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Assim, o maior valor que RB pode assumir, garantindo que forado/2, RB=0,448k. 2 Primeiramente vamos determinar os valores de F e R para ento calcularmos o valor de R . Para F =200, temos que:
F 200 = = 0,995 F + 1 201
F =
Como a rea da juno base coletor 50 vezes maior que a rea da juno base emissor, as correntes de ISE e ISC seguem a seguinte relao: ISC=50ISE
Com o transistor operando com IB=1mA e IC=0, o valor de forado=0. A expresso que calcula o valor de VCEsat dada por:
VCEsat = VT ln
1+
forado
+ 1) R R
0,0203
3 Para Vi=0, o transistor est na regio de corte. Neste caso, IC=0 e, portanto:
VOH = VCC = 3V
Como o transistor comea a conduzir com VBE=0,5V, a corrente de base neste caso muito pequena, e assim a queda no resistor RB pode ser desprezada. Assim, temos que:
VIL = 0,5V
O valor de VOL o valor de tenso na entrada (Vi) onde o transistor comea a entrar na regio de saturao. Para VCEsat=0,3V, a corrente IC dada por:
IC = VCC VCEsat 3 0,3 = = 4,22mA RC 640
Assim, a tenso de entrada em que o transistor entra na regio de saturao a soma de VBEsat somada com a queda no resistor da base RB. Para VBEsat=0,7V, temos: VIH = R B I B + VBEsat VIH = 450.140.10 6 + 0,7 VIH = 763,3mV Finalmente, para Vi>VOH, VCE=VCEsat=0,3V. Portanto VOL=0,3V. As margens de rudo da caracterstica de transferncia de tenso do inversor so dadas por: N ML = VIL VOL = 0,5 0,3 = 0,2V N MH = VOH VIH = 3 0,763 = 2,237V A figura abaixo mostra o inversor analisado (INV1) com outro inversor conectado em sua sada (INV2).
INV1 VCC R2 INV2 VCC R4
VI
R1
Q1
R3
Q2
Observe que no circuito da figura acima, quando a tenso Vi for baixa, o transistor Q1 est na regio de corte e dessa maneira h um divisor de tenso formado por R2 e R3. Podemos perceber que neste caso, o nvel de tenso VOH ser diferente do valor calculado com o inversor sem carga. Para R2=640, R3=450 e VCC=3V, o valor de VOH dado por:
O novo valor de NMH dado por: N MH = VOH VIH = 1,24 0,763 = 0,477V Podemos perceber que conectando uma porta lgica na sada do inverso RTL, ocorre uma diminuio considervel na excurso do sinal de sada e na margem de rudo, sendo este um dos fatores limitantes para o uso desta tecnologia em projetos de circuitos digitais. 4 a) Quando a tenso de entrada estiver em 5V, a corrente na base do transistor injeta portadores minoritrios. Para RB=1k, VBE=0,7V, o valor da corrente de base para Vi=5V dado por:
I B2 = Vi VBE 5 0,7 = = 4,3mA RB 1.10 3
Onde s a constante de tempo de armazenamento de carga na base. Observe que na equao acima a diferena IB2-ICsat/ a corrente em excesso que faz com que o transistor armazene carga em excesso. Para VCC=5V, VCEsat=0,2V e RC=500, a corrente de saturao do transistor obtida pela seguinte expresso:
I Csat = VCC VCEsat 5 0,2 = = 9,6mA RC 500
Para determinarmos o valor de , vamos analisar o transistor durante o escoamento da carga armazenada na base. De acordo com o enunciado, para C=0, o tempo para escoar a carga em excesso armazenada na base foi ts=80ns. Assim, temos que:
i=
dQ Q = it dt I Q s = t s (I B1 + Csat )
Onde ts o tempo necessrio para retirar a carga em excesso da regio da base e IB1 + ICsat/ a corrente que escoa esta carga. Para Vi=V1=0,2V, a corrente IB1 dada por:
I B1 = V1 VBE 0,2 0,7 = = 0,5mA RB 1.10 3
O sinal negativo de IB1 indica que a corrente sai da base do transistor. Finalmente para C=0, temos que:
Q s1 = 80.10 9 (0,5.10 3 + 9,6.10 3 )
No outro caso, com o resistor da base em paralelo com o capacitor de 8pF, o capacitor ajuda a escoar a carga armazenada na base do transistor, e assim ts=30ns. A carga que o capacitor descarrega dada por: Q C = CVC = 8.10 12 (5 0,2) = 38,4pF O restante da carga pode ser expressa por:
Q s 2 = 30.10 9 (0,5.10 3 + 9,6.10 3 )
Como a carga escoada nos dois casos, com e sem capacitor, a mesma, temos que: QS1=QS2+QC
80.10 9 (0,5.10 3 + 50.10 9 (0,5.10 3 + = 35,8 9,6.10 9,6.10 3 ) = 30.10 9 (0,5.10 3 + ) + 38,4.10 12 9,6.10 3 ) = 38,4.10 12
3
Igualando as expresses da carga armazenada durante o carregamento e o escoamento, a constante de tempo de carga dada por: s (4,3.10 3 9,6.10 3 9,6.10 3 ) = 80.10 9 (0,5.10 3 + ) 35.8 35.8
s = 15,2ns
b) Para que o tempo de escoamento da carga armazenada em excesso (ts) seja nulo, o capacitor deve ser capaz de fornecer a carga que armazenada na base do transistor. Assim, temos que:
CV = s (I B 2 I Csat )
Substituindo os valores encontrados no item a), temos: C= 15,2.10 9 9,6.10 3 ) (4,3.10 3 5 0,2 35,8 C = 12,8pF
Podemos concluir neste exerccio que o capacitor colocado na base ajuda a escoar a carga armazenada na base, diminuindo o tempo de comutao do inversor RTL.