UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO

Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniera y Agrimensura Escuela de formacin bsica

Departamento de fsica y qumica Ctedra de fsica IV

Tema: Cuestionario

Prof.: Susana Marchisio

Alumnos: Schulze Jonathan S-4848/8 Naldini Lucas N-1069/3

Julio de 2013

CUESTIONARIO SOBRE TRANSISTORES FET Qu es un transistor FET? Durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico que controla el flujo de corriente a travs del dispositivo. Cules son las zonas que se diferencian en la grfica de las curvas de ID vs VDS de un transistor FET? Zona hmica (relacin lineal ID vs VDS), zona de corte (no circula corriente), zona de saturacin (corriente constante) y zona de ruptura (flujo de portadores a travs de las junturas). El MOSFET est formado por: a) un aislador y semiconductores tipo p y n. b) un aislador, un metal y un semiconductor de cualquier tipo. c) un aislador, un metal y semiconductores n y p. Qu determina la tensin de pinch-off en un FET? a) el estrangulamiento del canal y que la corriente que circula por el mismo sea constante. b) el comienzo del flujo de electrones desde la fuente hacia el drenador. c) la tensin a la cual los portadores superan la regin de carga espacial. Funcionamiento principal de un JFET: a) flujo de portadores favorecidos por el campo elctrico de una juntura en inversa. b) formacin de un canal de un tipo de semiconductor que permite el flujo de portadores desde la fuente hacia el sumidero. c) ensanchamiento y estrechamiento de un canal semiconductor a partir del aumento o disminucin del ancho de la regin de carga espacial de la juntura generada a ambos lados del canal. Cul es la diferencia principal entre un MOSFET de enriquecimiento y uno de empobrecimiento? a) los semiconductores que estn en contacto con los terminales S y D son ms dopados en el MOSFET de enriquecimiento. b) el MOSFET de empobrecimiento est formado por un canal semiconductor preestablecido del mismo tipo que los que estn en contacto con los terminales, mientras que en el de enriquecimiento el 1

canal se forma aplicando una tensin VGS. c) en el MOSFET de empobrecimiento el estrangulamiento del canal se logra con una tensin |VDS| menor que la que necesita el de enriquecimiento. Es necesaria una tensin en la compuerta para que haya circulacin de portadores? En cul FET? a) si, en ambos. b) no, no es necesaria. c) solo en el MOSFET de empobrecimiento. d) solo en el MOSFET de enriquecimiento. A qu se debe que en el circuito equivalente del JFET, el circuito de entrada (terminal de puerta) se deja abierto? a) No circula corriente por el circuito unido a la compuerta b) La resistencia de entrada es muy elevada c) Otra Es preferible un canal de tipo n o de tipo p? Por qu? a) es lo mismo, ambos permiten el flujo de portadores. b) tipo p, tienen ms portadores. c) tipo n, porque tiene ms portadores d) tipo n, porque para una tensin determinada el flujo de electrones es ms rpido que el de huecos. Por qu es mayor el estrechamiento del canal cerca del drenador? a) al encontrarse a un potencial mayor, en valor absoluto, que la fuente. b) es menos dopado el semiconductor en esa zona. c) Otra