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UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZAO

Facultad de Ingeniera Escuela De Electrnica Y Telecomunicaciones


Electrnica y laboratorio I

PRACTICA DE LABORATORIO # 4
Integrantes: Fausto Chvez, Hctor Cajilema, Jesica Quillay Curso: 4 A Fecha:31/10/2013 Tema:CURVAS CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN.BJT

OBJETIVO GENERAL

Obtener las curvas caractersticas de salida de un transistor bipolar, apartir de datos experimentales.

OBJETIVOS PARTICULARES

Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base) Aprender a probar transistores. Familiarizarse con la polarizacin de un transistor.

INTRODUCCION

El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura

Zonas que conforman al transistor

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La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el"Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja,mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia. En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra serun PNP. Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones; una entre el emisory la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de losdiodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados:"Diodo de emisor" y "Diodo de colector". El transistor NPN, primeramente cuando estsin polarizar se produce una "Difusin", donde los electrones cruzan de la zona N a la zona P, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas N y P generen iones positivos y negativos. Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrerade potencial de a 0.7 V (para el Si). Se crean dos uniones una unin E-B y otra unin CB. Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e inesperados.Hay 3 configuraciones: Base comn (BC). Emisor comn (EC). Colector comn (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona ACTIVA: UE en Directa y Uc en Inversa. AMPL FICADORES Zona de SATURACIN: UE en Directa y Uc en Directa. CONMUTACIN Zona de CORTE: UE en Inversa y Uc en Inversa. CONMUTACIN Zona ACTIVA INVERTIDA: UE en Inversa y Uc en Directa. SIN UTILIDAD

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Con esto vemos que el transistor puede trabajar de cuatro formas diferentes. El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE. Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse.

Polarizacin del transistor


Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE, despus

eseelectrn baja la barrera de potencial de la Uc para salir por el colector.

Barrera de potencial en el transistor

Este es el efecto transistor de N a P tiene que subir la barrera de potencial pero luego esms de los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombinan enla base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor figura 3.

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La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el"Efecto transistor", la base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa esla razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (porejemplo el 1%), el emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es undispositivo de control.
MATERIALES Y EQUIPOS

Multimetro Digital Osciloscopio con puntas de medicin. 1 Transformador P:120, S:9V, I:450mA Fuente regulada de 12 a 9 V Resistencias de 22K y 220 a 1/2 W. Un transistor 2N3904.(Q1) Un potencimetro de 5k (P1P2). Diodo rectificador 1N4004 (D1) Protoboard

PROCEDIMIENTO

1. Tomamos el transistor npn(2N3904), identificamos la base (B), el colector (C) y el emisor (E) igualmente para el transistor pnp(2N3906).

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2. Con el multimetro configurado como hmetro o como probador de diodos, probamos las uniones BE Y BC en condiciones de polarizacin directa y en condiciones de polarizacin inversa como podemos ver en la figura a y b. Podemos notar que en el primer caso tenemos una lectura de baja resistencia y el segundo caso de alta resistencia, tambin tenemos una lectura de alta resistencia entre el colector (C) y el emisor (E).

Tambien podemos medir la ganancia de corriente()

4. Procedemos armar le diseo de nuestro circuito configurado en emisor comn.

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En lugar de los medidores de corriente (A y mA), colocamos puentes de alambre fcilmente removibles. Utilizaremos el potencimetro P1 para fijar la corriente (IB) y el potencimetro P2 para fijar el voltaje colector emisor (VCE). Las resistencias RB y RC limitan las corrientes IB e IC a valores seguros, la fuente de alimentacin del colector (VCC) puede ser externa o como manera opcional sobre el mismo protoboard utilizando un regulador de tres terminales de 12V (LM340T12).

5. Retiramos el puente del circuito de la base e instalamos en su lugar el multimetro, configurado como A, procediendo a medir la corriente de base (IB). Giramos lentamente hasta que la corriente de base (IB) sea de 150A.

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6. Retiramos el multimetro y reinstalamos el puente del circuito de base y medimos el voltaje resultante entre base y emisor (VBE)

7. Medimos el voltaje colector emisor (VCE) giramos el potencimetro P2 hasta que nos de aproximadamente 6V y tambin medimos la corriente del colector IC.

VCE

IC

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8. Tenemos la tabla para diferentes valores de IB, desde 0A hasta 250A, en pasos de 50A y el VCE de 0 a 12V.

9. Con los datos de la tabla podemos ver la familia de las curvas caractersticas del colector.

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10. A la salida de nuestro circuito cambiamos la fuente por un transformador con un diodo rectificador (1N4004), esta configuracin nos permite transformar la corriente en voltaje para poder visualizar en el osciloscopio.

11. Visualizamos en el osciloscopio, en este caso el canal X (entrada horizontal) monitorea el voltaje colector-emisor (VCE), mientras que el canal Y (entrada vertical) monitorea el voltaje sobre la resistencia del colector (VRC) el cual es directamente proporcional a la IC.

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5.

Conclusiones

Las resistencias RB Y RC limitan las corrientes IB e IC a valores seguros

El (VRC) es directamente proporcional a la IC

6.

BIBLIOGRAFIA http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar http://proyectosutj.scienceontheweb.net/curvas.htm