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ASPECTOS CONSTRUTIVOS DE TRANSISTORES

TRANSISTORES DE JUNO POR LIGA Os primeiros transistores encontrados comercialmente, nos primrdios de 1950, foram feitos pelo processo de juno de liga de germnio. Neste processo, as junes pn eram formadas pela liga de germnio com outro metal. Nos transistores pnp, duas pelotas de ndio, !ue formariam as ligaes do emissor e do coletor no transistor completo, foram colocadas so"re os lados opostos de uma fatia de germnio monocristalino do tipo n. # fatia de germnio, !ue forma$a a "ase, tin%a apro&imadamente 50 'm de espessura. O conjunto inteiro era a!uecido num ga"arito ou modelo a uma temperatura de cerca de 500 (), e parte do ndio era dissol$ida no germnio para formar germnio tipo p no resfriamento. *este modo, duas junes pn eram formadas, conforme indicado na seo trans$ersal simplificada na +igura ,.-0. Os fios de ligao foram presos .s pelotas de ndio como fios condutores do emissor e do coletor, um ta"lete de n !uel preso / "ase para proporcionar a ligao da "ase e montar o transistor so"re uma tra$essa, O transistor era depois encapsulado num in$lucro de $idro ou de metal. Os transistores N'N eram fa"ricados por este processo usando germnio do tipo p para a "ase, e pelotas de c%um"o0 antimonio em $e1 de ndio. O processo de juno por liga ainda 2 usado atualmente em alguns transistores de pot3ncia de audiofre!43ncia. O desempen%o de um transistor de juno por liga 2 limitado pela largura da "ase. 5m particular, a fre!43ncia de corte 2 in$ersamente proporcional / largura da "ase. 6e o conjunto foi a!uecido durante um tempo mais longo para permitir !ue mais ndio se dissol$a de modo !ue a juno pn penetre mais na fatia de germnio, %/ o risco de as junes se unirem e de no acorrer ao de transistor, 'or causa da dificuldade de controlar a largura da "ase com, a preciso maior do !ue a da espessura da fatia original, a largura da "ase foi mantida em apro&imadamente l0 'm. 7sto deu aos primeiros transistores de juno por liga uma fre!43ncia de corte de cerca de 1 891, em"ora os refinamentos feitos posteriormente no processo de fa"ricao permitissem !ue esta fre!43ncia fosse aumentada para 5 ou 10 891. *urante os anos de 1950, outros tipos de transistor foram desen$ol$idos para superar as limitaes do transistor tipo de juno por liga. :m destes foi o transistor de liga difundida. Neste, duas pelotas !ue forma$am o emissor e a "ase foram ligados do mesmo lado de uma fatia de germnio do tipo p !ue constitu a o coletor. # pelota da "ase contin%a impure1as do tipo n, en!uanto
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!ue a pelota do emissor contin%a tanto impure1as do tipo p !uanto do tipo n. #t2 se a!uecer o conjunto a ,00 () ocorria a liga, mas al2m disso ocorria a difuso das impure1as do tipo n no germnio do tipo p antes da liga. No resfriamento, fica$a formada uma fina camada do tipo n enlaando am"as as pelotas, com uma camada do tipo p apenas so" a pelota do emissor, *este modo, um transistor pnp com uma estreita camada de "ase ficou formado. 5m $irtude da estreita camada da "ase, a fre!43ncia de corte deste tipo de transistor era de pro&imadamente ;00 a ,00 891. O transistor de liga difundida foi amplamente usado nas aplicaes de alta fre!43ncia, at2 !ue foi su"stitu do pelo transistor epita&ial planar de sil cio. :m outro tipo de transistor desen$ol$ido originalmente com germnio em 195; foi o transistor0mesa. 5ste transistor foi desen$ol$ido para aprimorar as caracter sticas de c%a$eamento ou comutao e o desempen%o nas altas fre!43ncias dos transistores ento e&istentes. O princ pio era o ata!ue !u mico das "ordas ou transies da estrutura do transistor para diminuir as /reas da juno e assim redu1ir as capacitncias. # forma resultante era uma mesa ou plat<, conforme indicado na +igura ,.-1. Os ransistores0mesa de germnio originais eram capa1es de comutar formas de onda com tempos de crescimento de 1 ps, e tin%am um desempen%o nas altas fre!43ncias compar/$el ao da tipo de liga difundida.

Figura 8.41 Sero transversal do transistor mesa

O princ pio da tecnologia mesa por ata!ue !u mico 2 usada amplamente no momento em muitos tipos de transistores. 5le permite !ue as transies do transistor sejam controladas, em particular !ue as transies da juno coletor0 "ase sejam claramente definidas. O ata!ue !u mico mesa tam"2m constitu um processo preliminar na passi$ao, a =$edao= das transies de transistor para e$itar a contaminao das transies da juno e a conse!4ente $ariao das caracter sticas durante o ser$io. # introduo de sil cio durante a d2cada de 1950 proporcionou ao fa"ricante de transistores um no$o material com $antagens consider/$eis so"re o germnio. 5m particular, os transistores de sil cio suportaro uma temperatura mais alta na juno e tero correntes de fuga mais "ai&as do !ue os transistores de germnio. #s t2cnicas de liga desen$ol$idas para o germnio foram aplicadas ao sil cio, Os transistores pnp de sil cio foram fa"ricados de uma fatia de sil cio do tipo n >!ue forma$a a "ase? na !ual as pelotas do emissor e do coletor foram

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ligadas do mesmo modo !ue nos transistores de juno por liga de germnio. O material usado nas pelotas da liga era alum nio. TRANSISTORES DIFUNDIDOS *esde cedo compreendeu0se !ue as regies de impure1a nos transistores de sil cio podiam ser difundidas numa fatia de material depositada na superf cie por $apori1ao, e !ue este processo tin%a consider/$eis $antagens so"re o processo de liga. 5m particular, o maior controle poss $el so"re o processo tornou mais f/cil fa"ricar dispositi$os com caracter sticas superiores aos dos transistores de liga. :m transistor N'N de sil cio podia ser feito por duas difuses numa fatia do tipo n !ue formaria o coletor do transistor completo. # primeira difuso, formando a "ase, usa$a impure1as do tipo p, tais como o "oro ou g/lio, e co"ria toda a superf cie da fatia. # segunda difuso forma$a o emissor, difundindo impure1as do tipo n, tais como fsforo ou ars3nico na regio da "ase j/ difundida. #s ligaes el2tricas da "ase foram feitas fa1endo0se a liga dos contatos de retificao atra$2s do emissor . "ase, :m refinamento deste processo de fa"ricao 2 usado atualmente nos transistores de sil cio de alta pot3ncia. # desco"erta de !ue o &ido de sil cio termicamente crescido so"re a superf cie da fatia podia formar uma "arreira para a difuso, e assim podia ser usada para definir as regies de impure1a, deu ensejo ao aparecimento de uma no$a t2cnica de fa"ricao de transistores 0 o processo planar. TRANSISTOR PLANAR O processo planar re$olucionou a fa"ricao dos transistores. 'ela primeira $e1 na fa"ricao de dispositi$os eletr<nicos, podiam ser aplicadas as $erdadeiras t2cnicas de produo em massa. O processo permitia o controle mais rigoroso so"re a geometria do dispositi$o, mel%orando assim o desempen%o. *urante os anos de 1950, o transistor %a$ia sido primeiro uma ino$ao, depois considerado como um e!ui$alente da $/l$ula termi<nica. )om a introduo do processo planar em 19;0, o transistor esta"eleceu0se como um dispositi$o com um desempen%o superior ao da $/l$ula na eletr<nica de =propsitos gerais=. # operao nas, fre!43ncias at2 a regio de microondas tornou0se poss $el. #ssim como ocorreu na operao dos transistores de

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pot3ncia nas radiofre!43ncias. 5 foi o processo planar !ue tornou o mais importante dispositi$o semicondutor dos dias de %oje 0 o circuito integrado. O princ pio do processo planar 2 a difuso de impure1as nas /reas de uma fatia de sil cio definidas pelas janelas numa camada de &ido de co"ertura. Os $/rios est/gios na fa"ricao de um transistor N'N planar de sil cio so mostrados na +igura ,.-@. :ma fatia de sil cio monocristalino do tipo n >!ue formar/ o coletor do transistor completo? 2 a!uecida at2 apro&imadamente 1l00 ) numa corrente de o&ig3nio Amido. # temperatura 2 controlada para mel%or do !ue B 0 1 grau ), e uma camada uniforme de di&ido de sil cio de 0,5 'm de espessura 2 acrescida 0 +igura ,.-@ >a?. a fatia 2 re$estida em rotao com uma fotorresist3ncia, um material orgnico !ue polimeri1a !uando e&posto . lu1 ultra$ioleta, produ1indo uma camada de cerca de 1 'm de espessura a fotorresist3ncia 2 seca por co1imento. :ma m/scara !ue define a /rea da "ase 2 colocada so"re a fatia e&posta. No desen$ol$imento da fotorresist3ncia, a /rea no e&posta 2 remo$ida >dando acesso / camada de &ido?, en!uanto !ue a /rea e&posta permanece e 2 endurecida por outro co1imento para resistir ao ata!ue !u mico. 5ste ata!ue !u mico remo$e o &ido desco"erto para determinar a /rea de
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difuso. # fotorresist3ncia remanescente 2 dissol$ida, dei&ando a fatia pronta para a difuso da "ase 0 +igura ,.-@ >"?. O "oro 2 usado para formar o sil cio tipo p na regio da "ase. # fatia 2 passada atra$2s de um tu"o de difuso num forno. :ma corrente de g/s 2 passada so"re a fatia !ue cont2m uma mistura de o&ig3nio com tri"rometo de "oro CCrD ou di"orano >"oroetano? C@9;. O composto de "oro se decompe, e fica formado um $idro rico em "oro so"re a superf cie da fatia. # partir disto, o "oro 2 difundido no sil cio atra$2s da janela a"erta na "ase. O $idro 2 ento remo$ido por um ata!ue !u mico, e a fatia a!uecida numa corrente de o&ig3nio num segundo forno. 7sto fa1 o "oro penetrar mais na fatia, e cresce uma camada de &ido de $edao so"re a superf cie. # profundidade a !ue penetra o "oro 2 determinada pelo controle cuidadoso da temperatura do forno e pelo tempo durante o !ual a fatia 2 a!uecida. # estrutura resultante 2 mostrada na +igura ,.-@ >c?. +igura ,.-@ 5st/gios na fa"ricao de transistor planar N'N de sil cio >a? camada de &ido crescida >"? janela da "ase a"erta >c? "ase difundida, &ido de $edao crescido >d? janela de emissor a"erta >e? emissor difundido, &ido de $edao crescido >f? janelas de cone&o a"ertas >g? almofadas de cone&o formadas >%? forno de difuso t pico da fa"ricao de transistores >i? encapsulamentos t picos de transistores 0 fila superior, da es!uerda para a direitaE FO05 FO0G@, FO0D9, FO01,, FO09@, =F pacH=, =IocHfit=J fila inferior, da es!uerda para a direitaJ FO0@@0, FO01@;, FO0D ="ase grossa=, FO0D ="ase fina=. O pr&imo est/gio no processo planar 2 a difuso do emissor. # fatia 2 re$estida com uma fotorresist3ncia como antes, e uma 6egunda m/scara usada para definir a /rea de difuso. # e&posio, o desen$ol$imento e o ata!ue !u mico so os mesmos como na difuso da "ase !ue aca"amos de descre$er. # estrutura antes da difuso do emissor 2 mostrada na +igura ,,-@ >d?. O fsforo 2 usado para formar a regio do emissor do tipo n. # corrente de g/s no forno de difuso desta $e1 cont2m o&ig3nio e o&icloreto de fsforo 'O)lD, tri"rometo de fsforo 'CrD ou fosfina '9D. +ica formado um $idro rico em fsforo, do !ual o fsforo 2 difundido para formar um sil cio do tipo n na regio da "ase do tipo p j/ difundida. :m segundo forno le$a o fsforo a uma profundidade controlada e forma uma camada de &ido de $edao, conforme mostrado na +igura ,,-@ >e?. O est/gio final nesta parte do processo de fa"ricao consiste na formao das ligaes para as regies da "ase e do emissor. :ma terceira m/scara 2 usada para definir os contatos da "ase e do emissor, sendo os processos fotogr/fico e de ata!ue !u mico os mesmos !ue os descritos anteriormente 0 +igura ,.-@ >f?. # fatia est/ co"erta com alum nio pela e$aporao so"re a superf cie para formar uma camada de espessura de cerca de 1 'm. :ma !uarta m/scara, o in$erso da terceira, 2 ento usada para definir as /reas onde o alum nio de$e ser !uimicamente atacado, dei&ando apenas as almofadas de contato para ligaes el2tricas 0 +igura ,.-@ >g?.

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O processo at2 agora foi descrito por clare1a como se apenas um transistor esti$esse sendo fa"ricado. Na pr/tica, muitos mil%ares de dispositi$os so fa"ricados ao mesmo tempo. #s fatias de sil cio, usadas presentemente so de 5 cm de dimetro, contendo at2 10 000 transistores, mas fatias de G,5 cm de dimetro esto comeando a ser usadas, 8ais do !ue 100 fatias so processadas ao mesmo tempo num forno de difuso, 8esmo nos primeiros dias do processo planar, !uando fatias de sil cio foram usadas com @,5 cm de dimetro contendo @ 000 transistores, o processo representa$a um aumento consider/$el na capacidade de produo so"re o processo de juno por liga, com uma conse!4ente !ueda do custo unit/rio. :m forno de difuso t pico 2 mostrado na +igura ,.-@ >%?. 5ste 2 um forno duplo de "anco triplo, e 2 mostrado sendo carregado com lotes de fatias de sil cio para difuso. 'rocessos de difuso semel%antes aos descritos nos transistores N'N podem ser usados para fa"ricar transistores pnp. :ma fatia de sil cio do tipo p 2 usada, e o fsforo difundido para formar as regies da "ase do tipo n. Kuando as regies do emissor esto formadas, no entanto, %/ uma tend3ncia para !ue o "oro se concentre na camada de &ido !ue est/ crescendo em $e1 de na "ase de sil cio do tipo n, e as t2cnicas especiais de difuso de$em ser usadas. *a descrio dos processos de difuso ser/ e$idente !ue a preciso das m/scaras usadas para definir as /reas de difuso 2 de importncia primordial. O primeiro est/gio na preparao das m/scaras usa um filme opaco descart/$el em !ue uma forma transparente 2 cortada. # /rea transparente representa a /rea de difuso particular, a "ase, emissor, ou /rea de contato de um Anico transistor, :m processo de reduo de @0E1 2 usado para reprodu1ir esta forma numa c%apa fotogr/fica de 50 mm L 50 mm. 5sta c%apa 2 c%amada um ret culo. :ma cmara de passos sucessi$os ou de repetio 2 usada para reprodu1ir o ret culo com uma reduo de 10 E1 num arranjo predeterminado numa segunda c%apa fotogr/fica. # preciso de posicionamento de cada reproduo do ret culo no dispositi$o 2 maior do !ue 1 'm. # segunda c%apa fotogr/fica 2 c%amada mestra, e a partir dela cpias de tra"al%o so feitas para uso nos processos de difuso. 'ara e$itar defeitos nas m/scaras, todos os processos fotogr/ficos e de fa"ricao ocorrem nas /reas de =ar puro= so" umidade e n $eis de poeira cuidadosamente controlados. O alin%amento cuidadoso das m/scaras com as fatias 2 essencial se a geometria do transistor de$e ser recisamente controlada. O alin%amento pode ser feito por um operador !ue usa um microscpio, ou no e!uipamento mais recente 2 feito automaticamente. # e&posio da m/scara na fatia pode ser feita com a m/scara e a fatia grampeadas juntas, ou em algum e!uipamento pela projeo de uma imagem da m/scara na fatia. # preciso da superposio da m/scara e das /reas difundidas pre$iamente so"re a fatia 2 mel%or do !ue 1 'm. Os processos fotogr/ficos !ue precedem a difuso de$em ocorrer cm condio de =ar puro=.
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Os processos de fa"ricao depois de ter sido formado o elemento de transistor so os mesmos tanto para transistores N'N !uanto para os pnp. Fodos os transistores da fatia so indi$idualmente testados. 7sto 2 feito por meio de sondas !ue podem mo$er0se ao longo de uma fila de transistores so"re a fatia testando cada umJ locali1ar a transio da fatia, passar para a pr&ima fila, e mo$er0se ao longo desta fila testando estes transistores. Kuais!uer transistores !ue no alcancem a especificao re!uerida so automaticamente marcados de modo !ue possam ser rejeitadoJ num est/gio posterior. # fatia 2 di$idida em transistores indi$iduais escre$endo com um estilete de diamante, e !ue"rando a fatia em pastil%as indi$iduais. M neste est/gio !ue os transistores defeituosos so rejeitados, Os transistores restantes so preparados para o encapsulamento. # camada de &ido 2 remo$ida do lado do coletor da pastil%a, !ue 2 depois ligada a uma tra$essa re$estida de ouro. # ao de ligadura ocorre pela reao eut2tica do ouro e do sil cio a -00 (). 5ste contato forma a ligao do coletor. 6o usados fios de alum nio ou de ouro de @5 'm de dimetro para ligar as almofadas de contato do emissor e da "ase dos fios condutores de sa da na tra$essa. +ios mais grossos podem ser usados se o $alor de regime de corrente >contente nominal? do transistor o re!uerer. O est/gio final da montagem 2 o encapsulamento, ou num in$lucro %ermeticamente $edado ou cm pl/stico moldado, dependendo da aplicao do transistor. 5ncapsulamentos t picos de transistores so mostrados na +igura ,.-@ >i?. O transistor planar possui $antagens so"re o tipo de juno por liga al2m do custo mais "ai&o pela fa"ricao de produo em massa. *urante cada progresso da difuso, uma camada de &ido 2 crescida so"re as transies da juno, a !ual no 2 pertur"ada durante os processos su"se!4entes de difuso e de montagem. #ssim, a juno coletor0"ase, uma $e1 !ue ela seja formada 2 $edada pela camada de &ido, no pode ser facilmente contaminada pela difuso do emissor, teste e encapsulamento, ou durante o tempo de $ida do transistor em ser$io. Os efeitos de carga !ue ocorrem nas superf cies e&postas dos dispositi$os semicondutores so minimi1ados, dando aos transistores planares caracter sticas est/$eis e m/&ima confia"ilidade, #l2m disso, a difuso 2 um processo !ue pode ser precisamente controlado, e portanto o espaamento entre as tr3s regies do transistor pode ser mantido numa tolerncia inferior a 0,1 'm.

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FN#N676FON56 com estreitas larguras de "ase podem ser fa"ricados para possi"ilitar a operao nas alta fre!43ncias, "em acima de 1 O91 :ma des$antagem do transistor planar ocorre atra$2s da resisti$idade do coletor. 'ara altas tenes de ruptura, a resisti$idade de$e ser alta. 'or outro lado, para uma alta corrente de coletor a resisti$idade de$e ser "ai&a. 5stes dois re!uisitos conflitantes de$em significar !ue um $alor de compromisso de$e ser escol%ido nos transistores pr/ticos. O conflito pode ser resol$ido, no entanto, constitui o su"strato. # fatia pode ser do tipo p ou do tipo n, de acordo com o tipo de transistor, e um $alor t pico de resisti$idade 2 1 L 10 05 m, # camada epta&ial 2 crescida no su"strato por deposio de $apor num reator a!uecido por radiofre!43cia, o su"strato senda mantido numa temperatura entre 1000 () e 1 @00 (). O $apor de sil cio 2 formado pela decomposio de um composto de sil cio, tal como u tetracloreto de sil cio 6i)l- com %idrog3nio, e as impure1as podem ser acrescentadas ao $apor para dar . camada a resisti$idade re!uerida. Nos su"stratos n, as impure1as !ue podem ser usadas incluem o fsforo, o ars3nico e o antim<nio. *esses materiais o ars3nico e o antim<nio so preferidos por!ue eles t3m "ai&as constantes de difuso. Nos su"stratos p, as impure1as usuais do tipo p alum nio e g/lio no podem ser usadas por!ue suas constantes de difuso so demasiado altas e as impure1as tenderiam a migrar da camada epita&ial para dentro do su"strato durante a fa"ricao do transistor. 'ortanto, o "oro 2 usado. Os /tomos de sil cio na camada epita&ial assumiro as mesmas posies relati$as !ue os /tomos no su"strato. #ssim, a rede cristalina !uase perfeita do su"strato de sil cio mono0 cristalinoP reprodu1ida na camada epita&ial. # espessura da camada est/ entre 10 'm e 1@ 'm, e um $alor t pico da resisti$idadeP 1 & 10 Q *m. #ssim, a massa do coletor no transistor 2 formada pelo su"strato de "ai&a resisti$idade.

+igura ,.-D 6eo trans$ersal simplificada de transistor epita&ial planar # formao do elemento transistor na camada epita&ial segue os mesmos est/gios !ue os do transistor planar descrito anteriormente. :ma seo trans$ersal simplificada do elemento transistor completo 2 mostrada na +igura ,.-D.
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FORMAS ESPECIAIS DE TRANSISTORES DE JUNO #tualmente o fa"ricante de transistores tem uma $ariedade de t2cnicas e de materiais . sua disposio. Oeometrias especiais para manipulao de grandes pot3ncias ou operao em radiofre!43ncias t3m sido desen$ol$idas e assim a fai&a de operao do transistor foi ampliada. #l2m disso, outros processos e difuso, gra$ao em mesa e a escol%a dos n $eis de dopagem permitem !ue os transistores sejam fa"ricados com caracter sticas especiais para satisfa1er a re!uisitos particulares. Os transistores de pot3ncia de germnio foram fa"ricados durante o in cio da d2cada de 1950 =aumentando proporcionalmente= os transistores de juno por liga de pe!uenos sinais. # /rea das junes foi aumentada, e a pelota do coletor foi ligada ao in$lucro para assegurar uma "ai&a resist3ncia t2rmica. Fais transistores podiam dissipar 10 R, mas apresentaram uma r/pida !ueda no gan%o para correntes acima de 1 #. No final da d2cada de 1950, o emissor de ndio era dopado com g/lio para aumentar a dopagem do emissor e portanto aprimorar o gan%o nas altas correntes. Os aperfeioamentos neste tipo de transistor permitem !ue ele seja usado atualmente com pot3ncias de at2 D0 R. Os primeiros transistores de pot3ncia de sil cio foram introdu1idos no final de 1950, e usaram as t2cnicas de difuso. #s regies da "ase e do emissor foram sucessi$amente difundidas num lado de uma fatia de sil cio do tipo n, e a ligao el2trica . "ase foi feita pela liga dos contatos de retificao atra$2s do emissor. 5ste tipo de transistor apresentou um "om gan%o at2 uma corrente de 5 #. Os refinamentos ao processo de fa"ricao durante os anos de 19;0 le$aram ao atual transistor de pot3ncia difundido capa1 de manipular correntes de at2 D0 # e pot3ncias de at2 150 R. *ois processos de fa"ricao so usados para este tipo de transistor de pot3ncia, os processos de difuso simples e de difuso tripla. O processo %ometa&ial ou de difuso simples usa uma difuso simultnea so"re os lados opostos de uma pastil%a de "ase %omog3nea, formando regies de emissor e de coletor fortemente dopadas. O emissor 2 gra$ado em mesa para permitir !ue a ligao el2trica seja feita com a "ase. 5ste tipo de transistor redu1 o risco de pontos !uentes pelo uso de uma "ase %omog3nea, a "ase larga proporciona "oas propriedades de segunda ruptura, e o coletor fortemente dopado proporciona "ai&a resist3ncia el2trica e t2rmica. Os transistores de pot3ncia por difuso tripla so fa"ricados difundindo0 se as regies da "ase e do emissor num lado de uma "olac%a do coletor. # terceira difuso forma um coletor difundido fortemente dopado so"re o outro

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lado. 5ste tipo de transistor tem um alto $alor de regime de tenso, muitas $e1es capa1 de suportar tenses de 1 ST ou mais. O processo epita&ial planar permite !ue outros aprimoramentos sejam feitos nos transistores de pot3ncia. 5m altas densidades de corrente, pode ocorrer contrao de corrente. 5sta 2 a causa da segunda ruptura. # transio do emissor torna0se mais polari1ada diretamente do !ue o centro, de modo !ue a corrente concentra0se ao longo da periferia do emissor. M portanto necess/rio projetar estruturas de "ase0emissor !ue diferem das geometrias anular ou em forma de pera dos transistores de pe!ueno sinal, e o aumento proporcional no mais pode ser feito. :m emissor com uma longa periferia 2 necess/rio. *uas estruturas !ue t3m sido usadas com sucesso so a estrela e a floco de ne$e, os nomes ser$indo para descre$er a forma do emissor. 5stas estruturas no podem ter sido produ1idas em transistores pr/ticos sem a t2cnica planar de difuso atra$2s de uma f<rma na camada de &ido. 5struturas mais comple&as de "ase0emissor podem ser produ1idas para com"inar a grande /rea do emissor e a periferia longa re!uerida para manipulao de alta pot3ncia com o restrito espaamento re!uerido para operao de alta fre!43ncia. +oram desen$ol$idas geometrias para possi"ilitar aos transistores de pot3ncia operar nas radiofre!43ncias. :ma tal geometria 2 a estrutura interdigitali1ada onde os contatos da "ase esto inseridos entre os contatos do emissor. :ma outra 2 a estrutura so"reposta onde um grande nAmero de tiras separadas do emissor so interligadas pela metali1ao numa regio de "ase comum. )om efeito, um grande nAmero de transistores de alta fre!43ncia separados so conectados em paralelo para condu1ir uma grande corrente. Os transistores !ue usam estas estruturas podem operar nas radiofre!43ncias, com pot3ncias t picas de 1G5 R a G5 891 e 5 R a - O91. :ma outra estrutura usada em transistores de pot3ncia 2 a estrutura me&a ou de "ase epita&ial. :ma camada epita&ial le$emente dopada 2 crescida num coletor fortemente dopado, e uma simples difuso usada para formar o emissor na camada de "ase epita&ial. # estrutura resultante 2 gra$ada em mesa. Os transistores me&a so reforados e t3m "ai&a resist3ncia de coletor. Os transistores de pot3ncia so usualmente encapsulados em in$lucros met/licos possi"ilitando a montagem num dissipador de calor. Nos Altimos anos, no entanto, tem %a$ido certa tend3ncia para os encapsulamentos pl/sticos. 7sto tem diminu do considera$elmente o custo do encapsulamento do transistor sem afetar o desempen%o. :ma placa de metal 2 incorporada no in$lucro pl/stico para garantir um "om contato t2rmico entre o elemento transistor e um dissipador de calor. :m transistor de pot3ncia usado como transistor de sa da num amplificador geralmente re!uer um transistor pr20amplificador para proporcionar pot3ncia de entrada suficiente. 6e am"os os transistores forem montados so"re dissipadores de calor, uma consider/$el !uantidade do $olume do amplificador
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ser ocupada por esses dois transistores. :m desen$ol$imento recente permite !ue seja economi1ado espao com"inando0se os transistores pr20amplificador e de sa da na mesma frao de pastil%a de sil cio num encapsulamento. 5sta construo 2 o transistor de pot3ncia *arlington, !ue pode ter um gan%o de corrente de at2 l 000 e sa das de pot3ncia de at2 150 R.

Figura 8.44 Diagrama de circuito do transistor de potncia Darlington

O diagrama de circuito de um transistor *arlington 2 mostrado na +igura ,.--. Os dois transistores e os resistores de "ase0emissor so formados numa frao de pastil%a por difuses sucessi$as usando o processo de "ase epita&ial. :m d odo tam"2m pode ser formado atra$2s dos terminais de coletor e de emissor para proteo, se re!uerida. Os gan%os de corrente dos dois transistores so controlados durante a fa"ricao, de modo !ue o gan%o glo"al $aria linearmente ao longo de uma fai&a da corrente de coletor. 5sta linearidade de gan%o 2 com"inada com espaamentos menores do !ue ocorreria com transistores discretos ligados no mesmo circuito. 5stas $antagens do transistor *arlington so com"inadas com uma des$antagemE o alto $alor de T)5>sat?.
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Os transistores para operao em alta fre!43ncia ou para c%a$eamento r/pido de$em Fer espaamentos estreitos entre o emissor, a "ase e o coletor. *uas geometrias so geralmente usadasE a "ase de anel e a "ase de tira ou fita. # estrutura de "ase em anel 2 =redu1ida proporcionalmente= a partir da estrutura anular usada para os transistores de "ai&a fre!43ncia. # estrutura de "ase em tira, !ue geralmente 2 preferida para operao em fre!43ncias mais altas, 2 mostrada na +igura ,.-5. 8uitas dessas estruturas podem ser ligadas em paralelo para aumentar a capacidade de transporte de corrente, formando a estrutura interdigitali1ada j/ descrita para os transistores de pot3ncia de N+. #s capacitncias internas do transistor, e as capacitncias espArias da montagem e do in$lucro, de$em ser mantidas to "ai&as !uanto poss $el para e$itar a restrio do limite das fre!43ncias superiores. :m processo de fa"ricao epita&ial planar de$e ser usado para manter "ai&a a resist3ncia do coletor. O n $el da dopagem 2 escol%ido para se ade!uar . fre!43ncia de operao e . tenso.

Figura 8.45 Estruturo "stripe-base "para transistores de alta re!"ncia. Na estrutura de "ase em tira, duas dimenses so cr ticas para o limite das fre!43ncias superiores. 5stes so a largura da tira do emissor >Re na +igura ,.-5? e a largura da "ase R". Nos transistores da atualidade !ue operam at2 a regio de microondas, a largura do emissor pode ser to "ai&a !uanto 1 'm e a largura da "ase 0,1 'm. TRANSISTOR DE UNIJUNO

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)omo se dedu1 do nome, um transistor de unijuno cont3m apenas uma juno, em"ora ele seja um dispositi$o a tr3s terminais. # juno 2 formada fa1endo0se a liga da impure1a tipo p num ponto ao longo do comprimento de uma fatia de sil cio do tipo n da forma de "arra curta. 5sta regio do tipo p 2 c%amada emissor. )ontatos de no0retificao so feitos nas e&tremidades da "arra para formar as ligaes da "ase 1 e da "ase @. # estrutura de um transistor de unijuno 2 mostrada na +igura ,.-; >a?, e o s m"olo do circuito na +igura ,.-; >"?.

igura 8.4# $ransistor de uni%un&o' (a) estrutura simpli icada (b) s*mbolo de circuito # resist3ncia entre as ligaes da "ase 1 e da "ase @ ser/ a da "arra de sil cio. 7sto 2 mostrado no circuito e!ui$alente na +igura ,.-G como NCC, e tem um $alor t pico entre - H o%ms e 1@ H o%ms. :ma tenso positi$a 2 aplicada . "ase, o contato da "ase @ estando conectado ao terminal positi$o. # "ase age como um di$isor de tenso, e uma proporo da tenso positi$a 2 aplicada . juno do emissor. O $alor desta tenso depende da posio do emissor ao longo da "ase, e est/ relacionada . tenso na "ase, TCC, pela ra1o n intr nseca. O $alor de n 2 determinado pelos $alores relati$os de NC1 e NC@, e est/ geralmente entre 0,- e 0,,.

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Figura 8.4+ ,ircuito e!uivalente de transistor de uni%un&o

Figura uni%un&o

8.48 ,aracter*stica de tenso-corrente de transistor de

# juno pn do emissor 2 representada no circuito e!ui$alente pelo d odo. Kuando a tenso T5 do emissor for nula, o d odo ser/ polari1ado in$ersamente pela tenso nTCC. +lui apenas a pe!uena corrente in$ersa. 6e a tenso do emissor for aumentada gradualmente, 2 alcanado um $alor onde o
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d odo se torna polari1ado diretamente e comea a condu1ir. Os "uracos so injetados do emissor para a "ase, e so atra dos para o contato da "ase 1. # injeo desses "uracos redu1 o $alor de NC1, de modo !ue flui mais corrente do emissor para a "ase 1, redu1indo mais o $alor de NC1. O transistor de unijuno atua portanto como uma c%a$e comandada por tenso, $ariando desde uma resist3ncia =desligada= alta at2 uma resist3ncia =ligada= "ai&a numa tenso determinada pela tenso da "ase e pelo $alor de n. # caracter stica de tensoUcorrente num transistor de unijuno 2 mostrada na +igura ,.-,. 'ode ser $isto !ue depois do dispositi$o ter sido disparado ou comandado, %/ uma regio de resist3ncia negati$a so"re a caracter stica. 7sto permite !ue o transistor de unijuno seja usado nos circuitos osciladores, "em como em circuitos simples de disparo. CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES DE JUNO Os atuais transistores de juno podem ser classificados de in cio !uanto ao material semicondutor do !ual eles so fa"ricados, germnio ou sil cio. :ma outra classificao 2 depois !uanto aos tipos N'N e pnp. 5m seguida 2 con$eniente grup/0los em tipos de "ai&a pot3ncia, pot3ncia m2dia e alta pot3ncia. #s di$ises entre os grupos so um tanto ar"itr/rias, mas $alores t picos so como segue. Nos transistores de germnio, os dispositi$os de "ai&a pot3ncia tero pot3ncias a"ai&o de 150 mR, os dispositi$os de pot3ncia m2dia, at2 1 R, e os dispositi$os de alta pot3ncia acima de 1 R para um limite superior t pico de D0 R. Nos transistores de sil cio, os dispositi$os de "ai&a pot3ncia t3m pot3ncias a"ai&o de 500 mR, os dispositi$os de pot3ncia m2dia at2 10 R, e os dispositi$os de pot3ncia alta acima de 10 R at2 um limite t pico de 150 R. TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO :m transistor de efeito de campo consiste essencialmente de um canal de transporte de corrente formado de material semicondutor cuja conduti$idade 2 controlada por uma tenso aplicada e&ternamente. # corrente 2 transportada por um tipo apenas de portador de cargaJ el2trons nos canais formados de material de semicondutor do tipo n, "uracos nos canais de material do tipo p. transistor de efeito de campo 2 portanto .s $e1es c%amado transistor unipolar. 7sto 2 para distingui0lo do transistor de juno, cuja operao depende de am"os os tipos de portador de carga, e !ue 2 portanto c%amado transistor "ipolar. Os dois tipos de transistor de efeito de campo >+5F?E o +5F de juno >V+5F? e o +5F de porta isolada >7O+5F?. O +5F de porta isolada mais comumente usado 2 o 8O6+5F, as iniciais 8O6 significando 8etal W&ido 6emicondutor e indicando a estrutura do transistor. O nome a"re$iado 2 8O6F.

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# operao terica do +5F foi descrita por Rillaim 6%ocHleX em 195@. 6omente a partir de 19;D, no entanto, 2 !ue os dispositi$os pr/ticos em geral passaram a ser encontrados. O atraso foi conse!43ncia do fato de !ue as t2cnicas de fa"ricao no esta$am suficientemente a$anadas at2 esta data, sendo essencial o processo planar para a fa"ricao dos +5Fs. 7sto constituiu um e&emplo de como o tra"al%o terico so"re dispositi$os do estado slido nos primeiros dias do transistor esta$a muitas $e1es . frente da tecnologia do dispositi$o. ASPETOS DO FET DE JUNO # estrutura es!uem/tica de um +5F de juno 2 mostrada na +igura ,.-9. O dispositi$o mostrado 2 um +5F de canal n, formado de uma fatia em forma de "arra de sil cio monocristalino do tipo n, da !ual so difundidas duas regies do tipo p. #s ligaes so feitas .s e&tremidades do canal, a fonte e o dreno, e .s regies p, a porta.

Figura 8.4. Estrutura es!uem/tica do transistor de %un&o por e eito de campo ASPETOS DO FET DE PORTA ISOLADA # estrutura do +5F de porta isolada difere da do +5F de juno %/ pouco descrito em dois aspectosE nen%um canal separado de transporte de corrente est/ constru do, e a construo da porta 2 diferente. :m canal !ue transporta corrente 2 formado pela acumulao de cargas de"ai&o do eletrodo porta. # prpria porta no 2 uma regio difundida, mas uma fina camada de metal isolada do restante do +5F por uma camada usualmente de &ido. #ssim, a estrutura do +5F de porta isolada 2 constitu da de sucessi$as camadas de 8etal, W&ido, e de material 6emicondutor 0 dando ao transistor seu nome alternati$o de 8O6+5F, ou, em forma a"re$iada, transistor 8O6 ou 8O6F. 5m $irtude do material semicondutor usado presentemente ser em geral o sil cio, as iniciais 8O6 so muitas $e1es interpretadas como 8etal W&ido 6il cio.

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Figura 8.5+ Se&o transversal simpli icado do 01SFE$ de canal n.

TRANSISTOR GTO

Acionamento

O tiristor OFO tem uma estrutura de gate altamente interdigitada sem gate regenerari$o, em conse!u3ncia disso, um alto pulso de engatil%amento do gate 2 necess/rio para acion/0lo. O pulso de disparo e seus parmetros esto descritos na figura a"ai&o. Figura 1
'ara garantir !ue o aparel%o permanea em conduo durante o seu acionamento, a corrente de gate de$e ser aplicada no aparel%o durante todo o per odo de conduo. 6e uma alta corrente re$ersa de an<do passar no circuito, ento altos $alores de 7g sero necess/rios. *e$e0se notar !ue $alores menores de 7g sero necess/rios !uando o aparel%o j/ esti$er es!uentado.

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DESLIGAMENTO # performance de desligamento do tiristor OFO 2 muito influenciada pelas caracter sticas dos componentes do circuito turn-o . 5m conse!u3ncia disso, muitos cuidados de$em ser para ajustar as caracter sticas com as necessidades do aparel%o. Os principais parmetros do aparel%o no desligamento so dados a"ai&o.

Figura 2

O desligamento de gate funciona do diagrama a"ai&o. Onde I 2 a resist3ncia da c%a$e sY1 > no linear ?, ) 2 um capacitor e sY@ e ND as altas impedncias do circuito desligado.

+igura D

O processo de desligamento do gate pode ser su"0 di$idido em tr3s per odos, e&trao da carga do gate, o per odo a$alanc%e Fg >a$? e a !ueda da corrente. #ps a !ueda da corrente, o gate de$eria idealmente estar re$ersamente polari1ado.

Transistor IGBT

7OCF >7nsulated Oate Cipolar Fransistor?E 5struturaE # fig. 1 mostra a estrutura de um t pico canal N de um 7OCF.

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# estrutura 2 muito similar a um mosfet $erticalmente fundido apresentando um dupla propagao da regio tipo N e da tipo '. # camada de in$erso pode ser formada atra$2s do gate aplicando a tenso certa no contato do gate como no mosfet. # principal diferena 2 o uso da camada 'B como dreno. O efeito 2 muda0lo para um aparel%o Cipolar en!uanto a regio tipo ' injeta Z"uracos[ na regio tipo N. OperaoE Operao de Clo!ueioE O estado ligado Udesligado do aparel%o 2 controlado, como em um mosfet, pela tenso no gate TO. 6e a tenso aplicada no contato gate, em relao ao emissor, 2 menor !ue a tenso inicial, ento nen%uma camada de in$erso mosfet 2 criada e o aparel%o 2 desligado. Kuando esse 2 o caso, !ual!uer tenso aplicada ir/ cair atra$2s da juno V@ re$ersamente polari1ado. # Anica corrente !ue ir/ fluir ser/ uma pe!uena corrente de fuso da camada formada so"re o gate !ue fa1 um canal ligando a fonte . regio drift do aparel%o. 5l2trons ento so injetados da fonte para a regio drift, en!uanto ao mesmo tempo, a juno VD, !ue 2 diretamente polari1ada, injeta Z"uracos[ na regio drift dopada de N0.

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5ssa injeo causa a modulao da regio drift onde am"os "uracos e el2trons tem "em mais magnitude !ue a dopagem N0 original. M essa modulao de conduti$idade !ue da ao 7OCF sua "ai&a tenso de acionamento de$ido a "ai&a resist3ncia da regio drift. # operao do 7OCF pode ser considerada como um transistor 'N' cuja a corrente dri$e de "ase 2 suprimida pela corrente mosfet atra$2s do canal. :m circuito e!ui$alente simples pode ser mostrado na fig.D a.

# fig.D " mostra um circuito e!ui$alente mais completo, !ue inclui o transistor parasita N'N formado pela fonte mosfet do tipo NB, pela regio tipo ' e pela regio tipo N0. 6e o flu&o da corrente pela resist3ncia 2 alto o suficiente, ir/ produ1ir um a!ueda de tenso !ue ir/ polari1ar diretamente a juno com a regio NB ligando o transistor !ue forma parte de um tiristor. Kuando isso ocorre, %/ uma alta injeo de el2trons da regio NB para a regio ' e todo o controle do gate 2 perdido. 7sso geralmente destri o aparel%o.
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