INDICE TRANSISTORES

TIPOS DE TRANSISTORES TRANSISTOR BJT

Principios de Operacin Zonas de Funcionamiento del Transistor Bipolar Curvas Caracter sticas del B!T Construccin del Transistor Operacin del Transistor Con"i#uracin Base Com$n Con"i#uracin Emisor Com$n Con"i#uracin Colector Com$n Zona de Funcionamiento del Transistor de E"ecto de Campo FET Transistor de E"ecto de Campo de (nin &!FET' Principios de Operacin del N!FET Zonas de Funcionamiento del N!FET Curvas Caracter sticas del N!FET Par)metros Comerciales %odelos del Transistor N!FET %odelo Est)tico Ideal %odelo Para Se*ales Alternas

TRANSISTOR DE EFECTO DE CA%PO FET &!FET'

TRANSISTOR MOSFET
Principios de Operacin N%OS de Enri+uecimiento N%OS de Empo,recimiento Curvas Caracter sticas Par)metros Comerciales %odelos Circuitales %odelo Est)tico de S-ic-man . /od#es %odelo para Se*al Alterna

APLICACIN DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Electrnica Anal#ica Electrnica Di#ital

TRANSISTORES DARLINGTON
Cone0in Darlin#ton E1emplos

CODIGO DE DESIGNACION DE TRANSISTORES

Desi#nacin de Transistores Di"erentes Encapsulados de Transistores

TRANSISTORES
TRANSISTOR BJT
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el ti o de enca sulado! as" como el esquema de identi#icaci$n de los terminales% Tam&i'n tendremos que conocer una serie de (alores m)*imos de tensiones! corrientes + otencias que no de&emos so&re asar ara no destruir el dis ositi(o% El ar)metro de la otencia disi ada or el transistor es es ecialmente cr"tico con la tem eratura! de modo que esta otencia disminu+e a medida que crece el (alor de la tem eratura! siendo a (eces necesario la instalaci$n de un radiador o aleta re#ri,eradora% Todos estos (alores cr"ticos los ro orcionan los #a&ricantes en las -o.as de caracter"sticas de los distintos dis ositi(os% /na #orma de identi#icar un transistor NPN o PNP es mediante un ol"metro0 Este dis one de dos ori#icios ara insertar el transistor! uno ara un NPN + otro ara el PNP% Para o&tener la medida de la ,anancia es necesario insertarlo en su ori#icio a ro iado! con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP% 1onas de #uncionamiento del transistor &i olar 2(er FI2(RA 330 4% ACTI5A DIRECTA0 El transistor s$lo am li#ica en esta 6ona! + se com orta como una #uente de corriente constante controlada or la intensidad de &ase 2,anancia de corriente3%Este ar)metro lo suele ro orcionar el #a&ricante d)ndonos un m)*imo + un m"nimo ara una corriente de colector dada 2Ic37 adem)s de esto! suele resentar una (ariaci$n acusada con la tem eratura + con la corriente de colector! or lo que en rinci io no odemos conocer su (alor% Al,unos ol"metros son ca aces de medir este ar)metro ero esta medida -a+ que tomarla solamente como una indicaci$n! +a que el ol"metro mide este ar)metro ara un (alor de corriente de colector distinta a la que circular) or el 89T una (e6 en el circuito% :% SAT/RACIN0 En esta 6ona el transistor es utili6ado ara a licaciones de conmutaci$n 2 otencia! circuitos di,itales! etc%3! + lo odemos considerar como un cortocircuito entre el colector + el emisor% ;% CORTE0 el transistor es utili6ado ara a licaciones de conmutaci$n 2 otencia! circuitos di,itales! etc%3! + odemos considerar las corrientes que lo atra(iesan r)cticamente nulas 2+ en es ecial Ic3%

<% ACTI5A IN5ERSA0 Esta 6ona se uede considerar como carente de inter's%

FI2(RA 34

El transistor PNP es com lemento del NPN de #orma que todos los (olta.es + corrientes son o uestos a los del transistor NPN% Para encontrar el circuito PNP com lementario0 4% Se sustitu+e el transistor NPN or :% Se in(ierten todos los (olta.es + corrientes% un PNP%

C(R5AS CARACTERISTICAS DE6 B!T

Cur(as SOA 0

/na de las cur(as m)s im ortantes de un transistor es la cur(a del )rea de m)*ima se,uridad =SOA= 2Sa#e O eration Area3% En #uncionamiento en continua! este )rea de#ine la re,i$n de osi&les com&inaciones de IC>5CE dentro de la cual el unto de tra&a.o uede estar sin da?o + sin disminuci$n de la #ia&ilidad del transistor% En la ,r)#ica ad.unta se o&ser(a c$mo se mantiene el (olta.e m)*imo a @AA5 + c$mo se dan di#erentes tiem os de ulso% As"! el )rea a&arcada or un ulso de 4Ams ser) menor que la que a&arca un ulso de 4ms% Esto nos indica que el #a&ricante determina las caracter"sticas del )rea de se,uridad dando ulsos de corriente su eriores a la Is>& l"mite! ero de tiem o reducido ara no deteriorar el

transistor% Otra #orma de esta&lecer el )rea de m)*ima se,uridad es ro orcionando la ,r)#ica si,uiente 2FI2(RA 730

FI2(RA 74Transistor 8/DBAA de Temic

Cur(a de Im edancia T'rmica 2FI2(RA 830

FI2(RA 84 Transistor 8/:@::DF de P-ili s

Relaciona la duraci$n del 21t-3%

ulso t

con la im edancia t'rmica uni$nCcontenedor

El #actor de tra&a.o D es el ar)metro caracter"stico de esta cur(a7 si la duraci$n del ulso ton es eque?a! D tam&i'n lo es! +a que se relacionan mediante DDton>T! siendo T el eriodo% Como se uede a reciar! a artir de un cierto (alor de ulso la im edancia t'rmica tiene un mismo (alor ara cualquier ciclo de tra&a.o! asando a ser una resistencia t'rmica uni$nCam&iente% Cur(a de De,radaci$n de la Potencia 2FI2(RA 930

FI2(RA 94 Transistor 8/:@::DF de P-ili s

Nos relaciona la (ariaci$n de la tem eratura del contenedor o c) sula con la m)*ima otencia de disi aci$n del transistor 2PD3% Se o&ser(a que el dis ositi(o uede disi ar su m)*ima otencia 2en este caso 4AAE3 siem re + cuando tra&a.e en un inter(alo de tem eraturas de contenedor com rendido entre A + :FGC% A artir de esta tem eratura! la otencia (a a ir disminu+endo linealmente a medida que la tem eratura aumenta! -asta alcan6ar un (alor l"mite de tem eratura! donde la otencia disi ada es cero% La otencia disi ada se uede calcular mediante0 PtotD2T. C Tc3>R.c

Cur(as Ganancia C Corriente de Colector 2FI2(RA :30

FI2(RA :4 Transistor 8/DBAA de Temic

Nos muestra la (ariaci$n de la ,anancia de corriente continua - FE con la corriente de colector IC + con la tem eratura% Podemos a reciar que a una tem eratura #i.a! la ,anancia crece -asta un m)*imo cuando la corriente de colector aumenta% Si esta corriente continHa aumentando! la ,anacia comien6a a disminuir% Por otro lado! tam&i'n se o&ser(a que al aumentar la tem eratura! aumenta la ,anancia ara una corriente de colector dada% Cur(as Caracter"sticas de Entrada 2FI2(RA ;30

FI2(RA ;4 Transistor 8/4FABDI de P-ili s

Relaciona la intensidad de &ase con la tensi$n &aseCemisor% En ella odemos (er la caracter"stica de entrada que nos da el #a&ricante! ara tem eraturas de :F a 4:FGC del enca sulado + ara distintas corrientes de colector% As"! cuando la tem eratura de la c) sula (ale :FGC! o&ser(amos que ara una (ariaci$n eque?a de 58E! tenemos una (ariaci$n de I8 ma+or%

Cur(as Caracter"sticas de Salida 2FI2(RA <30

FI2(RA <4 Transistor 8/DBAA de Temic

Relacionan la intensidad de colector + la tensi$n colectorCemisor ara una intensidad de &ase constante% En este caso no se limitan las cur(as con la cur(a de m)*ima disi aci$n de otencia 2en al,unas -o.as (ienen limitadas3! as" que -a+ que tenerlo mu+ en cuenta a la -ora de reali6ar los c)lculos! +a que no se de&e tra&a.ar or encima de dic-a cur(a%

Cur(as caracter"sticas de trans#erencia 2FI2(RA =30

FI2(RA =4 Transistor N1T<<JK de Fairc-ild

Relacionan la intensidad de colector con la tensi$n &aseCemisor! ara una tensi$n constante de 5CE! en este caso de F5% En esta ,r)#ica! (emos como la relaci$n ICC58E es muc-o m)s lineal a :FGC que a 4:FGC! queri'ndonos decir el #a&ricante que a altas tem eraturas nos encontramos con una distorsi$n considera&le! consecuencia directa de la alinealidad del transistor%

Cur(as 5CEsat > IC 2FI2(RA >30

FI2(RA >4 Transistor 8/4FABDI de P-ili s

Nos relacionan la tensi$n colectorCemisor de saturaci$n con la intensidad de colector% Los otros dos ar)metros caracter"sticos son la tem eratura de la c) sula + la ,anancia de corriente en continua 2I C>I83% Como odemos a reciar! ara ma+or tem eratura -a&r) ma+ores (alores de tensi$n e intensidad%

Curva corriente de "u#as ? temperatura am,iente 2FI2(RA 3@30

FI2(RA 3@4 Transistor D<<JK de Fairc-ild

La corriente de #u,as se de&e a los ortadores minoritarios que atra(iesan la uni$n colectorC&ase in(ersamente olari6ada% Podemos a reciar que a medida que crece la tem eratura! tam&i'n lo -ace la intensidad de #u,as%

Construccin de Transistores El transistor es un dis ositi(o semiconductor de tres ca as que consiste de dos ca as de material ti o n + una ca a ti o ! o &ien! de dos ca as de material ti o + una ti o n% al rimero se le llama transistor n n! en tanto que al se,undo transistor n % Para la olari6aci$n las terminales que se muestran en la #i,ura A4 las terminales se indican mediante las literales E ara el emisor! C ara el colector + 8 ara la &ase% Se desarrollar) una a reciaci$n de la elecci$n de esta notaci$n cuando se analice la o eraci$n &)sica del transistor% La a&re(iatura 89T! de transistor &i olar de uni$n 2del in,les! 8i olar 9unction Transistor3! suele a licarse a este dis ositi(o de tres terminales% El t'rmino &i olar re#le.a el -ec-o de que los -uecos + los electrones artici an en el roceso de in+ecci$n -acia el material olari6ado de #orma o uesta% Si s$lo se utili6a un ortador 2electr$n o -ueco3! entonces se considera un dis ositi(o uni olar%

a)
Fi#ura A4 Ti os de transistores0 a3 n 7 &3 n n%

b)

Operacin del Transistores Se descri&ir) la o eraci$n &)sica del transistor utili6ando el transistor n ! o eraci$n del transistor n n es e*actamente la misma que si intercam&iaran la #unciones que cum len el electr$n + el -ueco% En la #i,ura B4 se di&u.o de nue(o el transistor n sin la olari6aci$n &ase C colector% El es esor de la re,i$n de a,otamiento se redu.o de&ido a al olari6aci$n a licada! lo que da or resultado un #lu.o mu+ considera&le de ortadores ma+oritarios desde el material ti o -acia el ti o n%

Fi#ura B4 /ni$n con olari6aci$n directa de un transistor n %

A-ora se eliminar) la olari6aci$n &ase% En resumen0 /na uni$n Cn de un transistor tiene tiene olari6aci$n in(ersa% olari6aci$n in(ersa! mientras que la otra

Am&os otenciales de olari6aci$n se a licaron a un transistor n ! con el #lu.o resultante indicado de ortadores ma+oritarios + minoritarios% Los es esores de las re,iones de a,otamiento! que indican con claridad cu)l uni$n tiene olari6aci$n directa + cu)l olari6aci$n in(ersa% Ja&r) una ,ran di#usi$n de ortadores ma+oritarios a tra('s de la uni$n Cn con olari6aci$n directa -acia el material ti o n% As"! la re,unta ser"a si acaso estos ortadores contri&uir)n de #orma directa a la corriente de &ase I8 o si asar)n directamente al material ti o % De&ido a que material ti o n del centro es mu+ del,ado + tiene &a.a conducti(idad! un nHmero mu+ eque?o de estos ortadores tomar) esta tra+ectoria de alta resistencia -acia la terminal de la &ase% La ma,nitud de la corriente de &ase casi siem re se encuentra en el orden de los microam eres! com arando con miliam eres ara las corrientes del emisor + del colector% La ma+or cantidad de estos ortadores ma+oritarios se di#undir) a tra('s de la uni$n con olari6aci$n in(ersa! -acia el material ti o conectado a la terminal del colector% La ra6$n de esta relati(a #acilidad con la cual los ortadores ma+oritarios ueden atra(esar la uni$n con olari6aci$n in(ersa se com render) con #acilidad si se considera que ara el diodo con olari6aci$n in(ersa! los ortadores ma+oritarios in+ectados a arecer)n como ortadores con olari6aci$n in(ersa! los ortadores ma+oritarios in+ectados a arecer)n como ortadores minoritarios en el material ti o n% En otras ala&ras! tu(o lu,ar una in+ecci$n de ortadores minoritarios al material de la re,i$n de la &ase ti o n% A la com&inaci$n de esto con el -ec-o de que todos los ortadores minoritarios en la re,i$n de a,otamiento atra(esar) la uni$n con olari6aci$n in(ersa de un diodo uede atri&u"rsele el #lu.o%

FI2(RAN C4 /ni$n con olari6aci$n in(ersa de un transistor n %

Con"i#uracin de Base Com$n Para la con#i,uraci$n de &ase comHn con transistores n + n n% La terminolo,"a de la &ase comHn se deri(a del -ec-o de que la &ase es comHn tanto a la entrada como a la salida de la con#i,uraci$n% A su (e6! or lo re,ular la &ase es la terminal m)s cercana a! o que se encuentra en! el otencial de tierra% A lo lar,o de este li&ro todas las direcciones de corriente -ar)n re#erencia al #lu.o con(encional 2-uecos3 en lu,ar de -acerlo res ecto al #lu.o de electrones% Para el transistor la #lec-a en el s"m&olo ,r)#ico de#ine la direcci$n de la corriente del emisor 2#lu.o con(encional3 a tra('s del dis ositi(o% Para descri&ir en su totalidad el com ortamiento de un dis ositi(o de tres terminales! como los am li#icadores de &ase comHn se requiere de dos con.untos de caracter"sticas! uno ara el unto de e*citaci$n o ar)metros de entrada + el otro ara el lado de la salida% El con.unto de entrada ara el am li#icador de &ase comHn relacionar) la corriente de entrada 2IE3% el con.unto de caracter"sticas de la salida o colector tiene tres re,iones &)sicas de inter's0 la re,iones acti(a! de corte + de saturaci$n% La re,i$n acti(a es la que suele utili6arse ara los am li#icadores lineales 2sin distorsi$n3% En articular0 En la re,i$n acti(a la uni$n &ase C colector se olari6a in(ersamente! mientras que la uni$n emisor C &ase se olari6a directamente% La re,i$n acti(a se de#ine mediante los arre,los de olari6aci$n de la #i,ura D4 En el e*tremo m)s &a.o de la re,i$n acti(a! la corriente del emisor 2IE3 es cero7 esa es la (erdadera corriente del colector! + se de&e a la corriente de saturaci$n in(ersa ICO! como lo se?ala la #i,ura E4 La corriente ICO real es tan eque?a 2microam eres3 en ma,nitud si se com ara con la escala (ertical de IC D A% Las condiciones del circuito que e*isten cuando IE D A ara la con#i,uraci$n de &ase comHn se muestra en la #i,ura <%4L% La notaci$n que con m)s #recuencia se utili6a ara ICO en los datos + las -o.as de es eci#icaciones es! como se indica en la #i,ura F4! IC8O%

De&ido a las me.oras en las t'cnicas de #a&ricaci$n! el ni(el de IC8O ara los transistores de ro $sito ,eneral 2en es ecial los de silicio3 en los ran,os de otencia &a.a + mediana! or lo re,ular es tan &a.o que uede i,norarse su e#ecto% Sin em&ar,o! ara las unidades de ma+or otencia IC8O! as" como Is! ara el diodo 2am&as corrientes de #u,a in(ersas3 son sensi&les a la tem eratura% A ma+ores tem eraturas! el e#ecto de IC8O uede con(ertirse en un #actor im ortante de&ido a que aumenta mu+ r) idamente con la tem eratura% En la re,i$n de corte! tanto la uni$n &ase C colector como la uni$n emisor C &ase de un transistor tienen olari6aci$n in(ersa% En la re,i$n de saturaci$n! tanto la uni$n como la emisor C &ase est)n en olari6aci$n directa%

Fi#ura D4 S"m&olos utili6ados con la con#i,uraci$n comHn0 a3 transistor n 7 &3 transistor n n%

Fi#ura E4 Caracter"sticas de salida o colector ara un am li#icador a transistor de &ase comHn%

Fi#ura F4 Corriente de saturaci$n in(ersa%

Con"i#uracin de Emisor Com$n La con#i,uraci$n de transistor que se encuentra m)s a menudo a arece en la #i,ura 24 ara los transistores n + n n% Se le denomina con#i,uraci$n de emisor comHn de&ido a que el emisor es comHn o -ace re#erencia a las terminales tanto de entrada como de salida 2en este caso! es comHn tanto a la terminal de &ase como a la de colector3% /na (e6 m)s! se necesitan dos con.untos de caracter"sticas ara descri&ir or com leto el com ortamiento de la con#i,uraci$n de emisor comHn0 uno ara el circuito de entrada o &aseCemisor + otro ara el circuito de salida o colectorCemisor% En la re,i$n acti(a de un am li#icador de &ase comHn la uni$n del colectorC&ase se encuentra olari6ada in(ersamente! mientras que la uni$n &aseCemisor se encuentra olari6ada directamente% Para ro $sitos de am li#icaci$n lineal 2la menor distorsi$n3! el corte con#i,uraci$n de emisor comHn se de#inir) mediante IC D ICEO% ara la

a)

b)

Fi#ura 24 s"m&olos utili6ados con la con#i,uraci$n de emisor comHn0 a3 transistor n n7 &3 transistor n %

Con"i#uracin de Colector Com$n La con#i,uraci$n de colector comHn se utili6a so&re todo ara ro $sitos de aco lamiento de im edancia! de&ido a que tiene una alta im edancia de entrada + una &a.a im edancia de salida! contrariamente a alas de las con#i,uraciones de &ase comHn + de un emisor comHn% La #i,ura / muestra una con#i,uraci$n de circuito de colector comHn con la resistencia de car,a conectada del emisor a la tierra% O&s'r(ese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est' conectado de manera similar a la con#i,uraci$n del emisor comHn% Desde un unto de (ista de dise?o! no se requiere de un con.unto de caracter"sticas de colector comHn ara ele,ir los ar)metros del circuito de la #i,ura / uede dise?arse utili6ando las caracter"sticas de salida ara la con#i,uraci$n de colector comHn son la mismas que ara la con#i,uraci$n de emisor comHn%

Fi#ura /4 Con#i,uraci$n de colector comHn utili6ado ara ro $sitos de aco lamiento de im edancia%

TRANSISTOR FET (JFET)

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el ti o de enca sulado! as" como el esquema de identi#icaci$n de los terminales% Tam&i'n tendremos que conocer una serie de (alores m)*imos de tensiones! corrientes + otencias que no de&emos so&re asar ara no destruir el dis ositi(o% El ar)metro de la otencia disi ada or el transistor es es ecialmente cr"tico con la tem eratura! de modo que esta otencia decrece a medida que aumenta el (alor de la tem eratura! siendo a (eces necesario la instalaci$n de un radiador o aleta re#ri,eradora% Todos estos (alores cr"ticos los ro orcionan los #a&ricantes en las -o.as de caracter"sticas de los distintos dis ositi(os% 1onas de #uncionamiento del transistor de e#ecto de cam o 2FET3 2(er FI2(RA 3330 4% 1ONA JMICA o LINEAL0 En esta 6ona el transistor se com orta como una resistencia (aria&le de endiente del (alor de 5 GS%/n ar)metro que a orta el #a&ricante es la resistencia que resenta el dis ositi(o ara 5 DSDA 2rds on3! + distintos (alores de 5GS% :% 1ONA DE SAT/RACIN0 En esta 6ona es donde el transistor am li#ica + se com orta como una #uente de corriente ,o&ernada or 5 GS ;% 1ONA DE CORTE0 La intensidad de drenador es nula 2I DDA3%

FI2(RA 334

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y s rtidor del !ET " eden intercambiar s s "a"eles sin # e se altere a"reciablemente la caracter$stica %&I 'se trata de n dis"ositi(o sim)trico)*

La o eraci$n de un FET de CANAL P es com lementaria a la de un FET de CANAL N! lo que si,ni#ica que todos los (olta.es + corrientes son de sentido contrario% Los transistores m)s conocidos son los llamados &i olares 2NPN + PNP3! llamados as" orque la conducci$n tiene lu,ar ,racias al des la6amiento de ortadores de dos olaridades 2-uecos ositi(os + electrones ne,ati(os3! + son de ,ran utilidad en ,ran nHmero de a licaciones ero tienen ciertos incon(enientes! entre los que se encuentra su im edancia de entrada &astante &a.a% E*isten unos dis ositi(os que eliminan este incon(eniente en articular + que ertenece a la #amilia de dis ositi(os en los que e*iste un solo ti o de ortador de car,as! + or tanto! son uni olares% Se llama transistor de e#ecto cam o% /n transistor de e#ecto cam o 2FET3 t" ico est) #ormado or una &arrita de material $ n! llamada canal! rodeada en arte de su lon,itud or un collar del otro ti o de material que #orma con el canal una uni$n Cn% En los e*tremos del canal se -acen sendas cone*iones $-micas llamadas res ecti(amente sumidero 2dCdrain3 + #uente 2sCsource3! m)s una cone*i$n llamada uerta 2,C,ate3 en el collar%

FI2(RA 374 La #i,ura muestra el croquis de un FET con canal N

FI2(RA 384 Dis osici$n de las olari6aciones ara un FET de canal N%

La Fi,ura 4; muestra un esquema que a+udar) a com render el #uncionamiento de un FET% En este caso se -a su uesto que el canal es de material de ti o N% La uerta est) olari6ada ne,ati(amente res ecto a la #uente! or lo que la uni$n PC N entre ellas se encuentra olari6ada in(ersamente + e*iste 2se crea3 una ca a desierta% Si el material de la uerta est) m)s do ado que el del canal! la ma+or arte de la ca a estar) #ormada or el canal% Si al tensi$n de la uerta es cero! + 5ds D A! las ca as desiertas ro#undi6an oco en el canal + son uni#ormes a todo lo lar,o de la uni$n% Si 5ds se -ace ositi(a 2 + 5,s si,ue siendo cero3 or el canal circular) una corriente entre sumidero + #uente! que -ar) que la olari6aci$n in(ersa de la uni$n no sea uni#orme en toda su lon,itud +! en consecuencia! en la arte m)s r$*ima al sumidero! que es la m)s olari6ada! la ca a desierta enetrar) m)s -acia el interior del canal% Para (alores eque?os de 5ds! la corriente de sumidero es una #unci$n casi lineal de la tensi$n! +a que la enetraci$n de la ca a desierta -acia el interior del canal no (ar"a su&stancialmente de su (alor inicial% Sin em&ar,o! a medida que aumenta la tensi$n aumenta tam&i'n la olari6aci$n in(ersa! la ca a desierta ro#undi6a en el canal + la conductancia de 'ste disminu+e% El ritmo de incremento de corriente resulta! en consecuencia! menor + lle,a un momento en que el canal se -a -ec-o tan estrec-o en las ro*imidades del sumidero que un incremento de 5ds a enas tiene e#ecto so&re la corriente de sumidero% Entonces se dice que el transistor est) tra&a.ando en la 6ona de estricci$n 2 inc-Co##3! nom&re cu+o ori,en se e(idencia en la #i,ura anterior! llam)ndose tensi$n de estricci$n 5 a la del unto de transici$n entre el com ortamiento casi lineal + el casi saturado%

%AS INFOR%ACIAN Ja+ dos #amilias de transistores de e#ecto de cam o0 los 9FET + los MOSFET% Pese a que el conce to &)sico de los FET se conoc"a +a en 4L;A! estos dis ositi(os s$lo em e6aron a #a&ricarse comercialmente a artir de la d'cada de los BA% M a artir de los KA los transistores de ti o MOSFET -an alcan6ado una enorme o ularidad% Com arados con los 89T! los transistores MOS ocu an menos es acio! es decir! dentro de un circuito inte,rado uede incor orase un numero ma+or% Adem)s su roceso de #a&ricaci$n es tam&i'n m)s sim le% Adem)s! e*iste un ,ran nHmero de #unciones l$,icas que ueden ser im lementadas Hnicamente con transistores MOS 2sin resistencias ni diodos3% Esto -a -ec-o del transistor MOS el com onente estrella de la electrnica digital%

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)

/n 9FET de canal N se #a&rica di#undiendo una re,i$n de ti o P en un canal de ti o N! tal + como se muestra en la Fi,ura 4<% A am&os lados del canal se conectan los terminales de #uente 2S! S ource3 + drena.e 2D! Drain3% El tercer terminal se denomina uerta 2G! Gate3%

FI2(RA 394 Esquema del transistor 9FET de canal N

Los s"m&olos de este ti o de dis ositi(os son0

FI2(RA 3:4 S"m&olos de los transistores 9FET

PRINCIPIO DE OPERACION DE6 N!FET

A continuaci$n se e* lica c$mo se controla la corriente en un 9FET% Al i,ual que sucede con los transistores 89T el 9FET tiene tres re,iones de o eraci$n0

Re,i$n de corte Re,i$n lineal Re,i$n de saturaci$n

Es reciso -acer notar que en este caso! la saturaci$n alude a un #en$meno com letamente distinto al de los transistores 89T%

Re#in de corte
Centremos nuestra atenci$n en la Fi,ura 4<% La 6ona de ti o P conectada a la uerta #orma un diodo con el canal! que es de ti o N% Como se recordar)! cuando se #orma una uni$n PN a arecen en los &ordes de la misma una 6ona de de lecci$n en la que no -a+ ortadores de car,a li&res% La anc-ura de dic-a 6ona de ende de la olari6aci$n a licada% Si esta es in(ersa! la 6ona se -ace m)s anc-a! ro orcionalmente a la tensi$n a licada% Aplicando una tensin VGS ne#ativa aumentamos la anc-ura de la Bona de depleccinC con lo +ue disminuDe la anc-ura del canal N de conduccin4 Si el (alor de VGS se -ace lo su#icientemente ne,ati(o! la re,i$n de a,otamiento se e*tender) com letamente a tra('s del canal! con lo que la resistencia del mismo se -ar) in#inita + se im edir) el aso de ID 2Fi,ura 4B3% El otencial al que sucede este #en$meno se denomina potencial de bloqueo 2Pinch Voltage! VP3%

FI2(RA 3;4 Esquema del transistor 9FET de canal N olari6ado con la tensi$n de &loqueo

Por lo tanto! ara (alores m)s ne,ati(os que VP el transistor N9FET se encuentra olari6ado en la regin de corte! + la corriente de drena.e resulta ser nula%

Re#in lineal
Si en la estructura de la Fi,ura 4 se a lica una tensi$n VDS ma+or que cero! a arecer) una corriente circulando en el sentido del drena.e a la #uente! corriente que llamaremos ID% El (alor de dic-a corriente estar) limitado or la resistencia del canal N de conducci$n% En este caso ueden distin,uirse dos situaciones se,Hn sea VDS ,rande o eque?a en com araci$n con VGS%

Valores pequeos el !ol"a#e re$a#e%&ue$"e

La Fi,ura 4@ resenta la situaci$n que se o&tiene cuando se olari6a la uni$n GS con una tensi$n ne,ati(a! mientras que se a lica una tensi$n entre D + S menor%

FI2(RA 3<4 Esquema del transistor 9FET de canal N olari6ado con 5GS N A

Por el terminal de uerta 2G3 no circula m)s que la corriente de #u,a del diodo GS! que en una rimera a ro*imaci$n odemos considerar des recia&le% La corriente ID resenta una do&le de endencia0

La corriente ID es directamente ro orcional al (alor de VDS La anc-ura del canal es ro orcional a la di#erencia entre VGS + VP% Como ID est) limitada or la resistencia del canal! cuanto ma+or sea VGS - VP! ma+or ser) la anc-ura del canal! + ma+or la corriente o&tenida%

Los dos untos anteriores se reco,en en la si,uiente e* resi$n0

Por lo tanto! en la re,i$n lineal o&tenemos una corriente directamente ro orcional a VGS + a VDS%

Valores al"os el !ol"a#e re$a#e%&ue$"e

Para (alores de VDS com ara&les + su eriores a VGS la situaci$n cam&ia con res ecto al caso anterior0 la resistencia del canal se con(ierte en no lineal! + el 9FET ierde su com ortamiento $-mico% 5eamos or qu' sucede esto% Cuando se a lica un (olta.e VDS al canal de F (oltios! or e.em lo! este se distri&u+e a lo lar,o del canal! es decir! en las ro*imidades del terminal D la tensi$n ser) de F 5! ero a medio camino la corriente circulante -a&r) reducido su otencial a la mitad 2:!F 53! + en el terminal S el otencial ser) nulo% Por otra arte! si VGS es ne,ati(a 2C : 5! or e.em lo3! la tensi$n se distri&uir) uni#ormemente a lo lar,o de la 6ona P! al no e*istir nin,una corriente 2Fi,ura 4K3% 2NOTA0 se des recia la ca"da de tensi$n en las 6onas situadas or de&a.o de los contactos3%

FI2(RA 3=4 Esquema del transistor 9FET de canal N olari6ado con VGS D C: 5 + VDS D F 5

Si,amos adelante% En las ro*imidades del terminal S la tensi$n in(ersa a licada es de : 5! que se corres onde con la VGS D C: 5% Sin em&ar,o! con#orme nos acercamos a D esta tensi$n aumenta0 en la mitad del canal es de <!F 5! + en D alcan6a @ 5% 6a polariBacin inversa aplicada al canal no es constante ! con lo que la anc-ura de la Bona de depleccin tampoco lo ser) 2Fi,ura 4L3% Cuando VDS es eque?a! esta di#erencia de anc-uras no a#ecta a la conducci$n en el canal! ero cuando aumenta! la (ariaci$n de la secci$n de conducci$n -ace que la corriente de drena.e sea una #unci$n no lineal de VDS! + que disminu+a con res ecto a la o&tenida sin tener en cuenta este e#ecto%

FI2(RA 3>4 Esquema del transistor 9FET de canal N en la re,i$n de conducci$n no lineal

Re#in de saturacin
Si VDS se incrementa m)s! se lle,ar) a un unto donde el es esor del canal en el e*tremo del drena.e se acerque a cero% A artir de ese momento! la corriente se mantiene inde endiente de VDS! uesto que los incrementos de tensi$n ro(ocan un ma+or estrec-amiento del canal! con lo que la resistencia ,lo&al aumenta 2Fi,ura :A3%

FI2(RA 7@4 Esquema del transistor 9FET de canal N en la re,i$n de corriente constante

La regin de saturacin se da cuando se estran,ula el canal en el drena.e! lo que sucede cuando la tensi$n uertaCdrena.e es m)s ne,ati(a que 5 P! es decir0 VGD < VP DO VGS - VDS < VP DO VDS > VGS - VP Antes de se,uir adelante! com aremos las #i,uras Fi,ura 4B + Fi,ura :A% En el caso del &loqueo! todo el canal resulta a#ectado or la 6ona de de lecci$n! que es constante orque la tensi$n VGS se a lica uni#ormemente a lo lar,o de la uni$n% En cam&io! en la re,i$n de corriente constante s$lo arte del canal -a lle,ado al &loqueo 2 ro(ocado or VDS! que (ar"a a lo lar,o del mismo3! + es lo que ermite la circulaci$n de la corriente%

C(R5AS CARACTERISTICAS
Son dos las cur(as que se mane.an -a&itualmente ara caracteri6ar los transistores 9FET% En rimer lu,ar! en la re resentaci$n de ID #rente a VGS! ara una VDS dada! se a recia claramente el aso de la re,i$n de corte a la de saturaci$n 2Fi,ura :43% En la r)ctica s$lo se o era en el se,undo cuadrante de la ,r)#ica! uesto que el rimero la VGS ositi(a -ace crecer r) idamente IG%

FI2(RA 734 Caracter$stica VGS - ID del transistor NJ!ET

En la caracter"stica VDS - ID del transistor N9FET se o&ser(a la di#erencia entre las re,iones lineal + de saturaci$n 2Fi,ura ::3% En la re,i$n lineal! ara una determinada VGS! la corriente crece ro orcionalmente a la tensi$n VDS% Sin em&ar,o! este crecimiento se atenHa -asta lle,ar a ser nulo0 se alcan6a el (alor de saturaci$n! en donde ID s$lo de ende de VGS%

FI2(RA 774 Caracter"stica VDS - ID del transistor N9FET

N$tese que! se,Hn esta ,r)#ica! la re,i$n de saturaci$n del 9FET se identi#ica con la re,i$n acti(a normal de los transistores &i olares% Mientras que en RAN la corriente de colector s$lo de ende de la de &ase! aqu" la ma,nitud de control es la tensi$n VGS% Por el contrario! si la resistencia del 9FET en la re,i$n lineal es mu+

eque?a uede encontrarse un cierto 9FET + de saturaci$n del 89T%

aralelismo entre las re,iones lineal de

PARA%ETROS CO%ERCIA6ES
Se resenta a continuaci$n al,unas de las caracter"sticas de los transistores 9FET que o#recen los #a&ricantes en las -o.as de datos0

IDSS0 Es la corriente de drena.e cuando el transistor 9FET se encuentra en con#i,uraci$n de #uente comHn + se cortocircuita la uerta + la #uente 2VGSDA3% En la r)ctica marca la m)*ima intensidad que uede circular or el transistor% Con(iene tener en cuenta que los transistores 9FET resentan am lias dis ersiones en este (alor% VP 2Pinch-Off Voltage30 es la tensi$n de estran,ulamiento del canal% Al i,ual que IDSS! resenta #uertes dis ersiones en su (alor% RDS(ON)E Es el in(erso de la endiente de la cur(a ID VDS en la 6ona lineal% Este (alor se mantiene constante -asta (alores de VGD cercanos a la tensi$n de estran,ulamiento% BVDS 2Drain-Source !rea"do#n Voltage30 es la tensi$n de ru tura entre #uente + drena.e% Tensiones m)s altas que !VDS ro(ocan un #uerte incremento de ID% BVGS 2Gate-Source !rea"do#n Voltage30 es la tensi$n de ru tura de la uni$n entre la uerta + la #uente! que se encuentra olari6ada en in(ersa% 5alores ma+ores de !VGS ro(ocan una conducci$n or a(alanc-a de la uni$n%

%ODE6OS DE6 TRANSISTOR N!FET

An)lo,amente a lo e#ectuado con el transistor &i olar se (an a resentar dos modelos ara el 9FET0 uno ara anali6ar el #uncionamiento del transistor 9FET con se?ales continuas + otro ara las se?ales alternas a licadas so&re un unto de o eraci$n de la re,i$n de saturaci$n% En rimer lu,ar se resentan los modelos ara las di#erentes re,iones de o eraci$n! a sa&er! corte! saturaci$n + 6ona lineal% A artir de las ecuaciones dictadas or este modelo! se deducen osteriormente las e* resiones necesarias ara el an)lisis de se?ales de alterna de eque?a am litud% %odelo est)tico ideal Para el transistor N9FET! el modelo (iene re resentado en la Fi,ura :;% El (alor de ID de ende de la re,i$n de #uncionamiento del transistor%

FI2(RA 784 Esquema circuital del modelo del transistor 9FET

4% Re#in de corte0 la condici$n de la re,i$n de corte es que el canal est' com letamente estran,ulado en las ro*imidades de la #uente! lo que sucede cuando la tensi$n uertaC#uente alcance la tensi$n de estran,ulamiento 2VGS<VP3% En este caso ID$%% :% Re#in lineal0 es la re,i$n en que se roduce un incremento de la intensidad ID al aumentar VDS% Este incremento es lineal ara &a.os (alores de VDS aunque la linealidad se ierde cuando VDS se acerca a -VP% Para tra&a.ar en la re,i$n lineal se de&en dar dos condiciones0
o o

VGS > VP VGD > VP VGS > VP & VDS

Estas condiciones equi(alen a admitir que el canal de conducci$n no se estran,ula or la 6ona de de lecci$n en in(ersa tanto en el e*tremo de drena.e como en la #uente% El (alor que toma la corriente ID es

4% Re#in de saturacin0 la re,i$n de saturaci$n tiene lu,ar cuando la tensi$n entre drenador + uerta alcan6a la tensi$n de estran,ulamiento% Para que ello ocurra! el canal N! tiene que estar estran,ulado en el e*tremo cercano al drena.e! ero no en el e*tremo del canal cercano a la #uente% Entonces! al i,ual que en el caso anterior! de&en ocurrir dos condiciones0
o o

VGS > VP VGD < VP VGS < VP & VDS

En este caso la intensidad ID +a no de ende de VDS! siendo su e* resi$n

Por lo ,eneral! en los transistores N9FET tanto VP como VGS toman (alores ne,ati(os! mientras que VDS e IDSS son ositi(os! tomando la direcci$n ID tal + como a arece en el modelo%

%odelo para se*ales alternas

Para la deducci$n del mismo se consideran las si,uientes -i $tesis0

Transistor olari6ado en la re,i$n de saturaci$n Oscilaciones alternas de &a.a am litud + &a.a #recuencia

E'pres(o$es )e$erales De entre las di(ersas o ciones osi&les! ara la deducci$n del modelo se esco,en como (aria&les inde endientes las tensiones VGS + VDS! mientras que las de endientes son las corrientes IG e ID% De este modo! las ecuaciones caracter"sticas del transistor (endr)n dadas or dos #unciones # 4 + #: tales que0

Las tensiones + corrientes de un unto de olari6aci$n concreto (endr)n dadas or las e* resiones anteriores0

Su on,amos que so&re este unto de o eraci$n P se a?ade una com onente alterna! caracteri6ada or un VGS + or un VDS% Las oscilaciones de las corrientes ueden calcularse como0

A artir de este momento! ara sim li#icar la notaci$n se escri&ir)n con letra minHscula los incrementos de las (aria&les% La e* resi$n anterior admite una re resentaci$n matricial0

en donde los coe#icientes 'i( se llaman ar)metros ad)itancia%

'is 0 Admitancia de entrada 2C43 'rs0 Admitancia de trans#erencia in(ersa 2C43 'fs 0 Transconductancia 2C43% Se suele nom&rar como g) 'os 0 Admitancia de salida 2C43

C*l+ulo e los par*,e"ros a ,("a$+(a

Para el c)lculo de los ar)metros 'i( se (an a em lear las e* resiones resultantes del modelo est)tico ara la re,i$n de saturaci$n%

Funci$n #4 DO

Funci$n #: DO

La re resentaci$n circuital de este modelo sim li#icado res onde al mismo esquema resentado en la Fi,ura :;%

TRANSISTOR MOSFET
Las restaciones del transistor MOSFET son similares a las del 9FET! aunque su rinci io de o eraci$n + su estructura interna son di#erentes% E*isten cuatro ti os de transistores MOS0

Enriquecimiento de canal N Enriquecimiento de canal P Em o&recimiento de canal N Em o&recimiento de canal P

Los s"m&olos son0

FI2(RA 794 Transistores MOSFET

La caracter"stica constructi(a comHn a todos los ti os de transistor MOS es que el terminal de uerta 2G3 est) #ormado or una estructura de ti o Metal>*ido>Semiconductor% El $*ido es aislante! con lo que la corriente de uerta es r)cticamente nula! muc-o menor que en los 9FET% Por ello! los MOS se em lean ara tratar se?ales de mu+ &a.a otencia%

PRINCIPIO DE OPERACION
De entre todos los ti os de transistores MOS e*istentes se (a a anali6ar el rinci io de #uncionamiento de dos de ellos0 los NMOS de enriquecimiento + em o&recimiento%

N%OS de enri+uecimiento
En la Fi,ura :F se enriquecimiento% resenta el esquema de un MOS de canal N de

FI2(RA4 7: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento

Su on,amos que se a lica una tensi$n VDS ma+or que cero mientras que VGS se mantiene en cero% Al a licar una tensi$n ositi(a a la 6ona N del drena.e! el diodo que #orma 'ste con el sustrato P se olari6ar) en in(ersa! con lo que no se ermitir) el aso de corriente0 el MOS estar) en corte% Si,amos su oniendo! + ensemos a-ora que a licamos un otencial VGS ositi(o! mientras mantenemos la VDS ositi(a tam&i'n% La ca a de aislante de la uerta es mu+ del,ada! tanto que ermite al otencial ositi(o a licado re eler a los -uecos + atraer a los electrones del material P% A ma+or otencial a licado! ma+or nHmero de electrones ser) atra"do! + ma+or nHmero de -uecos re elido% La consecuencia de este mo(imiento de car,as es que de&a.o del terminal G se crea un canal ne,ati(o! de ti o N! que one en contacto el drena.e con la #uente% Por este canal uede circular una corriente% Reca itulando! or encima de un (alor ositi(o VGS $ V*+ se osi&ilita la circulaci$n de corriente ID 2Fi,ura :B3% Nos encontramos ante una re,i$n de conducci$n lineal%

FI2(RA 7;4 Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conducci$n

Si el (alor de VDS aumenta! la tensi$n e#ecti(a so&re el canal en las ro*imidades del drena.e 2VGS - VDS3 (a disminu+endo! con lo que el canal se estrec-a en dic-a 6ona! + se ierde la linealidad en la relaci$n ID - VDS% Finalmente se lle,a a una situaci$n de saturaci$n similar a la que se o&tiene en el caso del 9FET%

N%OS de empo,recimiento
En la Fi,ura :@ se resenta el esquema de un MOS de canal N de em o&recimiento%

FI2(RA 7<4 Esquema del transistor NMOS de em o&recimiento

En este caso el canal +a est) creado% Por lo tanto! si con VGS $ % a licamos una tensi$n VDS a arecer) una corriente de drena.e ID% Para que el transistor ase al estado de corte ser) necesario a licar una tensi$n VGS menor que cero! que e* ulse a los electrones del canal%

FI2(RA 7=4 Esquema del transistor NMOS de em o&recimiento en corte

Tam&i'n en este caso! la a licaci$n de una VDS muc-o ma+or que VGS ro(oca una situaci$n de corriente inde endendiente de VDS%

C(R5AS CARACTERISTICAS
Con los transistores MOS se mane.an dos ti os de ,r)#icas0 la caracter"stica VGS ID! con VDS constante! + la VDS - ID con VGS constante% Transistor NMOS de enriquecimiento0

FI2(RA 7>4 Caracter"stica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

En la Fi,ura :L se one de mani#iesto c$mo la intensidad ID aumenta &ruscamente cuando se su era la tensi$n um&ral V*+ 2*hreshold Voltage3 + se crea el canal% Es un com onente id$neo ara conmutaci$n! uesto que asa de un estado de corte a uno de conducci$n a artir de un (alor de la se?al de control% En los dis ositi(os

con el terminal de uerta de aluminio + el aislante de $*ido de silicio! la tensi$n um&ral est) en torno a los cinco (oltios%

FI2(RA 8@4 Caracter"stica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

La caracter"stica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento es mu+ similar a la del 9FET! ero los (alores de VGS cam&ian0 en este caso la conducci$n se da ara (olta.es ositi(os or encima del um&ral%

Transistor NMOS de em o&recimiento0

FI2(RA 834 Caracter"stica VGS - ID del transistor NMOS enriquecimiento

El NMOS de em o&recimiento uede #uncionar tam&i'n como transistor de enriquecimiento% Si la tensi$n VGS se -ace ositi(a se atraer)n electrones al canal% Adem)s! a di#erencia de los 9FET! la im edancia de entrada continua siendo mu+ ele(ada%

FI2(RA 874 Caracter"stica VDS - ID del transistor NMOS de em o&recimiento

PARA%ETROS CO%ERCIA6ES
Los ar)metros comerciales m)s im ortantes del transistor MOS son an)lo,os a los de los 9FET%

%ODE6OS CIRC(ITA6ES
Tal + como se -a (isto! las cur(as de #uncionamiento de los transistores MOS son similares a las de los 9FET% Por ello! todos admiten una re resentaci$n circuital an)lo,a%

%odelo est)tico de Sc-ic-man?/od#es

El modelo est)tico del transistor MOSFET se denomina modelo de Sc-ic-manC Jod,es% Es un modelo mu+ arecido al modelo de los transistores 9FET! descrito anteriormente% El circuito equi(alente se com one de un interru tor a&ierto + una #uente de intensidad 2Fi,ura ;;3 cu+o (alor ID de ende de la re,i$n de #uncionamiento del transistor%

FI2(RA 884 Modelo de Sc-ic-manCJod,es ara el transistor FETMOS

Para el transistor NMOS de enriquecimiento las re,iones de #uncionamiento son0 4% Re#in de corte
o o

Condici$n VGS<V*+ Intensidad ID$%

4% Re#in lineal4
o

Condiciones0 VGS>V*+

VGD < V*+ VGS < V*+&VDS

Intensidad0

Donde , es una constante que de ende del material + de las dimensiones del transistor

)e es la mo(ilidad de los electrones! que de ende del material + la tem eratura -. / son la anc-ura + la lon,itud del canal% Factores ,eom'tricos que de enden del dise?o del transistor% 01O2 es la ca acidad or unidad de su er#icie del condensador que #orman el metal de la uerta con el canal% De ende #uertemente del es esor del $*ido de uerta%

4% Re#in de saturacin
o

Condiciones VGS > V*+

VGD > V*+ VGS > V*+&VDS

Intensidad0

Modelo para seales alternas

+ara el caso en el # e el transistor so"orte se,ales alternas de "e# e,a am"lit d y ba-a frec encia sobre n " nto de "olari.aci/n en re0i/n de sat raci/n, " ede demostrarse de forma an1lo0a a como se 2a reali.ado "ara el transistor J!ET # e la transcond ctancia gm se calc la a tra()s de la si0 iente e3"resi/n

AP-ICACIONES DE -OS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Las a licaciones ,enerales de todos los FET son0 Entre las "rinci"ales a"licaciones de este dis"ositi(o "odemos destacar4 APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Im"edancia de entrada alta 5so 0eneral, e# i"o de medida, (b !!er" y de salida ba-a rece"tores A#pli!i$ador de R% Me&$lador A#pli!i$ador $on CA' Ba-o r ido Ba-a distorsi/n de intermod laci/n !acilidad "ara controlar 0anancia Sintoni.adores de !6, e# i"o "ara com nicaciones Rece"tores de !6 y T%,e# i"os "ara com nicaciones Rece"tores, 0eneradores de se,ales Instr mentos de medici/n, e# i"os de "r eba Am"lificadores de cc, sistemas de control de direcci/n Am"lificadores o"eracionales, /r0anos electr/nicos, controlas de tono A d$fonos "ara sordera, transd ctores ind cti(os Generadores de frec encia "atr/n, rece"tores Inte0raci/n en 0ran escala, com" tadores, memorias

A#pli!i$ador $as$odo Ba-a ca"acidad de entrada Tro$eador A sencia de deri(a

Resistor (ariable por Se controla "or (olta-e (olta)e A#pli!i$ador de ba)a Ca"acidad "e# e,a de !re$ en$ia aco"lamiento Os$ilador 6$nima (ariaci/n de frec encia

Cir$ ito MOS di*ital +e# e,o tama,o

E6ECTRONICA ANA6O2ICA
Para estas a licaciones de em lean transistores re arados ara conducir ,randes corrientes + so ortar ele(adas tensiones en estado de corte%

Resistencias (aria&les de (alor ,o&erna&le or tensi$n 2(ariando la anc-ura del canal3% Am li#icadores de tensi$n! es ecialmente en la am li#icaci$n inicial de se?ales de mu+ &a.a otencia% Control de otencia el'ctrica entre,ada a una car,a%

En el caso de la am li#icaci$n los circuitos se dise?an ara que el unto de o eraci$n DC del MOS se encuentre en la re,i$n de saturaci$n% De este modo se lo,ra una corriente de drena.e de endiente s$lo de la tensi$n VGS%

E6ECTRONICA DI2ITA6
Los MOS se em lean a menudo en electr$nica di,ital! de&ido a la ca acidad de tra&a.ar entre dos estados di#erenciados 2corte + conducci$n3 + a su &a.o consumo de otencia de control% Para esta a licaci$n se em lean dis ositi(os de mu+ &a.a resistencia! de modo que idealmente ueda considerarse que0

La ca"da de tensi$n en conducci$n es mu+ eque?a% La transici$n entre el estado de corte + el de conducci$n es instant)nea%
4mA% Jallar cu)nto (ale la tensi$n 5 GS si se admite que tra&a.a en la re,i$n de saturaci$n% Jallar la tensi$n de alimentaci$n 3 m"nima ara que el transistor tra&a.e en saturaci$n%

7* En un transistor N9FET con IDSSD4AmA + VP D C F 5 se mide una intensidad de drena.e ID D

7* En el circuito de la #i,ura! se ide0

4%C La tensi$n VGS si se admite que el transistor est) en saturaci$n% :%C Si VIN D F5! calcular cuanto (ale VDS%

Datos del transistor0 IDSS D FmA7 VPD C ;5

7* Sea el circuito de la #i,ura #ormado or un transistor N9FET + una resistencia% Se ide0

4%C Indicar la re,i$n de #uncionamiento del transistor% :%C Calcular el unto de o eraci$n del transistor% ;%C Si se cam&ia la resistencia transistor% or otra de (alor 4Q! -allar el nue(o unto de o eraci$n del

Datos del transistor0 IDSS D :mA7 VPD C ;5

7* El transistor N9FET de la #i,ura tiene una IDSSD4:mA + 5PDC<5% Determinar el (alor m"nimo
de E ara que el transitor tra&a.e en la re,i$n de saturaci$n%

7* Calcular los (alores de VDS + VGS del transistor de la #i,ura si se admite que IDDFmA%

7* Determinar el unto de o eraci$n del transistor FET de la #i,ura su oniendo que se

encuentra en 6ona de saturaci$n% Datos0 IDSSDFmA 5PDC<5

7* Jallar el unto de o eraci$n del transistor de la #i,ura% Datos0 I DSSD4FmA7 5PDC4A5

7* En el circuito de la #i,ura! calcular la resistencia de entrada R IN + la tensi$n de salida 5 O/T%

Si se conecta una resistencia de <%@Q a la salida del circuito! calcular la tensi$n de salida% Datos del transistor0 IDSSDKmA! 5PDC4A5

7* En el circuito de la #i,ura se -a utili6ado un transistor :NF<BA% Calcular la ,anancia de

tensi$n del circuito% Nota0 /tili6ar transistor% ara ello los (alores medios de los ar)metros del

7* Determinar la ,anancia de tensi$n del circuito de la #i,ura% Datos del transistor0 , mD;%K
mm-os

7* El sencillo circuito de la #i,ura es una #uente de corriente que alimenta una car,a 4/%

a3 CalcHlese el (alor de la corriente I que circula or esa car,a si el transistor se encuentra en la re,i$n de saturaci$n% &3 Jallar la resistencia 4/ m)*ima que se uede alimentar con la intensidad -allada mediante el circuito anterior Si el transistor 9FET de la #i,ura es un transistor comercial :NF<KB! calcular entre qu' (alores se uede es erar que (ar"e la intensidad I cuando el transistor tra&a.a en la re,i$n de saturaci$n% Datos0 IdssD4AmA7 5PDCF5%

7* Con el transistor :NF<F@ + otros com onentes que crea necesarios! dise?e una #uente de
corriente constante de A%:mA% RCu)l ser) la car,a m)*ima que uede alimentar la #uente de corrienteS

7* En el circuito de la #i,ura! calcular la tensi$n de salida si la tensi$n de entrada es ;5%

Considerar que el transistor tra&a.a en la re,i$n de saturaci$n% Datos adicionales0 RD4AAT7 ED4F5

7* La tensi$n de entrada 5in es una tensi$n que (ar"a mu+ lentamente con el tiem o de
manera que! se uede resol(er el circuito mediante un an)lisis en continua% Si ED4A5 e IDD4mA! calcular la relaci$n entre 5 out + 5in% RPu' intensidad ID se de&e esta&lecer en la #uente si se quiere que 5outD5inS Datos del transistor0 IDSSD;mA 5PDCF5

7* En el circuito de la #i,ura! si am&os transistores son id'nticos + se encuentran

t'rmicamente aco lados% Jallar la relaci$n entre 5O/T + 5IN%

7* Determinar el (alor de las salidas 5 A4 + 5A: cuando 5IN (al,a cero + die6 (oltios% Datos0 5 TJ
D F 5% ECC D :A 5%

7* Para el dise?o de una uerta l$,ica in(ersora! se reali6a un esquema como el que se
re resenta a continuaci$n%

a3 Calcular a ro*imadamente la otencia ,enerada en la #uente de K 5oltios en los estados l$,icos U4U + UAU de la entrada 24A 5% + A 5% Res ecti(amente3% &3 RPu' misi$n tiene la resistencia de 4F QS% 4% El si,uiente circuito l$,ico est) dise?ado se,Hn la t'cnica CMOS 2Com lementar+CMOS3% Se denomina as" or que em lea en el mismo circuito transistores NMOS + PMOS%

a3 E* licar su #uncionamiento + determinar qu' ti o de uerta l$,ica es% &3 Com arar este circuito con el del anterior% RPu' (enta.as resenta en cuanto a consumo de otenciaS%

7* Seleccionar el transistor m)s a ro iado ara el circuito l$,ico si,uiente 2A N 5 IN N 4A53

2Calcular los ar)metros comerciales del transistor30

7* Determinar a qu' ti o de uerta l$,ica corres onden los dis ositi(os de la #i,ura 2Entradas0
54 + 5:7 Salida0 5O3

RPu' consumo de otencia -a+ en los estados l$,ico U4U + UAU de am&os circuitosS

7* El circuito de la #i,ura re resenta a un transistor actuando como un interru tor% Cuando se

olari6a la uerta con una tensi$n de 4F5! el transistor de.a asar una corriente ara alimentar la resistencia de car,a% Al olari6ar con A5 la uerta! el transistor ermanece en corte% Se ide0 a3 Ele,ir un transistor MOS adecuado ara reali6ar esta #unci$n% &3 Calcular a ro*imadamente la 'rdida de otencia en el transistor si la se?al de entrada est) com rendida entre A + F5%

7* /n transistor NMOS de de lecci$n tiene un 5PDC:5 + TD:mA>5:% Calcular la 5DS m"nima

ara o erar en la re,i$n de saturaci$n si 5GSD45% :% El transistor MOSFET de de lecci$n de la #i,ura tiene una TD<mA>5 : + 5PDC:5% Calcular la tensi$n de la #uente

7* Calcular los ar)metros que toman las resistencias RD + RS del circuito de la #i,ura ara
que el transistor o ere con una IDDA%<mA + 5DD4%Datos0 5TJD:57 TDA%<mA>5:

7* Se desea dise?ar un circuito de alarma ara un coc-e de manera que al salir del coc-e con
las luces encendidas! suene un 6um&ador% Para detectar la a ertura de la uerta se dis one de un sensor ma,n'tico entre la uerta + el coc-e que se cierra con la uerta + da una se?al de A5% Al a&rir la uerta! el sensor da una se?al de F5% Por otro lado! se tiene un dis ositi(o que detecta el aso de corriente en el circuito de iluminaci$n% Se o&tiene una se?al de F5 con las luces encendidas + de A5 con las luces a a,adas% El 6um&ador tiene que estar alimentado entre 4 + 4B5 + reci&ir una corriente de ;AmA% Dise?e el circuito con los transistores MOSFET necesarios%

TRANSISTORES DAR6IN2TON
Antes de entrar a dar limitaciones so&re las cone*iones Darlin,ton -a&laremos un oco so&re AMPLIFICADORES ACOPLADOS DIRECTAMENTE0 Es mu+ comHn que un am li#icador de&a re roducir con #idelidad! se?ales que (ar"an mu+ lentamente la #recuencia in#erior de corte! que se re;quiere ara este ti o de am li#icador! uede eliminar un aco lamiento inducti(o o ca aciti(o + s$lo de.ar el aco lamiento inducti(o directo% La des(enta.a que tiene un aco lamiento directo! es que las corrientes t'rmicas ,eneradas en el am li#icador! se am li#ican .unto con las corrientes de se?al% Por lo tanto! aumentan los ro&lemas en cuanto a esta&ilidad t'rmica! + las corrientes t'rmicas ueden encu&rir a las corrientes de se?al% Por lo tanto! -a+ que tener m)s cuidado con la esta&ilidad t'rmica! en un am li#icador a CD o directamente aco lado% En este ca "tulo estudiaremos < ti os de am li#icadores! a sa&er% Es ecialmente la CONEIIN DARLINGTON! arre,los n nC n ! am li#icadores di#erenciales + los de con#i,uraci$n cascada% /no de los m'todos ara aco lar directamente transistores &i olares! es la cone*i$n Darlin,ton que se muestra en la #i,ura 4A%4% En este arre,lo! la corriente del emisor del transistor T4! es la corriente de &ase del transistor T:% Si Rl es eque?a! entonces! IE4D 284 V 43 i84 + ic:D 8: i8:% Por lo que! iC:> i84 D 2 84 V 4 3 8:% A la corriente iC: se le a,re,a la corriente iC4 en la resistencia de car,a! ero si 8: es mu+ ,rande! la iC4 es des recia&le + el #actor de am li#icaci$n total es a ro*imadamente i,ual al roducto a 84 8: 8;% Tal como se di.o anteriormente! en una cone*i$n Darlin,ton las corrientes T'rmicas tam&i'n se am li#ican% En el ca "tulo F se demostr$ que la am li#icaci$n de la corriente t'rmica es i,ual al #actor de esta&ilidad de la corriente en cualquier eta a% Tal como se (e en la #i,ura 4A%:%! se ueden em lear resistencias ara reducir las corrientes t'rmicas en el circuito Darlin,ton % La corriente t'rmica SI4 ICO4 del Transistor T4 se di(ide entre ala resistencia R8: + la entrada del transistor T: % Asimismo! ara reducir el #actor de esta&ilidad SI: ! uede circular arte de la corriente T'rmica ICO: del transistor T: a tra('s de R8: % O&ser(e que la resistencia RE no Est) cortocircuitada! +a que las #recuencias de se?al que se mane.an son tan eque?as que no lo requieren% Por lo tanto ! ara o&tener una &uena ,anancia de (olta.e! RE de&e ser menor que RL % La ,anancia de se?al tam&i'n se reduce! +a que arte de la corriente de se?al se deri(a a tra('s de los resistores esta&ili6adores% De -ec-o! un

Cam&io en la corriente t'rmica es indistin,ui&le de otro en la corriente de se?al% Por lo tanto! con este ti o de esta&ili6aci$n lineal! se uede lo,rar una ,anancia alta con un Factor de esta&ilidad t'rmica adecuado con s$lo usar un transistor de silicio que ten,an 5alores eque?os de ICO% /na cone5in Darlington consiste en emisores se,uidores conectados en cascada! en ,eneral un ar como el que se (e en la #i,ura A%

FI2(RA A4 Transistor Darlin,ton

La corriente de la &ase del se,undo transistor (iene del emisor del rimer transistor% Por tanto! la ,anancia de corriente entre la rimera &ase + el se,undo emisor es0

= 7b8
En otras ala&ras! los dos transistores tienen una ,anancia de corriente total i,ual al roducto de las ,anancias de corriente indi(iduales% La (enta.a rinci al de una cone*i$n Darlin,ton es la alta im edancia de entrada que se (a -acia la &ase del rimer transistor% En el circuito de la #i,ura A! la im edancia es a ro*imadamente
z entrada ' base ) = RE

Los #a&ricantes de transistores ueden oner dos transistores dentro de un solo enca sulado! como se (e en #i,ura B%

FI2(RA B4 Transistor Darlin,ton

Este dis ositi(o con tres terminales! conocido como transistor Darlington! actHa como si #uese un solo transistor con una e*tremadamente alta% Por e.em lo! el TP4A4 es un transistor Darlin,ton con una m"nima de 4AAA + una m)*ima de :AAAA% El an)lisis de un circuito en el que se em lee un transistor Darlin,ton es casi id'ntico al roceso discutido anteriormente! e*ce to or una cosa% Como -a+ dos transistores! -a+ dos ca"das VE % Por e.em lo! si el (olta.e de cd de la &ase es de F5! el (olta.e de cd del emisor es0
VE = <V 7*;V = :*9V

E1emploE En el circuito de la #i,ura A! RE = 7== % Si 7 = 7== + 8 = >< ! Ra qu' es i,ual la im edancia de entrada de la rimera &aseS Soluci$n0 Como 7 = 7== + 8 = >< ! la ,anancia total de corriente estar) dada or
= (7== )( ><) = ><==

La im edancia de entrada de la rimera &ase es0

z entrante 'base ) = ><==(7==) = ><=k

A-ora se (er) el dise?o de un am li#icador Darlin,ton% E#e,plo ./0. Se conecta un circuito como se (e en la #i,ura A De endiendo de la a licaci$n que se le de al am li#icador! ser) el (alor de la resistencia de car,a Rl% Su on,a que RL D 4AA o-mios + que 5cc D :A 5olt% Ense,uida se esco,e el (alor de RE en este Caso! RE D 4A o-mios% El transistor seleccionado como T: tiene -FE: D 4AA! +

R&: D 4: o-mios% Ma que el (alor m)*imo de Ic D :A 5 > 2 RL V RE 3 D 4KA Ma! Entonces! el (alor romedio la corriente del colector! iC:! de&e de ser cuando menos LA MA% Entonces ! -ie: D r&: V 3 JFE: V 4 3 re: D JFE: > ,m: 4 El valor de #m7 es IE: 2 mA 3 > :F D LA > :F D ;%B! + -FE: > ,m: D 4AA > ;%B D :K o-mios% Por lo tanto Jie: D <A o-mios% A dic-o (alor romed-FE4 e del colector% A-ora! el transistor T: tiene una resistencia no cortocircuitada en el circuito del emisor! de Manera que la resistencia de entrada del transistor T: es i,ual a -ie: V 2 -FE: V43 Por RE D <A V 2 4A43 4A D 4AFA o-mios% El (alor adecuado ara R8: de&e de ser del Orden del de la resistencia de entrada del transistor T:% Entonces! /N medio de la corriente de se?al se deri(a a tra('s de R8:% Se esco,e R8: D 4 To-mio% Por consi,uiente! la resistencia total en el circuito del emisor del transistor T4 2 #i,%A3 Es a ro*imadamente i,ual a Req D 4%AF T o 4Q > :%AF Q D F4: o-mios% Se esco,e a-ora el transistor T4 que ten,a -FE4 D 4:A + r&4 D 4AA o-mios% La corriente romedio en la &ase del transistor T: es iC: > 8: D LA mA > 4AA D A%L mA% Su oniendo que la 5&e del transistor T: es i,ual a A%B (olt% M (iendo que la ca"da de (olta.e a traa('s de Re ES IG/AL ie: RE D A%AL A 24A o-m%3 D A%L 5olt%% el (olta.e a tra(es de R8: es 4%F 5% M la corriente a tra('s de ella es i,ual a 4%F 5 > 4Q D 4%F Ma% Al (alor romedio de la Corriente% Por lo que! la corriente romedio en el emisor del transistor T4 es IR8: V I8: D 4%F V A%L D :%< miliam % M la corriente romedio en la &ase del transistor T4 es IE4 > -FE4 D :%< Ma% > 4:A D :A micro am % La im edancia de entrada romedio del transistor T4 es 2 -FE4 V 4 3 2 Req 3 V -ie4 D JFE4 Req V -FE4 > ,m4 D3 4:A2F4:3 V 4:A > 2:%< > :F 3 D B4%F Q V 4%:F Q D B; Qo-mios% O&ser(ese que esta alta im edancia de entrada se de&e a la im edancia en el circuito Del emisor! Req % A-ora &ien ! si se reduce a la mitad la corriente ara am li#icador Darlin,ton es Ti D 84> : (eces 8: > : $ 84 8: > < D ;AAA + la ,anancia de (olta.e es T( D (o > (4 D Ti RL > Ri D ;AAA W 4AA > B; Q D <%@@% O&ser(ese que el transistor T4 ACTXA COMO /N SEG/IDOR EMISOR M PROPORCIONA LA GANANCIA DE CORRIENTE MAS NO LA DE 5OLTA9E% En la #i,ura 4A%;%! se muestra que se uede esta&ili6ar un am li#icador Darlin,ton em leando diodos% Si la corriente de saturaci$n in(ersa IS: del diodo

D:! es i,ual a la corriente t'rmica Ico: del transistor T: ! el #actor de esta&ilidad de Corriente del transistor T: es i,ual a la unidad% An)lo,amente! si la corriente de Saturaci$n Is4 es i,ual a la corriente t'rmica Ico4! el #actor de esta&ilidad de corriente del transistor T4 es i,ual a la unidad% El Hnico ro&lema es encontrar los diodos que ten,an esos (alores de corrientes% Como la resistencia de un diodo olari6ado in(ersamente es mu+ alta! la ,anancia de corriente del am li#icador de la #i,% 4A%;! En t'rminos de las &etas de los transistores es a ro*imadamente a 84 8:%

Cdi#o de desi#nacin de transistores D diodos

DESIGNACIN DE TRANSISTORES0

Normalmente el ti o de desi,naci$n de transistores son dos letras se,uidas de tres nHmeros% E.%0 8A 4<F% La rimera letra indica si los dis ositi(os son con uniones o sin uniones + tam&i'n indica el ti o de material de que est) -ec-o% La se,unda letra indica de que clase de dis ositi(o se trata! si de un diodo o de un transistor + de que ti o% M los tres nHmeros si,uientes son nHmeros de serie que indica que son dis ositi(os semiconductores dise?ados ara em leo rinci almente en a aratos dom'sticos% Los que tienen una letra + dos ci#ras no son ara em leo dom'sticos sino ara sistemas del e.'rcito o al,o relacionado% A-ora se resentar) una ta&la en el que indicar) que si,ni#ica cada nomenCLatura%
+RI6ERA ?ETRA distin0 e entre dis"ositi(os con niones y sin niones e indica el material* Dis"ositi(os con niones A* Dis"ositi(os con na o m1s niones, # e tili.an materiales con n mar0en de banda de =,9 a 7*= %, tales como 0ermanio* B* Dis"ositi(os con na o m1s niones, # e tili.an materiales con n mar0en de banda de 7,= a 7,:%, tales como silicio* C* Dis"ositi(os con na o m1s niones, # e tili.an materiales con n mar0en de banda de 7,:% en adelante, tales como arsenl ro de 0alio* D* Dis"ositi(os con na o m1s niones, # e tili.an materiales con n mar0en de banda de menos de =,9%, tales como antimonl ro de indio* Dis"ositi(os sin niones R* Dis"ositi(os sin niones, # e tili.an materiales como los em"leados en 0eneradores Aall y c)l las fotocond ctoras* SEG5NDA ?ETRA N@6ERO DE SERIE indica la a"licaci/n "rinci"al y tambi)n la constr cci/n en el caso de # e se re# iera na mayor diferenciaci/n* A* Diodo, detector, alta (elocidad, Tres cifras "ara los dis"ositi(os me.clador* semicond ctores dise,ados "ara em"leo "rinci"almente en a"aratos dom)sticos* B* Diodo de ca"acidad (ariable C* Transistor de B! 'ba-a "oten& cia)* D* Transistor de "otencia "ara B!* E* Diodo tBnel* !* Transistor de R! 'ba-a "oten& cia)* G* 6Blti"le de dis"ositi(os no similares* A* Sonda de cam"o* C Generador Aall en n circ ito ma0n)tico abierto* ?* Transistor "otencia "ara a"licaciones R!* 6* Generador Aall en n circ ito ma0n)tico cerrado* 5na letra y dos cifras "ara los dis"ositi(os semicond ctores no dise,ados "ara em"leo "rinci"almente en a"aratos dom)sticos*

+* Dis"ositi(o sensible a radiaciones* D* Dis"ositi(o 0enerador de radiaciones* R* Dis"ositi(o de control y conm taci/n dis"arado el)ctricamente, con na caracter$stica de r "t ra 'ba-a "o& tencia)* S* Transistor conm taci/n 'ba-a "otencia)* T* Dis"ositi(o de "otencia "ara control y conm taci/n dis"arado el)ctricamente o "or medio de la l ., # e tiene na caracter$stica de r "t ra* 5* Transistor de "otencia conm taci/n* E* Diodo m lti"licador* F* Diodo rectificador, rec "erador, de eficiencia* G* Diodo de referencia de tensi/n o re0 lador de tensi/n*

En m c2os de los circ itos, los transistores y diodos est1n se,alados solamente como HT5+H, HT5NH, HD5GH o HD5SH* Esto indica # e 2ay m c2os transistores # e son e# i(alentes a n# e ten0an na desi0naci/n diferente*

Est1n estas familias de semicond ctores re"resentadas "or las si0 ientes abre(iat ras* T5+ 4 Transistor 5ni(ersal +N+ ' de silicio )* T5N4 Transistor 5ni(ersal N+N ' de silicio ) D5G4 Diodo 5ni(ersal de Germanio D5S4 Diodo 5ni(ersal de Silicio* T5+, T5N, D5G y D5S 2an de c m"lir ciertas es"ecificaciones m$nimas "ara ser considerados como tales* ?as es"ecificaciones m$nimas " eden (erse en estas tablas* TRANSISTORES

Ti"o T5N T5+ DIODOS N+N +N+

%ceo ma3* 8=% 8=%

Ic* ma3 7==mA 7==mA

2!E min* 7== 7==

+tot ma3* 7==mI 7==mI

fT min* 7==6A. 7==6A.

Ti"o D5S D5G Si Ge

%R ma3* 8<% 8=%

I! ma3* 7==mA :<mA

IR ma3* 7 JA 7== JA

+tot ma3* 8<= mI 8<= mI

CD ma3 < "! 7= "!

Diferentes encapsulados de los transistores:

Este transistor tiene na forma diferente al de los otros de ba-a "otencia* El enca"s lado es diferente "or# e es met1lico y m1s 0rande* Este ti"o de transistores tiene tres "atillas, dos de ellas se (en "ero la otra est1 en el enca"s lado*

El enca"s lado de este transistor es "e# e,o y c adrado de color ne0ro y tiene las tres "atillas e l$nea*

Este transistor es "e# e,o y m y sim"le* S enca"s lado es de color ne0ro con s s tres "atillas en serie*

ENCAPS(6ADO DE TRANSISTORES Se le llama enca sulado al so orte #"sico! o me.or dic-o a la estructura donde se (a a colocar el silicio! adem)s sir(e de rotecci$n a las .unturas del semiconductor ara as" no e* onerlas ni da?arlas con el medio am&iente en el que (an a tra&a.ar%

Como sa&emos el transistor osee ; terminales met)licos e*ternos! los cuales les ermiten a las .unturas 8ASE C COLECTOR C EMISOR ser conectadas al e*terior% El enca sulado uede estar -ec-o de metal o de una resina l)stica de alta resistencia mec)nica + t'rmica! la cu)l ermite al transistor disi ar la tem eratura de tra&a.o 2disi a me.or s" el enca sulado es colocado a un radiador de tem eratura que est) -ec-o de aluminio3! es decir la POTENCIA% E*isten al,unos que oseen m)s de tres terminales! + la ra6$n es la de oder suministrar m)s corriente o sencillamente ara rote,er al transistor de la electrost)tica! es ecialmente si el TRANSISTOR es de alta ,anancia de am li#icaci$n% Los TRANSISTORES son construidos or di#erentes #a&ricantes de SEMICOND/CTORES! los cuales se ri,en or normas uni(ersales de dise?os + oder as" com ati&ili6ar sus roductos% Aqu" uedes encontrar u sitio que -a&la al res ecto de C$mo identi#icar un transistor%%%% C$di,os de Transistores

TA8LA DE ENCAPS/LADOS