Electronico Unidad3

DG-TAM Oil Work & Service Autor: Ing. Martin Torres Fortelli http://torreselectronico.com http://www.yoreparo.com http://www.canalplc.com http://automatismosmdq.com http://www.clubdediagramas.
com http://www.ucontrol.com
UNIDAD 3
(Electrnica)
Curso de introduccin bsica a la Electrnica
ndice
1. Introduccin (Unidad 1) 2. Principios de la Electricidad (Unidad 1) 3. Leyes y Teoremas fundamentales (Unidad 1) 4. Magnetismo (Unidad 1) 5. Las Resistencias (Unidad 2) 6. El Condensador (Unidad 2) 7. Las Inductancias (Unidad 2) 8. El Diodo (Unidad 3) 9. Los Transistores (Unidad 3) 10. Los Amplificadores Operacionales (Unidad 4) 11. Introduccin a la electrnica Digital(Unidad 4) 12. Anlisis de circuitos(Unidad 5) Referencias - Bibliografa
4.El Diodo
No existe un modo de definir fcilmente el porque a algunos componentes se los llama pasivos y a otros activos, con absoluta precisin. Para definir perfectamente la cosa yo acostumbro a decir que los componentes pasivos son el resistor, el capacitor y el inductor con dos variantes que aun no conocemos llamadas transformador y autotransformador. Y los activos son los otros. Otros autores dicen que los componentes activos son aquellos que son capaces de excitar los circuitos o de realizar ganancias o control del mismo. Fundamentalmente son los generadores elctricos y ciertos componentes semiconductores. Estos ltimos, en general, tienen un comportamiento no lineal, esto es, la relacin entre la tensin aplicada y la corriente que circula no es lineal como en un resistor, un capacitor o un inductor. Los componentes activos semiconductores derivan del diodo de Fleming y del triodo de Lee de Forest. En una primera generacin aparecieron las vlvulas que permitieron el desarrollo de aparatos electrnicos como la radio o la televisin. Posteriormente, en una segunda generacin, apareceran los semiconductores que ms tarde daran paso a los circuitos integrados (tercera generacin) cuya mxima expresin se encuentra en los circuitos programables (microprocesador y microcontrolador) que nuestros alumnos ya conocen y que pueden ser considerados como componentes, aunque en realidad son circuitos que llevan en su interior millones de componentes.
Curso de introduccin a la Electrnica Modulo Mantenimiento Industrial
Autor: Ing. Martin A. Torres
En la actualidad existe un nmero elevado de componentes activos, siendo usual, que un sistema electrnico se disee a partir de uno o varios componentes activos que condicionaran el funcionamiento del circuito. Esto no sucede con los componentes pasivos. Dentro de los componentes activos mas importantes se pueden nombrar a los diodos en primer termino cuya funcin es rectificar y limitar las seales; luego los transistores cuya funcin es amplificar o controlar la corriente de un circuito; los amplificadores operacionales cuya funcin principal es amplificar pero que tienen otros usos como sumadores restadores, etc y por ultimo los circuitos integrados en general de los cuales existen versiones programables y no programables y que tienen un uso general. Analicemos el componente activo ms elemental que es el diodo. Esta palabra significa que tiene dos terminales. Los primeros diodos que se utilizaron fueron los diodos termoinicos que ya pertenecen a la historia de la electrnica. En lo que sigue analizaremos el diodo semiconductor de silicio y lo aplicaremos a un rectificador primero y la construccin de una radio elemental.
Observe que la recta representativa del comportamiento del resistor ocupa el primer y tercer cuadrante, que significa que a valores de tensin positivos (por ejemplo 2V) responde haciendo circular una corriente en el sentido positivo (2 mA); en cambio si se aplica una tensin negativa, el resistor cambia el sentido de circulacin de la corriente pero mantiene su valor absoluto. El grfico correspondiente a un capacitor conectado a una fuente de tensin de C.A. de frecuencia fija sigue un grfico similar. Por ejemplo el correspondiente a un capacitor de 1mF, a 1KHz se puede representar luego de calcular su reactancia capacitiva: Xc= 1/(2p x F x C) = 1/(6.28x103x10-6) = 103/6.28 = 1000/6.28 @ 159.23W
Representaciones Graficas
En la ciencia electrnica todo se representa en grficos del tipo X-Y (coordenadas cartesianas ortogonales). Un resistor puede ser representado en una grfica en donde se indica la corriente que circula por l en funcin de la tensin que se le aplica. En la siguiente figura, se puede observar como ejemplo el grfico correspondiente al resistor de 1Kohm.
Representacin de la reactancia capacitiva de un C de 1 uF a 1KHz
Observe que no representamos el valor negativo de las tensiones porque en una C.A. la tensin est cambiando constantemente y lo que representamos en el eje Y es el valor de pico de la seal. Del mismo modo se podra representar la grfica de la corriente por un inductor.
Representacin Grafica de un Diodo Semiconductor

Considere al diodo como un resistor cuya resistencia interna depende del sentido de circulacin de la corriente. En un sentido presenta un bajo valor de resistencia en tanto que en el sentido contrario presenta una resistencia muy elevada. Un grfico vale por mil palabras. El grfico de un diodo semiconductor se puede observar en la figura
Representacin de un resistor de 1K
Un sencillo circuito como el que presentamos en la siguiente figura, es perfectamente capaz de evitar la circulacin del semiciclo negativo de una seal de CA, transformndola en una CC pulsante tal como se puede observar con el osciloscopio de nuestro laboratorio virtual LiveWire.
Curva de un diodo 1N4148
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Como se puede observar al incrementar la tensin directa sobre el diodo no circula corriente hasta que se llega a una tensin de 0.6V en donde la corriente comienza a circular aumentando bruscamente. Es decir que despus de los 0.6V la curva corresponde a un resistor de bajo valor (unos 100 Ohm para el 1N4148). Por debajo de los 0.6V el diodo es casi un circuito abierto, es decir que posee una resistencia muy grande y muy variable diodo a diodo, llamada resistencia de fuga del diodo. A un valor muy alto de tensin inversa el diodo entra en la llamada tensin de ruptura; simplemente se produce un arco como el de la perforacin de un dielctrico y que para el diodo considerado es de aproximadamente 75V. Ese arco es destructivo y el diodo por lo general se transforma en un cortocircuito. Este tipo de grfico no es el nico posible de realizar. La eleccin de los ejes es evidentemente informal. Podra realizarse la curva usando el eje Y para representar la corriente y el eje X para la tensin. Cuando Ud. disea un circuito con resistores, capacitores o inductores por lo general no necesita la especificacin de los componentes. Pero cuando se utilizan componentes activos es necesario averiguar sus caractersticas a travs de la correspondiente especificacin (Data Sheet).
Conversor CA/CC
Circuitos con Diodos

Los diodos de silicio (que son los ms utilizados) se emplean como rectificadores (conversores de CA en CC), como limitadores de seal y como protectores de tensiones inversas.
Este circuito tal como est no sirve de mucho, ya que la seal de salida no es una continua pura (tiene aplicaciones en electrnica industrial porque una seal pulsante puede alimentar a un motor de CC tan bien como una CC pura). Para que el circuito se transforme en un verdadero conversor C.A./C.C., se debe agregar un componente que ya conocemos: el capacitor electroltico. Tome el circuito anterior; agregue un electroltico cada vez ms grande y observe el resultado sobre la forma de seal de la carga.
duracin depende del valor del capacitor electroltico. Como trabajo prctico virtual el alumno analizar el pulso de corriente por el diodo a medida que cambia el valor de C.
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Pulsos de corriente con C1 de valor elevado
-Circuito rectificador con Capacitor de 1 uF-
Pulsos de corriente con C2 de valor reducido - Capacitor de 4,7 uF - Capacitor de 100 uF -
Cmo funciona el Capacitor?

Consideramos primero un diodo ideal. El primer flanco ascendente carga al capacitor hasta el valor de pico ya que con el capacitor descargado el diodo siempre est en directa. Luego del primer pico el capacitor conserva la carga. Como la seal de entrada baja rpidamente, el diodo se abre y no se vuelve a cerrar hasta que aparece el siguiente pico positivo. Es decir que por el diodo circula un pulso de corriente muy corto cuya
Como usted podr observar que los pulsos de corriente tienen menor amplitud y mayor duracin a medida que el capacitor se achica y que el ngulo de circulacin de corriente es realmente muy pequeo (2,26 mS sobre 20 mS de periodo total en el primer caso). Tambin observar que el primer pulso de corriente es mucho mayor que los siguientes porque el capacitor est totalmente descargado. Luego el capacitor conserva una buena parte de la tensin de carga inicial y por lo tanto hay una doble contribucin hacia el
resistor de carga, a saber un pulso desde el generador y un valor uniforme desde el electroltico.
Cul es la aplicacin real de los conversores CA/CC?

Todos los dispositivos electrnicos, salvo los que tienen pilas no recargables, poseen una etapa llamada fuente de alimentacin que convierte la tensin de la red domiciliaria de 220/110V C.A. en una tensin de C.C. adecuada al dispositivo.
Otros Diodos Especiales

En realidad existen muchos tipos de diodos especiales para que cumplan con una funcin determinada. Aqu realizaremos una rpida recorrida por ellos en funcin de su uso comn.
Diodos rpidos: existen dos tipos caractersticos; los diodos rpidos de potencia y los diodos rpidos de seal. Los de potencia se utilizan en las modernas fuentes de switching que trabajan a frecuencias de hasta 500 Khz. y pueden manejar corrientes de varios amperes y tensiones de varios cientos de bolas. Los mas rpidos llamados diodos pueden llegar a velocidades de conmutacin similares a las de un 1N4148 pero conmutando varios amperes y a tensiones de algunos cientos de voltios. Luego vienen los diodos rpidos de seal incluyendo los diodos Schottky que tienen tiempos de conmutacin del orden de 1 nS o menos. El diodo Schottky llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1nS en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones de barrera. Diodos Zener: los diodos zener son diodos especialmente construidos como para que su tensin de ruptura ocurra a un valor relativamente bajo (1 a 40V) y que sea un valor muy exacto. De este modo el diodo se transforma en un regulador de tensin o fuente regulada de tensin con una gran cantidad de aplicaciones.
Estabilizadores Diodos Zener Conceptos Bsicos de Estabilizadores:

Continuando con el anlisis de Fuentes de Tensin continua nos encontramos con el siguiente bloque, el Estabilizador o Regulador de Tensin. La funcin de esta etapa es la de mantener constante la tensin en la carga, a pesar de las variaciones que se puedan presentar en el voltaje de ingreso, que como ya se han analizado en clases anteriores, pueden ser el resultado de la variacin de tensin en el secundario del transformador o variacin del voltaje de rizo en el condensador debido al aumento de corriente en la carga lo cual volva ms variable la tensin de rizo. Esto se puede apreciar de mejor manera en la siguiente figura:
Este es justamente el mayor problema de los reguladores lineales y por lo cual no son recomendados para trabajar a altas corrientes, ya que su calentamiento es excesivo. En aplicaciones de alta corriente son mejores los reguladores conmutados, como los utilizados para las fuentes de alimentacin en computadoras.
2. Tipos de Estabilizadores:
Existen una gran variedad de circuitos estabilizadores, de los cuales los ms populares son:
En cierta forma, el estabilizador podra ser visto como un recortador de tensin, ya que establece un lmite sobre el cual, cualquier variacin de tensin de ingreso no ser vista por la carga (es cortada), este lmite a su vez representa la tensin nominal que siempre ser entregada a la carga, sin embargo si la variacin de tensin es demasiado grande, que cruza el lmite hacia abajo, esta variacin si ser vista por la carga tal como se aprecia en la siguiente figura:
3. Estabilizador con diodo simple:
De acuerdo a lo anterior es necesario que el voltaje mnimo de ingreso sea mayor al lmite del estabilizador. En base a pruebas y experimentos se ha establecido como regla de diseo, que el voltaje mnimo de la seal de ingreso sea al menos 2 voltios mayor al voltaje de salida o lmite del estabilizador. Un voltaje mnimo muy alto es perjudicial para el estabilizador, esto se entiende mejor si nos damos cuenta de que el voltaje de ingreso que es cortado, no es desechado, si no que se queda en el estabilizador, por lo tanto produce disipacin de potencia en forma de calor. De esta manera si el voltaje cortado es muy alto, mayor ser el calentamiento del estabilizador.
Como se puede apreciar, el esquema de este estabilizador es bastante sencillo al igual que su funcionamiento, ya que se basa nicamente en las propiedades del diodo cuando este tiene polarizacin directa. Como se recuerda, cuando un diodo esta encendido, sobre el siempre aparecer un voltaje constante que puede ser 0,6 a 0,7V para diodos de silicio y 0,2 a 0,3 para diodos de germanio. De esta manera cualquier voltaje mayor al voltaje de umbral del diodo simplemente se quedar en la resistencia limitadora. Si se desea voltajes mayores de salida solo es necesario colocar diodos en serie.
Lamentablemente, este sistema tiene varias desventajas que lo hacen poco utilizado, tales como: El rango de error o incertidumbre en el voltaje de salida (ej. Es 0,6 o 0,7?) Si se requiere altos voltajes se necesitan muchos diodos en serie y an as el voltaje obtenido no ser el requerido (ej. Para obtener 5V: 8 diodos de silicio que dan 5,6V o 4,8V). La resistencia limitadora tiende a calentarse demasiado, cuando el voltaje mnimo es muy alto, por lo que se requiere que la resistencia sea de alta potencia (mayor tamao).
5. Estabilizador con diodo Zener:

En base a lo estudiado anteriormente a continuacin se presenta un estabilizador basado en un diodo zener:
4. Diodo Zener:
En esencia, un diodo zener es exactamente igual a un diodo comn como los que ya se han estudiado, es decir, pueden ser polarizados directa e indirectamente, tienen un voltaje de umbral (generalmente de 0,6V a 0,7V), corriente directa mxima, potencia de disipacin o temperatura de empaque y un voltaje de ruptura o voltaje zener. Es precisamente en esta ltima caracterstica en donde nace la diferencia. Un diodo Zener es construido de manera que el voltaje de ruptura no sea tan elevado si no ms pequeo de manera que pueda ser ms fcilmente alcanzable. Si se recuerda, en un diodo comn, cuando se sobrepasaba el voltaje de ruptura el diodo simplemente se quemaba por sobretensin, en el diodo zener al sobrepasar este voltaje no ocurre esto debido a dos razones: primero a la forma de dopar el material semiconductor y segundo por que las tensiones no son tan altas como antes (600V, 1000V, 13000V) En pocas palabras un diodo zener esta diseado para operar en polarizacin inversa. A continuacin se muestra la curva caracterstica de un zener junto con los parmetros de funcionamiento y su smbolo: Se puede comprobar que el 8diodo zener se encuentra en polarizacin inversa, de esta manera cuando el voltaje en el ctodo sea mayor que el voltaje de ruptura o voltaje zener, este se encender en forma inversa manteniendo constante el voltaje en sus terminales, de los cuales se alimenta a la carga. A diferencia del estabilizador con diodos simples, el diodo zener presenta un error mucho menor a la vez que provee una alta tensin sin necesidad de aumentar el nmero de diodos en serie, aunque tambin es posible colocar diodos zener en serie. Sin embargo, todava se requiere la resistencia limitadora para soportar el voltaje residual, por lo que tambin sufre los problemas de calentamiento ya mencionados. Para finalizar es necesario mencionar que tambin se pueden utilizar diodos simples en serie con diodos zener para alcanzar ciertos valores de tensin, siempre y cuando se respete la polarizacin de cada uno (Diodo P. Directa, Zener P. Inversa).
6. Valores ms utilizados en el clculo de Estabilizadores con Diodos Zener:

En el clculo de estabilizadores con diodos Zener, se mantienen exactamente los mismos parmetros utilizados para el clculo de un circuito rectificador con filtro, ms la adicin de los parmetros del diodo zener que se explican a continuacin y que pueden ser observados en la curva caracterstica: Voltaje Zener Nominal (Vz): Como su nombre lo indica, este es el voltaje al cual el diodo zener se enciende en polarizacin inversa y bajo condiciones de temperatura normales. Los zener viene para tensiones entre 1,8V y 200V. Este parmetro se usa de referencia para comprar el diodo zener.
Tolerancia: Similar a la utilizada para resistencias, nos indica el rango de error que se puede esperar en el voltaje zener nominal, son comunes tolerancias del 20%, 10%, 5% y 1% (ej. Un zener de 10V / 20% puede tener un voltaje zener entre 8V y 12V). Obviamente a menor tolerancia mayor costo. Intensidad Zener Mnima: A diferencia del diodo comn, el zener aparte de necesitar un voltaje mayor al de ruptura para funcionar, necesita una corriente mnima de encendido. Debido a la dificultad de obtener este valor se considera siempre que tiene un valor de 5mA (Ver calculo). Intensidad Zener Mxima (Izmx): Es la mxima intensidad que soporta el zener en polarizacin inversa. Este parmetro es muy importante ya que existirn ocasiones en que la carga sea desconectada, por lo que la corriente de la carga pasar al zener y si es demasiado alta, el zener se quemar. Potencia Disipada Mxima (Pz): Este parmetro es ms comnmente utilizado que la intensidad zener mxima y especifica la mxima potencia que puede disipar el empaque del zener en forma de calor. Los zener vienen en potencias entre 0.25W a 50W. Este es el segundo parmetro que se usa de referencia para comprar el diodo zener. Si la potencia calculada es muy alta se puede utilizar diodos zener en paralelo con el fin de dividir la corriente total, consiguiendo menos disipacin de potencia por zener.
- LOS RECTIFICADORES ONDA ONDA COMPLETA - FILTROS
El rectificador de Onda (fuente de alimentacin no regulada)

La corriente y voltaje que las compaas distribuyen a nuestras casas, comercios u otros es alterna. Para que los artefactos electrnicos que all tenemos puedan funcionar adecuadamente, la corriente alterna debe de convertirse en corriente continua. Para realizar esta operacin se utilizan diodos semiconductores que conforman circuitos rectificadores. Inicialmente se reduce el voltaje de la red (110 / 220 voltios u 9 otro) a uno ms bajo como 12 o 15 Voltios con ayuda de un transformador. A la salida del transformador se pone el circuito rectificador. La tensin en el secundario del transformador es alterna, y tendr un semiciclo positivo y uno negativo Polarizacin del diodo en sentido directo: Durante el semi ciclo positivo el diodo queda polarizado en directo, permitiendo el paso de la corriente a travs de l. Ver grfico.
7. Resumen de Formulas:
En las siguiente formulas el Voltaje Zener (Vz) es el voltaje de la carga debido a que esta, est en paralelo al diodo zener, es decir, ya no se utiliza ms el voltaje medio como el voltaje de la carga. Finalmente IRC representa la corriente en la carga:
Si el diodo es considerado como ideal, este se comporta como un cortocircuito, (ver grfico), entonces toda la tensin del secundario aparecer en la resistencia de carga. Polarizacin del diodo en sentido inverso: Durante el semi ciclo negativo, la corriente suministrada por el transformador querr circular en sentido opuesto a la flecha del diodo. Si el diodo es considerado ideal entonces este acta como un circuito abierto y no habr flujo de corriente, La forma de onda de salida de un rectificador de 1/2 onda ser como se muestra en la siguiente figura.
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La tensin de rizado
A la variacin del voltaje ( v ) en los terminales del condensador debido a la descarga de este en la resistencia de carga se le llama tensin de rizado. La magnitud de este rizado depender del valor de la resistencia de carga y al valor del capacitor.
Filtrado con capacitor (condensador): La tensin de salida del rectificador de 1/2 onda anterior (una onda pulsante) no muestra con claridad un voltaje en corriente continua que se pueda aprovechar (no es constante). Pero si incluimos a la salida de este y antes de la carga un condensador (capacitor), este ayudar a aplanar la salida. Cuando el diodo conduce (semi ciclo positivo) el capacitor se carga al valor pico del voltaje de entrada. En el siguiente semi ciclo, cuando el diodo est polarizado en inversa y no hay flujo de corriente hacia la carga, es el condensador el que entrega corriente a la carga (el condensador se descarga a travs de la resistencia de carga). El condensador al entregar corriente a la carga se descarga (disminuye el voltaje en sus terminales) Ver la figura
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En el semi ciclo positivo el transformador entrega corriente (a travs del diodo) al condensador C y a la resistencia RL, en el semi ciclo negativo es el capacitor el que entrega corriente a la resistencia (se descarga). Si el capacitor es grande significa menos rizado, pero an cumplindose esta condicin el rizado podra ser grande si la resistencia de carga es muy pequea (corriente en la carga es grande)
El rectificador de onda completa con transformador con derivacin central (fuente de alimentacin no regulada)
Este tipo de rectificador necesita un transformador con derivacin central. La derivacin central es una conexin adicional en el bobinado secundario del transformador, que divide la tensin (voltaje) en este bobinado en dos voltajes iguales . Esta conexin adicional se pone a tierra. Ver grfico
Durante el semi ciclo positivo (ver Vin color rojo) el diodo D1 conduce. La corriente pasa por la parte superior del secundario del transformador, por el diodo D1 por RL y termina en tierra. El diodo D2 no conduce pues est polarizado en inversa Durante el semi ciclo negativo (ver Vin color azul) el diodo D2 conduce. La corriente pasa por la parte inferior del secundario del transformador, por el diodo D2 por RL y termina en tierra. El diodo D1 no conduce pues est polarizador en inversa. Ambos ciclos del voltaje de entrada son aprovechados y el voltaje de salida se ver como en el siguiente grfico
La tensin de rizado: Si a RL se le pone en paralelo un condensador, el voltaje

de salida se ver como en la siguiente figura (lnea negra).
valor hasta llegar a su valor pico (valor mximo), pero cuando este valor desciende es el condensador el que entrega la corriente a la carga (se descarga). Si el capacitor es grande significa menos rizado, pero an cumplindose esta condicin el rizado podra ser grande si la resistencia de carga es muy pequea (corriente en la carga es grande) Nota: Hay que tomar en cuenta que el voltaje mximo que se podr obtener depender del voltaje que haya entre uno de los terminales del secundario del transformador y el terminal de la derivacin central
El rectificador de onda completa con puente de diodos (fuente de alimentacin no regulada)

El circuito rectificador de onda 12 completa de la figura que se muestra, es el que se utiliza si, lo que se desea es utilizar todo el voltaje del secundario del transformador (en el caso de un transformador con derivacin central). En el circuito con transformador con derivacin central, la tensin de salida depende de la mitad de la tensin del secundario A la variacin del voltaje (v) en los terminales del condensador debido a la descarga de este en la resistencia de carga se le llama tensin de rizado. La magnitud de este rizado depender del valor de la resistencia de carga y al valor del capacitor. Si se comparar este diagrama con su correspondiente de rectificacin de 1/2 onda, se puede ver que este circuito tiene un rizado de mayor frecuencia (el doble), pero es menor.
En cada semiciclo el transformador entrega corriente (a travs de los diodos D1 y D2) al condensador C y a la resistencia RL, Esto sucede mientras las ondas aumentan su
En este circuito con puente de diodos, los diodos, D1 y D3 son polarizados en directo en el semi ciclo positivo, los diodos D2 y D4 son polarizados en sentido inverso. Ver que la corriente atraviesa la carga RL.
del secundario del transformador disminuye a cero ("0") voltios, y el ciclo se repite. Ver las figuras.
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El semi ciclo negativo, la polaridad del transformador es el inverso al caso anterior y los diodos D1 y D3 son polarizados en sentido inverso y D2 y D4 en sentido directo. La corriente como en el caso anterior tambin pasa por la carga RL. en el mismo sentido que en el semi ciclo positivo.
La salida tiene la forma de una onda rectificada completa. Esta salida es pulsante y para "aplanarla" se pone un condensador (capacitor) en paralelo con la carga. Este capacitor se carga a la tensin mxima y se descargar en RL mientras que la tensin de salida
LAS VLVULAS TERMOINICAS

Un poco de Historia: El tubo fue inventado por el cientfico Britnico John Ambrose Fleming en el ao 1904, al utilizar una vlvula diodo (el diodo Fleming) para pasar corriente alterna a corriente directa (proceso de rectificacin). Muchos intentaron mejorar este diodo, pero no lo lograron hasta que en 1907, un inventor de Nueva York, Lee de Forrest patent, el mismo diodo que Fleming, slo que con un electrodo ms, creando el primer amplificador electrnico verdadero, "El Triodo". Despus vino el Ttrodo, el Pntodo y ms, en muy diferentes versiones. Desde esta fecha hasta los aos 60 su desarrollo fue continuo. Veamos algunos de los smbolos los de algunos tipos de tubos (son muchos ms):
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5. Transistores
vlvula diodo Fueron muy utilizados en las dcadas de los 50 y 60 previos a la invencin del famoso y ya mencionado transistor. Si quiere ver algn n tubo, lo puedes encontrar en antiguos equipos de sonido, radios y televisin, que no est en uso. Los transistores, con su bajo consumo de energa y pequeo tamao pueden utilizarse en equipos electrnicos porttiles que funcionaran con pilas (bateras), algo muy difcil de obtener con los tubos, cuyas desventajas son: su tamao y su alto consumo de energa. Pero a partir de los aos 90 los tubos volvieron a hacer su aparicin (en forma evidente). os est nuevamente tomando Pero, qu virtudes tiene el tubo para que hoy en da se los en cuenta? El tubo se puede utilizar para salidas de alta potencia en equipos de audio, amplificadores de guitarra, etc. Adems si alguna vez ha visto un diagrama de un amplificador de tubos se habr dado cuenta que son mucho ms sencillos que uno similar de transistores y tienen una calidad de sonido superior a un equipo de alta fidelidad actual. Adems de que hay grandes cantidades de tubos totalmente nuevos en existencia para la venta y pases como Rusia, China y algunos pases del este de Europa an los siguen fabricando, as que, hay tubos para rato. Pronto en nuestra seccin de tutoriales de electrnica habr informacin sobre el funcionamiento de un tubo o vlvula.
trodo
pentodo
Los transistores han facilitado en gran an medida el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatibilidad y facilidad de control. Estos vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas.
Gracias a los transistores se pudieron hacer equipos porttiles a pilas u bateras, ya que los aparatos valvulares, trabajan a tensiones muy altas, y tardaban en su momento hasta 30 segundos en empezar a funcionar. El transistor es un elemento electrnico con tres terminales, formado por tres capas de material semiconductor que alternan el dopado tipo N y tipo P. Segn la conformacin de estas tres capas de semiconductores (que son cristal), nos podemos encontrar con dos tipos de configuraciones, o mejor dicho, nos podemos encontrar con dos tipos de transistores... Los transistores NPN, y los transistores PNP.
Principio de funcionamiento de un transistor

Para que un transistor funcione correctamente, deben aplicarse unas tensiones continuas a sus terminales. Si mediante una fuente conformada por dos bateras aplicramos unas tensiones positivas a la base y al colector de un transistor NPN, respecto del emisor y la base respectivamente, el diodo PN formado por la base y el emisor, estar polarizada directamente produciendo una corriente "Base-Emisor"; En el caso de los transistores PNP, seria la inversa.
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Vista de las capas de composicin en un transistor NPN y un transistor PNP
Vista de distintos tipos de encapsulados de transistores
Seria de esperar que esta corriente de electrones que salen del emisor lleguen ntegramente a la base y drenen por ah, pero esto no ocurre as, dado que en este caso son atrados por la tensin positiva del colector, as que podemos decir que la mayora se dirige al mismo; Para acentuar este efecto producido, la base se construye poco dopada y muy estrecha, osea, se aplica una pequea corriente, para poder mover una mayor. Veamos una comparacin de un caso de la vida real para acentuar ms la idea del principio de funcionamiento de los transistores... Tratemos de Imaginar un tanque de agua con tres compartimentos internos separados entre si por dos compuertas mecnicas
A estos compartimentos, los llamaremos Emisor - Base - Colector
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El emisor y la base de un transistor, constituyen un diodo, al cual corresponde la vlvula D1, El colector y l base del transistor, constituyen otro diodo, comportndose en los montajes como lo hace la compuerta D2. Una pila P1 a la cual correponde la bomba P1, esta conectada entre la base y el Emisor del transistor. Una pila P2 a la cual corresponde la bomba P2, esta conectada entre el emisor y el colector del transistor
Estudiemos ahora detenidamente el funcionamiento del mecanismo donde funciona P1 y P2.

En la Base de los compartimentos Colector y Base, se encuentra una compuerta a la cual llamaremos D2. Puede subir y bajar, gracias a un dispositivo mecnico mandado por la otra compuerta (D1). Una bomba P1 comunica Base con Emisor. No gira mas que en un solo sentido, aspirando el agua del Emisor e introducindolo en Base. Una bomba P2 comunica con Colector y Emisor, no gira nada mas que en un solo sentido, aspira agua de Emisor y la introduce en colector. Decimos que el sistema hidrulico presentado es el equivalente al funcionamiento de un transistor, porque un transistor es la asociacin de tres elementos unidos que se denominan Emisor, Base y Colector, a las cuales corresponde los tres compartimentos descriptos en el ejemplo anterior. Cuando la bomba P1 no gira, la compuerta D1 esta cerrada y D2 lo esta tambin. Si la bomba P2 gira, ninguna circulacin se produce en el recipiente, porque hay dos compuertas hermticas entre los compartimentos Colector y Emisor. Cuando la bomba P1 gira, aspira agua de Emisor y la introduce en hacia el compartimento Base, cambiando todo, pues la presin del liquido en base, ejerce una presin sobre la compuerta D1 y la abre. En el mismo instante, por el mecanismo que tenamos entre las dos compuerta, D2 se eleva y as como esta ofrece su apertura, P2 hace circular el liquido de Colector hacia Base y despus hacia Emisor.
La corriente que circula entre Colector y Emisor bajo la accin de la bomba P2, es siempre una corriente intensa porque la compuerta abre la entrada a una gran circulacin de agua. Se puede entonces mandar una gran corriente por medio de una pequea bomba: P1 es una bomba de mando, pues ella abre la compuerta D2. P2 es una bomba de alimentacin, por que ella hace circular el agua.
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La corriente que circula entre Base y Emisor bajo la accin de la bomba P1, es siempre
una corriente dbil por que no hay esfuerzo que desarrollar para elevar la compuerta D2 Esto mismo es un transistor; La corriente intensa que circula entre colector y emisor bajo la accin de la pila P2, es mandada por una corriente dbil que circula entre base y
emisor, bajo la accin de la bomba P1. P1 es llamada pila o fuente de polarizacin y P2 pila de alimentacin. El transistor, nos permite gobernar y o digir grandes cosas, con pequeas cosas
Amplificacin
Coloquemos una pequea bomba Alterna en el circuito de P1 y la llamaremos P1. Su pistn interno, se mueve tanto en un sentido, como en el otro, tal como se muestra en la figura Con esta accin, la bomba alterna refuerza y disminuye la accin de P1 alternativamente.
La corriente que va de C (Colector) hacia E (Emisor) bajo la presin de la bomba P2, aumenta tambin cuando la compuerta D2 se eleva y disminuye P2 cuando D2 baja. La bomba P1 gracias al mecanismo acta sobre un circuito en el cual no esta directamente colocada. Ella hace aumentar o disminuir la corriente debido a P2, Como lo hara una Bomba P2 mucho mas importante colocada en el circuito de la bomba P2. Decimos mucho mas importante, por que las dbiles variaciones de corriente de mando se traducen, gracias a este mecanismo por variaciones semejantes pero mas grandes de las corrientes debido a P2; Esto es exactamente lo mismo que ocurre en un transistor. Se pueden obtener variaciones muy importantes de corrientes, debidas a P2, partiendo de variaciones semejantes, pero mucho mas dbiles que una corriente debida a P1. Para hacer esto, se utiliza una bomba alternativa P1 que se coloca en el circuito de P1. Este Montaje es llamado AMPLIFICADOR, y el trabajo que se efecta de esta forma 18 se llama AMPLIFICACION. En la vida real, la bomba alterna de mando puede ser por ejemplo la cabeza de lectura de un toca-disco, o la antena de un aparato de radio. Esta bomba, gracias al transistor, puede mandar corrientes relativamente importantes; Gracias a tan solo esto, se puede hacer vibrar por ejemplo la placa de un auricular o bien la membrana de un parlante. Ahora, introduzcmonos un poco mas en la practica real, y observemos detenidamente un esquema de una etapa de amplificacin. Componentes: Un transistor (Q1) Dos resistencias (R1 y R2) Dos Capacitores (C1 y C2) Una Bomba alterna (P1 - que puede ser la salida de nuestra radio u cualquier mp3 porttil) Una parlante Una fuente de 9Vcc
La compuerta D1 (la situada entre el E-B), sigue todas estas variaciones por que la corriente que lo eleva, unas veces aumenta, y otras disminuye. La compuerta D2 hace exactamente la misma cosa, sube y baja alternativamente.
R1, R2, C1 y C2, son las novedades en este montaje En el ejemplo de amplificacin anterior, no tenamos un parlante, ya que era un sistema Hidrulico. En el esquema que presentamos en modo novedoso, notamos que la Bomba P1 a desaparecido Estas novedades y supresiones, son toda la diferencia del esquema del principio, con el esquema del plano real Pero in dar mas vuelta, volvamos nuevamente al circuito del plano real
colector, la base y el emisor del transistor, para volver al polo positivo de P2. Este, pues, es el circuito gobernadoObservemos el siguiente esquema
Los circuitos:
Busquemos los caminos tratados por los electrones bajo la accin de las dos bombas del montaje, P2 y P1Comencemos en principio por P2. A_ En el siguiente esquema, vemos el Circuito de Mando
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Pasemos ahora a P1 dentro del circuito gobernado a) Circuito Gobernado: P1 una bomba alterna que sacude a los electrones en el circuito base-emisor del transistor a travs del condensador C1.
Donde los electrones parten del polo Negativo de la fuente, atraviesan R2 y R1, despus el espacio Base Emisor del transistor y retornan al polo Positivo de nuestra fuente. Esta corriente que circula entre Base y Emisor, es pues, la corriente de mando del Transistor; Esto Prueba que P1 no es Indispensable, ya que como notamos en este caso, lo reemplazamos por P2. La resistencia R1, es la que le da a P2 esta posibilidad, ya que su posicin permite a la corriente de mando circular; Su valor natural es muy grande, por tanto, esta resistencia moderadora permite la circulacin de los electrones y obtiene por consecuencia la dbil corriente de mando deseada (Recordemos que el transistor tiene como caracterstica y consigna, mover grandes corrientes, con el empleo de otras pequeas corrientes). B_ Circuito Gobernado Si circula una corriente entre base y emisor, el transistor conduce. Los electrones a la salida de R2 pueden, pues, no solamente pasar por R1, si no que tambin atravesar el
Ella, pues, unas veces refuerza y otras disminuye la corriente que circula entre la base y emisor del transistor. b) Circuito Gobernado: Gracias al mecanismo del transistor, la bomba P1 hace aumentar o disminuir la corriente que atraviesa el colector, la base y emisor del transistor.
El resultado es cargas y descargas sucesivas del condensador C2, que produce una corriente alterna en el circuito del parlante. Por tanto, P1 acta sobre los electrones y el parlante, como lo hara una bomba P2, mucho importante que se colocara directamente en su circuito. Cuando P1 es demasiado dbil, son necesarias varias etapas de amplificacin. El transistor Q1 entonces no estara al servicio directo dl parlante, si no que al servicio de un segundo transistor. En este caso, el parlante es reemplazado por el espacio baseemisor del que seria el segundo transistor (Q2).
Polarizacin del Transistor

Internamente, podemos observar que el transistor esta compuesto por dos diodos, segn su juntura, podremos decir si es un transistor NPN, o un transistor PNP.
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Para comprender el funcionamiento de estos semiconductores en modo de corte y saturacin, recordemos que al principio de este capitulo, les mencione que transistor debe polarizarse para su funcionamiento; osea, la base se construye poco dopada y muy estrecha. La imagen 1, muestra una tpica polarizacin utilizando slo una fuente de tensin Vcc., RB1 y RB2 son las llamadas resistencias divisoras de base, y Rc la de colector.
Nuestra etapa de amplificacin en pleno trabajo (Simulacin en LiveWire)
En este caso no se coloc ninguna resistencia en el emisor. La salida se toma, en este caso, del colector (cuando lleguemos al modo de
funcionamiento MAD, veremos que la salida puede ser tomada de cualquiera de los terminales, y de esto depende el nombre de la configuracin: colector comn, emisor comn o base comn). Para saber en qu punto esta funcionando el transistor, es decir qu valor tiene IC y qu valor tiene VCE, se realiza un anlisis llamado esttico o anlisis de continua, haciendo referencia a que slo se tiene en cuenta las fuentes de alimentacin de continua.; Para ello se recorre la malla de salida:
Entonces, como dijimos, de la interseccin de la curva y la recta, se halla el punto de funcionamiento del transistor. Este punto es llamado punto Q o punto de trabajo del transistor, y para dicho punto obtendremos un ICQ y un VCEQ, correspondiente a la corriente de colector y la tensin entre colector emisor a la cual se esta trabajando. En el grfico anterior se muestran diferentes puntos posibles de trabajo (Q1, Q2, etc.) Recordando lo expuesto en la entrega anterior, vemos que, si el transistor se encuentra trabajando en el punto Q1, su funcionamiento es en modo saturacin, de Q2 a Q4 en MAD y Q5 en corte.
Parmetros Se define el parmetro a una constante proporcional y como a la relacin = Ic/Ib es decir IC=.Ib En la practica, puede valer entre 50 y 300 y llegar a 1000 en algunos transistores, 21 es decir, la intensidad del Colector (Ic), es unas veces mayor que la intensidad de Base (Ib) y proporcionalmente a la misma. Las curvas mas interesantes del transistor, son las de salida. En el siguiente grafico, esta la representacin de la intensidad de colector en funcin de la tensin ColectorEmisor (VCE) para diferentes valores de intensidad de base (Ib). En la practica, "" puede valer entre 50 y 300 y llegar a 1000 en algunos transistores, es decir, la intensidad del Colector (Ic), es unas veces mayor que la intensidad de Base (Ib) y proporcionalmente a la misma. Las curvas mas interesantes del transistor, son las de salida. En el siguiente grafico, esta la representacin de la intensidad de colector en funcin de la tensin Colector-Emisor (VCE) para diferentes valores de intensidad de base (Ib).
VCC= Ic . Rc + Vce sta frmula representa una recta, y es llamada Recta de carga esttica. Dibujamos sta recta, en el grfico ya visto de IC (corriente de colector) en funcin de VCE (tensin colector emisor). De la interseccin de dicha recta y las curvas, obtenemos el punto de funcionamiento del transistor. Los puntos de la recta que cortan los ejes son:
Ahora se preguntaran, que significa y que son la saturacin, corte, etc? *Zona Activa: En ella para cada intensidad de BASE, resulta una intensidad de colector (Ic) veces mayor, mantenindose sensiblemente constante la tensin Colector-Emisor. La zona activa funciona como amplificador. Para que el transistor funcione correctamente, debe mantenerse su funcionamiento dentro de esta zona. *Zona Saturacin: Al entrar en esta zona, la intensidad de colector se dispara convirtindose el transistor en un circuito cerrado, osea que cuando por la base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre colector y emisor, se comporta como un interruptor cerrado; De esta forma se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el colector. *Zona de Corte: En esta zona la intensidad de colector se anula y el transistor se comporta como un interruptor abierto. Vindolo de esta manera, el diodo formado por la corriente Base-Colector tiene una intensidad menor a la del Emisor; No circula intensidad por la base, por lo que la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera o fuente. *Zona Prohibida: En ella, el producto de tensin por intensidad supera la potencia mxima tolerable por el transistor, osea que cuando se llega a esta zona, se puede llegar a destruir el transistor.
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Calculo para mtodos de polarizacin

Hay diversas maneras de polarizar a un transistor, en este curso, veremos solo alguna de ellas y aprenderemos como realizar el calculo de polarizacin para un correcto funcionamiento. Recordando que para que un transistor opere normalmente la unin base-emisor, debe tener polarizacin directa, en cambio, la unin base-colector debe de tener polarizacin inversa. Nuevamente, recordemos la recta de carga citada anteriormente...
Como ya sabemos, la recta de carga es una lnea diagonal, que se dibuja sobre la curva de salida del transistor, y que indica los extremos de operacin del mismo. Cada uno de los puntos de esta recta, posee como coordenadas un valor de corriente de colector y un voltaje colector-emisor, los cuales a su ves definen el valor de los componentes a ser utilizados en el circuito de polarizacin.
Las principales formulas a memorizar son:

Vbe= 0,6v a 0,7v (esto es dependiendo si el transistor si es de cilicio o germanio. Esto se puede saber en la misma hoja de datos del semiconductor) Ic= Ib . Hfe Ie= Ib + Ic
Tenemos...
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Antes de proseguir con lo que resta de la unidad, tendremos que ordenar e intentar tener en claro los conceptos bsicos que vimos anteriormente. Mas que nada, para que al continuar con esta seccin, se sigan sumando conceptos e ideas y no todo lo contrarioConfusiones.
Amplificador a transistor configurado en modo EMISOR COMUN

Para que una seal sea amplificada, como ya sabemos, esta seal entrante debe de ser alterna. La alterna entrante (en los ejemplos anteriores lo introduca la bomba P1), es la seal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto de operacin del amplificador. Este punto de operacin permitir que la seal amplificada no sea distorsionada. Veamos el diagrama de circuito correspondiente a un amplificador transistorizado, en configuracin EMISOR COMUN
El punto de operacin en corriente continua, esta sobre la lnea de carga de las curva del transistor. Hay dos casos extremos, cuando el transistor esta en SATURACION (ICmax), y cuando esta en corte (IC0). Si la seal de entrada es muy grande, se recortara los picos positivos y negativos de la seal de salida. El capacitor C1, activa bloqueando la corriente continua de la seal entrante; El capacitor C2, es el condensador de derivacin. La resistencia RE, es una resistencia que aumenta la estabilidad del amplificador, pero que tiene el gran inconveniente que es muy sensible a las variaciones de temperatura (causar cambios en la corriente de base, lo que causara variaciones en la corriente de emisor); Causando una disminucin en la ganancia de corriente alterna, lo que justamente no es deseable. Para resolver el problema, e pone C2 en paralelo con la resistencia RE, que funcionara como un corto circuito para la corriente alterna, y un circuito cerrado para la continua.
26 Amplificador a transistor configurado en modo SEGUIDOR EMISOR

El amplificador seguidor emisor, tambin llamado COLECTOR COMUN, es muy til pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja. La impedancia de entrada alta es una caracterstica deseable en un amplificador, pues el circuito que lo alimenta no tiene que entregar mucha corriente y asi cargarlo, cuando le pasa la seal que desea amplificar.
Tensin de Seal de Salida Vout= Ic . RC = . Ib . RC = hfe . Ib . RC La ganancia de Tensin Vout / Vin = -RC/Zin La ganancia de Corriente (Vout . Zin)/(Vin . RC)= Ganancia de voltaje . Zin/RC La ganancia de Potencia Ganancia de Voltaje. Ganancia de Corriente Zin = es la R equivalente de R1 y R2 y hie (impedancia entrada del transistor) = hfe (son los parmetros propios de cada transistor)
La base esta conectada a dos resistencias (R1, R2), etas forman el divisor de tensin necesaria para establecer la corriente de polarizacin de la base.
Como pueden ver en el esquema superior, no tiene RC, y la salida esta conectada a RE. El voltaje de salida sigue el voltaje en el emisor, solo que es de un valor ligeramente menor (0.6 Voltios Aproximadamente). - Ve= Vb 0,6Vcc - La ganancia de Tensin Av = Vout /Vin = Ve / Vb - Impedancia de Entrada Zin = ( + 1) . RE
Amplificador Contrafasico
Un amplificador emisor comn se utiliza para amplificar seales pequeas. Cuando la seal de entrada es grande y o que se desea es ampliar la capacidad de entrega de corriente, se utiliza un amplificador transistorizado en configuracin CONTRAFASICO o PUSH-PULL (Amplificador de Potencia). Este amplificador eta constituido por dos transistores. Uno NPN y otro PNP de mismas caractersticas.
La seal entrante, entra en ambos transistores; El transistor Q1 tendr polarizacin directa en los semiciclos positivos y a travs de R1 aparecer una seal que sigue la entrada (estn en fase). En los ciclos negativos, Q1 se pone en corte y no aparecer una seal en la salida (se parece a la salida de un rectificador de media onda). El transistor Q2, tendr la polarizacin directa en lo semiciclos positivos y a travs de R1 aparecer una seal que sigue a la entrada (estn en fase). En los ciclos positivos, Q2 se pone en corte y no aparecer seal en salida (se parece tambin a la salida de un rectificador de media onda). En la forma de de onda de salida se ve distorsin (Cerca del eje horizontal). Esta distorsin e debe a la tensin 0,6Volts que ay entre la bases de los transistores Q1 y Q2. El valor mximo de la seal de salida siempre es inferior al valor mximo de la seal de entrada, debido a la cada 27de tensin BASE-EMISOR en los transistores (La ganancia es siempre menor a 1). En otras palabras, hay una ligera atenuacin, pero una gran ganancia de corriente.
Practico de funcionamiento del transistor N1 (CORTE-SATURACION)

En este practico, trataremos de hacer un ejercicio con el laboratorio virtual, para ver por nuestra cuenta, como se comporta y funciona un transistor en Corte Saturacin.
Observemos primero este ejemplo:

Girando el potencimetro observamos que el diodo vara su luminosidad, pasando de totalmente encendido a apagado. Es decir que vamos recorriendo la recta de carga esttica, con diferentes valores de Q, pasando desde la saturacin hasta el corte respectivamente.
Es decir, cuando la resistencia del potencimetro sube la corriente de base baja y por ende la del colector tambin hasta que no circula ms corriente, que es cuando el led se
apaga. Anlogamente cuando la resistencia baja, la corriente de la base sube, la del colector tambin y el led se enciende al mximo. Si trabajamos slo con los valores extremos, es decir, cuando el led esta apagado y cuando el led esta al mximo de luminosidad, podemos decir que el transistor es usado en modo conmutador y es equivalente a una llave. Estos dos extremos son el corte (led apagado) y la saturacin (led encendido al mximo) del transistor. Es muy comn utilizar esta forma de trabajo del transistor para el prendido y apagado de elementos (leds, relay, etc.) Entonces, un transistor saturado equivale a una llave cerrada. Circula corriente y si medimos con un multmetro la tensin entre colector y el emisor, vemos que es muy pequea y positiva (aproximadamente cero). Un transistor en corte, equivale a una llave abierta. No circula corriente y si medimos la tensin entre el colector y el emisor, vemos que es Vcc (no hay cada de tensin sobre la resistencia RC y por ende toda la tensin de la fuente cae sobre el transistor).
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Veamos la comprobacin de lo dicho anteriormente en este ejercicio:

Habamos dicho que puede existir una resistencia en el emisor, en realidad para el caso de ser el transistor utilizado como llave, osea, en los casos en que quiere aprovecharse las propiedades del transistor en funcionamiento de corte-saturacin, es ms normal no encontrarla en los diseos de los circuitos; Debido a que se desea obtener en el colector los dos extremos de tensin, es decir que pase de cero a Vcc, y colocar una resistencia en el emisor implica tener una tensin extra. Si el objetivo de utilizar una llave en el encendido / apagado de cargas, veamos ahora cmo hacer para controlar sta llave. Supongamos una onda cuadrara en la base del transistor...
Aqu se observan ambos extremos de funcionamiento: Cerrado Hay flujo de corriente Abierto No hay flujo de corriente 1) Cuando la onda cuadrada se encuentra en su nivel alto (punto1), la tensin en la base es mayor a la del emisor, y por ende el diodo correspondiente se encuentra en directa. El transistor esta saturado, circula corriente por el colector y la tensin en el colector es directamente la cada de tensin VCE, que para ste caso se aproxima a cero. 2) Cuando la onda cuadrada se encuentra en su nivel bajo (punto2), la tensin en la base es cero, y por ende el diodo correspondiente esta en inversa. El transistor se encuentra en corte, no circula corriente por el colector y entonces la tensin en el colector (al no circular corriente) es Vcc (no hay cada de tensin sobre Rc). De ac en adelante se tratar al valor alto de tensin de la onda cuadrada como 1 y al bajo como 0 (sus correspondientes valores lgicos).
Ms all de los desarrollos matemticos y definiciones que hemos visto hasta aqu, lo que les debe quedar en claro, es que el transistor se puede utilizar cmo una llave, logrando el efecto de permitir o no el paso de corriente por su colector. Bien, hasta ac todo bien, yo les realice el circuito para que experimenten con su laboratorio virtual, pero noten que En el ejemplo anteriormente citado, noten que no tienen valores los componentes. Seleccion el modo componente Ideal para dejarles el ejemplo visual y funcione el circuito si o si, osea que podra colgarle un ladrillo que el circuito funcionaria igual.... Para hacerlo mas interesante y de paso que no se aburran, ustedes ahora tendrn que realizar los clculos necesarios para la polarizacin del transistor de este circuito.....
Practico del funcionamiento del transistor N2 (MODO ACTIVO DIRECTO)

En este caso, implementaremos otra caracterstica del transistor..."La Amplificacin". Si bien no aplicaremos clculos en el siguiente practico, trataremos de ver y comprender como funciona el transistor en este modo de funcionamiento. Si introducimos una seal del tipo senoidal a la entrada, lo que obtendremos a la salida es una rplica de la misma, pero amplificada una cierta cantidad Un circuito comn para este tipo de funcionamiento, es el siguiente:
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Tanto Rb1, Rb2 como Rc se utilizan para polarizar correctamente al transistor. Rs es la resistencia interna del generador. En el siguiente ejemplo practico, implementamos un generador de seal senoidal, es decir una onda con la siguiente forma, y con las siguientes caractersticas:
Los capacitores son colocados en serie a la seal para filtrar la tensin de continua y son normalmente llamados de desacople. En el caso de la salida de un amplificador de audio es muy necesario ya que ah se colocar un parlante (no puede existir una tensin continua ya que los daara). Para el anlisis del transistor en su modo de funcionamiento MAD, se estudia por un lado la parte de polarizacin, es decir slo la alimentacin de continua, se arma la recta de carga esttica y se calcula el punto de trabajo Q. Una vez hecho esto se analiza cmo se comporta el circuito con solamente la seal de entrada, y nada de tensin continua. Obtenindose la recta de carga dinmica, haciendo el nombre referencia a que se esta estudiando la seal y la misma vara en el tiempo, es decir es dinmica. En el siguiente grafico, vemos que la seal mencionada anteriormente, va a excursionar de la siguiente manera:
Electronica de Potencia
La electrnica de potencia se basa, en primer termino, en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. La electrnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnologa moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen controles de calor, controles de iluminacin, controles de motor, fuentes de 30 alimentacin, sistemas de propulsin de vehculos y sistemas de corriente directa de un alto voltaje (HVDC por sus siglas en ingles). Resulta difcil trazar los lmites de las aplicaciones de la electrnica de potencia; en especial con las tendencias actuales en el desarrollo de los dispositivos de potencia y los microprocesadores, l limite superior esta aun indefinido.
Del grfico se observa que para que la seal se amplifique lo ms que se pueda, conviene que el punto Q se encuentre justo a la mitad de la recta. Ya que como se ve en el grfico cuando la seal alcanza los puntos extremos de la recta, la seal se recorta (ya sea por la saturacin, o por el corte del transistor). Por eso es que al momento del diseo, los valores de los componentes se calculan no slo para polarizar correctamente al transistor sino tambin para que la amplificacin sea la mxima posible. A esto se le llama mxima excursin simtrica, que dada su complejidad, no tocaremos este tema ya que trataremos de orientarnos mas a la temtica del curso, que es el sector de mantenimiento industrial.
Dispositivos semiconductores de potencia

Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el control de la energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2) tiristores, (3) transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia, y (5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin estticos (SIT). Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos: (a) tiristor de conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por lnea, (e) tiristor desactivado por compuerta (GTO), (d) tiristor de conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin esttico (SITH), (o tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT), (g) rectificador controlado de silicio foto activado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS (MCT). Los transistores de induccin estticos tambin estn disponibles en forma comercial.
En la siguiente seccin de nuestro curso, es totalmente una lastima que nuestro laboratorio virtual LiveWire no este provisto en toda su totalidad de elementos semiconductores de potencia para poder simular los ejemplos que a continuacin veremos; Por tanto, tratare de ser los mas breve y claro posible, para que puedan obtener una nocin bsica clara. Cualquier duda, las entender personalmente en nuestra pagina o bien, en forma privada en mi correo electrnico. Prosigamos.
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperacin rpida) y Schottky. Los diodos de uso general estn disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5s. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo. Existen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en perno y el otro como de disco empacado a presin o de disco de hockey. En el de perno, tanto el nodo como el ctodo podran ser el perno. Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo, y una compuerta. Cuando una pequea corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hacia el ctodo, el tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el tiristor est en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el tiristor continuara conduciendo. Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial en directa es muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del nodo sea igual o menor que el potencias de ctodo. Los tiristores conmutados en lnea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de conmutacin. Existen varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja. Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de hasta 6000 V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los tiristores de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 s con un tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse. Los RCT y los GATT se utilizan en gran medida para la interrupcin de alta velocidad, en
especial en aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un tiristor que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000 (y 400 A de conduccin inversa) con un tiempo de interrupcin de 40 s. Los GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcin de 8 s. Los LASCR, que se fabrican hasta 6000V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 s, son adecuados para sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente, alterna de baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las caractersticas de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a travs de un TRIAC se puede controlar en cualquier direccin. Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la aplicacin de un 31pulso corto negativo a las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin. Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponibles hasta 4000 V, 3000A. Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V, 300 A, se espera que puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una frecuencia de varios cientos de Khz. y ms all del rango de frecuencia de los GTO. Existen varias configuraciones de GTO. Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores que 10 Khz. y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la configuracin de emisor comn. Mientras que la base de un transistor NPN est a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se conservar activado, siempre que la unin del colector al emisor est correctamente polarizada. La cada directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excitacin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin (es decir desactivado). Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de Khz. Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de salida muy superiores a las de los BJT. Los IGBT son
adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta 20 Khz. Los IGBT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A.
FET de juntura o JFET

Este dispositivo semiconductor, controla el flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. Los smbolos del FET son:
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Fet canal N Fet canal P
El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el Drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". Veamos el siguiente grfico.
La corriente fluye de D a S
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal Drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal La curva caracterstica del FET.
ID = IDSS (1 - [ Vgs / Vgs (off) ] ) Donde:

- IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID
Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este comportamiento como una resistencia cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico). Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET, se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS = VDS / ID
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El Tiristor (SCR) (Silicon Controled Rectifier)

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como un resistor) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye. Si ahora se hace este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene. Ver que Vgs es "0" o es un valor negativo.
El SCR y la corriente continua:

Rectificador controlado de silicio, estos elementos semiconductores son muy utilizados para controlar la cantidad de potencia que se entrega a una carga, donde: - A = nodo - C = ctodo, tambin representado por la letra K - G = compuerta o gate Tomar en cuenta el grfico siguiente: ver que es un circuito de corriente continua
Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este conduce y se comporta como un diodo en polarizacin directa, si no existe corriente en la compuerta el tiristor no conduce. Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (ver grficos) Para saber cual es el valor de la corriente se utiliza la siguiente frmula
mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero. Como se puede ver el SCR , tiene dos estados: 1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja 2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada
El SCR y la corriente Alterna:

Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o foco La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en34 rojo) causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir. Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el desfase que hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se active en diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la seal. y deje de conducir.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios. Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de
A modo de prctico, incluiremos un circuito ms en nuestro laboratorio virtual LiveWire para ver como funcionaria la lmpara en nuestro circuito de disparo del SCR. EN este caso con una resistencia y capacitor variable.
En el diagrama de la figura, se muestra dos entradas de circuitos de disparo, una para cada SCR, a menudo estos dos circuitos pueden combinarse en uno solo, esta prctica de diseo asegura que el ngulo de disparo es el mismo en ambos ciclos.
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Aplicaciones Prcticas de los SCR - Control unidireccional de rectificacin de onda completa

En la siguiente figura, se muestra como dos SCR pueden combinarse con un transformador de toma central para efectuar un control de onda completa. Este circuito se asemeja bastante al rectificador de onda completa para una fuente de alimentacin de DC cuando el devanado secundario est en semi ciclo positivo, positivo arriba y negativo abajo, el SCR puede cebarse. Esto conecta la carga a la mitad superior del devanado secundario se encuentra en el semi ciclo negativo, el SCR, puede cebarse conectando la carga a la mitad inferior del devanado secundario. La corriente a travs de la carga siempre fluye en la misma direccin tal como sucede en una fuente de onda completa. La figura (b) muestra las formas de onda de voltaje en la carga y del voltaje AC de lnea para un ngulo de disparo mencionado de 45 aproximadamente.
Como podemos apreciar, Ambos semiciclos estn siendo utilizados para la entrega de potencia, pero el voltaje en la carga tiene una sola polaridad.
El Diac
Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.
El Triac
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control por tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. (ver imagen).
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La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.
El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser positiva y otra negativa. La parte positiva de la onda (semi ciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera: La parte negativa de la onda (semi ciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba) Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin. (recordar que un tiristor solo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume. Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas incandescentes (circuito de control de fase).
Aplicacin Prctica del Triac Circuito de Disparo

En el siguiente diagrama se muestra un circuito prctico de disparo de un triac utilizando un UJT. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un transformador de aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el primario, para este caso asla el circuito de potencia ca del circuito de disparo.
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Donde: - Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.) - L: lmpara - P: potencimetro - C: condensador (capacitor) - R: Resistencia - T: Triac - A2: Anodo 2 del Triac - A3: Anodo 3 del Triac - G: Gate, puerta o compuerta del Triac El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula) Si se vara el potencimetro, se vara el tiempo de carga del condensador causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se aplica a la compuerta Nota: la diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas.
La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinacin de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la lnea de ca. Ver figura (a)
Funcionamiento.: Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del secund secundario es entregado a la compuerta del triac, encendindolo durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor (Vc1), corriente del secundario de T2 (Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la imagen anterior (b), (c),(d). La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un divisor de voltaje, entre ellos se dividen la fuente de CD de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v, esto origina que el transistor PNP Q1 conduzca, con una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta. Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1 ser menor que en el caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a travs del circuito base-emisor de Q1 con la cual al disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razn de carga de C1 se reduce, por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan despus en el semi ciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.
El UJT
Cabe aclarar, que este dispositivo no es un FET; FET En si, el transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un u dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo.
Transistor UJT
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El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.
Dos ejemplos sencillos 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el l voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Nota: un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip
En trminos sencillos, los UJT operan como sigue.

Cuando el voltaje entre el Emisor y la Base1, VEB1, es menor que cierto valor llamado el voltaje pico, Vp, el UJT est apagando y no puede haber habe flujo de corriente de E a B1 (IE =0).
Cuando VEB1 excede a Vp por una cantidad muy pequea, el UJT se dispara, o enciende. Cuando esto ocurre, el circuito de E a B1 se vuelve casi un cortocircuito, y la corriente puede descargarse de una terminal a l la otra. En la mayoria de los circuitos UJT, la descarga de corriente de E a B1 es de corta duracin, y el UJT pronto se revierte a la condicin de apagado.
El PUT
Importante: No confundir nfundir con un UJT (transistor Uniunin) El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G.
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A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G. Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Del grfico anterior se ve que cuando o IG = 0, VG = VBB * [R [ B2 / (RB1 + RB2) ] = n x VBB
Donde: n = RB2 / (RB1 + RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms debil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT. Como funciona? Ver grfico anterior. Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en conduccin (encendido) y se mantendr en este estado hasta que IA (corriente que atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K Ejemplo: Una aplicacin tpica: Oscilador con PUT
conduccin. El voltaje en VG cae casi hasta 0 voltios y el PUT se apaga, repitindose otra vez el proceso. Ver las formas de onda en C, K y G
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La frecuencia de oscilacin es: f = 1 / 1.2 x RC
GTO (Gate Turn-off Thyristor)

Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate. El smbolo para el tiristor GTO usado ms frecuente, as como sus caractersticas de conmutacin se muestran en la figura. El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales gate y ctodo, la corriente en el gate (ig), crece. Cuando la corriente en el gate alcanza su mximo valor I , la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a
GR
Cmo funciona? El condensador C se carga a travs de la resistencia R hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp. En este momento el PUT se dispara y entra en
travs del dispositivo (V ), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de

AK
nodo (I ) es abrupta, tpicamente menor a 1 s. Despus de esto, la corriente de nodo

A
vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (I /I ) de la corriente de nodo I a la mxima corriente negativa en el gate
A GR A
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (I ) existe.
A leak
(I ) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un

GR
Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura V = V es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido.,
AK B0
voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en el gate de 250 A para el apagado.
AK
= 3V y la corriente I es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con

A
la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (I ) existe. Una polarizacin en inversa V puede ser alcanzada cuando
A leak AK
ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta 41 condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo I por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding I , en la
A h
cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc ac) a niveles de potencia en los que los MOSFETs, TBJs e IGBTs no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC DC, los GTOs, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Como se muestra en la figura, existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porcin de la
+ -
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje V es aplicado al gate, el IGBT
GS
enciende inmediatamente, la corriente I es conducida y el voltaje V se va desde el

D DS
valor de bloqueo hasta cero. LA corriente I persiste para el tiempo t

D
ON
en el que la
seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo V que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso
G
estructura es la combinacin de regiones n , p y n que forman el MOSFET entre el source S y el gate G con la regin de flujo n que es el drain D del MOSFET. Otra parte
+ -
de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain i es igual a la corriente de carga I (asumida
D L
es la combinacin de 3 capas p n p, que crea un transistor de unin bipolar entre el drain D y el source. La regin p acta como colector C, la regin n acta como la base
+
B y la regin p acta como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source

+ +
como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy 42 baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje V de la terminal gate.
G
existen 4 capas p n pn que forman un tiristor. Este tiristor es parsito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.
La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite V para el estado de cambio de encendido a
GS(TH)
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje V cae

DS
a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente i se autolimita.
D
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.
LAS FUENTES DE VOLTAJE

Muchos circuitos necesitan para su funcionamiento, una alimentacin de corriente continua (C:C.), pero lo que normalmente se encuentra es alimentacin de corriente alterna (C.A.)
El transformador disminuye la amplitud de la seal de entrada a un valor que est de acorde al voltaje final de corriente continua. El rectificador convierte la seal anterior en una onda de corriente continua pulsante, y elimina la parte negativa de la onda. El filtro alisa o aplana la onda anterior eliminando el componente de corriente alterna (C.A.) que estreg el rectificador. El regulador entrega una tensin constante sin importar las variaciones en la carga o del voltaje de alimentacin. Los transformadores se utilizan para disminuir o elevar voltajes de corriente alterna. -Los rectificadores. -Los filtros, pueden ser de varios tipos y se utilizan para eliminar los componentes de C.A. no deseados. - Los reguladores son un grupo de elementos o un elemento electrnico.
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Introduccin a la fuentes conmutadas (Switching)
En el grfico anterior se puede ver el funcionamiento de una fuente, con ayuda de un diagrama de bloques y de las formas de onda esperadas al inicio (entrada), al final (salida) y entre cada uno de ellos. La seal de entrada es una onda senoidal cuya amplitud depender del lugar en donde vivimos (110 / 220 Voltios u otro)
Una fuente conmutada o Fuente Switching, es un dispositivo electrnico que transforma energa elctrica mediante transistores en conmutacin. Mientras que un regulador de tensin utiliza transistores polarizados en su regin activa de amplificacin, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutndolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos tpicamente) entre corte (abiertos) y saturacin (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con ncleo de ferrita (Los ncleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (Con diodos rpidos)y filtrados (Inductores y capacitores)para obtener los voltajes de salida de corriente continua (CC). Las ventajas de este mtodo incluyen menor tamao y peso del ncleo, mayor eficiencia por lo tanto menor calentamiento.
Las desventajas comparndolas con fuentes lineales es que son mas complejas y generan ruido elctrico de alta frecuencia que debe ser cuidadosamente minimizado para no causar interferencias a equipos prximos a estas fuentes.
conveniente conectar en paralelo con estos otros condensadores tipo MKP para mejor desacoplo de alta frecuencia de conmutacin. Los rectificadores deben soportar una tensin inversa de 600v. 1.2 Pico de arranque Al arrancar una fuente conmutada, la impedancia presentada a la red es muy baja al encontrarse los condensadores descargados, sin una resistencia en serie adicional la corriente inicial sera excesivamente alta. En la Fig.1, TH1 y TH2 son resistencias NTC (coeficiente negativo de temperatura), que limitan esta corriente a un valor aceptable. Las fuentes de media y gran potencia disponen de circuitos activos con resistencia limitadora que se cortocircuita por medio de rels o de conmutadores estticos cuando ya estn los condensadores cargados. En el caso de las fuentes de AMV se utiliza un transistor MOS-FET de potencia.
1. Fuentes Conmutadas
Las fuentes conmutadas fueron desarrolladas inicialmente para aplicaciones militares y aerospaciales en los aos 60, por ser inaceptable el peso y volumen de las lineales, se han desarrollado desde entonces diversas topologas y circuitos de control, algunas de ellas exponemos ya que son de uso comn en fuentes conmutadas para aplicaciones industriales y comerciales. 1.1 Rectificacin y filtro de entrada Las fuentes conmutadas son convertidores cc-cc, por lo que la red debe ser previamente rectificada y filtrada con una amplitud de rizado aceptable. La mayora de las fuentes utilizan el circuito de la Fig.1 para operar desde 90 a 132 Vac o de 180 a 260 Vac segn sea la posicin del conmutador.
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1.3 Proteccin contra transitorios Adems del filtrado de ruidos re inyectados a la red que incorporan las fuentes conmutadas, es aconsejable la utilizacin de un varistor conectado a la entrada para proteger contra picos de tensin generados por la conmutacin en circuitos inductivos de las proximidades o por tormentas elctricas.
2. Tipos de fuentes conmutadas

2.1 De retroceso (Flyback) Dada su sencillez y bajo costo, es la topologa preferida en la mayora de los convertidores de baja potencia (hasta 100 w). En la Fig.2 se muestran los principios de esta topologa de fuente conmutada. Cuando T conduce, la corriente crece linealmente en el primario del transformador, diseado con alta inductancia para almacenar energa a medida que el flujo magntico aumenta.
En la posicin de abierto se configura como rectificador de onda completa obtenindose aproximadamente 310 Vcc desde la red de 220 Vac. En la posicin de cerrado el circuito funciona como rectificador doblador de tensin, obtenindose tambin 310 Vcc a partir de 110 Vac. Para evitar sobrecalentamientos los condensadores electrolticos de filtro (C1 y C2) deben ser de bajo ESR (baja resistencia interna) y de la tensin adecuada. Es
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La disposicin del devanado asegura que el diodo D est polarizado en sentido inverso durante este perodo, por lo que no circula corriente en el secundario. Cuando T se bloquea, el flujo en el transformador cesa generando una corriente inversa en el secundario que carga el condensador a travs del diodo alimentando la carga. Es decir, en el campo magntico del transformador se almacena la energa durante el perodo ON del transistor y se transfiere a la carga durante el perodo OFF (FLYBACK). El condensador mantiene la tensin en la carga durante el perodo ON. La regulacin de tensin en la salida se obtiene mediante comparacin con una referencia fija, actuando sobre el tiempo ON del transistor, por tanto la energa transferida a la salida mantiene la tensin constante independientemente del valor de la carga o del valor de la tensin de entrada. La variacin del perodo ON se controla por modulacin de ancho de pulso (PWM) a frecuencia fija, o en algunos sistemas ms sencillos por auto oscilacin variando la frecuencia en funcin de la carga. 2.2 FLYBACK de salidas mltiples La Fig.3 muestra la simplicidad con que pueden aadirse salidas aisladas a un convertidor Flyback. Los requisitos para cada salida adicional son un secundario auxiliar, un diodo rpido y un condensador. Para la regulacin de las salidas auxiliares suele utilizarse un estabilizador lineal de tres terminales a costa de una prdida en el rendimiento.
2.3 Directo (FORWARD) Es algo ms complejo que el sistema Flyback aunque razonablemente sencillo y rentable en cuanto a costes para potencias de 100 a 250w.Cuando el transistor conmutador T est conduciendo ON, la corriente crece en el primario del transformador transfiriendo energa al secundario. Como quiera que el sentido de los devanados el diodo D2 est polarizado directamente, la corriente pasa a travs de la inductancia L a la carga, acumulndose energa magntica en L. Cuando T se apaga OFF, la corriente en el primario cesa invirtiendo la tensin en el secundario. En este momento D2 queda polarizado inversamente bloqueando la corriente de secundario, pero D3 conduce permitiendo que la energa almacenada en L se descargue alimentando a la carga.El tercer devanado, llamado de recuperacin, permite aprovechar la energa que queda en el transformador durante el ciclo OFF devolvindola a la entrada, va D1. Contrariamente al mtodo Flyback, la inductancia cede energa a la carga durante los perodos ON y OFF, esto hace que los diodos soporten la mitad de la corriente y los niveles de rizado de salida sean ms bajos. 2.4 FORWARD de salidas mltiples Por cada salida adicional es necesario un secundario auxiliar, dos diodos rpidos, una inductancia y un condensador de filtro.
Los diodos D1 y D2 en el secundario, actan como dos diodos de recuperacin. Idealmente los perodos de conduccin de los transistores deben ser iguales, el transformador se excita simtricamente y al contrario de la topologa Forward no es preciso prever entrehierro en el circuito magntico, ya que no existe asimetra en el flujo magntico y por tanto componente continua. Ello se traduce en una reduccin del volumen del ncleo del orden del 50% para una misma potencia. Una precaucin que debe tenerse en cuanta en este tipo de circuitos es que las caractersticas de conmutacin de los transistores deben ser muy similares, y los devanados tanto en primario como en secundario han de ser perfectamente simtricos, incluso en su disposicin fsica en el ncleo. Tambin se ha de tener en cuenta, que los transistores conmutadores soportan en estado OFF una tensin doble de la tensin de entrada. 2.6 Semipuente 46 Es la topologa ms utilizada para tensiones de entrada altas (de 200 a 400v) y para potencias de hasta 2000w. En la Fig.7 se aprecia que el primario del transformador est conectado entre la unin central de los condensadores del desacoplo de entrada y la unin de la fuente de T1 y el drenador de T2. Si se dispara alternativamente los transistores T1 y T2 conecta el extremo del primario a +300v y a 0v segn corresponda, generando una onda cuadrada de 155v de valor mximo, la cual con una adecuada relacin de espiras, rectificada y filtrada se obtiene la tensin de salida deseada.
Esto hace que sea ms costoso que el Flyback. Para mejorar la regulacin en las salidas auxiliares se utilizan estabilizadores lineales. 2.5 Contrafase (PUSH-PULL) Esta topologa se desarroll para aprovechar mejor los ncleos magnticos. En esencia consisten en dos convertidores Forward controlados por dos entradas en contrafase.
Una ventaja de este sistema es que los transistores soportan como mximo la tensin de entrada cuando estn en OFF, mientras que en los sistemas Flyback, Push-Pull y Forward, esta tensin es cuando menos el doble. Ello permite, cuando la tensin de entrada es la red rectificada, la utilizacin de transistores de 400 a 500v, mientras que en las otras configuraciones se requeriran transistores de 800 a 1000v.La regulacin se logra comparando una muestra de la salida con una tensin de referencia para controlar el ancho del estado de conduccin de los transistores. Algunas de las ventajas del semipuente son: Ncleos ms pequeos. Baja dispersin de flujo magntico. La frecuencia en los filtros de salida es el doble de la frecuencia de conmutacin. Filtro de reducidas dimensiones. Bajo ruido y rizado de salida. Fcil configuracin como salidas mltiples. Ruido radiado relativamente bajo. La mayor desventaja consiste en que el primario del transformador trabaja a la mitad de la tensin de entrada y por tanto circula el doble de corriente por los transistores que en el caso de topologa puente que se ver a continuacin. 2.7 Puente (Bridge) Para potencias superiores a 2000w, las corrientes en los transistores de conmutacin son excesivas. La Fig. 8 muestra la topologa bsica de un convertidor puente, donde los transistores en ramas opuestas del puente T1 y T4 son disparados en fase y T2 y T4 en contrafase.
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La amplitud de la onda cuadrada en el primario del transformador es por tanto de 310v, doble que en la topologa semipuente y por tanto mitad de corriente para una misma potencia. El empleo de cuatro transistores que deben ser excitados por separado, hace que el circuito de disparo sea ms complejo. Si la conmutacin en ambas ramas est algo des balanceada hace que aparezca una componente continua en el transformador produciendo la saturacin del ncleo magntico, se evita con la introduccin del condensador C1 en serie con el primario del transformador.
3. Control de modo corriente

Este mtodo de control de fuentes se ha incrementado ltimamente al disponer de circuitos integrados que incluyen PWM y control en modo corriente en el mismo encapsulado.
El control en modo corriente es de fcil aplicacin en tipologas Flyback y Forward pero caso complejo en sistemas Push-Pull, Puente y Semipuente, en especial si se requiere disponer de salidas mltiples.
4. Fuentes Resonantes
Para mejorar la relacin Potencia/Volumen de los equipos, se han incrementado las frecuencias de conmutacin. Por encima de los 100KHz las prdidas en la conmutacin as como las interferencias electromagnticas suponen problemas difciles de resolver a un coste razonable. Los problemas e inconvenientes en las conmutaciones se reducen considerablemente usando tcnicas resonantes. Las dos caractersticas ms48 destacables en esta topologa son: Conmutacin a paso por cero de corriente, o sea, sin prdidas en la conmutacin. La forma de onda de corriente es senoidal, es decir, menor fatiga de los componentes y eliminacin del EMI en banda ancha. El sistema de control en modo corriente utiliza doble bucle de realimentacin. Uno es el clsico va amplificador de error y el segundo bucle toma una muestra de la corriente de la inductancia de salida en el primario del transformador y la compara con la salida del amplificar de error. El transistor de conmutacin se activa mediante pulso de reloj interno pero deja de conducir cuando la corriente de la inductancia anula la salida del amplificar de error. Las ventajas de esta topologa son: - Una mejor respuesta a demandas transitorias. - Mayor estabilidad dinmica. - Fcil limitacin de la corriente - Reparto de carga en configuraciones en paralelo. Un control regulado solo en tensin es un sistema de tercer orden que requiere compensacin para limitar la ganancia del bucle a altas frecuencias por lo que las prestaciones dinmicas son pobres con tendencia a oscilaciones cuando estn sometidos a transitorios importantes. Con el complemento del control en modo corriente, el bucle abierto se convierte en un sistema de primer orden, facilitando la estabilizacin y el control. Al mismo tiempo se reduce el problema de las Interferencias Electro Magnticas (EMI) al evitarse las oscilaciones que se generan en condiciones transitorias.
Cuando el procedimiento se combina con control PWM a frecuencia constante el sistema se denomina Cuasi-resonante, aunque la mayora de los diseos regulan fijando los tiempos ON-OFF del conmutador y modulando en frecuencia. Como puede apreciarse en las Fig.10 y 11, existen dos topologas fundamentales: Serie y Paralelo. La combinacin R-C es conocida como tanque resonante y puede estar en el primario o en el secundario del transformador. En la Fig.12 el tanque resonante est colocado en el primario que es lo ms comn.
49
Las ventajas de las tcnicas resonantes comienzan a partir de 200KHz hasta 2 MHz. Es una desventaja a la hora de fijar salidas mltiples. Un buen compromiso es la topologa cuasi-resonante configurada como semipuente controlando el tanque L-C en el primario. Permite salidas mltiples conservando las ventajas de la conmutacin de corriente a paso por cero, la onda senoidal y operar a alta frecuencia.
Agradecimientos
Seor J.L. Villanueva M. Palazzesi Ariel Treser Lucas M. Lenin J. Vsquez Ing. Dupl Hctor A. El profe corriente continua (Inda) Vctor (Vicross) Jorge (Pato) Pinki y Cerebro (Silvio y Pablito) David (Pata) Pablo (Noxa) Luis Bonilla Ing. Molto Roberto (Schneider Electric) Ing. James Johnson (Siemens Aut.) Ing. Antonio Creus Ing. A. Picerno Seores directivos del Consejo de Educacin Tcnica Prov. Chubut WebMaster, Moderadores y staff en gral de YoReparo.com / WebMaster y staff en gral. infoPLC.com a las paginas amigas CanalPlc.com / Carcasweb.com / AutomatismosMDQ.com / DTFM.com / Ucontrol.com / ElectronicaUnicrom.com / ComunidadElectronicos.com y a mi familia por el esfuerzo y comprensin que me brindan ante mis proyectos y trabajos.
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