UNION P-N

Explicacin:
Estableciendo al anodo del diodo una cantidad de Voltios de 2.6053E-1. La unin p-n esta polarizada directamente cuando la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Vemos que los huevos de la regin p y los electrones son empujados hacia la unin por el campo elctrico. Los electrones de la regin n pasan a ocupar los huecos de la regin p, de modo que en ambas regiones se cargan de forma inversa. Se observa que los electrones toman una carga negativa (Q), y los huecos una carga negativa dentro de la regin de agotamiento, en la carga especial. Se observa concentracin de movimiento de electrones. Ahora el valor de campo elctrico ha ido aumentando hasta llegar a su punto mximo, llegando a evitar que los electrones pasen a la regin p, formando una zona de contacto en la regin de agotamiento.

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Explicacin:

En este caso si establecemos un mayor voltaje en la regin P, observaremos que los nmeros de electrones inyectados y el nmero de huecos inyectados es mayor y constante. Existe mayor concentracin, y su campo elctrico su valor mximo de -0.E0 V/cm. Existiendo un mayor voltaje de contacto.

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La ley de Shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schotty. Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente

Cuando se le asigna un voltaje de 0.4 V en la regin tipo-P, siendo su flujo constante de electrones pasando a ocupar la zona hueca tipo-N.

Existiendo mayor concentracin de electrones en la regin tipo-N y menor concentracin de huecos en dicha regin. Existiendo mayor concentracin de huecos en la regin tipo-P y menor concentracin de electrones, produciendo un voltaje de contacto.

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Conmutacin del diodo

Se consideran diodos de "conmutacion", a los diodos que tienen tiempos de respuesta muy cortos, al cambio del sentido de la corriente. Por ejemplo, los diodos shockley son los ms rpidos y los mejores para esa tarea. Para escoger el diodo, hay que tener en cuenta la capacidad de corriente y el voltaje inverso que debe soportar, luego busca en una gua de reemplazos como el NTE.

Se puede realizar la conmutacin de un diodo cambiando la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo clic con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible. Se puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin.

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Cuando se realiza la conmutacin se produce un cambio de tensin y corriente, con un nivel alto y luego mantiene la estabilidad. con un tiempo de corto de 38.90 ns. Se puede configurar los parmetros de la simulacin, tanto la tensin inversa como la tensin directa y el valor de la resistencia. Tambin se pueden configurar los parmetros del comportamiento del diodo en la difusin de los electrones como la difusin de los huecos en medida de cm cuadrado sobre segundos.

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