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Catedrtico: Ing. Cosme Ral Meza Alvarado Alumnos: Alan Gonzlez Lpez 09061086 Jorge Isai Vargas Esquivel 08061108 Yoshio Alejandro Wong Nez 07060259
Objetivo: Disear una etapa de amplificacin en la banda media y comprobar experimentalmente el diseo de la polarizacin del transistor y la operacin de una etapa de amplificacin, para un punto seleccionado.
INDICE
Parmetros de voltaje, corriente y ganancia. Pg. 4 Clculos para la polarizacin y el amplificador Pg. 6 Respuesta a la Frecuencia.
Pg. 10
eta=200 Vdd=9v Vce=4.5v Re=Ve/Ie=.9/6mA=150 VRc=Vcc-Vce-VRe VRc=9-4.5-.9=3.6v Rc=3.6/6mA=600 10R2=Re R2= =2K R1=(R2Vcc/Vb)-R2=((3k)(9)/1.6)-3k=13.8K Anlisis en pequea seal Se verifica Re>10R2 (200)(150)>10(2k) 30k>20K satisface Vb=(R2/R1+R2)Vcc=(2k/13.8k+2k)9=1.13v Ve=Vb-Vbe=1.13v-.7v=.43 Ie=Ve/Re=.43/150=2.88mA re=26mV/Ie=26mV/2.88mA=9.02 R=R1IIR2=(13.8)II(2)=1.7K Zi= RII re=(1.7k)II(200)(9.02)=1.6K Zo=Rc=600 Av=-Rc/ re=600/9.02=-66.6 R>10RC=1.7K>10(600) no se satisface por lo tanto
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Ai=R/R+ re=(200)(1.7K)/(1.7+1.8)=97.14 Zi=1.7K Zo=RcIIro=600II50k=592 contra 600 Av=-(RcIIro)/re=-65 contra- 66.6 Ro>10Rc=50K>6000 se comple la condicin Ai=Rro/(ro+Rc)(R+re)=99 contra 97.14
III. Respuesta a la Frecuencia 2 Capacitores (C1, C2) C1=10F C2=4.7F RS=1k RL=0.5k
Frecuencia
f 1 100 Hz 5(2m)
0.12V
9.4V
0.12V
10V
0.12V
10.1V
0.12V
9.5V
0.12V
9V
10
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Frecuencia
f 1 100 Hz 5(2m) 1 250 Hz 4(1m) 1 1kHz 2(0.5m)
0.12V
4V
0.12V
8V
1 2.5kHz 2(0.2m)
0.12V
8V
0.12V
10V
0.12V
10.2V
0.12V
10.2V
0.12V
10.2V
0.12V
10V
0.12V
9.5V
0.12V
9V
12
Voltaje de Salida
12 10
Voltaje
10000
100000
1000000
12
10
Volts
13
Frecuencia
30.4575
24.4369
-6.0205
36.4781
30.4575
38.4163
32.3957
1.9382
38.5883
32.5677
2.1102
38.4163
32.3957
1.9382
37.9708
31.9502
1.4926
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Ganancia de Voltaje
45
40
35
30
Decibeles 25
20
15
10
15
Ganancia de Corriente
35
30
25
Decibeles
20
15
10
16
Ganancia de Potencia
4
-4
Decibeles
-6
-8
-10
-12
-14
-16 Frecuencia
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IV. INVESTIGACIN IV.1 Que representa la condicin de oscilacin simtrica mxima de salida. El mximo voltaje de cresta a cresta de salida sin distorsiones. Usualmente la mxima seal de entrada, cresta a cresta de un amplificador dado esta especificado por lo que se debe verificar o comprobar si la seal de entrada es muy dbil, el punto de la lnea de carga en que est polarizado el transistor no afecta los lmites. IV.2 Para qu se utiliza la recta de carga de AC y como se obtiene?
En la figura se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura corresponde a una recta.
La tercera ecuacin define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarizacin, de forma que
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Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar la figura y representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas. Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar la situacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica. Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurar el mximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones. IV.3 Explique una tcnica para la medicin de la Zi y la Zo. Impedancia de Entrada La impedancia de entrada Zi est definida por la ley de Ohm de la frecuencia de la siguiente forma:
Zi Vi Ii
Para el anlisis de pequea seal, una vez que se ha determinado la impedancia de entrada, se puede emplear el mismo valor numrico para los niveles cambiantes de la seal aplicada.
Para las frecuencias dentro del rango bajo a medio-bajo, la impedancia de entrada para un amplificador a transistor BJT es puramente resistiva en naturaleza, y dependiendo de la manera en que se utilice el transistor, puede variar desde unos cuantos ohms hasta los megaohmios.
No se puede emplear un hmetro para medir la impedancia de entrada en pequea seal debido a que este opera en el modo dc.
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La ecuacin anterior es particularmente til por que proporciona un mtodo para medir la resistencia de entrada en el dominio de ac. Se puede utilizar un osciloscopio o un multmetro digital sensible (DMM) para medir tanto el voltaje VS como el Vi. Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, o valores rms, siempre y cuando ambos valores utilicen el mismo estndar. Luego se determina la impedancia de entrada de la siguiente manera:
Ii VS VI Rsensor
Zi
Vi Ii
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Impedancia de Salida La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrs al sistema con la seal aplicada igual a cero.
Para determinar Zo, se aplica una seal, VS, a las terminales de salida y se mide el nivel de VO con un osciloscopio o un DMM sensible. Luego se calcula la impedancia de salida de la siguiente manera:
Io V Vo Rsensor VO IO
ZO
Para las frecuencias en el rango bajo a medio, la impedancia de salida de un amplificador BJT es resistiva por naturaleza y, dependiendo de la configuracin y la colocacin de los elementos resistivos, Zo puede variar desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder los 2M.
No se puede emplear un hmetro para medir la impedancia de salida en pequea seal debido a que este opera en el modo dc.
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V.I Conclusiones. Al tener nicamente los capacitores de acoplamiento 1 y 2, se tiene un voltaje amplificado menor al que se tiene con estos y el capacitor en paralelo con RE.
Es importante al disear un circuito amplificador que este trabaje en la mitad de su regin activa, ya que si no es as el voltaje obtenido se corta en cualquiera de sus semiciclos.
Si el transistor empieza a operar ya sea hacia el lado de saturacin o corte la onda de salida se empieza a ver asimtrica, es decir un semiciclo mas grande que el otro, y si este opera cerca de saturacin o corte, los semiciclos de la onda se cortan.Se opera en la banda media porque al variar la frecuencia se puede apreciar cmo se estabiliza el voltaje de salida
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