Universidad de Guanajuato. Divisin de ingenieras Campus Irapuato Salamanca Materia: Ciencia de los Materiales I. Clave: A !"#.

. $rimestre %ulio & Septiem're ("") *ro+esor: Ing. C,sar Gasca %asintes

Examen Final. Temas: Orden Atmico en Slidos, Desorden Elctrico y propiedades Elctricas. Fecha: 21 de Septiembre de 2 ! "ombre del al#mno:$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$ %ali&icacin:$$$$ 1.' Determine cada #na de las direcciones de las &amilias de direcciones y planos ()ndices de *iller+ en los sistemas c,bicos de ac#erdo al sistema de e-es c,bicos cristalinos. 2.' .na peda/o de #n material presenta #na estr#ct#ra cristalina c#bica centrada en la cara (F%%+, y #n espacio interplanar d022 en #n elemento es de . 122!3 nm a+ 4%#5l es s# constante de red6 b+ 4%#5l es el radio atmico del elemento6 c+ 47# elemento podr)a ser6 d+ %alc#le la densidad atmica lineal en la direccin 811 9 de la red cristalina en 5tomos por mil)metro e+ %alc#le la densidad atmica planar en la direccin 811 9 de la red cristalina en 5tomos por mil)metro c#adrado 2.' .n di&racto:rama para #n elemento ;#e tiene #na estr#ct#ra cristalina <%% F%% presenta picos de di&raccin a los si:#ientes =alores de 5n:#lo 2 si:#ientes 21.>1o, ??.31o, >!.3 o, 12.??o, !?. o y 1 3.>3o. @a lon:it#d de onda radiante incidente es de .1?0 ?nm 0.' Se reali/a #na determinacin de )ndice de tamaAo ,o n,mero de :rano AST* mediante #na micro:ra&)a de #n metal a 2 B a#mentos, si del conteo se obtienen >0 :ranos 4%#5l es el indic de n,mero de :rano a este a#mento y c#al el indic de n,mero de :rano real a 1 B6 ?.' .na placa de hierro esta eCp#esta a #na atmos&era carb#rante (rica en %arbono+ en #na cara y a #na atmos&era descarb#rante en la otra cara (de&iciente en %arbono+ a #na temperat#ra de 3 D% si se alcan/a #na condicin de estado estacionario, calc#le la densidad de &l#-o del carbono a tra=s de la placa, si las concentraciones de %arbono en las posiciones a ? y 1 mm deba-o de la s#per&icie de carb#racin son 1.2 y .1 E:Fm 2, respecti=amente. S#pon:a #n coe&iciente de di&#sin de 2 C1 '11 m2Fse: para esta temperat#ra. >.' %onsidere el :as carb#ri/ante de #n en:rane de acero 12 a !23 o% si eCiste di&#sin en estado no estacionario. %alc#le el tiempo en min#tos necesario para incrementar el contenido de %arbono a .0 G a .? mm deba-o de la s#per&icie. S#pon:a ;#e el contenido de %arbono en la s#per&icie es de .! G y ;#e el acero tiene #n contenido nominal en %arbono de .2 G, s#pon:a el coe&iciente de di&#si=idad en D!23o% H 1.21 C 1 '11 m2Fse: 3.' .n semicond#ctor de silicio a 23 o% se imp#ri&ica con 1.0 C 1 1> 5tomos de <oroFcm2 mas 1. C 1 1> 5tomos de &os&oroFcm2. S#pon:a ioni/acin completa de los 5tomos imp#ri&icados ni (Si+ H 1.? C 1 1 cm'2 %alc#le: a+.' @as concentraciones en e;#ilibrio de electrones y h#ecos b+.' @as mo=ilidades de electrones y h#ecos (#tilice la &i:#ra 10.2>+ y c+.' @a resisti=idad elctrica. 1.' De&ina lo si:#iente: a+ %elda #nitaria y s#s Iar5metros de red b+ Sistemas %ristalinos c+ Sistema de red p#nt#al y redes de <ra=ais d+ Jmper&ecciones de los cristales y en#mera cada #no de los de&ectos en esta clasi&icacin. e+ Describa bre=emente ;#e entendi por modelo o teor)a de bandas para materiales slidos (el comportamiento de los cond#ctores, semicond#ctores y aisladores &+ Kesisti=idad elctrica, y cond#cti=idad elctrica. :+ Densidad elctrica h+ Iortadores, concentracin de portadores, portadores mayoritarios y de portadores minoritarios i+ Semicond#ctor intr)nseco, y semicond#ctor eCtr)nseco, -+ Semicond#ctor eCtr)nseco tipo n, y semicond#ctor eCtr)nseco tipo p