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Teoria 6

Dispositivos Semicondutores de Potncia Tiristores SCR, GTO, MCT e IGCT

6.1

Tiristores:

O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa seqncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel. A principal vantagem dos tiristores o controle de grande quantidade de energia. Essa caracterstica faz com que esses dispositivos sejam utilizados tanto no controle eletrnico de potncia quanto na converso de energia. 6.2 SCR Retificador Controlado de Silcio:

O tiristor de uso mais difundido o SCR (do ingls Silicon Controlled Rectifier, ou seja, Retificador Controlado de Silcio), usualmente chamado simplesmente de tiristor empregado no controle de altas potncias. Um SCR constitudo por quatro camadas (PNPN), e apresenta trs terminais: o Anodo (A), o Catodo (K) e o Gatilho ou Porta (em ingls Gate (G)). No que se assemelha a um diodo retificador comum, o SCR um dispositivo semicondutor unidirecional, ou seja, a conduo de corrente possvel apenas em uma nica direo, com sentido convencional especfico: entrando pelo terminal de anodo e saindo pelo terminal de catodo do SCR. No entanto, diferentemente de um diodo, o SCR no entra em conduo naturalmente: a corrente de anodo s se estabelece efetivamente se atendermos a determinadas condies que vo alm do fato de malha de anodo-catodo estar diretamente polarizada. A Porta (Gate) o terceiro terminal do SCR. Trata-se de um eletrodo conectado a uma das regies semicondutoras e sua funo propiciar o controle de corrente principal, entre anodo e catodo. Mediante a injeo de uma corrente relativamente pequena pelo terminal de porta que se pode estabelecer uma relativamente grande corrente andica. atravs do terminal de porta que um tiristor pode ser disparado e assim controlar a corrente de anodo. A corrente de anodo, por sua vez, que alimenta uma carga. Com baixos nveis de corrente de gate, possvel controlar altos nveis de corrente de anodo. A figura a seguir mostra o smbolo e a representao esquemtica da estrutura de um SCR. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma mesma estrutura: o LASCR (SCR ativado por luz), tambm chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), cuja Rua Jaguar Mirim, 71 - Vila Leopoldina 59 SENAI
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porta conectada via fibra tica ao invs de condutor eltrico, o TRIAC (tiristor triodo bidirecional), o DIAC (tiristor diodo bidirecional), o GTO (tiristor comutvel pela porta) e o moderno MCT (Tiristor controlado por MOS). 6.3 Principio de funcionamento:

Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada (ver fig. a seguir). No haver conduo de corrente at que ocorra uma das duas possibilidades: Disparo por tenso: A tenso VAK se eleve a um valor que provoque a ruptura da barreira de potencial em J2 (funcionamento de modo idntico ao de um diodo de quatro camadas (DIAC)). Disparo por corrente de porta: Existindo uma tenso VGK positiva, que faa circular uma corrente atravs de J3, com portadores negativos indo do catodo para a porta. Por motivos construtivos, a camada P ligada porta suficientemente estreita, a fim de que uma parte dos eltrons os quais cruzam a juno J3 possuam energia cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo ento atrados pelo anodo.

Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo na ausncia da corrente de porta, ou seja, uma vez que exista a circulao de corrente anodo-catodo, esta s cessar a partir do ponto em que a corrente IAK estiver abaixo da
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corrente mnima de manuteno (prxima de zero) ou a tenso anodo-catodo VAK for removida ou estiver prxima de zero. Quando a tenso VAK for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2 estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 est intermediando regies de alta dopagem, ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1 manter o estado de bloqueio do componente. Podemos fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associao de dois transistores (um PNP e outro NPN), conforme mostrado na prxima figura (pseudo-SCR). O funcionamento do SCR pode ser mais bem compreendido a partir da anlise desse circuito equivalente, mas o mesmo no deve ser usado para substituir o SCR na prtica. Uma tenso positiva na porta (G) polariza diretamente a juno baseemissor do transistor NPN injetando uma corrente IG positiva, o transistor NPN denominado T2 entra em conduo permitindo a passagem de IC2 e IK. Como I C 2 = I B1 , se o potencial do anodo do pseudo-SCR (no caso o potencial do emissor do transistor PNP denominado T1) for positivo a juno base-emissor do transistor T1 ser diretamente polarizada e o transistor T1 entra em conduo, fazendo surgir IC1. Assim temos a corrente IB2 aumentada ( I B2 = I G + I C1 ). Isto provoca um aumento da corrente IC2 e assim o dispositivo evoluir at a saturao plena, situao essa que ser mantida mesmo que IG seja retirada. Tal efeito cumulativo, o qual damos o nome de disparo, o qual ocorre bastando que os ganhos dos transistores sejam maiores que 1. Removidas a tenso e a corrente de gate, o SCR estar ainda em conduo devido ao ciclo: o NPN supre o PNP com corrente de base e, por sua vez, o PNP supre o NPN com corrente de base.

O componente se manter em conduo por tempo indefinido desde que:


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Aps o processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching".

Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que: A corrente que passa por ele (IA= IK) caia abaixo do valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2.

Importante: Para a comutao do dispositivo ao desligamento, no basta pois, a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no garante, por si s, o desligamento. Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um comportamento dos GTOs, como se ver adiante. 6.4 Maneiras de disparar um tiristor SCR:

Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em conduo: 6.4.1 Ao da Tenso VAK:

Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada sobre a juno J2. O aumento da tenso VAK leva a uma expanso da regio de transio (1) tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Por efeito trmico, mesmo na ausncia de corrente de gate, sempre existir uma certa quantidade de portadores de carga (no caso, eltrons) que penetram livremente na regio de transio, as quais so aceleradas pelo campo eltrico presente em J2. Para valores elevados de tenso (e, conseqentemente, de campo eltrico), possvel iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao se chocarem com tomos vizinhos, provoquem a expulso de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manter em conduo.
(1) A regio de transio, tambm chamada de zona de depleo, ocorre sempre em torno de uma juno P-N qualquer e consiste basicamente na zona de transio, entre uma regio de material semicondutor cuja condutividade eltrica dominada por portadores de carga tipo-N (eltrons) e uma regio cuja condutividade dominada por portadores de carga tipo-P (lacunas). Ela caracterizada pela existncia em seu interior de um forte campo eltrico (E). Este campo devido existncia de cargas eltricas fixas na rede cristalina, originadas pela depleo (esvaziamento ou reduo de volume) de portadores livres que, durante a formao da juno, se difundiram para o lado oposto. No equilbrio, forma-se uma barreira de potencial (V0), que impede a difuso continuada dos portadores majoritrios de um lado para o outro. A largura e a simetria dessa regio, dependem dos processos de fabricao e dos materiais envolvidos. Para uma juno P-N com base em Silcio o valor de V0 tipicamente entre 0,6 e 0,7V.
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6.4.2

Ao da Corrente Positiva de Porta:

Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso VGK e a corrente IG, como mostrados na prxima figura. O valor VGM indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada. O valor VGO a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao. A corrente IGM a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura. Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de acionamento deve garantir a passagem alm dos limites VGM e IGM, sem exceder os demais limites mximos (tenso, corrente e potncia).

Caracterstica esttica do tiristor

Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta


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6.4.3

Ao da Taxa de Crescimento da Tenso Direta:

Apesar da aparente sofisticao desta maneira de disparo de tiristores, ela tem dado muita dor de cabea a pessoal de manuteno de mdulos retificadores controlados uma vez que devido a ela que os SCRs podem entrar em disparos aleatrios, sem que o mesmo ou seu driver de acionamento estejam com defeito, mas sim o circuito de snubber, a inexistncia deste, ou ainda a existncia de excessivo rudo na rede eltrica (EMI interferncia eletromagntica), aos quais algumas vezes no se d a devida importncia. Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial. Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno dada por:

IJ =

d (C J Vak ) dV dC = C J ak + Vak J dt dt dt

Onde Cj a capacitncia da juno. Quando VAK cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo. Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (VAK>0). Por sua vez, a taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tm a capacidade de levar o tiristor a um estado de conduo. Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores (snubber ou amaciador) com o objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles. 6.4.4 Ao da Temperatura:

A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra aproximadamente com o aumento de 8C. Assim, a elevao da temperatura pode levar a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo. 6.4.5 Ao da Energia Radiante (Luz):

Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal, produz considervel quantidade de pares eltron-lacuna, aumentando a corrente de fuga reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde a isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.
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Alm da elevada isolao, o disparo por fibra tica muito mais imune interferncia eletromagntica (EMI) do que o disparo realizado por condutor eltrico da corrente de porta. 6.5 Tipos de Encapsulamento de SCR:

H SCRs de vrias capacidades: os de baixa corrente que fornecem corrente de anodo de 1 ampre ou menos, os de mdia corrente, na faixa de 1 a 20 ampres e os de alta corrente que permitem corrente de anodo de at centenas de ampres, at mesmo altssimas correntes de alguns milhares de ampres. Os tipos de encapsulamento so bastante diversificados: Para pequenas e mdias correntes so bastante comuns os SCRs com encapsulamento TO-220: SCR TO-220 Na faixa de mdias e altas correntes tambm so bastante comuns os encapsulamentos tipo cravo: Tipo Cravo:

Stud Type (Cravo): Cravo de Base Plana (Flat Based):

Cravo com Rabicho:

Tipo Disco:

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J na faixa de altas correntes o mais comum so os tipos disco:

Disco (Press Pack ou Hockey Puck)

6.6

Parmetros bsicos de tiristores:

Apresentaremos a seguir alguns parmetros tpicos de tiristores e que caracterizam condies limites para sua operao. Alguns deles sero melhores explorados durante a realizao do ensaio prtico, tendo como base o datasheet de um componente real: a. Tenso direta de ruptura (VDRM); b. Tenso reversa mxima (VRRM); c. Corrente de anodo mxima (IAMAX): pode ser dada como valor RMS (IT(RMS)), mdio (IT(AV)), de pico instantneo (ITSM); d. Temperatura de operao mxima (TJMAX): temperatura acima da qual, devido a um possvel processo de avalanche, pode haver destruio do cristal; e. Resistncia trmica (RTH): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados ou regies, dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio trmico. uma medida das condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo; f. Caracterstica I2t: o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num determinado intervalo de tempo, sendo uma medida da mxima potncia dissipvel pelo dispositivo. dado bsico para o projeto dos circuitos de proteo; g. Mxima taxa de crescimento da tenso direta VAK (dVD/dt); h. Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o incio do processo de conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silcio, ao redor da regio onde foi construda a porta, espalhando-se radialmente at ocupar toda a superfcie do catodo, medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a expanso necessria na superfcie condutora, haver um excesso de dissipao de potncia na rea de conduo, danificando a estrutura semicondutora. Este limite ampliado para tiristores de tecnologia mais avanada fazendo-se a interface entre porta e catodo com uma maior rea de contato, por exemplo, interdigitando a porta. i. Corrente de manuteno de conduo (IH): a mnima corrente de anodo necessria Rua Jaguar Mirim, 71 - Vila Leopoldina 66 SENAI
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para manter o tiristor em conduo; j. Corrente de disparo (IL): mnima corrente de anodo requerida para manter o SCR ligado imediatamente aps ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser removida a corrente de porta; k. Tempo de disparo (TON): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado e atingir a plena conduo; l. Tempo de desligamento (TOFF): o tempo necessrio para a transio entre o estado de conduo e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no material semicondutor. m. Corrente de recombinao reversa (IRQM): valor de pico da corrente reversa que ocorre durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno.

As figuras a seguir ilustram algumas destas caractersticas:

Caractersticas do tiristor

Expanso da rea de conduo do tiristor a partir das vizinhanas da regio de gate


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6.7

Redes Amaciadoras:

O objetivo destas redes evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e di/dt, conforme descrito anteriormente. 6.7.1 O problema di/dt: Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate adequado, que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a expanso da rea condutora. Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente de anodo durante a entrada em conduo do dispositivo. Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia dissipada no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tenso VAK ser reduzida pela queda sobre a indutncia. O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso mais longo de disparo, ou ainda a uma seqncia de pulsos, para que seja assegurada a conduo do tiristor. 6.7.2 O problema do dv/dt: A limitao do crescimento da tenso direta VAK, usualmente feita pelo uso de circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura a seguir.

(a)

(b)
Circuitos amaciadores para dv/dt

(c)

No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado, a tenso VAK segue a dinmica dada por RC que, alm disso desvia a corrente de anodo facilitando a comutao. Quando o SCR ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado pelo valor de R. No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os processos de carga e descarga de C. J no caso (c), o pico limitado por L, o que no traz eventuais problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em conduo do tiristor, uma vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga. A energia acumulada no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de descarga.

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6.8

Associao em Paralelo/ Associao em srie de tiristores:

Desde o incio da utilizao do tiristor, em 1958, tm crescido constantemente os limites de tenso e corrente suportveis, atingindo hoje faixas de 5000V e 4000A. H, no entanto, diversas aplicaes nas quais necessria a associao de mais de um destes componentes, seja pela elevada tenso de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga. Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessria, no pode ser suportada por um nico tiristor, essencial a ligao em paralelo. A principal preocupao neste caso a perfeita distribuio da corrente entre os dispositivos associados, tanto em regime, como durante o chaveamento. Diversos fatores influem na distribuio homognea da corrente, desde aspectos relacionados tecnologia construtiva do dispositivo, at o arranjo mecnico da montagem final. Quando o circuito opera com tenso superior quela suportvel por um nico tiristor, preciso associar estes componentes em srie, com precaues para garantir a distribuio equilibrada de tenso entre eles. Devido a diferenas nas correntes de bloqueio, capacitncias de juno, tempos de atraso, quedas de tenso direta e recombinao reversa, redes de equalizao externa so necessrias, bem como cuidados quanto ao circuito de disparo. 6.9 Disparo:

H duas caractersticas do tiristor bastante importantes para boa distribuio de corrente entre os componentes no momento em que se deve dar o incio da conduo: o tempo de atraso (TD) e a mnima tenso de disparo (VONMIN). O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicao do sinal de porta e a real conduo do tiristor. A mnima tenso de disparo o valor mnimo da tenso direta entre anodo e catodo com a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da caracterstica esttica do tiristor, que quanto menor a tenso VAK, maior deve ser a corrente de gate para levar o dispositivo conduo. Diferenas em TD podem fazer com que um componente entre em conduo antes do outro. Com carga indutiva este fato no to crtico, devido a inerente limitao de di/dt da carga, o que no ocorre com cargas capacitivas ou resistivas. Alm disso, como VONMIN maior que a queda de tenso direta sobre o tiristor em conduo, possvel que nem seja factvel ao outro dispositivo entrar em conduo. Esta situao crtica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada atravs dos dispositivos de equalizao e ainda por sinais de porta de durao maior que o tempo de atraso. 6.10 Desligamento:

Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os
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tiristores (especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia do circuito amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que comea a desligar. 6.11 Circuito de disparo: A corrente de porta deve ser alvo de atenes. O uso de um nico circuito de comando para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Alm disso, deve-se procurar usar nveis iguais de corrente e tenso de porta, uma vez que influem significativamente no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenas nas junes porta-catodo de cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou indutor em srie com a porta, para procurar equalizar os sinais. importante que se tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada do pulso de porta, o que pode levar necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a energia necessria. Uma seqncia de pulsos tambm pode ser empregada. Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos: 6.11.1 Transformador de pulso: Neste caso, tm-se transformadores capazes de responder apenas em alta freqncia, mas que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de microssegundos), aps o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais largo, ele poder ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no lado de sada. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitao de tenso no secundrio (onde est conectado o gate), a fim de evitar sobretenses. Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir consideravelmente entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com a porta para evitar que um tiristor com menor impedncia de porta drene o sinal de disparo, impedindo que os demais dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de corrente. 6.11.2 Acoplamento tico: O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores so usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo onde o emissor e o receptor esto integrados, apresentando uma isolao tpica de 2500V. J para as fibras ticas, o isolamento pode ser de centenas de kV. A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor. Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado
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do receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o perodo de conduo (3.5).

Circuitos de acionamento com transformador de pulso (TP)

Circuitos de acionamento com Acoplador tico

6.11.3 Sobre-tenso: A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da tenso, superando o limite de dv/dt ou o valor da mxima tenso direta de bloqueio, deve-se manter uma polarizao negativa no terminal da porta, aumentado o nvel de tenso suportvel. 6.11.4 Resfriamento: As caractersticas do tiristor so fornecidas a uma certa temperatura da juno. O calor produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o encapsulamento, deste para o dissipador e da para o meio de refrigerao (ar ou lquido).

6.12 GTO - Gate Turn-Off Thyristor:


O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, por problemas de fraco desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez que atualmente esto disponveis dispositivos para at 5000V, 4000A. 6.12.1 Princpio de funcionamento: O GTO possui uma estrutura de quatro camadas, tpica dos componentes da famlia dos tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate. O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais portadores, como a camada de gate suficientemente fina, desloca-se at a camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atrados pelo potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se esta corrente se mantiver acima da Rua Jaguar Mirim, 71 - Vila Leopoldina 71 SENAI
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corrente de manuteno, o dispositivo no necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo. A figura a seguir mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos de entrada e sada de conduo do componente. A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao desligamento do GTO, e esta uma diferena principal em relao aos tiristores, os quais no podem ser desligados, seno pela queda da corrente de conduo direta abaixo de um valor mnimo de manuteno. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo so atrados pela porta, fazendo com que seja possvel o restabelecimento da barreira de potencial na juno J2.

Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO

Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm no SCR. As diferenas, no entanto, esto nos nveis de dopagem na construo do componente.

6.13 MCT (MOS Controlled Thyristor):


Apesar das vantagens do uso dos tiristores convencionais (SCR), outros dispositivos de chaveamento de potncia foram desenvolvidos ao longo dos ltimos anos. A partir da metade da dcada de 80, comearam a surgir os dispositivos hbridos, utilizando a tecnologia bipolar (dos transistores de juno) e a tecnologia MOS (Metal xido Semicondutor). Estes novos dispositivos apresentam como vantagens a baixa perda de conduo, alta velocidade de chaveamento e baixa potncia de controle. Dentre as mais recentes inovaes podemos citar: o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e o MCT (MOS Controlled Thyristor), que ser foco deste estudo.
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MCT (MOS-Controlled Thyristor) um novo tipo de dispositivo semicondutor de potncia que associa as capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tenso (alta potncia) tpicas da famlia dos tiristores, porm com o terminal de controle de comutao (porta) que o torna um tiristor completamente controlvel, isto o MCT semelhante ao tiristor de GTO na operao, apesar de diferir deste na tecnologia: o MCT constitudo de dois transistores MOSFETs em seu circuito equivalente, sendo um deles responsvel pela comutao de ligamento e o outro responsvel pela comutao de desligamento. OBS: Tiristores com apenas um MOSFET em seu circuito equivalente, o qual comutado para ligamento (semelhante aos SCRs comuns) chamado MOS Gated Thyristor (MGT). Assim, por ser baseado na tecnologia dos dispositivos MOS (Metal-OxideSemiconductor), um MCT possui uma elevada impedncia de porta (porta isolada) e enquanto um GTO tem a porta controlada em corrente, um MCT controlado por tenso: a comutao do MCT comandada pela aplicao de diferentes nveis de tenso porta, a qual funciona pelo principio de campo eltrico, praticamente sem consumo de corrente, tpico de um dispositivo de MOS. Colocando-se uma tenso positiva no terminal de porta em relao a ctodo comuta o tiristor para o estado ligado. J uma tenso negativa no terminal de porta com relao ao nodo (a qual tem valor prximo da tenso de ctodo no estado de ligado) comuta o tiristor para o estado desligado. Em virtude da diferena tecnolgica, os MCTs apresentam uma facilidade de comando muito superior aos GTOs. Um GTO apresenta um baixo ganho de corrente no desligamento, exigindo um circuito de comando relativamente complexo. No entanto, os MCTs mesmo atualmente no atingiram os elevados nveis de tenso e de corrente comparveis aos dos GTOs, estando limitados a valores inferiores a 2500V e 800A. No entanto o MCT um dispositivo de comutao ainda muito promissor. O fato da estrutura fsica do MCT ser constituda de milhares de pequenas clulas, muito menores do que as clulas que formam os GTOs, faz com que, para uma mesma rea semicondutora, a capacidade de corrente dos MCTs seja menor do que um GTO equivalente: esta uma limitao tecnolgica atual. A dissipao de potncia de um MCT depende das perdas que ocorrem no transitrio de ligamento, de desligamento e durante a conduo.

Princpio de funcionamento: Considerando o modelo de dois transistores para um tiristor, um MCT pode ser representado como mostrado na figura a seguir. Nesta figura tambm se mostra uma seo transversal de uma clula do dispositivo. Um componente formado pela associao em paralelo de milhares de tais clulas construdas numa mesma pastilha.

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Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de uma clula e smbolo do componente.

Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsvel pela entrada em conduo do tiristor (on-FET) tambm de canal P, sendo levado conduo pela aplicao de uma tenso negativa no terminal de porta. Estando o anodo positivo, a conduo do on-FET realiza uma injeo de portadores na base do transistor NPN, levando o componente conduo. Uma vez que o componente formado pela associao de dezenas de milhares de clulas, e como todas elas entram em conduo simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt. O MCT permanecer em conduo at que a corrente de anodo caia abaixo do valor da corrente de manuteno (como qualquer tiristor), ou ento at que seja ativado o offFET, o que se faz pela aplicao de uma tenso positiva no gate. A conduo do off-FET, ao curto-circuitar a juno base-emissor do transistor PNP ( possvel tambm uma estrutura que curto-circuita as junes base-emissor de ambos os transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao bloqueio do MCT. A queda de tenso deve ser menor que Vbe. O MCT no apresenta o efeito Miller, de modo que no se observa o patamar de tenso sobre o terminal de porta, o qual pode ser modelado apenas como uma capacitncia. Esta capacidade de desligamento est associada a uma intensa interdigitao entre o offFET e as junes, permitindo absorver portadores de toda superfcie condutora do anodo (e do catodo). Assim como um GTO assimtrico, o MCT no bloqueia tenso reversa acima de poucas dezenas de volts, uma vez que as camadas n+ ligadas ao anodo curto-circuitam a juno J1, e q juno J3, por estar associada a regies de dopagem elevada, no tem capacidade de sustentar tenses mais altas. possvel, no entanto, faz-los com bloqueio simtrico, tambm sacrificando a velocidade de chaveamento. O sinal de porta deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a fim de evitar comutaes (por "latch-down" ou por dv/dt) indesejveis. Na figura ao lado mostra uma comparao entre a queda de tenso entre os
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terminais principais, em funo da densidade de corrente, para componentes (MCT, IGBT e MOSFET). Nota-se que o MCT apresenta tenses muito menores do que os transistores, devido sua caracterstica de tiristor. Ou seja, as perdas em conduo deste dispositivo so consideravelmente menores, representando uma de suas principais caractersticas no confronto com outros componentes. Mantendo o off-FET operando durante o estado bloqueado, tem-se que a corrente de fuga circula por tal componente auxiliar, resultando numa melhoria na capacidade de bloqueio, mesmo em altas Comparao entre componentes para 600V, com 1s de tempo de desligamento, temperaturas. Devido a este desvio da a resistncia do encapsulamento. desprezando corrente atravs do MOSFET, o limite de temperatura est associado ao encapsulamento, e no a fenmenos de perda da capacidade de bloqueio. Isto significa que possvel oper-los em temperaturas bem mais elevadas do que os outros componentes como, por exemplo, 250C. Devido elevada densidade de corrente, e conseqente alto limite de di/dt, suportvel pelo MCT, circuitos amaciadores devem ser considerado basicamente para o desligamento, podendo ser implementados apenas com um capacitor entre anodo e catodo, uma vez que a descarga deste sobre o MCT no momento da comutao ao ligamento, no um problema. Comparao entre P-MCT e N-MCT: possvel construir MCTs que so ligados por um MOSFET de canal N, e desligado por um MOSFET de canal P. Este componente entra em conduo quando um potencial positivo aplicado ao terminal de porta, desligando com uma tenso negativa. Como o anodo est em contato apenas com uma camada P, este dispositivo capaz de sustentar tenses com polarizao reversa. Sabe-se que um MOSFET canal N mais rpido e apresenta menor queda de tenso do que um MOSFET canal P.

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Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de uma clula e smbolo do componente.

Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N capaz de comutar uma corrente de anodo 2 a 3 vezes maior do que a que se obtm em um N-MCT. Em contraposio, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em conduo mais lenta do que a que se tem em um N-MCT. A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TBP no conduza. Esta queda de tenso se d com a passagem da totalidade da corrente de anodo pelo MOSFET.

IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor):


Desenvolvimento da tecnologia dos GTOs conduziu a uma larga variedade de aplicaes na a gama de 1 a 20 MVA, principalmente de acionamentos velocidade ajustvel e interfaces de energia para ferrovias. Embora estas aplicaes tenham provado a confiana e efetividade de custo do tiristor GTO, ainda h desvantagens incmodas nesta tecnologia. O modo no uniforme de chaveamento do GTO d origem necessidade de capacitores como amaciadores para limitar dv/dt, e grandes disperses nos tempos de desligamento torna complicada a conexo de GTOs em srie. Recentemente uma inovao na tecnologia dos GTOs foi alcanada pela introduo do Hard Driven GTO conduzindo possibilidade de chaveamento sem amaciadores. Este novo modo de chaveamento caracterizado por uma comutao extremamente rpida da corrente de ctodo para a porta (Gate Commutated Thyristor - GCT) por meio de que o emissor de ctodo desenergizado antes que a tenso na juno de bloqueio principal suba (veja Figo. 1). Para realizar isto a corrente de ctodo inteira comutada porta dentro de menos de 1 s. Qualquer ao regenerativa do ctodo ento prevenida, deixando apenas o equivalente a um transistor pnp ativo durante o desligamento. De fato um modo de desligamento a transistor conveniente para altos nveis de desligamento sem amaciadores.

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Modo de Desligamento de um GCT (modelo de dois transistores)

IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor): desenvolvido e projetado pela ABB. O IGCT combina as vantagens dos tiristores (baixa queda de tenso em estado de conduo e altos nveis de tenso de bloqueio), com as caractersticas robustas de chaveamento dos transistores. O uso de IGCTs resulta em um acionamento de mdia tenso e elevada potncia simplificado, mais eficiente, compacto e confivel, minimizando os custos de operao e manuteno e permitindo realizar a performances utilizando modernos algoritmos de controle, os quais podem eliminar harmnicos, melhorar o tempo de resposta dinmica e manter, ou mesmo controlar, o fator de potncia. As inerentes baixas perdas totais do IGCT requerem uma capacidade de refrigerao menor e um pequeno equipamento de refrigerao. Descrio de dispositivo: Um IGCT um tipo especial de tiristor semelhante a um GTO. Eles podem ser comutados de ciclicamente por um sinal de porta, tendo uma menor perda de conduo se comparado com os GTOs, e suporta taxas mais altas de elevao de tenso (dv/dt), de modo que nenhuma rede amaciadora (snubber) requerida para a maioria das aplicaes. A estrutura de um IGCT bem parecida com a de um tiristor GTO. Em um IGCT, a corrente de porta de estado desligado maior do que a corrente de nodo. Isto resulta em uma eliminao completa da injeo de portador minoritria da juno de PN mais baixa e acelera o tempo de desligamento. A diferena principal uma reduo no tamanho das clulas, em adio a uma conexo de porta muito mais significativa com indutncia muito mais baixa no circuito de acionamento da porta e na conexo do circuito de
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Simbologia do IGCT
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acionamento. Uma corrente de porta muito mais alta, adicionada a uma rpida recuperao de porta significa que fios condutores convencionais no podem ser usados para conectar o circuito acionador ao IGCT. A placa de circuito impresso do circuito acionador integrada no pacote do dispositivo. O circuito acionador envolve o dispositivo e um condutor circular grande prenso extremidade da estampa de IGCT usado. A rea de contato maior e a curta distncia reduzem a indutncia e resistncia da conexo. Os tempos de desligamento do IGCT so muito mais rpidos se comparados com os de um GTO, o que lhes permite operar a freqncias mais altas - at vrios de kHz para perodos muito curtos de tempo. No entanto, por causa das altas perdas na comutao, a freqncia operacional tpica at 500 Hz. Caractersticas de Polarizao Reversa: Os IGCT esto disponveis com ou sem capacidade de bloqueio reversa. A capacidade de bloqueio de reverso tem como efeito colateral queda de tenso direta por causa da necessidade de ter uma regio de P1 de baixa dopagem alongada. O IGCT capaz de bloquear tenso reversa conhecido como IGCT simtrico (SIGCT). Normalmente, o valor da tenso de bloqueio reversa e o da tenso bloqueio direto em estado desligado so ambas de mesmo valor. A aplicao tpica do IGCT simtrico em inversores de fonte de corrente. O IGCT sem a capacidade de bloquear tenso reversa conhecido como IGCT assimtrico (A-IGCT). Eles tm um valor de tenso reverso tpico da ordem de poucas dezenas de volts. O A-IGCT pode ser usado tanto no caso onde um diodo colocado em paralelo faz a conduo na ocorrncia de polarizao reversa (por exemplo, em inversores de fonte de tenso), quanto no caso onde a tenso reversa de fato nunca ocorra (por exemplo, fontes chaveadas ou circuitos recortadores (shoppers)). O A-IGCT pode ser fabricado com um diodo de conduo reverso integrado no mesmo pacote. Estes so conhecidos como RC-IGCT (IGCT com conduo reversa). Aplicaes: As aplicaes principais esto em conversores de freqncia varivel e acionadores para mquinas de trao. Materiais Emergentes: Silcio ainda hoje praticamente o nico material utilizado para a fabricao de componentes semicondutores de potncia. Isto se deve ao fato de que j se tem tecnologia para fazer o crescimento de monocristais de silcio com pureza e em dimetro suficientes, o que ainda no possvel para outros materiais. Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relao ao silcio, mas que ainda no so produzidos em dimenses e grau de pureza que so necessrios produo comercial de componentes de potncia.
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O Arsenieto de Glio (GaAs) um destes materiais. Por possui um maior gap de energia (energia de afastamento entre as bandas de conduo e de valncia) em relao ao silcio, dispositivos construdos a partir deste material apresentam menor corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a mobilidade dos portadores muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor resistncia de conduo, especialmente nos dispositivos com conduo por portadores majoritrios (MOSFET). Alm disso, por apresentar uma maior intensidade de campo eltrico de ruptura, ele poderia suportar maiores tenses. A tabela a seguir mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais podese, potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potncia. Propriedades de Materiais Semicondutores Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Gap de energia a 300K (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 Condutividade trmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 Max. temperatura de operao (K) 300 460 873 1240 Mobilidade a 300K (cm2/V.s) 1400 8500 1000 600 5 5 6 Campo eltrico mximo (V/cm) 3.10 4.10 4.10 4.106

Diamante 5,5 20 1100 2200 1.107

O Carboneto de Silcio (SiC) um material sobre o qual faz-se uma intensa pesquisa. Seu gap de energia maior que o dobro do Si, permitindo operao em temperaturas elevadas. Adicionalmente apresenta elevada condutividade trmica (que baixa para GaAs), facilitando a dissipao do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relao tanto ao Si quanto ao GaAs a intensidade de campo eltrico de ruptura, que aumentada em uma ordem de grandeza. Outro material de interesse potencial o diamante. Apresenta, dentre todos estes materiais, o maior gap de energia, a maior condutividade trmica e a maior intensidade de campo eltrico, alm de elevada mobilidade de portadores. Muitos problemas tecnolgicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais se possam ser, efetivamente, alternativas para o Si. Silcio um material que vem sendo estudado h quase meio sculo e com enormes investimentos. O mesmo no ocorre com os demais materiais. O GaAs vem sendo estudado nas ltimas 2 dcadas, mas com uma nfase em dispositivos rpidos, seja para aplicaes computacionais, seja em comunicaes ticas. No existe ainda tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimenso necessrias construo de componentes de potncia. Alm disso, em relao ao Si, este material no possui um xido natural (como o SiO2), dificultando a formao de camadas isolantes e de mscaras para os processos litogrficos. Em 1994 a Motorola anunciou o lanamento comercial de diodo schottky de 600V. No entanto, embora para este componente especfico o aumento da tenso seja significativo, as vantagens do GaAs sobre o Si so incrementais, quando comparadas com os outros materiais. At bem pouco tempo ningum antes havia conseguido produzir cristais de carboneto de silcio puros e sem falhas, pois os mtodos at ento utilizados geravam
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cristais com grande nmero de falhas, defeitos macroscpicos como tneis e incluses, o que impedia sua utilizao na eletrnica. Ma recentemente, uma pesquisa feita por cientistas da Toyota Central R&D Labs, Japo, que desenvolveu um mtodo promissor, capaz de gerar cristais de carboneto de silcio de alta pureza e qualidade, criando assim a expectativa do carboneto de silcio sair das oficinas de pesquisa e ir direto para as salas limpas dos principais laboratrios e fbricas de semicondutores do mundo. O carboneto de silcio transmite energia com muito maior eficincia do que o silcio puro, o que poder diminuir consideravelmente a necessidade de refrigerao, operando com mnimas perdas de energia. Alm disso, dispositivos de carboneto de silcio podem suportar altas temperaturas e podero trabalhar em ambientes extremos. Agora os pesquisadores vo trabalham na gerao de cristais de maiores dimenses para aplicao em dispositivos de potncia. Quanto ao diamante, no existe ainda uma tecnologia para construo de "waffers" de monocristal de diamante. Os mtodos existentes para produo de filmes finos levam a estruturas policristalinas. A difuso seletiva de dopantes e a realizao de contatos hmicos ainda devem ser objeto de profundas pesquisas. Andr Luis Lenz andrellenz@estadao.com.br 2002/2005

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