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MATERIAL: Diodos de Si y Resistencias DESARROLLO: 1. Medir la resistencia que ofrecen los diodos conectando el hmetro en forma directa e inversa para diodos de Si. 2. Para los circuitos calcular los valores de voltaje y corriente como se indican. 3. Haga una simulacin de los circuitos presentados y compruebe valores de voltaje y corriente indicados. 4. Arme en el laboratorio los circuitos presentados y mida los valores de voltaje y corriente especificados. 5. Haga una tabla comparativa de valores tericos, simulados y prcticos. 6. Conclusiones
TEORICO V1 V2 V0
PRACTICO
SIMULACION
TEORICO V1 V2 V0 I1 I2 I3
PRACTICO
SIMULACION
TEORICO V1 V0 I1 I2 I3
PRACTICO
SIMULACION
CONCLUSIONES: Los diodos de silicio son excelentes diodos de propsito general y se pueden utilizar en casi todos los circuitos elctricos que requieran de un diodo. Los diodos de silicio son ms duraderos que los diodos de germanio y son mucho ms fciles de obtener. Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos de germanio.