THS 7070

.
4
*******
******
Matre s Sciences
Prsent par
Mr. Amadou DIAO
MEMOIRE DE THSE
, ~
Option: Energie Solaire
DEPARTEMENT DE PHYSIQUE
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
M. Mansour KANE Professeur FST/UCAD
M. Amadou. L N'DIAYE Matre de Conf. FST/UCAD
M. Mamadou ADJ Matre de Conf. ESP/UCAD
M.lssakha YOUM Matre de Conf. FST/UCAD
M. Franois ZOUGMORE Matre de Conf. UFR-SEAI
Ouaga.
M. Bassirou BA Matre de Conf. FST/UCAD
M. Grgoire SISSOKO Professeur FST/UCAD
Soutenu publiquement le 15/01 12005 devant le jury compos de :
Pour obtenir le GRADE DE DOCTEUR DE 3
me
CYCLE EN PHYSIQUE
'-' , . ~ , . .., ~ <1 i , .' . ~ . ~ ~ ~ ~ ~
UNIVERSITE CHEIKH ANTA DIOP DE DAKAR
ETUDE EN MODELISATION D'UNE PHOTOPILE BIFACIALE AU SILICIUM
MONOCRISTALLIN EN RGIME DYNAMIQUE FRQUENTIEL SOUS
CLAIREMENT MULTISPECTRAL ET SOUS L'EFFET D'UN
CHAMP MAGNTIQUE
/
"
,', Membres:
,
. ~
Ce travai[est acfi :
Jvton Pre
?lia ?lire
Jvtes crantes
?lies OncCes
?lia ien-)hme
?lies Prres et Surs
?lies Cousins et Cousines
crous (tes) ceu:{ (ce[Ces) qui, ae prs ou d Coin} m}ont soutenu tout au Cong ae mon
cursus Cmentairejusqu'au cursus universitaire.
Ce travai{a t effectu:
au La6oratoire des Semi-conducteurs et cf'.nergie Sofaire (L)tSS) de fa
Pacuft des Sciences et Tecfzniques (PSI) ,
au La6oratoire cf'.nergtique llpplJue (L.ll) de {'.cofe Suprieure
PoEytecfznique (SP)
d L'Vniversit Cfzeil{.fz llnta (Diop de CDak.ar (SngaQ
et
au La6oratoire de :Matriau.:( et .nvironnement (Lllgvf/E) de L'Vniversit de
Ouagadougou (urkfna Paso)
Sous fa direction de :Monsieur Pranois zovq:MOCJ{., :Matre de Confrences L 'VPCJ{ - S.ll
de Ouagadougou et de :Monsieur qrgoire SISS01(O, Professeur tufaire au CDpartement de
Pfzysique fa PST.
cRgmerciements
:Mes remerciements :
'Monsieur 'Mansour 'l(jl'NE, Professeur rrtufaire et Jirecteur cfu La60ratoire afEnergie Sofaire (L.JfSfE.S) de fa
Cf'acuft cfes Sciences et 'Tecfiniques et cfu Centre afEtudes et cfe <Xfcfiercfies afEnergies <R.!nouvefa6fes (CJEJI(fE.CR)
cfe Ja/({lr. Je vous remercie cfe m'avoir accept s'inscrire au JfE}l a nergie sofaire cfont vous tes fe <R.!sponsa6fe.
Vous avez t toujours cfisponi6fe recevoir ls cfiffrentes so{{uitations cfes tudiants sans cfistinction cfe catgories
socio-professionnef!es. Vos conseifs cfe sage, font cfe vous un fiomme cfe Jieu prein cfe quaRts fiumaines, sociafes et
scientifiques. Je vous remercie, cfe tout mon cur, pour {,fionneur que vous mefaites en acceptant cfe participer et cfe
prsider ce jury.
'Monsieur Jfmacfou .L. :N'J1}lrtfE, 'Matre cfe Confrences fa Cf'acuft cfes Sciences et rrecfiniques cfe L 'V.C)l.J.
pour {,fionneur que vous me faites en acceptant cfe participer ce jury. Vous avez t toujours attentif ail.(
tudiants en feur cfonnant cfes conseifs et accompagnant cfans feurs activits atudes. Je vous remercie gafement
pour m'avoir enseign cfu premier cycfejusqu'au troisime cycfe.
'Monsieur 'Mamadou )lJJ, 'Matre cfe Confrences, rDirecteur cfes tudes cfe {'fEcofe Suprieure Pofytecfinique cfe
['V.C.J..J et <R.!sponsa6fe cfu La60ratoire afEnergtique }lpprUJue (L.fE.)l) Je vous e.:(JJrime mes remerciements fes
p[us sincres. Vous avez t accueillant, ouvert, attentif ['ensem6fe cfes tudiants cfe votre La60ratoire sans
cfistinction. Vous aviez mis notre cfisposition tout ce cfont nous avions 6esoin pour mener 6ien fes travail.( cfe
reclierclie qui MUS ont t confis. )lu cfew cfe ['accuei{ et cfu soutient matrie{ et mora4 vous avez cfes quaRts
fiumaines et sociafes trs apprcia6fes. Je 'vous remercie cfe 6ien vouCoir accepter et cfe participer ce jury.
'Monsieur 1ssallfia rtoV'M, 'Matre cfe Confrences et Cfief cfu Jpartement cfe Pfiysique cfe fa Cf'acuft cfes Sciences
et 'Tecfiniques cfe L'V. C}l. J. Vous avez t toujours accueillant et ouvert aU{ cfiffrentes so{{uitations cfes
tudiants. Vos conseifs ont t encourageants et 6nfiques pour MUS. VOS quaRts refationnef!es, fiumaines et
sociafes, font cfe vous un fiomme cfe Jieu toujours cfisponi6fe accepter fes autres. Je vous remercie pour {,fionneur
que vous mefaites en acceptant cfe participer cejury.
'Monsieur Cf'ranois zoVq'MO<R...fE, 'Matre cfe Confrences L'V.Cf'.<R... - S.fE.}l cfe ouagacfoUfJou (urf\,jna Cf'aso)
pour ['fionneur que vous me faites, en ne mnageant aucun effort, en acceptant cfe participer ce jury. Vous avez
faiss tous vos engagements au url?Jna pour venir au Snga[ manifester votre soutient mora[ et scientifique. Je
vous en serai toujours reconnaissant, surtout pour tous ls cfianges fruetuell.( tout au Cong cfe ce tra'vai{ que vous
avez 6ien vou[u me confier et diriiJer cfistance.
'Monsieur qrgoire S1SS01(0, Professeur rrtufaire fa Cf'acuft cfes Sciences et 'Tecliniques cfe L 'V.C}l.J. pour
avoir 6ien vou[u co-diriiJer ce travai[ Je ne saurais trouver assez cfe mots forts pour 'vous e.:(JJrimer toute ma
profonae gratitude. Vous avez t toujours cfisponi6fe promouvoir cfavantage {'cfucation cfes jeunes sans
cfistinction. 'Mafgr vos mu[titudes cfiarges sociafes, scofaires et universitaires, vous avez pu cfonner fe meif!eur cfe
vous-mme pour toujours accompagner fes jeunes cfans feurs cfucations scientifiques, morafes et sociafes. Vous tes
un /iomme de conviction, de sagesse et vos conseifs ont suscit en moi fa persvrance et {'a6ngation dans t:e travail
'Vous avez t accueillant, attentif nos diffrentes sofftcitations'et garement aussi aW( autres. Je vous remercie,
de tout mon cur, pour {'/ionneur que vous mefaites en acceptant de participer cejury.
:Monsieur assirou fl, :Matre de Confrences fa CFacu des Sciences et 'Tec/iniques de L'V. C.fl. (j). 'Vous tes un
/iomme disponi6t:e, ouvert, accueiznt et vous avez t toujours attentif aW(personnes qui vous entourent. 'Vous
nous aviez accuei avec respect et considration tout en nous incfuant dans votre entourage de conseiIt:er et
d'enseignant. Je vous remercie de {,Iionneur que vous mefaites en acceptant de participer ce jury.
:Monsieur CFa6 Idrissa flfJ(fJ(O, (j)octeur de L'Vniversit C/iei{/i .fl.nta (j)iov de (j)a{ar. 'Vous avez t toujours
dlsponi6t:e nos innom6ra6t:es sofftcitations. (j)e part votre a6ngation dans t:e votre courage, votre vofont
de faire toujours mieux:, j'ai pu 6nf:ier de votre apport ingafa6t:e dans fa confection de ce travail Je ne cesserai
jamais vous remercier pour tout ce que vous avez fait pour {'ensem6t:e de {'quipe que nous fonnons. Que (j)ieu Ce
'Tout Puissant i{[umine ton c/iemin toujours.
:Monsieur sarif :Matre-flssistant L'iESP de CJ1zise. 'Vous avez t disponi6t:e, accueiznt, attentif
nos d'tjfrentes soffuitations. 'Vos conseifs nous ont servi sunnonter des o6stact:es et vos quaRts /iumaines,
sociat:es, scientifiquesfont de vous un /iomme prein de 60nnes vofonts. Je vous remercie garement pour tout ce que
vousfates pour !esjeunes dans t:e 6ut d'approfondIr t:eurs connaissances scientifiques.
Je remercie gat:ement (j)r. Safou :Madougou, (j)r. Seng/iane :M6odji, (j)r. irame (j)ieng, (j)r. Nzonzofo, (j)r.
'Vincent Sam6ou, (j)r. Lemra60tt J{a6i6oufa/i, (j)ji6rif (j)iaw, Oumar L, :Madame (j)ia[fo, Soufeymane Ndoye,
:Moustap/ia %iame, OumarWone, fl6ou6acar(])iop, :Mamadou quye, ou6acarafd', Ousmane afd', (j)aouda
afd', Sidj afd', flfp/ia (j)ia[fo, :Mamadou Sy, Sam6a 1(and, :Mamadou. :M. Camara, fllfa (])ia, fldama C/iei{/i
quye, fl6doufaye CFofana, :Moussa odian, Sir .fl.w, CJ1ziemo :M6a[fo, ([)jigo, (j)aouda (j)anfaft/ia, (j)oro
1(jlnd, Tufiane 1(and, Sf<.9u traor, CFod Sagna, flnsoumana Sagna, Ousmane Camara, Idrissa Ciss, :Mamadou
aU, rJ)icJ<gry :Mamadou Seydi, ou6acaraU, :Maodo 1(jlnd, :M6aye (j)ieng, (j)iam Ndour,
mes amis et co[!gues du Laboratoire des Semiconducteurs et d'iEnergie Sofaire (L.fl.S..S): C/ieik./i .rrSarr,Jlfaye
.. 1(oumaJ<gye, :Mamadou (j)ia[fo, fl/imet. 'JG 1(j, a6a CFt:eur, :Moustap/ia (j)me, flmadou (j)iaw, flderra/imane,
et du La6oratoire d'iEnergtique .fl.pp[ique (L. iE..fl.): Safofy :Ngom, :Moussa Sne,.fl.. Oustaze Sa!{, Ousseynou (])iao,
at/iify, flmadou aU, qora :Niang, Si[vain .fl.g6angfanon, fl6a6cuar 'l1iiam, fl6dou 'Tour, 16ra/iima
(j)iatta, fl60uzeidl (j)an :Maza, quye, :Macodou CJ1ziam, CFama qning, Soufeymane 'Tour, C/iei{/i
'Veten, :Mamadou.fl. Ndiaye, )Itou SalI, 16ra/iima (j)iop.
Sommaire
SOMMAIRE
Liste des figu res .................................................................................................................................. Il
Nomenclature 111
GENERALE 1
BIBLIOGRAPIIIE 4
CHAPITRE 1: ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE S-
111 INTRODUCTION 9
1-21 ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE 9
1-31 CONCLUSION 45
BIBLIOGRAPHIE........................................................................................................................... 46
CHAPITRE II: ETUDE THEORIQUE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE: ECLAIREMENT
PAR LA FACE AVANT 48
II - A 1ECLAIREMENT DE LA PHOTOPILE BIFACIALE PAR LA FACE AVANT 49
Introduction 49
II - A _1) Prsentation de la photopile bifaciale 49
II - A-2) Equation de continuit 50
II - A-3) Conditions aux limites 51
II - A-4) Profil des modules du coefficient de diffusion et de la longueur de diffusion complexe
en fonction de la frquence de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ magntique 52
II - A-5
0
) Etude du module de la densit des porteurs minoritaires dans la base en fonction de la
profondeur pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique... 54
II - A-6) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de ,ritesse de
recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de modulation de
l'clairement et du champ magntique 56
II - A-7) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la frquence de
l'clairement pour diffrentes valeurs du champ magntique ........................................................ 57
II - A - 7 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant en fonction de la frquence de
l'clairement pour diffrentes valeurs du champ magntique 58
II - A-8) Etude du module du pbotocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
l'clairement pour diffrentes valeurs du cbamp magntique 59
II - A - 8 - 1) Etude de la phase du photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
II - A-9) Etude du module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique 62
U - A -10) Etude du module de la phototension de circuit ouvert en fonction de la frquence de
l
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrA / LASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
Sommaire
II - A _11) Etude du module du fonction du module de la phototension pour
diffrentes valeurs de la frquence de modulation de l'clairement et du champ magntique...... 64
II - A-12) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse de
recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ
magntique 65
II - A-13) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction du module de la
phototension pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique 66
II - A-14) Etude du module de la capacit de diffusion en fonction de la vitesse de
magntique 67
Conclusion 68
BIBLIOGRAPHIE.................................................................................................................. 69
CHAPITRE III : ETUDE THEORIQUE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE: ECLAIREMENT
PAR LA FACE ARRIERE ................................................................................................... 71
III - B / ECLAIREMENT DE LA PHOTOPILE BIFACIALE PAR LA FACE ARRIERE 72
IntroductioD 72
III - B - 1) Equation de continuit 72
III - B - 2) Conditions aux limites .......................................................................................... 73
ID - B - 3) Etude du module de la densit de porteurs minoritaires dans la base en fonction de la
profondeur pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique.. 74
III - B - 4) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la vitesse de
ecmbinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ
magotiqDe 75
III - B - 5) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la frquence de
III - B - 5 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant en fonction de la frquence de
l'clairement par la face arrire pour diffrentes valeurs du champ magntique 77
[II - B - 6) Etude du module du photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
III - B - 6 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant de court-circuit en fonction de la
frquence de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ magntique 79
III - B - 7) Etude du module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison la
III - B - 8) Etude du module de la phototension de circuit ouvert cn fonction de la frquence de
II
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIA ! LASES - FST ! UCAD - SENEGAL 2005
Sommaire
nI - B - 9) Etude du' module du photocourant en fonction du module de la phototension pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique 82
In - B - 10) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse de
magntique 83
III - B - 11) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction du module de la
phototension pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique 84
III - B - 12) Etude du module de la capacit de diffusion de la ZCE en fonction de la vitesse de
magntique 85
Conclusion 86
BIBLIOGRAPHIE 88
CHAPITRE IV : ETUDE THEORIQUE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE: ECLAIREMENT
SIMULTANE DES DEUX FACES AVANT ET ARRIERE 89
IV- C / ECLAIREMENT SIMULTANE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE PAR LES DEUX
FACES AVANT ET ARRIERE 90
Introduction 90
IV - C - 1) Equation de continuit 90
IV - C - 2) Conditions aux limites 91
IV - C - 3) Etude du module de la densit de porteurs minoritaires dans la base en fonction de la
,profondeur pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique.. 92
IV - C - 4) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la vitesse de
recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'claire-ment et du
champ magntique 93
IV - C - 5) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la frquence de
IV - C - 5 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant en fonction de la frquence de
IV - C - 6) Etude du module du photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
IV - C - 6 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant de court-circuit en fonction de la
frquence de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ magntique 97
IV - C - 7) Etude du module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison la
IV - C - 8) Etude du module de la phototension de circuit ouvert en fonction de la frquence de
III
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DlA / LASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
Sommaire
IV - C - 9) Etude du module du photocourant en fonction du module de la phototension pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique 101
IV - C - 10) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse de
magntique 102
IV- C - 11) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction du module de la
phototension pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique
........................................................................................................................................................... 103
IV - C - 12) Etude du module de la capacit de diffusion de la ZCE en fonction de la vitesse de
magntique 104
Conclusion 166
BmLIOGRAPHIE 107
CHAPITRE V: METHODES DE DETERMINATION DE QUELQUES PARAMETRES DE
RECOMBINAISON 108
V - D / METHODES DE DETERMINATION DE QUELQUES PARAMETRES DE
RECOMBINAISON 109
Introduction 109
V - D - 1) VITESSES DE RECOMBINAISON INTRINSEQUES 109
V - D- 2) TECHNIQUES DE DETERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION
EFFECTIVE 111
....................................................................................................................................................... 112
V - 0 - 2 - 2) Technique du photocourant de court-circuit ( face avant ) 114
V - 0 - 2 - 3) Technique de la phase du photocourant de court-circuit ( face avant ) 116
V - 0 - 2 - 4) Technique de la phototension de circuit ouvert ( face avant) 117
V - D- 3) MODELES DE CIRCUITS ELECTRIQUES EQUIVALENTS D'UNE PHOTOPILE
........................................................................................................................................................... 119
V - 0- 3 - 1) Modle exponentielle simple ou une diode ( MES ) 120
V - 0- 3 - 2) Modle double exponentielle ou deux diodes (M 0 E) 121
Conclusion 123
BIBLIOGRAPHIE 124
CONCLUSION GENERALE ........................................................................................................ 126
IV
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - fST 1DCAD - SENEGAL 2005
Liste des Figures
Liste des figures
Figure 1-1--------------------------------------------------------------------------10
Figure 1-2-------------------------------------------------------------------12
Figure 1-3------------------------------------------------------------------------------20
Figure 1-4-----------------------------------------------------------------------------------------20
Figure 1-5-------------------------------------------------------------------------------25
Figure 1-6------------------------------------------------------------------27
Figure 1-7-----------------------------------------------------------------------------------------34
f=igure ;\-1----------------------------------------------------------------------------------------------------4l;l
Figure ;\-2-----------------------------------------------------------------------------53
Figure
f=igur13
Figure ;\-5----------------------------------------------------------------------------------54
Figure A-6-------------------------------------------------------------------------56
Figure A-7-----------------------------------------------------------------------57
FigurE! J\-I3------------------------------------------------------------------------------------------------------!51:1
Figure J\-l;l------------------------------------------------------------------------------------------------------()O
Figure A-1 0------------------------------------------------------------------61
Figure A-11-------------------------------------------------------------------62
Figure A-12----------------------------------------------------------------63
Figure A-13-----------------------------------------------------------------------------64
Fjgure A-14-----------------------------------------------------------------------65
Figure A-15-----------------------------------------------------------------66
Figure A-16-------------------------------------------------------------------67
Figure
Figure ------------------------------------------------------------------------75
Figure
Figure
Figure
Figure
Figure -----------------------------------------------------------------------130
Figure
Figure
Figure 0-------------------------------------------------------------------------133
Figure
Figure ------------------------------------------------------------------------------------136
FiglJr13
Figure
Figure
Figure
Figure
Figure
Figure 7---------------------------------------------------------------------------l;ll;l
Figure
Figure 01
Figure 0--------------------------------------------------------------------------102
Figure C-11---------------------------------------------------------------------1 04
Figure
Figure 0-1-----------------------------------------------------------------------------110
Figure 0-2---------------------------------------------------------------------111
Figure 0-3---------------------------------------------------------------------112
II
Liste des Figures
Figure 0-4-----------------------------------------------------------------------------------113
FigLI re 0-5--------------------------------------------------------------------------------------- 114
Figure 0-6-------------------------------------------------------------------------115
Figure 0-7 ~ 6
Figure 0-8--------------------------------------------------------------------------------------------117
Figure 0-9--------------------------------------------------------------------------------------- 118
Figure 0-1 0-------------------------------------------------------------------------119
Figure 0-11-8------------------------------------------------------------------------------------------120
Figure 0-11-b--------------------------------------------------------------------------------120
Figure 0-11-c-------------------------------------------------------------------------------121
fig ure 0-12---------- --------------------------------------------------------------122
Figure 0-12-b----------------------------------------------------------------------122
Figure 0-12-c-----------------------------------------------------------------------------------122
Figure 0-12-d----------------------------------------------------------------------------123
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
III
Nomenclature
Nomenclature
Ln Dure de vie moyenne des porteurs minoritaires dans la base -----------------(lJs)
~ Coefficient de diffusion des porteurs minoritaires dans la base (cm-
2
.s-
1
)
C
n
Longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans la base ----------------(cm)
~ Longueur de diffusion complexe des porteurs minoritaires dans la base en fonction de la
frquer' CP. ro et du champ magl1tiqlJe -------------------------------------------(cm)
L:
tT
Longueur de diffusion effective des porteurs minoritaires dans la base ------(cm)
f Frquence de modulation du rayonnement incident ---------------------(Hz)
ro Frquence angulaire ---------------------------------------------------------------(rad. s-1)
B Intensit du champ magntique ---------------------------------------(T)
x Profondeur de la base de la photopile bifaciale --------------------------------(lJm)
d Epaisseur de l'metteur ------------------------------------------(lJm)
H Epaisseur deIa base ----------------------------------------------------------------( IJm)
Ho Epaisseur totale de la photopile bifaciale -----------------------------------(lJm)
q Charge lmentaire de l'lectron ----------------------------------------------------(C)
ni Concentration intrinsque du matriau Si ---------------------------------(cm-
3
)
Nb Taux de dopage des impurets dans la base -----------------------------------(cm-
3
)
t Temps --------------------------------------------------------------------(s)
G(x,t) Taux de gnration en fonction de la profondeur x et du temps t ------ (cm-
3
.s-
1
)
gE(X) Taux de gnration en fonction de la profondeur x -------------------------( cm-
3
.s-
1
)
f: Paramtre dfini selon le mode d'clairement de la photopile bifaciale
n Le nombre de soleil
ak , b
k
Coefficients tabuls du rayonnement solaire
OE(X,t) Densit des porteurs minoritaires photocrs dans la base en fonction de la profondeur
x et du temps t ---------------------------------------------------------------------(cm-
3
)
o(x,ro)Densit des porteurs minoritaires photocrs dans la base en fonction de la profondeur
x et de la frquence ro --------------------------------------------------------(cm-
3
)
Sf Vitesse de recombinaison la jonction --------------------------(cm.s-
1
)
Sb Vitesse de recombinaison la face arrire ------------------------------------(cm.s-
1
)
J
ph
Densit de photocourant --------------------------------------------------------(A. cm-
2
)
\jf Phase de la densit de photocourant --------------------------------------------(rads)
JphCQ; Densit de photocourant de court-circuit -----------------------------------(A.cm-
2
)
Nomenclature
\VC: Phase de la densit de photocourant de court-circuit ----------------------(rads)
VphE Phototensi 0 n ----------------------------------------------------------------------(V)
VphCOE Phototension de circuit ouvert ------------------------------------------------(V)
V
T
Tension thermique ----------------------------------------------------------------(V)
T Temprature (0K)
P
E
Puissance de la photopile bifaciale -------------------------------------------------(W.cm-2)
_C
be
Capacit de diffusion de la zone de charge d'espace --------------------(F.cm-
2
)
C
J
Capacit de jonction -------------------------------------------------------------(F. cm-
2
)
I
ph
Photocourant --------------------------------------------------------(Acm-
2
)
Id Courant de diode ------------------------------------------------------------(Acm-
2
)
I
sh
Courant de fuites ---------------------------------------------(Acm-
2
)
L Inductance de la photopile bifaciale -------------------------------------(H)
R
s
Rsistance srie --------------------------------------------------------(O. cm-2)
Rsh Rsistance shunt ------------------------------------------------------------(O. cm-2)
R
ch
Rsistance de charge -----------------------------------------(0.cm-
2
)
rd Rsistance dynamique ------------------------------------------------(0. cm-
2
)
Zj,Sh Impdance quivalente de la zone de charge d'espace, de la rsistance dynamique et
de la rsistance shunt ----------------------------------------------------(0.cm-
2
)
Introduction Gnrale
INTRODUCTION GENERALE
Rgime Dynamique Frquentiel
La conversion photovoltaque est un moyen direct de transformation de l'nergie solaire en
nergie lectrique. Le dispositif utilis, est appel cellule solaire ou photopile constitue de
matriaux semi-conducteurs, le plus souvent base de silicium, jonction p-n ( ou n-p ) o
rgne un champ lectrique intense qui spare les charges photognres dans la base par la
lmie slai.e. En effet, A.C. 8ecquerel a dcouvert l'effet photovoltaque en 1839, mais c'est
avec la crise de 1973-1974 que la fabrication des cellules solaires a connu un progrs
significatif [ 1, 2 ]. Ainsi en 1955, dans les laboratoires BELL ( Etats Unis ), des chercheurs ont
mis au point des cellules solaires dont le rendement de conversion nergtique ( c'est--dire le
rapport de l'nergie lectrique produite sur l'nergie rayonne incidente) atteint les 6% [ 2 ].
Par la suite, le dveloppement des techniques de fabrication [ 3 ] des semi-conducteurs (
redresseurs, transistors et thyristors etc. ), a permis d'amliorer la qualit des matriaux
utiliss et l'architecture des photopiles. Des premires photopiles monofaciales (
monocristallin, polycristallin, multicristallin et nanocristallin ) o le rendement nergtique est
faible, on assiste la mise au point de nouvelles photopiles bifaciales [ 4, 5] ( monocristallin,
polycristallin et multicristallin ) dont le rendement de conversion est suprieur ou gal 20% [
6 ]. Dans l'laboration de ces photopiles, la technologie de fabrication et les dfauts des
paramtres de rseau engendrs, occasionnent une prsence des centres de recombinaisons
des porteurs de charges photocrs. Parmi ces recombinaisons des porteurs de charges qui
sont essentiellement les causes principales des faibles rendementds observs des photopiles,
on peut citer: les recombinaisons en volume de Schockley-Read-Hall [ 2, 7 ], les
recombinaisons d'Auger, radiatives et surfaciques [ 7, 8 ]. Ces diffrentes recombinaisons
cites ci-dessus, influent sur les paramtres fondamentaux des photopiles tels que la dure de
vie, la longueur et le coefficient de diffusion, les vitesses de recombinaison aux interfaces et
la face arrire.
Dans le but de contrler ces paramtres fondamentaux, diffrentes techniques de
caractrisation des cellules solaires, afin de mieux les rentabiliser, en rgime statique ou
dynamique, sont bases sur les mesures des effets optiques [ 9 ] ou lectriques [ 10, 11 ].
Aussi, de nouvelles techniques d'laboration et mthodes de purification des photopiles ont
t mises sur pied, comme par exemple:
- la technique PLD ( Dpt par Laser Puls) [ 12 ]
- la technique de la Pulvrisation Cathodique [ 13 ]
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Introduction Gnrale
- la technique PVD ( Dpt en phase Vapeur Physique) [ 13 ] ou CVD ( Dpt en phase
Vapeur Chimique) [ 13 - 16 ]
-la passivation [17,18,19]
- le polissage optique etc.
Selon l'excitation et la rponse de la photopile, plusieurs techniques de caractrisation
utilises, se subdivisent en deux groupes:
i) techniques en rgime statique:
On mesure la rponse de la photopile suivant:
une excitation optique monochromatique [ 20 - 22] ou multispectrale [ 23, 24 ]
un bombardement par faisceau d'lectrons [ 25 ]
une excitation lectrique [ 26 ]
ii) techniques en rgime dynamique frquentiel ou transitoire:
techniques en rgime dynamique frquentiel:
Lorsque le signal est lectrique priodique de pulsation m, les rponses enregistres sont:
l'impdance Z(m ) [ 27 ]
la capacitance C (m) [28, 29 ]
la conductance G (m ) [ 30]
Lorsque le signal est optique priodique de pulsation m, les rponses enregistres sont [ 31,
32 ]:
la phototension alternative Vph(m )
le photocourant alternatif Iph(m )
techniques en rgime dynamique transitoire:
C'est soit la mesure du courant de court-circuit I
cc
( t ) enregistr selon que l'excitation est puls
[ 33 ] et peut tre :
un faisceau d'lectrons [34 - 41] avec la mthode EBIC ( Courant induit par faisceau
d'lectrons)
un signal lectrique [ 42 ] avec la mthode ESCCD ( Dcroissance du courant lectrique
de court-circuit)
un signal optique [ 43 - 46 ] avec les mthodes OBIC ( Courant induit par faisceau
optique) ; O-DLTS ( Spectroscopie optique d'un niveau transitoire
interne)
un signal lectromagntique [ 47, 48 ]
soit, la mesure de la tension de circuit ouvert obtenue par:
excitation lectrique [ 49, 50] avec la mthode E-DLTS ( Spectroscopie lectrique d'un
2
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Introduction Gnrale
niveau transitoire interne)
excitation optique [51 - 57] avec les mthodes PVD ( Dcroissance de la phototension ),
SPV ( Phototension surfacique )
Soit la mesure des rgimes transitoires en photoluminescence observs sur des matriaux
semi-conducteurs photometteurs [ 58 - 61].
Dans ce travail, nous prsentons, au chapitre l, une tude bibliographique sur les mthodes de
caractrisation et de dtermination des paramtres phnomnologiques et lectriques d'une
photopile.
Au chapitre Il, une tude thorique dans la base de la photopile bifaciale claire en face
avant par un clairement multispectral en modulation de frquence et sous l'effet d'un champ (
ou induction) magntique, est faite sur la longueur et le coefficient de diffusion, la densit des
porteurs minoritaires de charges en excs et les paramtres lectriques.
Au chapitre III, une tude de la photopile bifaciale claire en face arrire, dans les mmes
conditions qu'au chapitre prcdent, est propose.
Au chapitre IV, nous faisons une tude sur la densit des porteurs minoritaires de charges en
excs dans la base et les paramtres lectriques de la photopile bifaciale lorsqu'elle est
claire simultanment des deux faces avant et arrire par un clairement multispectral en
modulation de frquence et sous l'effet d'un champ magntique.
Le chapitre V est consacr la dtermination de paramtres phnomnologiques et
lectriques partir de modles lectriques quivalents de la photopile bifaciale sous
clairement multispectral.
Et enfin, dans la conclusion, nous prsentons quelques perspectives de cette tude pouvant
servir la poursuite de la recherche.
3
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DlA 1LASES - fST IlJCAD - SENEGAL 2005
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Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DlAO / LASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
Chapitre 1 Etude Bibliographique
E : : ~ ~ ~ : ~ ~ : : : : : : : : : : : : : : : : : : ~ : ~ : ~ ~ : ~ L ~ ~ : ~ ~ ~ : : ~ ~ ~ : : ::::::::::::::]
8
-Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIAO 1LASES - fST 1UCAD - SENEGAL 2005
1-11 INTRODUCTION
La photopile, dispositif physique de conversion directe de l'nergie lumineuse en nergie
lectrique, offre un large domaine d'investigations. De nos jours, des tudes sur les
paramtres phnomnologiques et lectriques de la photopile place dans un champ
magntique en rgime statique ou dynamique, deviennent de plus en plus nombreuses et
intressantes, en offrant de belles perspectives.
Dans ce chapitre, nous allons prsenter quelques tudes,- en rgime statique, ayant t
portes sur du champ magntique sur le coefficient de diffusion, la longueur de
diffusion, le photocourant, la dure de vie des porteurs minoritaires d'une photopile, et sur les
vitesses de recombinaison intrinsques d'une photopile bifaciale. Des modles de circuits
lectriques quivalents une exponentielle et double exponentielle d'une photopile en
fonctionnement de gnrateur de puissance, sont prsents afin de dterminer quelques
paramtres lectriques.
En rgime dynamique, des mthodes de dtermination de la dure de vie, de la mobilit, de la
longueur de diffusion, du coefficient de diffusion des porteurs minoritaires et une tude des
vitesses de recombinaison intrinsques d'une photopile, sont dcrites. Aussi, une thorie de la
rflectance photothermique et du photocourant, est prsente.
121 ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE
MEASUREMENT
HETEROJUNCTION
/\/JETHOO [ 1 ]
OF THE MINORITY CARRIER MOBILITY IN THE BASE OF
BIPOLAR TRANSISTORS USING A MAGNETOTRANSPORT
Dans cet article, il est propos une mthode de dtermination du coefficient de diffusion
en fonction de l'intensit du champ magntique B et par consquent la mobilit des porteurs
minoritaires de charge photocrs dans la base. L'tude est faite sur un transistor bipolaire
d'htrojonction (heterojunction bipolar transistor, HBT) par application de la mthode dite
geometrical magnetoresistance (GMR). Cette mthode est utilise pour la dtermination de la
mobilit dans la base d'un HBT en mesurant le courant qui est fonction de l'intensit du champ
magntique B appliqu perpendiculairement sa direction.(voir figure :1-1).
9
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIAO / LASES - PST / UeAD - SENEGAL 2005
T l
.--0>-l
1 4 VCIl
Chapitrel Etude Bibliographique
S
:<
tf----....L-===---__::......::'--__---l...........,..........,
Fig.I. 1 1 :Diagramme schmatique de 10e xprience . Le chem.p magn tique B
e5t pa.LJ'-"C::r-..dicula:.:..; . la direCf-J:--L la variation de CQ'I.2.rant
dans labeoe es! mesure en IOnc tien do 1"inle nsit du champ In"ll:ntique
Les densits de courant des porteurs minoritaires de charge photocrs, sont donnes par les
expressions (1-1 )et (1-2)suivantes :
Je ::= e De . \ln + f1e . Je x B + e f1
e
. n E
J ::= -e . D . \lp +f.1 J x B+e. f.1 "p 0 E
h h h h h
(1-1 )
(1-2)
(1-3)
O Je, Jh sont respectivement les densits de courant des lectrons et des trous De. Oh les
coefficients de diffusion, les mobilits, B et E les champs magntique et lectrique dans
la base; n et p sont les concentrations des porteurs minoritaires de charge photocrs
(lectrons et trous respectivement) 0
Pour cette mesure, plusieurs simplifications sont faites en supposant que les dimensions de la
base suivant les axes x et y sont plus larges que celles de l'paisseur et que les gradients des
porteurs minoritaires sont nuls sur ces deux axes.
8n/8y =0, 8n/x =0, 8p/y =0, 8p/x =O,
A
'lnsol le courant ...."'.+01,.5 n"lin",";+""j,.oc> on ovr-o.S 7
, U <i;3 tJV1 """"UI IIII.IVI .,....... """..:.1 "'II "''''''''''' ..... ,..,,..,""."'...., toi "" ..... "", ""...... __ It, 1 _,,__, _..., .. ..., ...... ,..,
ngligeable (J
hz
= 0), car on considre que les concentrations des deux types de porteurs
minoritaires de charge photocrs sont gales. Ceci conduit aux expressions (1-3), (1-4),
(1-5), (1-6) suivantes:
an
Jez =e 0 De' az + J1e "Jey 0 B +e . J1e . n . E z
an
Jhz=-eD
h
"Oz -J1h"J
hy
B+e"J1h"pE
z
=0
J hy =- J1h . .Jhz . B + e "J1h " P " E
y
D'aprs la mthode GMR, le champ lectrique suivant l'axe y est nul.
D'o d'aprs (1-5), on a :
(1-4)
(1-5)
(1-6)
10
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrA 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
E =
z
D han
fih'P az
En remplaant (1-4) et (1-7) dans (1-3),on a :
J
e7
=e. De + (fie' ni fih . p). Dh . an =e. D* (B). an
- 1+ 2. B2 az aZ
fie
(1-7)
(1-8)
(1-10)
L'quation (1-8) montre que le courant de diffusion dans la base du transistor bipolaire est
rduit par le champ magntique. Avec le transistor bipolaire au InP/GalnAs, le courant de
recombinaison est prdominant dans la base. Dans le cas d'une baSe paisse et haut gain
de courant, le courant de base lb est donn par:
w2
/ b (B) = * . / e (1-9)
2D (B),
Avec le Je courant de l'metteur (constant), w l'paisseur de la base, 't la dure de vie des
lectrons dans la base.
L'incertitude sur le courant est donne par:
t:-.h (B) _ 2. B2
/b(B::::O)-fie
O Ib(B =0) est le courant de base sans champ magntique, lb(B) est la variation de courant
dans la base induite par le champ magntique.
METHOO FOR MEASUREMENT OF ALL RECOMBINAISON PARAMETERS IN THE
BASE REGION OF SOLAR CELLS [ 2 ]
Dans cet article, l'tude de l'effet du champ magntique d'une cellule photovoltaque
soumise une illumination par la face arrire, montre que le photocourant diminue lorsque
l'intensit du champ magntique augmente. Dans cette tude, une mthode simple de mesure
de certains paramtres de recombinaison (mobilit, longueur de diffusion, dure de vie ,
vitesse de recombinaison en face arrire des porteurs minoritaires) dans la base , est
dveloppe. Pour la dtermination de ces paramtres de recombinaison, seul le courant de
court-circuit sans et avec champ magntique et pour deux longueurs d'onde diffrentes, est
considr. Lorsque la base de la cellule est illumine par une lumire monochromatique
(figurel-2), le photocourant est domin par celui des lectrons.
Il
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrA 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
H
A
---sensE
Figure 1. 21: Photopile solaire dans un champ magntique B.
Et l'on suppose que les dimensions de la surface illumine sont grandes par rapport la
longueur de diffusion.
Ainsi, la rsolution de l'quation de continuit des porteurs minoritaires photocrs, donne le
photocourant sous la forme:
1 =2
o
A'Q'F.(l-R)'TJ'(1+Sn'
B
nJ (1-11)
n NB Dn.a
avec
NB
O
(1-12)
(1-14)
Bn=1+(f.lnoB)2 (1-13)
A la surface illumine, q la charge lmentaire, F l'intensit de la lumire incidente, R le
coefficient de rflexion, Tl le rendement quantique, a le coefficient d'absorption, Sn la vitesse
de recombinaison la face arrire, Ln la longueur de diffusion, On le coefficient de diffusion, f.ln
la mobilit, 8 l'intensit du champ magntique.
L'incertitude de photocourant des porteurs minoritaires photocrs, est donne par:
11! = (InIB=O - !nIB;O)
n InlB=o
Dans cette expression, I1l
n
augmente quand le photocourant diminue en fonction de l'intensit
du champ magntique, c'est--dire lorsque l'absorption devient importante.
En faisant varier la longueur d'onde incidente, l'intensit du champ magntique et en mesurant
le photocourant de court-circuit, les paramtres de recombinaison dans la base peuvent tre
dduits. Pour ce faire, on aura considr deux cas:
- Premier cas: B = 0 T,
le photocourant ln est donn pour chaque longueur d'onde par:
2
o
AoqoF'7 [ Sn)
Il = 1+ ---'-'------
N D
n
. al
2.AoqoF'1J( Sn)
1
2
= 1 + ----'-'------
N D
n
oa2
a1, a2, tant les coefficients d'absorption des longueurs d'onde considres.
N tant la valeur NB B =0 To
- Deuxime cas: B 0 T
le photocourant ln est donn pour chaque longueur d'onde par:
2oAoq.Fo'7[ Sn'Bn)
hB = 1+-----'-'--'-'---
NB Dnoal
1
2B
=2
o
A'QoFr;(I+ Sn.enJ
NB D
n
-a2
Des expressions (1-15) et (1-16), on obtient:
Sn 1-1
1
/1
2
= -------=---'-----=-----
D
n
(1
1
/1
2
)/a2-
1
/
a
l
De (1-17), (1-18), (1-19), on en tire la valeur de la mobilit des lectrons:
= _l_(e _ 1)1/2
J.1n B n
r
o
(1-15)
(1-16)
(1-17)
(1-18)
(1-19)
(1-20)
(1-21 )
r =facteur de Hall, d'o:
() =l-I
IB
/12B . al'h/
1
1 -a2
n 1-1d1
2
al.lIS/12S-a2
Aprs avoir dtermin !J.n, le coefficient de diffusion peut tre dduit partir de la relation
d'EINSTEIN:
KT
D
n
=--. f..ln
q
(1-22)
(1-23)
avec K la constante de BOLTZMANN, T la temprature absolue
De l'expression (1-19), la vitesse de recombinaison la face arrire est donne par:
S =D 1-11//2
n n (l1/I
2
)/a2 -liai
En faisant le rapport de (1-17) et de (1-15), on dtermine l'quation transcendante (1-24) qui
permettra de dterminer les diffrents paramtres de recombinaison chaque fois que
l'paisseur de la base est connue.
13
(1-24)
hB=l+S
n
O
n
/D
n
al N
J, l+S
n
/D
n
o
a, NB
En dterminant le coefficient de diffusion, l'expression de la longueur de diffusion est obtenue
par:
(1-25)
O Ln est la dure de vie des porteurs minoritaires.
Ainsi, tous les paramtres de recombinaison dans la base peuvent tre dtermins partir de
la mesure du photocourant de court-circuit pour deux longueurs d'onde incidentes diffrentes
avec ou sans champ magntique; et que ces longueurs d'onde doivent obir certaines
conditions telles que: aH1 et a
2
L/1, puis que l'intensit de la lumire doit tre maintenue
constante. Ces paramtres de recombinaison peuvent tre dtermins exprimentalement
avec des dispositifs appropris. A la face arrire de la cellule, une grille mtallique assure le
contact ohmique pour bien minimiser les pertes en surface. Cette cellule est place entre les
ples d'un lectroaimant crant un champ lectromagntique parallle la surface de la
jonction. Les valeurs mesures de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires de charge
photocrs, sont en bon accord avec les rsultats obtenus en utilisant la mthode bien connue
de la mesure de la rponse spectrale.
VITESSES DE RECOMBINAISON INTRINSEQUES D'UNE PHOTOPILE BIFACIALE [3
- 17]
Les vitesses de recombinaison intrinsques caractrisant certains phnomnes
recombinatoires des porteurs minoritaires en excs au niveau des interfaces et des surfaces
des photopiles (mono- ou bifaciales), font l'objet d'tudes pertinentes afin de contrler leurs
qualits. C'est ainsi, des tudes ont t menes sur la dtermination des expressions des
vitesses de recombinaisons en rgimes statique, dynamique transitoire et dynamique
frquentiel en clairement monochromatique ou polychromatique.
jO) Rgime statique
Lorsque la photopile bifaciale est claire par sa face avant ou par sa face arrire avec une
lumire monochromatique, les vitesses de recombinaison la jonction et la face arrire sont
donnes respectivement par les expressions suivantes:
(1-26)
14
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIA / LASES - fST / UCAD - SENEGAL 2005
(-a(IL)H)-Sh(!LJ
( Sb ) ( HL) = L L
1 a' L (HJ (HJ
ch L - L a (IL ) sh L - exp (- a ( IL ) H )
Ou
r
La (.,1-) - L ap. exp (a (,)H) + exp (a (,)H )jl
Sf (H, L) = !2. L L
2 L La(,)Sh[: ]exp(a(,)H)- Ch(: Jexp(a(,)H)+ 1
_ La(2)Ch( H_) - La(2)exp (a(2)H)+
(
Sb ) (H L) = D L L
2 a' L (H) (H)
ch L +La(2)sh L -exp(a(2)H)
(1-27)
(1-28)
(1-29)
(1-30)
On obtient, en plus de ces deux vitesses de recombinaison la face arrire pour les deux
modes d'clairement, une autre expression de vitesse de recombinaison donne par:
(Sb1)b(H,L) = (Sb
2
)b(H,L) = - th(
avec H, L et sont respectivement l'paisseur de la base, la longueur de diffusion des
porteurs minoritaires et la longueur d'onde incidente.
Les reprsentations graphiques de Sb
1
et de Sf
1
, en fonction de la longueur d'onde, montre
que Sb
1
augmente avec la longueur d'onde tandis que Sf1 diminue.
Dans le modle trois dimensions de la photopile, les vitesses de recombinaison intrinsques
la jonction et la face arrire, sont donnes respectivement par:
D
r. ( 1 .. / H , / H , / TT , l
na, li -l--SWOt --J + COSO t - J ) expt -a in JJ
a,L
k
} L
k
} L
kj
Sf (k , j) = (1-31 )
L k] ( _1_ cos h ( + ais in h ( J- 1

Sb
(1-32)
2M
kj
avec
DI! l (1 1J H J 2H 1 2H ]
/J kj == - exp( -aH) - sinh(-) - a cosh(-) + a cosh( --) - - sinh(--)
L
kj
Ll..j L
kj
Lkj' Lkj' L
kj
L
kj
(1-32-a)
15
M kj = - +
L kj Lkj Lkj 2 L kj
Dn 2 [a 2 H H ( 1 H J]
T
k
/ -2 - sinh( -) - sinh( -) - sinh( -) + a exp( - aH)
L
k
2 L
k
L
k
L
k
L
k
.
) ) -;) J
(1-32-b)
(1-32-c)
(1-33)
la photopile est sous clairement polychromatique par sa face avant ou par sa face
arrire, les expressions des vitesses de recombinaison intrinsques la jonction et la face
arrire, sont donnes par:
3 Do[bj'L -exp(-bj L
Sil = L L L
i-I [ (H b HJ ] - L 0 exp(-b
j
oH) ch(I:)+ oLosh(I:) -1
3 D'[Sh(fl+h;'L .(eXP(-b; .Hl-ChC; )J]
Sb
l
= L
; =
1
L . [ b; . L . sh ) + exp( - b; . If) - ch ( ; -)]
ou
(1-34)
(1-35)
(1-36)
3D o[SheH )+biL .(eXPC-b
j
oH)-ch(li)]J
L L
i=1 L -[b;'L .Sh(i
f
)+exp(-b; .Hl-Ch(7 l]
3 D -[b; L-exp(-b
i
l+b; )J]
Sb
2
= L-----.:::.",------------------:=:--=-
;=
1
L -[exp( -b; . H ) -(ch (li 1+ b; . L . sh )J-1]
En clairant simultanment les deux faces avant et arrire de la photopile, les vitesses de
recombinaison la jonction et la face arrire sont respectivement:
3 D-[bi -L (1 +ch( H) -(I-exp(-b
j
- H)-sh(li) -(1 + exp(-bj . H)l
Sf = l L
3 ;=, L-[b
i
' L.. j-(exp(-b;' Hl -1)+(Ch( -I}(I +exp{-b; H)]
(1-37)
16
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrAa 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
(1-38)
3 D {hi' L {I +ch( ;1 )]- (exp(-h
i
."H)-I)+Sh(; ).(J +exp(-h
i
. H)):
Sb]::::
i=\ L {hi' L sh( ;-).(I-exPH>i . H))+[I-Ch(; )]-(1 +exp(-h
i
H))]
O bj est un coefficient tabul du rayonnement solaire sous AM = 1.5
Quand on applique un champ magntique sur la photopile, le coefficient et la longueur de
diffusion varient en fonction de l'intensit de ce champ magntique pour une dure de vie
moyenne des porteurs minoritaires suppose constante. insi, des expressions (1-33) (1-38),
il suffit de remplacer le coefficient de diffusion 0 par O et la longueur de diffusion L par L pour
obtenir de nouvelles expressions des vitesses de recombinaison intrinsques la jonction et
la face arrire qui varient en fonction de l'intensit du champ magntique appliqu sur la
photopile bifaciale. Ces vitesses de recombinaison diminuent toutes en fonction du champ
magntique.
O'autres vitesses de recombinaison intrinsques la jonction et la face arrire qui prennent
en compte les vitesses de recombinaison aux joints de grain, sont aussi obtenues et donnes
respectivement par:
l l . K, .[b
i
- sinh(_w_b) +b
i
exp(-b, . wb)-
k j cOSh(_)2 Lk,j Lk,j Lk,}
-
Sfo :::: D
'"'" 1\ j [[ wb . Wb: b ] L.L. -----""---c--L. K, cosh(-)+b
i
.Lk,jsmh(-) exp(- i wb)-]
k j cosh(_wb)2 Lk,j Lk,j
Lk,j
II(Rk,j'(J:LJ2
f
Kj'[bi.eX
P
( -bi.wb )-bi.cosh( wb )+-]-,.sinh( wb )]]
kiLk,i Lk.i Lk,] L k,i
Sb:::: 0 .-----"---,,-------------------------------0-'-
-bjwb)-cosh( wb)+bj.Lk.isinh( Wb)]1
k j Lk,] Lk,] L k,! )
(1-39)
(1-40)
Ces vitesses de recombinaison, reprsentes en fonction de la vitesse de recombinaison aux
joints de grain, augmentent Cette augmentation est d'autant plus grande que les joints de
grain sont petits.
Lorsqu'on polarise la photopile avec un champ lectrique d'intensit E, les vitesses de
recombinaison intrinsques la face arrire, pour un clairement par la face avant ou par la
face arrire, sont donnes respectivement par:
17
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DlAO 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
_ abi -eH{bi -ch(aH)-[al hi ]sh(aH)
.. f:I sh(aH)
(1-41 )
(1-42)
En plus de ces deux vitesses de recombinaison, on obtient une autre expression de la vitesse
de recombinaison commune aux deux modes d'clairement:
(1-43)
(1-44-a)
Le profil des diffrentes vitesses de recombinaison la face arrire en fonction du champ
lectrique de polarisation, montre une diminution des vitesses avec le champ lectrique. Ceci
implique que le champ lectrique de polarisation amliore le fonctionnement de la photopile
car diminuant les recombinaisons des porteurs minoritaires en excs la face arrire.
iiO) Rgime dynamique transitoire
Lorsque le rgime dynamique transitoire est obtenu par variation du point de fonctionnement
d'une photopile sous clairement multispectral constant, les vitesses de recombinaison
intrinsques la jonction et la face arrire dpendent des valeurs propres obtenues partir
de l'quation transcendante qui est donne par:
t"../ rom H) romJD.(Sfm+Sbm)
a.I\.Ji) rom
2
.D-Sfm.Sbm
o
avec rom valeur propre
L'expression de la vitesse de recombinaison la jonction est:
)-Sbm
Sfm(rom)= (
1+ Sbm tan COrn 'H]
comffi ffi
(1-44-b)
(1-45)
o Sb
m
est la vitesse de recombinaison la face arrire.
Quand on applique un champ magntique sur la photopile, les nouvelles expressions des
vitesses de recombinaison intrinsques obtenues dpendent de l'intensit du champ
magntique; il suffira de remplacer le coefficient de diffusion 0 par D et la longueur de
diffusion L par LO.
jjjO) Rgime dynamique frquentiel
18
Lorsqu'on claire la photopile bifaciale avec une lumire multispectrale en modulation de
frquence, de nouvelles expressions des vitesses de recombinaison intrinsques sont
obtenues:
- pour un clairement par la face avant, les vitesses de recombinaison intrinsques la face
arrire sont donnes par:
(1-46-a)
(I-46-b)
(1-47)
- pour un clairement par la face arrire, les vitesses de recombinaison la jonction et la
face arrire sont respectivement:
[
H H] -b.H
3 sh(-) + Lw . b . ch(-) . e k - Lw . b
sbaAw)= Lw k Lw . k
k
Lw [H H] -bH
=1 1- ch(-)+Lwb 'sh(-).e k
Lw k Lw
(1-48)
(1-49)
- pour un clairement simultan des deux faces, les vitesses de recombinaison la jonction et
la face arrire sont respectivement:
3 e-bk-H LW'bk'(1 LW'bk'(J
Sk.1w)="l!-. Lw Lw Lw Lw
L.. Lw -bk.H [H H ] H H (1-50)
k=1 e . J-cl(--)-Lwbksl(--) +J Lwbksl(--)
Lw Lw Lw Lw
19
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrAO 1LASES - FST / lJCAD - SENEGL 2005-
Chapitre l Etude Bibliographique
(1-51)
Le profil de chaque vitesse de recombinaison intrinsque considre, montre une
augmentation de la vitesse en fonction de la frquence de modulation de l'clairement; ce qui
fait qu'il y'ait une recombinaison trs importante des porteurs minoritaires en excs la
jonction et la face arrire de la photopile.
Lorsqu'on varie la longueur d'onde incidente, en plus de la frquence de modulation, les
mmes expressions des vitesses de recombinaison intrinsques ci-dessus sont obtenues. Ces
vitesses de recombinaison diminuent en fonction de la longueur d'onde.
ETUDE COMPARATIVE DES MODELES UNE ET DEUX DIODES EN VUE D'UNE
SIMULATION PRECISE DES PHOTOPILES [18]
Dans cet article, afin de mieux dcrire les paramtres lectriques d'une cellule solaire, il
est propos deux modles de circuits lectriques quivalents: l'un comportant une seule diode
caractrisant le courant de diffusion de Shockley et l'autre ayant deux diodes reprsentant le
courant de Shockley et le courant de recombinaison qui est d par les centres de piges dans
la zone de charge d'espace. Les modles une diode ( o une exponentielle) et deux
diodes ( o deux exponentielles) sont reprsents aux figures 1-3 et 1-4 respectivement:
----4
l
-4
l
v v
Figure 1-3 1: Circuit lectrique quivalent du modle
une diode sous clairement.
Figure 1-41 : Circuit lectrique quivalent du modle
deux diodes sous clairement.
O Iph et 1sont le photocourant et le courant dans le circuit extrieur de la photopile; 0
1
, O
2
les diodes; R
s
,Rsh et RL les rsistances srie, shunt et de charge; V la tension aux bornes de
R
L
.
En appliquant la loi des nuds, dans le cas gnral ( modle deux diodes ), on obtient
l'expression (1-52) :
20
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - fST 1DCAD - SENEGAL 2005
(1-53)
[= lph - - l" .{ex+ ] - l} - [,2 .{exp [ q. ] - l} (1-52)
avec 1
5
1 et 1
5
2 courants de saturation des diodes 1 et 2 respectivement; A le facteur d'idalit.
Pour dterminer les paramtres I
ph
, R
s
,Rsh , 1
52
et A, de nombreuses mthodes
d'approximation sont proposes. Parmi celles-ci, il y'a les mthodes de :
- Singal
- Warashima et Ushirokawa
- Aranjo et Sanchez.
Pour la comparaison des rsultats avec ceux obtenus par l'analyse numrique, il est judicieux
de dcrire le dispositif utilis d'acquisition des donnes.
Ce dispositif comprend:
- Un APPLE Il qui commande une alimentation et lie deux voltmtres par l'intermdiaire d'un
BUS IEEE.
La photopile est fixe sur un bloc de laiton o circule de l'eau une temprature T mesure
par une sonde de platine et un thermomtre digital. On claire la photopile avec deux lampes
de 100 Watts quartz-halogne filament de tungstne au travers d'un filtre eau de 1 cm.
L'clairement lumineux est contrl par un circuit lectronique d'asservissement optique et au
moyen d'un filtre spatial lamelles.
- L'ordinateur commande la mesure de M points tels que V(1) > V(M) en visualisant la courbe
I(V) en temps rel et permet de caractriser les points remarquables suivants: Ise et Rsho ; V
oe
et R
so
; I
mp
, V
mp
et R
mp
.
Pour obtenir ces diffrents paramtres lectriques ci-dessous, nous allons considrer les
diffrentes mthodes d'approximation tantt soulignes.
o Mthode de SI NGAL :
Dans cette mthode, les diffrentes approximation faites sont:
+ l'effet Rsh est ngligeable.
+ I
ph
> I
s
et Ise =I
ph
.
+ Rsl
ph
< Voel 4.
De l'quation (1-52), il s'en suit:
l = l ex p (-
s sc V
th
v
oc
[ F F - CF F )R s = 0]
llFFI
sc
(1-54)
21
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DJAO 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
Chapitre 1
O
FF ~ (
Etude Bibliographique
[
V
mp
(Vmp) l
V oc V oc Rs=O
V
oc

'\
V oc J. [F F -(F F)R =0 J"
l . R s
ses
(1-55)
(1-56)
(1-57)
~
2 (u-2)
(J) . --'-------"-
U
3
- 2Y(J)
(1-58)
(
V mp J U
V = l L o g ~
oc Rs=O
(1-59)
~ V mp
(1-60)
avec
- 0)
(li - 2)
2
li
(1-61 )
v
y = _o_c
V
th
co==v-Logv
u=(J)+l
(1-62)
(1-63)
(1-64)
Ces diffrentes donnes sont utilises dans le programme afin de trouver les valeurs des
paramtres A, R
s
et 1
52
.
e) Mthode de WARASHINA et USHIROKAWA:
Cette mthode part des conditions aux limites V
oc
et Ise et des considrations suivantes:
+ l'effet R
sh
est ngligeable.
+ Ise =Iph -
+ exp(V
oc
1V
1h
) exp(Rslsel V
1h
).
De l'quation (1-52), il s'en suit:
22
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DTA 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
(1-65)
(1-66)
Les paramtres A et R
5
sont dtermins graphiquement partir de la pente et de l'ordonne
l'origine de la courbe linaire R rT 1 T qui se dduit de la courbe exprimentale I(V).
\. sc - ) " .
Ceci permet de calculer le paramtre 1
5
2 en remplaant R
5
dans l'quation (1-65) .
Mthode de ARAUJO et SANCHEZ:
Dans cette mthode, les auteurs utilisent des variables rduites suivantes:
v oc
=

V th
(1-67)
V
r
1ph
. R s
=
V th (1-68)
O V
oc
et V
r
sont dtermins partir des quations fonctions du point de puissance
maximum:
a+ 1 [ I
mp
J
V
oc
= 2 Vr - Log 1 - - - 1
Loga I
ph
Avec
(1-69)
(1-70)
V
a = _o_c_+ 1 -
V th
(1-71 )
L'intersection des droites reprsentant les quations (1-69) et (1-70), donne la solution
graphique ( V
r
, V
oc
) d'o les paramtres A et R
5
sont dduits, et que 1
52
est obtenu partir de
la relation suivante:
I
s2
= I
ph
exp (- V
oc
V th ) (1-72)
Ainsi les rsultats obtenus sont compars ceux prsents en utilisant le modle une
exponentielle ou le modle deux exponentielles.
Modle une exponentielle
23
Les variations de A et de R
s
sont reprsents pour des mesures effectues la temprature
de 30C et sous clairement variable de O,3AM1 1,5AM1. Ici, on note que le rsultat obtenu
avec la mthode de WARASHNA et USHIROKAWA, est distinct des autres pour les faibles
clairements. Par contre, la mthode de l'analyse numrique donne un rsultat similaire
ceux obtenus par les trois mthodes ci-dessus cites.
Pour valuer l'efficacit d'une mthode, il est judicieux de considrer la moyenne quadratique
des distances entre les points exprimentaux et la courbe thorique correspondant aux
paramtres du circuit quivalent calculs. Les valeurs relativement fortes de 0 ( moyenne
quadratique ) faible clairement, dnotent un certain dsaccord entre l'exprience et le
rsultat calcul pour le modle une exponentielle. Cet cart peut tre attribu soit au
fonctionnement de la photopile ou la mthode de calcul.
Modle deux exponentielles
La rsolution numrique de l'quation (1-52) par CHARLES et AL, permet d'obtenir cinq
paramtres et on peut noter que la valeur de la rsistance R
s
ne semble pas varier avec
l'clairement, ni aussi Is1 et I
s
2 .
Les valeurs obtenues par la moyenne quadratique (0) sont plus faibles que celles du modle
une exponentielle: elles se rapprochent des points thoriques de l'quation deux
exponentielles. Ainsi, le fonctionnement de la photopile met en uvre un courant de diffusion
et un courant de recombinaison dans la zone de charge d'espace.
Diffrentes mthodes d'approximation de calculs des paramtres lectriques d'une photopile,
sont prsentes aprs avoir propos deux modles de circuits lectriques quivalents (
modle une exponentielle ou deux exponentielles ). Les mesures thoriques et
exprimentales ont une trs large gamme de diffrence pour le modle une exponentielle,
par contre pour le modle deux exponentielles, les mesures se rapprochent. Ceci permet de
dire que le modle deux exponentielles dcrit mieux le fonctionnement rel de la photopile
au silicium.
FREQUENCY DEPENDENT
HETEROSTRUCTURES[19]
HOLE DIFFUSION IN
L'tude deux dimensions de la diffusion des trous dans une htrostructure InGaA
s
de type n,
est faite pour mesurer la photorponse la priphrie d'une mesa diode en fonction de la
frquence. Une thorie analytique donne la photorponse en fonction de la frquence, de
l'espace et que les mesures faites, sont en bon accord avec cette thorie. Cependant, une
24
limite suprieure de la vitesse de recombinaison aux htrointerfaces des structures InP ou
InGAP, est tablie. Pour cela, l'optimisation de photodiodes grandes longueurs d'onde, est
indispensable pour comprendre la diffusion qui dpend de la mobilit et de la dure de vie des
porteurs minoritaires. Un faisceau optique est envoy proximit de la mesa diode InP, sur la
structure InGaAs qui est entre deux couches de trs grands gaps d'nergie. Les trous
photocrs, atteignent une zone de dpltion circulaire et y ressortent en donnant un
photocourant.
p-contac1 b
p-InGaAs\ a
p-InP \. \

n-InGaAs
r=Zone de
L dpltion n-InP
S /
Couche ami-rflchissante faisceau optique
Figure 1-51 : Section transversale de la structure du composant et gomtrie de
mesure. Un spot de lumire un rayon b gnre des porteurs qui
diffusent vers la msa-diode avec une zone de dpltion un rayon a.
Dans le but de mesurer la dure de vie des porteurs minoritaires, plusieurs auteurs, selon le
dopage en atomes donneurs, ont utilis diffrentes techniques de mesures. Ils trouvent des
dures de vie diffrentes mais des mobilits voisines selon les cas c'est--dire les techniques
de mesures utilises.
Lorsqu'on illumine l'chantillon, seulement 1,3 IJm de la lumire incidente est absorbe par
l'troite bande de gap de la couche InGA, les trous photocrs, diffusent dans InGaAs avec
une ventuelle probabilit de recombinaisons en volume ou aux htrointerfaces. Ce
processus de diffusion est caractris par un coefficient de diffusion D, une dure de vie 1" et
une longueur de diffusion L= ( D 1" ) 112 .
Lorsque l'paisseur de la couche InGA est petite devant la longueur de diffusion L, un modle
deux dimensions est une bonne approximation. En gnral, la concentration des porteurs
injects, aura une petite variation due aux effets des htrostructures dans la direction
perpendiculaire au substrat. Oans cette thorie, on considre un faisceau optique sinusodal,
un taux de gnration de la forme G
p
= G e
iOlt
et une densit de trous de la forme Pe= P e
iOlt
En
utilisant l'quation de continuit de la densit des trous dans InGaAs , faibles niveaux
d'injection, on obtient l'quation (1-73) :
25
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIA / LASES - fST / UCAD - SENEGAL 2005
(1-73)
l+im'T G'T
-p= e P+
u
Pour rsoudre l'quation (1-73), on estime que la zone de dpltion est un rayon de a, le
faisceau optique incident est un rayon de b. Si ia taille du spot lumineux est assez petite, la
source gnratrice de courant est rduite une fonction delta; dans ce cas, la densit p des
trous est gale zro sur le cercle de rayon a et lorsque la distance radiale r tend vers l'infini.
Ainsi, en trouvant la solution, le courant travers la msa diode est obtenu en intgrant le flux
de trous ( -0 p 1ar ) au voisinage e la zone de dpltion.
En exploitant la symtrie radiale, l'quation (1-73) est rduite en une quation diffrentielle en
coordonnes radiales sous forme d'quations de BEESEL, ceci conduisant ainsi deux
solutions linairement indpendantes ko(yr) et lo(yr) des fonctions de BESSEL. Aprs
transformations, le courant de diode Id est donn par l'quation (1-74) :
avec
1
(
1+ iro . 't ):2
Y = -0....- -'----
L
(1-74)
(1-75)
et I
p
le courant total.
On peut noter que:
- si ro =0, on retrouve le rgime statique.
- pour obtenir le rgime frquentiel, il suffit de multiplier l'expression de la photorponse
obtenue en rgime statique par le terme (1 +iroT )11 2 sans dimension.
La reprsentation graphique du module du courant de diode en fonction de la distance r, pour
diffrentes valeurs de la frquence, montre une dcroissance globale des courbes et ceci est
d'autant plus brusque que la frquence est grande. De mme, la courbe reprsentative de la
photorponse de la diode diminue en fonction de la frquence, pour diffrentes valeurs de b.
Et on montre par l que les courbes obtenues par mesure et celles obtenues thoriquement,
sont en bon accord. La longueur de diffusion L et la dure de vie des porteurs minoritaires sont
ainsi dtermines la frquence de 0,1 MHz. Ces rsultats trouvs sont en accord pour une
longueur de diffusion L =60IJm et une dure de vie T=31Js.
Des valeurs de L et de T mesures, la mobilit IJ des trous est dduite partir de la relation
d'EINSTEIN ( D = IJ kT 1e ).
26
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrAa 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
Il a t dmontr que cette dure de vie varie aussi en fonction de la distance; du point
d'impact du spot lumineux incident, ventuellement cause de l'existence des centres de
recombinaison.
MOVING GRATING TECHNIQUE: A NEW METHOD FOR THE DETERMINATION OF
ELECTRON AND HOlE MOBILlTIE5 AND THEIR L1FETIME [ 20 ]
Ml
Figure 1-6 1: Dispositif exprimental pour la technique de grilles en mouvement.
BS: Sparateur de faisceaux; ND: filtre neutre de densit; AM: Modulateur acousto-optique ; Ml-
M4: miroirs; : est l'angle entre les faisceaux laser interfrant d'intensits Il et h. Les frquences des
deux faisceaux laser interfrant sont dcales respectivement de t..f] et t..f
2
, aprs leur passage travers
l'AMs. Comme rsultat, les grilles d'interfrence se dplacent avec une vitesse v
gr
la surface de
l'chantillon.
Une nouvelle technique de dtermination des mobilits et de la dure de vie des lectrons et
trous photognrs dans les semiconducteurs, est porte sur le courant de court-circuit induit
par un mouvement de grilles d'interfrences. Les expressions thoriques du courant de court-
circuit ont permis d'tablir un lien entre les mobilits, la dure de vie des porteurs photocrs
la vitesse et priode spatiale de la grille.
Des varits de techniques ont t dveloppes pour mesurer les mobilits, la dure de vie et
la longueur de diffusion ambiplaire des lectrons et trous photocrs. Parmi ces techniques,
on peut citer celles de Haynes, Shockley et Adams qui utilisaient des spot lumineux pour
exciter les porteurs et ensuite en dduire les paramtres lectroniques. Leurs mthodes ont
t tendues, rcemment, une excitation priodique des porteurs en utilisant deux faisceaux
Laser d'interfrence.
27
Avec la technique "Steady-State Photocarrier Grating" ( SSPG ), la diffusion ambiplaire des
trous photognrs, mne une photoconductivit moyenne perpendiculaire la grille
d'interfrence qui dpend de la priode spatiale A de la grille. En mesurant le photocourant en
fonction de A, la longueur de diffusion ambiplaire Ldiff est dtermine en supposant
ngligeable l'effet de la zone de charge d'espace. Cependant, le manque d'information
temporelle exclut d'avance une valuation directe de la dure de vie T avec cette mthode.
Pour ngliger les effets de temprature dus aux Lasers puissants, une mthode alternative est
propose en comblant l'aspect temporel de la technique SSPG. Cette mthode consiste
ajuster la vitesse v
gr
du mouvement de la grille. Le mouvement d'interfrence de la grille, induit
un courant de court-circuit dpendant de la vitesse v
gr
et partir duquel, les mobilits, la dure
de vie des lectrons et trous sont dduites. L'exprience est faite en utilisant deux faisceaux
Laser d'intensits diffrentes et de frquences sensiblement diffrentes. Ces faisceaux
interfrent pour donner une intensit I(x,t) de priode A= 21t 1k, la surface de l'chantillon qui
est en mouvement avec une vitesse v
gr
. L'intensit I(x,t) est donne par l'expression (1-76) :
I(x,t)= 1
0
+ ,1Icos(ko(x-vgrt)) (1-76)
Le taux de gnration des lectrons et trous est donn par l'expression (1-77) :
G(x,t)=
hv
(1-77)
O a est le coefficient d'absorption optique la frquence \) du Laser, R la rf!ectance et h la
constante de Planck.
En remplaant l'expression (1-76) dans (1-77), on obtient l'expression (1-78) :
G(x,t)= 00+ ,1Gcos(ko(x-vgr,t)) (1-78)
Ce taux de gnration cre une distribution des lectrons de densit N(x,t) et des trous de
densit P(x,t) qui vont dpendre de la vitesse v
gr
et de la priode A. Les coefficients de
diffusion des lectrons et des trous n'tant pas les mmes, les amplitudes et les phases des
distributions des lectrons et des trous sont diffrentes. De ce fait observ, il en rsulte un
champ lectrique Esc(x,t) que l'on peut obtenir partir de l'quation de Poisson, Ce champ
lectrique va occasionner un courant de court-circuit jsc donn par l'expression (1-79) :
. 1 fi.
Js
c
= -f[el-leN(x,t)+el-lhP(x,t)JoEsc(x,t)dx (1-79)
A 0
O lJe et IJh reprsentent respectivement les mobilits des lectrons et des trous.
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DTAO ILASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
(1-81 )
N(x,t), P(x,t) et Esc(x,t) sont obtenus en rsolvant les quations de continuit 0-80), (1-81) et
l'quation de Poisson (1-82) :
aN (x, t) = Vje (x, t) + G(x, t) - R(x, t) (1-80)
at e
ap (x, t) = _ .!- Vjh (x, t) + G(x, t) - R(x, t)
8t e
nr 1 .\ - __ ":_rp (x t)- N (x t)]
V L..< sc "x, L J - L ' ."
& &0
(1-82)
(1-83)
Avec je(x,t) et jh(X,t) sont respectivement le courant des lectrons et celui des trous; R(x,t) est
le taux de recombinaison.
Pour rsoudre ces quations, on adopte l'approximation des faibles signaux c'est--dire
considrer que le rapport 1No 1 , 1 Po 1 ( No Po sont des densits de porteurs
dues au taux de gnration Go ).
Dans cette approximation, le taux de recombinaison est donne par l'expression (1-83) :
R(x,t)= _1
2 't
O 't est la dure de vie moyenne des porteurs photognrs.
Aprs linarisation des diffrentes quations diffrentielles, le courant de court-circuit est:
avec
-1
(1-84)
a =
(1-85)
(1-86)
29
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIAO / LASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
L=
(1-87)
(1-88)
Dans l'expression (1-84), lorsque la vitesse v
gr
est faible le courant de court-circuit augmente,
mais quand v
gr
devient grande le courant de court-circuit diminue. C'est ce qui aura comme
consquence, l'existence d'un maximum qui va correspondre une certaine valeur de v
gr
. En
reprsentant he C:1 fonction :je remarque que le maximum se dplace vers les faibles
valeurs de v
gr
lorsque le taux de gnration diminue. De ces mesures, les valeurs , et 't
sont dduites.
Cette technique utilisant la variation du courant de court-circuit en fonction de la vitesse v
gr
des
grilles, a permis de calculer les mobilits et et la dure de vie des lectrons et des trous.
Ces rsultats obtenus, sont en bon accord par rapport ceux trouvs dans la littrature.
SAMPLE THICKNESS DEPENDENCE OF MINORITY CARRIER L1FETIMES
MEASURED USING AN ac PHOTOVOLTAIC METHOD [21]
Dans cet article, on utilise une mthode photovoltaque en courant alternatif pour mesurer la
dure de vie des porteurs minoritaires chantillon au silicium ( Si ). En effet, lorsque
l'paisseur t d'une couche d'un chantillon de Si, est petite par rapport la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires, la dure de vie estime par cette mthode devient fonction
de l'paisseur. Ainsi la dure de vie est mesure sur une couche au silicium de type-n pour
une paisseur variable de 0,6 4 J.Jm ; les dures de vie des porteurs minoritaires observes
varient de 72,3 1,1 et sont en bon accord celles trouves thoriquement. IL est
dmontr que, la dure de vie des porteurs minoritaires en volume, est obtenue une erreur
de moins de 10% si l'paisseur de l'chantillon est de 3,6 fois suprieure la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires.
i 0) Sample Thickness Dependence Of Minority Carrier Lifetime:
Quand un faisceau de photons (Photon Beam ) illumine un chantillon de Si, sans jonction p-n,
sans induction d'un champ ou existence d'une barrire de Schottky la surface, la
phototension est obtenue comme une phototension de circuit ouvert induite par effet
photovoltaque. La phototension V
ph
est considre comme tant le produit du photocourant
Jph et de l'impdance Zj d'une jonction lorsqu'on est faible niveau d'injection et la dure de
vie des porteurs minoritaires est dduite du photocourant dpendant de la longueur de
diffusion.
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DJAO 1LASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
(1-89)
- Sampie Thickness Dependence Of Photocurrent:
Dans un modle de jonction p-n une dimension, la densit de photocourant Jph a trois
composantes qui sont: J
n
, J
w
et Jp ; o J
n
est le photocourant des lectrons dans la zone p, J
w
Le photocourant dans la zone de charge d'espace ( lectrons et trous) et Jp le photocourant
des trous dans la zone n.
En supposant que, l'paisseur totale de la zone de dpltion et de la couche de type-p, est
trs infrieure l'paisseur du substrat de type-n, le photocourant Jp est donn par
l'expression (1-89) :
aL
J
p
=Q'(1-e)<j>
(a'L
p
) -1
)+sinh(-t JexP(-a t)
L
vp L
p
L
p
v
p
p
a
p + cosh(-t-)
v
p
L
p
L
p
O q est la charge lectronique; e est le coefficient de rllexion optique de Si ; <j> le flux de
photons; a le coefficient d'absorption; L
p
la longueur de diffusion des trous; vp la vitesse de
diffusion des trous; Sb la vitesse de recombinaison la face arrire.
Pour exciter uniformment les porteurs minoritaires en excs dans la couche, la profondeur de
pntration (1/a) doit tre suprieure l'paisseur de l'chantillon. Ainsi, le photocourant Jph
est dominant si l'paisseur totale de la zone de dpltion et de la couche p, est trs infrieure
la longueur de diffusion Lp des trous. Dans le cas o la vitesse de recombinaison la face
arrire est ngligeable, J
p
est proportionnel L
p
quand l'paissei de l'chantillon est
largement suprieure L
p
d'une part et d'autre part lorsque l'paisseur de l'chantillon est trs
infrieure L
p
, J
p
est proportionnel l'paisseur de l'chantillon.
- Frequency Dependence Of Photocurrent:
Quand on applique un faisceau de photons de frquence f ( frquence angulaire W = 21tf ), la
densit de photocourant alternatif Jp(w) apparat et une phototension Vph(w) induite apparat
aussi. La reprsentation graphique du logarithme du module 1 Vph(W) 1 et de 1 Jph(W) 1 en
fonction du logarithme de la frquence f, donne une frquence de coupure f
e
de la jonction et
une frquence de flexion f
b
(ou f
k
) due aux points coudes du photocourant alternatif.
Lorsque le photocourant Jp(w) domine, on peut remplacer Lp par la longueur de diffusion
L
complexe Lp(w) dans l'expression (1-89) avec L
p
(co) = . p . La frquence de flexion f
k
du
1+Jffi.
p
-
point coude peut tre. exprime, en utilisant la relation Wk'tp = 1 quand l'paisseur de
31

l'chantillon est trs suprieure L
p
. D'o on peut obtenir la dure de vie des porteurs
minoritaires par l'expression (1-90) :
1
'( p == 2 n . f (!-90)
k
- Sampie Thickness Dependence Of Lifetimes:
~ quand t L
p
, la frquence du point coude dpend de 1:
p
.
~ quand t L
p
, la frquence du point coude est indpendante de 1:p car Jp(ro) est
proportionnel t, ce qui implique que la dure de vie 1:m mesure est infrieure 1:p et que
cette dure de vie 1:m peut tre thoriquement calcule partir de Jp(ro).
En reprsentant graphiquement 1:m 1 1:0 ( avec 1:0 dure de vie relle ) en fonction de t 1 L
o
(
avec La longueur de diffusion relle) pour diffrentes vitesses de recombinaison Sb la face
arrire, on a 1:m = 1:0 si t La et Tm est proportionnelle f si t La . Quand Sb crot, 1:m
diminue car J
p
diminue:
t 1:
o quand -=1,8 ,SbV
p
, ~ = 9
L 0 1:
0
o Sb V
p
, t 1L
o
doit tre gal au moins 3,6 pour obtenir toujours 't
m
= 0,9 .
't
o
ii 0) Partie exprimentale.
- Sampie Wafers
Quatre tranches de rsistivit 0,1 Qm d'chantillon d'un monocristal de type n CZ,
d'paisseurs diffrentes, de mme diamtre, ont t utilises en supposant qu'elles aient la
mme dure de vie. La surface frontale de chaque tranche de l'chantillon est polie sauf celle
de la face arrire pour obtenir une vitesse de recombinaison Sb trs suprieure la vitesse de
diffusion v
p
.
- Measuring System Of Photovoltages
Dans ce dispositif, deux longueurs d'onde de 1,15 IJm et de 633 nm, de coefficients
d'absorption 55 m-
1
et 3.10
3
m-
1
respectivement, sont utilises. La reprsentation graphique,
en fonction de la frquence, du rapport de la phototension obtenue avec la longueur d'onde de
1,15 IJm celle obtenue avec 633 nm, donne la frquence de flexion du point coude. Et pour
les diffrentes tranches d'chantillon qui ont t utilises, la frquence de flexion diminue avec
l'augmentation de l'paisseur.
- Measurement Of Bulk Diffusion Length
La mesure de la longueur de diffusion, partir de laquelle est dduite la dure de vie des
porteurs minoritaires, est faite en considrant un chantillon d'paisseur gale 4 mm.
32
Un filament de tungstne servant de contact la surface de l'chantillon est utilis; un
faisceau de photons de longueur d'onde 633nm est focalis prs du point contact du fil. En
faisant varier la distance ~ x qui spare le faisceau au point contact, on obtient une
phototension ~ qui varie. La reprsentation graphique de ~ en fonction de ~ donne une
longueur de diffusion gale 1,15 mm et une dure de vie des porteurs minoritaires de 1,1 ms
avec un coefficient de diffusion de 1,21.10-
3
m
2
/s la temprature d'exprimentation. Dans ces
conditions d'exprimentation, la vitesse de recombinaison Sf la face frontale doit tre
infrieure la vitesse de diffusion qui est gale 1 mis.
- Thickness Dependence Of 'tm
Pour une paisseur d'chantillon t = 0,6 mm, 'tm = 72,3 J..Is qui est une valeur en bon accord
celle calcule thoriquement. Lorsque t = 400 J..Im, 'tm = 33 J..Is dans le cas o la vitesse de
recombinaison Sb est de l'ordre de 10
3
mis ; lorsque l'paisseur est suprieure 400 J..Im, 'tm
est proportionnelle au carr de cette paisseur.
Determination Of Bulk Lifetimes
Lorsque le rapport ~ 0,9 ,Tm peut tre considre comme gale 'te si _t_ ~ 1,8
't a La
avec Sb = 0 mis et _t_ ~ 3,6 avec Sb = 00 mis. En dterminant 'tm, la longueur de
La
diffusion Lm peut tre calcule.
Une expression du courant des trous a t obtenue en fonction des paramtres tels que: la
dure de vie, la longueur de diffusion, l'paisseur de l'chantillon, la vitesse de recombinaison
la surface, la vitesse de diffusion. L'tude de ce courant en fonction de l'paisseur de
l'chantillon, pour diffrentes approximations ci-dessus cites, a permis de calculer quelques
paramtres phnomnologiques du silicium.
COUPLED ac PHOTOCURRENT AND PHOTOTHERMAL REFLECTANCE RESPONSE
THEORY OF SEMICONDUCTING p-n JUNCTIONS.I [22]
Dans cet article, un formalisme impliquant les mthodes de la rponse spectroscopique de la
"Photothermal Reflectance.(PTR)" et du "ac Photocurrent", est prsent afin de caractriser
les proprits lectroniques des semiconducteurs en gnral et des jonctions p-n en
particulier. L'mergence rcente des techniques de la PTR et de leur application avec succs,
a relanc les tudes sur les paramtres lectroniques des substrats; et pour estimer
33
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DJA / LASES - FST / lJCAD - SENEGAL 2005
l'utilisation de la technique PTR, on doit comparer le potentiel obtenu celui calcul par le
modle mathmatique.
aO) ac p-n Junction Photovoltaic Theory
)( = co
n-type
x= 0 1x= - d
Longueur d'onde p-type
de la lumire
C 0 effici ent
d'absorption N )"- Paremb: es
""- matriau
Vitesse de 4> Dn
recombinaison n p..
surfacique -5 .,;
i'l4----+ )( + d----+I
><
Rsistance de charge
Figure 1-7 1: Vue d'une section transversale d'une jonction p-n photovoltaque excite par une
lumire monochromatique de frquence f= ( / 2n.
Dans le cas d'une analyse unidimensionnelle, une grande simplification s'avre ncessaire
pour formaliser la thorie.
Un faisceau Laser monochromatique de quelques microns, est envoy sur l'chantillon, le flux
de photons pntrant la profondeur x, est donn par l'expresssion (1-91) :
N(x, t) =No (x +d)]H( t) (1-91 )
O H(t) est une fonction du temps de la radiation incidente; d l'paisseur de la jonction ;
le coefficient d'absorption optique la longueur d'onde ( d'habitude dpend de la
concentration des dopants) ; Np.) le flux de photons absorbs !a surface.
ana:
(1-92)
Avec Fo(-) le flux de photons incidents; R(-) le coefficient de rflexion.
Le taux de gnration des paires lectron-trou, est donn par l'expression (1-93) :
G(x t)=- oN(x,t)
, ox
(1-93)
1
-G(x,t)
On
L'quation de continuit est donne par:
- dans la zone p ( -d < X < 0 ) :
a
2
n
p
_ n
p
__l_on
p
_
ox 2 L
2
n
D n ot
(1-94-a)
- dans la zone n ( X > 0 ) :
34
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIAO / LASES - FST / UCAD - SENEGAL 100S
1
-G(x, t)
D
p
(1-94-b)
O Li , Di (i=n,p) longueur et coefficient de diffusion respectivement des porteurs minoritaires;
n
p
, pn les densits des lectrons dans p et trous dans n respectivement.
La validit des quations (1-94-a) et(I-94-b) dpend des conditions suivantes:
n Po P
po
; P
no
n no (1-95)
np(x,t) -npo == L\np(x,t) Ppo ;Pn(x,t) -P
no
== Pn (x,t)nn
o
i - ~ 6
Les quantits n
po
( Pno ) et nno ( Ppo ) reprsentent respectivement les densits des lectrons
minoritaires ( trous minoritaires) dans p ( n ) et des lectrons majoritaires ( trous majoritaires)
dans n ( p ) l'quilibre thermodynamique.
Sous excitation optique, en modulation de frquence ( ) = 21tf ), la densit des porteurs
minoritaires peut tre crite sous la forme :
n p (x, t) = n ( x ) e ioJol
P
n
(x,t)= p(x)e
iwot
Lorsque la radiation incidente est une harmonique, on peut crire:
H(t) = .!-(l +e
iwot
)
2
Ainsi les quations de continuit (1-94-a) et (1-94-b) deviennent:
(1-97-a)
(1-97-b)
(1-98)
i1(x) j3N
2 =- _0exp[ -P(x + d)]
L) 2D
n
n
(1-99-a)
pN
_0exp[ -P(x +d)]
2D
p
(1-99-b)
Avec 4Jj (j = n,p) la longueur de diffusion complexe dfinie par:
L.
L 0 = J
)J Jl+iffi."t
j
(1-100)
Avec "tj = L/ 1D
j
la dure de vie des porteurs minoritaires.
A partir de la reprsentation du diagramme des bandes d'nergie de la jonction p-n illumine,
en modulation de frquence, la barrire de potentiel est donne par l'expression (1-101) :
(1-101)
O $0 est le potentiel de contact et Vp(t) le potentiel dpendant du temps et qui est donn par:
(1-102)
Lorsqu'on a une jonction p-n abrupte o l'paisseur de la zone de dpltion est infinitsimale,
la densit des porteurs minoritaires de part et d'autre de la jonction(x=O), peut tre donne, en
termes de densits d'quilibre, par:
(1-103)
Dans l'approximation des faibles signaux, on a :
K T
V _B_
o
q
(1-104)
Ceci entrane que l'un des termes de l'exponentielle, peut tre linaris en (0 au premier
terme:
exp [- q(<j> 0 - Vp ( t) )] = exp [_ q.<j> 0 Jexp [qV0 ei", ., J
KBT KBT KBT
QVoe
i
""']
KBT KBT
Utilisant les expressions (1-106-a) et (1-1 06-b) ci-dessous:
n
p
=nn exp(-q<poJ
o 0 K T
B
(1-105)
(1-106-a)
- ex (- q.<Po J
Pno - Ppo P K BT
les quations (1-103) et (1-105) donnent:
fl-10F\-h)
'" "- - -1
tm(O)
(1-107)
Dans le cas o l'intensit du faisceau Laser est trs intense, la phototension maximale V
o
ne
satisfait plus la condition (1-104), le formalisme prsent prdit donc une non linarit de la
rponse photovoltaque.
Et lorsque les termes ne sont plus ngligs, en supposant que le substrat de type n est semi-
infini, on obtient deux conditions aux limites qui sont:
t1p(co) = 0
(1-10B-a)
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DJA / LASES - fST / UCAD - SENEGAL 2005
36
---------,--,,-----.,---------,--,,----------..,-------------,------,------,-------.,-----------:---:----
(1-10S-b)
Dfi (x) = vs. (- d)
dx x = - d
O Vs est la vitesse de recombinaison la surface.
D'o donc, les solutions des quations (1-99-a ) et (1-99-b ), sont donnes par les expressions
(1-109-a) et (1-109-b) :
[
X J [ x J f3N
= Acosh -- +Bsinh -- + ( fi"). ,ex
p
(-f3(x+d))
L) . L) 2D I_
n2
L'
fi fi fi w
n
)
(1-109-a)
(1-109-b)
(1-110)
O les coefficients A, B, C et D sont donns par les conditions aux limites prcdemment
nonces.
Le courant total la jonction, est donn par l'expression (1-110) :
J(O)= q[D
n
_ D
dx P dx x= 0
Ce courant total peut tre spar en deux composantes dont l'une tant fonction de la barrire
de potentielle la jonction V
o
:
(1-111)
Avec Jo est le courant de saturation qui dpend des paramtres gomtriques et de fabrication
de la jonction; J
G
le courant de gnration ( indpendant de Va ) qui est proportionnel
l'intensit de la radiation incidente ( l(hv)=Nohv en W 1cm
2
). JG est la seule composante qui
est prise en compte dans l'tude exprimentale et peut tre crite sous forme complexe:
avec
1
IJGI = + Y3
2
)2
8
G
=tan-' G: J
Pour cette tude, deux cas sont considrer:
- 1
er
cas: Domaine des frquences faibles
(1-112)
(1-113)
(1-114)
37
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DlAO / LASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
En modulation de frquences faibles ( ID'!n 1 ; ID"t"p 1 ), on a 1Rjl = [ 1+(ID"t"j)2 ]1/2 ( pour
j=n,p ) est gal l'unit et que le module du photocourant, indpendant du temps, est donn
par l'expression (1-115) lorsque la vitesse de recombinaison Vs la surface tend vers zro:
(1-115)
(1-116)
Dans le cas o le substrat devient optiquement opaque ( = 0 ), le module du
photocourant est:
IJGI =
2 Ln
Lorsque le substrat est optiquement transparent ::::: 1 ), l'expression (1-115) devient:
(1-117)
En supposant que le rapport d/L
n
1, l'expression (1-117) devient:
(1-118)
D'autres auteurs ont prsent l'expression (1-118) sans utiliser de drivation, dans le domaine
des frquences faibles et pour une jonction p-n fabrique partir du substrat Si de type p.
Le module de JG dpend linairement de du fait que la profondeur de pntration optique
( p-1 ) devient plus grande que la longueur de diffusion des porteurs minoritaires et ceci a t
observ par bon nombre d'auteurs.
Dans le cas o la vitesse de recombinaison Vs la surface tend vers l'infini, le module du
photocourant est donn par l'expression (1-119) :
(1-119)
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrAa 1LASES - fST 1UCAD - SENEGAL 2005
Pom les deux cas, c'est--dire Vs ~ 0 et Vs ~ 00, la phase du signal reste constante et gale
zro du fait que "excitation optique module est en phase par rapport la rponse trs rapide
du dispositif d'exprimentation.
De mme, en supposant que le substrat est optiquement opaque, l'expression (1-119) devient:
(1-120)
On constate que le photocourant dcrot en fonGtion de p poqrvuoue ~ n ; ceci est du au
fait que le terme ~ d >1 etque la rgion p devient optiquement opaque. C'est ce qui entrane
que les porteurs photognrs ne vont plus contribuer au photocourant de gnration.
- 2
me
cas: Domaine des frquences leves ( Yt
n
1 ; ro'tp 1 ),
Aprs plusieurs simplifications des calculs, en supposant que le substrat est optiquement
opaque et que la vitesse de recombinaison Vs tend vers zro, le module du photocourant est
donn par:
et la phase est donne par:
e
1t -1 (CaS(d/lln)+Sin(d/lln)]
=-+tan
G 4 cas(dl/-ln ) - sinedl J.ln )
(1-121 )
(1-122)
Avec Iln(ro) =(2D
n
/ ro )1/2 est la longueur de diffusion associe l'onde diffusionnelle travers
la jonction.
L'expression (1-121) montre que l'amplitude du photocourant dcrot quand la frquence de
modulation augmente et que la phase indique le retard qui existe entre la gnration des
porteurs minoritaires et l'excitation optique.
Dans le cas o la vitesse de recombinaison Vs la surface tend vers l'infini et le substrat tant
optiquement opaque, le photocourant devient:
(1-123)
et la phase est donne par:
(1-124)
On note ici une diminution de l'amplitude du photocourant avec l'augmentation de la frquence
de modulation alors que la phase crot linairement avec la racine carre de ro.
bOl ac p-n Junction Photothermal Reflectance Theory
39
(1-125)
Dans cette partie, la thorie de la r'llectance photothrmique ( PTR ) est utilise pour tudier
la rflectivit qui est fonction de la temprature, la surface d'un chantillon de semi-
conducteur. Lorsqu'on excite un matriau semi-conducteur, il y'a cration de paires lectrons-
trous dans une rgion proche de la surface o la densit de porteurs photocrs contribue la
rflectivit. L'incertitude sur cette rflectivit, en utilisant une source Laser d'intensit
module, est fonction de l'excitation thermique la surface du semi-conducteur et ceci est
traduit par l'quation (1-125) :
_ 1 1
R
o
surf - R
o
\ aT surf + R
o
an n
surf
O est la variation de temprature la surface suite une excitation thermique ; la
densit de porteurs en excs la surface; Ra la rflectance la surface sans excitation
thermique; ( aR 1aT ) et ( aR 1an ) tant des paramtres supposs constants. Pour le silicium
l (aRJ --4 0 1 1 (aRJ -ll 3
pur on a: Re or ;:a C et Re m cm.
L'quation (1-125) peut tre rcrite suivant:
= T (-d,ro) + bLlil ( -d,ro)
Ro surf
(1-125)
Les deux termes contenant les paramtres a et b de l'quation (1-125), sont du mme ordre de
grandeur pour un substrat de silicium selon OPSAL et ROSENEWAIG. Cependant, pour une
jonction p-n Ppa ), le terme contenant b est ngligeable, d'o l'quation (1-125) se rduit
sous la forme suivante:

=
Ro surf, li)
Pour une petite variation de temprature par rapport celle Ta initiale, on a :
- ct p ( -d < X < 0 ) :
a . a
2
+ (PN +
ax pc)
(1-126)
(1-127-a)
(1-127-b)
40
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DJA / LASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
O flTp ( flTn ) est la variation de temprature par rapport la temprature T
o
dans la zone p
(n) ; E
g
est l'nergie de gap; flE =( hv - Es ) l'nergie de thermalisation ; a, p et c tant la
diffusivit thermique, la densit et la chaleur spcifique respectivement.
Le taux de gnration est donne par:
(1-128)
(1-130)
(1-129)
O P= PFC + P1 avec PFC le coefficient d'absorption des porteurs libres; P1 le coefficient
d'absorption d'un photon de bande bande; "10 le rendement quantique; ER l'nergie
moyenne de recombinaison d'une paire lectron-trou; 'tNR composante non radiative de la
dure de vie en volume.
Des approximations sont faites sur plusieurs paramtres de l'quation (1-128) : ER Eg ;
"10 =1; PFC P1 p; 'tNR 'tp ('tn ) lorsque la densit des porteurs minoritaires est
largement infrieure celle des porteurs majoritaires de part et d'autre de la jonction p-n. De
ces approximations, nous avons:
G
H
(x,t) = + E
g

P ln
G
H
(x,t) = pe-
pex
+
d
) + E
g
(X)}'H(t)
il lp
Sous excitation optique, la variation de temprature peut se mettre sous forme complexe:
Tp (x, t) = Tp (x) eioH
Tfi (x, t) = Tfi (x) eiwl
Ainsi, l'quation de diffusion thermique peut s'crire:
- ct p ( -d < X < 0 ) :
- ct n (x > 0 ) :
(1-131-a)
(1-131-b)
(1-132-a)
41
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - fST 1UCAD - SENEGAL 2005
(1-132-b)
(1-133-a)
o k la conductivit thermique ( k =a pc) ; A, B, D sont des coefficients dfinis par les
conditions aux limites prcdentes; cr ( iw 1a )112 est le coefficient de diffusion thermique.
Dans l'approximation des signaux faibles, les solutions sont donnes par:
Tp (x) == CI cosh (cr (x +d) ) +C2sinh ( cr (x +d) ) +
-2 [ACOSh(-X]+Bsinh(-X]]+
't
n
k (cr - L
ffin
) L
ffin
L
ffin
[
E e J
0 g ffin
2k(cr
2
- + (1- e
(I-133-b)
Les coefficients C
1
, C
2
et C
3
sont dfinis partir des trois conditions aux limites suivantes:
- continuit du flux thermique l'interface
- conductivit constante de la zone de charge d'espace
(1-134)
x=o
(x)
dx
x=o
(1-135)
x = - d
- taux de gnration thermique la surface
k
dx
(1-136)
Avec v R tant la vitesse de recombinaison la surface due aux processus non radiatifs.
Dans la suite, en accord aux approximations faites, en ngligeant aussi les processus radiatifs
et photochimiques, il est judicieux de prendre v; R = vs' D'o l'quation (1-136) est rcrite
42
(1-137)
k
dx
x =:0 - d
Aprs avoir dtermin les coeffidents C
1
, C
z
et C
3
, !'expression complexe de LiTp(-d) est de la
forme:
(1-138) (- d) = (- - (- d)
KBT
O LiTo(-d) est indpendante du flux de photons incidents No; LiTG(-d) la variation de
temprature la surface relative la recombinaison des porteurs libres photognrs.
En rfrence au formalisme du photocourant, seul le terme LiTGest considr pour le reste du
travail.
Dans le cas gnral, l'interprtation physique de LiTG est trs difficile faire; nanmoins,
aprs plusieurs transformations complexes, une tude est faite partir de l'amplitude 1LiTGiet
de la phase 8"'T .
Pour cela, deus cas sont considrer:
- 1er cas: Domaine des frquences faibles
EN [ (dJ]
- g 0 1 sech
1 GI- + Ln
(1-139)
On a : 8"'T =-1t 14 et al(O)) est le coefficient de diffusion thermique.
Cette tempratuest indpendante de pet dimine avec la fiqence de modlation en f-1/2.
Cette diminution de temprature s'accompagne avec la diminution de l'nergie optique
transforme en chaleur.
(1-140) l"'TG1 = Ji EgN
o

2 2 k I3Lnat(ro) Ln Ln
Cette expression varie inversement en fonction de ( sauf si est trs lev) et inversement
proportionnelle la racine carre de la frquence f.
- 2
me
cas: Domaine des frquences leves
(1-141)
et
OT
o
(w)=7t+\!f2(w)+a
t
(ro).d (1-142)
Il est dmontr que, la courbe obtenue partir du trac de Inl TGlen fonction de la racine
carre de la frquence ( f 11 2 ), donne approximativement une pente de l'ordre de
Une dpendance en 0)-5/2, est aussi prdite par l'expression (1-141) et cette
dpendance peut tre comprise par l'attnuation de l'onde diffusionnelle et thermique qui est
fonction de la frquence de mdulativi.
(1-143)
et
8
TG
(m)=TC+[a
t
(w)+a
n
(w)}d (1-144)
L'amplitude de 1 L\TG1 montre une dpendance en 0)- 2 et une diminution exponentielle en f 1/2
identiquement l'expression (1-141). Ce comportement peut tre aussi compris comme une
combinaison de l'onde diffusionnelle (0)- 1/2 ) et thermique ( 0)- 3/2 ).
Une comparaison directe, entre les paramtres lectroniques de transport dans le cas des
hautes frquences pour le photocourant et la rflectance, montre:
* lorsque v ---+ 0, 1 JG 1 et 1 TG1 dcroissent exponentiellement en f 1/2 avec des pentes de
s
(TC/Du Y
/
2 d et de [);/(Ja+JD:")}d respectivement. Les termes prexponentiels sont
proportionnels p2 et 1 JG 1 dpend de D
n
pendant que 1 TG 1 dpend la fois de D
n
et de 'tn du
fait du mcanisme de relaxation suivant la diffusion et la recombinaison des porteurs
minoritaires 'tn constant.
De ces observations, on peut obtenir des informations sur les proprits lectroniques et
optiques de la jonction p-n partir des deux thories dans le cas o v ---+ O,
s
Notons que ces deux thories prsentes dans ce travail, montrent la possibilit d'utilisation
d'un signal Laser sur une jonction p-n considre comme une cellule solaire pour avoir des
informations sur les proplits lectroniques et optiques. Il est noter aussi que la thorie de
la thermorflectance dpendant de la frquence de modulation, est aussi sensible aux
paramtres D
n
, Ln et d. D'o donc, la thorie de la rflectance photothermique peut tre
utilise pour la technique de mesures des proprits lectroniques sans contact.
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - fST 1UCAD - SENEGAL 2005
1-31 CONCLUSION
Dans cette tude bibliographique, l'effet du champ magntique, en rgime statique, sur
certains paramtres de recombinaison d'une photopile tels que: le coefficient et la longueur de
diffusion, la vitesse de recombinaison en face arrire et la dure de vie des porteurs
minoritaires de charge en excs, est prsent par diffrentes mthodes. Aussi, deux mthodes
de dtermination des rsistances srie et shunt ont t prsentes. En rgime dynamique
frquentiel, diffll;:i,tes f11thodes de dt:mination des mobilits, dures de vie des porteurs
minoritaires photognrs et une tude sur les vitesses de recombinaison intrinsques, ont t
proposes. Par contre, d'autres paramtres lectriques et de recombinaison (vitesse de
recombinaison la face arrire), la longueur de diffusion et du coefficient de diffusion en
fonction de la frquence de modulation de l'clairement et du champ magntique appliqu sur
la photopile, n'ont pas t dtermins. C'est ainsi que nous allons faire une tude thorique
dans la base d'une photopile bifaciale claire par une lumire multispectrale en modulation
de frquence et sous l'effet d'un champ magntique appliqu. Et nous allons procder la
dtermination du coefficient de diffusion, de la longueur de diffusion, des vitesses de
recombinaison intrinsques, des densits de porteurs minoritaires, du photocourant, de la
phototension, de la caractristique courant-tension, de la puissance et de la capacit de
diffusion de la zone de charge d'espace de la photopile bifaciale. Des techniques de
dtermination de quelques paramtres lectroniques et des modles de circuits lectriques
quivalents sont proposs.
45
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrAO 1LASES - FST 1UCAD - SENEGAL 2005
Bibliographie
.BIBLIOGRAPHIE
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2
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[9] "Etude en rgime statique d'une photopile bifaciale au silicium cristallin sous polarisation
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DEA de physique, LAME, universit de Ouagadougou, Burkina-Faso, 2004
[10] "Photopile Bifaciale sous Double Eclairement Multispectral Constant: Etudes en Rgime
Statique et en Rgime Transitoire obtenu par Variation du Point de Fonctionnement"
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Cycle, U.C.A.D, Dakar, 2003.
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Bibliographie Etude Bibliographique
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statique, sous clairement multispectral constant et sous l'effet du champ magntique
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47
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrAO / LASES - FST / UCAD - SENEGAL 2005
Chapitre-H Edairement par la face avant Rgime Dynamique Frquentiel
CHAPITRE": ETUDE THEORIQUE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE: ECLAIREMENT
. PAR LA FACE AVANT
Mmoire de Thse de troisime Cycle prsent par Amadou DrA 1LASES - FST 1UCAD - SEJ\TEGAL 2005
48
Chapitre II Eclairement par la face avant Rgime Dynamique Frquentiel
11- A 1ECLAIREMENT DE LA PHOTOPILE BIFACIALE PAR LA FACE AVANT
Introduction
Dans ce travail, l'paisseur de l'metteur est prise en compte dans le calcul des grandeurs
lectriques et l'tude sera faite uniquement dans la base de la photopile bifaciale. Cette
tude permettra, aprs avoir rsolu l'quation de continuit relative la densit des porteurs
minoritaires photocrs, de dterminer les paramtres phnomnologiques et lectriques de
la photopile bifaciale.
Il - A _1) Prsentation de la photopile bifaciale
Nous considrons une photopile bifaciale de type n+-p-p+ [ 1,2] la figure (A-1 ) :
Zone dope (p+)
~ l l
l l ~
L .J
~
B
(9
1
~
jonction ( ZCE )
Fmetteur<n+I j r<Pl
~
Lumire ~
Multispectrale
( Face avant) c:::::=::)
c:::::::::)
Lumire
:::::J Multispectrale
=:J (Face arrire )
::::::J
x=o x ~ x=Ho
Figure (A-1 ) : Schma de la photopile bifaciale dans un champ magntique
Cette photopile comprend quatre parties essentielles:
- Emetteur: zone frontale de type n+ o le taux de dopage varie de 10
17
10
19
atom.cm-
3
, de
faible paisseur(0.5 1 IJm), qu'on appelle galement face avant.
- Base: zone de type p peu dope(10
15
10
17
atom.cm-
3
) dont l'paisseur varie de 300
400 lJm o les porteurs minoritaires sont les lectrons.
- Zone de charge d'espace (ZCE) qui se trouve entre l'metteur et la base o rgne un
champ lectrique intense qui permet de sparer les paires lectron-trou cres.
- Zone arrire: zone surdope p+ situe sur la face arrire de la base o un champ
lectrique de surface ( Back Surface Field) [ 3, 4] renvoie les porteurs photocrs prs de
la face arrire vers la jonction.
49
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIAO 1LASES - FST 1UCAD-SENEGAL 2005
Chapitre Il Eclairement par la face avant Rgime Dynamique Frquentiel
(11-1 )
Des contacts lectriques ohmiques assurs par des grilles mtalliques adaptes sur les
faces avant et arrire, permettent la collecte de porteurs photocrs dans le circuit extrieur.
Dans l'tude qui va suivre, la contribution de l'metteur est nglige [ 5 ] , en supposant que
la thorie de la quasi-neutralit de la base ( Q.N.B ) [ 6 ] est satisfaite. Le modle
mathmatique unidimensionnel partir de la face avant de l'metteur prise comme origine,
est considr.
Lorsque la photopile est claire par la face avant ( par l'metteur) par un flux lumineux
incident, il y'a cration de paires lectron-trou dans la base. La distribution des porteurs
minoritaires photocrs ( lectrons) dans la base est rgie par l'quation de continuit.
Il - A-2) Equation de continuit
2
a5 l(x,t) * a 5 l(x,t) 5 l(x,t)
n D n + n :::: G (x t)
at n ax2 Tl'
n
L'expression ( 11-1 ) peut tre rcrite sous une autre forme donne par l'expression ( Il..:2 ) :
2
1 a5 l(x,t) a 5 l(x,t) 5 l(x,t) 1
_ n n + n = -G(x t)
* a 2 *2 * 1 '
D t ax Ln D
n n
Avec D* le coefficient de diffusion, L* la longueur de diffusion et r
n 11 n
(11-2)
la dure de vie
moyenne des porteurs minoritaires dans la base.
O 5
n1
(x,t) est la densit des porteurs minoritaires dans la base et qui peut tre crite sous
la forme suivante [ 7-10 ] :
5
n1
(x,t) =5nI (x)exp(im' t) (11-3)
Avec 5
n1
(x) la partie spatiale et exp(imt) la partie temporelle de 5
n1
(x,t) G
1
(x,t) le taux
de gnration donne par l'expression ( 11-4 ) [ 7- 9, 11 ]:
G
1
(x,t) =gl (x)exp(imot) (11-4)
O
est la partie spatiale appele taux de gnration en fonction de la profondeur de la base et
exp(imot) est la partie temporelle de G1(x,t) ; n est le nombre de soleil; aket bksont des
coefficients [ 12 ] dfinis sous AM =1.5 ( voir tableau ci-dessous)
50
k 1 2 3
( -3 -1)
6,13.10
zU
0,54.10
zU
0,0991.10
zU
a
k
cm .s
h ( -1)
6630 1000 130
,cm
En remplaant les expressions ( 11-3 ) et (11-4 ) dans celle de ( 11-2 ), on obtient ( 11-6 ) :
a
2
8
n1
(x) 1 gl (x)
- -(1+iwr )8 (x)=- (11-6)
x
2
*2 n nI D*
L n
n
En posant:
1 1
-=-(1+iwr )
*2 *2 n
L L
w n
avec L* la longueur de diffusion complexe [ 13], on obtient:
w
(11-7)
(11-8)
Cette quation caractristique de celle de la continuit des porteurs minoritaires en excs en
rgime statique, admet comme solution:
Et la solution gnrale est donne par l'expression ( 11-10 ) :
(
XX 3
<5 1(x, t) = A
2
ch(-) + B
2
sh(-) + L Pk exp(-
n L* L* k =1
w w
avec:
(11-9)
(11-10)
P =-
k
*2
na L
k w
2
D*(b
2
L* -1)
n k w
avec
(II-11)
o les coefficients A
2
et 8
2
sont donns par les conditions aux limites.
Il - A-3) Conditions aux limites
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DlA / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
51
Chapitre Il Eclairement par la face avant
a5
D*----!!l =Sj,5 1
n ax 1 nI x =d
x=d
:::l}; _ 1
* ~ ~ 1
D .-- =Sb
1
5 1
n ax n x= Ho
x=H
o
la jonction
la face arrire
(11-12)
(11-13)
O S./j, Sb
I
sont respectivement les vitesses de recombinaison la jonction et la face
arrire; d est l'paisseur de l'metteur et Ho l'paisseur totale de la photopile. Aprs calcul
tous ces paramtres ainsi dtermins sont complexes et peuvent se mettre sous forme d'un
complexe ( voir annexe ).
Dans la suite de l'tude de la photopile bifaciale en modulation de frquence et sous J'effet
d'un champ magntique pour les diffrents modes d'clairement, nous ne considrerons que
les modules des grandeurs phnomnologiques et lectriques de la photopile.
Il - A-4) Profil des modules du coefficient de diffusion et de la longueur de
diffusion complexe en fonction de la frquence de l'clairement pour diffrentes
valeurs du champ magntique
La dtermination du coefficient et de la longueur de diffusion s'avre fondamentale pour
l'tude des diffrentes proprits d'une photopile en rgime dynamique ou statique sous
clairement multispectral ou monochromatique. En rgime dynamique frquentiel, la
frquence est crite sous la forme f =j.1 ci Hz ( j 2 a ), la vitesse de recombinaison des
porteurs minoritaires en excs la jonction sous la forme Sf =m.1 am cm.s-
1
( m 2 a ) et la
vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires en excs la face arrire sous la forme
Sb =p.1a
P
cm.s-
1
(p 2 a).
A la figure ( A-2 ) et la figure ( A-3 ) sont reprsents les modules du coefficient de
diffusion et de la longueur de diffusion complexes respectivement en fonction de la
frquence de modulation pour diffrentes intensits du champ magntique.
52
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrAO / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
10 8
8=0 T
/
Frquence

o
0.005
T
3
1 B=10 T
ltf 1
1 8=10 T
4 6 8 10 2
Frquence(J10
J
HZ)
1::
o
II) 30
=
'1::1
e
"E 20
e
i.:
e
<)
ln
=
'1::1
e
=
"'a
o 0 """""-="""""'==_:::.-....:::!old-.......
:5 0
-
"':'(8 40 .-------,.------r---,---,-------,
Figure ( A-2 ) : Module du coefficient de diffusion en Figure ( A-3 ) : Module de la longueur de diffusion
fonction de la frquence pour diffrentes valeurs du champ complexe en fonction de la frquence pour diffrentes
magntique. valeurs du champ magntique.
0= 35 cm
2
.S'
1
't =10-5 S
Le coefficient de diffusion et la longueur de diffusion complexe diminuent en fonction de la
frquence de modulation pour diffrentes valeurs du champ magntique.
On distingue deux zones sur les courbes correspondant l'absence de champ magntique
sur la photopile:
une premire zone [ 0 Hz ; 3.10
3
Hz [ o le coefficient et la longueur de diffusion
complexes restent pratiquement constants ( rgime quasi-statique)
une deux
'le'me zone { 3 10
3
Hz . 8 -1 n
8
r 1.... ,..........+;;,..; ............. 1.... 1....... ,... " ..... r ,.1 .... ,.I;U ...
. ,. 'v 1 IL L VU ,e 10 UC UIIIU;;;>IVII
complexe diminuent de manire notable ( forte dpendance de la frquence de
modulation)
L'application d'un champ magntique, fait apparatre une troisime zone o on obtient une
courbe de rsonance. Au niveau de cette zone de rsonance, l'augmentation du coefficient
de diffusion est plus rapide que celle de la longueur de diffusion complexe.
Ce phnomne de rsonance est obtenue lorsque la frquence de modulation est gale la
frquence cyclotron [14, 15] ( frquence de l'lectron sur son orbite en prsence d'un champ
magntique ).
Pour une valeur donne du champ magntique, une tude succincte des niveaux d'nergie
des bandes de valence et de conduction permettrait de prvoir les transitions permises des
porteurs minoritaires lorsque la photopile est sous illumination. De ceci, pour faire l'tude en
modulation de frquence, il est ncessaire de choisir des valeurs du champ magntique bien
53
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - fST 1UCAD-SENEGAL 2005
dfinies pour la rponse de la photopilbifaciale.
On peut noter que, la frquence de modulation de l'clairement avec ou sans l'application
d'un champ magntique diminue la qualit de la photopile bifaciale du moment o on passe
des proprits du silicium monocristallin ( 0 = 35 cm
2
.s
1
) celles du silicium polycristallin (
0:<::; 26 cm
2
.s
1
).
Connaissant les variations de ces deux paramtres ci-dessus cits en fonction de la
frquence de modulation et de l'intensit du champ magntique, l'tude de la densit des
porteurs minoritaires photocrs dans la base de la photopile bifaciale est propose.
" - A-5
0
) Etude du module de la densit des porteurs minoritaires dans la base en
fonction de la profondeur pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et
du champ magntique
le profil de la densit des porteurs minoritaires est reprsent la figure ( A-4 ) et la figure
( A-5 ) pour une photopile en situation de court-circuit et de circuit ouvert respectivement.
Profondeur x (cm) de la base
0.03 0.0.:1
M 0'10
13

'e
<>
oQ2j 0.Q3 0.D2 0.015 ODt 0.005
o ........._..:..;.[. . .;.;-"..:.;-''':';-'.:.:.J'-
o
Figure (A-4): Module de densit de porteurs Figure(A-5): Module de densit de porteurs
minoritaires en fonction de la profondeur de la base pour minoritaires en fonction de la profondeur de la base pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du
champ magntique appliqu la photopile en situation de champ magntique appliqu la photopile en situation de
court-circuit. circuit ouvert.
1) f=OHz, 8=OT; 2) f=28.10
4
Hz, 8=10-5 T ; 1) f=OHz, 8=OT; 2) f=28.10
4
Hz, 8=10-5
T
;
3) f=28.10
5
Hz, 8=10-4 T 3) f=2810
5
Hz, 8=10-4
T
Sf= 4.10
4
cm.s
l
; Sb= 2.10
2
cm.s
l
Sf =2.10
2
cm.s
l
; Sb= 2.10
2
cm.s
1
D = 35 cm
2
.s
1
; t =10.
5
s ; d = 1IJm ; H = 300 IJm ; Ho = d + H
Lorsque la frquence de modulation de l'clairement et le champ magntique appliqu la
photopile augmentent, l'amplitude de la densit des porteurs minoritaires photocrs dans la
base diminue.
54
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
Pour la photopile en condition de court-circuit, pour une frquence de l'clairement et u n ~
champ magntique donns, le module de la densit des porteurs minoritaires en excs
augmente jusqu' atteindre un maximum correspondant une profondeur X
o
de la base.
Lorsque la profondeur x de la base est suprieure la valeur xo, le module de la densit des
porteurs minoritaires diminue. De cette remarque, nous distinguons trois zones:
- une premire zone quand d s x s Xo.
Le gradient de la densit des porteurs minoritaires en excs dans la base de la photopile est
positif: ceci correspond au passage d'un flux d'lectrons occasionnant un photocourant
travers la jonction metteur-base.
- une deuxime zone quand x =Xo.
Le module de la densit des porteurs minoritaires en excs dans la base est maximal et le
gradient est nul: il y'a donc un stockage de porteurs minoritaires en excs de charges
ngatives qui va crer une capacit de zone de charge d'espace qui s'tend de la jonction
la valeur Xe.
- une troisime zone quand Xe s x s Ho.
Le module de la densit des porteurs minoritaires en excs diminue dans la base,
impliquant ainsi un gradient ngatif: l'onde incidente s'attnue progressivement en
diminuant de suite la gnration de porteurs minoritaires de charges pour participer au
photocourant.
Notons que les maxima des courbes de module de densit des porteurs minoritaires
diminuent en fonction de la frquence de modulation et du champ magntique en tendant
veS la jonction metteur-base. Ceci permettra de prvoir l'volution des phnomnes
capacitifs c'est--dire la diminution de la capacit de diffusion de la zone de charge d'espace
en fonction de la frquence de modulation de l'clairement, du champ magntique et de la
vitesse de recombinaison la jonction Sf(m).
Pour la photopile en condition de circuit ouvert, le module de la densit des porteurs
minoritaires est maximal au voisinage de la jonction metteur-base sans champ magntique
appliqu sur la photopile: la charge totale stocke est trs importante, d'o la capacit de la
zone de charge d'espace est maximale. Par contre, l'augmentation de la frquence de
modulation de l'clairement et l'application d'un champ magntique sur la photopile font
dcrotre le maximum de la densit des porteurs minoritaires au voisinage de la jonction.
Pour les deux conditions de fonctionnement de la photopile bifaciale, l'augmentation de la
frquence de modulation de l'clairement et du champ magntique diminuent la densit des
porteurs minoritaires en excs la face arrire : c'est comme si la photopile bifaciale se
55
comporte comme une photopile sans BSF car la recombinaison augmente la face arrire ( :.'
voir variation de la vitesse de recombinaison la face arrire en fonction de la frquence de
l'clairement et du champ magntique au Chapitre V).
Ainsi, la variation de la densit des porteurs minoritaires photocrs, en fonction de la
frquence de modulation, du champ magntique et de la vitesse de recombinaison la
jonction permet une tude du photocourant aux bornes de la photopile bifaciale.
" - A-6) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la vitesse
de recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de
modulation de l'clairement et du champ magntique
Le photocourant de la photopile, est obtenu par le gradient de porteurs minoritaires la
jonction et est donn par l'expression ( 11-14) :
* 8o
n1
J phI (d,OJ,B,Sf) =qDnfux =d (11-14)
La variation de ce photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magnetique, est
reprsente la figure ( A-6 ) :
10
'-"'-'-"'2""---""-"'-"
. -----3--------
2 4 6 8
Vitesse de recombinaison la jonction ( cm.5.
1
)
o'--_or;::..a...........,,'----_---' -l-__-----l -"
o
om
1::
C'IS
...
:J
o
u
o 0.015
...
o
J::
a.
G)
"0
-1 001
.1:::
...
l:
1
"0
> 0.005
"0
1
'3
'V
o
:!
N om r----.-----------,----,----------,------,
'e
~
ct
Figure CA- 6) : Module de la densit de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement par la face avant et du
champ magntique.
1) f =0 Hz, B =0 T ; 2) f =28.10
4
Hz, B = O ~ ; 3) f =28.10
5
Hz, B =10-4T ; Sb = 2 . 10
2
cm.s
1
56
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - FST 1UCAD-SENEGAL 2005
Pour une frquence de l'clairement et un champ magntique donns, la densit de
photocourant augmente progressivement avec la vitesse de recombinaison la jonction
jusqu' une valeur maximale correspondant au courant de court-circuit. Cette densit de
photocourant diminue en amplitude lorsque la frquence de modulation augmente et puis
avec l'application d'un champ magntique sur la photopile. L'augmentation de la frquence
de modulation et du champ magntique appliqu dplace la vitesse de recombinaison la
jonction vers les grandes valeurs qui correspondent l'tablissement du court-circuit: tout
se passe comme si la frquence de modulation et le champ magntique retardaient le court-
circuit et prolongeaient le circuit ouvert.
Cette variation de la densit du photocourant reprsente la figure ( A-6 ). nous permet
d'tudier le photocourant en fonction de la frquence de modulation et du champ
magntique appliqu sur la photopile.
Il - A-7) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la
frquence de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ magntique
La figure ( A-7 ) prsente le profil du module de la densit de photocourant en fonction de la
frquence de modulation pour diffrentes valeurs du champ magntique.
<'l 0.lID,----,---,------,---,----,---------,
lE
o 1
:5-
i 0.02
...
::J
8
~ 0D15
~
C.
~ "2 -- -----
~ 0.01
loi
c:
4D
"0
~ 0.Q05
4D -------3---------
:;
"0
o
~ a L--_-----'---__--'---_-----'__---'---__--'-----_-----.J
a
Frquence j 1 ~ Hz)
figure (A-7) : Module de la densit de photocourant en fonction de la frquence de modulation de
l'clairement par la face avant pour diffrentes valeurs du champ magntique.
1)8=OT; 2)8=10-
5
T; 3)8=10-4 T ; Sf= 4.10
4
cm.s-
I
; Sb= 2.10
2
cm.s
l
L'amplitude du photocourant diminue lorsque l'intensit du champ magntique augmente.
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIA / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
Sans champ magntique, le photocourant est maximal E ~ est pratiquement constant pour de
faibles valeurs de la frquence de l'clairement ( rgime quasi-statique ) puis diminue
brusquement jusqu' atteindre une valeur partir de la quelle il n'y a aucune rponse de la
part de la photopile car on est dans le domaine des trs hautes frquences. A partir de la
frquence 3.10
3
Hz communment appele frquence de coupure ( f
e
), la gnration des
porteurs minoritaires dans la base de la photopile bifaciale devient de plus en plus faible.
Cela va se traduire par un retard ou dphasage entre l'excitation optique incidente et la
rponse de la photopile.
Et lorsqu'on applique un champ magntique, le photocourant reste toujours constant en
fonction de la frquence de l'clairement jusqu' une valeur correspondant la rsonance
fonction de l'intensit du champ magntique qui augmente le photocourant brivement pour
dcrotre par la suite.
" - A - 7 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant en fonction de la
En modulation de frquence, lorsque la photopile bifaciale est claire par sa face avant, il
existe un dphasage entre l'instant d'clairement et la gnration des porteurs minoritaires
en excs participant au photocourant. Ce dphasage (voir annexe, p.?, expression 11-14-a)
est reprsent la figure ( A-8 ) en fonction de la frquence de l'clairement pOLir diffrentes
valeurs du champ magntique:
Q.-, - - - - - r - - ~ __-=:-T--...------.-__,
e -0.5
:l
o
U
o
..
o
..c
a.
~ -1
lU
!Il
(Cl
..c
Q.
-1.5 L-_....J......_-----"-__--L-_---'-__'--_---J
o J 3 4 5 6
Frquence j.10
j
Hz
figure (A-8): Phase de la densit de photocourant en fonction de la frquence de modulation de
l'clairement par la face avant pour diffrentes valeurs du champ magntique appliqu.
1) B = 0 T; 2) B = 10.
5
T; 3) B = 10-4 T ;
~ "b 0 2 -1
s; =S =2 . 1 cm .S
58
Sans champ magntique appliqu sur la photopile, la phase du photocourant est nulle dans
l'intervalle de frquence [ 0 Hz ; 2.10
2
Hz ]. Dans cette zone de frquences de l'clairement,
la photopile bifaciale fonctionne presque en rgime quasi-statique pendant lequel le
photocourant est insensible la variation de la 'frquence. donc o l'excitation optique
s'accompagne d'une cration simultane de porteurs minoritaires en excs dans la base.
Par contre, ds que la frquence de l'clairement est suprieure la frquence de coupure,
la rupture de gnration des porteurs minoritaires en excs entrane un retard de rponse en
courant de la photopile. Ce retard ou phase de photocourant diminue progressivement dans
le domaine des hautes frquences] 2.10
2
Hz ; 6.10
6
Hz [.
Quelque soi.t le champ magntique appliqu sur la photopile, la phase du photocourant reste
toujours nulle dans le domaine des basses frquences [ 0 Hz ; 2.10
2
Hz ]. Lorsqu'on est en
hautes frquences, la phase du photocourant augmente (courbes 2 et 3) tout en variant avec
la frquence de l'clairement.
En assimilant l'effet du champ magntique appliqu, sur la phase du photocourant au
phnomne d'hystrsis, nous pouvons dire qu'il y'a une diminution du champ magntique
coercitif et du champ magntique rmanent lorsque la photopile est soumise un champ
magntique magntisant.
Il - A-8) Etude du module du photocourant de court-circuit en fonction de la
Le photocourant de court-circuit (voir annexe, p.S, expression 11-14-b), dpendant aussi de la
frquence de modulation, est obtenu partir de l'expression du photocourant en faisant
tendre la vitesse de recombinaison la jonction vers une limite trs grande (Sf >10
4
cm.s-
1
)
et son profil est donn la figure ( A-9 ) :
59
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DTA / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
1
1
A
. ~ :
3 ... \
------------------ \
2
_ . . _ . _ . __ ._._--_.-
0.01
0.015
0.005
0.025 ,--------r----,----------,r-------r----,-----------,
"5 ('4-
~ 'E
' ~
t: ~ am
:J
o
u
GI
"U
..
C
A
...
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o
u
o
..
o
.s::
0..
GI
"U
.!!
:J
"U
o
:::?:
o'-------'------'------'-------'-----'----------.J
a 3 5 6
Frquence (j.10
j
Hz)
figure (A-9) : Module de la densit de photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
modulation de l'clairement par la face avant pour diffrentes valeurs du champ magntique.
1)B=OT; 2)8= 1Q-5 T ; 3)8= 10-'\T; Sb= 2.10
2
cm.s-
l
Sans champ magntique appliqu sur la photopile, le photocourant de court-circuit est
maximal dans le domaine des faibles frquences de modulation [ 0 Hz; 3.10
3
Hz ] et
diminue quand les frquences sont trs leves] 3.10
3
Hz ; 6.10
6
Hz].
Pour une valeur du champ magntique donne, le photocourant de court-circuit est toujours
constant jusqu' une frquence de modulation gale la frquence de rsonance o le
photocourant de court-circuit augmente lgrement pour ensuite dcrotre.
L'tude du photocourant de court-circuit nous montre qu'jl existe toujours un dphasage
entre l'excitation et la rponse en courant de la photopile. Ce dphasage est tudi en
fonction de la frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu la photopile.
Il - A - 8 - 1) Etude de la phase du photocourant de court-circuit en fonction de la
Lorsque la photopile est en condition de court-circuit, Je dphasage (voir annexe, p.10
expression 11-15-c), en fonction de la frquence de l'clairement et du champ magntique,
est donne la figure ( A-10 ) ;
60
6 5 4 3 2
_ 0 __-::I!"I" .... ""'. ;.== .:r.----r---r----,
'U " '.
f , a ..
1j..... \ ",
, ".
\ '.
8 \ ",
G) -02 \ 2'"
\
\
L \
\
o \
\
\
it \,3
,
' ....
G)
CI.I
III
..c
Q.. L..-_---'-__---l...-__-'---_---L__--'-_------'-J
o
Frquence (j.1 oj Hz )
Figure (A-10) : Phase de la densit de photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
1) B = 0 T ; 2) B = 10.
5
T; 3) B = 10-4 T; Sb = 2 " 10
2
cm.s
1
La phase de la densit de photocourant de court-circuit, dans l'intervalle de frquence de
modulation de l'clairement [ 0 Hz ; 2.10
2
Hz J, est nulle. Elle diminue lorsqu'on est dans le
domaine des frquences leves] 2.1 02Hz ; 6.1 06Hz ].
Pour de faibles valeurs de la frquence de modulation (m.L 1 : rgime quasi-statique) et
quelque soit le champ magntique appliqu sur la photopile, la phase reste nulle. Il n'y a pas
de dphasage entre l'application de la source lumineuse et la rponse en photocourant. La
phase diminue avec l'application du champ magntique dans le domaine des
frquences leves (m.L 1).
Aux courbes 2 et 3 de la figure (A-8) , les pics observs ressortent du phnomne de
rsonance obtenu avec l'application du champ magntique sur la photopile o nous avons
l'augmentation du photocourant qui entrane celle de la phase.
Notons que cette phase de photocourant peut tre assimile des phnomnes d'hystrsis
qu'on observe lorsqu'un champ magntique magntisant est appliqu sur un matriau
cristallin.
A prsent, ayant fait l'tude sur le photocourant et sa phase, nous nous proposons d'tudier
la variation du photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de modulation de
l'clairement et du champ magntique appliqu sur la photopile bifaciale.
61
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIAO / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
Il - A - gO) Etude du module de la phototension en fonction de la vitesse' de j
recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement
et du champ magntique
La phototension de la photopile, est donne par la relation de BOLTZMANN:
VphI (d,w,B,Sf) V
T
Inr :; li
nl
(d,w,B,Sf) +Il
\. l' . ;,
(11-15)
avec VT la tension thermique la temprature T, Nb le taux de dopage dans la base
( concentration en accepteurs) et ni la concentration intrinsque du substrat.
Le profil du module de la phototension est reprsent la figure ( A-11) :
0.8 ,----,----..,...------r---...,
-
:>
c:
o
j; 06
c:
CD
.....
o
.....
o
0.4
CD 0 J
:::s .
"'C
o

oL-__---l... ..L-__--=.3 -"
o 5 W U
Vitesse de recombinaison il la jonction ( cm.S
1
1
Figure (A-11) : Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement par la face avant et du champ magntique.
1) f =0 Hz, B =0 T ; 2) f =28.10
4
Hz, B =10,
s
T ; 3) f =28.10
s
Hz, B =10-4T; Sb = 2. 10
2
cm.s
1
La phototension, pOLir les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison la jonction, est
maximale et correspond la phototension de circuit ouvert, mais quand la vitesse de
recombinaison la jonction crot, la phototension diminue progressivement pour tendre vers
zro. Lorsque la frquence de modulation de l'clairement augmente, la tension de circuit
ouvert diminue. Par la suite, nous allons tudier la variation de cette phototension de circuit
ouvert en fonction de la frquence pour diffrentes valeurs du champ magntique appliqu.
62
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIA / LASES - fST / UCAD-SENEGAL 2005
Il - A - 10) Etude du module de la phototension de circuit ouvert en fonction de la
La phototension de circuit ouvert est obtenue partir de l'expression ( 11-15 ) en faisant
tendre la vitesse de recombinaison la jonction vers zro (voir p.13, expression 11-15-a de
l'annexe).
La connaissance de la phototension de circuit ouvert est ncessaire pour la dtermination
de certains paramtres lectriques ou lectroniques de la photopile bifaciale (voir
chapitreV).
Son profil est reprsent la figure (A-12 ) :
0.95 ,..------r---.,------r---r-------,.----,
................................
2
J 3
Frquence ( j.1ni Hz)
-----3"-----...
,
,
,
,
\,
\
\
\
\
\
\
0.65 L--_--L__-"-----_-----L__...L.-_-----l.__---l
o
>
t::
o.a
o
:t::
:::1
U
l-
'u
-! 0.15 f------
1
,.....------
C

III
C
CIl
...
CIl 0.1
"CIl
:;
"
Cl
:E
Figure (A-12) : Module de la phototension de circuit ouvert en fonction de la frquence de modulation de
1) B =0 T; 2) B =10.
5
T; 3) B =10-4 T; Sb = 2.10
2
cm.s
1
La phototension de circuit ouvert, pour des faibles valeurs de la frquence [ 0 Hz ; 3.1 03Hz ]
( rgime quasi-statique) est pratiquement une constante, elle diminue quand la frquence
de l'clairement devient trs leve ( domaine des hautes frquences ). Dans le domaine
des frquences faibles, la phototension de circuit ouvert augmente en amplitude (courbes 2
et 3) quand la valeur du champ magntique crot. L'effet du champ magntique se fait
ressentir sur la phototension de circuit ouvert lorsqu'on est pratiquement en rgime quasi-
statique o la densit des porteurs minoritaires en excs dans la base augmente avec
l'intensit du champ magntique appliqu.
La dtermination du photocourant et de la phototension nous permet de dduire la
caractristique courant-tension pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et
63
du champ magntique.
Il - A - 11) Etude du module du photocourant en fonction du module de la
phototension pour diffrentes valeurs de la frquence de modulation de l'clairement
L'tude de la caractristique courant-tension de la photopile bifaciale relve d'une
importance car plusieurs paramtres lectriques tels que les rsistances srie et shunt, le
courant de court-circuit, la tension de circuit ouvert, la puissance maximale, le facteur de
remplissage peuvent tre dduits.
A la figure ( A-13 ), est reprsent le profil du module du photocourant en fonction du
module de la tension pour diffrentes valeurs de la frquence de modulation et du champ
magntique appliqu sur la photopile.
om5 ,------,--------,----,-------,--------,-- 1----.----,--------,
..
2
.---_ .. _._ _ - _ -- _ " .. -.. -
.
3 '
~ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ~ - ..... ,
,
\
, .
\
\
1
l '
1
1 .
oL--_-'-I__-'----- 1 __L--I_---'I__-'-I__L - - I - - - - I - - - - ~ -----L----.J
o 0.1 0.1 03 0.4 0.5 06 0.1 0.8
-
""
'e
u
~ 0.01
~
::l
o
g 0.015
J:.
l1.
'"
...
'! 0.01
li
c
'"
...
'"
0005
3
-g
:2
Module <le phototension (V)
Figure (A-13) : Module du photocourant en fonction du module de la phototension pour diffrentes
valeurs de la frquence de l'clairement par la face avant et du champ magntique
1)f=OHz, B=OT;2)f=28.10
4
Hz, B=10
5
T;3)f=28.10
5
Hz, B=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s
l
Quand la tension est faible, le courant est maximal et correspond au court-circuit; mais
lorsque la tension tend vers la tension de circuit ouvert, le courant diminue progressivement
pour tendre vers zro. Lorsque la frquence de modulation de l'clairement et le champ
magntique appliqu sur la photopile augmentent, l'amplitude de la tension de circuit ouvert
diminue. De la caractristique courant-tension, nous constatons que, selon le
fonctionnement de la photopile en condition de court-circuit ou de circuit ouvert, des
64
Chapitre Il Eclairement par la face avant Rgime Dynamique frquentiel
paramtres lectriques comme les rsistances srie et shunt, l'inductance peuvent, tre
dtermins aprs avoir utilis le modle de circuit lectrique quivalent de la photopile.
Ayant fait l'tude sur le photocourant et de la phototension, celle de la puissance de la
photopile en fonction de la frquence de l'clairement et du champ magntique, est faite.
Il - A-12) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse
l'clairement et du champ magntique
La puissance traduit la capacit de la photopile fonctionner dans des conditions
d'oprabilit ; elle dpend de plusieurs paramtres comme la temprature
d'exprimentation, du courant, de la tension, de la rsistance de charge, des conditions
d'clairement. La puissance de la photopile est donne par l'expression suivante:
Pl (d,OJ,B,Sf) = J phI (d,OJ,B,Sf) VphI (d,OJ,B,Sf)
(11-16)
A la figure ( A-14 ), est reprsent le profil de la puissance de la photopile en fonction de la
vitesse de recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de
l'clairement et du champ magntique:
0.00 ,..------.-----,------r-----,
20 IS
o'--"...........,=----_L....- .L...-__-=.J --'
o
N
'E
0.015
(\
u

CP

C 2
Ils
iii 0.01
.
.
lit
.
.
'5
, .
.
a.
. .
.
QI
.
"'0
" "5
0.00.1
"'0
0
::E
Vitesse de recombinaison la jonction (cm.s-
1
)
Figure (A-14) : Module de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de modulation de l'clairement par la face
avant et du champ magntique
1)f=OHz, B=OT;2)f=28.10
4
Hz, B=10
5
T;3)f=28.10
5
Hz, B=10-4T ; Sb=: 2.10
2
cm.s
1
Pour des faibles vitesses de recombinaison la jonction c'est--dire lorsqu'on est au
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrAa / LASES - fST / UCAD-SENEGAL 2005
65
---.,...--------:--=--:------:-------:------..,..----:-=--:--=:--.........,....------="---=----
voisinage "du circuit ouvert, le courant est faible; ceci entrane une faible puissance de la
photopile. Mais au fur et mesure que la vitesse de recombinaison la jonction crot, le
courant augmente lentement, entranant une augmentation de la puissance jusqu' atteindre
une valeur maximale correspondant la puissance maximale. Lorsqu'on tend vers un
fonctionnement de la photopile en condition de court-circuit, la phototension tend
s'annuler; cela provoque simultanment une diminution de la puissance.
D'aprs la courbe de puissance, entre deux points de fonctionnement, on peut trouver deux
. ..
vitesses de recombinaison la jonction diffrentes pouvant donner la mme puissance.
Il - A-13) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction du module
de la phototension pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du
champ magntique
Le profil de la puissance de la photopile en fonction de la tension pour diffrentes valeurs de
la frquence de modulation et du champ magntique, est reprsent la figure ( A-15 ) :
0.01
...
N .
'E 0.015
l.J
,:
-
al
i 0.01
III
'5
a.
III
'tl
al
0005
o
:li
2
J
",..---,
\
o
o 0.1 0.1 03 0.4 OJ 06 0.1 o.s
Uodule de ptlototension ( V)
Figure (A-15) : Module de la puissance de la photopile en fonction du module de la phototension pour
diffrentes valeurs de la frquence de modulation de l'clairement par la face avant et du
champ magntique
1)f=OHz, B=OT;2)f=28.10
4
Hz, B=10-sT;3)f=28.10sHz, B=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s
1
Pour chaque courbe considre, la puissance de la photopile augmente avec la
phototension. On constate que la puissance varie linairement avec la phototension lorsque
la photopile fonctionne en condition de court-circuit. Mais quand la phototension tend vers
les valeurs correspondant au fonctionnement de la photopile en circuit ouvert, la puissance
chte de manire brusque pour s'annuler ensuite. En 'circuit ouvert, nous rE!marquons que la
puissance de la photopile est pratiquement influence par la diminution du photocourant.
L'tude de la densit des porteurs minoritaires en excs dans la base de la photopile, du
photocourant, de la phototension et de la puissance ayant t propose, nous allons
maintenant faire l'tude de ta capacit de diffusion de ta jonction de ta photopile.
Il - A-14) Etude du module de la capacit de diffusion en fonction de la vitesse de
(11-17)
Lorsque photopile bifaciale est claire par sa face avant, il y'a gnration et diffusion des
porteurs minoritaires de charges travers la zone de charge d'espace (ZCE) qui
s'accompagne d'un stockage de charge -Q dans la base et de +Q dans l'metteur. La
diffrence de charge de part et d'autre de la jonction conduit l'tablissement d'un
condensateur de capacit variable. Cette capacit est donne par l'expression suivante:
( )
_ .d6nl(d,{J),B,S/)
Cb1 d, (J), B, SI - q ------'-=-=------
dV
phl
A la figure ( A-16 ), est reprsente la capacit de diffusion de la photopile en fonction de la
vitesse de recombinaison la jonction pour quelques valeurs de la frquence de modulation
de t'clairement et du champ magntique appliqu:
-- 6'10-
4
N
'e
aIt 1
W
5'10-
4
0
N
!!
4'10-4
tI
"Q
-41
3.10-
4
.!::
U
N
Q.
~
2'10- 4
U
<LI
"Q
2
41
1'10-
4
---------------&-.
::::1
"Q
3 0
~
0
0 2 6
Vitesse de recombinaison la Jonction (cm.s
1
)
Figure (A-16): Capacit de diffusion de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction
pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement par la face avant et du champ magntique
1)f=OHz, B=OT;2)f=28.10
4
Hz, B=10
5
T;3)f=28.10
5
Hz, B = ~ T ; Sb= 2.10
2
cm.s
1
67
Sans champ magntique appliqu sur la photopile et de frquence de modulation de
l'clairement, le module de la capacit est maximal lorsque la vitesse de recombinaison la
jonction est trs faible. Ce maximum de capacit est d au fait qu'il ait peu de porteurs
minoritaires en excs qui traversent la jonction. Mais lorsque la vitesse de recombinaison
la jonction augmente, la capacit diminue car un grand nombre de porteurs minoritaires en
excs franchissent la jonction metteur-base pour participer au photocourant ; d'o donc on
note un dpeuplement de porteurs minoritaires dans la zone de stockage.
Quand la frquence de modulation de l'clairement et le champ magntique appliqu sur la
photopile augmentent, l'amplitude du module de la capacit de diffusion diminue: le nombre
de porteurs minoritaires photognrs dans la base dcrot et est stock davantage par le
champ magntique appliqu.
L'tude de la variation de la capacit de diffusion de la photopile pourrait aboutir celle du
comportement de l'paisseur de la ZCE en fonction de la frquence de l'clairement et du
Conclusion
Une tude de la densit de porteurs minoritaires en excs dans la base de la photopile. pour
un clairement en modulation de frquence par la face avant, a permis de dterminer
quelques paramtres lectriques tels que: le photocourant, le courant de court-circuit, la
tension, la tension de circuit ouvert, la puissance et la capacit de diffusion de la jonction.
Ces paramtres diminuent en fonction de la frquence de modulation de l'clairement en
tenant compte aussi de l'effet du champ magntique appliqu. Dans le domaine des
frquences faibles (m:t 1), les paramtres tudis sont pratiquement indpendants de la
frquence de modulation, mais dans le domaine des hautes frquences (m.'! 1), ces
paramtres dpendent fortement de la frquence de modulation et du champ magntique
appliqu sur la photopile. D'o l'on peut dire que la frquence de modulation et l'application
d'un champ magntique entranent un mauvais rendement de la photopile bifaciale.
La photopile bifaciale ayant l'avantage d'tre claire par sa face arrire, nous allons, dans
le chapitre suivant, tudier l'volution des paramtres lectriques en fonction de la frquence
de l'clairement et du champ magntique appliqu sur la photopile.
68
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrA / LASES - fST / UCAD-SENEGAL 2005
Bibliographie Chapitre II Eclairement par la face avant
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[15] "Modulation Spectroscopy " M. Cardona, Solid State Physics. Suppl. 11 (1969)
70
Chapitre HI Eclairement par la face arrire Rgime Dynamique Frquentiel
. CHAPITRE III : ETUDE THEORIQUE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE: ECLAIREMENT
PAR LA FACE ARRIERE
71
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIAa / LASES - FST / 2005
Chapitre III Eclairement par la face arrire Rgime Dynamique frquentiel
(111-1 )
111- B1ECLAIREMENT DE LkPHOTOPILE BIFACIALE PAR LA FACE ARRIERE
Introduction
Dans cette deuxime partie, l'tude de la photopile bifaciale est porte sur la face arrire.
Pour ce faire, la face arrire de la base de la photopile est dope (p+) o rgne un champ
lectrique arrire intense appel Back Surface Field ( BSF ) [ 1, 2 ] qui amliore le
rendement de la photopile bifaciale. Contrairement aux photopiles conventionnelles (
monofaciales ), ce champ lectrique repousse les porteurs minoritaires photognrs vers la
jonction en diminuant les effets de recombinaison la face arrire [ 2 ].
Lorsqu'on claire la face arrire de la photopile bifaciale par une lumire multispectrale en
modulation de frquence et en prsence d'un champ magntique appliqu, la densit de
porteurs minoritaires photocrs obit l'quation de continuit.
III - B - 1
0
) Equation de continuit
2
aJ
n2
(x,!) *a J
n2
(x,!) J
n2
(x,t)
------D -----+-----o=G (x t)
at n a 2 T 2'
x n
L'expression ( 111-1 ) peut tre rcrite sous une autre forme donne par l'expression
( 111-2 ):
2
1 O
n
2(x,t) 0n2(x,t) 0n2(x,t) _ 1
-----------+--------G2(x,t) (111-2)
D* t 2 L*2 D*
n x n n
O <5 (x,t) est la densit des porteurs minoritaires dans la base et qui peut tre crite
n2
J
n
2 (x,t) =J
n
2 (x)exp(i' t) (111-3)
Avec J
n
2(x) la partie spatiale et exp(iwt) la partie temporelle deJ
n
2(x,t) ; G2(x,t)le taux
de gnration donne par l'expression ( 111-4 ) :
G
2
(x,t) =g2(x)exp(it)
O
3
g2(x) 0= n 'iak exp(-bk(H
o
-x))
k =l
(111-4)
(111-5)
est la partie spatiale appele taux de gnration en fonction de la profondeur de la base et
exp(i)t) est la partie temporelle deG
2
(x,t) ; Ho l'paisseur totale de la photopile bifaciale.
En remplaant les expressions ( 111-3) et ( 111-4 ) dans celle de ( 111-2 ), on obtient ( 111-6 ) :
72
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DlAO / LASES - fST / UCAD-SENEGAL 2005
Chapitre III Eclairement par la face arrire
En posant:
Il.
-=-(1+lwr )
*2 ",2 n
L L
w n
avecL* la longueur de diffusion COlnfJiexe,on obtient:
w
(111-6)
(111-7)
(11[-8)
Cette quation caractristique de celle de continuit des porteurs minoritaires dans la base
de la photopile en rgime statique, admet comme solution:
, x ' x 3
0n2 (x) = A
2
ch(-*-) + B
2
sh(-*-) + L flk exp(-bk(H0 - x))
Lw Lw k =1
Et la solution gnrale est donne par t'expression ( 111-10) :
0n2 (x,t) = + + f flk exp(-b
k
(Ho - X))j. e
iw
, t
L* L* k =1
w w
, ,
o les coefficients A
2
et B
2
(111-9)
(111-10)
III - B - 2) Conditions aux limites
* 80
n2
1
Dn--a;- =S/2 ,on2 x =d
x=d
la jonction
(III-11)
* 80
n2
D ._-
n ax
x=H
o
== -Sb
2
-0 21
n x=H
o
la face arrire
(111-12)
O S/2' Sb
2
arrire; d l'paisseur de l'metteur et Ho l'paisseur de la photopile. Aprs calcul, tous ces
coefficients ainsi dtermins sont complexes et peuvent se mettre sous la forme d'un
complexe [ 3 ] ( voir annexe ).
73
Chapitre III Eclairement par la face arrire Rgime Dynamique Frquentiel
1\1 - B - 3) Etude du module de la densit de porteurs minoritaires dans la base en
du champ magntique
Le profil de la densit de porteurs minoritaires est reprsent la figure ( 8-1 ):
_ 1.2 0 10
14
C"'l
'e
u
!Il
1-10
14
al
'[ij
.t:::
l!l
SolO13
C
E
(Il
5
al
6
0
10
13
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0
Co
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4"10
13
::
i
al
JolO13 'l:!
al
~
'l:!
0
:i
0
0 O O O ~ 0.01 1 ~ O.OJ O.W:!
3
..
0.03
Figure (8-1) : Module de densit de porteurs minoritaires en fonction de la profondeur de la base pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique
1) f =0 Hz, B = 0 T ; 2) f = 28.10
4
Hz, B = 10,
s
T ; 3) f =28.10
5
Hz, B =10-4T ;
Sf = 4.10
4
cm.s
l
; Sb = 2 . 10
2
cm.s'
Pour chaque courbe considre, le module de la densit des porteurs minoritaires en excs
dans la base augmente en fonction de la profondeur de la base.
Sans modulation de frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu sur la
photopile, l'amplitude du module de la densit des porteurs minoritaires est plus grande que
lorsqu'on applique le champ magntique et fait varier la frquence de l'clairement. On
constate que l'augmentation de la frquence de l'clairement et du champ magntique,
constitue un blocage pour les porteurs minoritaires photognrs dans la base car il y'a peu
de charges qui vont franchir la jonction pour participer au photocourant.
La variation de la densit des porteurs minoritaires dans la base en fonction de la frquence
de modulation de l'clairement, du champ magntique et de la vitesse de recombinaison la
jonction, entrane l'apparition d'un photocourant aux bornes de la photopile bifaciale.
74
(111-13)
11/- 8 - 4) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la vitesse
Le photocourant est essentiellement obtenu par le gradient de porteurs minoritaires la
jonction et est donn par J'expression ( 111-13 ) :
* 85
n2
J ph2(d,OJ,B,S!)=qD
n
-;;;-
x=d
Le profil de ce photocourant est reprsent la figure ( 8-2 ) :
-
-
_ 0.015 ,-----...,------rl---..--'---,I-----,
N
'5 1 .
,fi
1:
(l;l
g 0.01
u
o
i
CIl
'l:3
'CIl
=
0.005 f--
CIl
'l:3
CIl
:ii 0 L...-........:....
o 4 6 8 10
Vitesse de recombinaison la jonction ( cm.s,1 )
,J
........ - 1
Figure (8-2): Module de la densit de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement par la face arrire et du
champ magntique
1)f=OHz, B=OT; 2)f= 28.10
4
Hz, 3)f=28.10
5
Hz, B=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s,l
La densit de photocourant diminue en amplitude en fonction de la frquence de modulation
de l'clairement et de l'intensit du champ magntique. La densit de photocourant est
presque nulle pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison la jonction traduisant
le fonctionnement l' r:;hotopile er. circuit ouvert, puis augmente progressivement jusqu'
une valeur maximale correspondant au photocourant de court-circuit lorsque la vitesse de
recombinaison la jonction devient grande. Le courant de court-circuit de l'clairement par
la face arrire de la photopile bifaciale, est nettement infrieur celui obtenu de
75
Chapitre [Il Eclairement par la face arrire Rgime Dynamique Frquentiel
III - 8 - 5) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la
La figure ( 8-3 ) prsente le profil du module de la densit de photocourant en fonction de la
frquence de modulation pour diffrentes valeurs du champ magntique appliqu.
0.015
N
'E 1
u
ci
-
!li
....
= 0.01
0
u
0
~
Q,
CD
~
'CD
=
!
0.00.:;
CD
~
CD
~
CD
'5
'tI
0
~
0
0 ~ 6
Frquence ( j.10
j
Hz )
-,
l-Hl
I D ~
5-1tJ-
j
'"}O-j
2
'1
ofnr .... r ~ [ .. .. , :".
o l j 3 j 6
figure (8-3) : Module de la densit de photocourant en fonction de la frquence de modulation de
l'clairement par la face arrire pour diffrentes valeurs du champ magntique.
1) B =0 T; 2) B =1O.
5
T; 3) B =10-4T ; Sf = 4.10
4
cm.s] ; Sb = 2.10
2
cm.s
1
Sans champ magntique, le photocourant est maximal et est pratiquement constant pour de
faibles valeurs de la frquence de l'clairement [ 0 Hz; 3.10
3
Hz ]( rgime quasi-statique)
puis diminue brusquement jusqu' atteindre une valeur partir de la quelle il n'y a aucune
rponse de la part de la photopile car on est dans le domaine de trs hautes frquences. Le
premier coude correspond la rupture de gnration des porteurs minoritaires la
frquence de 3.10
3
Hz appele frquence de coupure ( f
e
). Et lorsqu'on applique un champ
magntique sur la photopile, le photocourant reste toujours constant en fonction de la
frquence de modulation jusqu' une certaine valeur de frquence appele frquence de
rsonance o le photocourant augmente lgrement pour atteindre un maximum et puis
diminue quand les frquences de l'clairement sont suprieures la frquence de
rsonance.
L'tude du photocourant en fonction de la frquence de l'clairement et du champ
magntique appliqu sur la photopile, montre qu' partir d'une certaine frquence de
modulation, l'excitation optique incidente n'est plus simultane la rponse en courant de la
76
--,....---,---,----:-----..,...-----------,.------,------------
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIA 1LASES - fST 1UCAD-SENEGAL 2005
Chapitre Hl Eclairement par la face arrire Rgime Dynamique Frquentiel
photopile; c'est ce qui va se traduire par un dphasage dont l'tude est faite en fonction de
la frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu.
III - B - 5 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant en fonction de la
frquence de "clairement par la face arrire pour diffrentes valeurs du champ
magntique
La phase de la densit de photocourant (voir annexe, p.17, expression 111-13-a), en fonction
de la frquence de modulation et pour diffrentes valeurs du champ magntique appliqu,
est reprsente la figure ( B - 4 ) :
1
) 3 4
Frquence (j.,o! Hz)
-) '----'----"----'------'--------'--
o
figure (B-4) : Phase de la densit de photocourant en fonction de la frquence de modulation pour
diffrentes valeurs du champ magntique pour un clairement par la face arrire.
1) 8=OT; 2) 8=10sr; 3) 8=10-4T ; Sf= 5.10
5
cm.s
l
; Sb= 2.10
2
cm.s'
La phase de la densit de photocourant est nulle dans "intervalle de frquence de
modulation [ 0 Hz ; 3.10
3
Hz [. Sans champ magntique, dans le domaine des frquences
de l'clairement comprises dans l'intervalle [ 3.10
3
Hz ; 4.10
4
Hz [, la phase diminue: l'effet
capacitif l'emporte sur l'inductif. Mais lorsqu'on se place dans l'intervalle de f r ~ q u n de
modulation [4.10
4
Hz ; 6.10
6
Hz [, la phase augmente: l'effet inductif domine le capacitif.
Dans ce dernier cas, on obtient une courbe ayant l'allure d'une courbe de "rsonance" .
Pour des valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu
donnes, cette phase reste nulle pour des faibles valeurs de la frquence [ 0 Hz ; 3.10
3
Hz [
( rgime quasi-statique ) o il n'y a pas de dphasage entre l'application de la source
lumineuse et la gnration des porteurs minoritaires pour recueillir le courant; cependant
77
cette phase augmente avec l'application d'un champ magntique lorsqu'on est dans le
domaine des frquences leves [ 3.10
3
Hz ; 6.10
6
Hz [. La phase de la face arrire a un
comportement diffrent avec l'application d'un champ magntique: c'est comme si on
appliquait un champ magntique coercitif pour augmenter le retard entre l'excitation et la
gnration des porteurs minoritaires photognrs dans la base.
III - 8 - 6) Etude du module du photocourant de court-circuit en fonction de la
Le photocourant de court-circuit (voir annexe, p.18, expression 111-13-b) est obtenu partir
de l'expression du photocourant en faisant tendre la vitesse de recombinaison la jonction
vers une limite trs grande ( Sf> 10
4
cm.s-
1
) et son profil est donn la figure ( 8-5 ) :
3
. - --_.. _. - -- _.. -- -- -_.. _. _.. -- --. _. _.. --
"lO'l F-- ---'-2----/
O.OLS
N
'E 1
u
-ci
l
...
:::s
0.01
0
u
0
-0
.s:::
a.
CD
1:1
'ID

III
0.005
c
CD
1:1
CIl
1:1
ID
'3
1:1
0
:!
0
0 2 5 6
kquence ( 10
i
Hz )
figure (8-5) : Module de la densit de photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
l'clairement pour diffrentes valeurs du champ magntique.
1) 8=OT; 2) 8= lO,5T ; 3) 8= 10-'7; Sb =2.10
2
cm.s
1
Sans champ magntique, dans la g'amme de frquence [0 Hz ; 3.10
3
Hz J, le photocourant
de court-circuit est maximal et reste pratiquement constant mais lorsque la frquence
devient leve J 3.10
3
Hz ; 6.10
6
Hz J, ce photocourant diminue progressivement pour
atteindre sa valeur minimale.
Et quand on applique un champ magntique, le photocourant de court-circuit reste toujours
constant jusqu' la frquence de rsonance o il y'a une lgre augmentation du
photocourant de court-circuit. Ce photocourant de court-circuit atteint son maximum pour
78
ensuite dcrotre lorsque la frquence de l'clairement est suprieure la frquence de
rsonance.
III - 8 - 6 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant de court-circuit en
fonction de la frquence de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ
magntique.
La phase du photocourant de court-circuit (voir annexe, p.20, expression 11I-13-c) est
reprsente la figure (8-6), en fonction de la frquence de modulation pour diffrentes
valeurs du champ magntique appliqu:
(1' 1.j . . . . . . . . . . . . . . . . ~ . . . . . . . . . . . . . . .
~
e
3
Frquence (j.10
j
Hz )
Figure (8-6) : Phase de la densit de photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
l'clairement par la face arrire pour diffrentes valeurs du champ magntique.
1) 8=OT; 2) 8=10
5
T; 3) 8=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s
1
La phase du photocourant de court-circuit, que l'on soit sans champ magntique appliqu ou
avec champ magntique sur la photopile, reste toujours constante dans le domaine des
frquences faibles de l'clairement [ 0 Hz ; 3.10
3
Hz [.
Sans champ magntique appliqu, la phase du photocourant de court-circuit diminue dans
..' ~ . - .
l'intervalle de frquences de l'clairement [ 3.10
3
Hz; 4.10
4
Hz [ o les effets capacitifs
dominent. Lorsque la frquence de l'clairement se situe dans J'intervalle [ 4.10
4
Hz ; 6.10
6
Hz [, la phase augmente en prsentant une allure de "rsonance" qui caractrise les effets
inductifs qui deviennent prpondrants.
Lorsqu'on applique un champ magntique sur la photopile, la phase du photocourant de
court-circuit augmente lgrement (courbes 2 et 3). Cette augmentation de la phase peut
tre assimile au phnomne d'hystrsis qui se manifeste sur les mtaux lorsqu'ils sont
79
- :---:--..,.....- -,.........-.----:-...,..,......----::--:- : : : : = : : : = : . . . . . . : : : : = ~ = : : : _ _ : _ c : : _ _ = _ . . _ _ _ _ = _ = _ _ _ = _ _ = _ _ : _ _ : _ _ : _ _ _ :
soumis un champ magntique magntisant. Nous pouvons dire que l'augmentation de la
phase, va correspondre la diminution du champ magntique coercitif.
Aprs cette tude mene sur le photocourant, nous allons dterminer la phototension en
fonction de la frquence de l'clairement, de la vitesse de recombinaison la jonction et du
champ magntique appliqu sur la photopile.
III - 8 - 7) Etude du module de la phototension en fonction de la vitesse de
La phototension est donne par la relation de BOLTZMANN suivante:
Vph2(d,w, B,SI) V
T
In( :; "n2(d,w,B,Sf)+ IJ
(111-14)
La variation de cette phototension en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction
pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu
sur la photopile, est reprsente la figure ( B-7 ) :
0.8
.-.
>
c
Q
0.0
'1iI
c
al
15
15
or:
Co
0.4
Q)
'C
al
:;
'C
0.2 Q
::i
o'------L-------.L---"---.-::&Io------'
o 5 10 15 JO
Vitesse de recombinaison la jonction ( cm.s
1
)
Figure (8-7) : Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement par la face arrire et du champ magntique
appliqu
1)f=OHz, B=OT; 2)f=28.10
4
Hz, B=10-5-y; 3)f= 28.10
5
Hz, B=10-'\T Sb= 2.10
2
cm.s-
I
80
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrAG / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
ChapitreJ1lEclairement par la face arrire
La phototension, pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison la jonction, est
maximale et correspond la tension de circuit ouvert puis elle diminue progressivement pour
s'annuler lorsque la vitesse de recombinaison croit. Par la suite, nous allons tudier la
variation de cette tension de circuit ouvert en fonction de la frquence de l'clairement et du
La phototension de circuit ouvert est trs sensible la variation de la frquence de
['clairement car elle diminue quand la frquence devient leve.
\II - 8 - 8) Etude du module de la phototension de circuit ouvert en fonction de la
La phototension de circuit ouvert (voir annexe, p.23, expression 111-14-a) est obtenue partir
de l'expression ( 111-14) en faisant tendre la vitesse de recombinaison la jonction vers zro.
Son profil, en fonction de la frquence de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ
magntique, est reprsent la figure ( 8-8 ) :
-
>
0.15
-
1:

0.1 0
:t:
==
U
..
2
'0
... ..... Jo ........... _ ............
G) 0.65
-----3"----<.c.
"
....
c
,
0
'ln
c
0.6
G)
l$
CS
.:
=.
G)
0.55
"3
==
"
0
:E
0.5
0 J 3 4 5 6
Frquence ( j. , oj Hz )
Figure (8-8) : Module de la phototension de circuit ouvert en fonction de la frquence de modulation
pour diffrentes valeurs du champ magntique pour un clairement par la face arri.e.
1) B=OT; 2) B=10's-r; 3) B=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s
1
La phototension de circuit ouvert, pour les faibles valeurs de la frquence de modulation de
l'clairement [0 Hz ; 3.10
3
Hz ] ( rgime quasi-statique ), est pratiquement une constante;
elle reste insensible la frquence de l'clairement mais tout en l'tant avec l'application
d'un champ magntique sur la photopile. En modulation de frquences faibles, la
81
Chapitre UI Eclairement par la face arrire Rgime DynamiGue Frquentiel
phototension de circuit ouvert diminue en amplitude quand la valeur du champ magntique
appliqu crot.
Dans l'intervalle de frquences leves] 3.10
3
Hz ; 6.10
6
Hz [, la phototension de circuit
ouvert varie fortement avec la frquence de l'clairement, elle diminue rapidement quand
cette frquence augmente.
Aprs avoir fait l'tude sur le photocourant et la phototension, la caractristique courant-
tension est dduite.
II/ - 8 - 9) Etude du module du photocourant en fonction du module de la
phototension pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ
magntique
La variation du module de photocourant en fonction du module de la phototension, est
reprsente la figure ( 8-9 ) :
-
0.015
1 1 1 1 1 -.
'"
'5
< UOUl-'
III
:;
0.01 10 110-
1
0
U
0
Cl
Do

(Il 3
'a
...... _......... _.. -.......... --._......
! O.OOJ .
(Il
'J
o.l U o.' GJ 0.0
'a
(Il
'a
(Il
"5
oc
0
2
:Ii 3
0
0 0.1 0.1 03 0.4 OJ 0.6 0.1 0.8
Module de phototen,'on (Vl
Figure (8-9) : Module du photocourant en fonction du module de la phototension pour diffrentes
valeurs de la frquence de modulation de l'clairement par la face arrire et du champ magntique
1)f=OHz, B=OT; B= 10
5
T; 3)f=28.10
5
Hz, 9= Sb= 2 .. 10
2
cm,gl
Sans champ magntique appliqu sur la photopile, la caractristique courant-tension
prsente deux zones:
une premire zone o le courant est maxima! et correspondant au courant de court-
circuit.
82
(111-15)
une deuxime zone, o le courant diminue et tend vers zro, correspondant au
fonctionnement de la photopile en circuit ouvert.
Lorsque la frquence de modulation de l'clairement et le champ magntique appliqu
augmentent, l'amplitude du courant diminue occasionnant mme une diminution de la
tension de circuit ouvert. A partir de cette caractristique I-V, nous pouvons y extraire des
paramtres lectriques selon que le fonctionnement de la photopile est en condition de
court-circuit ou de circuit ouvert. L'tude du photocourant et de la phototension tant faite,
nous allons tudier la puissance dlivre par la photopile bifaciale claire en modulation de
frquence et sous l'effet d'un champ magntique appliqu.
III - B - 10) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction de la
La puissance est donne par l'expression suivante:
P2 (d,w, B, SI) =J ph2 (d ,W, B, SI)' Vph2 (d, OJ, B, SI)
Son profil est reprsent la figure ( 8-10 ) en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique:
0.01
-
N
1
"e
u
0.008
-
QI
u
0.006
C
CIl
.!!!
Q.
0.004
QI
'V
QI
o.oro
'U
0
::E
o -'--_---J
o 10 U

o 5 10 15 JO
Vitesse de recombinaison lajonction (cm.s
1
)
Figure (8-10) : Module de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement par la face arrire et du
champ magntique.
1)f::OHz. B=OT; 2)f=28.10
4
Hz. B=10s-r; 3)f::28.10
5
Hz. B=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s
1
83
Chapitre III Eclairement par la fuce arrire Rgime Dynamique Frquentiel
La puissance de la photopile augmente avec la vitesse de recombinaison la jonction
jusqu' atteindre son maximum. En augmentant davantage la vitesse de recombinaison la
jonction, la puissance diminue progressivement de sa valeur maximale vers zro.
Quand on applique un champ magntique et une frquence de l'clairement bien donne,
la puissance de la photopile diminue en amplitude par rapport la puissance obtenue sans
champ magntique appliqu et de frquence de modulation.
Toute fois, on peut noter que la puissance obtenue de l'clairement par la face arrire est
trs faible et voire mme ngligeable par rapport celle obtenue de l'clairement par la face
avant. L'clairement par la face arrire en fonction de la frquence de modulation et du
champ magntique appliqu ne donne pas de rendement qualitatif car les proprits
intrinsques de la photopile bifaciale, sont altres.
Cette puissance variant aussi en fonction de la phototension aux bornes de la photopile
bifaciale, une tude est faite pour diffrentes valeurs de la frquence de modulation et du
III - B - 11) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction du module
champ magntique
La variation de la puissance en fonction de la tension, pour diffrentes valeurs de la
frquence de modulation de l'clairement et du champ magntique appliqu, est prsente
la figure ( 8-11 ) :
84
0.0\ r--r--r--.----.----,----,---,-------,
N
'e
u 0.008
"
u
l:
"
III
III
j
Q. 0.004
ID
"
fi
OOOJ
o
:E
0\ 0.2 03 01 0..1 0.6 0.7 0.9
1'11-'
"11-
5

... 1
,..
3
.. -
Il ..
Il 1) 'J 01 OJ
Module de phototension (V)
Figure (8-11) : Module de la puissance en fonction du module de la phototension pour diffrentes
valeurs de la frquence de l'clairement par la face arrire et du champ magntique
1)f=OHz, B=OT; 2)f=28.10
4
Hz, B=10-S-r; 3)f= 28.10
5
Hz, Sb= 2.10
2
cm.s-
I
Pour les diffrentes courbes obtenues, la puissance augmente linairement avec la
phototension jusqu' une certaine valeur partir de laquelle on note une diminution de la
puissance. La linarit de la puissance de la photopile en fonction de la phototension peut
tre explique par le fait qu'au voisinage du fonctionnement de la photopile en condition de
court-circuit, le photocourant est pratiquement constant; mais ds qu'on n'est pas dans
cette condition de fonctionnement de la photopile, la puissance ne varie plus linairement en
fonction de la phototension.
L'tude de la densit des porteurs minoritaires en excs, du photocourant, de la
phototension, de la caractristique I-V et de la puissance tant faite, nous allons tudier
l'effet de la frquence de l'clairement et du champ appliqu sur la capacit
de diffusion de la zone de charge d'espace.
11I- 8 - 1r) Etude du module de la capacit de diffusion de laZeE en fonction de la
La capacit de la zone de charge d'espace, pour un clairement par la face arrire, est
donne par l'expression ( 111-16 ) :
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrAO / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
85

3
_._.0 ... _..... _..
C (dwBsr)= . d8n2 (d,(j),B,Sf)
b2 , , , 'J q dV
ph2
Le profil de la capacit de la jonction est reprsent la figure ( 8-12 ):
Vitesse de recombinaison la jonction (cm.s-
1
)
(111-16)
Figure (8-12): Capacit de diffusion de la ZCE en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement par la face arrire et du
1}f=OHz, 8=OT; 2}f= 28.10
4
Hz, 8=10-
5
T; 3}f= 28.10
5
Hz, 8=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s-
1
Le module de la capacit de diffusion est constant pour les faibles valeurs de la vitesse de
recombinaison Sf la jonction et il diminue quand la vitesse de recombinaison Sf
augmente: faibles valeurs de Sf, le stockage des porteurs minoritaires au voisinage de la
jonction est suprieur celui correspondant aux grandes valeurs de Sf.
Sans modulation de la frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu,
l'amplitude de la capacit de diffusion est plus grande que celle obtenue avec l'augmentation
de la frquence de l'clairement et du champ magntique.
Nous pouvons constater que l'clairement par la face arrire produit une capacit de
diffusion infrieure celle de l'clairement par la face avant.
Conclusion
Cette tude de la base pour un clairement par la face arrire, a permis de dterminer la
densit des porteurs minoritaires et certains paramtres lectriques tels que le photocourant,
le courant de court-circuit, la phototension, la tension de circuit ouvert, la caractristique
86
--------------------:-------..,........,,...----:------,-,,---------
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrA 1LASES - FST 1UCAD-SENEGAL 2005
Chapitre 1lI Eclairement par la face arrire Rgime Dynamique Frquentiel
courant-tension, la puissance, la capacit de la jonction. Ces paramtres ainsi tudis
restent insensibles la frquence de l'clairement lorsque C'tn 1 (rgime quasi-statique)
et varient fortement avec la frquence lorsque C'tn 1. On peut noter que l'clairement par
la face arrire est ngligeable du point de vue qualitatif car donnant un rendement trs faible
par rapport l'clairement par la face avant.
Ainsi, pour pouvoir optimiser le rendement de la photopile bifaciale, nous allons tudier au
chapitre suivant, la variation de ces paramtres en fonction de la frquence de l'clairement
simultan des deux faces avant et arrire de la photopile bifaciale.
87
Bibliographie Chapitre III Eclairement par la face arrire
BIBLIOGRAPHIE
[1] "Energie solaire photovoltaque", Volume1, Physique et Technologie de la Conversion
Photovoltaque, sous la direction de Bernard EQUER, ( Ellipses, UNESCO, 1993 ).
[2] "Photopiles de haut rendement en silicium multicristallin", Le Quang Nam, Thse de
doctorat, Universit Paris VII ( 1992 ).
[3] A. Mandelis
"Coupled ac. Photocurrent and Photothermal Ref1ectance Response Theory of
Semiconducting p-n junctions.l"
J. Appl. Phys. Vol.66 (11), (1989), pp 5572 - 5583.
[4] F.1. Barro, E. Nanma, A. Wereme, F. Zougmore, G. Sissoko.
"Recombination parameters measurement in silicon double sided surface field solar
cell"
O l l r n ~ des sciences. Vol.1 (1 ), (2001), pp 76 - 80.
[5] I.F. Barro, 1. Zerbo, O.H. Lemrabott, F. Zougmore, G. Sissoko.
"Bulk and surface recombination parameters measurement in silicon double sided
surface field solar cell under constant white bias ligth"
Proc. 17
1il
European PVSEC, ( Munich, 2001 ), pp 368 - 371.
[6] "Photopile Bifaciale sous double clairement multispectral constant: Etude en rgime
statique et en rgime transitoire obtenu par variation du point de fonctionnement"
I.F. Barro, Thse de 3
me
Cycle, UCAD, Dakar, Sngal, 2003.
88
Chapitre IV Eclairement Simultan des deux faces
CHAPITRE IV : ETUDE THEORIQUE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE: ECLAIREMENT
SIMULTANE DES DEUX FACES AVANT ET ARRIERE
89
IV- C 1ECLAIREMENT SIMULTANE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE PAR LES DEUX
FACES AVANT ET ARRIERE
Introduction
Dans cette troisime partie, l'tude est axe sur l'clairement des deux faces avant et arrire
de la photopile bifaciale. La photopile bifaciale prsente un double avantage car elle peut
tre claire par ses deux faces simultanment pour optimiser le rendement de conversion
directe de la lumire incidente. Lorsqu'on claire, avec une lumire multispectrale en
modulation de frquence, les deux faces avant et arrire simultanment de la photopile
bifaciale, la densit des porteurs minoritaires photocrs obit l'quation de continuit.
IV - C - 1) Equation de continuit
2
80 3(x,t) 8 0 3(x,t) 0 3(x,t)
n D* n + n = G (x t)
t n &?- r 3'
n
(IV-1)
L'expression ( IV-1 ) peut tre rcrite sous une autre forme donne par l'expression
( IV-2 ):
2
1 80
3
(x,t) 8 03(x,t) 03(x,t) l
_. n n + n =_.G(xt)
D* t &2 D* 3 '
n n n
(IV-2)
O 0n3(x,t) est la densit des porteurs minoritaires dans la base et qui peut tre crite sous
la forme suivante:
3(x,t)=o 3(x)exp(iwt)
n n .
(IV-3)
(IV-4)
avec 0n3(x) la partie spatiale et exp(iwt) la partie temporelle deo
n3
(x,t) ; G
3
(x, t) le taux de
gnration donne par l'expression ( IV-4 ) :
G
3
(x,t) =g3(x) exp(iw t)
O
g3 (x)--"":'Iak(exp( -bkx)+exp[ -bk(H0 -x)])
k=l
. (IV-5)
est la partie spatiale appele taux de gnration en fonction de la profondeur de la base [1 -
4 ] et exp(iw t) est la partie temporelle de G
3
(x,t) ; Ho l'paisseur totale de la photopile
bifaciale.
En remplaant les expressions ( IV-3 ) et (IV-4 ) dans celle de ( IV-2 ), on obtient ( IV-6 ) :
90
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrAa / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
(IV-6)
En posant:
1 1
-==-(1+i(
o
r )
*2 *2 fl
L L
( 11
(IV-7)
avec L* la longueur de diffusion complexe, on obtient:
(
(IV-8)
Cette quation caractristique de celle de continuit des porteurs minoritaires en excs en
rgime statique, admet comme solution:
6
n3
(X)=(A
3
Ch(+)+B
3
Sh(+)+ t Pk (exP( -bkx)+exp (IV-9)
L(. L(. k=\ )
Et la solution gnrale est donne par l'expression ( IV-10 ) :
6 n3(X,I)=[ A
3
ch (+)+B
3
sh (+)+t Pk (exp( -bkx)+exp o-x)
L(j) L(j) k",] )
(IV-10)
la jonction
o les coefficients et B
3
IV - C - 2) Conditions aux limites
06
D* .-----!!l == Sf "6 1
n ox 3 n3 x== d
x==d
(IV-11)
* 06
n3
D "--
n ox
x==H
o
== -Sb
3
6 31
n x==H
o
la face arrire
(IV-12)
O Si
3
, Sb
3
arrire; d l'pais,,eur de l'metteur et Ho l'paisseur da l Aprs calcul, tous
ces paramtres ainsi dtermins sont complexes et peuvent se mettre sous la forme d'un
complexe [ 5 ] ( voir annexe ).
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DlAO / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
91

Chapitre IV Eclairement Simultan des deux faces Rgime Dynamique Frquentiel
IV - C - 3) Etude du module de la densit de porteurs minoritaires dans la base en
du champ magntique
Le profil de la densit des porteurs minoritaires en excs dans la base est reprsent la
figure ( C-1 ) en fonction de la profondeur pour diffrentes valeurs de la frquence de
l'clairement des deux faces de la photopile et du champ magntique appliqu:
0.005 001 0.015 om 0.025 0.03
Profondeur xIan) de la base
Xl
,....
(iij 'e
-E tJ
Q
C
E
e!! 1
0
10
14
;:,
~
Q
D.
..
"D
...,
.t:
~ 5
0
10
13
al
OZ!
al
oc
..
;:,
"D
Q -'.
::!!
Figure (C-1) : Module de la densit des porteurs minoritaires en fonction de la profondeur de la base pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique.
1)f=OHz, B=OT; 2)f= 28.10
4
Hz, B = ~ ; 3)f=28.10
5
Hz, B=10-4T
SI = 2010
2
cm.s
l
; Sb = 20 10
2
cm.s
l
Pour chaque courbe considre, le module de la densit des porteurs minoritaires en excs
dans la base est maximal au voisinage de la jonction metteur-base et en face arrire. En
profondeur de la base, le module de la densit des porteurs minoritaires est minimal car
l'onde excitatrice incidente s'attnuant en profondeur, cre peu de porteurs minoritaires.
Sans modulation de frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu sur la
photopile, la gnration des porteurs minoritaires dans la base est plus importante que celle
obtenue avec l'augmentation de la frquence de l'clairement et du champ magntique.
Pour une tude comparative des diffrents modes d'clairement, nous constatons que
l'clairement simultan des deux faces produit plus de porteurs minoritaires en excs que
l'clairement de la face avant ou de la face arrire de la photopile.
Lorsque la densit des porteurs minoritaires en excs dans la base varie en fonction de la
vitesse de recombinaison la jonction, un photocourant est produit aux bornes de la
92
--:-:--;---:---:-=-:---:--:=--:-:-:---:::--:---;--:---;-----;----::::-:-:-::::-;--:-:--::-::::-:::--=::::-:-:-::::-:-::::--:::-:=:-:::-:-:-::-::-::-=---
photopile; ce photocourant est tudi en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique
appliqu.
IV - C - 4) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la vitesse
de recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'claire-
ment et du champ magntique
(IV-13)
Le photocourant est essentiellement obtenu par le gradient de porteurs minoritaires la
jonction et est donn par l'expression ( IV-13 ) :
. * 86
n
3
J ph3 (d,w, B,Sf) =qDn--a;-
x=d
La variation de ce photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction pour
diffrentes valeurs de la frquence de modulation de l'clairement et du champ magntique
appliqu, est reprsente la figure ( C-2 ) :
2
. _ o.- _ ..
." __-----L------
".-
, '"
.
: 1
: 1
: 1
," '"
._0-_"
0.04

N
'E
u
<
-
E
0.03
E
:0
Q
U
0
'0
i.
0.02
III
...
'Gl
i

III
...
CIl 0.01
..,
III
=
...
0
:E
0
0 1 6 8 10
Vrtesse de recombinaistJn il Iii jonctilln ( an.s' )
Figure (C-2l : Module de la densit de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et du champ magntique.
i)f=OHz, B=OT; 2)f=28.10
4
HZ, B=10-
5
T; 3)f=28.1
5
Hz, B=10
4
T; Sb= 2. i0
2
cm.s
l
Pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison Sf la jonction correspondant au
fonctionnement de la photopile en condition de circuit ouvert, le photocourant est minimal.
Quand la vitesse de recombinaison Sf tend vers les grandes valeurs, le photocourant crot
progressivement en atteignant une valeur maximale qui donne le courant de court-circuit.
93
Sans champ magntique appliqu sur la photopile et variation de la frquence de
l'clairement, le module de la densit du photocourant donne une allure plus apprciable en
grandeur en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction.
L'augmentation de la frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu
diminuent considrablement la densit de photocourant de la photopile. Ceci nous amne
tudier la variation du module de photocourant en fonction de la frquence de modulation de
l'clairement et du champ magntique appliqu.
IV - C - 5) Etude du module de la densit de photocourant en fonction de la
A la figure ( C-3 ), est prsent le profil du module de la densit de photocourant en foncon
de la frquence de modulation de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ
magntique appliqu:
0.04 ,-------,-----,---------.----.-----------,-----,
1
............... ? .. _ _ _.. '
J
---------------
oL--_-----'-__-'-----_-----'--__--'--.._-----'-_----i
o
Frquence (j.10
J
H% )
figure (C-3): Module de la densit de photocourant en fonction de la frquence de modulation de
l'clairement simultan des deux faces pour diffrentes valeurs du champ magntique.
1) B=OT; 2) B=10-
5
T; 3) B=10-4T; Sf= 4.10
4
cm.s
l
;
Sans champ magntique appliqu sur la photopile, le photocourant est pratiquement
constant dans l'intervalle de frquence [ 0 Hz; 3.10
3
Hz ]( rgime quasi-statique ) puis
diminue brusquement dans l'intervalle] 3.10
3
Hz ; 6.10
6
Hz [ jusqu' atteindre une valeur
partir de la quelle il n'y a aucune rponse de la part de la photopile car on est dans le
domaine de trs hautes frquences. Lorsqu'on applique un champ magntique sur la
94
photopile, le photocourant reste toujours constant en fonction de la frquence de modulation
de l'clairement jusqu' la frquence de rsonance o le photocourant augmente
lgrement en atteignant une valeur maximale par la suite diminuer pour les frquences
suprieures la frquence de rsonance.
Cette tude du module de photocourant en fonction de la frquence de l'clairement, montre
qu' partir de la frquence de coupure f
e
=3.10
3
Hz, la rponse en courant de la photopile
est retarde. Ce retard d'tablissement en courant ou dphasage, est tudi en fonction de
la frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu sur la photopile bifaciale.
IV - C - 5 - 1) Etude de la phase de la densit de photocourant en fonction de la
frquence de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ magntique.
La phase de la densit de photocourant (voir annexe, p.27, expression IV-13-a), en fonction
de la frquence de modulation de j'ciairement pour diffrentes vaieurs du champ
magntique appliqu, est reprsente la figure ( C-4 ) :
O,-----r--........ = r _
-=
ll:l
...
-
-0.5
ll:l
...
=Q
(,J
o
-
o
..r:.
Co
== -1
-=
al
CIl
ll:l
.c
Q.
-1.5 L.-_----L__...l...-_--'-__--L-__.L..-_---J
o
Frquence j.10
j
Hz
figure (C-4): Phase de la densit de photocourant en fonction de la frquence de modulation de
1) B=OT; 2) B= 1OosT; 3) B= 10-4T ; Sf= 4.10
4
cm.s
ol
;
La phase de la densit de photocourant est nulle dans l'intervalle de frquence de
modulation [ 0 Hz ; 2.10
2
Hz ] quelles que soient la frquence de l'clairement et !'inter:sit
du champ magntique appliqu sur la photopile. Dans cette zone de frquence de
l'clairement, le photocourant est insensible la variation de la frquence car l'excitation
95
optique s'accompagne simultanment la gnration des porteurs minoritaires en excs
dans la base. Ds que la frquence de l'clairement est suprieure la frquence de
coupure, la rupture de gnration des porteurs minoritaires en excs entrane un retard de
rponse en courant de la photopile. Ce retard ou phase de photocourant diminue dans le
domaine des frquences leves] 2.10
2
Hz; 6.10
6
Hz [.
Nous constatons que le champ magntique appliqu sur la photopile a un effet sur la phase
car on remarque une lgre augmentation de la phase de photocourant (courbes 2 et 3)
dans le domaine des hautes frquences] 2.10
2
Hz; 6.10
6
Hz [. Cette augmentation de la
phase peut tre aussi assimile au phnomne d'hystrsis qu'on remarque au niveau des
matriaux cristallins sous l'effet d'un champ magntique magntisant.
IV - C - 6) Etude du module du photocourant de court-circuit en fonction de la
Le photocourant de court-circuit (voir annexe, p.28, expression IV-13-b) est obtenu partir
de l'expression du photocourant en faisant tendre la vitesse de recombinaison la jonction
Sf vers une limite trs grande ( Sf >1 04cm.s-1 ) et son profil est donn la figure ( C-S ) :
1
2
..................................... - .. --
______1 -- __ -
ol...-_-.L.__-'---_-...l...__..L-_---'-_------l
o
... 0.G4 ,----,---,...----y---,------r----,
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1::_
~ 0.03
u
QI
'V
...
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o
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o
-
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Q. 0.01
QI
'V
QI
::3
'V
o
::E
i i ~ q u e n e (j.10
j
Hz)
figure (C-S) : Module de la densit de photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
modulation de l'clairement simultan des deux faces pour diffrentes valeurs du champ
magntique appliqu.
1j B;;T;
.... \ n _ ... ",,-5"T"' .
"'J D - lU l ,
.., n - 10-4
T ,JJ D-
96
----:----------....,....--------:----------:::-::--::-------::-------------
Sans champ magntique appliqu sur la photopile, le photocourant de court-circuit est
constant et reste insensible la variation de la frquence de l'clairement pour les
frquences infrieures la frquence de coupure f
e
. Lorsque la frquence de l'clairement
devient leve, c'est--dire pour les frquences suprieures la frquence de coupure, le
photocourant de court-circuit diminue. Cette diminution du photocourant de court-circuit en
fonction de la frquence de l'clairement, montre qu'il existe ce niveau un retard de
rponse en courant de la photopile quand elle est excite optiquement par ses deux faces
simultanment.
Quand un champ magntique est appliqu sur la photopile (courbes 2 et 3), le photocourant
de court-circuit reste toujours constant en fonction de la frquence de l'clairement; ds
qu'on atteint la frquence de rsonance, le photocourant de court-circuit augmente
lgrement jusqu' sa valeur limite pour ensuite diminuer pour les frquences suprieures
la frquence de rsonance.
IV - C - 6 - 1
0
) Etude de la phase de la densit de photocourant de court-circuit en
fonction de la frquence de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ
magntique
Lorsqu'on se place en condition de court-circuit de la photopile bifaciale, il y'a toujours un
retard en rponse de courant entre l'excitation et la cration des porteurs minoritaires. Ce
retard ou phase de photocourant de court-circuit fera l'objet d'tude dans le but de
dterminer quelques paramtres phnomnologiques comme par exemple la longueur de
diffusion effective.
Cette phase de photocourant de court-circuit (voir annexe, p.30, expression IV-13-c) est
reprsente la figure ( C-6 ) en fonction de la frquence de l'clairement et du champ
magntique appliqu:
97
Chapitre IV Eclairement Simultane des deux faces Rgime Dynamique Frquentiel
\
\
\
\
\
\

_ 0
::J"l:l
U (Il
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o
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l'li
::J
o
o
o
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..s::
Q.
4l
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III
l'li
..s:: a.. -0.6 L...--_--'-__--L-__-'--__'--_--'-__..:..J
o J 3 5 6
Frquence (j.10
j
Hz)
Figure (C-G): Phase de la densit de photocourant de court-circuit en fonction de la frquence de
1) 8=OT; 3) 8 = 10-4 T ; Sb = 2. 10
2
cm.s
1
Sans champ magntique appliqu, la phase du photocourant de court-circuit est nulle dans
l'intervalle de frquences de modulation [ 0 Hz ; 2.10
2
Hz ] car il n'y a pas de temps de
latence entre l'excitation optique et la cration des porteurs minoritaires dans la base. La
phase diminue lorsqu'on est dans le domaine des frquences leves] 2.10
2
Hz ; 6.10
6
Hz [.
Lorsqu'un champ magntique est appliqu sur la photopile, la phase du photocourant de
court-circuit augmente (courbe 2). En augmentant l'intensit du champ magntique (courbe
3), la phase duphotocourant de court-circuit diminue de manire gnrale; mais lorsque la
frquence de rsonance est atteinte, la phase augmente lgrement pour atteindre une
valeur limite et ensuite pour diminuer.
Cette diminution de la phase peut tre assimile au phnomne d'hystrsis qui se
manifeste sur les mtaux lorsqu'on applique un champ magntique magntisant.
L'tude de ces paramtres lectriques ci-dessus tant faite, nous allons par la suite nous
intresser l'tude de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison la
appliqu sur la photopile.
98
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou orA / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
IV - C - 7) Etude du module de la phototension en fonction de la vitesse de
L'tablissement de la jonction metteur-base entrane une diffrence de potentiel entre la
bande de valence et la bande de conduction. Cette diffrence de potentiel ou phototension
lorsque la photopile bifaciale est claire, est donne par la relation de BOLTZMANN
suivante:
(IV-14)
Vph3 (d,w, B,S/) V
T
In( :; Sn3 (d,w, B,SJ) + IJ
Le profil du module de la phototension, en fonction de la vitesse de recombinaison la
appliqu, est reprsent la figure ( C-? ) :
0.8 r----...,..--------,----------,-------,
20 15 10 5
oL-- ..L- ---.L ___J
o
>
-
C 0.6
.2
III
c
G.l
....
0
....
0 0.4
.c
Q.
G.l
"lJ
G.l
::J
o.)
"lJ
0

Vitesse de recombinaison la jonction ( cm.5
1
)
Figure (C-7) : Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement simultan des deux faces et du champ
magntique.
1)f=OHz, B=OT;2)f=28.10
4
Hz, B=10sT;3)f=28.10sHz, B=10-4T; Sb= 2.10
2
cm.s
1
La phototension, pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison Sf la jonction, est
maximale et correspond la phototension de circuit ouvert; elle diminue en tendant vers le
fonctionnement de la photopile en condition de court-circuit.
Lorsque la frquence de modulation augmente, la phototension de circuit ouvert diminue.
99
Aprs cette tude de la phototension, nous allons tudier la variation de la phototension de
circuit ouvert en fonction de la frquence de l'clairement pour diffrentes intensits du
champ magntique.
IV - C - 8) Etude du module de la phototension de circuit ouvert en fonction de la
La phototension de circuit ouvert (voir annexe, p.33, expression IV-14-a), est obtenue
partir de l'expression (IV-14) en faisant tendre la vitesse de recombinaison Sf la jonction
vers zro. Son profil, en fonction de la frquence de modulation de l'clairement pour
diffrentes valeurs du champ magntique appliqu, est reprsent la figure (C-S) :
6
....
"
"
\.
\
\
. \
\
\
\
\
\.
\
1
.... _._-- ... ---_ ...... - ...... - .
2
0.85 ......----.----r-----,----,----r------,
1:-
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-
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'3 0.8
u

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QI
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r: 0.15
o
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QI
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o
::E 0.65 L--_--...l.__-----'-__-1.-__--'---__-'---_--'
o
Frquence (j.10
j
Hz)
Figure (C-8l: Module de la phototension de circuit ouvert en fonction de la frquence de l'clairement
simultan des deux faces pour diffrentes valeurs du champ magntique.
1) B=OT; 2) B = 10-S-r ; 3) B= 10-4T ; Sb = 2 . 10
2
cm.s-
J
La phototension de circuit ouvert, pour les faibles valeurs de la frquence [ 0 Hz ; 3.10
3
Hz ]
( rgime quasi-statique ), est indpendante de la frquence et reste toujours constante.
Cependant, lorsqu'on augmente l'intensit du champ magntique appliqu sur la photopile,
la phototension de circuit ouvert (courbes 2 et 3) en amplitude. En rgime quasi-statique,
l'effet du champ magntique appliqu sur la photopile bifaciale, montre une lvation de la
phototension de circuit ouvert puisque la densit des porteurs minoritaires en excs dans la
base augmente avec l'intensit du champ magntique.
100
Dans le domaine des hautes frquences de l'clairement ] 3.10
3
Hz; 6.10
6
Hz [, la
phototension de circuit ouvert diminue progressivement en fonction de la frquence et du
La dtermination du photocourant et de la phototension nous permet de dduire la
caractristique courant-tension pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et
du champ magntique appliqu.
IV - C - 9) Etude du module du photocourant en fonction du module de la
magntique
La caractristique courant-tension est une mthode utilise dans les dispositifs
exprimentaux pour caractriser la photopile. A partir de cette caractristique, plusieurs
paramtres lectriques peuvent tre dduits comme par exemple la rsistance srie, la
rsistance shunt et ventuellement l'inductance, l'impdance ou la conductance de la
photopile en rgime dynamique frquentiel.
A la 'figure (C-9), est reprsente la caractristique courant-tension de la photopile bifaciale
pour diffrentes valeurs de la frquence de modulation de l'clairement et du champ
magntique appliqu:
N- 0.04 ,---,---.---.......-----,-----,1--,.---1-'1-----,
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2
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o O.l OJ 03 0.4 0.5 0.6 0.1
Mo! de pIIototension (V)
-
0.8
Figure (C9) : Module du photocourant en fonction du module de la phototension pour diffrentes
valeurs de la frquence de l'clairement simultan des deux faces et du champ magntique.
1)f=OHz, B=OT;2)f=28.10
4
Hz, B=lO'5T ;3)f=28.10
5
Hz, B=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s
1
101
Le photocourant est maximal pour les faibles valeurs de la phototension, il correspond au
courant de court-circuit. Lorsque la phototension augmente et tend vers la phototension de
circuit ouvert, le photocourant diminue pour tendre vers zro.
Sans champ magntique appliqu et de modulation de frquence de l'clairement (courbe
1), le photocourant obtenu est suprieur celui obtenu avec la modulation de frquence et
du champ magntique appliqu quand la phototension varie.
A partir de cette caractristique courant-tension, nous pouvons dduire l'volution de la
puissance dlivre par la photopile bifaciale.
IV - C - 10) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction de la
La puissance est un paramtre lectrique indispensabie pour Garactrise assi ne cellule
solaire. Elle indique la capacit de la photopile fournir de l'lectricit au circuit extrieur
branch ses bornes, elle est d'autant plus grande que la photopile est de meilleur qualit.
La puissance de la photopile bifaciale est donne par l'expression ( IV-15 ) :
P3 (d,w, B,Sf) = J ph3 (d,w,B,Sf)' Vph3 (d,w, B,Sf)
oms
- C'i
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O.Ol
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QI
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0
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Vitesse de recombinaison la jonction ( cm.s"'1 )
(IV-15)
Figure (C-10) : Module de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement simultan des deux faces
et du champ magntique appliqu.
1)f=OHz, B=OT;2)f=28.10
4
Hz, B=10-s-r;3)f=28.10sHz, 8=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s-
1
102
Les courbes de puissance ont les mmes allures en fonction de la vitesse de recombinaison
la jonction. Elles prsentent des maxima qui diminuent lorsque la frquence de
l'clairement et le champ magntique appliqu augmentent. Pour chaque courbe
considre, la puissance est nulle lorsque la photopile est en fonctionnement de circuit
ouvert ou de court-circuit, c'est--dire quand la vitesse de recombinaison la jonction est
trs faible ou trs grande. En s'loignant du circuit ouvert, c'est--dire lorsque la vitesse de
recombinaison la jonction crot, la puissance augmente en atteignant sa valeur maximale
. ,- <"'.
et puis diminue quand la photopile fonctionne en condition de court-circuit.
L'tude de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction, montre qu' une puissance donne, il correspond deux diffrents points de
fonctionnement ou deux valeurs de puissance diffrentes (courbes 1 et 2 par exemple), il
correspond un point de fonctionnement.
L'tude de la puissance de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison la
jonction, nous permet d'tudier la variation de cette puissance en fonction de la
phototension.
IV- C - 11
0
) Etude du module de la puissance de la photopile en fonction du module
champ magntique
L'tude de la puissance dlivre par la photopile bifaciale en fonction de la phototension est
ussi une mthode permettant de caractriser d'autres paramtres lectriques.
Le profil de la puissance de la photopile est reprsent la figure ( C-11 ) en fonction de la
magntique appliqu:
103
0.6 0.1 0.6
2 _. '.
OJ 0.4 03
.... 3__ .......,
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.... -. , , - ~ . . - \ ~
... ~ . ~ \
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ou
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o
::E
Module de phototenslon (V)
Figure (C-11): Module de la puissance en fonction du module de la phototension pour diffrentes
valeurs de la frquence de l'clairement simultan des deux faces et du champ magntique.
1) f =0 Hz, B =0 T ; 2) f == 28.10
4
Hz, B =10.
5
T ; 3) f =28.10
5
Hz, B =10-4 T ; Sb = 2. 10
2
cm.s
1
Les courbes de puissance en fonction de la phototension prsentent les mmes allures. La
puissance varie linairement avec la phototension jusqu'au voisinage de la valeur limite qui
correspond au maximum de puissance. Lorsque la phototension tend vers sa valeur du
circuit ouvert, la puissance diminue pour s'annuler. L'al1gmentation de la frquence de
modulation de l'clairement et du champ magntique appliqu sur la photopile, entrane une
diminution de la puissance maximale (courbe 1 ~ 3 ; c'est ce qui va diminuer davantage la
qualit de la photopile bifaciale puisque le rendement et le facteur de forme aussi diminuent.
Une tude sur la densit des porteurs minoritaires en excs dans la base, le photocourant,
la phototension, la puissance et la caractristique I-V, est faite. Nous allons tudier la
variation de la capacit de diffusion de la zone de charge d'espace en fonction de la vitesse
de recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement et
du champ magntique appliqu.
IV - C - 12) Etude du module de la capacit de diffusion de la ZCE en fonction de la
vitesse de recombinaison la ionction pour diffrentes valeurs de la frquence de
L'clairement simultan des deux faces de la photopile bifaciale donne une densit de
porteurs minoritaires en excs trs importante dans la base. De ce fait, on assiste une
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIAO / LASES - FST 1UCAD-SENEGAL 2005
accumulation de' charges ngatives et positives non ngligeable de part et d'autre de la
jonction, qui occasionne une quantit de charges trs dense; ceci va entraner
l'tablissement d'un condensateur de capacit val;able en fonction de la frquence de
modulation, du champ magntique appliqu et de la vitesse de recombinaison la jonction.
La capacit de diffusion de la ZCE est donne par l'expression ( IV-16 ) :
( )_ d8
n3
(d,OJ,B,Sj)
C
b3
\d,OJ,B,Sj - q' -----
dV
ph3
(IV-16)
Le profil de la capacit de diffusion est reprsent la figure ( C-12 ) en fonction de la
l'clairement et du champ magntique appliqu:
-
0.001
N
'E
c.J
I.L
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8-10-
4
0
N
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CD
6-10-4
"U
-CD
~
u
~
4'10-
4
Il:l.
~
u
CD
"V
CD 2-10-
4
:::s
'V
0
::E
2 4 6 8 10
Vitesse de recombinaison lajonction
(cm.s-
1
)
Figure (C-12): Capacit de diffusion de la ZCE en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction pour
diffrentes valeurs de la frquence de l'clairement simultan des deux faces et du
1)f=OHz, B=OT;2)f=28.10
4
Hz, B=10-Sr;3)f=28.10
5
Hz, B=10-4T ; Sb= 2.10
2
cm.s
1
Les courbes de variation du module de la capacit de diffusion de la ZCE, en fonction de la
vitesse de recombinaison la jonction pour diffrentes valeurs de la frqunece de
l'clairement et du champ magntique appliqu sur la photopile, prsentent les mmes
allures.
Sans modulation de la frquence de l'clairement et du champ magntique appliqu, la
capacit de diffusion est maximale pour de trs faibles vitesses de recombinaison la
jonction. Lorsque la vitesse de recombinaison la jonction augmente, partir d'une certaine
105
~ : : . . . . . . . ; = : : = ; ; : ; : : : : ; : ; : : ; : : : : ~ : ; ; = ~ = ; : ; ; ; : : : : : = = : = : : : : : : : : : : ; : ; ; :
valeur de la vitesse, la capacit de diffusion diminue car il y'a peu de porteurs minoritaires
stocks dans la ZCE ; c'est ce qui diminue davantage la charge totale stocke.
En appliquant un champ magntique sur la photopile et augmentant la frquence de
l'clairement (courbes 2 et 3), la capacit de diffusion reste toujours constante pour les
faibles vitesses de recombinaison la jonction. Quand la vitesse de recombinaison la
jonction augmente, la capacit de diffusion diminue.
Conclusion
Cette tude de la base, pour un clairement simultan des deux faces de la photopile
bifaciale, a permis de dterminer certains paramtres phnomnologiques et lectriques tels
que le photocourant, le courant de court-circuit, la phototension, la tension de circuit ouvert,
la caractristique courant-tension, la puissance, la capacit de la jonction. Ces paramtres
ainsi tudis, varient fortement avec la frquence de l'clairement lorsqu'on est dans le
domaine des hautes frquences (mn 1) et restent insensibles la frquence de
l'clairement pour des frquences faibles (OOLn 1 : rgime quasi-statique).
L'clairement simultan des deux faces avant et arrire de la photopile bifaciale, donne de
meilleurs rsultats c'est--dire on obtient une bonne amlioration des grandeurs lectriques
telles que le photocourant, le photocourant de court-circuit, la puissance et la capacit de
diffusion de la photopile bifaciale par rapport l'clairement de la face avant ou de la face
arrire.
Dans le chapitre suivant, nous allons prsenter quelques mthodes de dtermination des
paramtres de recombinaison qui caractrisent la qualit d'une photopile.
106
Bibliographie Chapitre IV Eclairement Simultan des deux faces
BIBLIOGRAPHIE
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paramtres de recombinaison", E. Nanma, Thse de 3
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Solid State Electronics. Vol.28 (12), (1985), pp 1241 - 1243.
[3] J.F. Barro, 1. Zerbo, a.H. Lemrabott, F. Zougmore, G. Sissko.
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surface field solar cell under constant white bias light".
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[4] "Photopile Bifaciale sous double clairement multispectral constant: Etudes rgime
statique et e rgime transitoire obtenu par variation du point de fonctionnement",
J.F. Barro, Thse de 3
me
[5] A. Mandelis.
"Coupled ac. Photocurrent and Photothermal Reflectance Response Theory of
J. App!. Phys. Vol.66 (11), (1989), pp 5572 - 5583.
107
Chapitre V
, --_. ---- - - - .- .. -.... _.,. '-._'- .._-
CHAPITRE V: METHODES DE DETERMINATION DE QUELQUES PARAMETRES DE
RECOMBINAISON '.
108
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DlA 1LASES - FST 1UCAD-SENEGAL 2005
Chapitre V Rgime Dynamique Frquentiel
v - 0 1 METHODES DE DETERMINATION DE QUELQUES PARAMETRES DE
RECOMBINAISON
Introduction
La matrise des paramtres de recombinaison, lors de l'laboration des matriaux semi-
conducteurs, s'avre fondamentale pour obtenir des structures de bonnes qualits. C'est
ainsi, de nouvelles techniques de dtermination des paramtres lectroniques et lectriques
des semi-conducteurs, ont t labores. Des circuits lectriques quivalents utilisant les
modles exponentielle simple ( une diode) et double exponentielle ( deux diodes), en
rgime statique ou dynamique, ont t proposs dans le but d'extraire quelques paramtres
lectriques d'une cellule photovoltaque.
Dans ce travail qui suit, nous allons proposer des mthodes de dtermination des
paramtres phnomnologiques et lectriques d'une photopile bifaciale au silicium
monocristallin en rgime dynamique frquentiel et sous l'effet d'un champ magntique
appliqu.
v- D _1) VITESSES DE RECOMBINAISON INTRINSEQUES
Les vitesses de recombinaison intrinsques caractrisent les effets recombinatoires des
porteurs minoritaires en excs au niveau des interfaces, de la face arrire et des centres de
recombinaisons en volume de la photopile. Le contrle de la qualit des photopiles ncessite
une bonne matrise des vitesses de recombinaisoniiitiiisqes cai elles ont une influence
(V-2 )
=0
notable sur le rendement de conversion nergtique de la photopile.
Lorsque nous reprsentons le profil de la densit de photocourant en fonction de la vitesse
de recombinaison la jonction Sf ( ou la face arrire Sb ), nous obtenons, pour les
grandes valeurs de la vitesse Sf (ou Sb ), un photocourant qui prsente un palier horizontal
correspondant au fonctionnement de la photopile en condition de court-circuit ( ou une
forte recombinaison la face arrire ). En considrant que la drive du photocourant par
rapport la vitesse de recombinaison Sf la jonction ou Sb la face arrire, est nulle
(respectivement V-1 et V-2), nous obtenons de nouvelles expressions des vitesses de
recombinaison intrinsques la jonction ou la face arrire [ 1, 2, 5 - 8 ] en fonction de la
frquence de l'clairement [ 8 ] et du champ magntique appliqu.
aJ pha (d,w, B,S/j = 0 ( V-1) aJ pha (d,w, B, SI)
as( aSb
. a SI grand a Sb grand
a a
109
Le module de la vitesse de recombinaison la face arrire (voir annexe, pp.34 - 39) en
fonction de la frquence de modulation de l'clairement pour diffrentes valeurs du champ
magntique appliqu, est reprsent aux figures (0-1), (0-2) et (0-3) :
!!
lllOO
~
C .....
~ ~ I l
'jij
c
u
~
lB50
E 41
0
...
u
41
41
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...
...
III
41
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of
III lllOO
III
III
~
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!!
CD
"ClI
41
1150
"5
"V
0
::E
mo
0
Frquence (j.10
j
Hz)
Figure ( 0-1 ) : Vitesse de recombinaison intrinsque la face arrire en fonction de la frquence de
l'clairement sans champ magntique appliqu. ( B = 0 T ; H = 300 IJm ; 't =10-
5
S )
Sans champ magntique appliqu sur la photopile, la vitesse de recombinaison la face
arrire est pratiquement une constante dans la gamme de frquences [ 0 Hz ; 7,9.10
2
Hz [ ;
dans l'intervalle [ 7,9.10
2
Hz; 6.10
6
Hz [, cette vitesse augmente de faon gnrale
traduisant ainsi une forte recombinaison des porteurs minoritaires photognrs la face
arrire. Ce rsultat obtenu, est en parfait accord avec les phnomnes observs au niveau
de la densit des porteurs minoritaires en excs o on note une diminution de ces mmes
porteurs photocrs.
Lorsqu'un champ magntique est appliqu sur la photopile, le profil du module de la vitesse
de recombinaison la face arrire est reprsent la figure ci-dessous:
110
Chapitre V
6000
5000
4000
3000
DlO
1000
105.9
0 3 4 6
Frquence U.10
j
Hz)
Figure ( 0-2 ) : Vitesse de recombinaison intrinsque la face arrire en fonction de la frquence de
l'clairement pour un champ magntique appliqu. ( B = 10.
5
T ; H = 300 ~ 1" =10-
5
S )
En appliquant un champ magntique sur la photopile, l'amplitude de la vitesse de
recombinaison la face arrire diminue (par rapport celle obtenue sans champ
magntique appliqu). Cette vitesse de recombinaison la face arrire, dans l'intervalle de
frquence [ 0 Hz ; 3.10
3
Hz ], est pratiquement une constante. La vitesse de recombinaison
la face arrire augmente de manire exponentielle et atteint un maximum la frquence
de rsonance dans l'intervalle de frquence de modulation ]3.10
3
Hz ; 6.10
6
Hz [. Dans
l'intervalle ] 3.10
3
Hz; 6.10
6
Hz [ , la rsonance observe occasionne une grande
recombinaison ( plus importante qu' la figure ( D -1 ) ) des porteurs minoritaires photocrs
la face arrire.
Aprs cette tude de vitesse de recombinaison la face arrire, d'autres techniques de
dtermination d'autres paramtres intrinsques ( exemple longueur de diffusion effective)
sont proposes.
v - D- 2) TECHNIQUES DE DETERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION
EFFECTIVE
La longueur de diffusion est l'un des paramtres phnomnologiques les plus importants
dterminer pour un bon contrle de la qualit d'une cellule photovoltaque. Plusieurs
mthodes ont t utilises pour la dtermination de la longueur de diffusion effective [ 1 - 9 ].
Ainsi, nous allons proposer diffrentes techniques utilisant diffrents procds de
dtermination de la longueur de diffusion effective.
111
v - 0 - 2 - 1) Technique du rapport des photocourants de court-circuit ( face avant J
face arrire)
La variation du rapport des photocourant de court-circuit ( 6, 1, 8] en fonction de la longueur
de diffusion, sans champ magntique, est reprsente la figure ( 0 - 3) :
300
..
::;,
t:
TI
:l5O
t .
00
S
1 ;:
u
III
:.00
.
,
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'"
...
::;,
l50
C
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c
'Cl
0r-
e. 100
III
"0
t::
c
Q.
-'"
e.
CIl
Cl::
a -
..
0.004 0.006 0.008 0.01 O.OlJ 0.014 0.016 0.018 O.OJ
f =3,10
3
Hz
Longueur de diffusion ( 1.;111 )
Figure ( 0- 3 ) : Rapport de photocourant de court-circuit en fonction de la langueur de diffusion
't =10.
5
S ; d = 11Jm; H = 3001Jm; Ho = H + d
1) Sb = 2. 10
2
cm,sl ; 2) Sb = 4. 10
4
cm.s
1
Le rapport de photocourant de court-circuit diminue lorsque la longueur de diffusion
augmente. Pour!es deux courbes reprsentes ci-dessus, la courbe 1 prsente un pic qui a
l'aspect d'une courbe de rsonance. Cet aspect est d au fait qu'au niveau de cet intervalle
de longueur de diffusion, avec une vitesse de recombinaison la face arrire faible, il se
produit des effets inductifs entranant ainsi une lgre {( rsonance qui conduit une
augmentation du rapport de court-circuit ( voir courbes des phases des photocourants ).
Et lorsque la vitesse de recombinaison la face arrire augmente, ce phnomne de
rsonance observ la courbe 1, disparat la courbe 2.
Pour une frquence de modulation de l'clairement et une vitesse de recombinaison la
face arrire donnes, le rapport de courant de court-circuit est une constante en fonction de
la longueur de diffusion. L'intersection de ces deux courbes ( calibrage et thoriques) donne
un point, qui projet sur l'axe des abscisses, nous conduit la longueur de diffusion
effective. Une fois cette longueur de diffusion dtermine, en connaissant dj la dure de
112
vie moyenne des porteurs minoritaires, le coefficient de diffusion effectif et la vitesse de
recombinaison effective la face arrire peuvent tre dduits.
A la figure ( D - 4 ), ce rapport de courant de court-circuit est reprsent en fonction de la
longueur de diffusion pour un champ magntique donn:
.'::::
::::l
W
L-
W
t:
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o
W
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C.
QJ
't:l
t
o
c.
c.
C"il
oc
600 ~ - r - - - r - - - - r - - - - - - - - - - - - - - - - - - . . - - - .
.soo
400
300
200
100 L-..---'-__-----'-__----.L '--__'--_--'
0.002 0.004 0.006 0.000 0.01
Longueur de diffusion ( cm )
Figure ( 0- 4 ) : Rapport de photocourant de court-circuit en fonction de la longueur de diffusion
B=10
5
T; 1=10-
5
5; d=1IJm; H=300IJm; Ho=H+d
Sb= 2.10
2
cm.s
l
; Sb= 4.10
4
cm.s
l
; [=3.10
3
Hz
Lorsqu'on applique un champ magntique sur la photopile, le rapport de courant de court-
circuit diminue globalement en prsentant une courbe de rsonance. Compare la figure (
D -3 ), la figure ( D - 4 ) montre que l'amplitude du rapport de courant de court-circuit
augmente en prsence d'un champ magntique. Nous pouvons noter que la variation de la
vitesse de recombinaison la face arrire est sans effet notable sur l'volution de ce rapport
de court-circuit en fonction de la longueur de diffusion.
Pour une frquence de modulation donne ( infrieure ou gale la frquence de rsonance
), le rapport de courant de court-circuit est constant et donne deux points d'intersection avec
la courbe 1. La projection de ces deux points d'intersection, nous donne deux longueurs de
diffusion effectives partir desquelles deux coefficients de diffusion effectifs et deux vitesses
de recombinaison effectives la face arrire sont dduits.
Cette tude de rapport du photocourant de court-circuit, tant faite, d'autres techniques de
dtermination sont utilises pour extraire la longueur de diffusion effective. Dans ce qui suit,
une technique utilisant le photocourant de court-circuit, est prsente.
113
---....,---=-.--:----..,,.....,..,...--....,--------:---=---:-:----,---:=""'--:-:----,--------
Chapitre V
v- D - 2 - 2) Technique'du photocourant de court-circuit ( face avant)
Le profil du photocourant de court-circuit [ 7, 8 ] en fonction de la longueur de diffusion, est
reprsent la figure ( 0 - 5) :
,.....
N

lE
u
......
0.0:1
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u
u
0.015 1
1:
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0
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0.005
0
u
Cl
.....
0
.c:
Il. 0
0 0.005 0.01 0.015 om
Figure ( D- 5 ) : Photocourant de court-circuit en fonction de la longueur de diffusion pour un clairement
par la face avant.
B=OT; [=3.10
3
Hz ; t=IO
5
s; Ho=H+d
Sb = 2. 10
2
cm.s
1
, Sb = 4. 10
4
cm.s
l
En l'absence de champ magntique appliqu sur la photopile, pour un clairement par la
face avant, le photocourant de court-circuit augmente avec la longueur de diffusion. Ce
photocourant de court-circuit n'est sensible la vitesse de recombinaison la face arrire
qu' partir d'une certaine valeur de la longueur de diffusion o le photocourant de court-
circuit diminue en amplitude (au voisinage de ).
Pour une frquence de modulation et une vitesse de recombinaison la face arrire
donnes, le photocourant de court-circuit est constant avec la longueur de diffusion. La
courbe de calibrage ( courbe horizontale) et la courbe thorique du photocourant de court-
circuit, se coupent en un point, qui projet sur l'axe des abscisses, donne la longueur de
diffusion effective partir de laquelle nous pouvons dduire le coefficient de diffusion effectif
et la vitesse de recombinaison effective la face arrire.
Lorsqu'on applique maintenant un champ magntique sur la photopile bifaciale, le profil du
photocourant de court-circuit, en fonction de la longueur de diffusion, est reprsent la
figure ( 0 - 6) :
114
Chapitre V
.-
O.OJ
N
lE
u
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U
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u
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0
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....
0
.s:
0...
0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
longueur de diffusion ( cm )
Figure ( 0- 6 ) : Photocourant de court-circuit en fonction de la longueur de diffusion pour un clairement
par la face avant.
B =10-
5
T; 1" = 10,5 S ; d = ~ m ; H = ~ m ; Ho =H + d
Sb = 2. 10
2
cm.s'I ; Sb = 4. 10
4
cm.s'I ; f =3.10
3
Hz
L'application d'un champ magntique diminue l'amplitude du photocourant de court-circuit (
compare la figure (D - 5) ). L'effet du champ magntique, entrane un phnomne de
rsonance qui se manifeste sur les paramtres lectroniques et lectriques de la photopile
bifaciale. La figure ci-dessus prsente une courbe de rsonance du photocourant de court-
circuit qui augmente en fonction de la longueur de diffusion.
Pour une frquence de modulation donne, le photocourant de court-circuit ( courbe 2 ) est
constant en fonction de la longueur de diffusion. Les courbes 2 et 1 se coupent en deux
points qui nous donnent, en les projetant suivant l'axe des abscisses, deux longueurs de
diffusion effectives. Lorsque ces deux longueurs de diffusion sont dtermins, les
coefficients de diffusion effectifs et les vitesses de recombinaison effectives la face arrire
sont dduits.
De ces techniques de dtermination de la longueur de diffusion effective ici prsentes,
nous pouvons dire que l'application d'un champ magntique sur la photopile bifaciale a
permis d'obtenir, chaque fois, deux longueurs de diffusion, deux coefficients de diffusion et
deux vitesses de recombinaison la face arrire. Tandis que, sans champ magntique
appliqu, on obtient une longueur de diffusion, un coefficient de diffusion et une vitesse de
recombinaison la face arrire.
115
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrA / LASES - fST / UCAD-SENEGAL 2005
Chapitre V
A prsent, une autre technique de dtermination de la longueur de diffusion effective utilisant
la phase du photocourant de court-circuit, est prsente.
v - 0 - 2 - 3) Technique de la phase du photocourant de court-circuit ( face avant)
Le profil de la phase du photocourant de court-circuit [ 8 l, en fonction de la longueur de
diffusion, est reprsent la figure ( 0 - 7 ) :
....
"::; 0
u-
i-
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U
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::J-
o
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C.
::J
't:l
(lJ
l/l

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a.
-0.6
0 0.005 0.01 0.015 Dm
Figure ( 0- 7 ) : Phase du photocourant de court-circuit en fonction de la longueur de diffusion pour un
clairement par la face avant.
[=3.10
3
Hz ; 't=10-
5
s; d=1IJm; H=300wm; Ho=H+d
Sans champ magntique appliqu sur la photopile, la phase du photocourant de court-circuit
augmente en fonction de la longueur de diffusion. Quand on fixe une frquence de
modulation de l'clairement de 3.10
3
Hz et une vitesse de recombinaison la face arrire
bien donne, la phase du photocourant de court-circuit est constante avec la longueur de
diffusion ( courbe horizontale ). Les courbes thorique et de calibrage ( courbe horizontale)
se coupent en un point d'intersection, qui projet suivant l'axe des abscisses, donne la
longueur de diffusion effective. Ainsi, d'autres paramtres tels que le coefficient de diffusion
effectif et la vitesse de recombinaison effective la face arrire sont dtermins.
Avec un champ magntique appliqu, la phase du photocourant de court-circuit est
reprsente la figure ( 0 - 8 ) en fonction de la longueur de diffusion:
116
-
-
-
-
-
1
0.01
1
0.008
2
1
0.006
1
0.004
,
o o o ~
.....
c::
ra
...
03
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0
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0
-0.4 -
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C.
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0...
-0.15
0
........... 0r------.-----r,---.---,-----r'---.--I-----r'----,
'S "Cl
U ra
.= ...
U -
t -0.1 -
::l
~ ,
U .
~ 02 - ...... _. __ .. ~ ~ : ~ : : : ~ ; : : : ... ~ ~
Figure ( 0- 8 ) : Phase du photocourant de court-circuit en fonction de la longueur de diffusion pour un
S = 10.
5
T; 't =10-
5
S ; d = 1J..1m; H = 300J..lm; Ho = H + d
Sb = 2 . 10
2
cm.s-] ; Sb = 4 . 10
4
cm.s
l
; f =3.10
3
Hz
En appliquant un champ magntique sur la photopile bifaciale, la phase du photocourant de
court-circuit augmente progressivement en fonction de la longueur de diffusion. Cette phase
prsente une courbe de rsonance ( courbe1 ) partir de laquelle on peut tirer
successivement la "phase de rsonance" et la longueur de diffusion correspondante. On
peut noter que cette rsonance peut tre utilise pour dterminer la bande passante de la
phase et pouvant aboutir l'application de dtection de champ magntique.
Lorsqu'on considre une frquence de modulation bien dfinie, la phase est une constante
en fonction de la longueur de diffusion ( courbe2 ). Les courbes 1 et 2 se coupent en un
point d'intersection, qui projet suivant l'axe des abscisses, donne la longueur de diffusion
effective. De cette valeur de longueur de diffusion effective, la vitesse de recombinaison
effective la face arrire et le coefficient de diffusion effectif sont dduits.
A prsent, une autre technique de dtermination de la longueur de diffusion effective est
prsente, savoir ]'utilisation de la tension de circuit ouvert.
v- 0 - 2 - 4) Technique de la phototension de circuit ouvert (face avant)
Le profil de la phototension de circuit ouvert [ 8 l, en fonction de la longueur de diffusion, est
reprsent la figure ( D- 9 ) :
Chapitre V

G)
>
>
::l
0
-
-
0.14
'S
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10-
U
G)
0.13
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UJ
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G)
- .s
U."/l
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a.
G)
'0
0.1

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"0
0
0.69
:lE
0.001 0.005 0.01 i 0.015 0.0::1
Lei!
Figure ( 0- 9 ) : Phototension de circuit ouvert en fonction de la longueur de diffusion pour un
S=0 T; t =10.
5
S ; d =1J.1m; H =300J.1m; Ho = H + d ; Sb = 2 . 10
2
cm.s
l
; f = 4.10
4
Hz
D'aprs la figure ci-dessus, la phototension de circuit ouvert augmente avec la longueur de
diffusion. A une frquence de modulation bien donne, sans champ magntique, la
phototension de circuit ouvert est constante en fonction de la longueur de diffusion
(courbe2). Les courbes de calibrage (2) et thorique (1) se coupent en un point
d'intersection qui, projet sur l'axe des abscisses, donne la longueur de diffusion effective
partir de laquelle le coefficient de diffusion effectif et la vitesse de recombinaison effective
la face arrire sont dduits.
Lorsqu'un champ magntique est appliqu sur la photopile. la phototension de circuit ouvert
est reprsente la figure ( D- 10 ) en fonction de la longueur de diffusion :
1::
0.82
G)
:li>'
>
::J
0 0.8
...
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...
0.78
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G)
"0
c: 0.16
0
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G)
0.14
...
0
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0
Q.
0.7"..1
G)
"0
G)
0.1
"3
"0
0
::a: 0.68
0
+
0.002
\
Ldf
0.004 0.006 0.008 0.01
Fig ure ( D- 10 ) : Phototension de circuit ouvert en fonction de la longueur de diffusion pour un
B :: 10-
5
T; l' = 10.
5
S ; d =11Jm; H =3001Jm; Ho =H + d
Sb = 2 . 10
2
cm.s
1
; f =4.10
4
Hz
La figure ci-dessus prsente une courbe de rsonance o on note une augmentation de la
phototension de circuit ouvert en fonction de la longueur de diffusion. Pour une frquence de
modulation donne, la phototension de circuit ouvert est constante ( courbe2 ) lorsque la
longueur de diffusion crot. Les courbes 1 et 2 se coupent en un point d'intersection qui, en
le projetant sur l'axe des abscisses, donne la longueur de diffusion effective. Connaissant
cette longueur de diffusion, la vitesse de recombinaison effective la face arrire et le
coefficient de diffusion effectif sont ainsi dtermins.
Ayant prsent quelques techniques de dtermination de la longueur de diffusion effective,
nous allons maintenant procder l'tude de quelques paramtres lectriques en proposant
d'abord des modles de circuits lectriques quivalents de la photopile.
v -D- 3) MODELES DE CIRCUITS ELECTRIQUES EQUIVALENTS D'UNE PHOTOPILE
Afin de pouvoir dterminer les rsistances srie et shunt, l'inductance en vue d'un contrle
de la qualit d'une photopile, bons nombres de modles de circuits lectriques quivalents
ont t proposs. Nous allons, tout d'abord, prsenter un modle exponentielle simple ou
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DIAO / LASES - fST / UCAD-SENEGAL 2005
119
---------:----,----,----.,-----:---,---=:--,:--:-:-....,....,,=-=----==-,------=--------
une diode [ 10 - 12 ] efensuite un modle double exponentielle ou deux diodes [ 12 -
15 ].
v-D- 3 - 1) Modle exponentielle simple ou une diode ( MES)
Le modle exponentielle simple ou une diode, est une forme de reprsentation
schmatique d'une photopile en circuit lectrique o l'on considre que la photopile est un
gnrateur de courant avec ses diffrents lments lectriques placs dans un circuit
caractrisant ainsi les phnomnes de rsistivit, de fuite, de conductance, de capacitance
et d'inductance. Lorsqu'on branche une rsistance de charge aux bornes de la photopile, le
modle lectrique de l'ensemble est reprsent au schma (D-11-a) en rgime dynamique:
l
Schma ( D- 11- a ) : Circuit lectrique quivalent de la photopile bifaciale.
O I
ph
, 'd , Ish et Ile photocourant, le courant de diode, le courant de fuite et le courant total
recueilli l'extrieur de la photopile bifaciale respectivement; R
s
, R
sh
, rd et Rch les
rsistances srie, shunt, dynamique de la ZeE et de charge externe respectivement; L
l'inductance et V la tension aux bornes de Rch.
Dans ce mdle ne diode, les effets capacitifs de la zone de charge d'espace peuvent
tre mis en exergue en remplaant la diode par une capacit de jonction et une rsistance
en parallle; d'o nous obtenons le schma (D-11-b) :
Schma ( D- 11- b ) : Circuit lectrique quivalent de la photopile bifaciale en
modulation de frquence.
O rd est la rsistance dynamique de la ZeE;
120
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrAa / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
Chapitre V
avec Cj la capacit de la jonction; Cd la capacit de diffusion de la ZCE et CT la capacit de
transition de la ZCE ;
Notons que, dans ce modle, selon la nature du signal optique en rgime dynamique, la
capacit de jonction est rduite la capacit de diffusion ou celle de transition de la ZCE.
A partir du schma (D-11-b), quand on considre que les rsistances dynamique et shunt
avec l'impdance de la capacit de jonction sont en parallle, on obtient un autre circuit
lectrique donn au schma (D-11-c) :
;,sh
Schma ( 0- 11- c ) : circuit lectrique quivalent rduit de la photopile
bifaciale en modulation de frquence.
O Id,sh est le courant total de fuite et _1_ =l + _1_ + 1 avec Zj,sh impdance
Zj,sh rd R
sh
(iej"w)-I
quivalente de la jonction; (j) la frquence angulaire de l'clairement ( c'est le cas de notre
tude)
Nous pouvons dire que le schma (D-11-c) peut tre aussi utilis pour calculer les diffrents
lectriques de la photopile. Par exemple, en considrant le schma (D-11-c) comme un
circuit de Norton, nous pouvons aboutir au circuit de Thvenin qui facilitera les calculs des
diffrents lments lectriques.
A ct de ce modle une diode que l'on suppose ne pas contenir toutes les informations
pouvant prendre en compte le fonctionnement effectif de la photopile, il est propos un autre
modle appel modle double exponentielle ou deux diodes. Ce modle-ci prend en
compte les recombinaisons des impurets communment appeles centres de
recombinaison.
v -0- 3 - 2) Modle double exponentielle ou deux diodes ( M 0 E )
Le modle double exponentielle ou deux diodes, est donn au schma (0-12-a) :
121
Chapitre V
1
Sr-hma ( 0- 12- a J : Circuit lectrique quivalent de la photopile bifaciale
Les deux diodes reprsentes sur ce schma, peuvent tre remplaces par leurs capacits
de jonction comme l'indique le schma (D-12-b) :
l
v
Ish
Schma ( 0- 12- b ) : Circuit lectrique quivalent de la photopile bifaciale en modulation de frquence.
o nous introduisons, en plus de la rsistance dynamique de la ZCE, une autre rsistance
dynamique et une capacit de diffusion issues des centres de recombinaison. Les capacits
Cj1 , Cj2 et les rsistances dynamiques rd1. rd2 tant montes en parallle, nous obtenons le
schma (D-12-c) :
1
L
Schma ( 0- 12- c ) : Circuit lectrique quivalent de la photopile bifaciale en modulation de frquence.
o _1_ '" _1_ + _1_ et C
j
=Cj1 + C
j2
'd 'dl 'd2
Nous constatons que nous retrouvons, avec ces diffrentes approximations faites, le
schma (D-11-b) du modle une diode. C'est ce qui indique qu'il est possible d'utiliser un
modle quelconque, sans confusion possible, pour faire l'tude et dterminer les diffrents
lments lectriques de la photopile..
122
Chapitre V
Quand nous procdons de la mme sorte qu'au modle une diode, le schma (D-12-c)
peut tre transform comme suit:
l
L
Schma ( 0- 12- d ) : Circuit lectrique quivalent rduit de la photopile bifaciale en modulation de frquence.
Conclusion
L'tude du photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison la jonction nous a
permis de donner une nouvelle expression de la vitesse de recombinaison la face arrire.
L'tude de cette vitesse de recombinaison la face arrire nous amne dire que la
frquence de modulation de l'clairement augmente la recombinaison des porteurs
minoritaires en excs et aussi l'application du champ magntique sur la photopile augmente
la recombinaison des porteurs minoritaires lorsque la frquence de rsonance est atteinte.
Diffrentes techniques de dtermination de la longueur de diffusion effective sont proposes.
A partir de la longueur de diffusion effective, nous avons dduit le coefficient de diffusion
effectif, la vitesse de recombinaison effective la face arrire tout en supposant que la
dure de vie moyenne des porteurs minoritaires dans la base de la photopile, est constante.
En fin, l'tude en rgime dynamique frquentiel de la photopile bifaciale sous l'effet d'un
champ magntique, nous a permis de proposer deux modles lectriques quivalents dont
une tude plus approfondie pourrait faciliter la dtermination des diffrents lments
lectriques.
123
Bibliographie Chapitre V
BIBLIOGRAPHIE
[ 1] G. Sissoko, E Nanma, A Corra, P. M. Biteye, M. Adj, A l. N'Diaye
World Renewable Energy Congress (1998), pp 1847 - 1851.
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World Renewable Energy Congress (1996), part Il, pp 1487 - 1490.
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Proc. of 14th European PVSE Conf., Barcelona, 30 june - 4 july, 1997
[4] R. R. Vardanyan, U. Kerst, P. Wawer, H. Wagemann, M. Nell
"Method for measurement of ail recombinaison parameters in the base region of
solar cells".
2
0d
World Conf. on PVSE conversion, Vienna, Austria, 6 - 10 July 1998.
[ 5 ] G. Sissoko, A Corra, E Nanma, M. N. Diarra, A l. N'Diaye, M. Adj
"Recombinaison parameters measurement in silicon double sided surface field solar
cell".
World Renewable Energy Congress(1998), pp 1856 - 1859.
[ 6 ] "Modlisation d'une photopile bifaciale au silicium: mthodes de dtermination des
paramtres de recombinaison", E Nanma, Thse de 3
me
cycle, UCAD, Dakar,
Sngal, 1996.
[ 7] "Photopile bifaciale sous double clairement multispectral constant: Etudes en rgime
statique et en rgime transitoire obtenu par variation du point de fonctionnement",
I.F. Barro, Thse de 3
me
[8] 1. Zerbo , F.1. Barro, B. M'Bow, A Diao, F. Zougmore, G. Sissoko.
19
th
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Paris-France.
[ 9] F. Ahmed and S. Garg.
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International centre for theoretical physics, Trieste, Italy Internai Report
Aot 1986.
[ 10 J 1. GAYE, ACORREA, A.l. NDIAYE, ENANEMA, A.B.B.BA, M.ADJ and G.SISSOKO.
World Renewable Energy Conference, pp. 1598 - 1601.
124
Bibliographie Chapitre V Rgime Dynamique Frquentiel
[ 11] Jean-Pierre Charles, Ahmed Haddt, Alain Maouad, Hazri Bakhtiar, Abdellatif Zerga,
Alain Hoffmann, Pierre Mialhe.
La Jonction, du solaire la microlectronique.
Rev.Energ.Ren.voI.3 (2000) 1 - 16.
[12] J.-P. Charles, 1. Mekkaoui-Alaoui, G. Bordure et P. Mialhe.
"Etude comparative des modles une et deux exponentielles en vue d'une
simulation prcise des photopiles"
Revue Phys. Appl.19 (1984) 851-857.
[13] Meena Dadu, A. Kapoor, K. N. Tripathi.
"Effect of variation of 1
01
/102 on short-circuit current and fil! factor of a real solar il
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[14] 1. Mekkaoui Alaoui, And J.-P. Charles.
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exponential model".
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[15] R. Salach-Bielecki, T. Pisarkiewicz, T. Stapinski, and P. W6jcik.
"Influence of junction parameters on the open circuit voltage decay in solar lls"
Opto-Electronics Review 12(1) 79 - 83 (2004)
125
Conclusion Gnrale
CONCLUSION GENERALE
Une tude tholique en modlisation, en rgime dynamique frquentiel, d'une photopile
bifaciale place dans un espace o rgne un champ magntique sous clairement
multispectral constant, a t prsente.
Aprs avoir prsent une tude bibliographique sur les diffrentes mthodes de
dtermination des paramtres lectroniques et lectriques, des expressions du coefficient de
diffusion, de la longueur de diffusion et de la densit des porteurs minoritaires dans la base,
en fonction de la frquence de modulation et du champ magntique appliqu,. ont t
tablies. De cette densit des porteurs minoritaires en excs, les expressions du
photocourant, de la phototension et de la capacit de diffusion de la zone de charge
d'espace, ont t aussi tablies. Le photocourant et la phototension de la photopile bifaciale,
nous a permis de tracer la caractristique courant-tension et la puissance en fonction de la
tension pour diffrentes valeurs de la frquence de modulation et du champ magntique. A
partir du photocourant et de la phototension, les expressions du courant de court-circuit et
de la tension de circuit ouvert, ont t dduites respectivement.
Des mthodes de dtermination de la longueur de diffusion effective, de la vitesse de
recombinaison effective la face arrire et du coefficient de diffusion effectif, ont t
proposes. Et la modlisation de la photopile bifaciale, en circuit lectrique quivalent, a
permis de proposer deux modles de circuits lectriques dont l'un est appel modle une
exponentielle ( une diode ) et l'autre tant appel modle deux exponentielles ( deux
diodes ). De cette tude thorique, nous avons pu constater que, pour les trois modes
d'clairement ( face avant, arrire et simultanment les deux faces ), la rponse de la
photopile bifaciale n'est pas la mme en rgime dynamique frquentiel et sous l'effet d'un
champ magntique. Ceci est d'autant plus remarquable que les phases des densits de
photocourant et de photocourant de court-circuit pour les trois modes d'clairement, ne
varient pas de la mme sorte, en fonction de la frquence de modulation de l'clairement et
de l'intensit du champ magntique appliqu. De cette rponse de la photopile bifaciale, on
a obtenu des frquences de coupure ou des "knee points" qui montrent une certaine rupture
de gnration des porteurs minoritaires photognrs dans la base. Ainsi, nous pouvons
dire que la frquence de modulation de l'clairement et le champ magntique appliqu ont
un effet nfaste sur la photopile bifaciale car diminuant sa qualit en agissant sur les
proprits intrinsques.
126
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou OIA / LASES - FST / UCAD-SENEGAL 2005
Conclusion Gnrale Rgime Dynamique Frquentiel
Dans cette tude, la contribution de l'metteur n'a pas t prise en compte. Elle pourra
s'tendre la photopile bifaciale, en clairement multispectral ou monochromatique sous
l'effet du champ magntique, en rgime dynamique transitoire (excitations optiques ou
lectriques) ou frquentiel (modulation de tension ou de la frquence) et l'tude sur le
rendement et le facteur de forme.
Notons aussi que cette tude thorique de la photopile bifaciale, nous permet d'envisager
l'utilisation du rgime dynamique frquentiel pour la dtection de champ magntique, pour
calculer la bande passante et pour ia conception de filtres de frquences.
127
Mmoire de Thse de Troisime Cycle prsent par Amadou DrA 1LASES - FST 1UCAD-SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
Equation de continuit de la densit des porteurs minoritaires en excs:
G (x, t)
E:
On pose:
8 (x,t)=8 (x)exp(iaH); G)x,t) =gc-(x) exp(im"t)
ne n& v v
avec
3
g e (x) = n" l ak (1 exp( - bk x) + 2 exp( - bk (H0 - x )
k:= 1
L'quation de continuit devient:
a 2 J ~ 1 g ~
ne _ -(l+im"r )"8 (x)=- _e_
ax
2
L*2 n ne D*
n n
o
11*
~ =--(1+ lm" r ). et Lm est la longueur de diffusion complexe
*2 *2 n
Lm Ln
m=2'7[0f la frquence angulaire de
l'clairement; B l'intensit du champ magntique; f la frquence de l'clairement
m
n
la masse de l'lectron au repos; q la charge lmentaire de l'lectron
D* = 1F
2
+ K
2
le coefficient de diffusion; => L*2 =D* or la longueur de diffusion
n Vn n n nn
Les paramtres E, ,1 et ~ sont dfinis par le tableau suivant:
Mode d'clairement
E ,1 ,2
face avant 1 1 0
face arrire 2 0 1
simultanment les 3 1 1
deux faces
Thse de 3
tme
Cycle prsente par Amadou DTA 1 LASES 1 FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Matbmatique
L* 1
__-=-=-n_-
l
(l-im. 'n)"2 =Zlb +iZ2b
(1+ m ~ ) 2
d .
ch(-) =ael +Ib
el
L*
aJ
1 Zd { Zd Z d J
a =-cos( 2b exp( lb )-exp(- lb )
sI 2 2 2 2 2 2
2 Zlb+
Z
2b Zlb+
Z
2b Zlb+
Z
2b
1 Zd { Zd Z d J
b =-sin( 2b exp( lb )+exp(- lb )
sI 2 2 2 2 2 2 2
Zlb +Z2b Zlb +Z2b Zlb +Z2b
1 Zd { Zd Z d J
a =-cos( 2b exp( lb )+exp(- lb )
cl 2 2 2 2 2 2
2 Zlb +Z2b Zlb +Z2b Zlb +Z2b
1 Zd { Zd Z d J
b =-sine 2b exp(- lb )-exp( lb )
cl 2 2 2 2 2 2
x .
sh(-) =a -lb
* s s
LaJ
_. x . ..
ch(-) =a
c
+ IlJ
C
L*
aJ
1 Zx { Zx Z x J
a =-cos( 2b exp( lb )-exp(- lb )
s2 22 22 22
1 Zx { Zx Z x J
b =-sin( 2b exp( lb )+exp(- lb )
s 22 22 22
2 Zlb+
Z
2b Zlb+
Z
2b Zlb+
Z
2b
1 Zx { Zx Z x J
a =-cos( 2b exp( lb )+exp(- lb )
c2 22 22 22
Z x { Zx Z x J
b =lsin( 2b exp(_ lb )-exp( lb )
c 22 22 22
2 Zlb +Z2b Zlb +Z2b Zlb+Z2b
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DrAa / LASES / FST - DCAD - SENEGAL 2005
2
Annexe Mathmatique
H
eh(-) = G
e
2 +ib
e2
. L*
OJ
1 Z2b
H
{Zlb,H Zlb
H
J
G
s2
=-cos( 2 2 exp( 2 2 )-exp(- 2 2)
Z H { ZH Z H ]
b =lsin( 2b exn ( lb )+exn{- lb )
s2 2 2 r 2 2 /. ---.-' 2 2
Z H { ZH Z H J
a =lcos( 2b exp( lb )+exp(- lb )
c2 2 2 2 2 2 2
Z H { ZH Z H J
b =lsin( 2b exp(- lb )-exp( lb )
e2 2 2 2 2 2 2
On pose:
et Ho =H2
Thse de 3
erne
Cycle prsente par Amadou DrAO ! LASES ! FST - UCAD - SENEGAL 2005
3
Annexe Mathmatique
Base 1 : Eclairement par la face avant
Densit des porteurs minoritaires en excs dans la base de la photopile:
Conditions aux limites:
(11-10)
(11-11 )
S
n1
! 1
D . =Sfl S 1
n x n x=d
x=d
* aO
nl
1
D . -- =-Sbl 0 1
n ax n x =H2
x=H2
la jonction
la face arrire
(11-12)
(11-13)
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DIAO 1 LASES 1 FST - UCAD - SENEGAL 2005
4
Annexe Mathmatique
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DIA / LASES / FST - DCAD - SENEGAL 2005
5
Annexe Mathmatique
r. t1 -r t1
A_ = 2b ln 1b 2n
--3b t12 +t12
ln 2n
3, ,
~ = L (Pl A
3b
- P2
A
4b)
k = 1
6
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou OJAO / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
1
IOnl =(oti + ot2)2
Photocourant :
* aO
nl
J phI =qD
nfu
x=d
(11-14)
( , - "
J sh(JL)+ D
2
ch(JL)- ! bkfJkeXP(-bkd)J
P n L* L* L* t:, k = l
2 2 2 2
J +iJ
b2
.
1
\J +Jt2)2
(11-14-a)
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DIA / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
7
Annexe Mathmatique
Photocourant de court-circuit:
*[A
2CC
d B
2cc
d 3 J
J phccl (d,m,B) =qD
n
-*-sh(-;-) + -*-ch(-;-) - IbkfJk exp(-bkd)
L
2
L
2
L
2
L
2
k =1
(11-14-b)
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DIAO 1 LASES 1 FST - UCAD - SENEGAL 2005
8
Annexe Mathmatique
A = A + iA
2cc 2ccb 3ccb
0" +0"
A = lb Ince 2b 2ncc
2ccb +
Ince 2ncc
0" -0"
A = 2b Ince lb 2ncc
3ccb +
Ince 2ncc
B = B + iB
2cc 2ccb 3ccb
Thse de 3
eme
9
Annexe Matbmatique
~ +
B = 3b Ince 4b 2ncc
2ccb ~ + ~
Ince 2ncc
~ - ~
B = 4b Ince 3b 2ncc
3ccb ~ + ~
Ince 2ncc
J phcc1 (d,m,B) =J
bccl
+ iJ
bcc2
1
kphccI (d,m,B)/ =(J;cc1 + Jl
cc2
)2"
*
J = qD (l + 1 - a )
becl n cc1b cc2b b
* -
. J =qD (1 + 1 - b )
1 bcc2 n ccbl ccb2 b
J
'1/ = arctg( bcc2)
lcc J
bcc1
(1I-14-c)
a (A_ Z - A Z) -b (A Z + A_ Z )
1 = sI ~ c c b lb 2ccb 2b sI 2ccb lb -~ c c b 2b
ccbl Z2 + Z2
lb 2b
Phototension :
(11-15)
VO
IfI
lb
=arctg(--.l2l.)
VO
bl
VphI (d,m, B, Sil) = V
lb
+ iV
2b
1
IvphI (d,m, B,Sfi)1 =(VIi + vib )2
avec
10
Thse de 3
me
Annexe Mathmatique
Phototension da i r u ~ ouvert :
* H * H
D sh(-) + L
2
S
b1
ch(-) =tl 1+ itl 2
n L* L* co co
2 2
Thse de 3
me
Il
Annexe Mathmatique
3
L fJ (Z + iZ ) = r +r
k col co2 col co2
k = 1
3, ,
r =" (p Z + pZ)
co2 L. 1 co2 2 col
k = 1
A = A + iA_
2co 2cob ~ c o b
r ~ +r ~
A = col col co2 co2
2cob /').2 + ~
col co2
r ~ -r /').
A_ = co2 col col co2
---'>cob /').2 + /').2
col co2
B = B + iB
2co 2cob 3cob
Thse de 3
erne
Cycle prsente par Amadou DrAa / LASES / FST -- UCAD - SENEGAL 2005
12
Annexe Matbmatique
n ~ -.0 ~
B = Zb col lb coZ
3cob ~ Z + ~ Z
col coZ
1
IVohcOICd,{,B)1 =(V
c
Z
ol
V c ~ Z 2
1 - . .". ,;'
(1I-15-a)
v =VI/I
coz T Ico
v = VO + iVe
bco col coZ
l
[
z ZJ-Z
V - VO + VO
1 bco/- col coZ
Puissance de la photopile:
Capacit de diffusion de la ZCE :
(11-16)
(11-17)
13
Thse de 3
erne
Cycle prsente par Amadou DrA / LASES / fST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Matbmatique
3 ,
ObI =a
cl
A
2b
-b
cl
A
3b
+a
sl
B
2b
+b
sl
B
3b
+
3 ,
b2 =b
cl
A
2b
+a
cl
A
3b
+a
sl
B
3b
-b
sl
B
2b
+ k::IP2exp(-bkd)
Base 2 : Eclairement par la face arrire
Densit des porteurs minoritaires en excs dans la base de la photopile:
(111-10)
* 88
n2
1
D 0-- =Sf2 8 2
n 8x n x=d
x=d
la jonction
la face arrire
(III-11)
(111-12)
14
Thse de 3
erne
Cycle prsente par Amadou DTA / LASES fST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Matbmatique
, [ .2 2 2 J *(X )
/),2n =-b
s2
D
n
+Sb2
Sf
2(Zlb -Z2b) +2as2Sb2Sf2Z1bZ2b +D
n
Sb2 +Sf2 a
c
2
Z
2b +b
c2
Z
1b
. ( )
* * * H2 * H2 .
(H2 - d){bkD
n
-Sh )
L
2
lDnch( Li) + Sb2
L
2
sh
( L') Zbl +'Zb2
[
Zlb( +Sb2(a
s
3
Z
lb +b
s3
Z
2b
))- j
Zbi exp(-h
k
(H2 - b
k
D; - !',f:c}. ... Z2b(b
c3
D; + Sb2 (a'3
Z
2b - b,3ZlblJ
+Sb2(as3Zlb +b
s3
Z
2b
))+ j
Zb2 =cxp(-b
k
(H2 - Sh} Zlb(b
c3
D; + Sb2(a,3
Z
2b _. b'3
Z
lbl)
* ( *)[ * d * d J .
L
2
Sb2+
b
k
D
n DnCh(Li)-Sf2L2Sh(Li) =Zb3+
1Z
b4
Zb3 =(Sb2 zlb(a
c1
D; -Sf2(aslZlb +b
s1
Z
2b
)- -Sf2(aslZ2b -b
s1
Z
lb
))
Zb4 = (Sb2 +bkD;){Zlb(b
c1
D; -Sf2(aslZ2b -Sf2(aslZlb +b
Sl
Z
2b
))
(Zbl +iZ
b2
)-(Zb3 +iZ
b4
)=(Zbl-
Z
b3)+i(Zb2 -Zb4)
f Pk((Zbl -Zb3)+i(Zb2 -Zb4)=f
bl
+ir
b2
k = 1
3(' , ) 3(' , )
r
bl
= L Pl (Zbl -Zb3)- P
2
(Zb2 -Zb4) ; r
b2
= L Pl (Zb2 -Zb4)+ P2(Zbl-
Z
b3)
k=l k=l
,
A
2
= A
b2
+ iA
b3
, ,
A = r
b1
L1
1n
+ r
b2
L1
2n
b2 ,2 ,2
L1
ln
+ L1
2n
, ,
A = f
b2
L1
1n
- r
b1
L1
2n
b3 .2 ,2
L1
ln
+ L1
2n
15
Thse de 3
erne
Cycle prsente par Amadou DrAG 1 LASES 1 FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
( y *) * r * H2 * H2 J .
ex
p
-b
k
(H2-d)\Sf2 -bkD
n
L
2
DnSh(L; )+Sb2
L
2
Ch
(-;:) ==Xbl +lXb2
2
* +Sb2(a
c
3
Z
1b -b
c3
Z
2b
)- J
zN -bkD
n
)- Z2b( +Sb2(b
c3
Z
lb
+Gc3
Z
2b)
+Sb2(ac3
Z
1b -bc3 Z 2b )+ ]
%b2 oexp(-b
k
(H2-d)(SI, -b, D
n
)- Zlb( +Sb2(b
c3
Z
lb
+ac3
Z
2b)]
* ( * )[ * d * d J .
L
2
Sb2 +bkD
n
DnSh(L;)-Sf2L2Ch(L;) ==A
b1
+lA
b2
A
bl
== (Sb2 +bkD:){Zlb(aSlD: -Sf
2
(a
cl
Z
lb
-bclZ2b)+Z2b(bslD: +Sf
2
(b
cl
Z
1b
+a
cl
Z
2b
))
A
b2
=(Sb2 +bkD:) {Z2b(a
S1
D: -Sf
2
(a
cl
Z
lb
-bclZ2b)-Zlb(bslD: +Sf
2
(b
cl
Z
lb
+a
cl
Z
2b
))
(Ab + iA- - ) + ( Y.. +i Y. - ) == (A + JI ) + i( Al'"' + Xl'"' )
lb},' '"DL" '01 "01' . DL. "UL.
t Pk ((A
b1
+ X
b1
)+i(A
b2
+ X
b2
)== bl +
i
b2
k == 1
3 ( , , )
bl = l Pl (A
bl
+ Xbl) - P2(A
b2
+Xb2)
k =1
3 ( , , )
, b2= L Pl(Ab2+Xb2)+P2(Abl+Xbl)
k == 1
,
B
2
= B
b2
+iB
b3
, ,
B = +
b2 .2 ,2
+
, ,
B =
b3 ,2 ,2
+
16
Thse de 3
erne
Cycle prsente par Amadou DrAa / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
3 , ,
I f3
k
exp(-b
k
(H2-x =u
bl
+iu
b2
k =l
, 3,
u
b1
= I Pl exp(-b
k
(H2 - x
k =l
3 ,
u
b2
= l P
2
exp(-b
k
(H2-x
k =1
, 1
J
n2
(x, m, B, S/2) =J bl + iJb2
f , 1 t
e5
bl
= a
c
A
b2
- b
c
A
b3
+a
s
B
b2
+b
s
B
b3
+ u
bl
; e5
b2
= bc
A
b2 +ac
A
b3 + a
s
B
b3
- b
s
B
b2
+ v
b2
l
1
(
,2 ,2 J2
IJ
n2
(x,w,B,Sf2) = e5
bl
+e5
b2
Photocourant :
J ph2(d,m,B,SI2) =qD* 8J
n2
1
n a 1
~ x=d
(111-13)
[
1 1 J * A
2
d B
2
d 3
1 ph2 (d,w,B,Sf2) = qD
n
-;-sh(--;-) +-;-ch(--;-) + Ib
k
f3k exp(-b
k
(H2 -d
L
2
L
2
L
2
I
2
k = l
, ,
J ph2(d,m,B, S/2) =J
bl
+iJ
b2
, *' f ,
lbl =qDn(llb +I
2b
+a
b
)
l
1 1
(
,2 ,2 )2
1 ph2(d,OJ,B,Sf2) = J
bl
+J
b2
1 * 1 1 1
lb2 =qDn(Ibl +I
b2
+bb)
avec
,
J
lf/2 = arctg( ~
J
b1
(III-13-a)
3 t 1
I bkf3kexp(-bk(H2-d =ab +ib
b
k = l
, 3 ,
ab = I bkP
I
exp(-b
k
(H2 - d
k =l
, 3 ,
bb = I b
k
P
2
exp(-b
k
(H2-d
k =1
17
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DIA 1 LASES 1 fST - UCAD - SENEGAL 2005
(11I-13-b)
Annexe Mathmatique
1 a
sI
(A
b2
Z
Ib
+ A
b3
Z
2b
) + b
sI
(A
b3
Z
Ib
- A
b2
Z
2b
)
lIb = 2 2
ZIb + Z2b
, acl (B
b2
Z
Ib
+ B
b3
Z
2b
) + bcl (B
b2
Z
2b
- B
b3
Z
Ib
)
f
2b
= 2
ZIb + Z2b
/ =a
sI
(A
b3
Z
Ib
- A
b2
Z
2b
) ~ b
sI
(A
f12
Z
1h
+ A
h1
Z?b)
bl 2 2
ZIb + Z2b
/ =Gcl (B
b3
Z
1b
- B
b2
Z
2b
) + bcl (B
b2
Z
1b
+ B
b3
Z
2b
)
b2 Z2 + Z2
lb 2h
(
" ]
* A
2ec
d B
2cc
d 3
J phcc2 (d,OJ,B) = qD
n
-*-sh(-;-) + -*-ch(-;-) + Ib
k
f3
k exp(-b
k
(H2 - d))
L
2
L
2
L
2
L
2
k = 1
( )
(
* H2 * H2] ( *) * d
-exp -b
k
(H2-d) D
n
ch(-*-)+Sb2
L
2
sh
(-;-) + Sb2 +bkD
n
L
2
sh(-;-)
1 3 L
2
L
2
L
2
A
2cc
= l f3k * H * H
k =1 L
2
S
b2
sh(-) + Dnch(-)
L* L*
2 2
( )
(
* H2 * H2] ( *) * d
exp-b
k
(H2-d) D
n
sh(-;-)+Sb2
L
2
ch
(-*-) - Sb2 +bkD
n
L
2
ch(-;-)
, 3 L
2
L
2
L
2
B
2cc
= If3k * H * H
k=I L
2
S
b2
sh(--) + Dnch(--)
L* L*
2 2
* H * H 1 1
L
2
S
b2
sh(-) + D ch(-) == ~ + i ~
L* n L* ncc nec
2 2
1 *
t1
lncc
=G
c2
D
n
+Sb2(G
s2
Z
Ib
+b
s2
Z
2b
)
, *
~ n c e == b
e2
D
n
+ Sb2(G
s2
Z
2b
- b
s2
Z
lb
)
18
Thse de 3
eme
Cycle prsente par Amadou OIAO / LASES / FST - UCAO - SENEGAL 2005
Annexe Matbmatique
1
A = A +iA
2cc b2cc b3cc
, ,
(J +(J
A = bl Ince b2 2ncc
b2cc ,2 ,2

Ince 2ncc
, ,
(J -a
A = b2 Ince bl 2ncc
b3cc J ,2

Ince 2ncc
,
B = B + iB
2cc b2cc b3cc
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DIAO / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
19
Annexe Mathmatique
, ,
(J" +(J"
B = b3 Ince b4 2nee
b2ee ,2 ,2
,1 +,1
Ince 2nee
, ,
J phee2 (d, 0), B) =J becl + iJbee2
, 1
(J" -(J"
B = b4 Ince b3 2nee
b3ee ,2 ,2
d +,1
Ince 2nee
1
1 1
(
,2 ,2 J2
; J phee2 (d,O), B) = J becl + J bee2
,
J
If/2ee ::: aretg(
J
beel
Phototension :
(III-13-c)
(111-14)
, ,
V
ph2
(d,OJ,B,Sj2) =V
Ib
+iV
2b
V1'b = V
r

1
1 1
(
,2 ,2 J2
Vph2 (d,OJ,B,Sj) = V
1b
+ V
2b
20
Thse de 3
erne
Cycle prsente par Amadou DIA 1 LASES 1 FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
avec
,0
V
/If = arctg(
lb ,0
V
bl
Phototension de circuit ouvert :
* H * H ' ,
D sh(-) + L
2
S
b2
ch(-) = 1+if:.. 2
n L* [* co co
2 '2
21
Thse de 3
me
Annexe Mathmatique
3
l fJ
k
(Zl +iZ
2
) =rI +ir
2
k =l co co co co
3, ,
r = (p Z -p Z )
Ico L. l Ico 2 2co
k = l
3, ,
r = (p Z +p Z )
2co L. l 2co 2 lco
k = l
1
A == A +iA
2co b2co b3co
, ,
r +r
A = Ica col 2co co2
b2co .2 ,2

col co2
, ,
l +1
A = 2co col Ica co2
b3co ,2 ,2

col co2
,
B == B +iB
2co b2co b3co
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou D1A / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
22
Annexe Mathmatique
, ,
B = Qblcol + Qb2
co2
b2co ,2 ,2
~ ~
col c02
, ,
Q -Q
B = b2 col bl co2
b3co ,2 ,2
~ ~
col co2
, ,
Vphco2(d,(i),B) =V
co1
+iV
co2
(111-14-a)
1
IVphco2 (d,m, 8ll;" V ; ~ l + V ; ~ 2 y.
,
V =v ''1/
co2 r 2co
,
V =Vo +iVo
bco col co2
1
, ('2 '2 ]-
V - VO + Va 2
1 bcol- col co2
Va
'1/ = arctg( co2)
2co '
Va
col
P2 (d, (i), B, S/2 ) =J ph2(d , (i), B, S/2 ) . VPh2 (d, (i), B, S/2 )
1
q [, nl 2 '2 J2
leb2 (d,(i), B,Sf2)1 =_. (ObI + -) + 0b2
V
r
Nb
(111-15)
(111-16)
23
-------x=:---.-------:----:---=:----::---:---::----:---,--,....-.-.-:-------------
Annexe Mathmatique
Base 3: Eclairement simultan des deux faces avant et arrire
Densit des porteurs minoritaires en excs dans la base de fa photopile:
(IV-10)
* 80
n3
1
D 0-- =8/
3
0
0 3
n ax n x=d
x=d
* 80
n3
1
D 0-- =-Sb3 08 3
n 8x n x = H2
x=H2
la jonction
la face arrire
(IV-11)
(IV-12)
Thse de 3
erne
24
Annexe Mathmatique
(
*2 2 2) *
1\. .' 2 =-:b "D + S, ,.,S/.. (Z., -Z" ,J + 2a 2Sb3Sf3Z1bZ2L + D (Sb3 + Sf
3
)(a 2Z21.. +
:'0 n 0.).) 10 L.U Sun c u <.-..<..
25
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DIA / LASES / fSr - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
r L1 +1 ~
A == - sbi sbi sb2 sb2
sbi L12 +~
sbi sb2
[' ~ -[' ~
A == - sb2 sbi sbi sb2
sb2 ~ + ~
shI sb2
~ ~ ~ ~
B == sbI sbI sb2 sb2
sbi ~ +L12
sbi sb2
~ - ~
B = sb2 sbI sbI sb2
sb2 ~ + ~
sbI sb2
26
Thse de 3
erne
Annexe Mathmatique
8 b1 =a A b1 - b A b2 +a B b1 +b B b2 + u b1
s cs cs ss ss s
1
1
5
nJ(x,OJ,B,SfJ)\ =(5;bl + 5;b2)2
Photocourant :
(IV-13)
*( A} d B
3
d 3 { )J
J ph3 (d, OJ,B,Sf3) =qD
n
---;-sh(---;-) + -;-ch(---;-) + 'Lbk
fJ
k ,exp(-bk (H2 - d)) - exp( -bk
d
)
L
2
L
2
L
2
L
2
k =1
1
J
ph3
(d,(JJ,B,Sf3) = J
sb1
+U
sb2
IJphJ(d,U},B,SfJ)j=(J;bl +J;b2)2
J
avec \fi =arctg( sb2)
sb J
sb1
k 1bkP
k
(exp(-b
k
(H2 - dl) - a
sb
+ib
sb
(IV-13-a)
27
Thse de 3
eme
Cycle prsente par Amadou DrA / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
On pose:
d
l
( --- )
* * H2 * ft L
(M) L
2
sh(-) - (K)c Dnch(--) +Sb3
L
2
Sh
(--)J
3 L* L* L*
A - "P 2 2 2
3cc - L,., k * H * H
k = 1 L
2
S
b3
sh(--) + Dnch(-)
L* L*
2 2
2
8
Thse de 3
erne
Annexe Mathmatique
A ~ = A + iA
~ J c c sblcc sb2cc
CT /:). + CT ~
A = sbl sblcc sb2 sb2cc
sblcc /:).2 + 112
sblcc sb2cc
CT ~ -CT ~
A = sb2 sblcc sbl sb2cc
sb2cc ~ + 112
sblcc sb2cc
* d [* H2 * H2 J .
-(M)-L
2
-ch(-)+(K)c - D
n
sh(-)+Sb3L2ch(-) =K
1sb
+zK
2sb
L* L* L*
2 2 2
B = B +iB
3cc sblcc sb2cc
CT ~ +CT ~
B = lsb sblcc 2sb sb2cc
sblcc /:).2 + ~
sblcc sb2cc
(J" 11 - (J" ~
B = 2sb sblcc lsb sb2cc
sb2cc /:).2 + ~
sblcc sb2cc
29
Thse de 3erne Cycle prsente par Amadou DIA / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
J phcc3 (d,m, B) =J sblcc + iJsb2cc
1
IJphcc3 (d,m,B)j =(J;blcc + J;b2cc )2
avec
J
\{1 =: arctg( sb2cc)
sbcc J
sblcc
(IV-13-c)
1 a (A Z + A Z) + b (A Z - A Z)
1 =: sI sblcc lb sb2cc 2b sI sb2cc lb sblcc 2b
sbl Z2 + Z2
lb 2b
, a (B Z + B Z) +b (B Z - B Z)
1 = cl sblcc lb sb2cc 2b cl sblcc 2b sb2cc lb
sb2 Z2 +Z2
lb 2b
a (A Z - A Z) - b (A Z + A Z)
/ = sI sb2cc lb sblcc 2b sI sbIcc lb sb2cc 2b
lsb Z2 + Z2
lb 2b
a (B Z - B Z) + b (B Z + B Z)
/ =: cl sb2cc lb sblcc 2b cl sblcc lb sb2cc 2b
2sb Z2 +Z2
lb 2b
Phototension :
(IV-14)
V
O
If! =: arctg( sb2)
sbI VO
sbl
avec
V
ph3
(d,m,B,S/3) =V
sbl
+iV
sb2
1
Ivph3 (d,m, B,Sf3)\ =: s ~ l + V}b2)2"
Thse de 3
eme
Cycle prsente par Amadou DIA ! LASES ! FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
* H * H .
D sh(-) + L
2
S
b3
ch(-) = bl + I b2
n L* L* s co s co
2 2
( ) * [* H2 * H2] * d . b
k
\exp(-b
k
(H2 - d)) - exp(-bkd) . L
2
Dnch(-) + Sb3L2sh(-) - L
2
(M) ch(-) == Zsblco + lZsb2co
L* L* L*
2 2 2
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DIAO / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
31
Annexe Mathmatique
3
L f3 (Z +iZ )=r +ir
k =1 k sb1co sb2co sb1co sb2co
/ '
r
sb1co
=k sb1co -
3 ( , _, )
r = Z + Z
sb2co k 1 Pl sb2co P2 sb1co
A = A + iA
3co sblco sb2co
r +r r -r
A = sblco sblco sb2co sb2co A = sb2co sblco sb1co sb2co
sblco + sb2co +
sblco sb2co sblco sb2co
3
k: If3
k
(X
sbl
+iX
sb2
) =n
sb1
+in
sb2
B = B +iB
3co sblco sb2co
Annexe Mathmatique
o +0 i1
B = sbI sbIeo j'b2 sb2eo
sbleo +
. sblco sb2eo
o i1 -0 i1
B = sb2 sbIeo sbI sb2eo
sb2eo i1
2
+ i1
2
sblco sb2eo
Vpheo3(d,m,B) =VcosbI +iVcosb2
1
/Vphe03(d,m,B)! = (VC20Sbl + VC20Sb2)2
(/V-14-a)
v = V lnlv 1
cosbl T seo
v =V-'If
cosb2 T eo3
v =VO + iVe
seo cosbl cosb2
1
I
v j=(V02 +vo
2
)2
seo cosbl cosb2
(IV-15)
(IV-16)
1
q [ III 2 2:
2
IC
b3
(d,@,B,Sh)l= v
r
(Osbl + Nb) +Ob2
sbl -bel A
sb2
+aslBsbl +bslBsb2 +k! /; (eXP(-b
k
(H2-d)) + eXP(-bkd)
__:_----- 3
3
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DrA / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
Base: Vitesses intrinsques:
Eclairement par la face avant:
(V-1-a)
1
ISb
11
/ =(S;bl +Sfbl)2
-bkd)ch( -exp(-bkH2 ))- exp( -bkd )sh(

3 D* L* L*
Sb
I2
= '" _*n ) )
L.. r j (V-1-b)
k=IL
m
H * H
exp( -bkd -exp(-bkH2) -bkL) exp( -bkd
L* L*
) )
Thse de 3
erne
Cycle prsente par Amadou DTAO / LASES / fST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Matbmatique
1
ISb12/ =(Sjbl + Slbl )2
.... * )-exp(-b
k
d))+exp(-b
k
H2)sh( )1]
3 D
n
Loo Loo
SI] == l -*- [ ] (V-2)
k =] Loo H * H
(exp( -bkd)- exp( -bkH2 )ch(-)) - bkLoo exp( -bkH2 )sh(-)
L* L*
00 00
Sfl =Sofl + iS
lfl
l
== ( S;fl +sffl)
2
Eclairement par la face arrire:
35
Thse de 3
me
Cycle prsente par Amadou DrAO / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
C4b2 =b
k
exp(-b
k
(H2 - s2
Z
2b - b
s2
Z
1b
)+ bc2 exp(-b
k
(H2 - d))
C
1b2
= (l-ac2 exp(-b
k
(H2 -d)))+ b
k
exp(-b
k
(H2 - d))bc2
Z
2b - as2 exp(-b
k
(H2 - d)))
C
2b2
= V-ac2 exp(-b
k
(H2-d)))-b
k
exp(-b
k
(H2- d))b
c2
Z
lb
+b
s2
exp(-b
k
(H2 -d)))
1
ISb
22
1 =(SJb2 +
Sf
2
=Sof2 + iS
1f2
Thse de Jerne Cycle prsente par Amadou DrAO / LASES / FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
C
1f2
= D: (bkZ
1b
(exp(-b
k
(H2 - d)) - aC2)+ bkbc2
Z
2b +aS2)
C
2f2
= D:(bkz2b(exp(-bk(H2-d))-aC2)-bkbc2Z1b -b
s2
)
1
/Sf
2
1 =(S;f2 +
Eclairement simultan des deux faces avant et arrire:
[bkL:[(eXP(-bkd)-exP(-b
k
( )+ 1-eXP(-bkH2)]-(exP(-bkd)+exP(-bk( )]

Sb
32
= l
k = 1L) (exp(-bkd)+exp(-b
k
( )-(1 +exp(-b
k
H2))+b
k
L:sf( )(exp(-b
k
(H2-d))-exp(-b))
L) L)
C
3b3
=b
k
(exp(-bk(H2-d))-exP(-bkd)).(as2Z1b +bS2Z2b)-I-eXp(-bkH2) +
a
c2
(exp(-b
k
(H2 - d)) + exp(-b
k
d))
Thse de Jerne Cycle prsente par Amadou DJA 1 LASES 1 FST - UCAD - SENEGAL 2005
Annexe Mathmatique
C4b3 =bc2 (eXp(-b
k
(H2 - d)) +exp(-b
k
d)) +
b
k
(exp(-bk(H2-d))-eXp(-bkd)).(aS2z2b -b
s2
Z
lb
)
c _D* [b
k
Z
2b
c2 {exp(-bkd) -exp(-bk (H2 - d)))+ 1- exp(-b
k
H2))+ 1
2b3 - n bkbc2Zlb (eXp(-bkd) - exp(-b
k
(H2 - d)))+ b
s2
(exp(-bkd) +exp(-b
k
(H2 - d))))
1
ISb
32
1=(S1b3 +SJb3)2
)
3D
Si] = L .n.
k = 1L) [eXP(-bkd) +exp(-b
k
( H2 -d))- (1 ) ;(1- eXP(-b
k
H2))]
Lw Lw
38
Thse de 3
erne
Annexe Mathmatique
C _ D*[b
k
Z
1b
lac2lexp(-bkH2) -1)+ exp(-b
k
(H2 - d)) - exp(-bkd))-l
1f3 - n bkbc2z2b(exP(-bkH2)-l))+aS2(exP(-bkH2)+1)J
1
/Sf
3
! = (S;f3 + S12
f3
)2
..

Mr. Amadou DIAO
Matre s Sciences
Mmoire de THESE DE 3
me
CYCLE EN PHYSIQUE
Option: Energie Solaire
Soutenu publiquement le 15/01 12005 devant le jury compos de :
ETUDE EN MODELISATION D'UNE PHOTOPILE BIFACIALE AU SILICIUM
MONOCRISTALLIN EN RGIME DYNAMIQUE FRQUENTIEL SOUS
CLAIREMENT MULTISPECTRAL ET SOUS L'EFFET D'UN
CHAMP MAGNTIQUE
Phototension - Phototension de circuit ouvert - Puissance - Capacit - Frquence de
modulation - Champ magntique.

,f

Prsident M. Mansour KANE Professeur FST/UCAD

Il.\
o'J: Membres:
M. Amadou. L N'DIAYE Matre de Conf. FST/UCAD
M. Mamadou ADJ Matre de Conf. ESP/UCAD
M.lssakha YOUIVI Matre de Conf. FST/UCAD
M. Franois ZOUGMORE Matre de Conf. UFR-SEAI
Ouaga.
M. Bassirou BA Matre de Conf. FST/UCAD
M. Grgoire SISSOKO Professeur FST/UCAD

'., R' ,
esume:
Il')
Une tude bibliographique, en rgime statique, sur des mthodes de dtermination du
'1 coefficient et de la longueur de diffusion, de la vitesse de recombinaison en face arrire, des li-
.' rsistances srie et shunt, a t prsente; aussi, en rgime dynamique transitoire et
1
..;. frquentiel, plusieurs mthodes de dtermination des paramtres phnomnologiques, ont
t mises en exergue.
L'tude thorique en modlisation de la photopile bifaciale, en rgime dynamique .
frquentiel, sous clairement multispectral et sous l'effet d'un champ magntique, est faite
(i' pour les trois modes d'clairement. I}
Cette tude a permis d'tablir, en fonction de la frquence de modulation et de .
l'intensit du champ magntique, les expressions, du coefficient et de la longueur de
diffusion, de la densit des porteurs minoritaires, du phototcourant et de sa phase, de la
phototension, de la puissance et de la capacit de diffusion de la zone de charge d'espace.
Les expressions du photocourant de court-circuit et de sa phase, de la phototension ,
de circuit ouvert, ont t tablies, puis les caractristiques courant-tension et de puissance
en fonction de la phototension, ont t reprsentes pour diffrentes intensits du champ
magntique et de la frquence de modulation.
Diffrentes mthodes de dtermination cie ia iongueur cie effective, ont t ti
proposes et deux modles de circuits lectriques quivalents de la photopile, ont t
exposs.
"

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