Memrias Semicondutoras

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Captulo I - Memrias Semicondutoras

1.1. INTRODU O A funo de uma memria, de maneira geral, armazenar informaes (palavras, nmeros, figuras, textos, etc ! "al dispositivo pode ser semicondutor (#A$, #%$!, magntico (dis&uete, fita magntica! ou tico ('()#%$! *os e&uipamentos digitais esta informao sempre armazenada na forma de +A,A-#A (./."A,, ou se0a, um determinado nmero 1in2rio 3ma o1servao importante &ue a palavra digital armazenada pode significar um nmero positivo, nmero negativo, uma letra, um s4m1olo, etc +or exemplo, dependendo da aplicao, o nmero 1in2rio 5556 5655 pode ser interpretado como7 289 decimal (converso direta de 1in2rio para decimal!: )25 decimal (representao de nmeros negativos em complemento 2!: (ta1ela de caracteres A;'.. (American ;tandard 'ode for .nformation .nterc<ange! da .=$ *este curso iremos estudar somente as memrias semicondutoras 1.!.C"R"CT#R$STIC"S %#R"IS Alguns dos par>metros &ue primordialmente descrevem uma memria semicondutora podem ser7 5 'apacidade 7 no de 1its?2rea f4sica: 2 "aman<o da palavra digital 7 *mero de 1its de cada unidade de informao armazenada 8 "empo de acesso 7 "empo para a memria apresentar dados v2lidos aps ser endereada e selecionada @ "empo de escrita ? leitura 7 "empo necess2rio para efetuar uma escrita ? leitura em memria 9 'usto 7 preo?no de 1its O&S' As memrias so descritas da forma7 Ano de palavras digitaisBCAtaman<o da palavra digitalB Dx7 562@ C 8 E 562@ palavras de 8 1its 1.!.1. NOM#NC("TUR"S USU"IS *i11le E palavra ou dado de @ 1its: =Fte E palavra ou dado de 8 1its: Gord E palavra ou dado de 5H 1its: (ou1le)Iord E palavra ou dado de 82 1its: 5 Jilo1Fte E con0unto de 256 E5 62@ 1Ftes: 2 Jilo1Ftes E con0unto de 255 E 2 6@8 1Ftes: @ Jilo1Ftes E con0unto de 252 E @ 6KH 1Ftes: 8 Jilo1Ftes E con0unto de 258 E 8 5K2 1Ftes: 5H Jilo1Ftes E con0unto de 25@ E 5H 88@ 1Ftes: 82 Jilo1Ftes E con0unto de 259 E 82 LH8 1Ftes:

Memrias Semicondutoras H@ Jilo1Ftes E con0unto de 25H E H9 98H 1Ftes: 528 Jilo1Ftes E con0unto de 25L E 585 6L8 1Ftes: 29H Jilo1Ftes E con0unto de 258 E 2H2 5@@ 1Ftes: 952 Jilo1Ftes E con0unto de 25K E 92@ 288 1Ftes: 5 $ega1Fte E con0unto de 226 E5 6@8 9LH 1Ftes: 1.). C("SSI*IC" O

2K

+uanto , -orma de acesso

Seqenciais - para se c<egar a um certo endereo preciso passar por todas as localidades intermedi2rias Dx7 fita magntica (&ue no memria semicondutora!, M.,%, M.M% Aleatrias . encontra)se a &ual&uer endereo imediatamente

+uanto , tecnolo/ia
MOS . /ates $%; para implementar os flip)flops de armazenamento Bipolar . /ates "", para implementar os flip)flops de armazenamento Tecnolo/ia 0elocidade Inte/ra12o Custo #3emplo $%; ,enta /rande .nferior .ntel 255@ (;#A$ N 5J=! =ipolar #2pida +e&uena ;uperior L@;@66 (;#A$ N @J=!

+uanto , 4olatilidade
Volteis - +erdem suas informaes com o corte da alimentao Dx7 #A$ ($emria de ,eitura e Dscrita! No volteis - $esmo sem alimentao mantOm seus dados Dx7 #%$ (#ead %nlF $emorF! 1.5. DI"%R"M" %#R"( D# UM" M#M6RI" Apesar das diferenas existentes entre os v2rios tipos de memrias, os princ4pios 12sicos de operao permanecem os mesmos para todos estes sistemas *o entanto, cada sistema re&uer um con0unto de tipos diferentes de lin<as de entrada e sa4da para realizar as seguintes funes7 ;eleo de endereo: ;eleo de operao: #ecepo, fornecimento e manuteno dos dados de D?;: Pa1ilitao da memria

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A figura a1aixo ilustra estas funes 12sicas para uma memria de leitura e escrita tipo 82 x @ Dados ,in<as de Dndereos A6 A5 A2 A8 (6 (5 (2 (8 'D GD %D ,in<as de (ados Pa1ilitao de '<ip Pa1ilitao de Dscrita Pa1ilitao de ,eitura 'lulas de $emria 1.7. TI8OS D# M#M6RI"S S#MICONDUTOR"S #ndere1os

6 5 5 5 5 6
.

5 6 5 6 5 6
.

6 6 5 6 5 5
.

6 5 6 5 5 6
.

6666 6665 6656 6655 6566 6565 5565 5556 5555

6 5 5 5 5 6 6 6 5 6 5 6

1.7.1.

Memrias s de leitura - ROM 9Read Onl: Memor:;

;o memrias no vol2teis As memrias #%$ classificam)se &uanto ao modo de gravao de seus dados7 ROM (Mscara) %s dados so gravados durante o processo de fa1ricao Alm de no poder ser apagada e #%$: +#%$: D+#%$: DD+#%$ ou D2+#%$: M,A;P:

reprogramada, devido ao alto custo da m2scara, s vi2vel se produzida em grande &uantidade PROM (Programmable Read Only Memory ROM Programvel) *este tipo de memria, inicialmente todos os 1its so iguais a 5 e o usu2rio, com um gravador de +#%$, Q&ueimaR os 5Ss, deixando zeros lgicos 3ma informao importante &ue, feita a gravao esta no pode mais ser desfeita Algumas +#%$Ss populares so listadas na ta1ela a seguir *a<ricante Tecnolo/ia Modelo Tempo "cesso Capacidade 'Fpress '$%; L'229 @6 ns 952 C 8 ;ignetics "", 82P;58L @9 N 99ns 562@ C 8 ;ignetics "", 82;5K5 89 ns 26@8 C 8 ;ignetics "", 82P;825 @9 ns @6KH C 8

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory ROM Programvel Apagvel)

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"em programao semel<ante T +#%$ e seus dados podem ser apagados para uma nova gravao U programada escrevendo)se os dados atravs de pulsos com determinada amplitude e tempo % apagamento dos dados feito atravs da exposio do c<ip a luz ultravioleta *este dispositivo, o elemento da grade um transistor +$%; com gate flutuante Vuando a tenso -ds elevada, uma carga negativa deixada no gate flutuante e, assim, o +$%; conduz Vuando a luz ultravioleta aplicada ao gate, a carga negativa dissipada A figura a1aixo descreve a pinagem de uma D+#%$ 2L82 o encapsulamento t4pico desta memria, mostrando a 0anela para rece1er a radiao ultravioleta

Algumas D+#%$Ss populares so listadas na ta1ela a seguir *a<ricante Tecnolo/ia Modelo 0. 8ro/ram. T. "cesso Capacidade .ntel *$%; 5L62A )@6 5 ms 29H C 8 .ntel *$%; 2L68 2H @96 ns 562@ C 8 .ntel *$%; 2L5H 29 896 ns 26@8 C 8 "exas *$%; "$;2L82 29 5L6)@96 ns @6KH C 8 PFundai '$%; PW2L'H@ 52,9 596)866 ns 85K2 C 8 "exas '$%; 2L'528 52,9 596)@96 ns 5H88@ C 8 -,;. '$%; 2L'29H 52,9 5L6)@96 ns 82LH8 C 8

E PROM (Eletrically Erasable Programmable Read!Only Memory PROM Apagvel Eletricamente) (esenvolvidas no in4cio dos anos 86, so memrias onde tanto a gravao &uanto o apagamento so feitos por sinais eltricos +ossui trOs grandes vantagens em relao a D+#%$, se0am elas7 *o necessita ser retirada do circuito para ser apagada: +ode)se apagar somente os 1Ftes &ue forem necess2rios, no a memria toda como no caso da D+#%$: % tempo de apagamento total da memria muito menor &ue o da D+#%$ (na ordem de 56 ms contra 86 minutos!

Memrias Semicondutoras "#AS$ $uito semel<antes Ts D2+#%$Ss, porm possuem tenso de programao diferenciada

82

A ta1ela a1aixo relaciona algumas das memrias D 2+#%$Ss e M,A;P mais populares e seus par>metros comparativos *a<ricante Tecnolo/ia Modelo 0. 8ro/rama12o T. "cesso Capacidade ;ee& '$%; 285HA @,9 a 9,9 266 ns 26@8 C 8 .ntel '$%; 28H@ @,9 a 9,9 266N296 ns 85K2 C 8 Dxar '$%; 2K'952 @,9 a 9,9 596 ns H998H C 8 A$( Mlas< 2KM29H 982LH8 C 8 A$( Mlas< 28M29H 52 82LH8 C 8

1.7.!.

Memrias de #scrita e (eitura - R"M

;o memrias &ue podem admitem tanto a operao de leitura &uanto escrita, e normalmente so do

tipo vol2teis, ou se0a, as informaes armazenadas so perdidas &uando a energia do sistema for interrompida por &ual&uer motivo 'lassificam)se em7 #A$ Dst2tica N ;#A$ (;tatic #A$! #A$ (in>mica N (#A$ ((Fnamic #A$! *-#A$ (#A$ *o -ol2til!

RAM Esttica:
'ada 1it corresponde a um flip)flop '<ama)se Xest2ticaS pois, com o e&uipamento em operao, o dado uma vez guardado no precisa ser atualizado A figura da pagina a seguir ilustra uma memria ;#A$ de 8Y x 8

Modo

=# CS CS2 OE

8inos de #>S

RAM Dinmica'

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'ada 1it corresponde a uma clula capacitiva '<ama)se Xdin>micaS pois de tempos em tempos a informao precisa ser atualizada (e modo a reduzir o nmero de pinos e o custo, as (#A$Ss multiplexam os endereos em 2 metades A primeira metade c<amada de endereo de lin<a, en&uanto a outra denominada de endereo de coluna

Decodificador 1 de 128

Decod ificad or 1 de 128

$esmo com o e&uipamento ligado o capacitor de cada clula tende a se descarregar, por isso, a necessidade de refres<ing peridico, ou se0a, a recarga dos capacitores, implicando no uso de circuitos externos espec4ficos (urante o refres<ing feita uma operao de leitura onde o dado reescrito A cada 2 a @ ms tal operao necess2ria e neste per4odo no se tem acesso ao dado para &ual&uer outra operao (leitura ou escrita! &ue no se0a o refres<ing *o entanto a indisponi1ilidade do dado nestes instantes no nen<um pro1lema srio, pois o intervalo de refrescamento do c<ip tipicamente menor &ue 2Z do tempo entre refrescamentos Dm outras palavras, a memria do c<ip permanece dispon4vel K8Z do tempo Apesar da necessidade de refrescamento, a grande vantagem das memrias din>micas so1re as est2ticas permitir uma grande densidade de clulas de memria na fa1ricao dos c<ips (&uatro vezes maior &ue as est2ticas! 3m exemplo da operao de refres< atravs da utilizao do sinal #A; ilustrado na figura a1aixo

L. 127 (in?a @ (in?a 1 (in?a !

Ciclos de escrita>leitura

Memrias Semicondutoras

8@

;e referem aos QinstantesR em &ue os sinais devem ser aplicados nos pinos da(s! memria(s! para &ue se possa ler ou escrever um dado

Dado vlido

Dado vlido

$uitos fa1ricantes de memrias din>micas desenvolveram '.Ss especiais para tratar do refres< e da multiplexao dos endereos, am1os necess2rios para o 1om funcionamento de um sistema de memria (#A$ "ais '.Ss so denominados controladores de #A$ din>mica % '. 82@2 da .ntel foi pro0etado para ser usado com (#A$Ss de 5HY

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14!

7!

Contador de 7 bits

1.A. "SSOCI" O D# M#M6RI"S 1.A.1. "ssocia12o para aumentar o taman?o da pala4ra di/ital Dxemplo de uma memria #A$ de 5H x 8 composta pela associao de duas memrias #A$ de 5H x @

A A2 __ 3
R/W

A1
RAM-0

A0

A A2 __ 3
R/W CS

A1

A0

RAM-1

CS

16 x 4

16 x 4
I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

Memrias Semicondutoras 1.A.!. "ssocia12o para aumentar a capacidade de armaBenamento de dados

8H

Dxemplo de uma memria #A$ de 82 x @ composta pela associao de duas memrias #A$ de 5H x @

A3

A2

A1

A0

A3

A2

A1

A0

RAM-0 16 x 4 "#O3 I/O2 I/O1 I/O0

RAM-1 16 x 4 "#O3 I/O2 I/O1 I/O0

(32 palavras ! 00000 a 11111