.3 Ganho de Corrente na Configurao Emissor Comum

3.2.4 Relao Entre e

Maria Bernadete de Morais Frana

Da mesma forma pode-se retirar o valor de em funo de . Obtm-se:

I C (mA) 300 250 200 150 100 50 0 1 2 3 4 5 6

c) Na configurao BC, o ganho de corrente vale: 367 = = 0,9973 . +1 1 + 367

Maria Bernadete de Morais Frana

280 103 = 467 . 600 106

e) Na configurao BC, o ganho de corrente vale:

3.2.5 Maneira Prtica de Obter-se a Caracterstica de Sada EC

Maria Bernadete de Morais Frana

3.3 Configurao Coletor Comum

Maria Bernadete de Morais Frana

4 Especificaes dos Transistores

4.1 Tenso de Ruptura

4.2 Valores de Referncias Mximas

125 a 900 100 a 300 20 a 50 20 a 50 125 a 900 50 a 125

Maria Bernadete de Morais Frana

Maria Bernadete de Morais Frana

5 Polarizao dos Transistores

5.1 Ponto de Operao

Figura 22 Vrios Pontos de Operao.

Maria Bernadete de Morais Frana

5.2 Reta de Carga

Figura 23 Reta de Carga de um Transistor. 23