130MC Iab

S.E.P.
S.E.I.T.
D.G.I.T.
CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIN Y DESARROLLO TECNOLGICO
cenidet
DESARROLLO E IMPLEMENTACIN DE UN BANCO DE PRUEBAS PARA CARACTERIZAR DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA
T
PARA
E
OBTENER
S
EL
I
GRADO
S
DE
MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELECTRNICA

P R E S E N T A:
ING.
IVN
ALCAL
BAROJAS
DIRECTORES DE TESIS DR. DRA.

CUERNAVACA, MOR.
ABRAHAM CLAUDIO MARA COTOROGEA
SNCHEZ PFEIFER
MARZO 2003
S.E.P.
S.E.I.T.
D.G.I.T.
CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIN Y DESARROLLO TECNOLGICO
cenidet
DESARROLLO E IMPLEMENTACIN DE UN BANCO DE PRUEBAS PARA CARACTERIZAR DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA
T
PARA
E
OBTENER
S
EL
I
GRADO
S
DE
MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELECTRNICA

P R E S E N T A:
ING.
IVN
ALCAL
BAROJAS
DIRECTORES DE TESIS DR. DRA. ABRAHAM CLAUDIO MARA COTOROGEA SNCHEZ PFEIFER
CUERNAVACA, MOR.
MARZO, 2003
CONTENIDO
Simbologa Nomenclatura Captulo 1 Planteamiento del problema y justificacin
1.1 Dispositivos Semiconductores de Potencia Controlados (DSEP) 1.1.1 Caractersticas de los dispositivos semiconductores de potencia 1.1.2 Comparacin entre los diferentes dispositivos 1.2 El tiristor de apagado por compuerta (GTO) 1.2.1 Estructura y funcionamiento 1.2.2 Caractersticas 1.2.3 Mejoras realizadas 1.3 El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) 1.3.1 Estructura y funcionamiento 1.3.2 Caractersticas 1.3.3 Tecnologas de fabricacin del IGBT 1.4 Modos de conmutacin 1.5 Justificacin 1.6 Objetivos 2 3 4 6 6 8 9 11 13 13 14 16 17 18
iii v
Captulo 2 Metodologa abordada

2.1 Caracterizacin experimental 2.1.1 Diseo general del circuito de pruebas 2.1.1.1 Mtodo de prueba 2.1.1.2 Modo de funcionamiento 2.1.1.3 Tipo de control 2.1.2 Diseo propuesto para los circuitos de prueba 2.2 Caracterizacin mediante simulacin 2.3 tipos de fuentes 2.3.1 Flyback 2.3.2 Push-pull 2.3.3 Medio puente 2.3.4 Puente completo 2.3.5 Fuente de alta potencia 2.4 Conclusiones 20 20 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33
Captulo 3 Fuente de alto voltaje

3.1 Caractersticas de fuentes de alto voltaje 3.2 Diseo de la fuente de CD 3.2.1 Diseo de la etapa inversora 3.2.2 Diseo del transformador 3.2.3 Diseo de la etapa de rectificacin y filtrado 3.3 Modelo matemtico de la fuente de CD 3.3.1 Funcionamiento 3.3.2 Anlisis estacionario 3.4 Anlisis en simulacin y validacin experimental 3.5 Anlisis transitorio durante el cargado del condensador 3.6 Conclusiones 36 36 36 41 43 43 43 45 46 51 52
Captulo 4 Banco de pruebas

4.1 Caractersticas generales 4.2 Almacenamiento de energa 4.3 Circuito de prueba 4.3.1 Conmutacin dura 4.3.1.1 Circuito de potencia 4.3.1.2 Principio de funcionamiento 5.3.1.3 Consideraciones de diseo 4.3.2 Corto circuito tipo I 4.3.2.1 Circuito de potencia 4.3.2.2 Principio de funcionamiento 4.3.2.3 Consideraciones de diseo 4.4 Conclusiones 54 55 55 56 56 57 60 61 61 62 64 64
Captulo 5 Pruebas y Resultados

5.1 Pruebas en conmutacin dura 5.1.1 Consideraciones en simulacin 5.1.2 Consideraciones en pruebas experimentales 5.1.3 Variacin del voltaje de alimentacin V0 5.1.4 Variacin de la corriente de carga IC 5. 2 Pruebas en corto circuito 5.3 Conclusiones 66 66 68 69 69 78 80
Capitulo 6 Conclusiones y trabajos futuros Bibliografa Anexo I Anexo II Anlisis en Mathcad Hojas de datos
ii
81 85 87 93
SIMBOLOGA
1, 2 i t Ac Ap At Aw(B) Bm C1,2,... CL Cp Ct D D1,2 D1R,2R,... DE di/dt dv/dt E f fosc IA iCap IC iD ID1,D2,... IG, IGQ Iin IK iL INS Io ip Iprom Ipt IQ1,Q2,Q3 ireg is J Eficiencia Regulacin Factor de amplificacin de corriente Variacin de corriente Variacin del tiempo rea efectiva del ncleo Producto de reas rea de superficie Tamao del alambre Densidad de flujo Capacitor Capacitor de filtrado Capacitancia parsita Capacitor de oscilacin Ciclo de trabajo Diodo Diodos del rectificador Diodo de emisor Pendiente de corriente Pendiente de voltaje Energa Frecuencia Frecuencia de oscilacin Corriente de nodo Corriente en capacitor Corriente de carga Corriente a la salida del rectificador Corriente en el diodo Corriente de compuerta Corriente de entrada Corriente de ctodo Corriente en la carga o de salida Corriente en el secundario del transformador Corriente de salida Corriente en el primario del transformador Corriente promedio en el transistor Corriente pico del transistor Corriente en el transistor Corriente en los IGBTs del regulador Corriente en el secundario del transformador Densidad de corriente
iii
J3, J2, J1 Ke Kf Kg Ku Lcarga Lp Lpar Ls MLT n Np Ns Nr Po Pp Ps Pt Q1,2,3,4 QE QG R2,... RG(on) RG (off) Rind RL Rp Rpar Rs Rt T t T1, T2 td tf toff ton tr Tr1, Tr2 ts tt V0 V1 V2 VAK vCE
Uniones del dispositivo Coeficiente elctrico Coeficiente de la forma de onda Geometra del ncleo Factor de utilizacin de ventana Inductancia de carga Inductancia del devanado primario Inductancia parsita Inductancia del devanado secundario Largo promedio del devado Relacin de transformacin Nmero de vueltas en el devanado primario Nmero de vueltas en el devanado secundario Nmero de vueltas en el devanado de restablecimiento Potencia de salida Prdidas en el cobre primario Prdidas en el cobre secundario Potencia aparente Transistor o interruptor Interruptor de emisor Interruptor de compuerta Resistencia Resistencia de compuerta en el encendido Resistencia de compuerta en el apagado Resistencia de la inductancia Resistencia de carga Resistencia del devanado primario Resistencia parsita Resistencia del devanado secundario Resistencia de oscilacin Periodo Tiempo Tirirstor Tiempo de retardo Tempo de bajada Tiempo de apagado Tiempo de encendido Tiempo de subida Transistores Tiempo de propagacin o almacenamiento Tiempo de la cola de apagado Voltaje de alimentacin Voltaje en el primario del transformador Voltaje en el secundario del transformador Voltaje nodo-ctodo Voltaje colector-emisor
iv
VCE(sat) Vd Vin vL VLcarga Vo Voc Vp VS VTR Wtef
Voltaje colector-emisor de saturacin Voltaje de cada del diodo Voltaje de la fuente de alimentacin o de entrada Voltaje de salida o en la carga Voltaje en la inductancia de carga Voltaje de salida Voltaje en circuito abierto Voltaje en el primario del transformador Voltaje en el secundario del trasnformador Voltaje en el transformador Peso del ncleo
NOMENCLATURA
AUX BJT BM CA CD DAGTO DSEP DUT ETO FS GTO IGBT IGCT JFET MCT MOS MOSFET MTO MVA NPT PSpice PT PWM SIT SOA SPT ZCS ZVS Auxiliar Transistor bipolar Behavioral modelig Corriente alterna Corriente directa Tiristor de apagado por compuerta asistido por un diodo Dispositivos semiconductores de potencia controlados Dispositivo bajo prueba Tiristor apagado por emisor Field-Stop Tiristor de apagado por compuerta Transistor bipolar de compuerta aislada Tiristor con compuerta conmutada integrada Transistor de efecto de campo unin Tiristor controlado por MOS Metal xido semiconductor Transistor de efecto de campo metal xido semiconductor Tiristor de apagado por MOS Mega volts amperes Non Punch-Through Programa de simulacin de circuitos elctricos y electrnicos Punch-Through Modulador de ancho de pulso Transistor de induccin esttico rea de operacin segura Soft-Punch-Through Conmutacin a corriente cero Conmutacin a voltaje cero
vi
Captulo 1
Planteamiento del problema y justificacin
Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia
En este captulo se presentan en forma general los problemas a los que se enfrenta el diseador de circuitos al seleccionar el dispositivo adecuado para la aplicacin deseada. Las diversas aplicaciones implican requerimientos energticos particulares que demandan ciertas caractersticas a los dispositivos. As, uno de los problemas a los que se enfrenta el diseador, es poder seleccionar el dispositivo semiconductor de potencia que presente las caractersticas mas adecuadas a la aplicacin, por lo cual es importante conocer bien las caractersticas con las que cuentan los dispositivos. Este estudio inicia con una introduccin sobre la electrnica de potencia en general. La electrnica de potencia es una rama de la ingeniera elctrica que combina la energa elctrica, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa elctrica tiene que ver con el equipo de potencia esttico y rotativo o giratorio, para la generacin, transmisin y distribucin de la misma. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos semiconductores requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. Algunas de sus aplicaciones son: control de calor, control de la intensidad luminosa, controles de motor, reguladores CA y CD, calentamiento por induccin, compensadores de VAR estticos, filtros activos y muchos ms. El elemento base de un sistema electrnico de potencia es el dispositivo que se utiliza para realizar la funcin de interrupcin. Hoy en da la electrnica de potencia aprovecha los avances de la tecnologa como son: fabricacin de circuitos integrados y dispositivos semiconductores de potencia, que trabajan bajo la supervisin de un control electrnico. La tendencia es producir mdulos inteligentes, donde el control, la proteccin y la etapa de potencia sean integrados en un mismo encapsulado.
1.1 Dispositivos Semiconductores de Potencia Controlados (DSEP)

La motivacin de usar dispositivos de conmutacin en un convertidor es la de incrementar la eficiencia de la conversin, ya que dichos dispositivos se operan solo en los estados de encendido o apagado. Un dispositivo semiconductor de potencial ideal presentara las siguientes caractersticas: facilidad de comando resistencia de encendido nula tiempos de conmutacin nulos densidad de corriente ilimitada tensin de bloqueo ilimitada corriente de fuga nula Tal dispositivo no tendra prdidas de conmutacin, de conduccin, ni de control, por lo tanto la eficiencia del convertidor tendera a ser del 100%. Sin embargo, los componentes reales presentan prdidas que reducen la eficiencia de los convertidores y, por
lo tanto, se hace necesario conocer las caractersticas de estos dispositivos para lograr su ptima utilizacin en las diferentes condiciones de operacin [1].
1.1.1 Caractersticas de los dispositivos semiconductores de potencia

Considerando un interruptor ideal, las caractersticas requeridas de los dispositivos semiconductores de potencia controlados se pueden resumir de la siguiente manera: alta capacidad de bloqueo, baja corriente de fuga bajas prdidas por bloqueo manejar alta densidad de corriente bajas prdidas por conduccin tiempos cortos de conmutacin bajas prdidas por conmutacin facilidad de control (control por tensin) no necesita circuitos adicionales como snubbers insensibilidad al di/dt y dv/dt robustez en corto circuito y estabilidad trmica inteligencia y confiabilidad bajos costos Es obvio que un solo dispositivo no puede satisfacer con todos los requerimientos de igual manera, por lo que se han desarrollado semiconductores de potencia, cuya caracterstica se adaptan a los diferentes tipos de aplicacin. Los requerimientos de los componentes que actan como interruptores en convertidores electrnicos se confrontan con las leyes fsicas que impiden su realizacin en un solo componente, por lo que se hace necesario una optimizacin del semiconductor con respecto a su aplicacin. Sin embargo, todos los dispositivos de potencia tienen una propiedad en comn que los distingue de los dems componentes electrnicos: disponen en su estructura de una capa gruesa y con un dopado muy bajo para poder soportar las altas tensiones de bloqueo. Adicionalmente, todos los semiconductores de potencia tienen una estructura vertical, que permite un mejor aprovechamiento de la superficie y una mejor distribucin de la corriente. En la Figura 1.1 se presenta la estructura de los dispositivos de potencia ms relevantes. Resaltan sus propiedades comunes y sus diferencias. Las estructuras fundamentales de dispositivos de potencia son: la estructura diodo, la estructura tiristor, la estructura transistor y la estructura MOS. Hoy en da, al diseador de convertidores se le ofrece una amplia gama de componentes modernos a diferentes niveles de tensin, de corriente, as como de frecuencia de operacin. Los dispositivos ms utilizados son: el MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) (tecnologa unipolar, frecuencias altas, potencias bajas), el IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) (tecnologa hbrida, frecuencias y potencias medianas) y el GTO (tecnologa bipolar, frecuencias bajas, potencias altas).
Figura 1.1 Estructura de los dispositivos de potencia ms relevantes.
1.1.2 Comparacin entre los diferentes dispositivos

Segn el mecanismo de transporte de corriente, los dispositivos de potencia se clasifican en componentes unipolares (MOSFET, SIT) y componentes bipolares (diodo, tiristor, GTO y transistor bipolar). Los dispositivos bipolares realmente presentan el grupo ms amplio en la electrnica de potencia. Su buen comportamiento en conduccin se debe a la inyeccin de portadores en la zona n- a causa de una o dos uniones pn polarizadas directamente. En el transporte de corriente participan tanto electrones como huecos. Por otro lado, las buenas caractersticas en conduccin contradicen los requerimientos de una rpida conmutacin debido a la inyeccin de portadores minoritarios (cargas almacenadas). En los dispositivos unipolares, en cambio, participan nicamente portadores mayoritarios en el transporte de corriente y no se modula la conductividad de la zona n-, por lo que su resistencia est determinada solamente por su conductividad intrnseca. De esta manera no se pueden combinar altas tensiones de bloqueo con alta capacidad de corriente. Las ventajas de los MOSFETs consisten en un buen comportamiento dinmico (no hay cargas almacenadas por ser dispositivos unipolares) y en su control simple y prcticamente sin prdidas (control de campo estructura MOS) que presenta una estabilidad trmica del dispositivo. El MOSFET aprovecha la tecnologa de alta integracin de la microelectrnica (MOSFET de baja potencia). Entre los nuevos semiconductores de potencia que han salido al mercado, algunos combinan las ventajas de las dos tecnologas, bipolar y unipolar, en un solo componente hbrido, como es el caso del IGBT. La Figura 1.2 muestra una comparacin de los diferentes dispositivos de potencia controlados con respecto a la potencia y la frecuencia de conmutacin. En la Figura 1.2 podemos destacar al GTO por su elevada capacidad de conmutacin, el cual es un tiristor auto desactivado por compuerta. Este dispositivo resulta muy atractivo para la conmutacin 4
forzada de convertidores y est disponible hasta 4000V y 3000A, para frecuencias de conmutacin hasta 1kHz. El MCT (tiristor controlado por MOS) se puede activar mediante un pequeo pulso de voltaje negativo sobre la compuerta MOS (respecto a su nodo), y desactivar mediante un pulso pequeo de voltaje positivo. Es similar a un GTO, excepto en que la ganancia de desactivacin es muy alta. Los MCT estn disponibles hasta 1000V, 100A y para frecuencias de hasta 20kHz. Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores de 10 kHz y su aplicacin es eficaz en potencias hasta 1200V/ 400A. Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en una especificacin de poca potencia en un rango de 1000V/ 50A y hasta frecuencias de conmutacin de decenas de kilohertz. Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET. Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta 20kHz en conmutacin dura. Los IGBT estn disponibles como mdulos hasta 4500V/1000A. El SIT (transistor de induccin esttico) es un dispositivo de alta potencia y de alta frecuencia. Las especificaciones de uso de corriente de los SIT puede ser hasta 1200V, 300A y la velocidad de interrupcin puede ser tan alta como 100 kHz [2]. En los ltimos aos, algunos trabajos han sido orientados a mejorar las caractersticas de apagado de los dispositivos GTO, esto basado en la condicin de ganancia unitaria durante el apagado. Dentro de estos trabajos de investigacin podemos destacar al MTO (Higt Power Bipolar MOS Thyristor), el IGTC (Integrated GateConmutated Thyristor), el ETO (Emitter Turn-off Thyristor) y el DAGTO (Diode Assisted Gate Turn-off Thyristor) [3], [4], [5] y [6].
Figura 1.2 Aplicaciones de los dispositivos de potencia controlados
1.2 El tiristor de apagado por compuerta (GTO)

Convertidores de alta potencia han sido altamente usados en aplicaciones de traccin, control y administracin de la energa, sistemas de almacenamiento magntico de la energa y convertidores industriales. Hasta la fecha, los GTOs son los dispositivos semiconductores controlados por compuerta mas ampliamente usados a altos voltajes (VBR 3300 V) y altas potencias (S 0.5 MVA) en convertidores aplicados a traccin e inversores industriales. Algunos fabricantes ofrecen en el mercado GTOs para potencias de conmutacin por arriba de los 36 MVA (6000V, 6000A).
1.2.1 Estructura y funcionamiento

La estructura del GTO es esencialmente similar al tiristor convencional. Como se muestra en la Figura 1.3a, esta consiste de 4 capas de silicio (pnpn), tres uniones y tres terminales (nodo, ctodo y compuerta). El funcionamiento del GTO y el tiristor son bsicamente iguales. La diferencia en operacin entre los dos es que una seal de compuerta negativa puede apagar al GTO, mientras la corriente de nodo del tiristor tiene que ser reducida a cero externamente para que cese la conduccin. Para crear esta diferencia se realizaron modificaciones en el diseo que sacrifican la calidad de algunas caractersticas del GTO tales como reducir la capacidad de bloqueo inverso e incrementan las perdidas en conduccin. Debido a que su funcionamiento es casi igual al del tiristor, excepto por el apagado, describiremos principalmente la operacin del apagado. Cuando un GTO esta en el estado de encendido, la regin de la base central es ocupada con huecos suministrados del nodo y electrones suministrados del ctodo. Si un voltaje inverso es aplicado al hacer la compuerta negativa con respecto al ctodo, parte de los huecos en la capa de la base p son extrados a travs de la compuerta, suprimiendo la inyeccin de electrones del ctodo. En respuesta a esta supresin, ms corriente de hueco es extrada a travs de la compuerta, fomentando la supresin de inyeccin de electrones. En el curco de este proceso, la unin emisor-ctodo (J3) es puesta completamente en un estado de polarizacin inversa, el GTO es apagado. La Figura 1.3 ilustra la operacin de apagado, usando un modelo de dos transistores [7].
a) b) Figura 1.3 Modelo del GTO: a) Estructura del GTO, b) Circuito equivalente
Suponiendo que un GTO es dividido en el transistor npn Tr1 en el lado del ctodo y transistor pnp Tr2 en lado del nodo y estn conectados como se muestra en la Figura 1.3b. En esta Figura, el factor de amplificacin de corriente del transistor Tr1 es llamado 1 y la del transistor Tr2 y 2. Si una corriente inversa IGQ fluye a travs de la compuerta, la corriente de base IB en el transistor Tr1 es reducida cuando IGQ es incrementado. Esta relacin puede ser expresada por la siguiente ecuacin: IB = 2 * IA - IGQ (1.1)
En la otra mano, la corriente de electrones IRB, la cual desaparece debido a la recombinacin en la capa de la base Tr1, puede expresarse como sigue: IRB = (1 - 1) * IK (1.2)
La relacin entre la corriente de nodo (IA) y la corriente de ctodo (IK) del GTO es expresada por la siguiente ecuacin: IA = IK + IGQ (1.3) En el apagado del GTO, IB debe ser tan pequea como IRB. La magnitud de corriente inversa IGQ que satisface esta condicin puede ser calculada por la siguiente ecuacin: IGQ = (1 + 2 1) * IA / 1 A) Proceso de encendido En general el proceso transitorio de encendido del GTO es muy similar al de los tiristores convencionales conocidos y se muestra en la Figura 1.4. Este proceso presenta tres intervalos: El tiempo de retardo (td), el cual es el tiempo transcurrido del comienzo del pulso de la corriente de compuerta hasta que la corriente de nodo alcanza 10% del valor final de IA. El tiempo de subida (tr), el cul es el tiempo entre el 10% y el 90% de IA. El tiempo de propagacin (ts), el cual est definido a partir del 10% de la tensin Vs y representa el tiempo durante el cual la corriente se propaga lateralmente hasta la terminal del ctodo. B) Proceso de apagado Este tambin es dividido en tres intervalos: El tiempo de almacenamiento (ts), durante el cual el exceso de portadores de la base p es extrado va la corriente de compuerta y todas las uniones (J1,J2 y J3) son polarizadas. En el periodo final de almacenamiento, la corriente de nodo cae a un valor de 90% IA y la regin de carga espacial empieza a crecer alrededor de J2. (1.4)
El tiempo de bajada (tf) es el tiempo transcurrido del 90% al 10% de IA. Durante este tiempo el voltaje sobreincrementa el dispositivo y los portadores minoritarios son desalojados de la base n a la p. Al final de este periodo la unin J3 empieza a bloquear. El tercer periodo es una cola (tt) durante la cual la corriente a travs del dispositivo va del 10% a cerca de cero.
1.2.2 Caractersticas
El GTO tiene varias ventajas, las cuales son [8], [9], [10] , [11]: A) B) C) D) altas densidades de corriente en conduccin altos voltajes de bloqueo alta capacidad de resistencia a fuertes dv/dt en estado de bloqueo posibilidad de integrar un diodo inverso
Figura 1.4 Curvas de encendido y apagado del GTO. Superior: corriente de nodo y voltaje nodo-ctodo, inferior: corriente de compuerta [7].
Como desventajas se pueden resumir las siguientes: A) Durante el transitorio de apagado, la estructura de 4 capas p-n-p-n (Figura 1.3) causa una distribucin de corriente no homognea limitando el apagado a dv/dt entre 500-1000V/us, lo cual requiere de circuitos de ayuda a la conmutacin (snubbers) grandes y costosos. B) Durante el transitorio de encendido, la estructura a 4 capas causa un problema de crecimiento de corriente no controlada, lo que requiere de un circuito limitador di/dt. C) Ya que el GTO es un dispositivo controlado por corriente, su impulsor de compuerta es complejo y disipa cientos de watts en una aplicacin tpica. El complicado impulsor del GTO tiene como consecuencias un tiempo de almacenamiento largo y una ganancia de apagado entre 3-5.
1.2.3 Mejoras realizadas

Actualmente, se han realizado varias mejoras a este dispositivo, haciendo un esfuerzo por mejorar sus caractersticas dinmicas, ya que hasta el momento no han podido ser desplazados en aplicaciones de conversin de muy alta potencia. Las mejoras realizadas se describen a continuacin y se muestran en la Figura 1.5. a) IGCT El IGCT (tiristor con compuerta conmutada integrada) usa una fuente de voltaje y un interruptor de compuerta para disminuir drsticamente la inductancia parsita del lazo de compuerta, alcanzando as una corriente alta de conmutacin [4], [5]. La diferencia fundamental entre un GTO convencional y el nuevo IGCT es que tiene una muy baja inductancia en la compuerta integrada y la nueva estructura de nodo trasparente (unin pn con baja eficiencia de emisor a travs de una capa emisor muy delgada y de dopado bajo). Lo anterior tiene como consecuencia bajas prdidas en la tecnologa tiristor y la necesidad de menos snubbers. Para alcanzar las caractersticas deseadas se obtuvieron los siguientes desarrollos: Mejorar las caractersticas de conmutacin del GTO para obtener una operacin sin amortiguamiento de dv/dt para altas densidades de corriente. Reducir las prdidas en los estados de encendido y apagado para minimizar el grosor del silicio Reducir los requerimientos del impulsor de compuerta especialmente durante la conduccin. Desarrollar diodos antiparalelo para reducir los snubber en el apagado para altos di/dt Integrar el interruptor principal GTO y el diodo en un empaque semiconductor, especialmente en baja potencia.
Figura 1.5 Circuitos equivalentes de los dispositivos derivados del GTO: a) IGCT b) MTO c) ETO d) DAGTO
b) MTO El MTO (tiristor apagado por MOS) usa solo un interruptor de compuerta QG. Durante el apagado, el interruptor de compuerta es encendido, desviando la corriente a travs del diodo compuerta-ctodo del GTO y realizando un apagado con ganancia unitaria [3], [12]. El MTO es un dispositivo de conmutacin basado en el GTO. El GTO requiere una realizacin compleja de circuitos de potencia que implican diseos cuidadosos de circuitos impulsores y snubbers. Las mejoras realizadas al MTO son las siguientes: Mayor velocidad de conmutacin y menores prdidas que el GTO. Capacidad de corriente de algunos cientos de amperes, fuente de algunos miles de amperes, capacidad de bloqueo de 6 KV. Voltaje de saturacin en estado estable 4 V, la eficiencia en operacin de convertidores de potencia es mejor que la eficiencia empleando IGBTs. Tiempo de retardo similar al GTO, el tiempo de almacenamiento en el apagado es mas bajo que el GTO. El tiempo de cada de la corriente en el apagado es de 5 s. El comportamiento de conmutacin en el encendido es limitado por el di/dt. En el apagado en conmutacin dura las prdidas son similares al GTO. La utilizacin de menos snubbers en el apagado del dispositivo es limitado por la corriente critica, por que la velocidad de subida de la corriente en el impulsor en el apagado no es suficientemente rpida para mantener la ganancia unitaria en la operacin de apagado. c) ETO El ETO (tiristor apagado por emisor) es otro tipo de tecnologa basada en dispositivos semiconductores superiores de alta potencia, en este caso en la tecnologa desarrollada del GTO y del MOSFET de potencia. El tiristor de pagado por emisor es un
10
dispositivo semiconductor hbrido que apaga al GTO por debajo de las condiciones de ganancia unitaria. El ETO combina las ventajas del GTO y del IGBT: del GTO rangos de corrientes y voltajes grandes y voltajes pequeos de saturacin, del IGBT control por voltaje, gran velocidad de conmutacin y un ancho RBSOA (rea de operacin segura polarizada inversamente) [13]. El ETO hace uso de dos interruptores para realizar una conmutacin de corriente alta en el apagado. Durante el apagado, el interruptor de emisor QE es apagado mientras que la compuerta del interruptor QG es encendida. Un voltaje tan alto como el voltaje de ruptura de QE puede ser aplicado en el lazo de la compuerta de la inductancia parsita, realizando una conmutacin de corriente rpida. Durante el transitorio de encendido, QE es encendido y QG es apagado [14], [15]. Un gran pulso de corriente es inyectado en la compuerta del GTO para reducir el tiempo de retardo de encendido y mejorar el rango di/dt de encendido. El proceso de apagado es controlado por voltaje y el impulsor de compuerta del ETO es muy compacto y disipa menos potencia. d) DAGTO El DAGTO (tiristor de apagado por compuerta asistido por un diodo) es una nueva configuracin que ayuda al GTO a alcanzar una ganancia unitaria al apagado y la capacidad de necesitar menos snubbers al apagado utilizando diodos discretos conectados en serie. El DAGTO incrementa significativamente el voltaje de apagado el cual puede ser usado para la conmutacin de la corriente [11]. El DAGTO puede realizar conmutaciones de corrientes muy grandes en el apagado por el uso del diodo DE. La ganancia de apagado unitaria se logra rpidamente y puede ser mantenida hasta el final del proceso transitorio de apagado.
1.3 El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT)

Tal como se muestra en la Figura 1.7, el IGBT combina en un solo dispositivo la tecnologa bipolar (el componente utilizado es el transistor bipolar pnp) y la tecnologa unipolar (el componente empleado es el MOSFET de canal n). El objetivo de los fabricantes era obtener un dispositivo que aprovechara las ventajas de cada uno de los componentes mencionados: alta capacidad de corriente, cada de tensin directa (voltaje colector-emisor de saturacin) muy baja debido a la modulacin de la zona n- que proporciona la tecnologa bipolar y bajas prdidas por conmutacin as como la facilidad de comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la tecnologa MOSFET, tratando de mantener las mejores caractersticas dinmicas [1], [9]. Los transistores IGBT han ganado un firme lugar en el diseo de equipos electrnicos de potencia y han desplazado a los transistores bipolares en aplicaciones de mediana potencia. Los sistemas en los cuales los IGBT son empleados tienen las
11
caractersticas de alta densidad de potencia, alta eficiencia y buenas caractersticas dinmicas de conmutacin. Algunas de las principales reas de aplicacin de este interruptor son: fuentes conmutadas de potencias mayores a 1kW accionamiento de motores fuentes de alimentacin ininterrumpibles balastros electrnicos calentamiento por induccin vehculos elctricos Las ventajas esenciales de los transistores IGBT son: una rea de operacin segura (SOA por sus siglas en ingls) casi cuadrada y comandado en tensin. Los inconvenientes principales residen en la dependencia de la temperatura y la cola de corriente al apagado. La tecnologa del IGBT no cesa de progresar, permitiendo la fabricacin de dispositivos a potencias cada vez ms altas. La frecuencia de conmutacin del IGBT est limitada hasta aproximadamente 20kHz debido a su inherente cola de apagado y puede ser aumentada hasta 100khz o ms, utilizando topologas de convertidores que permiten conmutacin suave (a voltaje cero o ZVS y a corriente cero o ZCS). Aunque se han hecho muchos intentos de componentes hbridos todava no se vislumbra el sucesor del IGBT por lo que contina siendo el dispositivo semiconductor de potencia ptimo en aplicaciones en mediana potencia.
a) b) Figura 1.6 Modelo del IGBT: a) Estructura interna del IGBT, b) Diagrama equivalente
12
1.3.1 Estructura y funcionamiento

El transistor IGBT se desarroll a finales de los 80 a partir del transistor MOSFET de estructura vertical, al cual se le agreg una unin pn del lado del drenaje. Esta unin suplementaria realiza una estructura transistor pnp y permite beneficiarse en la conduccin por portadores minoritarios (transporte bipolar). La Figura 1.6a muestra la estructura interna de este dispositivo y la Figura 1.6b el circuito equivalente de la estructura del transistor IGBT. Se puede observar que por la sucesin de 3 uniones pn la estructura del IGBT contiene un tiristor parsito (formado por T1 y T2) cuyo encendido (mediante la tensin que se origina por la corriente que circula por Rp) es indeseable (efecto lach-up) ya que se llevara a la prdida del control por la compuerta. Los nuevos diseos de IGBT han logrado eliminar este efecto (a partir de la segunda generacin). El estado de conduccin es obtenido de manera similar al de un MOSFET de canal n por la polarizacin positiva de la compuerta. La corriente del MOSFET alimenta la base del transistor bipolar pnp y permite la inyeccin de cargas minoritarias en la zona n- a travs de la unin pn polarizada en directa. En consecuencia, la cada de tensin en conduccin esta constituida por tres componentes: la del canal MOS, una parte resistiva de la base n- cuyo valor es modulado por alta inyeccin de cargas y por la cada de potencial de la unin p+n- suplementaria. La resistencia en conduccin de un IGBT es de valor pequeo, comparativamente a la de un MOS equivalente y favorece el paralelado gracias a su coeficiente de temperatura positivo.
1.3.2 Caractersticas
El objetivo de los fabricantes al disear el IGBT era obtener un dispositivo que aprovechara las ventajas del transistor bipolar y del MOSFET : alta capacidad de corriente, cada de tensin directa (voltaje colector-emisor de saturacin) muy baja debida a la modulacin de la zona n- que proporciona la tecnologa bipolar y bajas prdidas por conmutacin, as como la facilidad de comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la tecnologa MOSFET, tratando de mantener las mejores caractersticas dinmicas. Las ventajas esenciales de los transistores IGBT son: un rea de operacin segura (SOA por sus siglas en ingles) casi cuadrada y comandado en tensin [16], [17]. El IGBT combina en un solo dispositivo la tecnologa bipolar (el componente utilizado es el transistor bipolar pnp) y la tecnologa MOS (el componente utilizado es el MOSFET de canal n). Este dispositivo aprovecha las caractersticas de ambas tecnologas, las cuales son: alta capacidad de corriente, voltaje de saturacin bajo, bajas perdidas por conmutacin, control por tensin. En la Figura 1.6a se muestra la estructura del IGBT. Ventajas: a) b) c) d) densidad de corriente mayor que un MOSFET alta eficiencia caractersticas dinmicas superiores a un BJT rea de operacin segura
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e) comando en tensin Desventajas: a) comportamiento dependiente de la temperatura b) cola de corriente en el apagado (prdidas por conmutacin mayores a un MOSFET) c) prdidas en conduccin superiores a un GTO
1.3.3 Tecnologas de fabricacin del IGBT

El IGBT se fabrica actualmente en dos tecnologas bsicas, conocidas como la tecnologa PT y la tecnologa NPT. El IGBT ms comn es de tipo PT (Punch-Through). En esta tecnologa de fabricacin, el dispositivo es construido en un substrato grueso tipo p+ (300 m). El ancho de la capa n- (base del BJT) construida mediante crecimiento epitaxial es relativamente pequea. En la Figura 1.7 se puede apreciar que aparte se tiene una capa delgada n+ entre la base y el emisor llamada buffer que limita la expansin de la regin de carga de espacio en estado de bloqueo (efecto Punch-Through). El IGBT de tipo PT alcanza bajas prdidas por conduccin (resistencia baja) a travs de un coeficiente de emisor alto del BJT interno y bajas prdidas por conmutacin por medio de un tiempo de vida de los portadores muy reducido. Esto resulta en un transitorio de corriente en el apagado en forma de cola de gran amplitud que decrece rpidamente y depende en gran medida de la temperatura. Existe tambin comercialmente el IGBT de tecnologa NPT (Non Punch-Through) que es una estructura desarrollada originalmente por la compaa Siemens. Estos dispositivos son construidos en un substrato homogneo de tipo n- de aproximadamente 220 m de ancho. El emisor se realiza a travs de implantacin de una capa p+ muy delgada y de dopado bajo (emisor transparente) en la parte posterior del substrato (Figura 1.9). Por lo tanto, en el IGBT homogneo se realiza la modulacin de la resistencia de base a travs de un bajo coeficiente de emisor en combinacin con un tiempo de vida de portadores muy alto. Aparte se tienen bajas prdidas por conmutacin a travs de la recombinacin de superficie en el emisor transparente. Estas caractersticas conllevan a un transitorio de corriente en el apagado en forma de cola de una amplitud reducida pero que decae lentamente y es casi invariable con la temperatura. La tecnologa NPT es ms robusta y la ms apropiada para dispositivos de alta tensin de bloqueo, mientras que la tecnologa PT tiene ventajas en aplicaciones con conmutacin suave. Sin embargo, ambas tecnologas tienen tambin desventajas, que se han tratado de superar uniendo en una nueva estructura las ventajas del PT y NPT-IGBT con el fin de reducir por un lado las prdidas por conduccin (reduciendo el VCE) y por otro lado las prdidas en conmutacin (reduciendo la cola de apagado). Esta estructura, que ha sido presentada apenas recientemente, se llama Soft-Punch-Through (SPT-IGBT) o tambin Field-Stop (FS-IGBT) dependiendo del fabricante. La estructura SPT es muy similar a la NPT, solo con la diferencia de que se logr reducir aun mas su grosor (reduccin de la capa
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n-) a travs de la implementacin de la zona buffer n+ tpica para la tecnologa PT. Dadas las distintas estructuras de estas tecnologas, los IGBT de tipo PT, NPT y SPT tienen tambin caractersticas elctricas diferentes. La Figura 1.7 muestra las estructuras tradicionales PT y NPT, as como la nueva estructura SPT. La tecnologa SPT permite la construccin de convertidores con un mayor rango de potencia, fijando el estndar de voltaje en 1200 V. Estos dispositivos vienen empaquetados en mdulos y sus caractersticas son: mayor robustez, permite la conexin en paralelo de los mdulos, transiciones suaves en la conmutacin del dispositivo, bajo incremento de la resistencia del modulo ante variaciones de temperatura y requerimientos de impulsores igual que la tecnologa NPT. ltimamente, se han aplicado para todas las tecnologas una nueva estructura de compuerta llamada trench-gate a diferencia de la estructura convencional de compuerta plana. Esta estructura permite reducir las prdidas en conduccin, puesto que el canal del MOSFET se forma en direccin vertical a la superficie del chip y requiere menos rea activa. De esta manera se aumenta la densidad de las celdas. Resumiendo, los beneficios obtenidos con la estructura trench-gate incluyen una disminucin de la resistencia del canal MOS y la eliminacin de la regin JFET. Por otro lado, las aplicaciones en las cuales los IGBT han sido tpicamente empleados son de baja y mediana potencia. Sin embargo, debido a las recientes aportaciones tecnolgicas, actualmente existen IGBTs de alta potencia que compiten a los GTOs, los cuales han sido tpicamente usados en aplicaciones de alta potencia. Por lo anterior es que en este trabajo de tesis se ha propuesto el desarrollo de un banco de pruebas para caracterizar dispositivos de alta potencia.
Punch Through (PT) Non - Punch Through (PT) Soft Punch Through (SPT)
Estructura
Figura 1.7 Estructura del IGBT tipo PT, NPT y SPT
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1.4 Modos de conmutacin

Los diferentes modos de conmutacin a los que se puede someter un dispositivo semiconductor de potencia controlado y los cuales se pueden presentar en una aplicacin se resumen de la siguiente manera: Conmutacin dura Presencia simultnea de corriente y voltaje en el lapso de tiempo que dura la fase de conmutacin. Se puede presentar tanto en el encendido como en el apagado del dispositivo. Conmutacin suave natural Ocurre cuando el voltaje o la corriente es cero al encender o al apagar el dispositivo y por lo tanto se clasifica en: ZVS (conmutacin a voltaje cero) La condicin para este tipo de conmutacin se obtiene cuando el voltaje cae hasta cero y tiempo despus evoluciona la corriente con una pendiente determinada. La conmutacin natural ZVS solo se presenta en la fase de encendido. ZCS (conmutacin a corriente cero) La condicin para esta conmutacin se obtiene cuando la corriente decrece hasta cero y tiempo despus se aplica el voltaje de bloqueo. La conmutacin natural ZCS solo se presenta en la fase de apagado. Corto circuito Este tipo de conmutacin no es deseable en un convertidor, se tienen dos tipos de cortocircuito: Tipo I Se tiene presente un corto en la carga mientras el dispositivo es encendido. Tipo II Se tiene el dispositivo en estado de conduccin (manejando una cierta cantidad de corriente) cuando se presenta un corto en la carga. En la Figura 1.10 se muestra una comparacin entre los diferentes modos de conmutacin que puede presentar un interruptor controlado en una aplicacin. En la Figura 1.11 muestra el rea de operacin segura de un componente y la trayectoria en cada uno de los diferentes modos de conmutacin de un dispositivo semiconductor.
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1.5 Justificacin
El estudio de los dispositivos semiconductores de alta potencia tiene varias aportaciones originales para solucionar la problemtica abordada y la necesidad de investigar sobre ellos tiene dos importantes aspectos. Analizar a fondo el funcionamiento del dispositivo para poder conocer las implicaciones al usar dispositivos de alta potencia y su proceso de conmutacin para aprovechar al mximo sus caractersticas en las diferentes aplicaciones de alta potencia. Obtener informacin del GTO que nos permita entender hacia donde estn siendo orientadas las mejoras que se han realizado en estos dispositivos. Suministrar informacin del comportamiento de los DSEPs de alta potencia a fabricantes y diseadores.
Figura 1.8 Diferentes tipos de conmutacin existentes en un convertidor
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Figura 1.9 rea de operacin segura y la trayectoria I = f (V) para cada tipo de conmutacin
1.6 Objetivos
a) Objetivo general Disear e implementar un banco de pruebas que permita estudiar experimentalmente el comportamiento de los dispositivos de alta potencia en diferentes condiciones de conmutacin dura b) Objetivos particulares El principal objetivo de esta tesis es disear un banco de pruebas para caracterizar dispositivos de alta potencia, por lo que se propone lo siguiente para lograrlo: Simulacin de los circuitos propuestos con el programa PSpice para validar los procedimientos del diseo. Construccin del banco de pruebas (que incluye los impulsores de compuerta, los sistemas de control y la fuente de CD) Realizacin de algunas pruebas para comprobar el buen funcionamiento del banco de pruebas. 18
Captulo 2
Metodologa abordada
En este captulo se presentan las caractersticas con las cuales deben contar las fuentes de alto voltaje de CD y diversos tipos de fuentes de alto voltaje en CD con el fin de presentar las ventajas y desventajas que ofrece cada una de ellas, as como el mtodo para realizar la caracterizacin de dispositivos semiconductores en forma experimental. Se presentan tambin los requerimientos mnimos necesarios para obtener buenos resultados mediante simulacin.
2.1 Caracterizacin experimental

Para realizar la caracterizacin experimental, es necesario disear circuitos de prueba con una topologa sencilla, poco costosa y con una buena reproduccin de las condiciones reales que un dispositivo presenta en una aplicacin determinada. Las caractersticas requeridas para los circuitos de prueba son las siguientes [1]: nmero limitado de elementos de potencia y de las fuentes calidad en la reproduccin de las condiciones de operacin en la aplicacin del convertidor independencia entre los diferentes parmetros que deben de estar controlados En la caracterizacin experimental, el trabajo consiste en realizar las mediciones de corrientes y voltajes en el dispositivo bajo diferentes condiciones de operacin (conmutacin dura, conmutacin suave, avalancha, etc.) con la posibilidad de realizar variacin de los parmetros mas importantes del circuito (temperatura, tensin de alimentacin, corriente de conduccin, inductancia parsita, etc.)
2.1.1 Diseo general del circuito de pruebas

En el diseo del banco de pruebas se toman en cuenta aspectos importantes como: mtodo de pruebas modo de funcionamiento tipo de control La seleccin depender de la calidad de reproduccin de las condiciones que presente una aplicacin convertidor dada de tal manera que se tenga independencia en el control de los diferentes parmetros, una limitacin del nmero de elementos del circuito y de la potencia instalada de la fuente de alimentacin. A continuacin se describen estos aspectos. 2.1.1.1 Mtodo de prueba El comportamiento de un dispositivo semiconductor de potencia (DSEP) puede ser observado en dos situaciones diferentes, ya sea directamente en la aplicacin del convertidor mediante la realizacin de circuitos especiales. a) Circuitos de aplicacin a convertidores
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Metodologa abordada
Cuando se evala directamente el desempeo del componente en un convertidor, se presentan las interacciones entre el convertidor y la carga sobre el dispositivo. La evaluacin bajo estas condiciones presenta las caractersticas siguientes: Son las condiciones reales: elctricas, trmicas y mecnicas (entorno real del componente). La potencia instalada es elevada (funcin de la aplicacin). Los parmetros accesibles son funcin del convertidor y la naturaleza de la carga. Globalmente, se obtiene el caso real, pero muy dependiente de la aplicacin, tenindose poca flexibilidad y grandes dificultades para obtener y sobreponer los resultados. b) Circuitos especiales Cuando se disean circuitos especiales de prueba para el estudio y la caracterizacin de DSEP, esto permite un mejor control de las condiciones de prueba y una buena reproduccin de las condiciones tpicas de conmutacin. En el caso de la conmutacin dura (PWM, modulacin de ancho de pulso) los circuitos especiales de prueba han sido ampliamente usados. Globalmente se tiene una mayor flexibilidad en la variacin de los parmetros externos del circuito, pero no es la aplicacin real del componente a evaluar. Algunas de las ventajas que ofrece el usar circuitos especiales de prueba son: Hay poca demanda de potencia, lo que permite realizar pruebas a elevadas corrientes, sin riesgo de destruccin del dispositivo. El dispositivo no es demandado trmicamente, ya que se considera la temperatura de unin igual a la de encapsulado. No hay interdependencia entre parmetros, lo que facilita el estudio del comportamiento. Pero tambin tiene algunas desventajas, entre las cuales son: El aspecto trmico es abordado solo en estado estable Se requiere de un equipo de medicin de gran memoria y alta velocidad de adquisicin 2.1.1.2 Modo de funcionamiento Circuitos de prueba han sido realizados con el fin de analizar el fenmeno de conmutacin de un interruptor. Este puede ser un convertidor particular que ofrece las condiciones correspondientes al componente a estudiar. Para lograr esto se le aaden componentes auxiliares tales como condensadores, inductores, fuentes e interruptores, los cuales permiten definir la condicin de prueba. Un objetivo es la limitacin del nmero de elementos y la energa instalada. La estructura adoptada podr funcionar ya sea de forma repetitiva o en modo impulsional. 21
a) Modo repetitivo Cuando el modo de funcionamiento es en modo repetitivo, el control es a frecuencia fija con un ciclo de trabajo reducido con el fin de limitar el incremento de temperatura del componente. Este modo de funcionamiento tiene la ventaja de ser una evaluacin muy cercana a la realidad respecto al cableado y los aspectos trmicos, pero no es adecuado para analizar la conmutacin propia del componente. La repeticin de ciclos permite establecer mtodos de medicin por acumulacin y efectuar correcciones de ruido sncronos. Sin embargo esta estrategia presenta los siguientes problemas: Potencia instalada igual a las prdidas del componente, lo que requiere un sistema de enfriamiento y cableado necesariamente grandes. Interdependencia de parmetros: frecuencia, ciclo de trabajo, temperatura, etc. b) Modo impulsional El funcionamiento en modo impulsional es una estrategia de pruebas donde se trata de una experimentacin en valores reales de corriente, tensin y temperatura. Adems, el componente es sometido una sola vez a las condiciones de conmutacin lo que, como ya se mencion, permite una limitacin en nmero de componentes y de la potencia instalada de la fuente y por otro lado mayor compactacin de los componentes, a fin de reducir el cableado. 2.1.1.3 Tipo de control Para el control de la operacin de los dispositivos auxiliares, as como el disparo del dispositivo bajo prueba, existen dos posibilidades: automtico o de tiempo preestablecido. a) Control automtico En este esquema de comando, el encendido y apagado de los dispositivos auxiliares y bajo prueba se realizan automticamente a valores determinados de voltaje o corriente. Este sistema de control permite condiciones de conmutacin que pueden ser ajustadas independientemente de la carga. Es un sistema de control directo. b) Tiempo preestablecido En este tipo de comando se establecen los tiempos de encendido y de apagado de los dispositivos. Este es un sistema de control en lazo abierto, donde los parmetros son solo indirectamente incontrolados.
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Metodologa abordada
2.1.2 Diseo propuesto para los circuitos de prueba

Los circuitos de prueba empleados en cada uno de los modos posibles de conmutacin presentan las siguientes caractersticas: modo de funcionamiento impulsional (one shot), que permite limitar la energa solicitada a la red, lo que facilita hacer pruebas en casos extremos. uso de un control de tiempo preestablecido capaz de asegurar por un lado su funcin en los diferentes modos de conmutacin y por otro lado ser configurado para un tipo de control dado en funcin de los parmetros propios del interruptor bajo prueba. minimizacin del nmero de elementos auxiliares, de manera que los resultados obtenidos slo se consideran que son debidos al efecto del dispositivo bajo prueba (DUT) y no a elementos externos interdependientes que modifiquen el comportamiento del dispositivo; esto se realiza con el fin de controlar mejor las condiciones impuestas al dispositivo semiconductor en una aplicacin real. El principio de diseo se plantea en la Figura 2.1, la cual considera las siguientes partes: el circuito bajo prueba, el cul es encargado de reproducir las condiciones de la aplicacin circuito auxiliar integrado por componentes pasivos e interruptores auxiliares que debe permitir un ajuste independiente de los parmetros de las condiciones de prueba. En relacin a los circuitos de prueba para dispositivos de alta potencia se deben tomar en consideracin algunos otros aspectos como son: circuitos limitador de di/dt para controlar el crecimiento de la corriente entre el circuito de potencia y el bus de CD (banco de condensadores) circuitos sujetadores de voltaje para evitar sobretiros de voltaje circuito de control para la carga y descarga de condensadores carga y descarga del banco de condensadores de manera remota
Figura 2.1 Principio de diseo de circuitos especiales de prueba
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2.2 Caracterizacin mediante simulacin

La simulacin de circuitos electrnicos de potencia previa al diseo de prototipos se ha convertido en una herramienta indispensable, puesto que el simulador (software) proporciona la confiabilidad del correcto funcionamiento. Pero para poder simular adecuadamente un circuito elctrico o electrnico en general, es necesario que se cumplan los siguientes requerimientos [21]: disponibilidad de un simulador de circuitos adecuado disponibilidad de los modelos para todos los componentes del diseo disponibilidad de los parmetros para todos los modelos de todos los componentes a) Disponibilidad de un simulador adecuado Se refiere a un simulador de redes elctricas o electrnicas que contenga modelos de dispositivos electrnicos. Hoy en da existen muchos simuladores de circuitos elctricos y/o electrnicos pero una gran parte de ellos son utilizados en las instituciones donde se desarrollaron, es decir, no se encuentran disponibles a cualquier usuario. PSpice, que es una derivacin de SPICE para la simulacin de circuitos electrnicos integrados, est siendo utilizado a nivel internacional para realizar simulaciones de circuitos electrnicos de potencia. PSpice tiene la ventaja de ofrecer una versin demo gratuita del paquete con suficiente capacidad para analizar diseos de circuitos de potencia que no requieren de tantos elementos como los circuitos integrados. b) Disponibilidad de modelos para todos los componentes del diseo Se refiere a que el simulador contenga los modelos de todos los dispositivos utilizados en el diseo a simular. Aqu la desventaja de PSpice es que teniendo su origen en la simulacin de circuitos integrados de baja potencia (microelectrnica) no contiene modelos adecuados para dispositivos de potencia, con excepcin del IGBT, cuyo modelo est disponible a partir de la versin 7.0. De manera general los modelos se pueden clasificar segn la tcnica de desarrollo en: modelo de caja negra modelo de circuito equivalente modelo fsico Por otra parte segn el modo de implementacin en el simulador, los modelos se pueden clasificar en: macromodelo de tipo BM (behavioral modeling) macromodelo estructural macromodelo en cdigo fuente
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Metodologa abordada
c) Disponibilidad de los parmetros para los modelos de todos los componentes utilizados Se refiere a que el diseador disponga de los parmetros de los modelos para cada componente del diseo. Hoy en da los simuladores suelen incluir extensas libreras de modelos parmetrizados (modelos con parmetros de componentes reales) de diferentes fabricantes, y con frecuencia los mismos fabricantes proporcionan estos modelos para sus dispositivos en diferentes simuladores. Los parmetros de los modelos en el simulador son los mismos para cada modelo; lo que hace diferente al dispositivo de otro fabricante o de otras caracterstica es el valor numrico que contiene cada modelo en su respectivo parmetro. En cambio, el nmero y clase de parmetros de un modelo dependen no slo del dispositivo a simular, sino en gran medida del tipo de modelo utilizado para dicho dispositivo. Para realizar la caracterizacin mediante simulacin es necesario reproducir las condiciones reales de funcionamiento de los circuitos de prueba, incluyendo los elementos parsitos en el simulador. El trabajo consiste en realizar los clculos en simulacin de los circuitos de prueba durante las conmutaciones bajo las mismas condiciones que en el caso experimental.
2.3 Tipos de fuentes

Las fuentes de poder, que se utilizan en forma extensa en aplicaciones industriales, a menudo requieren cumplir todas o la mayor parte de las especificaciones siguientes [2]: 1. 2. 3. 4. 5. 6. Aislamiento entre fuente y carga Una alta densidad de potencia a fin de reducir el tamao y el peso Direccin controlada del flujo de la potencia Alta eficiencia de conversin Formas de onda de entrada y de salida con baja distorsin armnica total Factor de potencia controlado si la alimentacin a la fuente es un voltaje de CA
Los reguladores en modo de conmutacin sin transformador no pueden dar el aislamiento necesario y la potencia de salida es baja. La practica comn es utilizar conversiones en dos pasos, CD-CA y CA-CD. En caso de entrada de CA, se trata de conversiones en tres pasos, CA-CD, CD-CA y CA-CD. El aislamiento se consigue mediante un transformador entre los pasos. La conversin CD-CA se puede llevar a cabo mediante un inversor PWM o resonante. Para la etapa del inversor (o del convertidor CD-CA) de la operacin PWM, existen cuatro configuraciones comunes: flyback, push-pull o en contrafase, medio puente y puente completo. La salida del inversor, que vara mediante una tcnica PWM, es convertida a un voltaje de CD mediante un rectificador de diodos. A continuacin se describe el funcionamiento de algunas fuentes de CD de alto voltaje [18].
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2.3.1 Flyback
La topologa del circuito para el convertidor flyback se muestra en la Figura 2.2. Cuando el transistor Q1 se activa, el voltaje de alimentacin aparece a travs del primario del transformador y se induce un voltaje correspondiente en el secundario. Cuando Q1 esta apagado, se induce un voltaje de polaridad opuesta en el primario por el secundario, debido a la accin de transformacin. El voltaje mnimo del circuito abierto del transistor es Voc = Vin. Si Iin es la corriente promedio de entrada con componente ondulatoria despreciable y el ciclo de trabajo es D = 50%, la corriente pico del transistor es Ipt = Iin/D = 2Iin. La corriente de entrada es pulsatoria y discontinua. Sin la presencia del diodo D2, fluir una corriente de CD a travs del transformador. Cuando Q1 esta apagado, el diodo D2 y el condensador C restablecen el ncleo del transformador. C se descarga a travs de R, cuando D2 est apagado y en cada ciclo se pierde energa. Este circuito es muy sencillo y est restringido a aplicaciones por debajo de 500 W. Se trata de un convertidor directo que requiere de un lazo de retroalimentacin de control de voltaje. El ncleo del transformador tambin se puede restablecer instalando un embobinado de restablecimiento como se muestra en la Figura 2.3a , donde la energa almacenada en el ncleo del transformador es devuelta a la alimentacin aumentando la eficiencia. El voltaje en circuito abierto del transistor de la Figura 2.3a es
Np Voc = Vin 1 + N r
(2.1)
donde Np y Nr son el nmero de vueltas en los bobinados primario y de restablecimiento, respectivamente. La relacin de vueltas de restablecimiento est relacionada con el ciclo de trabajo segn la frmula (2.1). Para un ciclo de trabajo D = 0.8, Np / Nr = 0.8 / (1 - 0.8) = 4 y el voltaje en circuito abierto se convierte en Voc = Vin (1 + 4) = 5Vin. El voltaje en circuito abierto del transistor es mucho ms alto que el voltaje de alimentacin. En la Figura 2.3b se muestran los voltajes y corrientes tanto a la entrada, como a la salida
Figura 2.2 Convertidor flyback
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Metodologa abordada
a) b) Figura 2.3 Convertidor flyback: a) convertidor con bobinado de restablecimiento, b) formas de onda de voltajes y corrientes
2.1.2 Push-pull
En la topologa del convertidor push-pull el voltaje pico de colector del transistor de conmutacin es limitado a dos veces el voltaje de entrada. Esto es debido a la simetra del tap central del transformador con igual numero de vueltas en el devanado primario. El suministro de voltaje nunca es almacenado en el transformador, por lo cual mas potencia puede ser manejada obteniendo una mas grande eficiencia y con mejor regulacin que otros convertidores. El esquema del circuito bsico del convertidor push-pull es mostrado en la Figura 2.4a, as como sus formas de onda de las corrientes y voltajes en la Figura 2.4b. Los transistores de conmutacin Q1 y Q2 conducen alternadamente cada medio ciclo en un ciclo de trabajo determinado por la entrada de la fuente de voltaje Vin, la relacin de transformacin y el voltaje de salida deseado. As, el ciclo de trabajo mximo alcanzable es ligeramente menor que el 50 % para el tiempo de apagado del transistor de conmutacin. Cuando Q1 se activa, Vin aparece a travs de una mitad del primario. Cuando Q2 se activa, Vin es aplicado a travs de la otra mitad del transformador. El voltaje del bobinado primario oscila desde -VS. La corriente promedio a travs del transformador debera en forma ideal ser cero. El voltaje promedio de salida es Vo = V2 = Ns V1 = a V1 = a Vin Np (2.2)
Los transistores Q1 y Q2 operan con un ciclo de trabajo del 50 %. El voltaje en circuito abierto es Voc = 2Vin, la corriente promedio de un transistor Iprom = Iin/2 y la corriente pico del transistor Ipt = Iin. Dado que el voltaje en circuito abierto del transistor es dos veces el voltaje de suministro, esta configuracin es adecuada para aplicaciones en bajo voltaje. 27
a) b) Figura 2.4 Convertidor push-pull: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de voltajes y corrientes
2.1.3 Medio puente

La topologa medio puente es usada principalmente en convertidores fuera de lnea donde los transistores de conmutacin no son sometidos al doble de la entrada de la fuente de voltaje como en los convertidores de conmutacin forward o push-pull. La Figura 2.5a muestra el esquema del circuito del convertidor medio puente y la Figura 2.5b muestra las corrientes y voltajes del convertidor. Como se muestra, el extremo del transformador sin punto es conectado a la terminal comn de los dos condensadores idnticos de filtrado C1 y C2, va un condensador de bloqueo de CD Cb. El condensador de bloqueo puede ser omitido en algunas aplicaciones. Un voltaje de cada en el primario resulta debido al cargado de los condensadores por la corriente que fluye en el transformador. El voltaje de la fuente de entrada Vs es dividido entre los dos condensadores de filtrado. As, la terminal comn de los condensadores de filtrado tiene un voltaje promedio de Vin/2. El propsito del condensador de bloqueo de CD cb es evitar los problemas de desbalance de flujo causados por el voltaje en la terminal comn ya que no es exactamente la mitad del voltaje de la fuente de entrada. El extremo del transformador con punto es conectado a la terminal comn de los transistores de conmutacin configurados en una configuracin totem-pole. Los transistores de conmutacin Q1 y Q2 conducen alternadamente cada medio ciclo del ciclo de conmutacin. As, los dos transistores de conmutacin conectan el extremo del transformador sin punto a Vin y tierra, mientras el extremo con punto del transformador es mantenido en Vin/2.
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Metodologa abordada
a) b) Figura 2.5 Convertidor medio puente: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de voltajes y corrientes
Cuando Q2 est activo, Vin/2 aparece a travs del primario del transformador. Cuando Q1 est activo, aparece un voltaje inverso de valor Vin/2 a travs del primario del transformador. El voltaje primario oscila desde Vin/2 hasta Vin/2. El voltaje en circuito abierto del transistor es Voc = Vin y la corriente pico del transistor es Ipt = 2Iin. La corriente promedio del transistor es Iprom = Iin. En aplicaciones de alto voltaje, el circuito medio puente es preferible al circuito push-pull. Sin embargo, para aplicaciones en bajo voltaje, es preferible el circuito push-pull debido a las bajas corrientes de transistor. El voltaje promedio de salida es Vo = V2 = Ns V1 = a V1 = 0.5 a Vin Np (2.3)
2.1.4 Puente completo

La topologa puente completo es usada principalmente en convertidores fuera de lnea donde sus transistores de conmutacin no son sometidos al doble de la entrada de la fuente de voltaje Vin. La Figura 2.6a muestra el esquema del circuito del convertidor puente completo y en la figura 2.6b se muestran los voltajes y corrientes de este circuito. Como se muestra, los transistores de conmutacin son configurados una topologa puente completo o H. Los pares de transistores de conmutacin de Q1-Q4 y Q2-Q3 son conmutados alternadamente cada medio ciclo del periodo de conmutacin. Cuando el par de transistores Q1-Q4 son encendidos, el extremo punteado del devanado primario es conectado a la fuente de voltaje de entrada Vin, mientras el extremo sin punto del devanado primario es conectado a un potencial cercano a tierra. As, todos los extremos punteados de los 29
devanados secundarios son ahora positivos con respecto al extremo sin punto. El voltaje en el devanado secundario es una versin escalada del voltaje en el devanado primario. Cuando el par de transistores Q2-Q3 son encendidos, el extremo sin punto del devanado primario es ahora Vin, mientras el extremo punteado es cercano al potencial de tierra. El voltaje promedio de salida es Vo = V2 = Ns V1 = a V1 = a Vin Np (2.4)
El voltaje en circuito abierto del transistor es Voc = Vin y la corriente pico del transistor es Ipt = Iin. La corriente promedio del transistor es slo Iprom = Iin/2. De todas las configuraciones, este circuito opera con los menores esfuerzos de voltaje y de corriente en los transistores y es muy popular para aplicaciones de alta potencia por arriba de 750 W. Una desventaja es el uso de 4 interruptores, lo cual eleva su costo.
2.1.5 Fuente de alta potencia

A continuacin se describe el funcionamiento de una fuente de alta potencia, la cual se encontr en la literatura [19], ya que de acuerdo a las caractersticas que presenta como son su alta potencia y principalmente su elevado voltaje de salida es interesante para el desarrollo de este trabajo, uno de los puntos mas importantes para la fuente a utilizar en el banco de pruebas.
a)
b)
Figura 2.6 Convertidor puente completo: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de voltajes y corrientes
30
Metodologa abordada
Esta fuente de CD de alta potencia, 400 kW y 50 kV en modo conmutado fue diseada para su uso en cargas dinmicas [19]. Esta usa 4 etapas de 100 kW, convertidores de CD-CD tipo fuente de corriente con entradas en paralelo y salidas en serie. El convertidor de CD-CD opera a 20 kHz en un regulador de voltaje parcial y a 10 kHz en el inversor, transformador y las partes de salida del rectificador en el circuito. IGBTs son usados como interruptores de potencia. Tcnicas especiales son usadas para proteger la fuente y cargas contra arcos y cortos severos. Tiene una eficiencia del 93%, un voltaje de rizo en la salida del 1 % y una rpida respuesta dinmica y solo ocupa 1/3 del tamao de una fuente de potencia convencional. Es regulable de 0 a 50 kV y de 0 a 400 kW. El convertidor de CD-CD seleccionado es una versin modificada del PWM, el tipo de fuente de corriente con un regulador separado y una seccin inversora. Esta usa una forma de onda rectangular, la cual minimiza la necesidad de filtrado en la salida. La fuente consiste de un rectificador en la entrada, seguida de un filtro como se muestra en la Figura 2.7. Cada convertidor CD-CD consiste de un regulador de voltaje, inductor, inversor, transformador, rectificador y filtro. Esta empaquetado en dos partes: el modo regulador/inversor y el mdulo rectificador/transformador. El regulador de voltaje opera con una forma de onda cuadrada fija como se muestra en la Figura 2.8. El transformador/rectificador contiene el transformador, rectificador y un filtro de salida. Cada convertidor produce una salida de voltaje de 12.5 kV. Todos los IGBTs en el regulador, as como los del inversor, tienen snubbers de la red consistentes de un diodo, un resistor y un condensador en paralelo con ellos. Cada uno de los IGBTs Q1Q4 del inversor conducen por aproximadamente la mitad del tiempo a una frecuencia de 10 kHz. Los pares formados por Q1 y Q2 y por Q3 y Q4 conducen juntos. Ocurre un traslape de 2 s cada ciclo cuando los 4 conmutan simultneamente. Este tiempo de traslape ayuda en la trasferencia entre los pares de IGBTs y la polaridad de salida. El suministro de la red de amortiguamiento formado por C17, CR17 y R9 limita el voltaje a travs del bus de CD del inversor. El transformador, rectificador y la interconexin de alambres son montados dentro de un tanque poco tensionado y son inmersos en un fluido dielctrico de silicn para el aislamiento elctrico y el enfriamiento. Los filtros de entrada a la red incluyen un filtro inductor principal de 500H, el filtro de amortiguamiento de la red de 0.5 en serie con 8000 F, y la combinacin en paralelo de condensadores de 200 F en la entrada de los 4 convertidores. El transformador/rectificador contiene el transformador, rectificador y un filtro de salida. El transformador tiene varios requerimientos especiales de diseo: (1) Voltaje de entrada con forma de onda cuadrada de 520 VPK a 10 kHz, con una relacin de vueltas de 24, una salida continua de 100 KW, un aislamiento entre la salida y tierra de 50 kV de CD. (2) Baja inductancia parsita con prdidas de potencia aceptables en el inversor y encontrar el rizo de voltaje en la salida especificada, sin exceder l limite del condensador de filtrado.
31
(3) Control de las prdidas del conductor y el ncleo en CA a 10 kHz con un nivel aceptable. (4) Devanado de alambre terciario para el control derivado a una seal de retroalimentacin de voltaje para la salida del convertidor de CD-CD.
Figura 2.7. Esquema simplificado del circuito de potencia de la fuente de 400 KW [9]
El apilamiento de 4 rectificadores es usado en cada tanque transformador / rectificador. Estos son conectados en una configuracin puente completo. Cada apilamiento consiste de 24 diodos en serie, con apareamiento y proteccin a travs de cada diodo. Los diodos son de recuperacin rpida, en un rango de 85 A, 1000 V y 1.6 C de carga en recuperacin inversa. El circuito de filtrado de CD en la salida del rectificador de puente completo consiste de un condensador de filtrado principal C1 y la red de amortiguamiento compuesta del circuito serie formado por R2 y C2-C4. El valor de la capacitancia de filtrado es determinado primeramente por el tiempo necesario para la transferencia del inversor entre las polaridades de la corriente combinadas con el rizo de voltaje requeridos. Referente al control, el reloj de las 4 fases es usado para sincronizar las compuertas del convertidor CD-CD. Cada convertidor CD-CD tiene su circuiteria propia para generar la variacin del tren de pulsos del ciclo de trabajo en las compuertas de los IGBTs del regulador y la onda cuadrada en las compuertas del inversor de IGBT. El comando del ciclo de trabajo en la compuerta del regulador de los IGBTs llega del convertidor de CD-CD individual de la salida de voltaje del lazo de retroalimentacin. Esta seal de retroalimentacin es derivada de un devanado del bobinado del transformador de salida (VTR) y la corriente de salida (IO). Esta tcnica evita tener que medir en voltajes altos. La corriente en los IGBTs del regulador (ireg) tambin son usadas en la circuiteria de retroalimentacin para suministrar un lazo de control local en modo corriente. Este lazo 32
Metodologa abordada
compensa rpidas sobrecargas. El punto fijo de voltaje para cada convertidor CD-CD llega de la fuente de potencia completa en el control del lazo de voltaje, la cul usa retroalimentacin seudo-derivativa con limitaciones locales [9]. La retroalimentacin de la fuente de potencia en conjunto viene con un divisor de voltaje 10000 a 1. Un generador de rampa suministra una porcin del control del rizo de voltaje durante la recuperacin de una reduccin.
Figura 2.8 Formas de onda idealizadas de voltaje y corriente de la fuente de potencia: a) potencia media, b) potencia completa [9]
2.4 Conclusiones
Se presentaron los puntos principales a considerar para el diseo de circuitos de prueba los cuales son: mtodo de pruebas, modo de funcionamiento y el tipo de control, de entre los cuales de acuerdo a los requerimientos de los dispositivos se ve que los circuitos especiales de prueba, as como el tipo de funcionamiento en modo impulsional y con un tiempo preestablecido son las condiciones en las cuales se puede estudiar el funcionamiento del dispositivo con un menor costo y menores componentes y exigencias a la lnea de distribucin.
33
Otro punto importante es el tener un simulador el cual debe tener los modelos de todo componente lo mas cercano a ellos para tener resultados mucho mas cercanos a lo realizado experimentalmente. Referente a las fuentes de alto voltaje, se presentaron diferentes tipos de ellas resaltando sus mayores ventajas, as como sus desventajas, de entre las cuales podemos resaltar que las que presentan mejores caractersticas fueron la topologa puente completo y la fuente de alta potencia, por ser las que se adecuan mas a los requerimientos exigidos, entre los cuales se puede mencionar un alto voltaje de salida, aislamiento, etc.
34
Captulo 3
Fuente de alto voltaje
35
En este captulo se presentan las caractersticas que debe reunir la fuente de CD de alto voltaje del banco de pruebas para caracterizar dispositivos de alta potencia, as como todo el diseo y anlisis de cada una de las partes que conforman la fuente como son: el inversor, la etapa de control y proteccin del inversor, el transformador elevador, el rectificador y finalmente el filtro.
3.1 Caractersticas de fuentes de alto voltaje

Las caractersticas con las que debe cumplir una fuente de CD de alto voltaje son: garantizar aislamiento entre la fuente y la carga manejar un voltaje variable de 0 a 2500 V proporcionar una potencia de 1.25 kW Para el diseo de la fuente de CD se est tomando en consideracin la fuente de puente completo y la fuente de la referencia [19], por ser las mas indicadas, para las caractersticas requeridas por el banco de pruebas. Un diagrama a bloques de la fuente se muestra en la figura 3.1. Como se muestra en la figura 3.1 consta de 4 etapas, las cuales son: etapa inversora, etapa elevadora, etapa de rectificacin y etapa de filtrado. Cabe hacer mencin que dentro de la etapa del inversor se deben considerar otros puntos como son: el circuito de control PWM, la etapa de proteccin y los impulsores. Para la etapa elevadora se tom un transformador elevador que operara a alta frecuencia mientras que en la etapa de rectificacin consiste en diodos rpidos.
3.2 Diseo de la fuente de CD

3.2.1 Diseo de la etapa inversora
Dentro de la etapa del inversora o tambin llamada convertidor de CD a CA, se tom el inversor monofsico en puente, que es parte del convertidor puente completo y de la fuente de la referencia [19]. Esta etapa se muestra en la figura 3.2. A continuacin se describen cada una de las partes involucradas en la activacin de las compuertas de los IGBTs que se utilizan en esta etapa de la fuente de CD. Inversor Elevador Rectificador Filtro
Figura 3.1 Etapas de la fuente
36
En la figura 3.3 se muestra un diagrama a bloques de las partes involucradas en la activacin de las compuertas. Para la construccin del inversor se utilizaron dos mdulos CM100DU-24H de MITSUBISHI, los cuales contienen cada uno dos IGBTs con su respectivo diodo en antiparalelo y tienen un manejo de corriente / tensin de 100 A/1200 V. A) Circuito de control PWM Para el control de los pulsos de activacin de las compuertas de los IGBTs se utiliz el circuito integrado TL494 de Fairchild Semiconductor con la configuracin que se ilustra en la figura 3.4. Esta configuracin nos permite tener a la salida dos pulsos desfasados 180 uno con respecto al otro, proporciona un tiempo muerto que puede ser controlado, adems de que tambin se puede controlar la frecuencia a la que se desee trabajar.
Figura 3.2 Circuito de la etapa inversora
Figura 3.3 Diagrama a bloques del control y la proteccin de las compuertas
37
Figura 3.4 Circuito generador de pulso
A continuacin se describe brevemente como se puede controlar la frecuencia y el tiempo muerto en la salida de las seales proporcionadas por este integrado. La frecuencia de oscilacin esta regida por la siguiente ecuacin:
f osc =
1.1 Rt C t
(3.1)
La frecuencia a la cual se trabaj fue de 20 kHz y se propuso un condensador de 10 nF. Despejando Rt de la ecuacin 3.1, se obtuvo el siguiente resultado. 1.1 f osc Ct 1.1 Rt = (20kHz ) (10nF ) Rt = Rt = 5.5 k (3.2) (3.3) (3.4)
Se opt proponer una resistencia variable de 10 k para poder controlar la frecuencia. Con la resistencia variable de 100 se controla el tiempo muerto de las seales de salida S1 y S2. Las seales obtenidas a la salida del circuito generador de pulso se muestran en la figura 3.5. B) Circuito de proteccin Para la proteccin de los IGBTs se construy el circuito de proteccin que se muestra en la figura 3.6, utilizando compuertas AND, un inversor, un flip-flop D e
38
interruptores. El circuito de proteccin opera de la siguiente forma: las seales provenientes del circuito TL494 entran a S1 y S2 y siguen su camino a una compuerta AND, la cual dejara pasar la seal como viene mientras se tenga un 1 proveniente del flip-flop D, en caso contrario se tendr el inverso de la seal. Despus de la compuerta AND, se invierte la seal y se manda al pin 2 de la primera lnea y al pin 6 de la segunda lnea, y lo mismo sucede con la parte de abajo, su seal se manda al pin 2 de la segunda lnea y al 6 de la primera. Del pin 3 de ambas lneas sale un pulso que, mientras este funcionando todo bien, estar dando un 0 y pasando por el inversor dar un 1 el cual servir para activar el flipflop. En caso contrario, si hay un corto en el pin 3, enviar un 1 y al pasar por el inversor dar un cero, lo cual deshabilitara al flip-flop. Para habilitar el pulso de compuerta hay que hacer pasar un 1 por el set del flip-flop.
10 V/div
10 V/div
20 s/div
Figura 3.5 Seales obtenidas del circuito generador de pulso
Figura 3.6 Circuito de proteccin
39
C) Circuito Impulsor El circuito impulsor utilizado para la activacin de las compuertas de los IGBTs es el integrado M57959L de POWEREX y se muestra en la Figura 3.7. Las seales obtenidas a la salida de los impulsores se muestran en la Figura 3.8
Figura 3.7 Circuito impulsor
10 V/div
10 s/div
Figura 3.8 Seales de compuerta de los IGBTs
40
3.2.2 Diseo del transformador

Las especificaciones de entrada del transformador son: 1. Voltaje de entrada 2. Corriente de entrada 3. Voltaje de salida 4. Corriente de salida 5. Voltaje de cada en el diodo 6. Frecuencia de conmutacin 7. Eficiencia 8. Regulacin 9. Coeficiente de la forma de onda 10. Factor de utilizacin de ventana 11. Densidad de flujo Vin = 500 V Ip = 5 A Vo = 2500 V Io = 1 A Vd = 1 V f = 20 kHz = 98 % =1% Kf = 4 (Seal cuadrada) Ku = 0.4 Bm = 0.35 T
Tabla 3.1 Metodologa o secuencia de diseo del transformador

Paso Formula general
1. 2. 3. 4. 5.
Potencia de salida Potencia aparente Coeficiente elctrico Geometra del ncleo Seleccin del ncleo en funcin de Kg y disponibilidad
Po = (Vo + Vd ) I o Pt = Po
2 + 2
2 2
K e = 0.145 K f f 2 Bm 10 -4 Kg = Pt 2 Ke
6. 7.
Po Inductancia del Lp = 2 devanado primario 2 f I p Nmero de vueltas L p I p 104 Np = del devanado Bm Ac primario
Valores Vo = 2500 V Vd = 1 V Io = 1 A Po = 2501 V =0.98 Kf = 4 f = 20 kHz Bm = 0.35 T Pt = 7.14 kW Ke = 11368 =1 Kg = 1.715154 cm5 Ap = 17.797 cm4 Wtfe = 253 gr Ac = 2.790 cm2 MLT = 11.6 cm At = 201.9 cm2 Po = 2501 W Ip = 5 A f =20 kHz Lp = 795 H Ip = 5 A Bm= 0.3 T Ac = 2.790 cm2
Valor calculado
Po = 2501 W Pt = 7.14 kW Ke = 11368 Kg = 0.314 cm5
Ncleo seleccionado EC70
Lp = 795 H
Np = 47 Vueltas
41
Continuacin de la Tabla 3.1 8. Densidad de corriente

J = Pt 10 4 K f K u f Bm Ap
9.
Tamao del Ip Aw( B ) = alambre del J devanado primario 10. Seleccin del tamao del alambre en funcin de Aw (B) 11. Resistencia del R p = MLT N p re devanado primario
Pt = 7.14 kW Kf = 4 Ku = 0.4 f = 20 kHz Bm= 0.3 T Ap = 17.797 cm4 Ip = 5 A J = 358 A/cm2 Aw(B) = 0.01651 cm2 re = 104.3 cm
J = 358 A/cm2
Aw(B) = 0.0142 cm2
AWG # 15
12. Perdidas en el cobre primario 13. Inductancia del devanado secundario 14. Numero de vueltas del devanado secundario 15. Tamao del alambre del devanado secundario 16. Seleccin del tamao del alambre en funcin de Aw(B) 17. Resistencia del devanado secundario 18. Prdidas en el cobre secundario
Pp = (Ip)2Rp
Ls = Ps 2 2 f Io
Ns =
N p Vo Vin Io J
Aw( B ) =
MLT = 11.6 cm Np = 47 re = 104.3 cm Ip = 5 A Rp =0.056 Ps = 2500 W Io = 1 A f =20 kHz Np = 47 Vueltas Vo = 2500 V Vin = 500 v Io = 1 A J = 358 A/cm2 Aw (B) = 0.00279 cm2 re = 531.4 cm
Rp = 0.056 Pp = 1.45 W Ls = 20 mH Ns = 235 vueltas
Aw(B) cm2
0.00279
AWG # 22
Rs = MLT N s re
Ps = (Io)2Rs
MLT = 11.6 cm Ns = 225 re = 531.4 cm Io = 1 A Rs = 0.058
Rs = 0.858 Ps = 0.058 W
42
3.2.3 Diseo de la etapa de rectificacin y filtrado

Con respecto a la etapa de rectificacin se tomo como nica consideracin que los diodos para esta etapa deberan ser diodos rpidos con una tensin de bloquo de al menos 600 V. El tipo de diodo que se escogi es el HFA16PB120, el cual soporta 1200 V, por lo cual se necesitan solo 8 dispositivos en comparacin con 12 dispositivos que se necesitaran al usar diodos de 600 V. Con respecto a la etapa de filtrado se estn utilizando solamente condensadores de 2200 F a 525 V. Hasta el momento se han utilizado 3 condensadores en serie, disminuyendo su capacitancia total a 733.33 F.
3.3 Modelo matemtico de la fuente de CD

A continuacin se describe el funcionamiento de la fuente de CD en base a un anlisis matemtico implementado posteriormente en Mathcad. El modelo se verifica mediante simulaciones en PSpice. En la Figura 3.9a se muestra el circuito final de la fuente de CD con todas sus etapas integradas y en la Figura 3.9b la secuencia de disparo.
3.3.1 Funcionamiento
El anlisis del comportamiento de la fuente se presenta para un solo periodo de tiempo (0 < t < T), el cual se divide en 2 etapas. La primera etapa es de 0 < t DT, cuando los interruptores Q1 y Q4 estn encendidos, mientras Q3 y Q2 estn apagados. El otro intervalo es de DT < t T, cuando estn encendidos Q3 y Q2 y permanecen apagados Q1 y Q2. Etapa 1 (0 < t TD) En este tiempo empieza a circular una corriente positiva a travs de la inductancia del primario llegando hasta una punto mximo de corriente y cayendo a cero inmediatamente. Mientras esto sucede en el primario, en el secundario se empieza a descargar la energa almacenada hasta llegar a cero. El flujo de corriente se puede apreciar en la figura 3.10a y en la figura 3.10b se muestra la secuencia de disparo de los dispositivos. Etapa 2 (DT < t T) En este tiempo empieza a circular una corriente negativa a travs de la inductancia del primario llegando hasta una punto mximo de corriente y cayendo a cero inmediatamente. Mientras esto sucede en el primario, en el secundario se empieza a descargar la energa almacenada hasta llegar acero. El flujo de corriente se puede apreciar en la figura 3.11a y en la figura 3.11b se muestra la secuencia de disparo de los dispositivos.
43
a)
b)
Figura 3.9 Fuente de voltaje a) Circuito de la fuente de CD, b) Secuencia de disparo de los IGBTs y formas de onda
a)
b)
Figura 3.10 Fuente de voltaje: a) Flujo de corriente para la etapa 1, b) Secuencia de disparo durante la etapa 1 y formas de onda
44
a)
b)
Figura 3.11 Fuente de voltaje: a) Flujo de corriente durante la etapa 2, b) Secuencia de disparo durante la etapa 2 y formas de onda
3.3.2 Anlisis estacionario

A continuacin se presenta el clculo de las corrientes y tensiones de la fuente de CD en estado estable suponiendo que T = 2DT: Variable Voltaje en el primario Voltaje en el secundario Corriente en el primario Corriente en el secundario Corriente a la salida del rectificador Corriente en el condensador Etapa 1 (0 < t TD) Etapa 2 (DT < t T)
V p = Vin Vs = V p n
ip = is =
Vp t Lp
V p = - Vin Vs = V p n
ip = is =
V p (t DT ) Lp
Vs ( DT t ) Ls V iD = s ( DT t ) Ls n Vs Vs ( DT t ) RL 4 Ls
Vs (T t ) Ls Vs iD = (T t ) 4 Ls
icap =
icap =
V Vs (T t ) - s RL 4 Ls
45
Corriente en la carga Voltaje en la carga
iL =
Vs RL
iL =
Vs RL
vL = Vs
vL = Vs
3.4 Anlisis en simulacin y validacin experimental

Se realiz un anlisis en el programa Mathcad, implementando las ecuaciones del modelo matemtico presentado anteriormente. Para ver mas a detalle este anlisis consultar anexo I. Para verificar el buen funcionamiento y comprobar el anlisis realizado en Mathcad, se procedi a la simulacin de cada una de las partes de la fuente en PSpice. El circuito utilizado en la simulacin se muestra en la figura 3.12. En el circuito simulado se utiliz el modelo genrico del IGBT ZbreakN, el modelo del diodo HFA25TB60 de la librera de PSpice(de 25 A / 600 V, por lo que se necesitan 12 diodos), fuentes de pulso Vpulse para el control de la compuerta, un transformador ideal con una relacin de 1 a 5, resistencias y condensadores. Las especificaciones de entrada fueron Vin = 300 V, Ls = 20 mH, Lp = 795 H, RL = 5.5 k, CL = 1100 F y f = 20 kHz. El prototipo diseado se construy y se hicieron pruebas experimentales con una carga resistiva midindose las corrientes y tensiones de la fuente calculados con el modelo matemtico (voltaje y corriente en el primario, voltaje y corriente en el secundario, corriente en la salida del rectificador y voltaje y corriente en la salida de la fuente). A continuacin se presentan las grficas experimentales junto con las simulaciones correspondientes obtenidas en Mathcad y PSpice.
Figura 3.12 Circuito simulado en PSpice
46
200 V/div 4 A/div
50 s/div
a)
100 V/div 2 A/div
50 s/div
b)
100 V/div 1 A/div
50 s/div
c)
Figura 3.13 Voltaje y corriente en el primario del transformador (vp , ip): a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental
47
1000 V/div 400 mA/div
50 s/div
a)
50 s/div
b)
0 s/div
c)
Figura 3.14 Voltaje y corriente en el secundario del transformador (vs , is): a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental
48
50 s/div
a)
50 s/div
b)
10 s/div
c)
Figura 3.15 Voltaje en el secundario del transformador y Corriente en la salida del rectificador (vs , iD): a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental
49
100 V/div 200(7) mA/div
50 s/div
a)
400 V/div
200 mA/div
50 s/div
b)
10 s/div
c)
Figura 3.16 Voltaje y Corriente en la carga (vL , iL): a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental
50
3.5 Anlisis transitorio durante el cargado del condensador

Despus de haber visto el funcionamiento de la fuente de voltaje de CD en estado estable ahora se describe de manera general el funcionamiento en el periodo transitorio mediante la ayuda de algunas simulaciones realizadas en PSpice, todo esto con la finalidad de mostrar como en el periodo transitorio las corrientes demandadas son mucho mayores a las corrientes en el estado estable, principalmente hablando del cargado del capacitor. En la Figura 3.17 muestra la corriente demandada en el periodo transitorio y el voltaje de salida desde 0 V hasta el tiempo que este tarda en llegar a su estabilizacin.
Figura 3.17 Estado transitorio y estado estable: Superior) corriente en el interruptor, Inferior) Voltaje de salida
Como se puede apreciar en la Figura 3.17 la corriente en el periodo transitorio se eleva de manera considerable, esto se ilustra con la intencin de ver el comportamiento de la corriente en periodos instantneos de tiempo, lo cual se puede apreciar mejor en la Figura 3.18 que muestra el periodo de inicio en el transitorio. De ah que aunque la fuente de voltaje este diseada para corrientes menores a 1 A, se tomo en consideracin este punto para seleccionar los interruptores de corrientes mucho mas elevadas, con la intencin de que soportara estas demandas de corriente en el periodo transitorio, que es el periodo que se va a presentar principalmente durante las pruebas realizadas. Cebe hacer mencin que durante este tiempo, es decir desde el periodo transitorio hasta el tiempo en el cual se estabiliza el voltaje, es el tiempo que tarda el banco de condensadores en almacenar energa, lo cual se explicara en el siguiente captulo. 51
Figura 3.17 Corriente en el interruptor en el estado transitorio
3.6 Conclusiones
Como se puede apreciar, los resultados analticos, las simulaciones y las pruebas experimentales arrojan resultados muy similares. La potencia mxima de salida fue de Po = 1349 W y se obtuvo para una tensin de entrada de Vin = 380 V, con Vo = 1900 V e Io = 710 mA. como se puede apreciar en los resultados experimentales de la Figura 3.17. Las especificaciones planteadas para el diseo de la fuente fueron de Vo = 2500 V e Io = 1 A (Po = 2500 W), pero no se pudieron alcanzar, puesto que la fuente que se utiliz para alimentar el bus de CD del inversor solo soporta alrededor de los 1000 W con una tolerancia de 300 W. 200 mA/div
1 kV/div
10 s/div
Figura 3.17 Voltaje y corriente a la salida de la fuente
52
Captulo 4
Banco de pruebas
En este captulo se abordan todas las caractersticas y requerimientos que se deben considerar para el armado del circuito de prueba para conmutacin dura y corto circuito entre las cuales se puede mencionar el banco de condensadores, la etapa de control de los pulsos de disparo para lograr la conmutacin deseada, as como los impulsores para la etapa de control.
4.1 Caractersticas generales

En el diseo de un banco de pruebas se deben tomar en cuenta aspectos como: Mtodo de pruebas (circuitos de aplicacin a convertidores o circuitos especiales de prueba) Modo de funcionamiento (modo repetitivo o modo impulsional) Tipo de control (control automtico o por tiempo preestablecido) La seleccin depender de la calidad de reproduccin de las condiciones que presente una aplicacin convertidor dada, de tal manera que se tenga independencia en el control de los diferentes parmetros, una limitacin del nmero de elementos del circuito y de la potencia instalada de la fuente de alimentacin. Las caractersticas generales de diseo del banco de pruebas se mencionan a continuacin: Potencia que debe manejar (tomando en cuenta que los dispositivos bajo prueba manejaran alrededor de los 2000 V y 1000 A) el banco de pruebas, ya que todas las pruebas se realizan a altas potencias. El control que debe manejar, que para este caso ser impulsional Aislamiento entre fuente y carga Los niveles de corriente y voltaje que debe manejar el circuito impulsor para activar y desactivar al dispositivo bajo prueba y a los circuitos auxiliares. El voltaje y corriente que debe manejar la fuente que para este caso ser de 2500 V y 0.5 A. Se est considerando un almacenamiento de energa mediante un banco de condensadores para manejar la corriente (1000 A)
Figura 4.1 Diagrama a bloques del banco de pruebas
54
Banco de pruebas
4.2 Almacenamiento de energa

Primeramente, para poder considerar el circuito de prueba, se debe verificar el buen funcionamiento de la fuente de voltaje de CD, esto es, que pueda dar el voltaje y la corriente a los cuales se desea que se pueda probar el circuito. Como se consider inicialmente, la fuente solo dara el voltaje suficiente para las pruebas y la corriente ser proporcionada por un banco de condensadores, por lo cual se deben considerar las siguientes ecuaciones:
V =L
di dt
(4.1)
I =C
dv dt
(4.2)
Como se aprecia en estas dos ecuaciones, la corriente que se puede obtener depende fuertemente del condensador que se seleccione, ya que mientras mas chico sea el valor de la capacitancia de este, la corriente mxima que se obtenga ser pequea, as que, si se selecciona un valor de capacitancia grande, la corriente mxima obtenida ser mayor. Otra ecuacin, que es de mucha utilidad para los propsitos del banco de pruebas, es la ecuacin de la energa. Con esta ecuacin, haciendo algunas igualaciones y despejes se pueden calcular los valores mximos obtenidos en funcin de algunos parmetros.
1 1 E = V2C = I2 L 2 2
(4.3)
Para la obtencin de las corrientes en modo impulsional se parti de la ecuacin 4.1 y se despejo t, la cual es: i t=L (4.4) V este valor de t es el tiempo que tardara en almacenarse la energa en la inductancia de carga. Utilizando la ecuacin 4.3 de la energa y despejando la corriente obtenemos la ecuacin 4.5, la cual nos ayuda a conocer la mxima corriente que se puede alcanzar
I=
V2 C L
(4.5)
4.3 Circuito de prueba

El circuito de prueba es en forma modular y se dise para realizar tanto la conmutacin dura como el corto circuito. De esta manera, modificando nicamente la secuencia de disparo de los interruptores auxiliares se obtienen tres tipos de conmutacin [20]. La Figura 4.2 muestra el circuito de prueba empleado para el estudio de las conmutaciones.
55
Como se muestra en la Figura 4.2, el circuito presenta nicamente dos interruptores auxiliares (AUX1 y AUX2) y una inductancia de carga Lcarga de un valor elevado (se puede considerar como una fuente de corriente de valor constante durante el tiempo que duren las conmutaciones).
4.3.1 Conmutacin dura

4.3.1.1 Circuito de potencia
En la Figura 4.3a se muestra el circuito de prueba simplificado, donde el valor de Lcarga es igual a 20mH. Las seales de disparo de los dispositivos empleados, as como las principales formas de onda se muestran en la Figura 4.3b.
Figura 4.2 Circuito de prueba para las conmutaciones
a) b) Figura 4.3 Conmutacin dura: a) circuito de prueba simplificado, b) secuencia de disparo y formas de onda
56
Banco de pruebas
Los elementos crticos de diseo de este circuito de prueba son: el valor de la inductancia de carga Lcarga, que debe tener un valor suficientemente elevado, para que la corriente en el tiempo de prueba sea lo ms constante posible y un valor pequeo de resistencia parsita (Rind) en el orden de miliohms (0.05).
4.3.1.2 Principio de funcionamiento

El funcionamiento del circuito de prueba en conmutacin dura se puede dividir en varias etapas, las cuales se describen a continuacin.
Etapa 1- Carga lineal de la corriente (t1 < t < t2)
En el instante t1 el interruptor AUX2 es encendido y permanecen apagados los interruptores AUX1 y el DUT. En este momento, la corriente en el inductor Lcarga se incrementa en forma lineal. En el instante t2 el interruptor AUX2 es apagado. El flujo de corriente de esta etapa se muestra en la Figura 4.4a y en la Figura 4.4b se muestra la secuencia de disparo de los dispositivos. La ecuacin que rige el comportamiento del circuito en trminos de ecuaciones diferenciales es la siguiente: di (4.4) V0 = i Rind + Lcarga dt Resolviendo la ecuacin (4.3), considerando que las condiciones iniciales son I(0+)=0 (la corriente en el inductor es cero) y que la resistencia Rind es muy pequea, se obtiene que la corriente i(t) crece en forma lineal por medio de la siguiente expresin: VLcarga = Lcarga
i di Lcarga dt t
i = VLc arg a t Lc arg a
despejando i:
(4.5)
Si Lcarga es muy grande (Lcarga >> VLcarga t), entonces iL puede ser considerada constante durante la conduccin y las conmutaciones.
Etapa 2- Libre circulacin (t2 < t < t3)
En el periodo de tiempo t2 < t < t3 todos los interruptores permanecen apagados. En esta etapa la corriente es casi constante y las prdidas son debidas solo a la resistencia parsita del inductor y de las prdidas por conduccin del diodo. El flujo de corriente de esta etapa se muestra en la Figura 4.5a y en la Figura 4.5b se muestra la secuencia de disparo de los dispositivos. Esta etapa es importante para estabilizar la tensin de la fuente (V0) y mostrar el comportamiento de recuperacin inversa del diodo al momento del encendido del DUT.
57
a)
b)
Figura 4.4 Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 1, b) Formas de onda en la etapa 1
a) b) Figura 4.5 Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 2, b) Formas de onda en la etapa 2
Etapa 3- Encendido en conmutacin dura (t3 < t < t4)
En el instante t3 el interruptor bajo prueba es encendido, mientras que los interruptores AUX1 y AUX2 permanecen apagados. En este instante se presenta el encendido en conmutacin dura del dispositivo bajo prueba, incluyendo la recuperacin inversa del diodo de libre circulacin (D1). El flujo de corriente de esta etapa se muestra en la Figura 4.6a y la secuencia de disparo en la Figura 4.6b.
58
Banco de pruebas
Etapa 4- Apagado en conmutacin dura (t5 < t < t6)
En el instante t5 el interruptor bajo prueba es apagado y permanecen apagados los interruptores AUX1 y AUX2. En este momento se presenta el apagado en conmutacin dura del dispositivo bajo prueba. En el periodo de t5 < t < t6 se muestra la cola de corriente en el apagado del DUT, as como una sobre tensin, debida principalmente a la inductancia parsita de cableado. El flujo de corriente se muestra en la Figura 4.7a y la secuencia de disparo en la Figura 4.7b.
a)
b)
Figura 4.6 Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 3, b) Formas de onda en la etapa 3
a) b) Figura 4.7 Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 4, b) Formas de onda en la etapa 4
59
4.3.1.3 Consideraciones de diseo
Un punto muy importante que hay que aclarar es que la fuente de voltaje estar encendida durante toda la prueba, lo cual nos ayuda inicialmente al almacenamiento de energa en el banco de condensadores, esta energa ser transferida durante el tiempo en que este encendido el dispositivo AUX2 (t1 < t < t2), lo cual har que se almacene la energa deseada para cada prueba en particular como se aprecia en la tabla 4.1. La energa almacenada por el banco de condensadores para un V0 igual a 900 V es de 594 J, como se puede apreciar en la Figura 4.8 realizada en simulacin.
Figura 4.8 Energa almacenada por el banco de condensadores
Para la realizacin de la prueba en conmutacin dura se tomaron las siguientes consideraciones: V0 variable de 400 V a 900 V Lcarga = 6.5 mH C = 1467 F IC variable de 80 A a 400 A En funcin de estos parmetros se calcularon los tiempos que deba permanecer encendido el dispositivo auxiliar (AUX2) para obtener la corriente deseada en el inductor Lcarga y se representan en la Tabla 4.1.
Tabla 4.1 Valores obtenidos para las pruebas realizadas
Corriente (A) 100 200 300 400 300 300 300 300 100
Voltaje (V) 900 900 900 900 500 600 700 800 400
Tiempo (ms) 0.722 1.44 2.17 2.88 3.9 3.25 2.8 2.43 1.62
Energa (J)
32.5 130 292.5 520 292.5 292.5 292.5 292.5 32.5
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Banco de pruebas
Continuacin de la Tabla 4.1 100 100 100 100 80 120 150 500 600 700 800 500 500 500 1.3 1.1 0.928 0.812 1.04 1.56 1.95 32.5 32.5 32.5 32.5 20.8 46.8 73.1
Como se puede observar en la tabla 4.1 la energa mxima utilizada fue de 520 J, menor a la energa almacenada en el banco de condensadores y de acuerdo a la ecuacin 4.5 la corriente mxima para este arreglo es de 427 A, ya que seria la corriente a la cual se transferira por completo la energa almacenada en el banco de condensadores.
4.3.2 Corto circuito tipo I

4.3.2.1 Circuito de potencia
Los elementos crticos de diseo del circuito de prueba en corto circuito son: las caractersticas del interruptor auxiliar (AUX1) (debe ser robusto para soportar la corriente de corto circuito del DUT y no saturarse), el valor de la inductancia parsita de cableado (la cul debe ser de valor muy pequeo), as como el valor de la resistencia parsita de cableado. Es muy importante considerar los valores de estos elementos. La Figura 4.9a, muestra el circuito simplificado para realizar un anlisis de corto circuito tipo I y en la Figura 4.9b se muestra la secuencia de disparo de los dispositivos, as como el voltaje y la corriente tpicas en el dispositivo bajo prueba.
a) b) Figura 4.9 Corto circuito tipo I: a) circuito de prueba simplificado, b) secuencia de disparo y formas de onda
61
4.3.2.2 Principio de funcionamiento

El funcionamiento del circuito de prueba bajo condiciones de corto circuito I puede dividirse en varias etapas las cuales se describen a continuacin
Etapa 1- Corto circuito en la carga (t1 < t < t2)
En el instante t1 el interruptor AUX1 es encendido y permanecen apagados los interruptores AUX2 y el dispositivo bajo prueba (DUT). En este momento se simula la condicin de corto circuito en la carga. En la Figura 4.10a se muestra el establecimiento del corto circuito en la carga pero todava no hay flujo de corriente debido a que el DUT est abierto, y en la Figura 4.10b la secuencia de disparo.
Etapa 2- Encendido en corto (t2 < t < t3)
En el instante t2 el interruptor DUT es encendido y permanece encendido el interruptor AUX1, mientras que el interruptor AUX2 permanece apagado. En este momento se realiza la medicin de encendido del DUT bajo condiciones de corto circuito. El flujo de corriente de esta etapa se muestra en la Figura 4.11a y en la Figura 4.11b se muestra la evolucin de la corriente y la tensin. Durante el periodo (t2 < t < t3) se presenta una cada de voltaje en el DUT debido principalmente al valor de la inductancia parsita de cableado del circuito de prueba.
a)
b)
Figura 4.10 Corto circuito tipo I: a) Flujo de corriente en la etapa 1, b) Formas de onda en la etapa 1
62
Banco de pruebas
a) b) Figura 4.11 Corto circuito tipo I: a) Flujo de corriente en la etapa 2, b) Formas de onda en la etapa 2
a) b) Figura 4.12 Corto circuito tipo I: a) Flujo de corriente en la etapa 3, b) Formas de onda en la etapa 3
Etapa 3- Apagado desde corto (t4 < t < t6)
En el instante t4 el interruptor DUT es apagado despus de un lapso de tiempo preestablecido (5s) para que el DUT no sufra destruccin. El interruptor AUX1 permanece encendido, mientras que el interruptor AUX2 permanece apagado. En este momento se realiza la medicin del transitorio de apagado del DUT desde el corto circuito. El flujo de corriente en esta etapa se muestra en la Figura 4.12a y en la Figura 4.12b se muestra la evolucin de la corriente y la tensin.
63
Durante este periodo (t4 < t < t5), se presenta una sobre tensin en las terminales colector-emisor del DUT debido principalmente a la inductancia parsita de cableado del circuito de prueba (entre mayor sea el valor de esta inductancia mayor es el pico de voltaje). Para limitar esta sobretensin se utiliza una resistencia de compuerta de mayor valor (RG(off) = 220) que en el encendido (RG(on) = 47). En el diseo de convertidores se debe considerar este valor pico de tensin con fines de proteccin del dispositivo contra corto circuito, para que de esta manera no se rebasen los lmites de operacin del mismo.
4.3.2.3 Consideraciones de diseo
Para la realizacin de esta prueba se consideraron los siguientes aspectos: V0 variable de 20V hacia arriba C = 1467 F Ic variable en funcin del voltaje V0
4.4 Conclusiones
Se presentaron las caractersticas generales con las que debe contar un banco de pruebas de las cuales podemos resaltar el voltaje y tensin que debe manejar en modo impulsional, adems del aislamiento entre la fuente y la carga. Un punto importante es la obtencin de la alta corriente en modo impulsional, la cual se logra mediante el almacenamiento de energa del banco de condensadores, la cual es transmitida a la inductancia de carga para cada prueba en particular. Se analiz el circuito de prueba para la conmutacin dura y el corto circuito tipo I, de lo cual se aprecia que la nica variacin entre ellos son las secuencias de disparo.
64
Captulo 5
Pruebas y Resultados
En este captulo se presentan los resultados obtenidos con el banco de pruebas completo. Se incluyen las graficas de corriente y tensin en el dispositivo bajo prueba, tanto en la simulacin como en la prctica, con el fin de comparar los resultados obtenidos. Las mediciones se realizaron con la finalidad de verificar el buen funcionamiento del banco de pruebas. Se realizaron pruebas en conmutacin dura, debido a que es la conmutacin mas comn en los convertidores de potencia. Otra prueba realizada fue en corto circuito, ya que es una prueba en la que se llevan a los limites los interruptores y se observa su comportamiento ante tales casos. Dentro de las pruebas experimentales se utilizaron dos mdulos de IGBT: CM150DU-24H, el cual soporta 1200 V / 150 A y contiene dos chips de IGBTs con su respectivo diodo en antiparalelo por mdulo CM1000HA-28H, el cual soporta 1400V / 1000 A y contiene un solo chip de IGBT por mdulo.
5.1 Pruebas en conmutacin dura

5.1.1 Consideraciones en simulacin
En la Figura 5.1 se muestra el esquemtico implementado en el simulador PSpice. Con el fin de tener por un lado simulaciones ms realistas y por otro lado garantizar simulaciones rpidas, se realizaron las consideraciones siguientes: La inductancia de carga es sustituida por una fuente de corriente constante. Solo se simularon los periodos de conmutacin (encendido/apagado). Se consideran los elementos parsitos importantes (inductancia de cableado Lpar=1 mH y capacitancia del circuito Cp= 2nF). Se utilizaron los modelos del IGBT CM150DY-24H y del diodo HFA25HB60 disponibles en las libreras del programa PSpice 9.0 A continuacin se describe la forma en como se obtienen los elementos parsitos utilizados en la simulacin: Inductancia parsita de cableado A una gran velocidad de conmutacin (pendiente de corriente), la inductancia de cableado es un elemento muy importante en una celda de conmutacin, puesto que causa una cada de tensin adicional. Por esto se hace un anlisis detallado en las diferentes etapas de conmutacin dura con el fin de conocer su influencia durante las mismas. El clculo de la inductancia de cableado se realiz usando el principio bsico de que un inductor se opone al cambio de corriente. En la Figura 5.2 se muestran en forma ideal los transitorios de una conmutacin dura al encendido y se aprecia como en el momento
66
Pruebas y resultados
que la corriente crece con una cierta pendiente (dic/dt), se presenta una cada de tensin en las terminales del dispositivo (VCE). Conociendo los valores de estas variables, es posible estimar la inductancia parsita de cableado Lpar del circuito de prueba mediante la siguiente expresin: VCE (5.1) L par = diC / dt
L5 {Lp}
PARAMETERS:
Ic = 150 Rg = 47 Lp = 100n Cp = 1.92n Vce = 500
{Ic}
I2
D9
3
HFA25TB60
{Vce}
Vo
Z1
Cp {Cp}
R5
CM150DY-24H
{Rg}
Vge
Le 10n
TD = 0 TF = 0 PW = 20u PER = 40u V1 = -15 V2 = 15 TR = 0
Figura 5.1 Circuito utilizado en la simulacin
Figura 5.2 Formas de onda para el clculo de la inductancia parsita de cableado
Capacitancia parsita del circuito El clculo de la capacitancia parsita del circuito se realiz en base al principio bsico de que un condensador se opone al cambio de voltaje. En la Figura 5.3 se muestran en forma ideal los transitorios de una conmutacin dura al apagado y se aprecia cuando el voltaje se desarrolla con una cierta pendiente (dvCE/dt), se presenta una cada de corriente en las
67
terminales del dispositivo (Ic). Esta capacitancia se puede calcular mediante la siguiente ecuacin: I c C par = (5.2) dvCE / dt A manera de verificar el buen funcionamiento del banco de pruebas, en las pruebas en conmutacin dura se vari el voltaje de alimentacin V0 y posteriormente la corriente de carga IC, y se tomaron las seales en el encendido y en el apagado del dispositivo bajo prueba.
Figura 5.3 Formas de onda para el clculo de la capacitancia parsita del circuito
5.1.2 Consideraciones en pruebas experimentales

Para las pruebas se utilizaron 2 diodos HFA16PB120 en paralelo como diodos de libre circulacin para aumentar la capacidad de corriente y la inductancia de carga fue de 6.5 mH. Adems se utiliz un control con sus respectivos impulsores para suministrar los pulsos de compuerta tanto al dispositivo bajo prueba como al dispositivo auxiliar. Los DUT fueron los mdulos CM150DU-24HB y CM1000HA-28H. A continuacin se describen las caractersticas mas importantes de los dispositivos DUT para la realizacin de las pruebas experimentales. Dispositivo CM150DU-24HB CM1000HA-28H Ic (A) 150 1000 Vce (V) 1200 1400 IF (A) 16 ICM (A) 300 2000 VR (V) 1200 Vce (sat) (V) 2.9 3.1 td(on) (ns) 200 800 IFSM (A) 190 tr (ns) 250 2000 td(off) (ns) 300 1200 IFRM (A) 64 tf (ns) 350 650 trr (ns) 300 300 trr (ns) 30
HFA16PB120
Las pruebas que se realizaron fueron: a) variando el voltaje de alimentacin desde 400 V hasta 900 V, manteniendo constante la corriente de carga en 100 A para la simulacin y el mdulo CM150DU-24HB. b) variando el voltaje de alimentacin desde 500 V hasta 900 V, manteniendo constante la corriente de carga en 300 A para el mdulo CM1000HA-28H.
68
c) variando la corriente de carga desde 80 A hasta 150 A, manteniendo constante el voltaje de alimentacin en 500 V para la simulacin y el mdulo CM150DU-24HB. d) Variando la corriente de carga de 100 a 400 A, manteniendo el voltaje de alimentacin en 900 V para el mdulo CM1000HA-28H. 5.1.3 Variacin del voltaje de alimentacin V0 a) Encendido El tiempo de cada de vCE aumenta conforme aumenta la tensin de alimentacin V0 (Figuras 5.4a y 5.4b). En el otro mdulo CM1000HA-28H no se observa esa tendencia, puesto que se presentan oscilaciones cuando el dispositivo entra en conduccin. Adems se presenta una cada de tensin significante debido a que el diC/dt es mas alto, ya que IC=300 A (Figura 5.4c). Las oscilaciones de la Figura 5.4c se observan tambin en los transitorios de la corriente iC(t), pero no se presentaron ni en la simulacin, ni en las pruebas con el mdulo CM150DU-24HB y pueden ser causados por la interaccin de los parsitos del circuito y los del mdulo. En el transitorio de la corriente iC se observa un incremento en la pendiente diC/dt conforme aumenta la tensin de alimentacin como se muestra en las Figuras 5.5a, 5.5b y 5.5c. En la simulacin de la Figura 5.5a no se observa la recuperacin inversa del diodo debido al modelo utilizado. b) Apagado El tiempo de subida de la tensin vCE aumenta conforme aumenta la tensin de alimentacin como se aprecia en las Figuras 5.6a, 5.6b y 5.6c, pero solo en las pruebas experimentales el tiempo de retardo al apagado aumenta tambin. En la forma de onda de la corriente de colector iC se observa en simulacin (Figura 5.7a) un aumento de la cola de apagado con la tensin de alimentacin mantenindose el diC/dt casi constante. Una tendencia similar se observa con el mdulo CM150DU-24HB (Figura 5.7b), sin embargo los resultados con el mdulo CM1000HA-28H (Figura 5.7c) muestran que la pendiente diC/dt disminuye notablemente conforme va aumentando la tensin de alimentacin. 5.1.4 Variacin de la corriente de carga IC a) Encendido Se observa que tanto en la simulacin, como en las pruebas experimentales (Figuras 5.8a, 5.8b y 5.8c) el tiempo de encendido aumenta conforme va aumentando IC mientras que tanto el diC/dt, como el dvCE se mantienen casi constantes. De la misma manera que en la variacin de V0, en el mdulo CM1000HA-28H (Figura5.9c) se ve una cada de tensin mas notable durante el diC/dt dado por los niveles mas altos de corriente y se mantienen las oscilaciones despus del encendido. b) Apagado Las formas de onda de la tensin vCE son muy similares tanto en simulacin, como en las pruebas experimentales con los dos mdulos como se aprecia en las Figuras 5.10a, 5.10b y
69
5.10c. En las formas de onda de la corriente en la simulacin y la mediciones con el mdulo CM150DU-24HB el diC/dt se mantiene constante, mientras que en las mediciones con el mdulo CM1000HA-28H se observa un incremento de la pendiente de corriente conforme va aumentando IC (Figuras 5.11a, 5.11b y 5.11c).
Variacin V0 Encendido
a)
b)
c) Figura 5.4 Voltaje colector-emisor vCE (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU24HB, c) Experimental CM1000HA-28H
70
Variacin V0 Encendido
a)
b)
c) Figura 5.5 Corriente colector iC (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c) Experimental CM1000HA-28H
71
Variacin V0 Apagado
a)
b)
c) Figura 5.6 Voltaje colector-emisor vCE (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Experimental CM1000HA-28H 72
Variacin V0 Apagado
a)
b)
c) Figura 5.7 Corriente colector iC (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Variando IC Encendido
a)
b)
a)
b)
a)
b)
a)
b)
Experimental CM1000HA-28H
77
5.2 Pruebas en corto circuito

A continuacin se presenta el diagrama esquemtico implementado en PSpice para la prueba de corto circuito. El funcionamiento del circuito se describi en el captulo 4. Esta prueba se realiz, puesto que es un caso extremo de conmutacin en el cual, a diferencia de la conmutacin dura, el DUT se lleva hasta los limites de su rea segura de operacin (SOA) y por ende la potencia demandada a la fuente es mayor. Los resultados en simulacin y de las pruebas experimentales se presentan en las Figuras 5.13 y 5.14:
AUX
DUT
Figura 5.12 Circuito simulado para corto circuito

AUX DUT DUT
a)
b)
Figura 5.13 Seales de compuerta de los dispositivos: a) simulacin, b) experimental CM150DU-24HB
78
a)
b) experimental CM150DU-24HB (escalas 25 V y 30 A)
b)
Figura 5.14 Voltaje vCE y corriente iC en el dispositivo bajo prueba: a) simulacin,
En la Figura 5.13 se observa la seal de control del DUT, la cual debe de garantizar que la duracin del corto circuito dure un tiempo menor a 10 s para evitar el sobrecalentamiento y la destruccin del dispositivo. Para el encendido en corto circuito se utiliz una resistencia de compuerta RG(on) de 47 , mientras que para el apagado se utiliz otro valor RG(off) mucho mayor de 220 , con el fin de hacer ms lento el apagado del DUT y evitar altos picos de tensin debido a los valores elevados de diC/dt en un apagado de corto circuito (apagado de un nivel de corriente muy alto correspondiente a la corriente de saturacin). En la Figura 5.13 se observa que tanto en simulacin, como en las curvas experimentales la tensin de compuerta del DUT no alcanz el valor mximo de 15 V, ni tampoco se mantuvo durante el periodo de 10 s, debido a una retroalimentacin de compuerta. Esta retroalimentacin se puede explicar con el nivel bajo de tensin de alimentacin seleccionado para esta prueba con el fin de proteger el dispositivo. Durante el tiempo de subida del corto circuito, como se observa en la Figura 5.14 se presenta una cada de tensin proporcional debida a la inductancia parsita de cableado la cual no puede exceder la tensin de alimentacin menos la tensin de saturacin en conduccin de los dos dispositivos (AUX y DUT).
V0 = L par diC / dt + 2VCE ( sat )
Como la tensin V0 fue demasiada baja y la inductancia parsita muy grande este efecto limita la velocidad de subida de la corriente iC durante el corto circuito, como se observa en la Figura 5.14.
79
a)
b)
Figura 5.15 Grficas realizadas a voltaje elevado a) Seal de compuerta, b) Voltaje vCE y corriente iC
Para verificar esta suposicin, se realiz una simulacin a una tensin de alimentacin V0 = 1000 V, correspondiente al valor nominal de tensin de bloquo del mdulo CM150DU-24HB, la cual se muestra en la Figura 5.15. Se puede observar que a esta tensin las formas de onda corresponden a las esperadas para un corto circuito, es decir, el DUT enciende en un lapso corto durante el cual el diC/dt causa una cada de tensin transitoria en sus bornes debido a la inductancia parsita Lpar.
5.3 Conclusiones
Se realizaron pruebas en conmutacin dura tanto en simulacin, como experimentalmente con los mdulos CM150DU-24HB y CM1000HA-28H. Para la obtencin de la corriente impulsional necesaria dependi fuertemente de la inductancia de carga, el voltaje de alimentacin y el tiempo del dispositivo auxiliar, pero el parmetro mas importante fue el banco de condensadores el cual fue el que almacen la energa a utilizar en cada una de las pruebas y siendo el parmetro que limitaba la mxima corriente impulsional que se poda alcanzar en funcin de otros parmetros. Como se observa en las graficas obtenidas de las pruebas realizadas con los mdulos CM150DU-24HB y CM1000HA-28H son muy similares, sin embargo se puede apreciar que con el mdulo CM1000HA-24H se presentaron algunas distorsiones y picos causados por la inductancia parsita del circuito. Referente a la prueba en corto circuito tipo I se aprecia que se presentaron problemas a bajo voltaje y debido a esto se dao el dispositivo CM150DU-24HB. 80
Captulo 6
Conclusiones y trabajos futuros
En este trabajo se present un estudio de los diferentes dispositivos de alta tensin que actualmente se encuentran en el mercado, con la finalidad de conocer sus caractersticas, as como sus ventajas y desventajas. Esto ayuda saber, de acuerdo al comportamiento que presenta cada dispositivo, cual es el DSEP ptimo a utilizar en una aplicacin especfica para tener prdidas mnimas. Se realiz un estudio de las diferentes topologas de tipos de fuentes mayormente conocidas, dentro de las cuales se hizo una seleccin de acuerdo a las caractersticas requeridas por el banco de pruebas tomando como referencia la topologa de puente completo. En funcin de la topologa escogida, se pas al diseo y anlisis de la fuente de CD de alto voltaje: Se realiz el diseo de la parte de control para suministrar los pulsos de los interruptores, dentro del cual se contempl una parte de proteccin para cualquier falla de los interruptores con el fin de apagar inmediatamente el control. Se seleccionaron los dispositivos bajo prueba, lo cual se realiz en funcin de contemplar que la fuente debera proporcionar valores elevados de corrientes de conduccin y tensiones de bloquo, considerando su uso para un banco de pruebas para dispositivos de alta potencia. Se seleccionaron los impulsores mas adecuados para dichos interruptores. Se dise el transformador elevador, el cual fue uno de los puntos ms importantes, ya que por ser de alta frecuencia y considerando las grandes tensiones y corrientes a soportar, se hizo un anlisis detallado y minucioso para obtener el mejor rendimiento del mismo. Se dise el rectificador, tomando en cuenta que los dispositivos deban ser diodos rpidos y de alto voltaje de bloquo.
Se dise el filtro, tomando en cuenta el voltaje de salida requerido para la fuente y de ah se seleccion un condensador de alto voltaje y tambin de alto valor de capacitancia. Se hizo un anlisis matemtico de la fuente de CD de alto voltaje, y se verific mediante su implementacin en el programa matemtico Mathcad, lo cual arroj muy buenos resultados dando seales de salida muy similares a lo que se esperaba. Las seales que se esperaban eran formas de onda que se haban obtenido en la simulacin de la fuente en el programa de simulacin de circuitos PSpice. En este programa se realiz la simulacin de la fuente completa, tomando seales de las partes principales de la fuente de CD de alto voltaje. Despus de haber realizado el diseo y los anlisis en simulacin, se procedi a la implementacin prctica de cada una de las partes que conforma la fuente de CD de alto voltaje. Ya construida cada una de las etapas de la fuente, se procedi a medir formas de onda para verificar el buen funcionamiento de la misma. De las seales de corrientes y tensiones se apreci que los resultados obtenidos en el anlisis matemtico en Mathcad, en simulaciones de PSpice y en la prctica fueron muy similares. Algunas de las diferencias que se apreciaron son pequeas distorsiones de las seales en la parte en la que se apaga un par de interruptores y se enciende el otro par. Estas distorsiones se presentaron principalmente debido al tiempo muerto entre el encendido y el apagado. Las especificaciones planteadas para el diseo de la fuente fueron de Vo = 2500 V e Io = 1 A (Po = 2500 W), pero no se pudieron alcanzar, puesto que la fuente que se utiliz para alimentar el bus de CD del inversor solo soporta alrededor de los 1000 W con una tolerancia de 300 W, y los valores mximos obtenidos fueron Vo = 1900 V con una corriente de salida de 700 mA de lo cual se puede concluir que la fuente de CD de alto voltaje diseada, analizada y construida opera conforme los requerimientos energticos demandados. Aunque la fuente es una parte importante del banco de pruebas, este consiste de otras partes, como lo son: el almacenamiento de energa, el control, los impulsores, los dispositivos auxiliares y el dispositivo bajo prueba. La gran capacitancia que se requiere, es principalmente debido a que tiene que considerar una parte referente al almacenamiento de energa, la cual se realiz mediante los condensadores de filtrado de la fuente. Ya construida la fuente de alto voltaje en conjunto con la etapa de almacenamiento de energa, se procedi a implementar los circuitos de prueba con sus respectivos controles e impulsores, dando como resultado el banco de pruebas completo. Teniendo el banco de pruebas listo para utilizarse, se procedi a realizar pruebas de conmutacin dura con dos dispositivos a manera de verificar el buen funcionamiento del mismo. Las pruebas se realizaron con los mdulos CM150DU-24HA y CM1000HA-28H variando el voltaje de alimentacin V0 y manteniendo la corriente de conduccin IC constante y posteriormente variando la corriente de conduccin manteniendo el voltaje de alimentacin constante.
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Conclusiones y trabajos futuros
Se observan resultados muy similares entre las simulaciones con el mdulo CM150DU-24HB y las pruebas experimentales del mismo. Las formas de onda obtenidas para el mdulo CM1000HA-28H, sin embargo, muestran un comportamiento algo diferente de este dispositivo ante la variacin de parmetros realizada. Para este mdulo no se obtuvieron resultados en simulacin, puesto que no se contaba con su modelo en Pspice. Los resultados obtenidos ante las variaciones de parmetros se presentan en la Tabla 6.1, que se muestra a continuacin. Tabla 6.1 Resultados obtenidos en conmutacin dura Parmetro variado Voltaje de alimentacin (V0) V0 Corriente de conduccin (IC) IC Encendido El tiempo de caida de vCE aumenta Aumenta la pendiente diC/dt El tiempo de encendido aumenta Aumenta la pendiente diC/dt Apagado - El tiempo de subida de vCE aumenta - Aumenta la cola de apagado de iC Aumenta la pendiente diC/dt
De acuerdo a los buenos resultados obtenidos en la prueba de conmutacin dura, qued verificado el funcionamiento del banco de pruebas para caracterizar dispositivos de alta potencia. Sin embargo, en base a las pruebas realizadas en corto circuito con el banco, queda visto que se deben hacer mejoras para corregir los problemas encontrados, entre los cuales se puede mencionar el circuito de control y los elementos parsitos del circuito.
Trabajos futuros
Como trabajos futuros para realizarse se proponen los siguientes: Implementar un sistema de cargado de condensadores para controlar el tiempo de carga y descarga durante las pruebas realizadas. Agregar snubbers para controlar el di/dt. Disminuir la inductancia parsita de cableado utilizando barras en lugar de cables en la parte de potencia para unir todos los componentes. Implementar un soporte mecnico robusto que resista las potencias de conmutacin muy elevadas que se quieren manejar con este banco y evite las posibles vibraciones mecnicas.
83
Realizar un mejor circuito de control para obtener pulsos de compuerta mas adecuados para las pruebas a realizar, as como control de las pruebas a distancia usando varios metros de fibra ptica Hacer pruebas en conmutacin dura a mas altos valores de voltaje y corriente, variando otros parmetros como son: la resistencia de compuerta, la temperatura, el di/dt, entre otros. Realizar pruebas en conmutacin dura, as como pruebas en casos extremos y conmutacin suave a cero corriente y a cero voltaje con variacin de parmetros
84
Bibliografa
[1 ] J. Aguayo, Anlisis comparativo de Transistores IGBT tipo PT y NPT en Diferentes Modos de conmutacin, Tesis de maestra, cenidet, Cuernavaca Morelos, 2000. [2] M. H. Rashid, ELECTRNICA DE POTENCIA Circuitos, dispositivos y aplicaciones, segunda edicin, Editorial Prentice Hall [3] D.E.Piccone, R.W De Doncker, J.A. Barrow & W.H. Tobin " The MTO Thyristor A New High Power Bipolar MOS Thyristor ". IEEE Industrial Applications Society, p 1472-1473, Octubre 1996. [4] H. E. Gruening, A. Zuckerberger " Hard Drive of High Power GTOs: Better Switching Capability obtainet through Improved Gate-Units ". IEEE Industrial Applications Society, p 1474-1480, Octubre 1996. [5] P. K. Steimer, H. E. Grning, J. Werninger, E. Carroll, S. Klaka, S. Linder " IGCT a New Emerging Technology for High Power, Low Cost Inverters ". IEEE Industrial Applications Society, p 1592-1599, Octubre 1997 [6] Y. Li and A. Q. Huang The emitter turn-off thyristor (ETO) a new mos-bipolar high power device ". VPEC Seminar Procedings, p 179-183, Septiembre 1997. [7] MITSUBISHI HIGH POWER SEMICONDUCTORS, FEATURE APPLICATIONS OF GATE TURN-OFF THYRISTORS Agosto 1998. AND
[8] Z. Xu, Y. Li and A. Q. Huang, Performance Characterization of 1-kA/4.5-kV Symmetrical Emitter Turn-off Thyristor (ETO), IEEE Industrial Applications SocietyIAS00 Annual meeting, p 2880-2885, 2000. [9] S. Bernet, R. Teichmann, A. Zuckerberger, P. Steimer, "Comparision of High Power IGBTs and Hard Driven GTOs for High Power Inverters, Proceedings of APEC,1998, p 711-718, [10] A. Zuckerberger, E. Suter, Ch Shaub, A. Klett, P. Steimer. " Design, simulation and realization of high power NPC converters equipped with IGCTs ". IEEE Industrial Applications soiety-IAS, p 865-872, 1998
[11] Y. Li, K. Motto and A. Q. Huang " A Novel Approach for Realizing Hard-Driven GateTurn-Off Thyristor ". IEEE Power Electronics Specialists Conference-PESC00, p 8791, Junio 2000. [12] M. Gutierrez, G. Venkataramanan, A. Moreira, A. Sundaram. Performance Characterization of MOS turn Off Thyristors.1999 [13] Y. Li, K. Motto and A. Q. Huang " Series and Parallel Operation of Emitter Turn-Off (ETO) Thyristor". p 2873-2879, 2000. [14] Y. Li and A. Q. Huang The emitter turn-off thyristor (ETO) a new mos-bipolar high power device ". VPEC Seminar Procedings, p 179-183, September 1997. [15] Y. Li and A. Q. Huang and F. C. Lee Introducing The Emetter Turn-off Thyristor (ETO), IEEE Industrial Applications Society-IAS, p 860-864, 1998. [16] S. Dewar, S. Linder, C. V. Arx, A. Mukhitinov, G. Debled Soft Punch Through (SPT) Setting new Standards in 1200 V IGBT, Power Conversion and Intelligent, Motion, PCIM00. p 593-600, 2000. [17] T. Laska, L. Lorenz, A. Mauder The new IGBT Generation A great Improvement Potential for Motor Drive Systems IEEE Industrial Aplication Society, Annual Meeting, IAS00, p 2885-2889, 2000 [18] Simon S. Ang Power Switching Converters Editorial Dekker [19] D. W. Shimer, A. C. Lange, J. N. Bombay " A HIGH-POWER SWITCH-MODE DC POWER SUPPLY FOR DYNAMIC LOADS ", IAS 94. p 1097-1105, 1994. [20] J. Aguayo, A. Claudio, M. Cotorogea Anlisis Comparativo de Transistores IGBT tipo NPT y PT en conmutacin Dura CIECE 1999, Guanajuato, Mxico.1999 [21] M. A. Rodrguez, Desarrollo e implementacin de un procedimiento de extraccin de parmetros para un modelo fsico de IGBT, Tesis de maestra, cenidet, Cuernavaca Morelos, 2001.
86
Anexo I
Anlisis en Matcad
A continuacin se presenta las ecuaciones utilizadas en el programa Mathcad, as como las graficas obtenidas con ellas.
F 20000 T 1 F Vo( t ) 300 D 0.5 T = 5 . 10
5
D .T
A = 2.5. 10
Vp( t )
if( ( t > 0 ) . ( t A ) , Vo( t ) , if( ( t > A ) . ( t T ) , Vo( t ) , Vo( t ) ) )
200
Vp( t )
200
1 10
2 10
5 t
3 10
4 10
5 10
Figura AII.1 Voltaje en el primario del transformador

Vs( t ) if( ( t > 0 ) . ( t A ) , Vo( t ) . n , if( ( t > A ) . ( t T ) , Vo( t ) . n , Vo( t ) . n ) )
Voltaje en el primario del transformador
1000
Vs( t )
1000
1 10
2 10
5 t
3 10
4 10
5 10
Voltaje en el secundario del transformador Figura AII.2 Voltaje en el secundario del transformador
88
Anexo I
Lp
795. 10
I( t )
Vp( t ) . t 2 . Lp
H( t )
Vp( t ) . (t 2 . Lp
A)
Ip( t )
if( ( t > 0 ) . ( t A ) , I( t ) , if( ( t > A ) . ( t T ) , H( t ) , 0 )

5
Ip( t )
5 0 1 10
2 10
5 t
3 10
4 10
5 10
Corriente en del transformador Figura A11.3 Corriente en el el primario primario del transformador 20. 10
3
Ls
I( t )
Vs( t ) . (A 4 . Ls
t)
H( t )
Vs( t ) . (T 4 . Ls
t)
Is ( t )
0.5
if( ( t > 0 ) . ( t A ) , I( t ) , if( ( t > A ) . ( t T ) , H( t ) , 0 )
Is( t )
0.5 0 1 10
2 10
5 t
3 10
4 10
5 10
Corriente en tranformador Figura AII.4 Corriente en el elsecundario secundariodel del transformador
89
Ip( t ) Is( t ) .5 0
5 0 1 10
2 10
5 t
3 10
4 10
5 10
Corrientes del primario y secundario del transformador Figura AII.5 Corrientes del primario y secundario del transformador
Id( t )
Is ( t )
0.6
0.4 Id( t ) 0.2
0 0 1 10
2 10
3 10 t
4 10
5 10
Corrienteen enlos losdiodos diodos del del rectificador rectificador Figura AII.6 Corriente
90
Anexo I
3 5.48. 10
440. 10
Ic( t )
Id( t )
n . Vo( t ) R
0.2
0 Ic( t ) 0.2
0.4 0 1 10
2 10
5 t
3 10
4 10
5 10
Figura AII.7 Corriente en el capacitor de filtrado Corriente en el capacitor de filtrado

IL( t ) Id( t ) Ic( t )
0.2738 IL( t ) 0.2736
0.2734 0 1 10
2 10
5 t
3 10
4 10
5 10
Corriente enCorriente la carga en la carga Figura AII.8
91
VL( t )
n . Vo( t )
1502
1501
VL( t ) 1500
1499
1498 0 1 10
2 10
5 t
3 10
4 10
5 10
Voltaje de de salida Figura AII.9 Voltaje salida

t
DVL (t)
Id( t ) . R. 1
C .R
0.05
DVL( t )
0.05
2 10
4 10
5 t
6 10
8 10
RizoRizo de voltaje dv/dt dv/dt Figura AII.10 de voltaje
92
Anexo II
Hojas de datos de los fabricantes
AI.1 Mdulo CM150DU-24HA AI.2 Mdulo CM1000HA-28H AI.3 Diodo HFA16PB120
AI.1 Mdulo CM150DU-24HA
94
Anexo II
95
96
Anexo II
97
AI.2 CM1000HA-28H
98
Anexo II
99
100
Anexo II
101
AI.3 Diodo HFA16PB120
102
Anexo II
103

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S.E.P.

CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIN Y DESARROLLO TECNOLGICO

MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELECTRNICA

DIRECTORES DE TESIS DR. DRA.

ABRAHAM CLAUDIO MARA COTOROGEA

CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIN Y DESARROLLO TECNOLGICO

MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELECTRNICA

Captulo 2 Metodologa abordada

Captulo 3 Fuente de alto voltaje

Captulo 4 Banco de pruebas

Captulo 5 Pruebas y Resultados

VCE(sat) Vd Vin vL VLcarga Vo Voc Vp VS VTR Wtef

Planteamiento del problema y justificacin

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

1.1 Dispositivos Semiconductores de Potencia Controlados (DSEP)

Planteamiento del problema y justificacin

1.1.1 Caractersticas de los dispositivos semiconductores de potencia

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

Figura 1.1 Estructura de los dispositivos de potencia ms relevantes.

1.1.2 Comparacin entre los diferentes dispositivos

Planteamiento del problema y justificacin

Figura 1.2 Aplicaciones de los dispositivos de potencia controlados

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

1.2 El tiristor de apagado por compuerta (GTO)

1.2.1 Estructura y funcionamiento

Planteamiento del problema y justificacin

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

Planteamiento del problema y justificacin

1.2.3 Mejoras realizadas

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

Planteamiento del problema y justificacin

1.3 El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT)

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

Planteamiento del problema y justificacin

1.3.1 Estructura y funcionamiento

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

1.3.3 Tecnologas de fabricacin del IGBT

Planteamiento del problema y justificacin

Figura 1.7 Estructura del IGBT tipo PT, NPT y SPT

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

1.4 Modos de conmutacin

Planteamiento del problema y justificacin

Figura 1.8 Diferentes tipos de conmutacin existentes en un convertidor

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

2.1 Caracterizacin experimental

2.1.1 Diseo general del circuito de pruebas

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

2.1.2 Diseo propuesto para los circuitos de prueba

Figura 2.1 Principio de diseo de circuitos especiales de prueba

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

2.2 Caracterizacin mediante simulacin

2.3 Tipos de fuentes

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

Figura 2.2 Convertidor flyback

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

2.1.3 Medio puente

2.1.4 Puente completo

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

2.1.5 Fuente de alta potencia

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

Fuente de alto voltaje