1.- Explique brevemente la teora electrnica: rbitas electrnicas Segn se ha visto.

la electricidad se produce cuando los electrones salen de sus tomos. Para entender los distintos mtodos usados para lograrlo, se necesita saber algo ms acerca de la naturaleza de las diferentes rbitas electrnicas que rodean el ncleo de un tomo.

Los electrones giran en sus rbitas a gran velocidad alrededor del ncleo del tomo. Debido a la gran velocidad del electrn, la fuerza centrfuga tiende a sacar al electrn de su rbita. Por otra parte, la atraccin positiva del ncleo impide que se escape el electrn. Sin embargo, si se aplica suficiente fuerza externa para ayudar a la fuerza centrfuga, puede "liberarse" el electrn. Capas orbitales

Los electrones que giran cerca del ncleo son difciles de liberar debido a su proximidad a la fuerza positiva que los sujeta. Cuanto ms lejos se encuentren los electrones del ncleo, ms dbil ser la fuerza positiva. Como ya lo habr notado el lector, en algunos diagramas anteriores, mientras ms electrones tienen un tomo, mayor ser el nmero de sus rbitas. Las trayectorias orbitales comnmente se llaman capas. Los tomos de todos los elementos conocidos pueden tener hasta siete capas. la tabla siguiente contiene 103 elementos, indicando el nmero de electrones en cada capa, para cada tomo. Los elementos y sus capas atmicas

Capacidad de las capas Si se estudia brevemente la tabla anterior, se notar que cada capa nicamente puede alojar cierto nmero de electrones. La capa ms cercana al ncleo (primera capa) no puede contener ms de dos electrones; la segunda no ms de 8 electrones; la tercera no ms de 18; la cuarta, no ms de 32; etctera. Si nuevamente se observa la tabla anterior, se ver que hasta el nmero atmico 10 el nmero de electrones en la segunda capa va aumentando hasta 8. Puesto que ste es el lmite de la segunda banda, tiene que iniciarse una tercera. Desde el nmero atmico 11 hasta el 18, la tercera capa se forma hasta 8 y luego se inicia una cuarta capa. Luego, para los nmeros del 19 al 29, la tercera capa llega a su mximo de 18.

Capa exterior de valencia

Segn se advierte en la tabla de arriba, la tercera capa pude contener hasta 18 electrones, pero apenas llega a tener 8 electrones cuando se inicia la cuarta capa. Esto tambin ocurre en la cuarta capa, pues apenas tiene 8 electrones, cuando ya se inicia la quinta capa, a pesar de que la cuarta puede contener hasta 32 electrones. Esto indica que existe alguna otra regla. La capa exterior de un tomo no tendr ms de 8 electrones. La capa exterior de un tomo recibe el nombre de capa de valencia y sus electrones reciben el nombre de electrones de valencia. El nmero de electrones en la capa de valencia de un tomo es importante en la electricidad, como se ver ms tarde. Energa del electrn

Aunque todo electrn tiene la misma carga negativa, no todos los electrones tienen el mismo nivel de energa. Los electrones cuya rbita est prxima al ncleo contienen menos energa que los que se encuentran en rbitas externas. Cuanto ms lejanas estn las rbitas electrnicas del ncleo, mayor ser su energa. Si se aade suficiente energa a un electrn, saldr fuera de su rbita, hacia la rbita de orden inmediato superior. Y, si se aplica suficiente energa a un electrn de valencia, el electrn se desligar de su tomo, ya que no existe una rbita inmediata superior. Cundo se produce la electricidad La electricidad se produce cuando los electrones se liberan de sus tomos. Puesto que los electrones de valencia son los ms alejados de la fuerza atractiva del ncleo y adems tienen el nivel de energa ms alto, son los que pueden liberarse ms fcilmente. Cuando se aplica suficiente fuerza o energa a un tomo, los electrones de valencia se liberan. Sin embargo, la energa suministrada a una capa de valencia se distribuye entre los electrones en dicha capa. Por lo tanto, para determinada cantidad de energa mientras ms electrones de valencia haya, menor ser la energa que tendr cada electrn.

Conductores

La capa de valencia puede contener hasta ocho electrones y cualquier energa que se aplique a uno de ellos se reparte entre todos los electrones de valencia. Por lo tanto, los tomos que tienen menos electrones de valencia, les dejarn librarse ms fcilmente. Los materiales cuyos electrones se liberan fcilmente se llaman conductores. Los tomos de los conductores tienen slo 1 2 electrones de valencia. Los que slo tienen 1 electrn de valencia, son los mejores conductores elctricos. Si se examina la tabla de los elementos en la parte superior, pueden determinarse los buenos conductores. Todos tienen un electrn en su capa exterior. La mayor parte de los metales son buenos conductores. Los ms conocidos son: cobre (nm. 29), plata (nm. 47) y oro (nm. 79). Aislantes

Los aisladores son materiales que no dejan que sus electrones se liberen fcilmente. Los tomos de los aisladores tienen capas de valencia que estn llenas con 8 electrones o bien llenas a ms de la mitad. Cualquier energa que se aplique a uno de estos tomos se distribuir entre un nmero de electrones relativamente grande. Adems, estos tomos se resisten a desprenderse de sus electrones debido a un fenmeno que se conoce como estabilidad qumica. Un tomo es completamente estable cuando su capa exterior est completamente saturada o cuando tiene ocho electrones de valencia. Un tomo estable resiste cualquier tipo de actividad. En efecto, no se combinar con ningn otro tomo para formar compuestos. Existen seis elementos que son naturalmente estables: helio, nen, argn, kriptn, xenn y radn. A stos se les conoce como gases inertes. Todos los tomos que tienen menos de 8 electrones de valencia tienden a alcanzar el estado estable. Los que estn llenos a menos de la mitad (los conductores), tienden a liberar los electrones para vaciar la capa inestable. Pero los que estn llenos a ms de la mitad (los aisladores) tienden a recoger electrones para llenar la capa de valencia. As pues, no solamente es difcil liberar a sus electrones, sino que los tomos de aisladores tambin se opondrn a la produccin de electricidad debido a su tendencia a atrapar a cualesquiera electrones que puedan ser liberados. Los tomos con 7 electrones de valencia son los que tratan ms activamente de llenar la capa de valencia y constituyen excelentes aisladores elctricos. Compuestos como aislantes La tendencia de los tomos a volverse estables es un factor fundamental para determinar cmo se combinan los tomos de los elementos para formar las molculas de un compuesto. Los tomos tienden a combinarse de manera que la molcula contenga 8 electrones de valencia. Por ejemplo, considrese el agua: su frmula es H2O. Esto significa que, en una molcula de agua hay dos tomos de hidrgeno y uno de oxgeno. Si se observan los elementos 1 y 8 de la tabla de elementos de arriba, se ver que cada uno de los dos tomos de hidrgeno tiene un electrn de valencia y el tomo de oxgeno tiene 6, lo cual da un total de 8 electrones de valencia. Cada tomo de hidrgeno comparte su electrn de valencia con el tomo de oxgeno. Los electrones compartidos unen a los tomos para formar la molcula H2O. Este tipo de unin se llama covalente. El agua pura, por lo tanto, es un buen aislante. En otros

compuestos. por ejemplo el cloruro de sodio (NaCl), un tomo entrega un electrn para volverse ion positivo y el otro toma este electrn para convertirse en ion negativo; entonces los dos iones quedan ligados por atraccin. Este tipo de unin se conoce como unin inica o electrovalente. La molcula completa tiene 8 electrones de valencia lo que la hace estable. Debido a la tendencia hacia la estabilidad que tienen los tomos, cuando se combinan, la mayor parte de los compuestos, por ejemplo, vidrio, madera, caucho, plstico, mica, etc., constituyen buenos aislantes. Sin embargo, cabe notar que no existe tal cosa como un aislador perfecto. Simplemente es muy difcil liberar electrones de tales materiales.

Semiconductores Puesto que los conductores tiene sus capas de valencia llenas a menos de la mitad, y los aisladores tienen las suyas llenas a ms de la mitad, las substancias que tienen tomos con cuatro electrones de valencia reciben el nombre de semiconductores. Estos conducen mejor que los aisladores, pero no tan bien como los conductores. Algunos ejemplos son: el germanio, el silicio y el selenio. Sin embargo cuando se combinan los tomos de los semiconductores, comparten sus electrones de tal manera que se llenan las capas de valencia. Por lo tanto, los materiales semiconductores puros, tambin tienden a ser buenos aisladores. Pero eso slo ocurre a la temperatura del cero absoluto, porque a temperaturas altas y aun a la temperatura ambiente normal, la energa ocasiona la liberacin de numerosos electrones de valencia de manera que el material se comporta como semiconductor. Por otra parte, muchos compuestos que tienden a ser estables, generalmente contienen impurezas que facilitan la conduccin elctrica. Por lo tanto, si el agua y el xido de cobre contienen impurezas, no son ya aisladores, sino semiconductores. De hecho, el xido de cobre se fabrica con cantidades controladas de impurezas, de manera que se pueda usarlo como rectificador semiconductor de circuitos de potencia. Los compuestos que conservan las caractersticas de buenos aisladores, son los que estn menos afectados por la temperatura y slo contienen pequeas cantidades de impurezas. Comparacin de los conductores Algunos metales son mejores conductores que otros. Por ejemplo, aun cuando los tomos de cobre, plata u oro tienen, cada uno, un solo electrn de valencia que puede liberarse fcilmente, la plata es el mejor conductor. La sigue el cobre y luego el oro. Esto se debe al hecho de que en una cantidad dada de material la plata tiene ms tomos que los dems metales y por consiguiente, se dispone de un mayor nmero de electrones libres. Comparacin de los conductores, aislantes y semiconductores Los conductores son materiales que tienen electrones cuya liberacin es fcil. La mayor parte de los metales que son buenos conductores elctricos, generalmente se describen como materiales con muchos electrones "libres". Los aisladores ms usados son el vidrio, hule, plstico, madera y cermica. Es muy difcil liberar los electrones en estos materiales. Por ello se dice que contienen muy pocos electrones libres. Los semiconductores son materiales con mayor nmero de electrones libres que los aisladores pero menor que los conductores.

Unidad 1 tomos, electrones y cargas elctricas Antes de que se estudien los fundamentos de la electricidad y la electrnica, se necesita saber qu es la materia. Materia es todo aquello que ocupa espacio y tiene masa o peso. El alambre, el hule y el vidrio son ejemplos de materia. Los cientficos estudian las propiedades de la materia con el propsito de conocer su comportamiento. Tambin se interesan en el estudio de la energa. La energa es la capacidad para realizar un trabajo. sta tiene diferentes formas, como la energa trmica y la energa elctrica. La energa elctrica es el resultado del movimiento de diminutos fragmentos de materia llamados electrones. La energa puede producir cambios en los materiales, puede unirlos, separarlos o simplemente moverlos de un lugar a otro. La unidad bsica de la materia es el tomo. Al estudiar la electricidad y la electrnica es importante conocer al tomo, puesto que el electrn es una de sus partes. En esta unidad se estudia la estructura del tomo y sus propiedades elctricas. ESTRUCTURA DEL TOMO Un tomo est formado por partculas diminutas. Dos de estas partculas, el electrn y el protn, son importantes para nuestros estudios. Los electrones se mueven en trayectorias alrededor del centro o ncleo de un tomo. Estas trayectorias comnmente se denominan niveles (Fig. 1-1). Un tomo puede tener varios niveles alrededor de su ncleo. Cada uno de ellos puede tener nicamente determinado nmero de electrones. Este nmero se llama cuota de un nivel. Cuando todos los niveles de un tomo contienen su cuota de electrones, se dice que el tomo est en una condicin estable. El ncleo del tomo est formado por partculas llamadas protones y neutrones. stos se mantienen unidos estrechamente por una energa de amarre. Todos los electrones son semejantes, y todos los protones tambin. De este modo, los tomos difieren unos de otros slo por el numero de electrones y protones que contienen (Fig 1-2) El numero de protones en el ncleo es el nmero atmico del tomo. El peso de los neutrones es aproximadamente el mismo que el de los protones. El trmino peso atmico se refiere al nmero total de partculas (tanto protones como neutrones en el ncleo de un tomo. ELEMENTOS, COMPUESTOS Y MOLCULAS Cuando todos los elementos en una sustancia son semejantes, la sustancia se llama elemento. El cobre, el hierro y el carbono estn entre los ms de 100 elementos diferentes conocidos. Diferentes elementos pueden combinarse para formar una sustancia llamada compuesto. El agua, el azcar y los materiales plsticos son ejemplos de compuestos. La partcula ms pequea de un compuesto que conserva las mimas propiedades se denomina molcula. Una molcula contiene tomos de cada uno de los elementos que forman el compuesto (Fig. 1-3). CARGAS Los electrones y los protones tienen diminutas cantidades de energa conocidas como cargas elctricas. Los electrones tienen carga negativa (-). Los protones positiva (+). Los neutrones no tienen carga elctrica: por esta razn, son neutros. La magnitud de la carga negativa de cada electrn es igual a la magnitud de la carga positiva de cada protn. Estas cargas opuestas se atraen unas a otras. Esta atraccin es la responsable de que el tomo se mantenga unido. En condiciones normales, las cargas positivas y negativas en el tomo tienen el mismo valor. Esto se debe a que el tomo tiene el mismo nmero de electrones y de protones. Cuando un tomo tiene esta condicin, se dice que es elctricamente neutro (Fig. 1-4). ELECTRONES DE VALENCIA A los electrones del nivel superior de un tomo se les llama electrones de valencia. En el estudio de la electricidad y electrnica, interesa principalmente el comportamiento de los electrones de valencia. Ellos, en ciertas condiciones, pueden abandonar a sus tomos "padres". El nmero de los electrones de valencia en los tomos determina importantes caractersticas elctricas y qumicas de la sustancia. NVELES DE ENERGA Y ELECTRONES LIBRES Se dice que los electrones de cualquier nivel de un tomo estn localizados en determinados niveles de energa. Estos ni-veles estn relacionados con la distancia existente entre los electrones y el ncleo del tomo. Cuando se aplica energa externa como calor, luz o electricidad a ciertos materiales, los electrones de los tomos de esos materiales ganan energa. Esto puede causar que los electrones salten a niveles de energa ms altos. De esta manera, se alejan de los ncleos de sus tomos (Fig. 1-5A). Cuando un electrn pasa al nivel de energa ms alto posible (o al nivel superior de su tomo), disminuye la atraccin que ejercen sobre l las cargas positivas de los protones dentro del ncleo del tomo. Si en estas condiciones se aplica suficiente energa al tomo, algunos de los electrones del nivel superior, o de valencia, lo abandonarn. A estos electrones se les llama electrones libres (Fig. 1-5B). JONES Un ion es un tomo cargado. Si un tomo neutro gana electrones, entonces habr en l ms electrones que protones. As, el tomo se convierte en un ion cargado negativamente (Fig. 1-6A). Si un tomo neutro pierde electrones, los protones sobre-pasarn en nmero a

los electrones restantes; as, el tomo ser un ion cargado positivamente (Fig. 1-6B). Iones con car-gas opuestas se atraen entre s. Iones con cargas iguales se re-pelen unos a otros. El proceso por medio del cual los tomos ganan o pierden electrones se conoce como ionizacin. CARGAS ELCTRICAS EN ACCIN Una manera sencilla de generar una carga elctrica es por medio del rozamiento. Por ejemplo, si se frota vigorosamente un globo de hule con un pao de lana, los electrones pasarn del pao al globo, y el globo quedar cargado negativamente. Si luego el globo se coloca contra una pared, la carga negativa del globo repelar a los electrones de la superficie de la pared (Fig. 1-7). Esto, a su vez, causar que la superficie de la pared quede cargada positivamente. La atraccin entre las cargas opuestas del globo y de la pequea rea de la superficie de la pared es lo suficientemente intensa para mantener al globo en ese lugar. ELECTRICIDAD ESTTICA La atraccin entre el globo cargado y la pared representa el trabajo realizado por la energa electrosttica, llamada electricidad esttica con frecuencia. Un campo electrosttico es la energa que rodea a todo objeto cargado (Fig. 1-8). En esta clase de electricidad, no hay movimiento de electrones entre el globo y la pared. Por esto, se dice que la electricidad es esttica o en reposo. -La electricidad esttica a veces se considera como algo que no tiene aplicacin prctica. Sin embargo, existen dispositivos como capacitores y purificadores de aire en procesos industriales como la manufactura de papel abrasivo, que hacen uso de ella.

2.- Explique la teora de la estructura de un aromo de silicio.

Mirando la figura del centro puede verse la representacin del tomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El tomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel estn completos, y hay cuatro electrones en el ltimo nivel. Estos electrones del ltimo nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros tomos para formar enlaces. 3.- Explique la teora de la estructura de un tomo de germanio.

Un tomo de germanio est formado por un ncleo, el cual est rodeado por varias cadenas de electrones y se ilustra en la figura anterior. Su ncleo est formado por 32 protones, mismos que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones poseen una carga positiva de electricidad. El ncleo est rodeado por 32 electrones, los que giran en rbitas fijas. Los cuatro electrones de la rbita no son atrados tan fuertemente por el ncleo, como lo son los de las rbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de ELECTRONES DE VALENCIA (ver figura 1b), puede verse la carga neta resultante de 4 protones en el ncleo y 4 electrones en la rbita exterior.

4.- De l nombre de un elemento y de un compuesto qumico que se utilice como material conductor. Elemento: Cobre, Nquel, Plata Compuesto Qumico: Oxido Metlico Oxido de Magnesio, Oxido no metlico u acido Carbnico, cidos Acido Sulfrico, Bases Hidrxido de Sodio 5.- De la definicin de material semiconductor: Los semiconductores son una clase de elementos, como el germanio y el silicio, y compuestos como el oxido de cobre y el sulfuro de cadmio cuyas propiedades elctricas se encuentran en una zona entre los conductores y los aisladores. Los materiales semiconductores se comportan como aislantes a bajas temperaturas pero a temperaturas ms altas se comportan como conductores. La razn de esto es que los electrones de valencia estn ligeramente ligados a sus respectivos ncleos atmicos, pero no lo suficiente, pues al aadir energa elevando la temperatura son capaces de abandonar el tomo para circular por la red atmica del material. En cuanto un electrn abandona un tomo, en su lugar deja un hueco que puede ser ocupado por otro electrn que estaba circulando por la red. 6.- De l nombre del elemento que se utiliza como impureza donante para formar un cristal tipo N En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5, como son Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb) 7.- De l nombre del elemento que se utiliza como impureza receptora para formar un cristal tipo P En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In) 8.- Que es una ligadura covalente Es la unin de un electrn de valencia de un tomo con un electrn de valencia de otro tomo vecino. 9.- Explicar en qu consiste un cristal tipo N El cristal semiconductor con impureza donante se conoce como tipo N (por Negativo), ya que contiene un exceso de electrones que son conductores negativos. Por lo tanto, en el cristal tipo N, a temperatura ambiente, tenemos conductores de corriente tanto negativos (electrones), como positivos (huecos). Pero a causa de la presencia de la impureza donante, hay mucho mas electrones en exceso y libres, que huecos. En este tipo de cristal, los electrones se consideran como conductores mayoritarios, y los huecos, como minoritarios. 10.- Explicar en qu consiste un cristal tipo N El cristal semiconductor con su impureza receptora, se denomina tipo P (por positivo) dado que contiene huecos extras que son conductores positivos, Por tanto, en el cristal tipo P, a la temperatura ambiente, tenemos conductores de corriente tanto negativos (electrones), como positivos (huecos). Pero, debido a la presencia de la impureza receptora, hay ms huecos que electrones libres. En este tipo de cristal, los huecos se consideran como conductores mayoritarios, y los electrones como minoritarios.

11.- Explique a lo que se llama una unin P-N LA UNIN P-N Supongamos que se une un cristal tipo N a otro tipo P, como se muestra en la figura 5-6. (En la prctica no se usan dos cristales separados. En su lugar se crean una regin N y una regin P, lado a lado, en el mismo cristal semiconductor, formando as una unin PN entre las dos regiones.) Como hay una concentracin mayor de electrones en la regin N que en la regin P, algunos de los electrones en exceso de los tomos donantes en la vecindad de la unin, se desprendern de sus ncleos y se difundirn por la unin hacia la regin P. Cuando estos tomos pierden sus electrones se convierten en iones positivos. Como todos los tomos del cristal se fijan en posicin dentro de la celosa mediante sus ligaduras, estos iones positivos permanecen fijos en la regin N cercana a la unin. Como esta regin ha perdido algunos de sus electrones, ya no es neutral; tiene una carga positiva. De manera similar, como hay una concentracin mayor de huecos en la regin P que en la N, algunos de los huecos de los tomos receptores en la vecindad de la unin se difundirn por sta hacia la regin N. Cuando un tomo receptor pierde un hueco se transforma en ion negativo. Como resultado, hay varios iones negativos fijos en la regin P prxima a la unin. Como la regin P ha perdido algunos de sus huecos, tampoco es ya neutra; tiene una carga negativa. Cuando un electrn de la regin N se difunde por la unin y encuentra un hueco en la regin P, se recombinan, eliminndose as ambos conductores. En forma similar, cuando un hueco de la regin P se difunde por la unin y encuentra un electrn en la regin N, tambin se recombinan y, de nuevo, se eliminan ambos conductores. Pero los iones de ambos lados de la unin retienen sus cargas respectivas y permanecen fijos en posicin. (Vase la figura 5-7.) Cuando ms huecos de la regin P tratan de difundirse por la unin, los iones positivos de la regin N los repelen. Del mismo modo, cuando ms electrones de la regin N tratan de diseminarse por la unin, los iones negativos de la regin P los repelen. A causa de los iones con cargas opuestas en cada lado de la unin, existe un campo elctrico (es decir, un voltaje) entre ellos. (En la figura 5-7 se muestra este voltaje como una batera equivalente con la popularidad indicada.) Este campo se conoce como una barrera de potencial, y su magnitud, conocida como su altura, es generalmente del orden de algunas dcimas de voltio (unos 0.6 voltios en el silicio, y un poco menos en el germanio). Es esta barrera la que impide ms difusin de electrones desde la regin N y de huecos de la regin P. Como los electrones (que son los conductores mayoritarios de la regin N) se difunden en la regin P y se recombinan con los huecos, y stos (que son los conductores mayoritarios de la regin P) se difunden en la regin N y se recombinan con los electrones, hay una escasez de conductores mayoritarios en una zona que se extiende desde cualquier lado de la unin. Esta zona se conoce como zona de agotamiento. El ancho de esta zona depende de las densidades de las impurezas en cada regin.

12.- Dibuje y explique el efecto de un voltaje directo en la unin P-N Supongamos que se conecta una batera externa a un cristal semiconductor que contiene una unin P-N, como se indica en la figura 58. Ntese que la terminal negativa de la batera se conecta en la regin N, y la terminal positiva a la regin P. Decimos que de esta manera se aplica un voltaje hacia delante a la unin P-N. (En esta figura slo se muestran los conductores mayoritarios de ambas regiones.) La terminal negativa de la batera repele los electrones de la regin N, y se dirigen hacia la unin. La terminal positiva de la batera repele los huecos de la regin P, y tambin stos se dirigen hacia la unin. Como estos conductores se acumulan en su viaje hacia la unin desde ambos lados, reducen el ancho de la zona de agotamiento y la altura de la barrera de potencial. Como se ha reducido la altura de la barrera, algunos de los electrones de la regin N pueden ahora atravesar la unin y encontrar huecos en o cerca de la zona de agotamiento en la regin P, recombinndose con ellos. De igual manera, algunos de los huecos de la regin P pueden atravesar la unin y, encontrando electrones en o cercanos a la zona de agotamiento en la regin N, se recombinan con ellos. En cada recombinacin de un electrn y un hueco, un electrn de la terminal negativa de la batera externa entra a la regin N y se une a la corriente hacia la unin. Al mismo tiempo, se rompe una ligadura covalente en la regin P prxima a la terminal positiva de la batera. El electrn liberado se proyecta del cristal a la terminal positiva de la batera, y el hueco as creado se desva hacia la unin. Mientras permanezca aplicada la batera externa, los electrones fluyen en el cristal desde la terminal negativa de aqulla, otros salen del cristal hacia la terminal positiva, y siguen teniendo lugar las recombinaciones de electrones y huecos en o cerca de la zona de agotamiento. Por lo tanto, hay un flujo de corriente de electrones en la regin N del cristal, un flujo de corriente de huecos en la regin P y un flujo de corriente de electrones en el circuito externo. stas se llaman corrientes hacia delante. Aunque originalmente la altura de la barrera de potencial era de algunas dcimas de voltio, se requiere un voltaje externo de 1 o 1*4 voltios para vencer esta barrera de modo que pueda fluir la corriente hacia delante. El exceso de voltaje es la cada del mismo causada por la resistencia del cristal al flujo de la corriente a travs de l. Si se aumentase el voltaje de la batera, tambin se aumentara la corriente hacia adelante. Si el voltaje de la batera se hiciese demasiado grande, la corriente hacia delante se elevara tanto que el calor producido al fluir por el cristal podra daar su estructura. En la figura 5-9 se muestra una grfica que expone la relacin entre el voltaje hacia delante y el flujo de corriente en un cristal semiconductor comn que contiene una unin P-N. Ntese que la corriente hacia delante no comienza a fluir en el instante en que se aplica el voltaje hacia delante. ste debe vencer primero la barrera de potencial (algunas dcimas de voltio) antes de que pueda fluir la corriente hacia delante. Ntese tambin, que la comente hacia delante es un flujo de conductores mayoritarios.

13.- Dibuje y explique el efecto de un voltaje inverso en la unin P-N Si se conecta la batera externa de manera contrara, es decir, con la terminal positiva a la regin N y la terminal negativa a la regin P (vase la figura 5-10), se aplica un voltaje inverso a la unin P-N. Como los electrones de la regin N se desvan hacia la terminal positiva de la batera, y los huecos de la regin P hacia la terminal negativa, los conductores rnayoritarios de cada regin se alejan de la unin. Como resultado, se aumentan el ancho de la zona de agotamiento y la altura de la barrera de potencial. Por lo tanto, esperaramos que no haya flujo de corriente por el cristal; es decir, esperaramos que el cristal exhiba una resistencia infinita al flujo de corriente. Sin embargo, debido a la ruptura trmica de las ligaduras covalentes, hay algunos conductores minoritarios intrnsecos en cada regin (huecos en la regin N y electrones en la regin P). Como estos conductores se mueven en una direccin opuesta a la de los conductores rnayoritarios, los minoritarios se mueven hacia la unin. Como llevan cargas opuestas a las de sus conductores mayoritarios respectivos, el campo de la barrera de potencial los atrae a travs de la unin y" los desva a sus respectivas terminales en la batera. Este flujo de conductores minoritarios se llama corriente inversa. La corriente inversa que fluye por un cristal es mucho ms pequea que la En la figura 5-11 aparece una grfica que muestra la relacin entre el voltaje y el flujo de corriente inversos en una unin P-N comn. Ntese que, mientras el flujo de corriente hacia delante es del orden de los miliamperios (vase la figura 5-9), el flujo de la corriente inversa es del orden de los microamperios. Adems, la corriente hacia delante es un flujo de conductores rnayoritarios; la corriente inversa es un flujo de conductores minoritarios. Tambin, al aumentar el voltaje hacia delante, la corriente hacia delante aumenta con rapidez. Por el contrario, la corriente inversa aumenta muy despacio al aumentar el voltaje inverso. Si el voltaje inverso se eleva demasiado, se llega a un punto en que se rompe la unin. En este punto, la corriente inversa se eleva con mucha rapidez con un ligero aumento del voltaje y su flujo slo est limitado por la impedancia del circuito externo al que se conecta el cristal. Si esta corriente se hace demasiado grande, se puede destruir el cristal. Existen dos teoras para explicar esta ruptura. El ancho de la zona de agotamiento en torno de una unin P-N se puede controlar variando los porcentajes de impurezas introducidas en ambas regiones. De acuerdo con la teora de la ruptura de Zener, si esta zona se hace estrecha, y el voltaje inverso aplicado al cristal se hace bastante grande, se alcanza un punto (el punto Zener) en que el campo elctrico a travs de la zona de agotamiento llega a ser lo bastante intenso para alejar algunos de los electrones de valencia del cristal de sus ncleos. Cuando se desprende un electrn, se produce un hueco. Entonces, el resultado es que se genera un gran nmero de electrones y huecos, produciendo el aumento rpido en la corriente inversa. Corriente hacia delante que pasa por el mismo cristal. A causa de esta pequea corriente inversa, un cristal con el voltaje aplicado en direccin inversa, exhibe una resistencia muy alta al flujo de la corriente, en vez de una resistencia infinita. Si la zona de agotamiento se construye ms ancha, requerira un voltaje inverso ms alto para producir un campo elctrico lo bastante intenso para causar el efecto de ruptura de Zener. Sin embargo, al aumentar el voltaje inverso, se aceleran los conductores de la corriente inversa. A cierto valor del voltaje inverso, estos conductores se pueden acelerar lo suficiente, de manera que cuando chocan con algunas de las ligaduras covalentes del cristal, se rompen stas. Como resultado, se liberan ms electrones y huecos. stos, a su vez, se aceleran y, al chocar con otras ligaduras covalentes, liberan ms conductores. Este proceso, que se llama ruptura en avalancha, es acumulativo, resultando en un gran flujo repentino de corriente inversa. (Ntese cmo se parece este proceso a la ionizacin en un gas.)

14.- Dibuje el smbolo de un diodo semiconductor e indique el nombre de sus partes y el sentido en el que fluye la corriente elctrica a travs de l. Cuando se aplica voltaje a la unin P-N en direccin hacia adelante (conductora) la terminal de la regin N se conecta al lado negativo de la fuente de voltaje y la terminal de la regin P al lado positivo, por lo tanto por analoga con el diodo de tubo electrnico el cristal semiconductor que contiene una unin P- N se puede considerar un diodo semiconductor con su electrodo de la regin N correspondiente al ctodo del tubo y su electrodo de la regin P al nodo. Ofrece un paso de baja resistencia (interruptor abierto) a la corriente aplicada en la direccin hacia adelante y un paso de alta resistencia (interruptor cerrado) cuando se aplica la corriente en direccin inversa

15.- Cual es la funcin de un diodo semiconductor Bsicamente el diodo semiconductor es una especie de interruptor. 16.- Diga tres tcnicas o mtodos para contaminar un cristal semiconductor La tcnica de grado de crecimiento: Se agregan de forma simultnea tanto las impurezas donantes como receptoras a la fundicin. La concentracin de impurezas en el cristal depende del grado con que crece. Un mtodo para determinar si se forma una regin N o una regin P en el cristal, es el de controlar la velocidad con que se extrae el cristal de la fundicin. Si se hace con lentitud contiene una concentracin de impurezas donantes produciendo una regin N, si se extrae el cristal con mayor rapidez, contiene una concentracin de impurezas receptoras, produciendo una regin P. La tcnica de Aleacin: Aqu se coloca un grano de la impureza metlica (ejem Indio, un tipo receptor) en la superficie del material semiconductor (ejem Silicio). El cristal y el grano se calientan hasta que se funde el indio. Al hacerlo disuelve parte del silicio (forma una aleacin) en la superficie del cristal. Cuando se enfra el silicio disuelto se cristaliza y se separa de la aleacin y vuelve a unirse al cristal original. Sin embargo, ahora contiene una impureza de tomos de indio. Por lo tanto, forma una regin P en un cristal de silicio, La concentracin de los tomos de impureza y el grado en que penetran en el cristal (extensin de la regin P) dependen del calor aplicado y su duracin, Si se desea una regin N se utiliza una impureza donante como arsnico o antimonio. La tcnica de Difusin: se hace que los tomos de las impurezas se difundan en forma gradual a travs del cristal. Este se puede colocar en un gas que contenga la impureza deseada o se puede cubrir su superficie con una sustancia qumica que contenga la impureza. Despus se calienta se calienta el conjunto, haciendo que los tomos de la impureza penetren en el cristal. Controlando el calor es posible regular la profundidad de la penetracin y la concentracin de los tomos de impureza en el cristal. 17.- Que es un electrodo en los dispositivos semiconductores Es un contacto elctrico y mecnico con una parte del dispositivo. 18.- Que es un terminal en los dispositivos semiconductores Es un punto de conexin externamente disponible para uno o ms electrodos. 19.- En que se emplean los diodos de cristal o de corrientes pequeas Se emplean en general, en frecuencias de radio como por ejemplo detectores en los receptores de radio. Estos diodos operan usualmente a voltajes bajos y corrientes muy bajas del orden de los miliamperios 20.- En que se emplean los diodos de potencia Manejan corrientes ms altas del orden de los amperios y en general esos diodos funcionan con los voltajes y las frecuencias de la lnea de luz y fuerza y se emplean mucho como rectificadores en las lneas alimentadoras 21.- Dibuje el smbolo de un diodo Zener y mencione su caracterstica fundamental. Cuando se aplica un voltaje inverso al diodo (se dice que la unin es de polarizacin inversa), la curva caracterstica del diodo Zener ntese que en la regin de ruptura el voltaje que pasa por el diodo permanece prcticamente constante ante cambios apreciables en la corriente que fluye a travs de l. Por lo tanto, se puede emplear en una forma similar a la del tubo de descarga luminiscente como un dispositivo regulador de voltaje o como una fuente de referencia de voltaje. 22.- Dibuje el smbolo de un diodo varactor y diga cual es su funcin principal. Es un diodo de unin que acta como un capacitor variable, El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la tensin aplicada, como un capacitor (o condensador) variable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios de capacidad.

23.- Dibuje el smbolo e un diodo tnel y diga en qu tipo de circuito se llega utilizar. La caracterstica de resistencia negativa del diodo de tnel permite que se emplee como un oscilador y algunos otros dispositivos. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

24.- Que es un transistor y cul es su funcin principal El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. 1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc. 25.- Dibuje el smbolo de un transistor N-P-N y P-N-P e indique el nombre de sus partes que lo conforman.

26.- Dibuje las tres configuraciones comunes del transistor. Los transistores son elementos muy verstiles. Podemos conectarlos dentro de un circuito de muy diferentes maneras, obteniendo distintos comportamientos. Por ejemplo se puede conseguir ganancia en tensin, en intensidad o en ambas, segn la clase configuracin. Hay tres tipos de configuraciones bsicas del transistor BJT: emisor comn, colector comn y base comn.

Es evidente que los transistores no se utilizan como elemento nico en los circuitos sino que forman parte de una red ms o menos complicada de elementos unidos entre s. La forma de comportarse dentro de este circuito va a ser lo que nos ocupe en las siguientes lneas.

Un transistor en el seno de un circuito se ve afectado por las distintas intensidades de corriente que lo atraviesan y por las tensiones a las que estn sometidos sus terminales. Como ya sabemos, un transistor, al tener tres terminales, se puede conectar de varias formas. Cada manera de conectarlo se llama configuracin, y segn como est unido se va a comportar de una forma u otra. Existen tres tipos de configuraciones bsicas para el transistor BJT, a saber: emisor comn (EC), base comn (BC) y colector comn (CC). En la ilustracin correspondiente vemos representados estos tres tipos de circuitos, prescindiendo de cualquier otro elemento, como pueden ser bateras, condensadores, etc. Hemos dejado solos a los transistores para poder ver mejor como estn conectados. El nombre de comn se le da al terminal del transistor que es compartido por la entrada y la salida.

27.- Polarice un transistor N-P-N El transistor se hace funcionar de manera que la unin del emisor y la base del diodo de entrada exhiba una resistencia baja al flujo de corriente, y la unin del colector y la base del diodo de salida exhiba una resistencia alta. Si, como en la figura 7-2/A, se emplea un transistor N-P-N, la resistencia de la unin del emisor y la base es baja, porque la batera V E E se conecta con su terminal negativa al emisor (regin N) y su terminal positiva a la base (regin P). Por lo tanto, el voltaje, llamado voltaje polarizador, es en direccin haca delante. Decimos que la unin del emisor y la base esta polarizada hacia djame. Para el diodo de salida. La batera Vcc se conecta con su terminal negativa a la base (regin P) y su terminal positiva al colector (regin N). Entontes, el voltaje polarizador aplicado a la unin del colector y la base es en direccin inversa, y se dice que la unin est polarizada inversamente. Debido a esta polarizacin inversa, la unin del colector y la base exhibe una alta resistencia.

28.- Polarice a un transistor P-N-P Si se emplease un transistor P-N-P (vase la figura 7-2B), las conexiones y los resultados son iguales excepto que las polaridades de las bateras polarizadoras (VEE y VCC) se invierten. Ahora, si un flujo de corriente a travs del diodo de baja resistencia formado por el emisor y la base (el diodo de entrada), puede producir un flujo similar de corriente a travs del diodo de alta resistencia formado por el colector y la base (el diodo de salida), el transistor producir un aumento de energa (ya que P = I2 X R). Por supuesto, la energa adicional en el diodo formado por el colector y la base, proceder de la batera del colector (VCC)

29.-Como se llama al factor de amplificacin de corriente EMISOR-COLECTOR? FACTOR DE AMPLIFICACIN DE LA CORRIENTE DEL EMISOR Y EL COLECTOR. Al exponer las caractersticas del trodo de tubo electrnico (vase el captulo 2), vimos que el factor de amplificacin del tubo se halla dividiendo un pequeo cambio en el voltaje de la placa entre un pequeo cambio en el voltaje de la rejilla, mantenindose constante la corriente de la placa. Por analoga con el factor de amplificacin del tubo electrnico, el factor de amplificacin de corriente del emisor y del colector del transistor, que se llama alfa (), se puede hallar dividiendo un cambio pequeo en la corriente del colector (IC) entre el cambio ligero en la corriente del emisor (IE) que lo produce, mantenindose constante el voltaje del colector (VC). Es decir,

Dado que, en la configuracin de base comn (vase la figura 7-3), la entrada es al emisor y la salida del colector, el factor de amplificacin de corriente del emisor y colector, se refiere a esa configuracin. Tambin se recordar que el valor alfa de un transistor de unin en esa clase de configuracin, siempre es menor que la unidad. (Ntese que en el tubo electrnico la corriente de salida depende del voltaje de entrada. En el transistor, la corriente de salida depende de la corriente de entrada. De aqu que consideremos al tubo electrnico como un dispositivo que funciona por voltaje. Por el contrario, el transistor se considera como un dispositivo que funciona por corriente.) 30.-Como se llama al factor de amplificacin de corriente BASE-COLECTOR? FACTOR DE AMPLIFICACIN DE LA CORRIENTE DE LA BASE Y EL COLECTOR. En la configuracin de emisor comn (vase la figura 7-6), la entrada es a la base del transistor, y la salida del colector. Por lo tanto, ahora tenemos un factor de amplificacin de corriente de la base y el colector, que se llama beta (), que se puede hallar dividiendo un pequeo cambio en la corriente del colector (IC) entre el cambio ligero en la corriente de la base {lB) que lo produce, siendo constante el voltaje del colector (VC). Es decir,

El valor de un transistor en una configuracin de emisor comn, es mucho ms alto que el valor del mismo transistor en una configuracin de base comn. En el transistor de unin es comn un valor de 40, o ms. Aunque consideramos a cuando expusimos la configuracin de base comn, y cuando se trat de la configuracin de emisor comn, existe una relacin entre los dos valores. Esta relacin se puede expresar mediante la frmula siguiente:

31.- Diga tres tcnicas para la construccin de un transistor. LA TCNICA DE CRECIMIENTO. Las impurezas donantes o receptoras, se introducen en el cristal cuando ste crece. El transistor de unin de crecimiento se produce cambiando alternativamente la naturaleza de la fundicin al extraer el cristal. En el mtodo de grado de crecimiento se modifica alternativamente la velocidad de crecimiento del cristal, produciendo as regiones N o P indistintamente. De esta manera se pueden producir transistores N-P-N o P-N-P. LA TCNICA DE ALEACIN. Se puede fabricar un transistor de unin de aleacin P-N-P, aleando dos granos de indio en lados opuestos de una oblea delgada de cristal semiconductor tipo N. (Vase la figura 7-11.) Ntese que los dos granos se colocan directamente opuestos entre s. La porcin del cristal tipo N entre las dos regiones P formadas por el indio, es la regin de la base.

Ntese, tambin, que el grano del colector y la regin P formada por l, son mayores que el grano del emisor y la regin P que forma. Por tanto, la superficie de la unin del colector y la base es mayor que la de la unin del emisor y la base. Esto se debe a que se necesita una superficie de unin mayor para disipar la mayor cantidad de calor que se produce en la unin del colector y la base. El mtodo de unin de aleacin se puede emplear para formar, tambin, un transistor N-P-N. En este caso, los granos del material donante (como arsnico o antimonio) se alean en los lados de una oblea tipo P. LA TCNICA DE DIFUSIN Se emplea calor para hacer que los tomos de las impurezas se difundan a travs del semiconductor slido, creando as, una regin contaminada. Un transistor de doble difusin N-P-N, se construye difundiendo impurezas tipo N en ambos lados de una oblea semiconductora tipo P. Un transistor P-N-P se puede fabricar difundiendo impurezas tipo P en ambos lados de una oblea tipo N. LA TCNICA ELECTROQUMICA. Como se indic antes, la regin de la base de un transistor ha de ser muy estrecha para que los conductores que proceden de la regin del emisor se puedan difundir con rapidez en la regin del colector. En el transistor de unin de aleacin, por ejemplo, la oblea semiconductora que forma la regin de la base se fabrica lo ms delgada posible sin sacrificar su resistencia mecnica. Aun as, la regin de la base no es bastante estrecha para ciertas aplicaciones. Para obtener una regin de base sumamente estrecha sin hacer demasiado frgil el transistor, se emplea una tcnica electroqumica para desbastar parte del material del centro de la oblea semiconductora. Como electrlito, se utiliza una solucin de una sal de algn material receptor, como cloruro de indio. Se proyectan dos chorros del electrlito contra los lados opuestos de una oblea semiconductora delgada tipo N. Entre la oblea y los chorros se conecta una fuente de corriente continua. Cuando la oblea es positiva, con respecto a los chorros, el electrlito acta como un abrasivo, grabando pequeos crteres en los lados de la oblea. Como los chorros se dirigen hacia los lados puestos de esta, los crateres crecen aproximndose, reduciendo el espesor del material que queda entre ellos. Este material es la base del transistor. Cuando la base se ha reducido a su espesor requerido, se invierte la polaridad de la fuente de corriente continua, transformando la pieza en negativa, en relacin a los chorros. Esta inversin de la polaridad hace que el electrlito deposite una capa de indio en la superficie de los crteres. Al depositarse el indio, se une qumicamente con el material del semiconductor y de este modo forma una regin P a cada lado de la regin de la base. Dado que la regin P y las barreras de potencial se encuentran en la superficie de la oblea, el dispositivo completo se llama transistor de barrera superficial. (Vase la figura 7-12.) Las tcnicas electroqumica y de aleacin se unen para formar el transistor de microaleacin. Este transistor se empieza utilizando la tcnica electroqumica (grabado y electrodeposicin) como si se tratara de fabricar un transistor de barrera superficial. Sin embargo, cuando se deposita el indio sobre las superficies interiores de los crteres, se eleva la temperatura, fundiendo el indio y haciendo que se alee con el semiconductor. Entonces, el resultado es un transistor de unin de aleacin con una regin de base sumamente estrecha. LA TCNICA EPITAXIAL. sta es una tcnica con la que se puede depositar una capa muy delgada del material semiconductor sobre otra capa del mismo, a manera de formar un solo cristal de las dos capas. stas no necesitan contener la misma clase de contaminante. Por lo tanto, una capa tipo N se puede unir a otra tipo P, o una capa contaminada se puede unir a otra no contaminada. Por medio de esta tcnica, se puede depositar una capa sobre otra para producir un solo cristal que contenga varias regiones. LA TCNICA PLANAR sta es una tcnica mediante la cual el cristal semiconductor se calienta cuidadosamente en oxgeno puro. Como resultado, los tomos del cristal se combinan con los del gas para formar una capa de xido del semiconductor sobre la superficie del cristal. Esta capa, llamada capa de pasividad, no reacciona elctricamente con el cristal. Su nico propsito es proteger la superficie del cristal contra la contaminacin. La tcnica planar se puede emplear en la construccin de dispositivos semiconductores. Como un ejemplo, supongamos que deseamos contaminar una regin de una oblea semiconductora con una impureza por medio de ia tcnica de difusin, y mantener, todava, las otras regiones de la pieza sin contaminarse. Primero, se cubre la superficie de toda la oblea con una capa de pasividad. Despus, se graba en esta capa una abertura, llamada ventanilla, exponiendo la superficie de la oblea en la regin en que se desea difundir la impureza, t Los tomos de sta no pueden penetrar la capa de pasividad y, as, no tocan la superficie protegida. No slo se pueden emplear tcnicas diversas en la construccin del transistor sino que se pueden usar varios tipos de estructuras. Uno de stos se muestra por el transistor de unin de aleacin, en el que las regiones del emisor y el colector se construyen en lados opuestos de la oblea semiconductora que acta como la regin de la base. Como esta regin reglones del emisor y el colector se construyen en lados opuestos de la oblea semiconductora que acta como la regin de la base. Como esta regin tiene que sostener mecnicamente a las otras dos, est claro que la base no se puede hacer demasiado estrecha porque el transistor resultara frgil en exceso. Otro tipo de estructura es el de mesa, que aparece en la figura 7-13. Empezamos con una oblea de semiconductor tipo P, que constituye el colector del transistor. En la parte superior de esta oblea se establece una regin N por medio de las tcnicas de difusin o epitaxial. Esta regin N es la base del transistor. Se depositan dos tiras metlicas sobre la superficie superior de la regin de la base. Una de ellas es de aluminio, un material receptor que forma una regin emisora tipo P, por medio de la tcnica de la aleacin. La otra tira, en general de oro, no reacciona con el semiconductor y slo acta como un contacto para la regin de la base. Para reducir los efectos de la capacitancia y las fugas entre las regiones del transistor, se rebaja la mayor parte del material del exterior de las tiras, produciendo la forma caracterstica de mesa. Ntese que es el colector el que sostiene este transistor. Por lo tanto, la regin de la base se puede hacer sumamente estrecha sin afectar la resistencia mecnica del dispositivo. Otro tipo de estructura es el planar, que se muestra en la figura 7-14. La superficie superior de una oblea de silicio tipo N, que sirve como colector, se cubre con una capa de pasividad de bixido de silicio. Despus, se graba una abertura en esta capa para permitir la difusin de una impureza receptora para formar la regin de la base tipo P. En esta regin se fija una conexin. La capa de pasividad se restablece sobre toda la superficie de y se graba una nueva abertura para permitir la difusin de una impureza donante para formar la regin del emisor

tipo N. Se fija una conexin a esta regin, y se vuelve a restablecer la capa de pasividad sobre toda la superficie para su proteccin. De esta manera se produce un transistor planar N-P-N.