3

Le transistor bipolaire

Chapitre

e transistor bipolaire tient son nom du fait quil fonctionne partir des deux types de porteurs : Les lectrons et les trous. Il fut le premier composant semi-conducteurs tre utilis massivement. Depuis son invention en 1949 par Bardeen, Brattain et Schokley, il na cess de samliorer tout en devenant de plus en plus complexe. Il est employ aujourdhui dans toute une gamme dapplications : RF, micro-ondes, audio, automobile, etc. Le transistor bipolaire tire profit des deux modes dopration de la jonction PN, soient la polarisation avant et inverse. En continuation avec la mthode de prsentation des concepts employe au chapitre 2, nous allons dabord tudier le flot des courants laide du diagramme de bandes dnergie du transistor superpos au graphique des concentrations de porteurs. De l, nous en dduirons la caractristique courant-tension et les rgions dopration. Nous terminerons avec son modle dynamique lorsquil est utilis dans la rgion dopration active, suivi dun exemple danalyse de circuit laide de ce modle.

3.1 Les courants du transistor bipolaire

Lide du transistor bipolaire provient du besoin dun composant pouvant fournir un courant constant indpendamment des variations de tension ses bornes, comme le fait une source de courant idal. Il fallait aussi trouver un moyen de pouvoir contrler lintensit du courant en sortie. La caractristique ID vs VD de la diode en polarisation inverse donne un courant constant (IS) indpendamment de VD, tandis que la caractristique en polarisation avant permet dajuster ID en fonction de VD. Il suffit donc de juxtaposer deux jonctions PN bout bout, une polarise directement et une autre en inverse pour obtenir le transistor bipolaire. La Figure 3. 1a) prsente les dtails de la juxtaposition des deux jonctions et la courbure rsultante des bandes dnergie. Les parties P des jonctions ont t mises en commun et forment la base du transistor. La partie N de gauche, est la plus fortement dope et elle forme avec la base la jonction polarise avant qui dtermine lintensit du courant du dispositif. travers cette jonction, des lectrons sont mis dans la base par diffusion, do le nom metteur de la partie de gauche. La partie N de droite forme la jonction polarise en inverse avec la base. Les lectrons provenant de la base qui atteignent la bordure de zone dserte de cette jonction sont attirs par le champ lectrique et ils drivent travers celle-ci pour tre collects la partie N de droite do le nom collecteur. Les principes illustrs dans cette section sont bass sur le fonctionnement dun transistor bipolaire de type NPN. Ils sont tout aussi valables pour un transistor de type PNP. Il suffit alors dinverser la polarit des tensions, la direction des courants et de considrer quil y a mission et collection de trous au lieu dlectrons.

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

Les lectrons dans la base sont porteurs minoritaires et se re-combinent avec les trous de la zone neutre, comme il a t dcrit la section 2.3.2. Lingniosit du transistor bipolaire vient de la longueur de la base qui est choisie assez courte de sorte que la majorit des lectrons ne puissent pas se re-combiner avant datteindre le dbut de la zone dserte de la jonction base-collecteur en x = w. En variant la tension basemetteur, VBE, on contrle la quantit dlectrons injects dans la base et de ce fait le courant de collecteur. Tant et aussi longtemps que la jonction base-collecteur est polarise en inverse, VCB na pratiquement aucun effet sur le courant de collecteur. Idalement, on voudrait que tous les lectrons injects dans la base se rendent au collecteur, de faon avoir le meilleur gain tension-courant (VBE-IC) possible. Malheureusement une partie du courant dmetteur est draine par la base, ce qui diminue IC . Nous allons maintenant dduire lexpression de ces courants et faire ressortir les paramtres importants du transistor bipolaire.
jonction PN polarise avant, contrle de IC

x=w

jonction PN polarise en {inverse, source de courant I

(a)
N P N IC

metteur + VBE

base
diffusion

collecteur + VCB flot dlectrons

drive

qVBE

qVCE EC EF EV

(b)
15

lectrons

trous

N n ee
zone dserte

P p be

N
zone dserte

10 n(x), p(x) [cm-3]

n ce

10

10

n b (0) n be n b (w) 0 w p c(x) x p ce

10

p ee

p e(x)

Figure 3. 1 a) Reprsentation unidimensionnelle dun transistor bipolaire NPN avec le diagramme des bandes dnergie correspondant et b) graphique des concentrations de porteurs.

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

Les lectrons mis dans la base forment un excs de porteur minoritaire en dbut de zone neutre x=0, nb(0), tel quillustr la Figure 3. 1b). Ces lectrons se re-combinent de sorte que leur concentration tend rapidement vers la concentration lquilibre thermique de la zone neutre nbe . Puis, cette dcroissance se poursuit pour atteindre presque 0 x=w, en raison de lattraction que subissent les lectrons en bordure de zone dserte. Cette force dattraction provient du champ lectrique de la jonction base-collecteur polarise en inverse. La courte longueur de la base permet de modliser ce gradient de concentration par une droite. Ce gradient produit un courant de diffusion qui devient un courant de drive travers la jonction base-collecteur pour finalement sortir par le contact de collecteur. On peut donc dduire IC partir du gradient de concentration dlectrons dans la base :

I C = qADb

nb ( w) nb (0) w

(3. 1)

o A est la surface latrale du transistor et Db le coefficient de diffusion des lectrons dans la base. x= w, on a nb(w) << nb(0), ce qui permet de considrer nb(w) comme tant nul et connaissant la variation de nb(0) en fonction de VBE (idem. quations 2.19), on trouve :
qVBE BE qADb nbe qV kT IC = e = I S e kT w

(3. 2)

Le terme devant lexponentielle est regroup en un symbole appel : courant de saturation, IS. Le gradient de concentration tant caus par la re-combinaison lectron-trou, il doit y avoir un flot de trous provenant de lextrieur de la base pour compenser la disparition de ces trous et ainsi conserver la neutralit de la zone neutre de la base. Ce flot de trous constitue le courant de base IB et il doit compenser une charge forme par la population des lectrons dans la zone neutre nb(x). Sachant que cette population absorbe une quantit quivalente de trous en un temps N , correspondant au temps de vie moyen des lectrons dans la base avant recombinaison, on dduit le courant de base : qA nb ( x )dx
0 w qVBE kT

IB =

qAwnbee = 2 N

(3. 3)

Ici, lintgrale est facilement rsolue, puisquelle reprsente seulement laire du triangle form par nb(x) de la Figure 3. 1b). De (3.2) et (3.3), on obtient une relation liant IC IB :

IC =

2 Db N IB = N IB 2 w T

(3. 4)

o T est dfini comme tant le temps de transit des lectrons travers la zone neutre de la base. En fait, nous venons de dduire le paramtre le plus important du transistor bipolaire, le gain en courant, :

N IC = T IB

(3. 5)

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

Ainsi, un gain lev est obtenu lorsque T est court devant le temps de vie, N , de sorte que peu dlectrons ont le temps de se re-combiner avant quils aient atteint la jonction base-collecteur.

3.2 Caractristiques courant-tension et rgions dopration

la section prcdente, nous avons vu les phnomnes physiques en jeu dans ltablissement des courants du transistor bipolaire. La comprhension de ces phnomnes facilite grandement ltude de comportement lectrique qui est aborde dans cette section. Le transistor bipolaire rsulte de la juxtaposition des deux modes dopration de la diode, en polarisation avant et inverse. On a donc deux caractristiques courant tension considrer. La premire, trace sur le graphique de gauche de la Figure 3. 2a), prsente la jonction base-metteur polarise lavant et fixe le courant de sortie IC en fonction de VBE. Le graphique de droite, quant lui, traduit le comportement source de courant de la jonction collecteur-base polarise en inverse. Comme les flches lindiquent, le mariage des deux caractristiques produit une source de courant IC indpendante de la tension collecteur metteur, VCE, et contrle par la tension VBE. La Figure 3. 2b) donne le modle statique simple et le symbole lectrique du transistor bipolaire NPN.
(a)
IC IC
VBE3

VBE2 VBE1

VBE
VBE1 VBE2 VBE3

VCE=VCB+VBE

(b)

IC (VBE)

base (B) + VBE

collecteur (C) + VCE

C B

metteur (E)

Figure 3. 2 a) Graphiques des caractristiques IC vs VBE et IC vs VCE du transistor bipolaire et b) modle statique et symbole du transistor NPN.

En pratique, il existe des tensions pour lesquelles le transistor ne possde plus ses caractristiques de source de courant contrlable dcrites la Figure 3. 2a). Par exemple, lorsque la tension VBE est faible, lmission dlectrons dans la base saffaiblit, de sorte que peu dlectrons russissent atteindre la jonction base-collecteur. Dans ces conditions, nous sommes dans la rgion dopration dite de coupure, o IC = 0, telle quindique la Figure 3. 3. Mme si leffet de source de courant recherch implique lindpendance totale de IC envers VCE , La jonction collecteur-metteur requiert nanmoins une tension 30

L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

minimum pour obtenir un courant IC constant. Cette tension minimale, appele VCE(sat.) (sat. pour saturation), est en de du seuil o le champ lectrique de la jonction base collecteur est assez intense pour attirer la majorit des lectrons vers le collecteur. Il y a alors une diminution du courant IC et une accumulation dlectrons dans la zone neutre de la base. ce stade, toute augmentation de VBE ne rsulte pas en une augmentation de IC puisque la base est sature en lectrons. La rgion o IC > 0 et VCE>VCE(sat.) correspond au mode actif dopration et elle est la rgion dopration de la plupart des applications du transistor bipolaire. Les rgions de coupure et de saturation sont exploites principalement lorsque le transistor est utilis comme interrupteur.
IC
saturation VBE5

active

VBE4 VBE3 V BE2

VCE(sat.)

coupure

VCE

Figure 3. 3 Les trois rgions dopration du transistor bipolaire.

3.3 Modles dynamiques

3.3.1 Modle grand signal
Le modle statique simplifi de la Figure 3. 2b) ne tient pas compte des capacits de jonction et des rsistances des zones neutres. Il importe de redfinir un modle plus complet dit grand signal , qui tient compte de ces effets non-dsirables, puisque, tt ou tard, dpendamment des conditions dopration, certains de ces effets auront une influence sur le comportement du circuit. La Figure 3. 4 prsente le modle grand signal de transistor NPN. Cd et Cs sont les capacits de zone dserte et de diffusion vues au chapitre 2 et rC, rB et rE sont les rsistances des zones neutres du collecteur, de la base et de lmetteur.
C

rC
C dC B C sC

DC

rB C dE C sE

I C (V D E ,V D C)
P DE

rE
E

Figure 3. 4 Modle grand signal du transistor bipolaire.

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

Le modle grand signal est valable pour les trois rgions dopration de la Figure 3. 3 et pour toutes tensions continues et alternatives appliques au transistor. Les transistors utiliss dans la rgion active font souvent partie damplificateurs de petits signaux variant temporellement. Dans ces conditions, le modle grand signal peut tre modifi pour conserver seulement les lments affectant les applications petit signal oprant dans la rgion active. On obtient ainsi le modle petit signal .

3.3.2 Modle petit signal

Comme il a t mentionn la section prcdente, le modle petit signal nest valable que si le transistor opre dans la rgion active. Pour amener le transistor dans cette rgion, il faut dabord appliquer des tensions VBE et VCE continues, on dit alors que le transistor est polaris. Les petits signaux appliqus subsquemment se superposent aux tensions de polarisation. la section 3.4, un exemple complet de polarisation sera prsent.
B rB + v C r C rC C

gm v

ro

rE E

Figure 3. 5 Modle petit signal du transistor bipolaire.

On remarque sur le modle petit signal de la Figure 3. 5, les rsistances rC , rB et rE qui reprsentent les mmes effets que sur le modle grand signal. La capacit C reprsente la somme de la capacit de zone dserte, CdE , et de la capacit de diffusion, CsE , de la jonction base-metteur. La jonction base-collecteur est, quant elle, constamment polarise en inverse, par consquent la capacit CsC est ngligeable, donc C = CdC . La rsistance r est associe la jonction base-metteur value au point dopration fix par une tension continue de polarisationVBE1. Cest donc linverse de la drive de la courbe IB vs VBE qui est value au point dopration (IB1, VBE1). De (3.2) et (3.5) on trouve :
dI B r = dVBE
1

=
I B1 ,VBE 1

VT
I C1

(3. 6)

o VT est le potentiel thermique (kT/q) et IC1 est le courant de collecteur dtermin par VBE1. Cette rsistance additionne rB constitue essentiellement limpdance dentre du transistor pour des signaux de frquence telle que la ractance de C est ngligeable. Le symbole identifi par gm est le gain de transconductance reliant la variation de la tension petit signal applique la jonction base-metteur, v , la variation du courant de collecteur au point dopration (IB1, VBE1). De (3.2) on obtient :

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

gm =

dI C dVBE

=
I B1 ,VBE 1

I C1 VT

(3. 7)

Contrairement la caractristique de la Figure 3. 3, il existe en ralit une pente affectant la famille de courbe IC vs VCE dans la rgion active, comme le montre le mdaillon de la Figure 3. 6. Lorsque lensemble de ces droites est extrapol vers laxe des tensions ngatives, on dcouvre quelles proviennent dun point commun appel VA, pour tension dEarly, daprs le chercheur qui a identifi cet effet. Cet effet est caus par la variation de la longueur effective de la base, w. la Figure 3. 1a), on observe qu VBE constant, une variation de VCE sera absorbe par VCB , la tension de polarisation de la jonction basecollecteur. Puisque VCB dtermine la longueur de la zone dserte de cette jonction, elle dtermine de ce fait la longueur effective de la base, w, telle quindique la Figure 3. 1b). Toute variation de cette longueur se traduit par une variation du temps de transit, T , des lectrons dans la base, affectant ainsi le paramtre du transistor selon lquation (3.5). Par exemple, une augmentation de VCE provoque une augmentation de la zone dserte base-collecteur, poussant ainsi w plus prs de x = 0, do une diminution du temps de transit, T, et de ce fait une augmentation de . Ainsi, IC fluctue lgrement en fonction de VCE comme le montre la Figure 3. 6.
14 12 12 IC (mA) 8 4 0 6 IC1 4 0 5 V (V) 10 CE 15 rgion active 10 IC (mA) 8

VA
2 0 -80 -60 VCE (V) -40 -20 0 VCE1 20

Figure 3. 6 Caractristique relle IC vs VCE du transistor bipolaire.

La pente dune droite IC vs VCE se traduit sur le modle de la Figure 3. 5 par une rsistance, ro , joignant le collecteur lmetteur. Il est facile dvaluer ro connaissant un point (IC1,VCE1) et VA. On a alors les deux extrmits dun triangle rectangle :
I C1 1 = ro V A + VCE1

(3. 8)

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

Dun point de vue conceptuel, le modle petit signal de la Figure 3. 5 est complet. Il est cependant peu pratique du point de vue exprimental, puisquil est impossible pour un manufacturier de transistors davoir accs tous les nuds du modle de faon mesurer tous ses composants. Les manufacturiers utilisent le modle quadripolaire en h metteur commun de la Figure 3. 7, dont chacun des composants est mesur partir des trois seuls terminaux accessibles : la base, lmetteur et le collecteur. Dans cette configuration, la base est le terminal dentre, le collecteur est la sortie et lmetteur est commun aux deux, do la lettre e identifiant les trois paramtres : hie , hfe et hoe . Le Tableau 3. 1 prsente les composants du modle quadripolaire et indique leurs quivalences par rapport au modle petit signal complet de la Figure 3. 5.
ib B C hie hfe ib 1/hoe E C C

Figure 3. 7 Modle petit signal quadripolaire en h. Tableau 3. 1 Composants du modle petit signal quadripolaire en h. Symbole Nom Impdance dentre (i pour input) Gain en courant avant (f pour forward) quivalence = rB + rE + r r rB + rE << r = Remarque Mesur aux frquences moyennes lorsque XC et XC sont grands Peut tre utilis pour calculer gm ,

hie hfe hoe

dI C au point dopration DC dI B
1 1 ; ro + rC + rE ro

gm = hfe /hie
Mme remarque que pour hie

Conductance de sortie (o pour output)

rC + rE << r

3.4 Exemple de circuit : montage metteur commun

3.4.1 Polarisation
Nous allons maintenant mettre en pratique les quations et le modle dvelopp pour le transistor bipolaire en rsolvant lamplificateur de tension de la Figure 3. 8. Trouvons dabord le point dopration DC avant de calculer les composants du modle petit signal quadripolaire.

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

VCC = 15V RB1 2 K RC 4 K

vo
RL 5 K VA = -80V

vi
Co 0.1F Ci 0.1F RB2 1 K RE 4 K

= hfe =100

Figure 3. 8 Schma dun amplificateur de tension avec circuit metteur commun.

Les condensateurs Ci et Co sont utiliss pour isoler le circuit de polarisation DC form du transistor, RB1, RB2, RE et RC . De cette faon, aucun courant DC ne peut fuir vers lentre ou la sortie. Il faut dabord calculer le courant de base, IB . laide du circuit quivalent Thvenin vu de la base, la boucle dentre est rduite au circuit de la Figure 3. 9 o : RTh = RB1 || RB 2 = 666 (3. 9a)

VTh =

VCC RB 2 = 5V RB1 + RB 2
VCC = 15V IC IB RTh 666 V=0 IE RE 4 K RC 4 K

(3.9b)

VTh 5V

Figure 3. 9 Simplification de la boucle dentre de la figure 3.8 laide du thorme de Thvenin.

IB est alors dduit en appliquant la loi de Kirchhoff la boucle de tension. La solution demande de procder par itration puisque IE = IC + IB et que IC dpend de la tension VBE selon lquation (3.2). On peut toutefois simplifier le calcul en considrant la tension VBE de la jonction polarise lavant comme tant 0.7 V. Cette approximation nintroduit toutefois quune faible erreur puisque la relation exponentielle IC vs VBE indique quune grande plage de valeurs de IC peut tre obtenue pour une petite variation de VBE . Procdant ainsi, on trouve : 35

L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

VTh = I B RTH + VBE + I E RE

(3. 10)

IB =

VTh VBE = 10.6 A RTh + ( + 1) RE

Connaissant IB , donc IC ( IB), nous avons une premire valeur de notre point dopration. Il manque VCE , que lon peut dduire facilement en rsolvant Kirchhoff pour la deuxime branche du circuit de la Figure 3. 9 :

VCC = I C RC + VCE + I E RE
(3. 11)

VCE = VCC I B RC ( + 1) I B RE = 6.5V

VCE est plus grand que VCEsat (0.3V), indiquant que le transistor est bien dans la rgion active dopration. Il est maintenant possible de calculer les composants du modle petit signal quadripolaire laide des quivalences du Tableau 3. 1 et des quations (3.6), (3.7) et (3.8) respectivement:

hie =

VT = 2.36 K IB V A + VCE IC

(3. 12a)

1 hoe =

= 81.6 K

(3. 12b)

o le potentiel thermique, VT , utilis est de 25 mV, correspondant une temprature de 20oC environ.

3.4.2 Paramtres dynamiques

Avant demployer lamplificateur metteur commun de la Figure 3. 8, il faut dabord dterminer si ses paramtres dynamiques rencontrent les exigences de lapplication vise. Les trois paramtres importants de tout circuit amplificateur sont limpdance dentre, Zin , limpdance de sortie, Zout , et le gain A. Dans le cas de notre montage metteur commun, on sintresse au gain en tension, AV . On verra dans les chapitres venir, les autres types de gain. Redessinons le schma de la Figure 3. 8 en remplaant le transistor par son modle petit signal. La polarisation DC nous permet de faire cette transformation puisque nous venons de nous assurer que le transistor opre dans la rgion linaire. Le schma de la Figure 3. 10 reprsente maintenant le circuit vu par de petits signaux alternatifs. Du thorme de superposition, ces signaux se superposent aux tensions et courants continus. La source dalimentation DC devient donc une masse. Pour le calcul des paramtres de lamplificateur, on considre quil opre frquences moyennes, cest--dire des frquences o les ractances des capacits parasites du transistor sont grandes (circuit ouvert) et celles des capacits Ci et Co sont faibles (court-circuit). Cest pour cette raison quelles napparaissent pas dans le schma de la Figure 3. 10. On verra la prochaine section comment ces capacits influencent le comportement de lamplificateur.

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

Zin vi

transistor

Zout vo

hfe ib RB1||RB2 hie 1/hoe RC RL

RE

Figure 3. 10 Schma du circuit quivalent petit signal de lamplificateur metteur commun.

Calcul de Zin : Pour valuer limpdance dentre, Zin , une source de tension alternative idale est branche lentre. Dans un premier temps, on value limpdance lentre du transistor seulement, ZinTR , en rsolvant la loi des tensions de Kirchhoff pour la boucle de tension dessine la Figure 3. 11. Ici, on nglige le faible courant circulant travers la rsistance 1/hoe . Puis, ajoutant en parallle la rsistance quivalente branche la base, RB, on obtient Zin :
i ZinTR ib hfe ib

vo
hie 1/hoe RC RL

RB= RB1||RB2

RE V=0

Figure 3. 11 Schma du circuit utilis pour le calcul de Zin .

v = ib hie + ( h fe + 1)ib RE ZinTR = v = hie + ( h fe + 1) RE = 406 K ib Zin = ZinTR RB = 665

(3. 13)

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

Calcul de Zout : Le mme principe est employ pour dterminer limpdance de sortie vue par la rsistance de charge RL. Par contre, lentre est court-circuite de faon reprsenter lquivalent passif dune source de tension qui doit tre branche lentre lorsque lamplificateur est en opration. On remarque ici que le courant ib sort du transistor, la source de courant hfe ib doit respecter ce changement de direction. Le courant circulant dans la rsistance 1/hoe est, en principe, non-ngligeable, puisquil est la somme de hfe ib et ic . Pour simplifier les calculs, on dtermine dabord limpdance vue la sortie du transistor, ZoutTR, quon ajoute en parallle RC pour obtenir le rsultat final. De lquation des tensions de Kirchhoff et remplaant ib par le diviseur du courant ic , on dduit les quations (3.14) :
ZoutTR ib hfe ib ic

RB

hie

ic

1/hoe V=0

RC

RE

Figure 3. 12 Schma du circuit utilis pour le calcul de Zout .

v = (h feib + ic )1 hoe + ic

RE hie RE + hie

ib = ic

RE RE + hie

(3. 14)

Z outTR =

h R R h v = 1 hoe fe E + 1 + E ie = 4.73M ic RE + hie RE + hie Z out = Z outTR RC 4 K

Calcul du AV : Le calcul du gain en tension seffectue partir du mme circuit utilis pour dterminer Zin . Ici aussi on nglige le courant circulant travers la rsistance de sortie du transistor, 1/hoe , puisquil est faible compar hfe ib , de sorte que ic est approximativement gal hfe ib . De la Figure 3. 13, on dduit lexpression liant la tension dentre et de sortie aux courants, puis on obtient du rapport des ses deux tensions le gain en tension AV : 38

L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

vi = ib hie + (h fe + 1)ib RE vo = h fe ib RC RL Av = h fe RC RL vo = = 0.547 vi hie + (h fe + 1) RE

(3. 15)

Le signe moins indique que la tension de sortie est inverse par rapport la tension dentre. Notons la pitre conception de cet amplificateur qui attnue de prs de moiti la tension dentre. Toutefois, le gain peut facilement tre augment en diminuant RE. Ceci affecterait peu Zout puisque RC est beaucoup plus petit que ZoutTR. Par contre Zin en serait diminu.
ib hfe ib ic hie

vi

RB= RB1||RB2 V=0

1/hoe

RC

RL

vo

RE

Figure 3. 13 Schma du circuit utilis pour le calcul de Av .

3.4.3 Frquences de coupure

Les caractristiques de lamplificateur metteur commun calcules jusqu maintenant sont valables frquences moyennes, cest--dire pour des frquences du signal dentre comprises entre une frquence de coupure basse et une frquence de coupure haute. Ces frquences de coupure sont introduites cause des capacits disolation des tensions DC lentre, Ci , et la sortie, Co , et les capacits de jonction C et C du transistor. La Figure 3. 14 illustre le circuit quivalent de lamplificateur avec ces capacits.

vi

Ci

Zin C

ZinTR

C
hfe ib

Zout

Co

vo
RL

RB = RB1||RB2

hie

1/hoe

RC

RE Ci = Co= 0.1F C << C = 200pF

Figure 3. 14 Schma du circuit quivalent petit signal de lamplificateur incluant les capacits.

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

Les capacits Ci et Co sont places en srie avec le circuit damplification. Lorsque leurs ractances sont leves, basse frquence, elles empchent soit le signal vi datteindre le transistor soit le signal au collecteur datteindre la charge RL. Chacune de ces capacits forme, avec la rsistance se trouvant en srie avec elle, un filtre passe-haut. Pour Ci , la rsistance srie est limpdance dentre de lamplificateur, Zin , tandis que pour Co , cest la somme de limpdance de sortie, Zout , et RL. Ceci permet de calculer les deux frquences de coupure basses, fCBi et fCBo :

f CBi =

1 = 2.39 KHz 2Z inCi

(3. 16)

f CBo

1 = = 177 Hz 2 ( Z out + RL )Co

La frquence de coupure basse rsultante du montage est celle dont leffet de filtre passe-haut se fait sentir jusqu la frquence la plus leve donc fCBi . hautes frquences, la ractance des capacits internes du transistor, C et C deviennent de plus en plus faible et elles court-circuitent le signal arrivant la base. Elles ont donc un effet de filtre passe-bas. Pour effectuer le calcul, on suppose ici que C est beaucoup plus faible que C de sorte que leffet de C soit ressenti en premier. Nous verrons au chapitre 8 que le calcul de la frquence de coupure engendr par C est plus complexe car celle-ci court-circuite lentre la sortie de lamplificateur. Ce calcul est dailleurs facilit par lapplication du thorme de Miller. La rsistance en srie avec C responsable de la frquence de coupure haute, fCH , est compose de RB en parallle avec ZinTR, ce qui donne :
f CH = 1 2 ( Z inTR RB )C = 1.2 MHz

(3. 17)

Le graphique de la Figure 3. 15 illustre la rponse en frquence de lamplificateur metteur commun. Le gain aux frquences moyennes de 0.547 correspond au plateau de 5 dB environ compris entre les frquences de coupures fCBi et fCH . ces frquences, le gain est diminu de 3 dB par rapport sa valeur maximale. La plage de frquences comprises entre fCBi et fCH est appele la bande passante de lamplificateur.

AV (dB)
bande passante

-20 100 100 1K

fCBi

fCH
10K

100K

1M

10M

Frquence (Hz)
Figure 3. 15 Graphique de la rponse en frquence de lamplificateur metteur commun.

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L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

3.5 Exercices
NO 1 Pour chacun des circuits prsents aux figures 3.16 et 3.17, on considre = 5 et |VCE | = 0.7 V. Dterminez les valeurs des rsistances qui permettent dobtenir les caractristiques suivantes : IC = 5 mA |VCE | = 5 V
+ 10V
+ 10V

RE

RB

IC

RB

RE

IC RC

Figure 3. 16 Exercice 1 a)

Figure 3. 17 Exercice 1 b)

NO 2 Pour chacun des circuits montrs aux figures 3.18 et 3.19, exprimez Zin, Zout et AV en fonction des paramtres hie, hfe et hoe des transistors. On assume que ces derniers sont polariss en rgion active.
VCC

Zin
RB RC

Zout vout

vin

vin Zin Zout vout RE

RE VEE VCC

RC

RL

Figure 3. 18 Exercice 2 a)

Figure 3.19 Exercice 2 b)

41

L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

+ 12 V

NO 3 Le circuit prsent la figure 3.20 est un amplificateur metteur commun utilisant une polarisation par rsistance de base. Si lon suppose que : (1/hoe) est ngligeable Zin = 55 k AV = - 10 V/V Limite dexcursion positive (valeur crte) de vout = 6 V.
RE RB RC

vout

vin

= hfe = 100 VT = 25 mV VBE = 0.7 V

Dterminez les valeurs des rsistances.

Figure 3. 20 Exercice 3

NO 4
+12 V

Le circuit de la figure 3.21 alimente une charge de 2 k et il est conu partir de deux transistors bipolaires identiques ayant les paramtres suivants: hfe = 100, 1/hoe , VCE(sat.) = 0.3 V et un courant maximal de collecteur, ICmax , de 100 mA. Trouvez la valeur des rsistances du montage afin de polariser le circuit convenablement, tout en respectant les deux contraintes suivantes : a) La tension de sortie, vout , doit pouvoir atteindre une valeur de 10 V crte crte.

R1

RC Q2 Q1

vin

vout

R2

b) Le gain en tension du circuit, |Av|, doit tre dun minimum de 20 en valeur absolue. Note : Utilisez les valeurs de rsistances donnes dans le tableau suivant et considrez un potentiel thermique, VT, de 25 mV.

RE1

RE2

RL = 2k

Figure 3. 21 Exercice 4

42

L E

T R A N S I S T O R

B I P O L A I R E

NO 5 Le circuit prsent la figure 3.22 permet dtudier leffet de la rsistance dmetteur sur les caractristiques dynamiques et le point dopration dun circuit damplification metteur commun. a) Soit D le rapport entre la rsistance effective du rhostat et la valeur maximale de ce dernier. Exprimez alors AV en fonction de D. b) Exprimez Zin en fonction de D. c) Exprimez Zout en fonction de D.
20 k

+ 10 V

80 k

4.7 k

vout

vin

= hfe = 200 VA = -150 V VBE = 0.7 V VT = 25 mV

RVAR= 9 k

d) Comparez le point dopration et la plage de tension de sortie admissible pour D = 0 , D = 0.1, D = 0.2, D = 0.3, D = 0.4, D = 0.5 et D = 1. Considrez VCE(sat) = 0.3 V. e) Selon vous, pour quelle valeur de D se situe le point dopration le plus avantageux ?
- 10 V

1k

Figure 3. 22 Exercice 5

NO 6 La figure 3.23 montre un amplificateur base commune polaris par une source de courant relle ayant une impdance ZSC. La source de courant requiert au moins 1V ses bornes pour fonctionner correctement. a) Dterminez les valeurs de I, RC et RB qui polarisent le transistor avec un courant de collecteur de 1 mA et qui permettent une excursion symtrique crte de 7 V de la tension de sortie. Ne tenez pas compte de ZSC dans vos calculs (i.e. considrez ZSC = ). b) ZSC influence-t-elle la polarisation ? c) En vous servant les valeurs calcules en a), exprimez Zin , Zout et AV en fonction de ZSC. Utilisez VT = 25 mV lorsque ncessaire. d) Quel(s) avantage(s) procure une source de courant trs performante (i.e. ZSC trs grand) ? e) Rptez a) et c) en plaant la source de courant au collecteur (remplaant RC) et en posant une simple rsistance RE lmetteur.

+18 V

RB

RC

vout

= hfe = 50 VA = - 200 V VBE = 0.7 V VCE(sat.) = 0.3V

vin

ZSC

Figure 3. 23 Exercice 6

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