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APUNTE: CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET

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Derechos Reservados Titular del Derecho: INACAP N de inscripcin en el Registro de Propiedad Intelectual # ___ . ____ de fecha ___-___-___. INACAP 2002.

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INDICE
Construccin y Caractersticas de los JFET. Relaciones de Corrientes y Voltajes.. Aplicacin de la Ecuacin de Shockley. El JFET v/s El Transistor (BJT)... Polarizacin del JFET... Modelo Simple del JFET en Seal Pequea Mosfet..... Construccin bsica de un Mosfet de tipo decremental de un empobrecimiento..................................................................................... Operacin y Caractersticas bsicas del Mosfet de empobrecimiento.... Manejo de los Mosfet Cmos....... Pg. 04 Pg. 07 Pg. 08 Pg. 09 Pg. 09 Pg. 11 Pg. 12 Pg. 12 Pg. 13 Pg. 16 Pg. 16

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CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET.


El JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos terminales. En general hay dos tipos de JFET, denominadas de canal N y canal P. Para el anlisis utilizaremos fundamentalmente el JFET canal - N y por analoga se darn prrafos dedicados a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal - P. La construccin bsica del JFET de canal - N se muestra en la figura 1. Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (G). Por tanto, el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura 1, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conduccin a travs de la regin.

a) Estructura

b) Simbologa

Figura #1: Transistor de unin de efecto de campo (JFET) canal N. Muy pocas veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero la analoga hidrulica de la figura 2 proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presin del agua puede asemejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo de agua (equivalente al flujo de electrones) desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la

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fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura 1, debido a que la terminologa se define para el flujo de electrones.

Figura #2: Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET. (VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo) En la figura 3 se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura 1. En el instante que el voltaje VDD ( = VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura 3. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las corrientes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = IS). Bajo las condiciones que aparecen en la figura 3, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.

Figura #3: JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V. Es importante observar que la regin de agotamiento es ms ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. La razn para el cambio en la anchura de la regin se puede describir mejor considerando que entre Drain y Gate, se tiene un diodo polarizado inverso, por tal razn, se tendr una zona desierta en la juntura. Esta situacin es distinta con respecto al Source pues en el
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no se tiene un diodo inverso. El hecho de que la unin p-n est inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta (Gate) de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A es una importante caracterstica del JFET. En cuanto el voltaje VDS se incrementa de O a unos cuantos voltios, la corriente aumentar segn se determina por la ley de Ohm, pues el canal N representa a una resistencia de bajo valor. La grfica de ID versus VD S aparecer como se ilustra en la figura 4. La relativa linealidad de la grfica revela que para la regin de valores inferiores de VD S, la resistencia es esencialmente una constante. A medida que VD S se incrementa y se aproxima a un nivel denominado como Vp en la figura 4, las regiones de agotamiento de la figura 3 se ampliarn, ocasionando una notable reduccin en la anchura del canal. La reducida trayectoria de conduccin causa que la resistencia se incremente, y provoca la curva en la grfica de la figura 4. Cuanto ms horizontal sea la curva, ms grande ser la resistencia, lo que sugiere que la resistencia se aproxima a "infinitos" ohmios en la regin horizontal. Si VD S se incrementa hasta un nivel donde parezca que las dos regiones de agotamiento se "tocaran", como se ilustra en la figura 5, se tendra una condicin denominada como estrechamiento (pinchoff). El nivel de VD S que establece esta condicin se conoce como el voltaje d estrechamiento y se denota por Vp, como se muestra en la figura 4. En realidad, el trmino "estrechamiento" es un nombre inapropiado en cuanto a que sugiere que la corriente iD disminuye, al estrecharse el canal, a 0 A. Sin embargo, como se muestra en la figura 4, es poco probable que ocurra este caso, ya que iD mantiene un nivel de saturacin definido como iDSS en la figura 4. En realidad existe todava un canal muy pequeo, con una corriente de muy alta densidad. El hecho de que iD no caiga por el estrechamiento y mantenga el nivel de saturacin indicado en la figura 4, se verifica por el siguiente hecho: La ausencia de una corriente de drenaje eliminara la posibilidad de diferentes niveles de potencial a travs del canal de material n, para establecer los niveles de variacin de polarizacin inversa a lo largo de la unin p-n. El resultado sera una prdida de la distribucin de la regin de agotamiento, que ocasiona en primer lugar el estrechamiento.

Figura #4: ID contra VDS para VGS =0V. 0V,VDS =Vp).

Figura #5: Estrechamiento (VGS =

A medida que VD S incrementa su valor ms all de Vp, la regin de estrechamiento cubre las dos regiones de agotamiento y aumentar en longitud a lo largo del canal, pero el nivel de ID contina siendo fundamentalmente el mismo una vez que VD S > V. Por o tanto, se puede decir que el JFET posee las caractersticas de una fuente de corriente. Como se muestra en la figura 6, la
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corriente est fija en ID = IDSS, pero el voltaje VD S (para niveles VD S > Vp ) se determina por la carga aplicada. La eleccin de la notacin para IDSS se deriva del hecho de que es la corriente de drenaje a fuente con una conexin en corto circuito de la compuerta a la fuente. Relaciones de corrientes y voltajes: Si consideramos el BJT, podemos obtener que IC = ?*IB. Desgraciadamente, esta relacin lineal no existe entre las cantidades de salida y entrada de un JFET. La relacin entre ID y VGS se define por la ecuacin de Shockley:

Ecc. (1) El trmino cuadrado de la ecuacin dar como resultado una relacin no lineal entre ID y VGS, produciendo una curva que crece exponencialmente con el incremento de los valores de VGS . Para el anlisis de cd , ser ms fcil y directo en general aplicar un enfoque ms grfico que matemtico. Sin embargo, el enfoque grfico requerir una grfica de la ecuacin anterior para representar el dispositivo y una grfica de la ecuacin de la red relacionando las mismas variables. La solucin est definida por el punto de interseccin de las dos curvas. Es importante tener en cuenta cuando se aplique el enfoque grfico, que las caractersticas del dispositivo no se afectarn por la red en la que se emplea el dispositivo. La ecuacin de la red puede cambiar junto con la interseccin entre las dos curvas, pero la curva de transferencia definida por la ecuacin de Shockley (1 ) no se afecta. Por lo tanto, podemos decir que las caractersticas de transferencia definidas por la ecuacin de Shockley se mantienen sin afectarse por la red en la que se emplea el dispositivo. La curva de transferencia puede obtenerse utilizando la ecuacin de Shockley. En la figura 6 se suministran dos grficas con la escala vertical en miliamperes. Para cada grfica. Una es la grfica de ID contra VDS, mientras que la otra es de ID contra VGS. Si observamos las curvas, se puede trazar una lnea horizontal desde la regin de saturacin denotada por VGS = 0 V hasta el eje de ID . El nivel de corriente resultante para ambas grficas es IDSS. El punto de interseccin sobre la curva de ID contra VGS se encontrar como se ilustra, ya que el eje vertical se define como VGS = O V. En resumen: Cuando VGS = 0 V , ID = IDSS.

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Figura #6: Obtencin de la curva de transferencia a partir de las caractersticas de drenaje. Cuando VGS = Vp = -4 V, la corriente de drenaje es de 0 miliamperes, y define otro punto sobre la curva de transferencia. Es decir: Cuando VGS = Vp, ID = 0 mA . Es importante indicar que las caractersticas de drenaje relacionan la corriente de salida (o drenaje) con el voltaje de entrada (o compuerta). Ambos ejes se definen por variables en la misma regin de las caractersticas del dispositivo. Las caractersticas de transferencia son la grfica de una corriente de salida (o drenaje) contra una cantidad controlada de entrada. Existe, por lo tanto, una "transferencia" directa de variables de entrada a variables de salida cuando se emplea la curva a la izquierda de la figura 6. Si la relacin fuera lineal, la grfica de ID contra VGS resultara en una lnea recta entre VDSS y Vp. Sin embargo, se obtendr una curva parablica debido a que el espaciado vertical entre los pasos de VGS sobre las caractersticas de drenaje de la figura 6 decrece notablemente a medida que VGS se hace cada vez ms negativo. Comprese el espaciado entre VGS = O V y VGS = -1 V con el que se da entre VGS = -3 V y el estrechamiento. El cambio en VGS es el mismo, pero el cambio resultante en ID es muy diferente. Si se dibuja una lnea horizontal desde la curva para VGS = -1 V hasta el eje de ID y luego se extiende hasta el otro eje, puede localizarse otro punto sobre la curva de transferencia. Ntese que VGS = -1 V sobre el eje inferior de la curva de transferencia con ID = 4.5 mA. Aplicacin de la ecuacin de Shockley (1) La curva de transferencia de la figura 6, puede obtenerse en forma directa mediante la ecuacin de Shockley (1), dando simplemente los valores de IDSS y Vp. Los niveles de Idss y Vp definen los lmites de la curva sobre ambos ejes y dejan solamente la necesidad de encontrar unos cuantos puntos intermedios de graficacin. La validez de la ecuacin (1) como una fuente para la curva de transferencia de la figura 6 se demuestra mejor al examinar unos cuantos niveles especficos de una variable y hallando el nivel resultante de la otra, en la forma siguiente: Sustituyendo VGS = 0 V se obtiene

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Al sustituir VGS = Vp resulta que

o bien

Como se muestra en la figura 6. Se debe advertir la precaucin con la que se manejan los signos negativos para VGS y Vp en los clculos anteriores, pues, la prdida de un signo dara un resultado totalmente errneo. Dado IDSS y Vp (Valor que proporcionan las hojas de especificaciones), el nivel de ID puede hallarse para cualquier nivel de VGS. A la inversa, por medio del uso de lgebra bsica podemos obtener [de la ecuacin (1)] una ecuacin para el nivel resultante de VGS para un nivel dado de ID dando como resultado:

Ejemplo. Calcule el nivel de VGS que resultar en una corriente de drenaje de 4.5 m A, para el dispositivo con las caractersticas de la figura 6

El JFET V/S EL TRANSISTOR (BJT): La siguiente tabla, nos muestra las relaciones ms importantes entre el transistor bipolar de juntura (BJT) y el transistor de efecto de campo (FET). Lo cual muestra que ambos elementos pueden ser utilizados en forma similar, sin embargo el JFET tiene una impedancia ms alta a la impedancia de entrada del transistor, sin embargo, los JFET tienen la problemtica de trabajar con potencias no muy altas.

Polarizacin del JFET Al igual que el transistor BJT, existen diferentes mtodos de polarizacin, entre los cuales se encuentran: a) Polarizacin de graduador o compuerta como se muestra en la figura #7:

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Figura #7: Polarizacin por Gate Como Ig = 0, entonces Vgs = - Vgg; Luego I ds ? I D ? I DSS ? 1 ? I ds ? I D ? I DSS ? 1 ?

VGS 2 VP

o bin

Vgg 2 VP

Con Vgg < = a Vp.

b) Auto polarizacin como se muestra en al figura #8:

Figura #8: Auto polarizacin En este caso, Vgs = - Ids x Rs, luego,
Ids? Rs 2 VP

I ds ? I DSS ? 1 ?

I ds ? I D ? I DSS ? 1 ?

VGS 2 o VP

bien

En la cual se puede despejar Ids o realizar el trabajo mediante el mtodo grfico, esto es Rs = - (Vgs/Ids), el cual se puede graficar en la curva de transferencia o lado izquierdo de la figura #6 como se muestra en la figura #9.

#9: Mtodo grfico en clculo del punto Q para autopolarizacin

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b) Polarizacin por divisin de voltaje: La figura #10 muestra el circuito de polarizacin por divisor de voltaje

Figura #10: Polarizacin por divisor de voltaje En este caso

Vth ?

Vdd ? R 2 R1? R 2

adems, Vth = Vgs + Id x Rs.

Modelo simple del JFET en seal pequea A diferencia del transistor BJT. En el JFET se tiene su corriente de salida Id en funcin del voltaje de entrada Vgs y su impedancia de entrada Rgs que es muy alta como se muestra en al figura #11.

Figura #11: Circuito equivalente para el FET. Como se puede apreciar en la figura #11, se debe conocer el valor de gm. Sin embargo, podemos decir que gm es la variacin de la corriente de salida ?Id con respecto a la variacin del voltaje de entrada ?Vgs . en trminos diferenciales, podemos decir que Vgs se tiene: I D ? I DSS ? 1 ?

gm ?

?I D ? VGS

Si derivamos la ecuacin 1 con respecto al voltaje

VGS 2 VP

Ecuacin 1, luego:

gm ?

?I D ?VGS

? 2 ? I DSS ? 1 ?

VGS VP

?? ?

1 Vp

Si consideramos como gmo = 2IDSS / Vp entonces, se puede decir que


GS gm ? gmo ? 1 ? V VP

Ecc2.

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Es necesario indicar, que debido a la alta impedancia de entrada, no es necesario realizar amplificadores con Drain comn. La figura #12 muestra un amplificador con FET en modo Surtidor comn.

Figura #12: Amplificador Source comn con JFET

MOSFET
En general hay dos tipos de FET: JFET y MOSFET. Los MOSFET adems se dividen en tipo decremental o empobrecimiento y tipo incremental o enrriquecimiento. Los trminos decremental e incremental definen sus modos bsicos de operacin, mientras que la palabra MOSFET significa transistor de efecto de campo de metal xido semiconductor (metal-oxide-semiconductor-fieldeffect transistor). Puesto que existen diferencias en las caractersticas y operacin de cada tipo de MOSFET. El MOSFET tipo decremental, que parece tener caractersticas similares a las de un JFET entre el corte y la saturacin para IDSS, p ero luego tiene el rasgo adicional de las caractersticas que se extienden dentro de la regin de polaridad opuesta para VGS. Construccin bsica de un MOSFET de tipo decremental o de empobrecimiento. La construccin bsica de un MOSFET de tipo decremental de canal n se esquematiza en la figura 13. Una "plancha" de material tipo p se forma en una base de silicio y se le denomina sustrato. Es el cimiento sobre el que se construir el dispositivo. En algunos casos el sustrato se conecta internamente con la terminal fuente, sin embargo, muchos dispositivos discretos suministran una terminal adicional denominada SS, resultando un dispositivo de cuatro terminales, como el que aparece en la figura 13. Las terminales de fuente y drenaje se conectan a travs de contactos metlicos a las regiones con dopado tipo n unidas mediante un canal n, como se muestra en la figura. La compuerta tambin se conecta a una superficie de contacto metlico pero permanece aislada del canal n por una capa muy delgada aislante de dixido de silicio (SiO2) conocido como un dielctrico. El hecho de que la capa de SiO2 sea una capa aislante revela el hecho siguiente: No hay una conexin elctrica directa entre la terminal de compuerta y el canal para un MOSFET. Adems la capa aislante de SiO2 en la construccin del MOSFET es la que cuenta para la muy conveniente alta impedancia de entrada del dispositivo.

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a) Estructura

b) Simbologa

Figura #13: Mosfet de decrecimiento o empobrecimiento De hecho, la resistencia de entrada de un MOSFET es con frecuencia mayor a la del JFET tpico, aun cuando la impedancia de entrada de la mayora de los JFET sea suficientemente alta para la mayor parte de las aplicaciones. La muy alta impedancia de entrada contina para soportar el hecho de que la corriente de compuerta ( IG ) es esencialmente de cero amperes para las configuraciones polarizadas de cd. La razn para el nombre FET metal-xido-semiconductor es ahora bastante obvia. El metal por las condiciones de compuerta, fuente y drenaje a la superficie, el xido por la capa aislante de dixido de silicio, y el semiconductor por la estructura bsica sobre las que se difunden las regiones tipo n y p. La capa aislante entre la compuerta y el canal ha dado por resultado otro nombre para el dispositivo: FET de compuerta aislada (insulated-gate) o IGFET, aunque esta denominacin se utiliza cada vez menos en la literatura actual. Operacin y caractersticas bsicas del MOSFET de empobrecimiento. En la figura #14 el voltaje compuerta-fuente se fija a cero voltios por la conexin directa de una terminal a la otra, y se aplica un voltaje VDS a travs de las terminales drenaje-fuente. El resultado es una atraccin de los electrones libres del canal n por el potencial positivo del drenaje y una corriente similar a la establecida a travs del canal del JFET. De hecho, la corriente resultante con VGS = O V contina denominndose IDSS.

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Figura #14: MOSFET de decremental de canal n con VGS = 0 V y un voltaje aplicadoVDD. Si observamos el voltaje entre gate y source, podemos decir que este voltaje puede ser tanto negativo (Empobrecimiento) o positivo (Enriquecimiento), pues el canal se ensanchara mas y por tanto se tendr una mayor corriente de drain. La figura #15 muestra la curva del MOSFET de enriquecimiento.

Figura #15: Curvas del MOSFET de enriquecimiento La polarizacin y clculo del punto Q son similares a los clculos realizados para el JFET, al igual que el circuito equivalente para seal alterna y su mayor uso se da en la polarizacin del tipo empobrecimiento.

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Construccin bsica de un MOSFET de tipo incremental o de enriquecimiento. Una variacin de los MOSFET de tipo incremental o de enriquecimiento para que trabaje en modo de enriquecimiento exclusivamente, corresponde a la estructura que muestra la figura #16.

a) Estructura Figura #16: Mosfet de enriquecimiento canal N

b) Simbologa

Como se observa en la figura #16, no existe canal entre Drain y Source, por tanto, la polarizacin del gate debe crearlo, para ello, se tiene que polarizar el Gate positivo, de manera de atraer los electrones libres del sustrato P creando as un canal N artificial. Para ello, los manuales entregan el voltaje mnimo requerido para la construccin del canal N y se denomina Voltaje de umbral VGSth (Threshold Voltage). En este caso las curvas caractersticas del MOSFET de enriquecimiento canal N, solo contienen voltajes positivos entre Gate y Source, sin embrago se debe tener en cuenta que la curva de transconductancia es: Ecc. 3 Donde K es una constante que depende de cada MOSFET. El circuito de polarizacin ms caracterstico para un MOSFET de enriquecimiento canal N se muestra en la siguiente figura#17.

ID ? K ? ? VGS ? VGSth ?

Figura #17: Polarizacin de un MOSFET de enriquecimiento

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MANEJO DE LOS MOSFET La delgada capa de SiO2 entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el efecto positivo de proporcionar una caracterstica de alta impedancia de entrada para el dispositivo, pero debido a que es extremadamente delgada introduce una inquietud acerca de su manejo, la cual no se hizo presente para los transistores BJT o JFET. Con frecuencia hay suficiente acumulacin de electricidad esttica (la cual recogemos de nuestro entorno) para establecer una diferencia de potencial a travs de la delgada capa que puede acabar con ella y establecer la conduccin a travs de la misma. Es imperativo, por tanto, que dejemos la laminilla (o anillo) de cortocircuitado (o conduccin) conectando las terminales del dispositivo juntas hasta que ste se inserte en el sistema. El anillo o segmento de corto circuito previene la posibilidad de que se aplique un potencial a travs de cualquiera de las dos terminales del dispositivo. Con el anillo la diferencia de potencial entre cualquiera de ellas se mantiene a O V. Como mnima precaucin, tquese siempre un conducto a tierra para permitir la descarga de la electricidad esttica acumulada antes de manejar el dispositivo, y siempre tome el transistor por su encapsulado. A menudo existen transitorios (cambios bruscos en voltaje o corriente) en un circuito cuando son removidos o insertados elementos y la fuente de energa est encendida, los niveles transientes pueden ser con frecuencia ms de lo que el dispositivo puede soportar y, por lo tanto, la fuente de energa siempre deber apagarse cuando se efecten cambios en el circuito. El mximo voltaje de compuerta-fuente por lo general es proporcionado por el fabricante del dispositivo. Un mtodo para asegurarse de que no se exceda este voltaje (quizs a causa de efectos transitorios) para cualquier polaridad es introducir dos diodos Zener. Una desventaja introducida por la proteccin Zener es la resistencia de entrada, puesto que la resistencia del diodo zener en estado de bloqueo es menor a la establecida por la capa de SiO2 que tiene el MOSFET. El resultado es una reduccin en la resistencia de entrada, pero aun as es lo suficientemente alta para la mayora de las aplicaciones. CMOS Un circuito lgico muy efectivo se puede establecer al construir un MOSFET de canal p y un MOSFET de canal n sobre la misma compuerta o Gate, como se muestra en la figura 18. La configuracin denominada arreglo MOSFET complementario, abreviada CMOS, tiene una extensa aplicacin en el diseo de computadoras. La impedancia relativamente alta, rpidas velocidades de conmutacin y bajos niveles operativos de energa de la configuracin CMOS han ocasionado el surgimiento de una disciplina completamente nueva conocida como diseo lgico de CMOS.

Figura 18: Inversor CMOS.

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