Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia Caractersticas de un diodo semiconductor en directa e inversa

CARACTERSTICAS DE UN DIODO SEMICONDUCTOR EN DIRECTA E INVERSA Ingeniera Electrnica rea Electrnica I RESUMEN
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. Esta principal caracterstica es gracias a la unin P donde P es el !nodo y es el c!todo del diodo, este tipo de unin se "ace con materiales semiconductores puri#icados, donde los me$ores semiconductores est!n en el grupo I% de la tabla peridica, entre los mas comunes y utili&ados est!n los de silicio y germanio' el de germanio es mas di#cil de encontrar ya que generalmente se encuentra en los depsitos de cobre, plomo o de plata' adem!s entre estos materiales e(iste un )*P di#erente y por consecuencia de esta varia el di#erencia de volta$e entre las terminales del diodo. ndice de trminos: osciloscopio, generador de se+ales, multmetro, resistencia, corriente y volta$e. INTRODUCCION ,e estudiara el comportamiento de dos clases de diodos donde uno es de silicio y el otro de germanio, en este estudio se anali&o el comportamiento de estos, ba$o a di#erentes condiciones, como lo son su polari&acin con respecto a la #uente de volta$e directa, e igualmente con una #uente de volta$e alterna, donde se vario el volta$e para as obtener el comportamiento que caracteri&a cada diodo. OBJETIVOS Comprender los principios de #uncionamiento de un diodo. Identi#icar caractersticas #undamentales de algunos tipos de diodos. Comprender la operacin del diodo ante di#erentes #ormas de polari&acin. Diodo Semiconductor El diodo semiconductor est! constituido por una unin P- , a+adi.ndole un terminal de cone(in a cada uno de los contactos met!licos de sus e(tremos y una c!psula que alo$a todo el con$unto, de$ando al e(terior los terminales que corresponden al !nodo /&ona P0 y al c!todo /1ona 0 El diodo de$a circular corriente cuando se conecta el polo positivo de la #uente al !nodo, y el negativo al c!todo, y se opone al paso de la misma si se reali&a la cone(in opuesta. Esta propiedad suele usarse para reali&ar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina recti#icacin. 2a corriente resultante ser! 3pulsante4, ya que slo circular! en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea. 2a cantidad de calor generado durante el #uncionamiento es menor, ya que no necesita ning5n calentamiento de #ilamento y #unciona con tensiones muc"o m!s ba$as, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.

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Diodos de silicio: 2a elaboracin de este diodo se reali&a con silicio puri#icado. Cada lado del diodo se implanta con impure&as /boro en el lado del !nodo y ars.nico o #s#oro en el lado del c!todo0, y la articulacin donde las impure&as se unen se llama la 6unin pn6.2os diodos de silicio tienen una tensin de polari&acin directa de 7.8 voltios. Diodos de germanio: 2os diodos de germanio se #abrican de una manera similar a los diodos de silicio. 2os diodos de germanio tambi.n utili&an una unin pn y se implantan con las mismas impure&as que los diodos de silicio. ,in embargo los diodos de germanio, tienen una tensin de polari&acin directa de 7,9 voltios.

En inversa

TABLA 2.

GRAFICA 2. ANALISIS Y RESULTADOS CON FUENTE DC

DIODO DE SILICIO

En Directa

TABLA 1.

CON FUENTE AC FIGURA 1.

GRAFICA 1.

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FIGURA 2.

DIODO DE GERMANIO CON FUENTE DC

Directa

TABLA 3. GRAFICA 4.

CON FUENTE AC GRAFICA 3. :I)U;* 9.

Inversa

TABLA 4. :I)U;* <.

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Para la fig ra 2 y 4 se pudo obtener la curva caracterstica del diodo, donde se ve una leve variacin en el comportamiento de la gra#ica, donde es reali&ado por el )*P =a que no se puede observar el comportamiento de la corriente PRE UNTAS " #C$mo se o%&iene la c r'a carac&er(s&ica de n diodo )or el modelo e*ac&o+ ,resen&e la relaci$n ma&em-&ica del modelo ! na &ra.a del mismo. ,e observa en el grafico 1 y el grafico 3 un tipo de comportamiento e(ponencial donde se anali&a la barrera de potencial de cada uno de los diodos traba$ados, esta es cuando la gra#ica cambia bruscamente de pendiente. ,e pudo demostrar que la barrera de potencial del diodo de silicio es apro(imadamente de 7.8v y en el de germanio es de 7.9v' esto lleva a un acercamiento a los valores tericos. *dem!s tambi.n se pudo observar un que despu.s de la barrera de potencial la gra#ica tenia un comportamiento donde seg5n pendiente podamos encontrar la resistencia interna del diodo. En el caso del diodo de germanio se noto una restencia mayor a la encontrada en el diodo de silicio. En la grafica 2 y 4 se anali&o que e(iste una corriente mnima que va variando muy levemente con respecto a los incrementos de volta$e. En el diodo de silicio se observo que el incremento de la corriente #ue menor al incremento de la corriente producida por el diodo de germanio. En la fig ra 1 ! 3apreciamos el comportamiento del volta$e en el diodo. En estas gra#icas del osciloscopio vimos que la se+al del generador se recorto, este #enmeno se produ$o ya que el diodo conduce en una sola direccin que es en directa. En la gra#ica en osciloscopio del diodo de silicio se noto que el espacio era m!s grande en el e$e "ori&ontal "acia aba$o, que el espacio que tenia el diodo de germanio, ya que la barrera de potencial del diodo de germanio es mayor que la del diodo de silicio variaba este espacio. Para obtener la curva caracterstica de un diodo por el modelo e(acto se deben dar valores de volta$es di#erentes e ir gra#icando, teniendo en cuenta que se encuentra a una temperatura ambiente que es de >?@C. En esto tenemos en cuenta la ecuacin ,"oAley que nos describe el comportamiento real de un diodo y ac! misma rempla&ando los volta$es.

Buedando la gra#ica del diodo similar a esta.

"#/ 0 cons&an&es se in'ol cran en el modelo+ 2as constantes en el modelo sonC 2a temperatura, la corriente de saturacin,

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"1eg2n el modelo e*ac&o3 #4 0 relaci$n ma&em-&ica e*is&e en&re la corrien&e del diodo ! el 'ol&a5e de la 5 n& ra ,"6+ "7*)li4 e 4 e es el 'ol&a5e )ico in'erso del diodo semicond c&or. " #C -l es la corrien&e )romedio de los diodos em)leados en la )r-c&ica+ " Cons l&e so%re el &iem)o de res) es&a a la conm &aci$n )ara los diodos em)leados en la )r-c&ica. ",ara n diodo3 #4 0 es la corrien&e de )or&adores minori&arios+ CONCLUCIONES El diodo solo conduce en una direccin que es cuando esta polari&ado en directa =a que el diodo conduce en una sola direccin #unciona como como un recortador! El volta$e umbral vara en el diodo dependiendo al material con el que est. #abricado, as mismo varia su resistencia. 2a corriente en inversa en el diodo de germanio es mayor a la del diodo de silicio El volta$e en inverso en los diodos es igual al que suministra la #uente, respetando su volta$e de ruptura, ya que si se supera puede "aber un gran aumento de portadores minoritarios da+ando a el diodo Day que tener en cuenta las especi#icaciones del diodo para emplear su optimo #uncionamiento en el circuito empleado. El volta$e del diodo aumenta a medida que el volta$e de la #uente aumenta ya que el punto de traba$o varia.