Ivestigacion Diodos

UNIVERSIDAD DE GUANAJUATO TAREA: Investigacin sobre DIODOS CIRCUITOS ELECTRNICOS I Jacob Gonzlez
Abstract: In this paper we conduct an investigation of the diodes art, history, types, operation, characteristics and applications. INTRODUCCIN Los diodos se utilizan en la industria moderna para la transformacin de corriente alterna en tensin continua. Adems se puede estabilizar la tensin y la corriente en la tcnica electrnica con ellos sin mencionar que para aspectos pticos, los diodos de lser son adecuados. Es por lo cual la importancia de conocer e indagar sobre estos dispositivos. RESUMEN En el presente trabajo se plasmara todo el arte de los diodos; historia, tipos, funcionamiento, caractersticas y aplicaciones. DESARROLLO Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un cortocircuito con muy pequea resistencia elctrica.
HISTORIA.
En la actualidad, la totalidad de los equipos y dispositivos electrnicos que se usan incluyen en sus circuitos varios tipos diferentes de semiconductores de estado slido, entre los que se encuentran los diodos. Sin embargo, durante la primera mitad y principios de la segunda mitad del siglo XIX era muy comn emplear vlvulas electrnicas de vaco en los circuitos electrnicos analgicos de radios, televisores y otros dispositivos domsticos e industriales. Esas vlvulas se conocan tambin por el nombre de vlvulas termoinicas, debido a que requeran un calentamiento previo y constante de un ctodo situado en el interior de una ampolla de vidrio al vaco (o tambin con revestimiento metlico en lugar de vidrio en algunos tipos de vlvulas) (fig.1), para que comenzara la emisin electrnica que las pona en funcionamiento. La emisin electrnica se estableca siempre desde el ctodo (negativo) en direccin a un nodo (positivo), que se encontraba tambin colocado en el interior de la vlvula.
Fig.1 Antigua vlvula electrnica o termoinica de vaco del tipo doble diodo. Esta vlvula que se muestra en la foto era de cristal y meda 12 cm del alto aproximadamente (sin considerar. las patas).
Uno de los primeros tipos de vlvulas de vaco que se emplearon en los primeros circuitos electrnicos analgicos fue la vlvula diodo, inventada por Sir Ambrose Fleming (1849 1845). Esa vlvula slo se poda emplear en las siguientes funciones: 1.- Cmo rectificadora, para convertir la corriente alterna (C.A.) en pulsante o en corriente directa (C.D.). 1
2.- Como detectora de las seales moduladas de alta frecuencia o radiofrecuencia que emiten las estaciones de radio, televisin y otras emisiones inalmbricas. La deteccin consiste en separar o demodular el sonido de baja frecuencia (audiofrecuencia) que viaja con las ondas portadoras de alta frecuencia, para que se puedan convertir de nuevo en audibles despus de ser amplificadas. Alrededor de la dcada de los aos 50 del siglo XIX y paralelamente al empleo de las vlvulas de vaco, se comenzaron a emplear tambin diodos semiconductores de selenio (Se) (fig.2) como rectificadores de corriente alterna solamente. Estos rectificadores tenan la ventaja sobre las vlvulas de vaco que podan soportar el paso de cargas de corriente elctrica de mayor amperaje sin necesidad de tener que calentarlos previamente.
Fig.2 Rectificador de onda completa formado por varios grupos de chapas o placas semiconductoras individuales de selenio (Se).
De igual forma se emplearon tambin otros rectificadores similares a los de selenio, pero compuestos por chapas redondas, con la diferencia que empleaban xido de cobre (CuO2) como elemento semiconductor. Para unir todas las chapas que podan contener esos dos tipos diodos rectificadores, se atravesaba un tornillo a travs de un orificio que tena abierto cada una de sus placas en el centro y a continuacin se fijaban y apretaban todas firmemente por medio de una tuerca que se enroscaba a cada uno de los extremos del propio tornillo. Hoy en da se emplea diodos semiconductores de estado slido (fig.3), fabricados en su mayora a partir del cristal de silicio (Si). Estos semiconductores poseen la ventaja sobre las antiguas vlvulas termoinicas de tener un tamao muchsimo ms pequeo, poseer muy poco peso, no requerir del calentamiento del ctodo para que se efecte la emisin electrnica y tener un costo de fabricacin y precio de venta al usuario muchsimo ms bajo.
Fig3.-Arriba.- Smbolo grfico general de identificacin de un semiconductor diodo. Abajo.- Aspecto externo real de un diodo de silicio de estado slido en el cual el nodo (positivo) sera el extremo que se ha sealado con la letra A y el ctodo (negativo) el extremo opuesto, sealado con la letra K. Este extremo est siempre rodeado por una franja color plata para identificar que corresponde al ctodo.
DIODOS DE UNIN P-N.

Un diodo de estado slido se forma cuando se unen dos piezas de cristal semiconductor compuestas por tomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de forma diferente. Durante el proceso de fabricacin del diodo ambas piezas se someten por separado a un proceso denominado dopado consistente en aadirle a cada una impurezas diferentes, procedentes de tomos de elementos semiconductores tambin diferentes. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de electrones en su estructura atmica (lo que produce la aparicin de huecos) y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones. El siguiente paso para construir el diodo es unir la pieza de conduccin positiva tipo-p o P con la pieza de conduccin 2
negativa tipo-n o N. De esa forma se obtiene un diodo semiconductor de silicio de unin o juntura p-n, en el que la parte positiva P constituye el nodo (A) y la parte negativa N el ctodo (K). Unin p-n Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc. Cuando la unin positiva-negativa p-n de un diodo semiconductor se encuentra en equilibrio por no encontrarse energizado, los niveles de fermi se igualan o emparejan a ambos lados de la unin. Para que se pueda establecer un flujo electrnico a travs del diodo, ser necesario suministrarles energa a los electrones que se encuentran debajo de la lnea del nivel de fermi para que se puedan mover hacia arriba y pasar a la banda de conduccin y unirse a los huecos (fig.4).
Fig.4 Zona de deplexion y bandas de conduccin.
POLARIZACIN DIRECTA DEL DIODO
Cuando un diodo semiconductor lo polarizamos de forma directa conectndole una fuente de fuerza electromotriz o suministro elctrico, su lado P se vuelve ms positivo, lo que ocasiona que se cree una diferencia en altura del nivel de fermi en la parte negativa del diodo (fig.5). Esto facilita que los electrones libres en esa parte alcancen la banda de conduccin y puedan atravesar la unin o juntura p-n pasando a llenar los huecos presentes al otro lado de la unin. La situacin que se produce se puede interpretar como: electrones movindose en un sentido y huecos movindose en sentido opuesto.
Fig.5 Comportamiento de la unin en polarizacin directa.
Por tanto, en un diodo polarizado de forma directa, los electrones de la parte negativa (N) que han sido elevados a la banda de conduccin, as como los que se han difundido a 3
travs de la unin p-n, poseen ms energa que los huecos presentes en la parte positiva (P). De esa forma los electrones se combinan sin esfuerzo con esos huecos, establecindose un flujo de corriente electrnica a travs de la unin p-n, en direccin al polo positivo de la batera POLARIZACIN INVERSA DEL DIODO
Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma inversa, el lado positivo P de la unin p-n se vuelve negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la batera). En esas condiciones el nivel de fermi correspondiente a esa parte positiva crece en altura, impidiendo as que los electrones se puedan mover a travs del cristal semiconductor (Fig.6). Al estar polarizado de forma inversa la zona de deplexin se ampla. Adems, la diferencia de altura del nivel de fermi en la parte positiva P del diodo aumenta, mientras que en la parte negativa N disminuye. Por tanto, bajo esas circunstancias los electrones presentes en la parte negativa carecern de la suficiente energa para poder atravesar la unin p-n.
Fig.6 Comportamiento de la unin en polarizacin inversa.
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO.

Puede demostrarse mediante la fsica del estado slido que las caractersticas generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente ecuacin:
La ecuacin del diodo suele escribirse en ocasiones:
Fig.7 Curva caracterstica del diodo.
Conceptos. Tensin Umbral V. Tambin es conocida como tensin de codo. Para valores de tensin inferiores a V la corriente es muy pequea (an en polarizacin directa). El diodo no conduce bien hasta que la tensin aplicada sobrepasa la barrera de potencial. Por esto, para las primeras decenas de voltio la corriente es muy pequea. A medida que nos acercamos al valor de V los portadores mayoritarios de las respectivas zonas (e- de la zona n y h+ de la zona p) comienzan a atravesar la unin en grandes cantidades, por lo que la corriente crece rpidamente (de forma exponencial, como ya se ha comentado). Para tensiones superiores a la tensin umbral, pequeos aumentos de tensin producen grandes aumentos de corriente. El valor de esta tensin de 0,7 V para el Si y de 0,3 V para el Ge. Corriente inversa de saturacin IS. Tambin se la conoce como corriente de fugas (IO). Est originada trmicamente, no depende de la tensin aplicada, sino de la temperatura. Se puede decir que su valor se duplica cada 10 C. 5
Corriente de pico. Es la mxima corriente que puede soportar el diodo en directa sin quemarse. Es un dato que proporciona el fabricante en las hojas de caractersticas del dispositivo (datasheets) y nos da distintos valores dependiendo del tipo de corriente que circule por el diodo (no ser lo mismo si la corriente es continua, si es alterna o si son picos de sobre corriente).
Tensin de ruptura. Cuando en un diodo aplicamos una tensin inversa, a su travs circula la corriente inversa de saturacin (IS) y en la zona de carga aparece una tensin igual a la tensin inversa aplicada. Sin embargo, esta tensin no puede aumentarse todo lo que se desee ya que existe un valor de tensin (tensin de ruptura) a partir del cual el diodo comienza a conducir intensamente. Para pequeos aumentos de tensin inversa se tienen grandes incrementos de corriente. Si no conseguimos evacuar toda la potencia calorfica generada por efecto Joule, el diodo se rompe. Esta ruptura se puede deber a dos efectos: Efecto avalancha. Efecto Zener. Efecto avalancha. Al mismo tiempo que la tensin a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la velocidad de los portadores minoritarios (responsables de IS) tambin se incrementa. A la larga, sus velocidades y sus energas cinticas sern suficientes para liberar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras atmicas de otro modo estables. Esto es, resultar un proceso de ionizacin por medio del que los e- de valencia absorbern energa suficiente para abandonar el tomo padre. Estos portadores adicionales pueden as ayudar al proceso de ionizacin, hasta el punto en que se establezca una elevada corriente de avalancha y se determina la regin de ruptura de avalancha. Efecto Zener. Cuando un diodo est muy dopado la zona de deplexin es muy estrecha. A causa de ello, el campo elctrico en esta zona es muy intenso. Cuando el campo elctrico es muy elevado (300 000 V/cm) el campo puede extraer los e- de sus rbitas de valencia. La creacin de e- libres de esta manera recibe el nombre de efecto zener (tambin conocido como emisin de campo intenso). Este efecto es diferente del efecto avalancha que requiere que los portadores minoritarios con grandes velocidades desliguen e- de valencia mediante choques. El efecto zener depende solamente de la intensidad del campo elctrico. El efecto zener ocurre para valores de tensin inferiores a 4 V, mientras que el efecto avalancha requiere tensiones superiores a 6 V. Para valores de tensin comprendidos entre los 4 y los 6 V pueden coexistir ambos efectos sin prevalecer uno sobre otro. A la mayora de los diodos no se les permite llegar a la ruptura (usualmente > 50 V). Sin embargo, en otros casos, se busca trabajar en la zona inversa (diodos zener.)
EL DIODO COMO ELEMENTO DE UN CIRCUITO
Resolviendo se obtiene que:
APROXIMACIONES DEL DIODO
Primera Aproximacin.
Se pueden distinguir 3 zonas distintas de funcionamiento: a) Diodo en polarizacin inversa (VD 0)

En esta zona la curva del diodo es una recta que pasa por el origen de pendiente 1/Rr, por tanto, el diodo se comporta como una resistencia de valor Rr.
b) Diodo en directa con tensin menor que la tensin umbral (0 VD V) En esta zona el diodo se comporta como un circuito abierto (la corriente travs de l es nula independientemente de la tensin).
c) Diodo en conduccin (VD V) En esta zona la curva caracterstica del diodo es una recta que corta al eje de tensiones en el punto V y tiene una pendiente 1/Rf. Es decir, se comporta como una resistencia en serie con una fuente de tensin de valor V. (Es importante observar que el polo positivo de esta fuente debe estar del lado del nodo y el negativo del ctodo)
Segunda Aproximacin.
Surge al despreciar el efecto de la resistencia en inversa (esta es de un valor muy elevado, del orden de los M). El valor de esta resistencia normalmente es mucho mayor que los valores de las resistencias utilizadas en los circuitos ms habituales, por tanto podremos aproximar que su valor es infinito. Ahora se pueden distinguir 2 zonas de funcionamiento: a) Diodo en corte (VD V)
b) Diodo en conduccin (VD V)
Tercera aproximacin.
Cuando un diodo est en conduccin la resistencia que opone al paso de la corriente es muy pequea (Rf es del orden de unos pocos ). Si en el circuito en el que se encuentre el diodo, las resistencias presentes son de valores muy superiores al de Rf (esto sucede habitualmente en la mayora de las aplicaciones prcticas), podremos despreciar esta resistencia haciendo Rf = 0. De esta forma surge la tercera aproximacin. Se obtienen dos zonas de funcionamiento.
a) Diodo en corte (VD V)
b) Diodo en conduccin (VD V)
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Cuarta aproximacin. Diodo ideal.
Si el diodo es de Si, sabemos que V = 0,7 V (0,2 V si fuese de Ge). Por tanto, si las tensiones con las que trabajamos en el circuito son muy superiores a este valor, podremos despreciar estos 0,7 V sin cometer un gran error. La cuarta aproximacin, conocida como diodo ideal, surge al despreciar V. a) Diodo en corte (VD 0)
b) Diodo en conduccin (VD 0)
Cuando se utiliza la aproximacin de diodo ideal, podemos observar como el funcionamiento de un diodo se asemeja al de un interruptor.
CAPACIDADES Los modelos anteriormente descritos son para gran seal, es decir, cuando las variaciones de la tensin aplicada son grandes respecto al nivel de polarizacin. Cuando la amplitud de la seal aplicada es pequea respecto a la de polarizacin se utilizan los modelos de pequea seal (fig.8).
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Fig.8 Modelos de pequea seal para el diodo a) polarizacin directa y b) polarizacin inversa.
Donde: rd = resistencia incremental o dinmica en directa. rr = resistencia incremental o dinmica en inversa. CD = capacidad de difusin CT = capacidad de transicin o de unin.
Capacidad de transicin o de unin. Aparece cuando se aplica al diodo una tensin inversa. La polarizacin inversa provoca que los portadores mayoritarios se alejen de la unin, dejando descubiertas ms cargas inmviles. De ah que el espesor de la zona de carga espacial aumente con la tensin inversa. Esta variacin de carga con la tensin aplicada puede considerarse como un efecto de capacidad. Capacidad de difusin. Cuando estamos en polarizacin directa aparece una capacidad CD mucho mayor que la vista anteriormente CT. El origen de esta capacidad reside en el almacenamiento de cargas inyectadas cerca de la unin. La cuanta de este almacenamiento de carga viene determinada por el grado de polarizacin directa. Es decir hay una variacin de la carga almacenada con la tensin aplicada. Ambas capacidades descritas aparecen a la vez con polarizaciones directas e inversas, sin embargo, en directa CD >> CT y en polarizacin inversa CD << CT. Hay que sealar que el efecto de las capacidades slo se tiene en cuenta cuando se trabaja con seales pequeas y frecuencias elevadas.
TIPOS DE DIODOS Diodo LED El primer LED que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick Holonyak en 1962.
Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED (acrnimo del ingls de Light-Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz coherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula por l una corriente elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben el nombre de UV LED (UltraV'iolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode). Principio de funcionamiento. El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se puede manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El que esa energa perdida al pasar un electrn de la banda de conduccin a la de valencia se 12
manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de energa (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden re-combinarse, es decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico superior a otro inferior ms estable. Este proceso emite con frecuencia un fotn en semiconductores de banda prohibida directa o "direct bandgap" con la energa correspondiente a su banda prohibida. Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe circular por l vara segn su aplicacin. Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED corriente estn comprendidos entre los 10 y los 40 mA.
El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (LED orgnicos), fabricados con materiales polmeros orgnicos semiconductores. Aunque la eficiencia lograda con estos dispositivos est lejos de la de los diodos inorgnicos, su fabricacin promete ser considerablemente 13
ms barata que la de aquellos, siendo adems posible depositar gran cantidad de diodos sobre cualquier superficie empleando tcnicas de pintado para crear pantallas a color.
Representacin del diodo LED.
APLICACIONES Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como en dispositivos detectores. Los LEDs se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.) y en paneles informativos. Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras, agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED. El uso de diodos LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus prestaciones son superiores a las de la lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, desde diversos puntos de vista. Asimismo, con LEDs se pueden producir luces de diferentes colores con un rendimiento luminoso elevado, a diferencia de muchas de las lmparas utilizadas hasta ahora, que tienen filtros para lograr un efecto similaR. Los LEDs de Luz Blanca son uno de los desarrollos ms recientes y se pueden considerar como un intento muy bien fundamentado para sustituir las bombillas actuales por dispositivos mucho ms ventajosos Tambin se utilizan en la emisin de seales de luz que se trasmiten a travs de fibra ptica.
Diodo lser.- Constituye un tipo especial de LED, cuya caracterstica es emitir un haz de luz coherente. Se emplea en equipos lectores-grabadores de CDs y DVDs, punteros de sealizacin, impresoras digitales, escneres, lectores de cdigo de barras, equipos de ciruga, maquinaria industrial, etc.
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Fotodiodo.- Este es un elemento semiconductor de funcionamiento opuesto a los LEDs, pues en lugar de emitir luz funciona slo al recibirla. Cuando sobre la superficie del elemento semiconductor incide algn rayo de luz, la corriente elctrica comienza a fluir por su circuito electrnico externo, activando as al dispositivo al que est conectado. Su principal uso es como sensor en circuitos automticos.
Diodo Varicap
El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
APLICACIONES La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensin). En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.
Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky. El diodo Schottky en lugar de construirse a partir de dos cristales semiconductores de unin tipo p-n, utiliza un metal como el aluminio (Al) o el platino (Pt) en contacto con un cristal semiconductor de silicio (Si) menos dopado que el empleado en la fabricacin de un diodo normal. Esta unin le proporciona caractersticas de conmutacin muy rpida durante los cambios de estados que ocurren entre la polarizacin directa y la inversa, (menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin 15
conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a Ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente. Funcionamiento. A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida. Caractersticas La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido. La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.
APLICACIONES El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL con la misma potencia.
Diodo Tnel o Esaki

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
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caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin.
Caractersticas, principio de funcionamiento y aplicaciones. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Diodo Zener
Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Smbolo Diodo Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de tensin de ruptura. En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio. Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin. Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en la carga (RL) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la tensin de entrada VS.
Para elegir la resistencia limitadora R adecuada se calcula primero cul puede ser su valor mximo y mnimo, despus se elige una resistencia R adecuada a los clculos. 17
Donde: Rmin es el valor mnimo de la resistencia limitadora. Rmax es el valor mximo de la resistencia limitadora. Vsmax es el valor mximo de la tensin de entrada. Vsmin es el valor mnimo de la tensin de entrada. Vz es la tensin Zener. ILmin es la mnima intensidad que puede circular por la carga, en ocasiones, si la carga es desconectable, ILmin suele tomar el valor 0. ILmax es la mxima intensidad que soporta la carga. Izmax es la mxima intensidad que soporta el diodo Zener. Izmin es la mnima intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse dentro de su zona zener o conduccin en inversa (1mA). La resistencia que se elige, debe estar comprendida entre los dos resultados obtenidos. La resistencia de carga del circuito (RL) debe cumplir la siguiente frmula:
APLICACIONES
Los diodos Zener generan ruido. Por esa caracterstica, son usados en los generadores de ruido y puentes de ruido.
Diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas. Disipacin de potencia. Potencia mxima disipable (Pmx) Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo. Potencia media disipada (PAV) 18
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como:
Al realizar algunas modificaciones no resulta: Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM) Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico. Caractersticas trmicas Temperatura de la unin (Tjmx) Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo. Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula: Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable. Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc). Proteccin de sobre intensidades Principales causas de sobre intensidades La causa principal de sobre intensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica). rganos de proteccin 19
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos. Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin. Parmetro I2t La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
Diodos rectificadores para baja frecuencia
Diodos Schotkky
Caractersticas IFAV: 1A 6000 A VRRM: 400 3600 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) trr: 10 s Aplicaciones Rectificadores de Red. Baja frecuencia (50Hz).
Caractersticas IFAV: 1A 120 A VRRM: 15 150 V VFmax: 0,7V (a IFAVmax) trr: 5 ns Aplicaciones Fuentes conmutadas. Convertidores. Diodos de libre circulacin. Cargadores de bateras.
Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast)
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin)
Caractersticas IFAV: 30A 200 A VRRM: 400 1500 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) trr: 0,1 - 10 s Aplicaciones Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz). Inversores. UPS. Accionamiento de motores CA.
Caractersticas IFAV: 0,45A 2 A VR: 7,5kV 18kV VRRM: 20V 100V trr: 150 ns Aplicaciones Aplicaciones de alta tensin.
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Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)
IFAV: 50A 7000 A VRRM: 400V 2500V VF: 2V trr:10 s Aplicaciones Aplicaciones de alta corriente.
Caractersticas
DIODOS COMO RECTIFICADORES (APLICACIONES)

La rectificacin de una corriente alterna (C.A.) para convertirla en corriente directa (C.D.) es una de las tecnologas ms antiguas empleadas en los circuitos electrnicos desde principios del siglo pasado, incluso antes que existieran los elementos semiconductores de estado slido, como los diodos de silicio que conocemos en la actualidad.
Rectificador de media onda Es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una seal de corriente alterna de lleno conducen cuando se polarizan inversamente.
Polarizacin directa (Vi > 0) En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restriccin. Los voltajes de salida y de entrada son iguales, la intensidad de la corriente puede calcularse mediante la ley de ohm.
Polarizacin inversa (Vi < 0) Vo = 0 Vdiodo = Vi I=0
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En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. No existe corriente por el circuito, y en la resistencia de carga RL no hay cada de tensin, esto supone que toda la tensin de entrada estar en los extremos del diodo.
Rectificador de onda completa Es un circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua. Hay dos formas de llevar a cabo este circuito, mediante 2 diodos o 4 diodos: Rectificador con dos diodos. En el circuito ambos diodos no pueden encontrarse simultneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a las que estn sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrar polarizado inversamente y el otro directamente.
Tensin de entrada positiva El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce), mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de entrada.
Tensin de entrada negativa El diodo 2 se encuentra en polarizacin directa (conduce), mientras que el diodo 1 se encuentra en polarizacin inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensin mxima del secundario.
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Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos. Slo son posibles dos estados de conduccin, o bien los diodos 1 y 3 estn en directa y conducen (tensin positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensin negativa).
Un puente rectificador de cuatro diodos funciona de la siguiente forma: como se puede observar en la parte (A) de la fig.9 , durante el primer medio ciclo negativo () de la corriente que proporciona la fuente de suministro alterna (C.A.) conectada al puente rectificador, los electrones atraviesan primero el diodo (1), seguidamente el consumidor (R) y despus el diodo (2) para completar as la circulacin de la corriente de electrones por una mitad del circuito correspondiente al puente rectificador. Como aclaracin, al llegar los electrones en su recorrido al punto de conexin (a), no pueden atravesar el diodo (4) porque, de acuerdo con la colocacin que ste ocupa en el circuito, bloquear o impedir la circulacin de los electrones en ese sentido. Una vez que los electrones continan su recorrido, al llegar al punto de conexin (b), tampoco pueden atravesar el diodo (4), porque la corriente de electrones nunca circula en direccin a su propio encuentro (de forma similar a como ocurre con la corriente de agua en un ro), sino que siempre se mueve en direccin al polo opuesto de la fuente de suministro que le proporciona la energa elctrica, o sea, el polo positivo de la corriente alterna (C.A.) en este caso. En la parte (B) de la ilustracin podemos ver que la corriente alterna cambia la polaridad y, por tanto, el sentido de circulacin de los electrones. En esta ocasin, los electrones atraviesan primeramente el diodo (3), a continuacin atraviesan el consumidor (R) y, por ltimo, el diodo (4) para retornar a la fuente de suministro elctrico y completar as el circuito. De forma similar a lo ocurrido en el ciclo anterior, ahora el diodo (1) es el encargado de bloquearle el paso a los electrones para que se puedan dirigir en direccin al consumidor (R), mientras que el diodo (2) tampoco pueden atravesarlo los electrones, porque no pueden ir a su propio encuentro, tal como ocurre en el medio ciclo anterior.
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Fig.9 Funcionamiento Rectificador de 4 diodos de onda completa
A diferencia del caso anterior, ahora la tensin mxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior), la misma que han de soportar los diodos en inversa, al igual que en el rectificador con dos diodos.
Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con diodos. Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz. RECTIFICADOR CON FILTRO A LA SALIDA DE LA CORRIENTE DIRECTA Si se requiere que un dispositivo rectificador de onda completa entregue una corriente directa lo ms lineal posible, se puede colocar un filtro compuesto por uno o dos capacitores electrolticos polarizados, como los (C1) y (C2) (Fig.10) de abajo, conectados a la salida del circuito de la corriente directa (C.D.) ya rectificada.
Fig.10 Rectificador con filtro, capacitores.
Adems de dichos capacitores se debe aadir al filtro una resistencia (R) (Fig.10), o una inductancia (L) (Fig.11) conectada entre los dos capacitores. La funcin del filtro consiste en compensar las variaciones o deformaciones residuales que puedan haber quedado remanentes en la corriente rectificada. Para ello durante el medio ciclo negativo los capacitores se cargan y durante el siguiente medio ciclo positivo se descargan para rellenar los espacios sin carga que se crean entre una cresta y la otra, correspondientes a las medias ondas de la corriente rectificada.
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Fig.11 Rectificador con filtro, capacitores e inductancia.
Sin embargo, algunos equipos y dispositivos electrnicos (sobre todo los de sonido, por ejemplo), requieren de una corriente directa rectificada lo ms pura o lineal posible, por lo que para obtener ese resultado ser necesario colocar un transistor a continuacin del filtro, en funcin de estabilizador.
Fig.12 Rectificador con filtro, capacitores, inductancia y transistor o estabilizador.
Los rectificadores de onda completa tienen una amplia utilizacin en diferentes tipos de dispositivos como son los adaptadores de corriente que emplean diferentes equipos electrnicos, as como en los cargadores de batera que utilizan telfonos mviles, cmaras fotogrficas digitales, reproductores mp3,ordenadores porttiles y muchos otros equipos electrodomsticos y electrnicos ms, que funcionan con corriente directa. De esa forma un puente rectificador permite que cualquier dispositivo o equipo de corriente directa (C.D.) se pueda conectar a la red de corriente alterna (C.A.) domstica para poderlo utilizarlo de esa forma o, de lo contrario, cargar sus bateras.
CONCLUSIONES Mediante la investigacin se adquirieron nuevos conceptos, adems de reforzar los ya vistos en clase. As como tambin se pudo notar la importancia de la aplicacin de estos dispositivos; as como la generalidad de sus mltiples aplicaciones en la rama de la electrnica y elctrica.
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REFERENCIAS [1] Internet, As Funcionan los diodos, url: http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_9.htm [2] Internet, Que es un diodo, url: http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_7.htm [3] Internet, Los diodos y sus aplicaciones, url: http://www.monografias.com/trabajos-pdf/diodosaplicaciones/diodos-aplicaciones.pdf [4] Internet, Teora del diodo, url: http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema2-teoria.pdf [5] Internet, Diodos de potencia, url: http://www.ecured.cu/index.php/Diodos_de_potencia [6] Internet, El diodo de potencia url: http://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html
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Ivestigacion Diodos

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UNIVERSIDAD DE GUANAJUATO TAREA: Investigacin sobre DIODOS CIRCUITOS ELECTRNICOS I Jacob Gonzlez

DIODOS DE UNIN P-N.

Fig.4 Zona de deplexion y bandas de conduccin.

POLARIZACIN DIRECTA DEL DIODO

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO.

La ecuacin del diodo suele escribirse en ocasiones:

Fig.7 Curva caracterstica del diodo.

EL DIODO COMO ELEMENTO DE UN CIRCUITO

Resolviendo se obtiene que:

APROXIMACIONES DEL DIODO

Se pueden distinguir 3 zonas distintas de funcionamiento: a) Diodo en polarizacin inversa (VD 0)

b) Diodo en conduccin (VD V)

b) Diodo en conduccin (VD V)

Cuarta aproximacin. Diodo ideal.

b) Diodo en conduccin (VD 0)

Representacin del diodo LED.

Diodo Tnel o Esaki

Diodos rectificadores para baja frecuencia

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast)

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin)

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

DIODOS COMO RECTIFICADORES (APLICACIONES)

Polarizacin inversa (Vi < 0) Vo = 0 Vdiodo = Vi I=0

Fig.9 Funcionamiento Rectificador de 4 diodos de onda completa

Fig.10 Rectificador con filtro, capacitores.

Fig.11 Rectificador con filtro, capacitores e inductancia.

Fig.12 Rectificador con filtro, capacitores, inductancia y transistor o estabilizador.

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