Informe Previo 01 E.industrial

UNI-FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
2012
1
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

INFORME FINAL EXPERIENCIA N02
CARACTERIZACION DE DISPOSITIVOS USADOS EN LOS
CIRCUITOS DE DISPARO: UJT, PUT, ACOPLADORES
OPTICOS Y MAGNETICOS.

CURSO : LABORATORIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL
CODIGO : EE435-M
PROFESOR : LAZO OCHOA, Domingo
ALUMNO : APELLIDOS Y NOMBRES CODIGO
Porras Mendizbal Jorge 20042521C

CICLO : 2012 II

LIMA PER
2012

2012
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ANALISIS Y EXPERIMENTACION DE CIRCUITOS DE
DISPARO CON SCR

1. OBJETIVOS

La ejecucin de la experiencia permitir al estudiante consolidar de forma prctica los
conocimientos tericos de cursos previos acerca de estos dispositivos conocidos.

Comprender el funcionamiento en base a experimentacin de circuitos de control de
disparo bsicos y su activacin sobre un SCR.

Analizar el funcionamiento de los circuitos electrnicos de potencia del presente
laboratorio.

En base a nuestro anlisis, disear el circuito indicando las especificaciones de los
componentes que se muestran en la gua.

Simular el circuito diseado para obtener los resultados tericos esperados y
compararlos con los resultados experimentales que se obtendrn en la presente
sesin.

Implementar cada uno de los circuitos bsicos mostrados y obtener las mediciones
observando un correcto funcionamiento en base al correcto anlisis funcional y diseo
anterior.
.

2. FUNDAMENTO TERICO

DISPOSITIVOS DE ELECTRNICA DE
POTENCIA

INTRODUCCIN

En esta ocasin se presentara varios dispositivos importantes, el diodo semiconductor de dos
capas encabeza los dispositivos de tres, cuatro e incluso cinco capas. Se considerara una
familia de dispositivos pnpn de cuatro capas: el SCR (rectificador controlado de silicio, Silicon-
Controlled Rectificer), el TRIAC, seguidos por un dispositivo cada vez ms importante: el UJT
(transistor monounin, Unijunction Transistor). Estos dispositivos de cuatro patas junto con un
dispositivo de control, por lo general se le denomina tiristores, aunque este trmino se aplica
de forma ms frecuente al SCR.

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden clasificar
en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de
conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control
externo.

Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of

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Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se
debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales
del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de
ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control
externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.

Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores
bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores
GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros.

Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores
de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac,
conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o
PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble
puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO). Lo ms importante a considerar de estos
dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la
cada de tensin entre los electrodos principales.

El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:

- Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de
baja impedancia (conduccin).

- Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia.

- Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en
estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando
est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar
grandes potencias.

- Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

Semiconductores de alta potencia
Dispositivo Intensidad mxima
Rectificadores estndar o rpidos 50 a 4800 Amperios
Transistores de potencia 5 a 400 Amperios
Tiristores estndar o rpidos 40 a 2300 Amperios
GTO 300 a 3000 Amperios

Aplicaciones:

Traccin elctrica: troceadores y convertidores.
Industria:
Control de motores asncronos.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
Etc.


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Mdulos de potencia

Mdulos de transistores 5 a 600 A. 1600 V.
SCR / mdulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V.
Mdulos GTO 100 a 200 A. 1200 V.
IGBT 50 a 300A. 1400V.

Aplicaciones:

Soldadura al arco.
Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI).
Control de motores.
Traccin elctrica.

Semiconductores de baja potencia

SCR 0'8 a 40 A. 1200 V.
Triac 0'8 a 40 A. 800 V
Mosfet 2 a 40 A. 900 V.

Aplicaciones:

Control de motores.
aplicaciones domsticas.
Cargadores de bateras.
Control de iluminacin.
Control numrico.
Ordenadores, etc.

Seguidamente se detallara las caractersticas ms importantes de algunos de estos
dispositivos que ya hemos mencionado.

TIRISTORES

El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una puerta. El
tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutacin, teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una
secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).

La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON) se
realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado ON
al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica
para cada tiristor.

Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores
unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales).

Los tiristores son dispositivos semiconductores de cuatro capas que se utilizan como
interruptores en circuitos de potencia.

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SCR (RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO)

De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, es el miembro ms conocido de la familia
de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es ms frecuente hablar de tiristor que
de SCR.

El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de la
Electrnica de Potencia (data de finales de los aos 50). Adems, continua siendo el
dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite
soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulacin de corriente). El
SCR est formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N, teniendo 3
terminales: nodo (A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y la puerta (G)
que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido
nodo-ctodo. La figura siguiente ilustra una estructura simplificada del dispositivo.

Si entre nodo y ctodo tenemos una tensin positiva, las uniones J1 y J3 estarn
directamente polarizadas, en cuanto que la unin J2 estar inversamente polarizada. No
habr conduccin de corriente hasta que la tensin VAK aumente hasta un valor que
provoque la ruptura de la barrera de potencial en J2.

Si hay una tensin VGK positiva, circular una corriente a travs de J3, con portadores
negativos yendo del ctodo hacia la puerta. Por la propia construccin, la capa P donde se
conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de los electrones que atraviesen
J3 tengan energa cintica suficiente para vencer la barrera de potencial existente en J2,
siendo entonces atrados por el nodo.

De esta forma, en la unin inversamente polarizada, la diferencia de potencial
disminuye y se establece una corriente entre nodo y ctodo, que podr persistir an sin la
corriente de puerta.

Cuando la tensin VAK es negativa, J1 y J3 quedarn inversamente polarizadas, en cuanto
que J2 quedar directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unin J3 est entre dos
regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones elevadas, de modo que

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cabe a la unin J1 mantener el estado de bloqueo del componente.

Existe una analoga entre el funcionamiento del tiristor y el de una asociacin de dos
transistores bipolares, conforme se muestra seguidamente:

Cuando se aplica una corriente de puerta IG positiva, Ic2 e IK aumentarn. Como Ic2 = Ib1,
T1 conducir y tendremos Ib2 = Ic1+ IG, que aumentar Ic2 y as el dispositivo
evolucionar hasta la saturacin, aunque se elimine la corriente de puerta IG. Tal efecto
acumulativo ocurre si las ganancias de los transistores son mayores que 1. El componente se
mantendr en conduccin desde que, despus del proceso dinmico de entrada en
conduccin, la corriente del nodo haya alcanzado un valor superior al lmite IL, llamada
corriente de enclavamiento latching current.

Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del valor
mnimo de mantenimiento (IH), permitiendo que se restablezca la barrera de potencial en J2.
Para la conmutacin del dispositivo no basta con aplicar una tensin negativa entre nodo y
ctodo. Dicha tensin inversa acelera el proceso de desconexin por dislocar en los
sentidos adecuados los portadores en la estructura cristalina, pero ella sola no garantiza la
desconexin.

Debido a las caractersticas constructivas del dispositivo, la aplicacin de una
polarizacin inversa del terminal de puerta no permite la conmutacin del SCR. En la figura
siguiente podemos ver la caracterstica esttica de un SCR. En su estado de apagado o
bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. Asi, si no hay
seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la
tensin VAK. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conduccin (ON)
aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo
intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin
directa en el estado de conduccin (ON) es de pocos voltios (1-3 V).

Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin (estado ON),

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aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta.
nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral,
por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo.

En rgimen esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo
podemos distinguir tres regiones de funcionamiento:

Zona de bloqueo inverso (VAK < 0): sta condicin corresponde al estado de no
conduccin en inversa, comportndose como un diodo.

Zona de bloqueo directo (VAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito
abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa.
Zona de conduccin (VAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor
cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente
superior a la de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr en dicho
estado si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a la corriente de
mantenimiento.

La figura que sigue muestra las caractersticas corriente-tensin (I-V) del SCR y permite ver
claramente cmo, dependiendo de la corriente de puerta (IG), dichas caractersticas pueden
variar.

Activacin o disparo y bloqueo de los SCR

Podemos considerar cinco maneras distintas de hacer que el SCR entre en conduccin:

+ Disparo por tensin excesiva

Cuando est polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensin de
polarizacin se aplica sobre la unin J2. El aumento de la tensin VAK lleva a una expansin
de la regin de transicin tanto para el interior de la capa de la puerta como para la capa N
adyacente. An sin corriente de puerta, por efecto trmico, siempre existirn cargas libres que
penetren en la regin de transicin (en este caso, electrones), las cuales son aceleradas por

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el campo elctrico presente en J2. Para valores elevados de tensin (y, por tanto, de campo
elctrico), es posible iniciar un proceso de avalancha, en el cual las cargas aceleradas, al
chocar con tomos vecinos, provoquen la expulsin de nuevos portadores que reproducen el
proceso. Tal fenmeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de cargas por la
unin J2, tiene el efecto similar al de una inyeccin de corriente por la puerta, de modo que, si
al iniciar la circulacin de corriente se alcanza el lmite IL, el dispositivo se mantendr en
conduccin.

+ Disparo por impulso de puerta

Siendo el disparo a travs de la corriente de puerta la manera ms usual de disparar el SCR,
es importante el conocimiento de los lmites mximos y mnimos para la tensin VGK y la
corriente IG, como se muestra:

El valor VGmin indica la mnima tensin de puerta que asegura la conduccin de todos los
componentes de un tipo determinado, para la mnima temperatura especificada.

El valor VGmax es la mxima tensin de puerta que asegura que ningn componente de un
tipo determinado entrar en conduccin, para la mxima temperatura de operacin.

La corriente IGmin es la mnima corriente necesaria para asegurar la entrada en
conduccin de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mnima temperatura.

El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin para determinar la recta de
carga sobre las curvas caractersticas VGK-iG. Para el ejemplo de la figura anterior, la recta
de carga cortar los ejes en los puntos 6 V (tensin en vaco de corriente de disparo) y 6 V /
12 = 0,5 A (intensidad de cortocircuito). Para asegurar la operacin correcta del
componente, la recta de carga del circuito debe asegurar que superar los lmites VGmin y
iGmin, sin exceder los dems lmites (tensin, corriente y potencia mxima).

+ Disparo por derivada de tensin

Si a un SCR se le aplica un escaln de tensin positivo entre nodo y ctodo con tiempo de
subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un
desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensin exterior aplicada.
Como se coment para el caso de disparo por tensin excesiva, si la intensidad de fugas
alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor entrar en

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conduccin estable y permanecer as una vez pasado el escaln de tensin que lo dispar.
El valor de la derivada de tensin dv/dt depende de la tensin final y de la temperatura, tanto
menor cuanto mayores son stas.

+ Disparo por temperatura

A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unin P-N inversamente polarizada
aproximadamente se duplica con el aumento de 8 C. As, el aumento de temperatura puede
llevar a una corriente a travs de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conduccin.

+ Disparo por luz

La accin combinada de la tensin nodo-ctodo, temperatura y radiacin electromagntica
de longitud de onda apropiada puede provocar tambin la elevacin de la corriente de fugas
del dispositivo por encima del valor crtico y obligar al disparo. Los tiristores diseados para
ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR (Light Activated SCR) suelen ser de
pequea potencia y permiten un aislamiento ptico entre el circuito de control y el circuito de
potencia.

3. CUESTIONARIO
1. Efectuar un anlisis funcional cualitativo y cuantitativo de cada uno de los circuitos y
presentarlos en forma ordenada

Mostramos el primer circuito en estudio:

Anlisis cualitativo:

Describimos el funcionamiento, inicialmente tendremos la comba positiva de la entrada
senoide, entonces como el SCR aun est apagado presenta una alta resistencia por tanto se
comporta como un circuito abierto y la corriente que se genera ira hacia la compuerta del
tiristor. El ngulo de disparo puede ser determinado por la posicin del potencimetro (R2). Si
el valor del potencimetro lo establecemos con un nivel muy bajo de resistencia entonces
tendremos un ngulo pequeo en el disparo, sin embargo si tenemos un valor de resistencia
alto, la entrada senoide debe tener un valor en su amplitud alto de tal manera que se pueda
llegar a conseguir la corriente de compuerta que active al tiristor y lo dispare y por este motivo
es que el ngulo de disparo aumenta.

Vemos que el resistor R1 es un valor constante que elegiremos en el posterior diseo y aun
cuando el potencimetro no presente valor de resistencia (lo llevamos al mnimo) aun se puede
contar con un valor de resistencia, R1 determinara en este caso el mnimo ngulo de disparo,
se debe tener presente que el valor de RL es muy pequeo comparado con los otros valores y
por tanto se puede despreciar su cada de tensin en el anlisis posterior. Tambin es
necesario tener en cuenta que el ngulo de disparo mximo vara en el rango de 0 a 90.
Cuando el tiristor se ha disparado con cierto valor para el ngulo entonces presenta una
resistencia muy baja al paso de la corriente que va de nodo a ctodo y se comporta
prcticamente como un cortocircuito, al presentarse seguidamente la comba negativa ya no
hay una corriente que fluya hacia la compuerta y como la corriente del nodo tiende a ser
negativa entonces el tiristor pasa al estado de bloqueo y es por eso que se aprecia en la

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simulacin siguiente y esto debe comprobarse en la experiencia que para la comba negativa
notamos a la salida que no conduce, hasta que llega la siguiente comba negativa con lo que se
repite el funcionamiento explicado.

Como ejemplo de que debemos obtener en la experiencia para la salida del circuito mostramos
la siguiente simulacin donde hemos elegido un valor de 90 para el ngulo de disparo del
SCR:

Este es el segundo circuito de la experiencia:


Este circuito en estudio es muy similar al anterior, la diferencia radica en que se ha aadido un
capacitor que llega a la compuerta del SCR y cierra circuito conectndose a tierra esto se
observa en el grafico anterior. El anlisis del funcionamiento del circuito es casi idntico al
anterior aunque aqu se presentara un anlisis fasorial en el diseo posterior.

Analizando el voltaje a travs del capacitor C. Se observa que este voltaje est atrasado con
respecto a la entrada cierto ngulo que depende del diseo del circuito, este mismo ngulo es
el que define el ngulo de disparo para el SCR. De tal manera que el valor para el ngulo de
disparo esta vez ser fijo, mostremos una simulacin para cierto valor de ngulo de disparo
como se muestra:


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Tercer circuito:


En este tercer circuito trabajamos con otro dispositivo conocido, el UJT que interviene junto con
los resistores y capacitor para disparar el SCR comportndose como un oscilador de relajacin.
El punto de disparo del UJT es prcticamente estable en un amplio rango de temperatura,
mientras que los SCR presentan una inestabilidad en relacin a la temperatura tal y como se
menciono en el fundamento terico del presente informe.

El circuito anterior es otro circuito conocido que nos ayuda a disparar un SCR con un UJT
(transistor monounin). Se tiene una entrada senoide conectada seguidamente la carga que
tiene un valor de resistencia despreciable en comparacin con los otros resistores presentes en
el circuito, se tiene adems un diodo Zener D1 que nos permite recortar la forma de onda
senoidal de entrada siempre bloquendola en el tope del voltaje Zener esto claro durante la
comba positiva ya que no hay conduccin en la comba negativa de la senoide de entrada
debido a que el Zener se polariza directamente.

El diodo Zener acta como una fuente de voltaje para el UJT y con su valor de tensin el
circuito se comporta como un oscilador y empieza a cargarse con una constante de tiempo
cuyo valor tambin depende del diseo del circuito C2.R7, el valor de este resistor debe
seleccionarse para asegurar que la recta de carga determinada por R7 cruza a travs de las
caractersticas del dispositivo en la regin de resistencia negativa, es decir a la derecha del
punto pico pero a la izquierda del punto valle segn la grafica de VE vs IE propias del
dispositivo.

Cuando C2 alcanza el valor pico del UJT, el UJT se dispara, produciendo un pulso de voltaje a
travs de R6. Esto pulso dispara al SCR; de este modo hace que fluya corriente por la carga
durante el resto de la comba positiva.

Este circuito proporciona una sincronizacin automtica entre el pulso de disparo del UJT y la
polaridad del SCR, esto debido al funcionamiento del diodo Zener que nos permite tener una
sola referencia para as poder medir el ngulo de disparo para este circuito, el resistor R4
mostrado tiene como funcin nicamente estabilizar en temperatura al oscilador, mientras que
el valor del resistor R6 debe seleccionarse lo suficientemente pequea para asegurar que el
SCR no se encienda por el voltaje VR6, el capacitor determinara el intervalo de tiempo entre
los pulsos de disparo y el lapso de tiempo de cada pulso.

Un ejemplo se mostrara mediante la simulacin para ver cul es la forma de la salida, vemos
entonces como el SCR se logra disparar en base a un correcto diseo de los componentes,
este diseo se indicar despus.


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Tendremos el cuarto circuito de esta experiencia:

En este circuito los diodos D1 y D2 del circuito son elemento de proteccin contra los voltajes
inversos que pueden daar al SCR (juntura GK por el diodo D!). El diodo D2 compensa las
variaciones de temperatura de los voltajes en ON de la juntura GK incluido el D2. La derivacin
del diodo inferior D1, puede derivar corriente. De igual manera este circuito tiene proteccin
para corrientes de fuga excesivas del SCR mediante el diodo conectada al gate del SCR.
Una de las caractersticas del Condensador C2, es tambin la compensacin de la presencia
de la carga inductiva del motor. Este circuito se puede utilizar para poder controlar el motor.

D2
D1N4148
X2
2N1595
D1
D1N4148
R6
0
V+
M1
1
2
R4
20k
V1
FREQ = 60Hz
VAMPL = 220v
VOFF = 0
C2
0.02uF
R5
1k
V-

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El ultimo circuito de la experiencia es:

Este circuito se puede apreciar las caractersticas de disparo de los SCR y el desempeo del
SCR2 debido a la presencia de un diac. Los semiciclos positivos que apreciamos debido a la
parte positiva de un periodo de onda del generador se presentan en el mismo instante que la
fuente cruza en aumento por cero
Para este circuito la potencia de la carga se puede controlar por variaciones del ancho del
pulso de la onda rectangular.
El generador de pulsos 555 es usado para activar la compuerta del SCR en este caso cumple
la funcin de los primeros circuitos en donde se necesitaba del disparo para activar al tiristor
una vez activado hace que circule la seal producido por el circuito de carga compuesto de R1
y C1 haciendo que el circuito tenga varios controles antes de poder apreciar la seal, un papel
fundamental lo desempea el diac ya que en funcin de su respuesta ya sea rpida o lenta la
salida se vera de diferentes formas ya que para que la seal se pueda controlar completamente
es necesario que exista sincronismo entre todos los componentes tal como se vio en la teora
es por tal motivo que se aprecia un periodo donde la salida se ha hecho nula como se aprecia
en la simulacin.

2. En base a los elementos que se indican (solo son referenciales) determinar en forma
previa a la experimentacin las especificaciones de todos los componentes (diseo)
y presentarlos tabulados para cada circuito.

Anlisis cuantitativo del primer circuito:

Podemos hacer un pequeo diseo del circuito de la figura 1, teniendo algunos datos tales
como: Voltaje de fuente de 220 Vrms, Igt = 15 mA. , R1 = 10K. Debemos encontrar el valor de
R2 (potencimetro) para que el ngulo de disparo sea de 90.

Primero debemos encontrar el valor instantneo del voltaje de la fuente a 90
(220V.)(
2
) = 312 V.

Despreciando la cada de voltaje en la carga y los 0,6 V, que caen en la unin puerta-ctodo
(ambos son despreciables respecto a 312V.), la resistencia total de la puerta es:
(312V.)/(15mA) = 20.8 K
Por tanto R2 = 20.8 K - 10 K = 10.8 K. es decir que podemos escoger un potencimetro que
incluya este valor tal como de 20K.

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Anlisis cuantitativo del segundo circuito:

En base a estos datos podemos disear el circuito:
T = RC = 20K0.54F = 10.8mseg
2 . 76 ) 8 . 10 377 ( = = mseg arctg |

)
7 . 0
(
Vc
voltios
arcsen = u

El angulo de disparo sera:
u | | + =
D

Anlisis cuantitativo del tercer circuito:

Magnitud de los componentes de un circuito de disparo con UJT:

Debemos tener especial cuidado en la seleccin de R1. El valor de R1 debe mantenerse tan
bajo como sea posible y a la vez que sea capaz de generar un pulso de voltaje suficiente para
cerrar realmente al SCR. Hay dos razones para esto:

a.- An despus de disparado el UJT, hay flujo de corriente a travs de R1, debido a la
conexin entre el cuerpo del UJT y Vs. Esta corriente fcilmente puede alcanzar varios
miliamperios dado que la resistencia de CORTE del UJT, rbb, es solamente del orden de 10K.
Esto se muestra en la ecuacin siguiente:
1 2
1
R r R
V
I
BB
S
R
+ +
=

En este clculo, R1 y R2 se han despreciado, dado que siempre son pequeas comparadas
con rbb. Debido a esta corriente no despreciable, R1 debe mantenerse en un valor bajo, para
que el voltaje en sus terminales, el cual se aplica a al puerta del SCR, sea tambin bajo.

b.- Con un valor pequeo de R1, hay menos posibilidades que un pulso de ruido pueda cebar
fcilmente a SCR. Las fuentes externas de ruido (las armaduras del motor, soldadores, cajas
de control, etc.), crean seales de ruido indeseables, las cuales puedan hacer que suceda esto.
Las resistencias de valor pequeo son ms propensas a captar seales de ruido que las de
valor grande. Especficamente cuando R1 se mantiene en valores bajos, hay menos
posibilidades que una seal de ruido que aparezca en ella pueda disparar el SCR.
Un mtodo para seleccionar los componentes para nuestro circuito ser presentado enseguida.
Asumamos el UJT 2N4947, el cual tiene la siguientes caractersticas a una tensin de
alimentacin de 20V. :

rbb = 6K Iv = 4 mA
n = 0.60 Vv = 3 V.
Ip = 2 uA

Si DZ1 tiene un voltaje de ruptura de 20V., entonces la corriente a travs de R1, antes del
disparo esta dada:

O
=
+ +
=
k
v
R r R
voltios
I
BB
R
6
20 20
1 2
1

Dado que la mayora de los SCR se dan con un Vgk del orden de 0,7V. a 1V., es por tanto
razonable hace que Vr1 no sea mayor que 0.3V. Mientras el UJT est esperando la seal de
disparo. Esto nos da un margen de ruido del orden de 0.4V., el cual es muy adecuado. Por
tanto:
O = = 100
1
1
1
R
R
I
V
R


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Como sabemos R7 debe ser lo suficientemente pequea para permitir la circulacin de la
corriente necesaria, Ip, hacia el emisor para disparar el UJT. Tambin, R7 debe ser lo
suficientemente grande para impedir que el UJT quede enganchado; es decir, R7 no debe
permitir que por el emisor circule una corriente igual o mayor a la corriente de valle Iv, despus
que C2 se haya descargado. Si una corriente igual a Iv contina fluyendo, el UJT no regresar
al estado de CORTE, y se dice que esta enganchado.
Tenemos:
k
mA
v v
I
V V
R
V
V S
25 . 4
4
30 20
min , 7
=
=

lo cual significa que R7 debe ser mayor que 4,25K, para garantizar el corte del UJT.

Es necesario hacer notar para el circuito, que el enganche del UJT no puede durar ms all de
un semiciclo, puesto que Vs desaparece cuando la lnea AC se invierte. Sin embargo, an un
enganche durante medio ciclo es indeseable debido a que podra resulta en una corriente de
puerta hacia el SCR en forma continua durante la totalidad del ngulo de conduccin. Este
efecto hace que se incremente la disipacin de potencia en la puerta y podra reducir dao de
la puerta del SCR por accin trmica.

Siguiendo, encontramos que Vp esta dado por:

Vp= qVB2B1 +VD = 0.6*20V + 0.6 = 12.6

Donde VB2B1 ha sido tomado en 20V., lo cual es aceptable de acuerdo a R1 y R2.
Tambin:

O =
= M
A
v v
I
V V
R
P
V S
7 . 3
2
6 . 12 20
min , 7

Lo cual significa que R7 debe ser menor a 3,7M, para poder entregar suficiente corriente al
emisor para el disparo del UJT.
El valor de R7 puede calcularse promediando los valores anteriores de R7 mximo y mnimo,
obteniendo 1,87M.

( )
max 7 min 7 7
R R R =

Sin embargo podemos tomar la media geomtrica. El valor ms cercano de potencimetro es
de 100k y tomamos este valor. Ahora debemos calcular el correcto valor de C2, se admite
cuando la resistencia variable este en el circuito, el tiempo de carga para alcanzar Vp ser la
mitad del perodo de la lnea AC. Esto nos permite un amplio rango de ajuste para el ngulo de
disparo.

El tiempo de carga para Vp se da aproximadamente por medio de la siguiente ecuacin, donde
el tiempo de semiciclo para 60 Hz. es de 8 ms.:

R7*C2=8*10^-3
3
3
2
10 110
10 8
=

C

Tomemos un valor comercial para C2 que es de 0.068uf. R2 es difcil de calcular y usualmente
se determina experimentalmente o con ayuda de grficas. Generalmente R2 se toma entre
0.5K y 3 K. para darle una mejor estabilidad trmica al UJT.

Ahora calculemos el valor de DZ1 y Rd. Sea el DZ1 no mayor a 1W. Esto es razonable.
Entonces el Zener puede disipar una potencia promedio de 1W., puede disipar casi 2W. En el
semiciclo positivo, por la potencia en el semiciclo negativo es casi despreciable, debido a que
la cada de tensin es casi despreciable ya que se polariza el diodo en directa. Por tanto la

2012
16
corriente promedio en el ZENER es:

I = Psemi+ = 2w =100mA
Vs 20V

Rd debe seleccionarse de tal manera que no deje pasar ms de 100ma, en promedio. Durante
el semiciclo positivo. Una aproximacin para el voltaje en esta resistencia es de 100V., por:

Vlinea Vz =120V-20V= 100V
Por tanto:
Rd = 100V =1k
100mA

Generalmente debe tomarse un valor mayor, entonces tomemos 2.2K.
El rango de potencia de Rd puede tomarse con una cada de 100V.rms a travs de la
resistencia:

PRD = V^2 = 100^2 = 4.5W
Rd 2.2K

Para este circuito, el control de disparo vendr dado por el valor de Vp propio del UJT. que se
halla:

Vp= qVB2B1 +VD ~ 13.2V
Para que el circuito de control dispare, el condesador deber cargarse a 13,2V. De donde:

i=C*R ~ 0.088u*100K = 8.8m

Anlisis cuantitativo del quinto circuito:

Para disear el circuito es necesario conocer el periodo de oscilacin el cual debe sincronizar
con el circuito compuesto por R
1
y C
1
:
1 1
C R = t
el cual es el tiempo en donde la seal debe tener el 63% de la amplitud total de ola
onda adems de poder estabilizarse para un periodo de tiempo igual a 5
t
entonces
tomaremos este valor como el periodo:
Hz
C R
60
1
5 5
1 1
= = t

para R
1
= 3.3K
O
C
1
= 220nF
la dems resistencias son para permitir el ingreso de la corriente de compuerta

Informe Previo 01 E.industrial

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