UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II PRACTICA N 01

AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT EN FRECUENCIAS MEDIAS

1. OBJETIVO DE LA PRCTICA

Disear, analizar y caracterizar circuitos amplificadores en frecuencias medias en las distintas configuraciones utilizando transistores BJT. Comprender los parmetros que caracterizan a cada amplificador como ser sus ganancias y sus impedancias.

2. MARCO TEORICO

Un amplificador puede ser definido como un dispositivo o circuito capaz de aumentar una seal dada. Para conseguir una amplificacin trabajamos con los llamados componentes activos, que son dispositivos capaces de provocar cambios en las condiciones de un circuito reaccionando ante las seales aplicadas. Podemos considerar que los elementos activos aportan energa al circuito, en lugar de consumirla (como es el caso con las resistencias, condensadores y bobinas). La mayora de los elementos activos utilizados en los circuitos modernos son dispositivos creados a partir de materiales semiconductores. En este tema trataremos principalmente los transistores, elementos ms simples en el proceso de amplificacin. Podemos clasificar los amplificadores de nuevo en cuatro grupos: Amplificador de tensin: Partiendo de una tensin de entrada proporciona una versin amplificada de la misma. Utilizamos el equivalente Thvenin para la fuente. En general nos interesara que dicha amplificacin fuera lineal. Sin embargo esto slo ocurre en los amplificadores ideales. Amplificador de intensidad: Obtenemos una intensidad de salida que es una versin escalada de la de entrada. Por tanto en esta ocasin nos interesa representar la fuente mediante su equivalente Norton. De nuevo de forma ideal, lo cual solamente se encuentra en los casos ideales. Amplificador de transconductancia: Proporciona una intensidad de salida a partir de una tensin de entrada (fuente representada en su equivalente Thvenin). Su comportamiento en modo ideal equivaldra al de la fuente tipo VCCS. Amplificador de transrresistencia:

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Proporciona una tensin de salida a partir de la intensidad de la seal de entrada (fuenterepresentada en su equivalente Norton). En modo ideal trabajara como una fuente CCVS. Los resistores, condensadores e inductores, al ser elementos pasivos, son incapaces por s mismos de amplificar o aumentar las pequeas seales asociadas con la mayora de los aparatos electrnicos. Actualmente el componente generalmente empleado para amplificar seales es el transistor. En 1948 los fsicos americanos J. Bardeen y W. H. Brattain anunciaron la invencin del transistor, un nuevo tipo de dispositivo amplificador hecho a partir de cristales semiconductores. En ese momento muy pocos podran haber previsto los desarrollos revolucionarios que seguiran, tan importantes y de tan largo alcance como para cambiar por completo la ciencia y la tecnologa de la electrnica; adems de dar comienzo a la multimillonaria industria de los semiconductores, el transistor ha originado toda clase de invenciones relacionadas, como los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrnicos y los microprocesadores. Los principios fsicos en la base del funcionamiento del transistor fueron desarrollados en colaboracin con su colega W. Shockley. En reconocimiento de su trabajo los tres fsicos recibieron el Premio Nobel en 1956, constituyendo el primer caso en la historia que dicho premio era otorgado como consecuencia de un desarrollo de ingeniera. Informacin conseguida de: http://www.edukativos.com/downloads-file-6195-details.html
3. MATERIALES.

Resistencias de diseo. Transistores BJT. Capacitores de acople. Generador de seal alterna.

4. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

1.- Montar el circuito amplificador Base Comn con transistor bipolar NPN que se muestra en la figura 1.

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2.- Medir los valores de las corrientes y voltajes de polarizacin, llenar el cuadro 1. Variable Ic Vce Vbb Ib Valor terico 3.4003 [mA] 7.42 [v] 6.39[v] 18.48[uA] Condisiones dinamicas Valor medido 1.4[mA] 14.98[V] 2.73[V] 17.3[uA]

VI Vo Av Zin zout

- 159[V] 159.15[] 2.2 [K]

15[v] 855[v] -57 203[] 2.5[K]

3.- Seleccionar una onda sinusoidal de frecuencia F= 5 [khz].Conectar el osciloscopio para medir las seales de entrada y salida: CH1 = Vin y CH2= Vout. Actuar sobre la amplitud de entrada para obtener la mxima seal de voltaje de salida sin distorsion. Anotar los valores en el cuadro 1 5. CALCULO

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DC: RTH = Rbb = 31.9723 [K] Vth = Vbb = 6.39 [V] = 183 -Vth +Ib*RTH+VBE+Ie*Re=0 Ie=(+1)*Ib Ib*[RTH+(+1)*Re]=VTH-Vbe IB=18.48[uA] Ie=3.4003[mA] Vce: -20+IcRc+Vce++IeRe=0 Vce=7.42 [V] Ic = 3.4003[mA]

En AC:

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+ hei hfe ib RC RL _ + RE Vi _ Vo

Ganacia de voltage Av=(Vo/Vi) Vo = ib(1+hfe)*(Rc//RL) Vi = -hie*ib hie=1.399[K] Av =- [(1+hfe)*(Rc//RL) / hie] Av =- 159[V] Ganacia de corriente Ai=(Io/ib) Io+hfe*ib = 0 Io = -hfe*ib Ai = -hfe =-203 Impedancia de salida Zin : Ii+ib+hfeib = Ire Ii+Ib(1+hfe) =Ire Ii+(-vi/hie)(1-hfe) = vin/Re

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Ii=vi[(1+hfe/hie)+(1/re)] Zin = Zin=159.15[] Impedancia de salida Zout = Rc Zout=2.2 [K] = (hie/1+hfe)//Re

6. CONCLUSIONES En conclusin podemos decir que la experiencia que realizamos en el laboratorio, se pudo comprobar , comparar los resultados prcticos con los datos tericos y comprender las caractersticas del transistor BJT en sus respectivas ganancias e impedancia de entrada y salda.

7. RECOMENDACIONES El circuito debe estar armado correctamente. Verificar que el transistor este en la posicin adecuada para su respectiva funcionamiento. La fuente de alimentacin no debe sobre pasar los 20v en caso contrario se quemaran los componentes y sobre todo el transistor.

8. CUESTIONARIO 1.- mediante las hojas de datos especificar los valores de los parmetros H de los transistores a ser usados en laboratorio.
Generador de seal
RS Vs VS Vi1 RI Vi2 C1
1nF

Vo

C2
1nF

V'o
RL

Amplificador

Figura 2. Modos de medir las impedancias de entrada y la de salida

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2.- calcular en forma teorica el punto de oprecion del amplificador. Llenar el cuadro 1 en la columna correspondiente.

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Variable Ic Vce Vbb Ib

Valor terico 3.4003 [mA] 7.42 [v] 6.39[v] 18.48[uA] Condisiones dinamicas

Valor medido 1.4[mA] 14.98[V] 2.73[V] 17.3[uA]

VI Vo Av Zin zout

- 159[V] 159.15[] 2.2 [K]

15[v] 855[v] -57 203[] 2.5[K]

3. Calcular en forma teorica la ganacia de voltaje de amplificador, Av= vout/vin, Ai, Zin y Zout En AC:

+ hei hfe ib RC RL _ + RE Vi _ Vo

Ganacia de voltage Av=(Vo/Vi) Vo = ib(1+hfe)*(Rc//RL) Vi = -hie*ib hie=1.399[K] Av =- [(1+hfe)*(Rc//RL) / hie] Av =- 159[V]

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Ganacia de corriente Ai=(Io/ib) Io+hfe*ib = 0 Io = -hfe*ib Ai = -hfe =-203 Impedancia de salida Zin : Ii+ib+hfeib = Ire Ii+Ib(1+hfe) =Ire Ii+(-vi/hie)(1-hfe) = vin/Re Ii=vi[(1+hfe/hie)+(1/re)] Zin = Zin=159.15[] Impedancia de salida Zout = Rc Zout=2.2 [K 4.En cada uno de los puntos mencionados arriba hacer una comparacin de los resultados tericos y prcticos y explicar la posibles hiptesis sobre las variaciones. R.- las posibles hiptesis existentes son las diferentes tolerancia que tienen los diferentes componentes electrnicos, y las mediciones en la prctica no se los hace con precisin por ejemplo el voltaje de entrada no pone siempre 20v y tambin en las diferentes frecuencias del generador de seal. = (hie/1+hfe)//Re