Microelectrnica y Fotnica

Prctica 3. Caracterizacin de un fotodiodo y un LED.

PRCTICA 3

Caracterizacin de un fotodiodo y un LED

A) PRIMERA PARTE: CARACTERIZACIN DEL FOTODIODO. Vamos a caracterizar un fotodiodo de silicio con estructura p-i-n. Esencialmente, un fotodiodo es una unin p-n en la que los pares electrn-hueco generados por la absorcin de la luz son separados por el campo elctrico existente en la zona de carga espacial. Este campo arrastra los huecos hacia la zona p y los electrones hacia la zona n, dando lugar a una corriente inversa a travs del diodo. La zona tipo i (intrnseca o no dopada) situada entre las regiones tipo p y n tiene como finalidad aumentar la anchura de la zona de carga espacial y por tanto el tamao de la regin en la que el campo elctrico produce la separacin de los pares electrnhueco fotogenerados. Sabemos que el silicio, debido a su gap indirecto, no interacciona eficientemente con la luz (p. ej. no puede usarse para realizar dispositivos emisores de luz, porque las recombinaciones son no-radiativas). Sin embargo, razones de coste imponen su uso generalizado como fotodetector y en clulas solares, dado que la fabricacin de obleas de silicio y su posterior procesado tiene unos costes mucho menores que para los semiconductores compuestos III-V (tanto debido a las caractersticas de los propios materiales como por el grado de madurez que ha alcanzado la industria microelectrnica sobre silicio). ste es el motivo de que la mayor parte de las clulas solares comerciales sean de silicio, aunque en cierto tipo de aplicaciones especiales donde predominan los criterios de rendimiento sobre los costes (satlites o sondas espaciales) se utilizan clulas de arseniuro de galio (GaAs). El fotodiodo que vamos a utilizar es el BPW34, un fotodiodo de uso general muy extendido en la mayora de las aplicaciones que requieran detectar luz en el visible o infrarrojo cercano (hasta aproximadamente 1100 nm), por ejemplo para control remoto por infrarrojos, sensores de luz para activar interruptores, etc.... El rea fotosensible de este diodo es relativamente elevada para captar la mayor cantidad posible de luz y producir una corriente fotogenerada significativa. Tiene una rpida velocidad de respuesta y una capacidad reducida, pero en aplicaciones para comunicaciones suelen emplearse fotodiodos especficamente diseados para este fin con menor rea y por tanto con una capacidad an menor. Estudiaremos las caractersticas estticas del BPW34. Para ello usaremos como fuente de luz un LED de GaAs que emite en el infrarrojo, concretamente el LD274 de Infineon

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(Siemens). Una de las aplicaciones ms tpicas de este LED es el mando a distancia. En la segunda parte de la prctica veremos con ms detalle sus caractersticas. Junto a este guin se adjuntan las hojas de caractersticas del fotodiodo y del LED.

.- Caracterizacin esttica del fotodiodo BPW34. Llevaremos a cabo esta caracterizacin mediante el siguiente circuito:

El fotodiodo se encuentra polarizado en inversa y suministra una corriente proporcional a la luz que incide sobre el mismo. Por su parte, el LED est polarizado en directa y la intensidad de corriente que pasa por l viene determinada por la resistencia R1 . El primer paso es pues calcular el valor de esta resistencia para obtener un valor de corriente adecuado, por ejemplo 25 mA (la mxima corriente por el LED en modo esttico es de 100 mA, por lo que es prudente no acercarse demasiado a ese valor). Con objeto de realizar este clculo es necesario saber la cada de tensin en el LED para ese valor de la corriente, dato que puede obtenerse de las hojas de caractersticas. Mirando la grfica de corriente (If) frente a tensin (Vf) en estas hojas encontramos que VLED=1.1 V, por lo que la resistencia R1 tendr que ser 160 (usaremos una resistencia de 150 , por ser el valor ms prximo disponible). En este apartado introduciremos el LED y el fotodiodo en una cajita oscura con el fin de eliminar la influencia de la luz ambiental. Hay que procurar que ambos diodos permanezcan alineados entre s de forma que la seal producida por el detector sea mxima y las medidas sean comparables unas con otras. Una vez realizado el circuito mediremos la corriente generada en el fotodiodo para distintos valores de polarizacin inversa. Con este fin podemos insertar un ampermetro como se muestra en el esquema del circuito o bien medir la correspondiente cada de tensin en la

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resistencia R2 . Vare la tensin de polarizacin inversa mediante la fuente V2 y compruebe que el valor de la corriente fotogenerada tiene una ligera dependencia con el voltaje del fotodiodo en polarizacin inversa. Tenga en cuenta que la mxima tensin inversa del BPW34 es 30 V, por lo que se recomienda variar V2 entre 0 y 20 V. A partir del valor de la fotocorriente y utilizando las hojas de caractersticas calcule la potencia ptica recibida por el fotodiodo. Utilice el dato de sensibilidad espectral (0.62 A/W para =850 nm) y la curva de sensibilidad espectral relativa, suponiendo que la luz que le llega tiene la longitud de onda del pico de emisin del LED (950 nm). Para facilitarle este clculo le mostramos a continuacin un ejemplo. Supongamos que ha obtenido unos resultados como los de la grfica 1 del anexo, en la cual la corriente fotogenerada es de unos 50 A en polarizacin inversa (ignorando la pequea dependencia con la tensin de polarizacin). Segn las hojas de caractersticas del BPW34, la sensibilidad espectral en unidades radiomtricas es de 0.62 A/W para =850 nm (se recomienda que lea el apartado sobre unidades radiomtricas y fotomtricas en la introduccin general del manual de prcticas). Esto significa que 1 W de luz con =850 nm captada por el BPW34 producira una corriente de 0.62 A. Como la luz emitida por el LED tiene un rango de frecuencias relativamente estrecho centrado en torno a un mximo en 950 nm, podemos asumir que toda la luz que emite tiene esta longitud de onda. Mediante la curva de sensibilidad espectral relativa del fotodiodo (Srel versus ) vemos que a 950 nm su sensibilidad es el 85 % de su valor mximo (que se alcanza para 850 nm). Como a 850 nm la sensibilidad era de 0.62 A/W, quiere decirse que para 950 nm ser 0.53 A/W. Por consiguiente, si la corriente fotogenerada era de 50 A es porque la potencia captada por el fotodiodo es de 95 W. A continuacin compare el resultado con la potencia emitida por el LED en el ngulo slido abarcado por el fotodiodo. Para este clculo tendr que buscar en las hojas de caractersticas la intensidad radiante en la direccin axial (Ie,min =50 mW/sr para una corriente de 100 mA) y la curva de intensidad radiante relativa frente a corriente de polarizacin (para referir el valor anterior a la corriente que circula por el LED). Tambin tendr que hacer una estimacin del ngulo slido abarcado por el fotodiodo, sabiendo que su rea fotosensible son 7 mm2 y midiendo la distancia que lo separa del LED. Siguiendo con el ejemplo anterior podemos ofrecer una muestra representativa de estos clculos. El valor de intensidad radiante Ie,min =50 mW/sr del LED nos indica que el fabricante garantiza que el LED emite al menos 50 mW de potencia luminosa por unidad de ngulo slido (esteroradin) en la direccin axial cuando circula por l una corriente de 100

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mA. Como hemos polarizado el LED con una corriente de 25 mA tenemos que referir dicho valor a esta corriente. Para ello utilizamos la grfica de intensidad radiante relativa frente a corriente de polarizacin, que est normalizada para la corriente de 100 mA. Se obtiene que la intensidad radiante para 25 mA es un 25 % de su valor a 100 mA, es decir, que valdr 12.5 mW/sr. De toda esta potencia emitida por unidad de ngulo slido, el fotodiodo solamente captar la correspondiente al ngulo slido abarcado por l visto desde el LED. Para calcular este ngulo slido tenemos en cuenta que el rea activa del fotodiodo es de 7 mm2 y la distancia que lo separa del LED es aproximadamente de unos 5 cm. Utilizando la definicin de ngulo slido como rea dividida entre distancia al cuadrado se obtiene que el ngulo slido es de 0.0028 sr, por lo que la potencia captada por el fotodiodo ser: 12.8 mW/sr 0.0028 sr = 35 W. En el clculo hecho para el fotodiodo habamos obtenido 95 W. La diferencia puede deberse principalmente a que el valor de intensidad radiante que hemos utilizado es un valor mnimo garantizado. El fabricante del LED no especifica ningn valor tpico ni mximo, por lo que bien puede ser el doble o ms. Para finalizar este apartado mantenga la tensin de polarizacin inversa del fotodiodo fija en 5 V y vare la corriente de polarizacin del LED entre 0 y 25 mA en incrementos de 5 mA (para ello vare la tensin de alimentacin V1 ). La corriente suministrada por el fotodiodo se incrementa linealmente con la potencia recibida por ste. Realice la correspondiente grfica, que deber parecerse a la mostrada en el anexo.

ANEXO: EJEMPLOS DE RESULTADOS OBTENIDOS. 1.- Corriente fotogenerada frente a tensin de polarizacin inversa:

Caracterizacin del fotodiodo BPW34

55 50

Fotocorriente (A)

45 40 35 30 25 0 5 10 15 Tensin inversa de polarizacin (V) 4 20

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2.- Corriente fotogenerada en funcin de la corriente que circula por el LED:

Caracterizacin de LED-fotodiodo
60 50 40

Iph ( A)

30 20 10 0 0 5 10 15 20 25

ILED (mA)

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B) SEGUNDA PARTE: CARACTERIZACIN DEL LED. Un diodo emisor de luz (LED: light emitting diode) es un dispositivo de semiconductor (un diodo) que emite radiacin visible o infrarroja cuando una corriente elctrica circula por l. El LED ms sencillo consiste en una unin p-n cuya eleccin de material determina el espectro de emisin del dispositivo. Los materiales ms comunes en LEDs son compuestos de elementos de los grupos III y V de la tabla peridica: GaAs, GaP, AlGaAs, InGaP, GaAsP, AlInGaP. La emisin de luz en el LED involucra tres etapas: creacin de pares electrn-hueco, recombinacin de estos pares provocando un proceso que puede ser radiativo (emisin espontnea), y extraccin de la radiacin desde la zona activa donde se ha producido hasta el exterior del dispositivo. En la figura 1 se muestra el esquema ms sencillo del mecanismo de emisin espontnea en un LED.

Figura 1. Inyeccin de portadores minoritarios en una unin p-n polarizada en directa, produciendo la emisin espontnea de fotones.

.- El mecanismo de excitacin se consigue mediante la inyeccin de portadores minoritarios provocada por la polarizacin directa de la unin. .- La recombinacin de los portadores minoritarios inyectados puede ser radiativa (transiciones banda - banda, banda - nivel superficial de impureza, nivel supeficial donor nivel superficial aceptor) o no radiativa (banda - banda Auger, banda - nivel de impureza Auger, banda - nivel profundo, etc...) dependiendo de la naturaleza de los centros de recombinacin en el semiconductor. .- La extraccin de luz est limitada por la propia absorcin del material (de acuerdo con su coeficiente de absorcin ), la reflexin en la interfase del dispositivo con el encapsulado y con el aire, y reflexiones totales internas.

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Estos tres procesos limitan la eficiencia cuntica externa de estos dispositivos (fotones extrados por electrn que atraviesa la unin). sta vara aproximadamente entre un 0.1 % y un 10 %. Los materiales binarios ms importantes para LEDs son los siguientes: Pico de emisin (nm) 867 infrarrojo 548.5 verde 574 verde-amarillo 918 infrarrojo 464.4 azul 365.8 ultravioleta 480 azul

MATERIAL GaAs GaP AlAs InP ZnSe GaN SiC

Gap (eV) a 300 K 1.43 directo 2.26 indirecto 2.16 indirecto 1.35 directo 2.67 directo 3.39 directo 2.86 indirecto

En la siguiente tabla se muestran caractersticas de algunos LEDs de infrarrojo y de distintos colores del espectro visible: COLOR ( en pico emisin , nm) Infrarrojo (940) Rojo (700) Rojo (639) Amarillo (585) Verde (565) Azul (450) Azul (470) Verde (520) Azul (480)

MATERIAL GaAs:Si GaP:(Zn,O) GaAs0.35P0.65:N GaAs0.15P0.85:N GaP:N Ga0.94 In0.06 N Ga0.73 In0.27 N Ga0.55 In0.45 N SiC

Eficiencia cuntica externa (%) 12 2 0.7 0.2 0.4 2.7 7.3 6.3 0.03

Tipo de gap Directo Indirecto Indirecto Indirecto Indirecto Directo Directo Directo Indirecto

La estructura fsica de los dispositivos descritos en la tabla precedente es la siguiente: 1.- Dispositivos basados en GaAs, GaAsP, GaP, y SiC: unin p-n convencional 2.- Dispositivos basados en Ga0.94In0.06N: doble heterounin 3.- Dispositivos basados en Ga0.73In0.27N y Ga0.55 In0.45 N: pozo cuntico
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.- CARACTERSTICAS A CORRIENTE VARIABLE. a) Caracterstica L-V La relacin entre la intensidad de emisin espontnea L (en esta prctica denotaremos de manera genrica por L a cualquier magnitud proporcional a la intensidad de luz emitida por el LED) y la cada de tensin en la unin es: L = L0 exp( qV / mkT ) , (1)

donde el parmetro m da cuenta del tipo de proceso de recombinacin radiativa. Si la recombinacin es banda-banda o banda-nivel superficial entonces m1. En general, 1<m<2 dependiendo de la posicin en el gap de los niveles energticos asociados a las impurezas respecto a los bordes de las bandas.

b) Caracterstica I-V Al ser dispositivos de unin, las caractersticas I-V de los LEDs quedan descritas por la ecuacin bien conocida del diodo: I = I 0 exp (q(V IR s ) / nkT ) , (2)

donde I0 es la corriente inversa de saturacin, Rs es la resistencia serie de la unin, y n es el factor diodo que da cuenta del proceso de conduccin dominante. En dispositivos con niveles donores y/o aceptores la corriente de difusin puede estar asistida por sus niveles asociados en el gap, de manera que 1<n<2. Slo las corrientes de difusin son radiativas, mientras que los otros mecanismos posibles de conduccin en la unin son no-radiativos. Es entonces de esperar que sean los dispositivos en los que domina la corriente de difusin los que presenten mayor eficiencia. En tal caso debe existir una clara relacin entre las caractersticas I-V y L-V, con m=n. En dispositivos de baja eficiencia slo una pequea parte de la corriente total que atraviesa el diodo es radiativa. En este caso no existir una relacin entre n y m. Tanto las caractersticas L-V como las I-V estn influidas por la presencia de Rs y esto hace que tales caractersticas no proporcionen una informacin fsica fiable, ya que, al contrario de lo que ocurre en las clulas solares, en estos dispositivos el valor de Rs suele depender de la polarizacin, lo que hace prcticamente imposible determinarla con fiabilidad. Por lo tanto, la informacin que proporcionan estas caractersticas es poco til.

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c) Caractersticas L-I. Esta caracterstica es la ms interesante de obtener en un LED, ya que no est influenciada por la presencia de Rs. Es sin duda la que proporciona mayor informacin acerca de la fsica de los procesos de emisin de luz. El funcionamiento de un LED cambia con la corriente que circula por la unin, dependiendo de factores como la concentracin de centros no radiativos en la zona de vaciamiento, o procesos de calentamiento asociados a la resistencia serie. Este hecho queda reflejado en las caractersticas L-I, que se ajustan a una ley potencial del tipo: L I p. (3)

El funcionamiento de un LED, y por lo tanto su eficiencia, pasa tpicamente por tres etapas: 1.- A bajas corrientes los centros no radiativos proporcionan un camino paralelo que se va saturando progresivamente conforme la corriente aumenta. Es el rgimen superlineal, p>1. 2.- A corrientes moderadas los centros no radiativos estn totalmente saturados, de forma que se debe observar una relacin lineal. Es el rgimen lineal, p1. 3.- Para altas corrientes de operacin, la saturacin de los niveles aceptores (en caminos radiativos donor-aceptor, banda-aceptor) y el calentamiento del dispositivo originan una disminucin de la eficiencia de emisin de luz. Es el rgimen sublineal, p<1.

En la figura 2 se muestra la eficiencia (L/I) y la potencia o flujo luminoso emitido de un LED de AlGaAs con emisin en el visible (rojo), lo que hace posible emplear unidades fotomtricas para la potencia luminosa (1 mlm = 1 lumen/1000; vase la introduccin general de este manual de prcticas para una discusin de las unidades fotomtricas). Se pueden apreciar los tres regmenes (superlineal a baja corriente, lineal entre 5 y 20 mA, sublineal por encima de 20 mA).
Eficiencia luminosa (lm/A)

Flujo luminoso (mlm)

Corriente en polarizacin directa (mA)

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.- REALIZACIN PRCTICA. Vamos a caracterizar un LED de GaAs que emite en el infrarrojo, concretamente el LD274 de Infineon (Siemens). Una de las aplicaciones ms tpicas de este LED es el mando a distancia. Para detectar la luz infrarroja emitida utilizaremos un fotodiodo de Si, el BPW34, que es uno de los ms usuales en multitud de aplicaciones. En la primera parte de la prctica se estudiaron las caractersticas de este fotodiodo y se emplearon sus hojas de caractersticas. Durante la realizacin de esta parte es conveniente que tenga a mano las hojas de caractersticas de ambos dispositivos. Mediremos la caracterstica I-V (corriente-tensin) del LED simultneamente con la caracterstica L-I (potencia o flujo luminoso emitido frente a corriente). La potencia ptica emitida ser detectada mediante el fotodiodo BPW34, y con objeto de evitar la influencia de la luz ambiental es conveniente introducir ambos en el recipiente opaco proporcionado con este fin. La corriente fotogenerada puede ser demasiado pequea para ser medida convenientemente con un ampermetro, por lo que realizaremos el siguiente circuito que convierte corriente en tensin con una salida de baja impedancia:

Utilizamos un operacional con entrada JFET tal como el 411 o el 355 para que la corriente fotogenerada, que puede ser muy dbil, no se vea afectada por la medida (un operacional con entrada JFET consume mucha menos corriente en sus terminales de entrada que uno bipolar). El voltaje a la salida del operacional dividido por la resistencia de realimentacin (1 M en el caso de la figura) nos dar la corriente fotogenerada. La resistencia de realimentacin puede modificarse para tener una ganancia adecuada al valor de
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la corriente sin saturar la salida del operacional. Valores tpicos para esta resistencia pueden ser 100 k , 1 M o 10 M . La alimentacin del operacional se tomar de los +12 V y 12 V suministrados por los conectores situados en el frontal del banco de laboratorio (no olvidar conectar la tierra de referencia). Tome suficientes datos para poder trazar las caractersticas I-V, L-V, y L-I con claridad. Para ello habr que ir variando la tensin V1 para distintos valores de R2 con el fin de cubrir varios rdenes de magnitud de la corriente (recuerde que la corriente aumenta exponencialmente con la tensin en el diodo, por lo que se representa en una escala logartmica que abarque varios rdenes de magnitud, p.ej. desde 1 A a 50 mA). Tenga cuidado de no sobrepasar la mxima corriente permitida para el LED, que es 100 mA. Podemos convertir la corriente fotogenerada en el BPW34 en potencia ptica utilizando las hojas de caractersticas y teniendo en cuenta la sensibilidad del fotodiodo para la longitud de onda del pico de emisin del LED. En la primera parte se dio una descripcin del procedimiento a seguir. Repselo y compruebe que el resultado era: Pph = I ph (A) 0.527 (A/W) (4)

La potencia recibida en el BPW34 ser una fraccin de la potencia total emitida por el LED, dependiendo de la distancia y la orientacin entre ambos. Si procuramos que estos dos parmetros permanezcan inalterables durante la medida, para que los resultados sean consistentes, entonces podemos suponer que el factor de proporcionalidad entre la potencia ptica emitida por el LED y la recogida en el fotodiodo permanece constante. Las hojas de caractersticas del LED nos dicen que la potencia radiante total para una corriente de 100 mA es de 15 mW y nos dan una grfica de intensidad radiante normalizada frente a la corriente de polarizacin. Utilizando estos datos podemos estimar el mencionado factor de

proporcionalidad, tomando por ejemplo como referencia el dato de potencia recibida en el fotodiodo para una corriente de polarizacin del LED de 50 mA. Con objeto de facilitar este clculo vamos a hacerlo como ejemplo para los datos de las figuras del anexo. Para la corriente de polarizacin de 50 mA la grfica de intensidad radiante normalizada frente a corriente nos dice que la intensidad radiante ser aproximadamente el 50 % del correspondiente valor para 100 mA, es decir, 7.5 mW. En las medidas correspondientes a las grficas del anexo, para una corriente por el LED de 50 mA se obtena en el fotodiodo una corriente fotogenerada de 97.7 A, lo que aplicando la ecuacin (4) se traduce en una potencia detectada de 0.185 mW. Esto quiere decir que cuando el LED

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emite 7.5 mW el fotodiodo detecta 0.185 mW, y asumiendo que esta relacin se mantiene constante para cualquier otro valor de corriente de polarizacin del LED nos lleva a la frmula: PLED = 40.5Pph = 40.5 I ph (A) 0.527 (A/W) (5)

Tenga en cuenta que esto es solo un ejemplo correspondiente a unas medidas muy concretas (las de las grficas del anexo). Usted deber obtener su propio factor de proporcionalidad, que depender de la distancia y orientacin relativa entre el LED y el fotodiodo. Una vez obtenido este factor de proporcionalidad podemos transformar todas las medidas que hayamos tomado de potencia detectada en el fotodiodo a potencia emitida por el LED y realizar unas grficas similares a las mencionadas. Pueden considerarse los siguientes puntos de discusin. A partir de las representaciones en escala logartmica de las caractersticas I-V y L-V, discutir los mecanismos de conduccin y de emisin. En la representacin de la caracterstica L-I en escala doble logartmica, localizar e interpretar las zonas de distinta pendiente. En la grfica L/I frente a I dar un significado a la magnitud L/I, y a la vista de la grfica determinar la polarizacin ptima de trabajo del LED.

ANEXO: EJEMPLOS DE RESULTADOS OBTENIDOS. (a) Caracterstica I-V y L-V:

10

-1

Corriente I LED ( A ) Zona recombinacin (n=2) Zona difusin (n=1.5)

10 10 10

-2

-3

10

-2

10

-3

10 10
-4

-5

10
-5

-6

10

Flujo radiante LED ( W )

10 1.3

-7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

V LED (V)
12

LED (W)

ILED (A)

-4

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(b) Caracterstica L-I:

10 10
LED (W)

-2

Potencia o flujo radiante

-3

10 10 10 10

-4

-5

-6

-7

10- 5

10- 4

10- 3 I L E D (A)

10- 2

10- 1

(c) Eficiencia (similar a la caracterstica L/I vs I):

0.16 0.14

LED (W) / PLED (W)

0.12 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0.00 0.00 0.01 Eficiencia: potencia emitida dividido entre potencia consumida 0.02 0.03 0.04 0.05

I L E D (A)

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