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Le transistor MOS

Chapitre

e transistor MOS, aussi appel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), a vu le jour en 1960, seulement un an aprs la ralisation du premier circuit intgr fait base de transistors bipolaires. Il a depuis domin lindustrie de la microlectronique en devenant le principal composant des circuits intgrs grande chelle (VLSI) et en permettant ainsi la croissance fulgurante, connue au cours de la dernire dcennie, du march des micro-ordinateurs et des tlcommunications. Il est de loin le composant semi-conducteurs le plus utilis aujourdhui et il est de plus en plus employ dans les domaines de llectronique de puissance et des micro-ondes, domaines qui taient auparavant lexclusivit du transistor bipolaire. Le transistor MOS est compos dune capacit MOS, telle que prsente au chapitre 4, dlimite par deux zones de semi-conducteur fortement dop, le drain et la source. En se rfrant aux notions vues au chapitre 4, nous allons dabord tudier les trois rgions dopration du MOSFET soient en rgion de coupure, linaire et de saturation. Par la suite, les diffrents types de transistors MOS et les modles grand et petit signal seront prsents. Finalement le chapitre se terminera par un exemple danalyse de circuit laide du modle petit signal.

5.1 Les rgions dopration du transistor MOS

5.1.1 Rgion de coupure
G S D

W N
+

z y

substrat-P canal
B

oxyde
x

Figure 5. 1 Schma tridimensionnel dun transistor MOS de type N.

Reprenant la capacit MOS rectangulaire avec substrat de type P vue au chapitre 4, le transistor MOS +

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est fabriqu en implantant sur deux cts opposs de la grille, des rgions fortement dops N+. La Figure 5. 1 illustre de faon conceptuelle un MOSFET en trois dimensions. Il possde quatre terminaux, la grille (G), le drain (D), la source (S) et le substrat (B de langlais Bulk). Cependant, on nutilise gnralement que trois terminaux : la grille, le drain et la source. En effet, le substrat est souvent reli la source. Les rgions du drain et de la source sont physiquement identiques, seule la direction du courant peut dfinir leurs rles. Les paramtres importants du transistor sont la tension de seuil, VTH , qui a t dfinie au chapitre 4, la longueur du canal de conduction, L, et sa largeur, W. La couche dinversion, vue au chapitre 4, devient, dans le cas du transistor MOS, un canal dit de conduction o circulent vers le drain les porteurs en provenance de la source.
(a)
S V GS G z lectrons type-N trous type-P x B
N
+

VG G y x ID

VD D
N
+

substrat-P
B

EC EV source oxyde silicium

y E

EC EF EV substrat-P source drain

x

EC

drain

(b)

8 6 ID (mA) 4 2 Q -2 0 2 4 6 VGS (V) 8 VTH

Figure 5. 2 (a) Reprsentation tridimensionnelle du diagramme des bandes dnergie dun MOSFET de type N en rgion de coupure VGS < VTH et (b) caractristique ID vs VGS du transistor.

Lorsque le transistor est en mode de coupure, aucun courant ne le traverse. Il existe deux faons doprer le MOSFET dans cette rgion, soit en ayant une tension de grille infrieure VTH , ou en ayant une tension drain-source, VDS , gale zro. La Figure 5. 2a) schmatise le MOSFET de la Figure 5. 1 selon le plan x- z gauche et le plan x-y droite. Le diagramme des bandes dnergie en dessous de la vue en plan x-z, correspond celui de la capacit MOS, tandis que celui de droite nous informe sur la position des 54

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bandes dnergie le long du canal dans le plan x-y. Entre les deux, le diagramme de bandes dnergie tridimensionnel rsultant y est prsent. Le diagramme de gauche montre quil ny a aucun lectron linterface oxyde-substrat puisque la capacit MOS est en rgime de dsertion ayant VGB = VGS = VFB , plus petite que VTH . Cet tat transpos dans le diagramme de droite se traduit par une barrire de potentiel entre les rgions du drain et de la source, toutes deux ayant une forte concentration dlectrons libres en raison de leurs forts dopages de type N. La Figure 5. 2b) indique la position du point dopration, Q, sur la caractristique du courant de drain, ID, en fonction de VGS . Elle indique que pour des valeurs VGS infrieures VTH , il na pas de canal de conduction, donc aucun courant de drain possible.
VG (a) S VGS G z lectrons type-N trous type-P
canal
+

VD ID D N
+

G x B N y x
substrat-P

qs = 2qF

EC EF EV E
source EC EF EV drain

x y
EC

(b)

8 6 VGS = 6V 5V 4 2 0 0 Q 2 VDS (V) 4 6 4V 3V 2V

ID (mA)

Figure 5. 3 a) Reprsentation tridimensionnelle du diagramme des bandes dnergie dun MOSFET de type N en rgion de coupure VGS VTH, VDS = 0 et b) caractristique ID vs VDS du transistor.

Mme si la tension VGS est gale ou plus leve que VTH , le transistor peut quand mme tre dans la rgion de coupure. Les schmas de la Figure 5. 3a dcrivent cette situation o VGS = VTH . Le diagramme de bandes dnergie de gauche de la capacit MOS indique la prsence dune couche dinversion, donc 55

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lexistence dun canal de conduction. Toutefois, en labsence dune tension VDS, les lectrons de la source, du drain et du canal nont aucune force lectromotrice provenant dun champ lectrique qui leur permettrait de se dplacer. Cet tat reprsent sur le diagramme de droite de la Figure 5. 3a), rend impossible ltablissement dun courant entre le drain et la source. Ce mode dopration est illustr graphiquement la Figure 5. 3b). On remarque, au point dopration Q, que pour VDS gal zro, ID est toujours nul quel que soit la tension VGS .

5.1.2 Rgion linaire

La rgion linaire correspond une zone dopration du transistor o pour une tension VGS fixe, la rsistivit du canal est constante. Le MOSFET opre dans cette rgion lorsquil y a un canal de conduction VGS VTH et pour une tension VGD VTH .
(a) xc S G VGS z lectrons type-N trous type-P qs = 2qF EC EF EV E x y EC EV
source canal

VG G x B N
+

VD ID D N
+

y x
substrat -P

qVDS
drain

(b)

8 VGS -VTH 6 4 VGS = 6V 5V

ID (mA) 2 0 0 2 VDS (V) 4 6

4V 3V 2V

Figure 5. 4 a) Reprsentation tridimensionnelle du diagramme des bandes dnergie dun MOSFET de type N en rgion linaire VGS VTH , 0 < VDS VGS -VTH et b) caractristique ID vs VDS du transistor.

La Figure 5. 4a) reprend les mmes conditions qu la Figure 5. 3a) sauf que dans ce cas-ci, la tension VDS est diffrente de zro. Le diagramme de bandes dnergie de droite devient alors pentu, d au champ 56

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lectrique cr par la tension VDS qui se rpartit uniformment le long du canal. Les lectrons sont donc attirs vers le drain ayant un potentiel plus positif par rapport la source. Le graphique de la Figure 5. 4b) dmontre en trait plein pour VGS = 5V, la rgion dopration linaire lorsque VGD VTH ou selon la relation quivalente: VGD = VGS + VSD = VGS VDS VDS VGS VTH (5. 1)

Le courant de drive obtenu dans le canal peut-tre dduit en utilisant la loi dohm sous sa forme explicite :
J = qno

(5. 2)

o J est la densit de courant, q, la charge lmentaire, n, la densit de porteurs, o , leur mobilit et E, le champ lectrique. Pour obtenir ID , il faut trouver le nombre de porteurs par seconde qui traverse un plan imaginaire du canal (plan x-z) perpendiculaire la direction du courant. Il suffit donc de multiplier J par lpaisseur du canal, xc , et sa largeur, W, puis, sachant que E est simplement le rapport de la tension VDS sur la longueur du canal, L, on obtient :
V I D = qnx c W o DS { L Q
I

(5. 3)

Le terme qnxc est en fait la densit surfacique de charge : QI (C/m2) lintrieur du canal. La relation (4.3), introduite la section 4.2.3, lie la tension aux bornes de la capacit doxyde, Cox , la charge contenue ses bornes. On sait que pour une tension de grille suprieure la tension de seuil, VTH , le potentiel de surface, s , reste identique, de sorte que la charge de la zone de dsertion, Qd , ne varie plus et toute la chute de potentiel a lieu aux bornes de Cox . Cest dire que toute variation de VGS au del de VTH contribue faire augmenter la charge de la couche dinversion, QI . De lquation (4.3) on obtient :
QI = Cox (VGS VTH )

(5. 4)

En ralit cette relation serait valable seulement si la tension aux bornes de Cox tait constante VGS sur toute la longueur du canal, ce qui est faux, puisquil y a une tension de drain. Cette tension de drain est de mme polarit que la tension de grille et elle diminue la diffrence de potentiel aux bornes de Cox . Il en rsulte que la concentration de porteurs de la couche dinversion dans la rgion du drain, sen trouve diminue. Une plus grande prcision serait obtenue sur QI en assumant que la tension drain-source se rpartit uniformment le long du canal :
y L y V ( y ) = VS + VD L L

(5. 5)

Ainsi on obtient une valeur moyenne, QI , en remplaant VGS de lquation (5.4) par VG V(y) et en intgrant sur toute la longueur du canal :

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QI =

Cox L

(V (V ( ( L y ) L ) + V
G S 0

( y L) ) VTH dy

(5. 6)

QI = Cox (VGS VTH

V DS ) 2

Insrant le rsultat (5.6) dans (5.3), on obtient la relation du courant de drain en rgion linaire :
V W I D = o Cox (VGS VTH DS )VDS L 2 1 4 24 3

(5. 7)

o la constante est employe pour regrouper les deux constantes relies aux matriaux de fabrication et les dimensions du MOSFET. Bien que selon la relation (5.7), le courant ID ne varie pas exactement de faon linaire en fonction de VDS (d au terme VD), cette rgion dopration tient son nom du fait quon nglige souvent le terme VD lorsquil est petit devant VGS VTH .

5.1.3 Rgion de saturation

Pour une tension de grille fixe, lorsque la tension de drain atteint une valeur telle que VGD devient plus petit que VTH , le canal de conduction disparat du ct drain. On dit quil y a tranglement du canal. Le diagramme de bandes dnergie de droite de la Figure 5. 5a) illustre ce phnomne. Il en rsulte que tous les lectrons atteignant la zone de dsertion drain-substrat sont immdiatement attirs par le drain comme dans le cas des courants de drive de la jonction PN. Il y a alors saturation du courant de drain puisque toute augmentation subsquente de VD ne fait que dplacer le point dtranglement. Le graphique de la Figure 5. 5b) montre en trait plein la rgion de saturation du MOSFET pour une tension VGS de 5V. On constate quau-del de VDS(sat.) = VGS VTH , le courant de drain demeure presque constant, en fait seule une faible pente subsiste sur la caractristique ID vs VDS. On verra la section 5.3, le phnomne physique responsable de cette pente. Tout comme le transistor bipolaire oprant en zone active, le transistor MOS en saturation se comporte comme une source de courant o lintensit est dtermine par VGS et est pratiquement indpendante de VDS. Il est facile dvaluer le courant de saturation partir de la relation (5.7). Ayant la source branche la masse, on a alors VD = VDS, et remplaant VDS de lquation (5.7) par sa valeur au point de saturation VDSsat = VGS VTH , on obtient :
ID =

(VGS VTH ) 2

(5. 8)

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(a)
S VG G z x
N
+

VG G B y x ID

VD D
N

substrat-P
B point dtranglement du canal qVDSsat

qs = 2qF

EC EF EV

EC
E x y

lectrons type-N trous type-P

canal EC zone dserte drain

(b)

8 VDS(sat.) = VGS -VTH 6 4

VGS = 6V 5V 4V 3V 2V

ID (mA)
2 0 0 2 VDS (V) 4

Figure 5. 5 a) Reprsentation tridimensionnelle du diagramme des bandes dnergie dun MOSFET de type N en rgion de saturation VGS VTH, VDS VGS - VTH et b) caractristique ID vs VDS du transistor.

5.2 Effet de la tension de substrat ( Body Effect ) et les quatre types de transistor MOS
5.2.1 Effet de la tension de substrat
Jusqu maintenant, dans les exemples que nous avons tudis, la source et le substrat taient toujours branchs au mme potentiel, soit la masse. Cette situation est commune lorsquon utilise des transistors MOS discrets o la plupart du temps on na accs qu trois terminaux, la source, le drain et la grille, ce qui implique que le substrat est branch par dfaut la source. Dans le cas de transistors MOS sur circuit intgr, il est vident que plusieurs transistors partagent le mme substrat et que plusieurs de ces transistors peuvent tre branchs en srie. Dans ces conditions, il est invitable que des transistors se 59

qVDS

EV source

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retrouvent avec une tension de source diffrente de celle du substrat. caractristiques courant-tension que nous venons de dfinir?

Quarrive-t-il alors aux

Intuitivement, on peut penser que lajout dune tension de substrat, VB , modifiera les valeurs de tensions de grille quil faut appliques pour obtenir les mmes caractristiques que lorsque VB =0. Cest effectivement le phnomne qui est observ et il se traduit par une variation de la tension de seuil VTH. Revenant au dveloppement de la tension de seuil de la section 4.2.3, la diffrence de potentiel entre le substrat et la source, VSB , sajoute la tension de surface, s , de sorte que les quations (4.4) et (4.6) deviennent :
+ VSB VFB ) (s + VSB ) Vox = (VTH wd =
2 s (s + VSB ) qN A

(5. 9) (5. 10)

est la nouvelle tension de seuil tenant compte de VSB. Remplaant (5.10) dans (4.5), puis injectant o VTH (4.5) et (5.9) dans (4.3), on trouve dans le cas dun transistor MOS de type N (substrat P) en gardant la mme condition de dbut de forte inversion, s = 2F :
= VFB + 2F + VTH 2 s qN A 2F + VSB Cox 1 4 24 3

(NMOSFET)

(5. 11)

et dans le cas dun transistor MOS de type P (substrat N) on obtient :

= VFB 2 F VTH 2 s qN D 2 F + VSB Cox 1 4 24 3

(PMOSFET)

(5. 12)

La constante , appele le body factor , dpend exclusivement des caractristiques du procd de fabrication du transistor et elle est utilise pour simplifier le calcul du changement de la tension de seuil lorsque VSB 0.

5.2.2 Les quatre types de transistor MOS

Le transistor que nous avons tudi jusqu maintenant est un MOSFET de type N enrichissement. Il existe trois autres types de MOSFET dont le MOSFET de type P enrichissement et les MOSFET de type N et P appauvrissement. La Figure 5. 6 prsente un tableau rsumant les caractristiques propres chacun de ces types ainsi que leurs symboles. La range du haut dcrit les transistors enrichissement. Ce qualificatif vient du fait quil faut enrichir le canal de porteur pour obtenir une conduction. En labsence de tension de grille (VGS = 0) le transistor est normalement ferm comme le montre la caractristique ID vs VGS . Une tension VGS ngative doit tre applique au transistor de type P pour obtenir un canal de conduction. Les mmes phnomnes physiques que ceux du transistor de type N sappliquent dans le cas du MOSFET de type P. 60

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Les seules diffrences proviennent du fait que le canal de conduction est form de trous, que lorsque le transistor conduit, la source est situe au potentiel le plus positif et que le courant sort par le drain. Les transistors appauvrissement, prsents la range du bas de la Figure 5. 6, doivent leur appellation au fait quils sont normalement ouvert VGS = 0, et quil faut appauvrir le canal en porteurs pour empcher la conduction. Comme le montrent les dessins des transistors, une mince couche de dopant (N dans le cas de NMOS et P dans le cas du PMOS) est ajoute linterface oxyde-substrat de faon obtenir un canal de conduction sans lapport de tension de grille. La tension de seuil est alors ngative dans le cas du transistor NMOS puisquil faut repousser les lectrons vers le substrat pour liminer le canal et elle est positive dans le cas du PMOS puisque le canal disparat en repoussant les trous vers le substrat.
canal-N (NMOS) ID Enrichissement (normalement ouvert) canal-P (PMOS) ID VGS

VGS G S B ID D S G B ID D

N type P

P type N

ID Appauvrissement (normalement ferm)

ID VGS

VGS G S B ID D S G B ID D

N type P

P type N

Figure 5. 6 Tableau rsumant les principales caractristiques des quatre types de transistor MOS.

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5.3 Modles dynamiques

Ayant acquis les connaissances de base ncessaires la comprhension des phnomnes physiques gouvernant le transistor MOS, il faut maintenant trouver un modle lectrique adquat de faon comprendre et concevoir des circuits lectroniques employant des MOSFET.

5.3.1 Modle grand signal

Le modle grand signal de la Figure 5. 7 est constitu principalement dune source de courant ID qui obit la relation (5.7) ou (5.8), selon que le transistor soit en rgion dopration linaire ou de saturation respectivement. On retrouve galement une diode la source et une diode au drain qui doivent tre polarises en inverse afin de les isoler du substrat et ainsi obtenir le fonctionnement voulu, de la structure, en transistor MOS. Loxyde servant disolant est responsable de la formation de quatre capacits distinctes. CGS0 et CGD0 , exprimes en F/m, sont les capacits grille-source et grille-drain de recouvrement, causes par le chevauchement de lisolant au-dessus des rgions dimplantation de la source et du drain. CS et CD , exprimes en F/m2, sont issues de la capacit grille-canal qui est divise en deux, CS ct source et CD ct drain. Cette division est ncessaire pour bien reprsenter tous les rgions dopration du MOSFET. Nous verrons quen mode de saturation, CS est diffrent de CD , d la disparition du canal dans la rgion du drain. Puis, il y a la capacit grille-substrat, CGB0, exprime en F/m, qui est forme par le chevauchement du matriel de grille au-dessus de loxyde de champ1 . Finalement le modle doit tenir compte de la rsistance des matriaux formant la grille, RG, la source, RS, le drain, RD et la rsistance du substrat, RB .

G S RS CGS0 CS DS RG
CGB0

D CD
CGD0 R D

ID (VGS,VDS,VSB)

DD

RB B
Figure 5. 7 Modle grand signal du transistor MOS de type N.

Ce modle est valable pour rsoudre des circuits comportant tout signal continu ou alternatif appliqu au transistor. Notez que la diode de drain, DD, et celle de source, DS, ne sont pas considres comme tant idales, il faut donc tenir compte de leurs capacits de jonction pour obtenir des rsultats plus prcis lorsque des signaux alternatifs sont employs. Pour la plupart des applications qui nous intressent, o le transistor MOS est utilis en rgion de saturation et o il agit comme amplificateur de petits signaux, le modle de la Figure 5. 7 peut tre simplifi en une version petit signal qui fait lobjet de la prochaine section.
1

Ne pas confondre loxyde de champ avec loxyde de grille utilis comme isolant dans la structure MOS. Loxyde de champ, quant lui, est beaucoup plus pais et de moindre qualit. Il est employ pour isoler latralement les transistors dun mme substrat.

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5.3.2 Modle petit signal

Le modle petit signal dvelopp dans cette section sapplique pour les transistors MOS oprant dans le rgion de saturation. Notons quil existe aussi un modle petit signal pour les rgions linaire et de coupure. Avant dutiliser le modle petit signal pour la rsolution dun circuit, il faut dabord sassurer que le transistor MOS opre dans la zone de saturation. Ceci est rendu possible par le biais de la polarisation DC, de la mme faon quil nous tait permis dutiliser le modle petit signal du transistor bipolaire aprs stre assur quil tait polaris dans sa zone active. La Figure 5. 8 prsente le modle petit signal du transistor MOS. Ce modle est valable autant pour les transistors de type N et de type P enrichissement et appauvrissement.
Cgd gm vgs G Cgs Cgb S
Figure 5. 8 Modle petit signal du transistor MOS.

id

Cdb

gmbs vbs rds B

Csb

Ce modle provient du quadriple en y, qui est utilis dans le cas des amplificateurs de transconductance, transformant une tension lentre en courant la sortie. Bien que ce modle sinspire du quadriple en y, traditionnellement la lettre g est employe par les manufacturiers pour exprimer les gains de transconductance. Le gain de transconductance caus par la tension de grille, gm , est donn par la drive du courant ID par rapport VGS au point dopration Q. De lexpression (5.8) on trouve :
gm = dI D dVGS = 2 I D
Q

(5. 13)

Puis de (5.11) et (5.13), on value la composante de transconductance due la tension de substrat, gmbs , lorsque vSB est diffrent de zro :
dI dV g mbs = D TH = g m 2(2 F + VSB )1/ 2 dVTH dVSB Q

(5. 14)

Les capacits du modle petit signal sont obtenues partir de celles du modle grand signal. On peut dduire Cgs et Cgd partir des capacits CGS0, CS et CGD0, CD:
2 Cgs = CGS 0W + CS = CGS 0W + CoxWL 3

(5. 15a)

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C gd = C GD 0W

(5. 15b)

o W est la largeur du canal et L est sa longueur. La Figure 5. 9 illustre le concept de longueur effective du canal. Nous avons vu quen saturation, la couche dinversion disparat du ct drain en un endroit du canal appel le point dtranglement. Le calcul de la charge totale sous le canal ct source en rgion de saturation donne le rsultat 2/3 CoxWL pour la valeur de CS dans lquation (5.15a). Par contre la capacit du canal ct drain, CD, est inexistante puisque, en saturation, il ny a pas de charge ct drain. Ainsi, la valeur de la capacit Cgd est fixe par la composante de capacit de chevauchement CGD0 comme le dmontre lquation (5.15b).
G S

VG

VD ID W

L Leff

substrat - P

point dtranglement

Figure 5. 9 Concept de longueur effective du canal dun transistor MOS.

Les capacits Csb et Cdb sont respectivement la capacit de jonction de la diode de source, DS, et de celle du drain, DD, illustres la Figure 5. 7. Elles peuvent tre dduites partir des tensions et des concentrations de dopant, tel que dmontr au chapitre 2. Finalement la capacit Cgb est calcule de CGB0 :
Cgb = CGB 0 L

(5. 16)

Les rsistances RG, RS, RD et RB ont typiquement une faible valeur denviron 10. Elles ne sont donc pas prises en compte dans le modle petit signal. Le dernier composant du modle, la rsistance drain-source, rds, modlise leffet de la variation du courant de saturation en fonction de VDS. Jusqu maintenant, nous avons assum quen rgion de saturation, les familles de courbe ID vs VDS sont plates. En ralit ceci nest quune approximation puisquune lgre pente existe comme le montre la Figure 5. 10. Cette pente est produite par leffet de modulation de la longueur effective du canal par la tension VDS tel que dmontr la Figure 5. 9. Lors de la dduction de la relation (5.3), nous avions assum que le champ lectrique E de (5.2) tait le rapport de VDS sur la longueur du canal L . Une relation plus exacte en mode de saturation devrait prendre en compte la longueur effective du canal, Leff , dans le calcul du champ lectrique tout en considrant une chute de potentiel de VDS(sat.) ses bornes, telle quillustre sur le diagramme de bandes dnergie de droite de la Figure 5. 5a). Logiquement, cest sur la longueur, Leff , quil y a une concentration de porteurs libres permettant lutilisation de la loi dOhm pour trouver lexpression du courant de drain (quation 5.2). Il est possible dinclure analytiquement leffet de la modulation de la longueur du canal en modifiant la relation (5.8) donnant le courant de drain en mode de saturation : 64

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ID =

(VGS VTH )2 (1 + VDS )

(5. 17)

o est une constante appel le facteur de modulation de canal, dont son inverse, 1, est quivalant la tension dEarly, VA , du transistor bipolaire. Grce la relation (5.17), nous sommes maintenant en mesure dvaluer la rsistance drain-source au point dopration Q :
dI D rds = dV DS
5 4 3 ID (mA) 2 1 0 0 2 4 VDS (V) 6 8 3V 2V VGS=5V

=
Q

(1 + VDS ) I D
idale relle

(5. 18)

4V

Figure 5. 10 Effet de la modulation de la longueur du canal sur la caractristique ID vs VDS.

5.4 Exemple de circuit : montage source commune

5.4.1 Polarisation
Ayant dvelopp les quations des caractristiques courant-tension ainsi que le modle petit signal du transistor MOS, nous allons maintenant appliquer cette thorie la rsolution du circuit amplificateur de la Figure 5. 11. Il faut dabord vrifier si le MOSFET de type N est polaris en rgion de saturation. On sait que la grille est isole du drain et de la source par une couche doxyde, le courant de grille est donc, toute fin pratique, ngligeable, ce qui nous permet dvaluer facilement la tension de grille :
VG = VDD RG 2 = 5.63V RG1 + RG 2

(5. 19)

On peut alors rsoudre la boucle de tension # 1 :

VG VGS I D RS = 0

(5. 20)

Remplaant ID de (5.20) par lquation analytique dduite en (5.8), on obtient une quation du second ordre en VGS qui nous donne deux solutions : VGS1 = 1.77 V et VGS2 = 2.21 V. Ces deux valeurs 65

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correspondent lintersection de la droite de charge que dfinie RS et lquation (5.8) donnant ID en fonction de VGS en zone de saturation. Le graphique de la Figure 5. 12 superpose la droite de polarisation, tire de lquation (5.20), de pente 1/RS, la parabole ID =f(VGS) du MOSFET en saturation. La valeur VGS1 obtenue nest bien sr pas valide puisquelle provient de la partie de la parabole en pointill qui nexiste pas physiquement puisquon sait quil ne peut y avoir de courant de drain lorsque VGS < VTH .
VDD = 15V RG1 1 M ID RD 3 K

= 100 mA/V2
VTH = 2 V = 0.003 V-1

vo
RL 100 K

vi

Ci Co 1 RS 1.5 K

RG2 600 K

Figure 5. 11 Schma dun amplificateur de tension avec circuit source commune.

Connaissant la valeur du point dopration VGS2, il est maintenant facile de dduire la tension de source, le courant de drain et finalement la tension VDS, de sorte que le point dopration soit entirement connu :
VS = VG VGS 2 = 3.42V ID = VS = 2.28mA RS

(5. 21)

VD = VDD I D RD = 8.16V

(VGS -VTH )2
2 ID (mA) 6 4 VG RS 2 0 2 VGS (V) -1/RS 4 VG

Figure 5. 12 Droite de polarisation du circuit de la figure 5.11 reprsente dans le plan ID vs VGS.

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Ainsi, on peut valuer la deuxime condition pour que le transistor opre en rgion de saturation, soit :
VGD = VG VD = 2.53V < VTH

(5. 22)

Il est maintenant possible de calculer les deux paramtres dintrt du modle petit signal, gm et rds , qui permettront de dduire les paramtres dynamiques du montage source commune. Des quations (5.13) et (5.18) et utilisant les rsultats des calculs (5.21) on trouve :
g m = 2 I D = 21.4 mA V

(5. 23a) (5. 23b)

rds =

(1 + VDS ) = 148 K ID

Notons que dans cet exemple, le paramtre gmbs est nglig puisque le substrat est connect la source, donc vbs = 0 en permanence.

5.4.2 Paramtres dynamiques

Ayant confirm que le MOSFET opre dans la rgion de saturation, il est maintenant possible de remplacer le transistor de la Figure 5. 11 par son modle petit signal de faon dduire les paramtres du montage source commune, soit limpdance dentre, Zin , limpdance de sortie, Zout , et le gain en tension AV . On sintresse ici aux valeurs de ces paramtres values aux frquences moyennes, cest--dire lorsque les ractances des capacits du montage, Ci et Co , agissent comme court-circuit et que celles des capacits internes du transistor agissent comme circuit-ouvert. Remplaant le transistor de la Figure 5. 11 par le modle petit signal de la Figure 5. 8 sans capacits, on obtient le circuit quivalent de lamplificateur source commune de la Figure 5. 13.

Zin vi

transistor

Zout vo

gm vgs RG1||RG2 RS

rds

RD

RL

Figure 5. 13 Schma du circuit quivalent petit signal de lamplificateur source commune.

Calcul de Zin : Nous savons que la grille du transistor MOS est isole du drain et de la source par un oxyde. toutes fins pratiques, il ny a donc pas de courant de grille, ce qui implique une impdance dentre du transistor infinie. Limpdance dentre du montage source commune devient alors : 67

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M O S

Z in = RG1 RG 2 = 375 K

(5. 24)

Calcul de Zout : Pour valuer Zout , on branche la sortie du montage, avant la charge, RL , une tension idale, v, que lon exprime partir de la boucle de tension de Kirchhoff dessine la Figure 5. 14. Ceci nous permet de dterminer dabord limpdance vue la sortie du transistor, ZoutTR, que lon ajoute en parallle RD pour obtenir le rsultat final. De la boucle des tensions on trouve :
v = (id g m v gs )rds + id RS

(5. 25)

o vgs peut tre remplac par -id RS, puisque vg =0, de sorte quon obtient limpdance de sortie du transistor :
Z outTR = v = (1 + g m RS )rds + RS = 4.90 M id

(5. 26)

Puis ajoutant la rsistance de drain en parallle, on obtient limpdance de sortie du montage :

Z out = Z outTR RD 3K
ZoutTR id g RG1||RG2 s RS id V=0 gm vgs rds RD

(5. 27)

Figure 5. 14 Schma du circuit utilis pour le calcul de Zout .

Calcul du AV : Reprenant le circuit de la Figure 5. 14, on applique cette fois-ci une tension vi lentre. La boucle de tension lentre nous permet dexprimer vi en terme des composants du circuit et du courant de drain et vo est simplement dduit en fonction du courant de drain. Puis, faisant le rapport vo sur vi on obtient le gain en tension AV :

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M O S

vi = vgs + id RS =

id + id RS gm

vo = id RD RL Av = R R vo = D L = 1.88 1 g m + RS vi

(5. 28)

Notons que le courant circulant dans rds est nglig puisque celui-ci est beaucoup plus faible que la composante gm vgs qui est en parallle avec rds . Cette approximation ne serait pas valide lors du calcul de Zout puisque le courant gm vgs ne circule pas dans la mme direction que celui circulant travers rds . Le signe moins indique que la tension de sortie est inverse par rapport la tension dentre. Notons que le gain peut facilement tre amlior en augmentant RD. Ceci augmenterait aussi Zout puisque RD fixe sa valeur tant quelle est environ dix fois plus petite que ZoutTR. Il faudrait cependant vrifier si la polarisation demeure adquate. Le calcul des frquences de coupure de lamplificateur seffectue de faon similaire ce qui a t dmontr au chapitre 3, section 3.4.3. Cet aspect ne sera donc pas dvelopp dans cet exemple. La section suivante prsente une autre contrainte qui limite le fonctionnement des amplificateurs soit les limites de lopration linaire.
g gm vgs rds s V=0 RS id

vi

RG1||RG2

RD

RL

vo

Figure 5. 15 Schma du circuit utilis pour le calcul de Av .

5.4.3 Limites de lopration linaire

Lorsque le signal dentre dun circuit amplificateur augmente, le signal de sortie ne peut augmenter indfiniment puisque les tensions et les courants maximaux disponibles en sortie dpendent des tensions et courants dalimentation qui ont des valeurs finies. La limitation provient du fait quau-del dune certaine valeur crte, les tensions de sortie de grande amplitude perturbent la polarisation du transistor, de sorte quil ne fonctionne plus dans la zone active ou de saturation, selon quon utilise un transistor BJT ou MOS. Ainsi, le circuit damplification prsente des dfectuosits comme la perte de gain et la gnration de bruit et de distorsion dans le signal. Nous allons reprendre lexemple du montage source commune et calculer les limites que peut atteindre la tension de sortie sans perturber les performances nominales de lamplificateur. Une faon pratique de rsoudre ce problme, consiste traiter sparment leffet de lalternance positive et ngative de la tension 69

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dentre sur le signal de sortie. Le graphique de la Figure 5. 16 prsente les niveaux de tension continue au drain, la source et la grille du MOSFET auxquels se superposent les signaux alternatifs gnrs par lapplication dune tension vi lentre. Selon le calcul du gain en tension, AV , la tension de sortie vo est inverse et lamplitude est diminue de moiti. Cette tension alternative se superpose la tension continue au drain, VD , pour donner une tension instantane totale vD . Lamplitude de vi peut crotre jusqu ce que la tension instantane vGD soit gale VTH . ce moment, le MOSFET nest plus en saturation et lamplificateur ne fonctionne plus correctement. En dcomposant vGD en ses composantes de tensions alternatives et continues, il est facile de trouver la valeur maximale que peut atteindre vo- dans lalternance ngative :
vGD = VG + vi (VD vo ) = VTH

(5. 29)

Exprimant vi en terme de vo- (vi = vo- /|AV|), on obtient :

vo =

VTH VG + VD = 2.96V 1 Av + 1

(5. 30)

En ce qui concerne lexcursion de lalternance positive de vo , vo+, on remarque sur la Figure 5. 16 quelle est limite par la diffrence de tension entre VD et VDD donc :
vo + = VDD VD = 6.84V

(5. 31)

Il est vident que lamplificateur ne puisse atteindre une tension de sortie plus leve que sa tension dalimentation. Il y a crtage lorsque la valeur instantane vD atteint VDD . Ainsi la tension maximale crte crte de sortie que peut dlivrer ce montage en source commune, tout en se comportant comme un amplificateur de tension linaire, est de deux fois la valeur la plus faible de vo-et vo+ soit 5.92V.

VDD vo+ VD vi VG VS
VTH

15V

vD
8.16V

vovG vS
5.63 V 3.42 V

t
Figure 5. 16 Illustration graphique des limites de lopration linaire de lamplificateur de la Figure 5. 11.

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5.5 Exercices
NO 1 Pour chacun des circuits prsents aux figures 5.17 et 5.18, on considre = 40 uA/V2 et |VTH| = 2 V. Dmontrez que les transistors sont saturation et calculez les courants de drain (nots ID). Ngligez leffet de VDS pour vos calculs.
+ 10 V
+ 10 V

ID

2k

2k

ID
Figure 5. 17 Exercice 1 a) Figure 5. 18 Exercice 1 b)

NO 2 Pour chacun des circuits montrs aux figures 5.19 et 5.20, exprimez Zin, Zout et AV en fonction des paramtres gm et rds des transistors. On assume que ces derniers sont en saturation.
VSS
VDD

RS vout vin Zin RG RD

RG

RD Zout vout

Zout
vin Zin

RS

Figure 5. 19 Exercice 2 a)

Figure 5.20 Exercice 2 b)

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VDDmin

NO 3 Les caractristiques de transistors portant un mme numro varient entre deux valeurs limites mesures par le manufacturier. Trouvez R1/R2, RS et VDDmin du circuit de la figure 5.21 de faon obtenir ID = 5 mA en tenant compte des valeurs limites des transistors. Une dviation maximale de ID de 10 % est tolre. Voici les caractristiques : 30 mA/V2 < < 180 mA/V2 0.8 V < VTH < 2 V
R2 RS R1 1k

ID

Figure 5.21 Exercice 3

NO 4 Le circuit montr la figure 5.22 est un amplificateur source commune utilisant Q1 comme charge active. a) Trouvez ID , VG et VD du transistor Q2 b) Trouvez gm1 , gm2 , rds1 et rds2. c) Calculez AV , Zin et Zout de cet amplificateur. d) Montrez que AV peut se rduire gm2/gm1. e) Trouvez les limites dopration linaire et dterminez la tension maximale crte crte que lon peut appliquer en entre sans avoir dcrtage en sortie.
3M vin

+5V

2M
= 320 uA/V2 VTH = -1 V = 0.004 V-1

Q2

vout

= 80 uA/V2 Q1 V = 1 V TH = 0.003 V-1

Figure 5.22 Exercice 4

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+ 12 V

NO 5 Le circuit prsent la figure 5.23 est un amplificateur de type cascode conu partir de deux transistors NMOS identiques dont les caractristiques sont donnes droite de la figure. a) Trouvez ID , VG1 , gm1 et gm2. b) Calculez AV , Zin et Zout.
vin Q1 50 k 3k

vout

200 k

+5V

Q2

= 1 mA/V2 VTH = 0.8 V = 0.0 V-1

Figure 5.23 Exercice 5

NO 6 Le circuit de la figure 5.24 est un amplificateur trans-rsistance (i.e. le gain est donn en V/A). Le premier tage, construit autour dun transistor NPN, agit comme amplificateur trans-rsistance ayant un gain Rm1. La sortie du premier tage est relie un amplificateur quasi-suiveur (i.e. AV << 1) MOS qui joue un rle disolation. Le courant lentre est alternatif et il est considr suffisamment petit pour permettre lapplication du modle petit signal. On suppose que les transistors possdent les caractristiques suivantes : r = 1 k hfe = 100 ro = 100 k. gm = 100 uA/V rds = 100 k
VCC VDD

50 k

1k

4k

1k

vout

iin 4k

Figure 5.24 Exercice 6

a) Dterminez Zin, Zout, et Rm1 de ltage dentre. b) Dterminez Zin, Zout, et AV de ltage de sortie. c) Calculez Rm, le gain de trans-rsistance total du circuit. 73