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Revue des Energies Renouvelables Vol.

13 N3 (2010) 379 388

Comparaison entre les diffrents modles lectriques et dtermination des paramtres de la caractristique I-V dun module photovoltaque
R. Khezzar1, M. Zereg1 et A. Khezzar2
Laboratoire de Physique Energtique Applique, LPEA Dpartement de Physique, Facult des Sciences, Universit Hadj Lakhdar Avenue Chahid Mohamed El Hadi Boukhlouf, Batna, Algrie Laboratoire dElectrotechnique de Constantine, LEC Dpartement dElectrotechnique, Universit des Frres Mentouri Route Ain El Bey, Constantine, Algrie
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(reu le 25 Juin 2010 accept le 25 Septembre 2010)

Rsum - La modlisation mathmatique des cellules solaires est indispensable pour toute opration doptimisation du rendement ou de diagnostic du gnrateur photovoltaque. Le module photovoltaque est reprsent gnralement par un circuit quivalent dont les paramtres sont calculs exprimentalement en utilisant la caractristique courant-tension, I-V. La dtermination prcise de ces paramtres reste un challenge pour les chercheurs, ce qui a conduit une grande diversification dans les modles et les mthodes numriques ddies leurs caractrisations. Les auteurs dans le prsent papier sintressent la caractrisation paramtrique du modle quatre paramtres, dont lobjectif de prvoir le comportement du module de test Shell SP75 sous des conditions de fonctionnement relles. Abstract - Analytical modeling of solar cells is crucial for any performance optimization or diagnosis process of photovoltaic generator. The photovoltaic module is typically represented by an equivalent circuit whose parameters are calculated using the experimental current voltage characteristic I-V. The precise determination of these parameters remains a challenge for researchers, which led to a diversification in the models and numerical methods used for their characterization. The authors in the present paper interested at the parametric characterization of the four parameters model, in order to provide the behavior of the test module Shell SP75 under real operating conditions. Mots cls: Module photovoltaque - Si-cristallin Modles - Paramtres spcifiques de la caractristique I-V Mthodes numriques.

1. INTRODUCTION
Llectricit est aujourdhui la forme dnergie la plus aise exploiter, mais avant de la consommer il aura fallu la produire. La production dlectricit photovoltaque a connue ces dernires annes un accroissement dintrt par une production dpassant 1800 MW travers le monde. Cet accroissement tait accompagn par une valorisation des recherches visant loptimisation de lnergie fournie par les cellules solaires. La modlisation de ces dernires simpose comme une tape cruciale et a conduit une diversification dans les modles proposs par les diffrents chercheurs. Leurs diffrences se situent principalement dans le nombre de diodes, la rsistance shunt finie ou infinie, le facteur didalit constant ou non, ainsi que les mthodes numriques utilises pour la dtermination des diffrents paramtres inconnus [1-4].
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On rencontre dans la littrature plusieurs modles que leurs prcisions restent tributaire la modlisation mathmatiques des diffrents phnomnes physiques intrinsques intervenant dans le processus de production dlectricit. Dans la plupart des travaux de la littrature, on trouve principalement le modle quivalent quatre paramtres bas sur la modlisation mathmatique de la courbe-tension courant I V [5]. Dans ce modle, leffet de la rsistance shunt est nglig du fait que sa valeur est importante et plus particulirement pour les modules au Si-cristallin [6, 7]. Le modle quatre paramtres fait intervenir quatre paramtres, savoir: I L (le photocourant), I 0 (le courant de saturation), A (le facteur didalit) et R s (la rsistance srie). Ces paramtres ne sont pas gnralement des quantits mesurables ou incluses dans les donnes de la fabrication. En consquence, ils doivent tre dtermins partir des systmes des quations I V divers points de fonctionnement donns par le constructeur ou tirs des essais exprimentaux [8]. Lobjectif du prsent papier est de comparer les mthodes numriques les plus utilises de point de vue caractrisation des cellules solaires base du Si-cristallin, savoir: la mthode de la pente, la mthode explicite simplifie et la mthode itrative. Les rsultats de simulation sont confronts ceux des diffrents constructeurs afin de valoriser les diffrentes conclusions tires propos les diffrentes mthodes exploites.

2. MODELISATION DU MODULE PHOTOVOLTAIQUE


La modlisation des modules photovoltaques passe ncessairement par un choix judicieux des circuits lectriques quivalents, en prenant plus ou moins de dtails. De nombreux modles mathmatiques sont dvelopps pour reprsenter un comportement fortement non linaire, rsultant de celui des jonctions semi-conductrices qui sont la base de leurs ralisations. Ces modles se diffrencient entre eux par les procdures mathmatiques et le nombre de paramtres intervenants dans le calcul de la tension et du courant du module photovoltaque, en utilisant Matlab, comme un outil de simulation et le module Shell SP 75 comme un module de test (Tableau 1) [9]. Tableau 1: Caractristiques lectriques du module photovoltaque Shell SP 75 en condition de test standard Grandeurs Eclairement standard, E Temprature standard, T Puissance crte maximale, Pm Tension maximale, Vm Courant maximal, I m Tension de circuit ouvert, Vco Courant de court circuit, I cc Valeur 1000 W/m2 25 C 75 W 17 V 4.4 A 21.7 V 4.8 A

Le module photovoltaque est reprsent par un circuit lectrique (Fig. 1) qui se compose dune source de courant modlisant le flux lumineux, les pertes sont modlises par deux rsistances, une rsistance shunt R sh , une rsistance srie R s , et deux diodes pour la polarisation de la cellule et le phnomne de la recombinaison des porteurs minoritaires [6, 10].

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Lquation caractrisant la courbe de variation courant-tension I V est donne par:


I = I L I D1 I D 2 ( V + I.Rs ) R sh

(1)

( V+ I.Rs ) q q I = IL I01 exp N A k T ( V+ I Rs ) 1 I02 exp N A k T ( V+ I Rs ) 1 R sh s 2 s 1

Fig. 1: Schma quivalent du modle deux exponentielles, 2M7P Le courant rsultant I comporte deux exponentielles, do son nom. Il est connue aussi par le nom 2M7P, o ce nom spcifie en particulier le nombre 7 des paramtres dterminer, savoir: I L , I 01 , I 02 , A1 , A 2 , R s et R sh . Si la rsistance shunt est considre infinie, le nombre de paramtres dterminer devient 6 et le nom du modle dans ce cas est 2M6P. Comme on trouve aussi le modle 5 paramtres 2M5P o la rsistance srie est aussi non considre. Une description plus simple est obtenue partir du modle une exponentielle. Ce modle comporte une diode de moins par rapport au modle deux exponentielles, ce qui implique que ce modle comporte dans lquation de la caractristique I V une exponentielle de moins (Fig. 2) [11, 12]. Lquation caractristique est dduite dune manire directe partir de la loi de Kirchhoff:
V + I.Rs q ( V + I.Rs ) I = I L I 0 exp 1 R sh AkT

(2)

Fig. 2: Schma quivalent du modle une exponentielle, L5P

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Le modle fait donc intervenir les cinq paramtres inconnus suivants: I L , I 0 , A , R s et R sh , et il est connu sous le nom L5P. Comme le modle prcdent, le fait de nglige la rsistance parallle en la considrant comme infini donne le modle 4 paramtres L4P [5, 6, 13-16], et la non considration davantage de la rsistance srie donne la modle 3 paramtres L3P. La figure 3 compare entre les diffrents modles deux diodes pour une temprature de rfrence de 25 C et un clairement de 1000 W/m2. En comparant les modles 2M7P et 2M6P, on constate que leffet de la rsistance parallle est ngligeable, par contre en ngligeant la rsistance srie dans le modle 2M5P, cela induit un loignement entre les rsultats de test et seul du modle. Ce qui accentue limportance de la rsistance srie. La figure 4 son tour compare les diffrents modles une diode dans les mmes conditions que les modles deux diodes. On constate que la rsistance srie marque la diffrence entre les diffrents modles et que le modle 4 paramtres L4P combine entre la simplicit et la prcision et prsente le choix que nous estimons le plus intressant.

Fig. 3: Caractristiques I ( V ) et P ( V ) pour les modles deux exponentielles

Fig. 4. Caractristiques I ( V ) et P ( V ) pour les modles une exponentielle

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Ces paramtres ne sont pas gnralement des quantits mesurables ou incluses dans les donnes de la fabrication. En consquence, ils doivent tre dtermins partir des systmes des quations I V divers points de fonctionnement donns par le constructeur ou issues de la mesure directe sur le module. Dans ce cadre, nous allons ciaprs tudier les mthodes didentification des diffrents paramtres de la caractristique courant-tension dun module photovoltaque.

3. METHODES DIDENTIFICATION DES DIFFERENTS PARAMETRES


Lquation caractrisant le modle quatre paramtres est la suivante [6, 14]:
q ( V + I.Rs ) I = I L I 0 exp 1 N AkT s

(3)

Les quatre paramtres inconnus dans ce modle sont I L (le photocourant), I 0 (le courant de saturation), A (le facteur didalit) et R s (la rsistance srie). Ces paramtres sont dterminer partir de la mesure de la caractristique I V pour un couple dclairement et temprature de rfrence ( E ref , Tref ) donn aux STC ("Standard Test Conditions", 1000 W/m2, 25 C, spectre AM1.5) par le constructeur, ou issus de la mesure directe sur le module. Ces mesures sont indispensables afin de spcifier les donnes de base ncessaire pour la caractrisation des diffrents paramtres du modle (les 4 valeurs Vco tension de circuit ouvert, I cc courant de court-circuit du module, I mp , Vmp tension et courant au point de puissance maximale). Trois points remarquables de la caractristique (0, I cc ), ( Vco , 0) et ( Vmp , I mp ) [17], peuvent tre employs pour dterminer les quatre paramtres inconnus ( I L , I 0 , A , R s ), o:
I cc . R s ) I cc = I L I 0 exp 1 q N AkT s Vco 0 = I L I 0 exp 1 q N AkT s Vm + I m . R s ) I m = I L I 0 exp 1 q N AkT s

(4)

(5)

(6)

En observant les quations (4, 5, 6), il est vident que nous sommes devant un problme de quatre inconnus et trois quations, cela a cre une diversification dans le choix de lquation additionnel ajouter. Ce qui amne que nous nous trouvons devant une dizaine de mthodes de rsolution cites dans la littrature, avec une prcision variable dune mthode un autre. Notre choix tait sur trois mthodes les plus utilises [18-22]. La premire mthode est la mthode explicite simplifie qui est base sur une rsolution purement

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mathmatique en sappuyant sur certain simplification. La deuxime mthode est la mthode de la pente et qui base en partie de son algorithme sur un calcul gomtrique et enfin la mthode itrative qui base en partie de son algorithme sur la rsolution numrique. 3.1 Mthode explicite simplifie Cette mthode considre comme une premire approximation I L = I cc , aprs simplification des quations (4), (5) et (6), on obtient les relations suivantes [6, 18, 23]:
I L = I cc

(7) (8)

Vco 0 = I L I 0 exp q N AkT s Vm + I m . R s ) I m = I L I 0 exp q N AkT s

(9)

De la relation (8), on peut dduire le courant de saturation I 0


q I 0 = I cc exp N A k T Vco s

(10)

A partir de la relation (10), on peut rcrire lquation (3) comme suit:


V Vco + I . R s I = I cc 1 exp q Ns A k T

(11)

Lquation au point de la puissance maximale, devient


Vm Vco + I m . R s I m = I cc 1 exp q Ns A k T

(12)

A partir de cette quation, on peut tirer la valeur de la rsistance srie R s explicite par:
Ns A k T I + Vco Vm ln 1 m q I cc Im

Rs =

(13)

Le dernier paramtre dterminer est le facteur didalit A , en exploitant le fait que la drive de la puissance maximale est nulle ( d P d V = 0 ), et en utilisant lquation (3) et la formulation suivante:
V dP I =0= V+I dP dV = 0 dV V V

(14)

On trouve, A =

q ( 2 Vm Vco ) I cc I + ln 1 m Ns k T I cc I cc I m

(15)

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La substitution des diffrents paramtres par leurs formules respectives, dans lquation (3) donne une quation simple reliant le courant I et V aux diffrentes tempratures et ensoleillements. 3.2 Mthode de la pente au point ( Vco , 0) La diffrence apporte par cette mthode par rapport la mthode prcdente est principalement dans la manire de calcul de la rsistance srie R s [24, 25]. Elle est base sur le fait que la rsistance srie influe remarquablement sur la pente de la courbe caractristique I V au voisinage du point ( Vco , 0). Donc afin de calculer R s , on drive lquation (3) afin dobtenir:
V + I.Rs dI = I 0 exp q nkT dV q dI 1 + Rs d V 1 nkT

(16)

Ce qui donne au point ( Vco , 0):


Rs = dV dI V 1 q Vco I0 q exp N AkT Ns A k T s

(17)

co

La pente M dans le point Vco est donn par M =

dV ( I = 0 ) . Cette valeur est dI

dduite partir des rsultats exprimentaux (Fig. 5). Le facteur didalit " A " est dtermin par des mthodes itratives, en vrifiant la concordance entre les rsultats de simulation et ceux du fabricant aux conditions de mesure standard.

Fig. 5: Dtermination de la pente 3.3 Mthode itrative Cette mthode aussi se diffrencie par rapport aux deux mthodes prcdentes par le calcul de la rsistance srie, o le coefficient de temprature de la tension de circuit

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ouvert Vco donn par le fabricant peut tre employ pour fournir une quation additionnelle donnant la rsistance srie. Le coefficient de temprature Vco , nest que la drive de la tension de circuit ouvert par rapport la temprature :
Vco = I cc T cc q EG ln 3 + AkT I + I cc 0

N Ak Vco = s q T

(18)

En donnant une valeur R s , les trois autres paramtres sont calculs de la mme manire que les sections prcdentes. En utilisant des mthodes itratives [6, 8] autant que la bissection, et en palliant lintervalle [0, R s max ], o R s max est la valeur maximale possible de R s . La valeur du facteur didalit est proche 1 pour R s max , donc pour dterminer la valeur maximal de R s max , il suffit de remplacer A = 1 dans lquation (13), ce qui donne:
R s max =
1 Ns k T I . ln 1 m + Vco Vm Im I cc q

(19)

3.4 Rsultats et discussion Les quations de la section prcdente pour les diffrentes mthodes de calculs des paramtres de la caractristique courant-tension ont t simules dans lenvironnement Matlab pour le module solaire SP75 (Tableau 1) [9]. Les rsultats ont t compars avec ceux fournies par le constructeur. On remarque sur la figure 6 que malgr le courant de court-circuit et la tension en circuit ouvert sont les mmes pour les diffrentes mthodes, le suivi proximit du point de puissance maximal reste tributaire de la prcision des paramtres dduits. On constate que la mthode de la pente comme une mthode qui se base sur le calcul gomtrique de la pente est la mthode la plus prcise. Par contre les performances de la mthode itrative suivent la prcision du facteur de test savoir le coefficient de temprature, ce qui explique quelle bascule entre bon et moins bon. De mme pour la mthode explicite, ces performances sont fortement influences par les donnes du constructeur. Nous remarquons galement, un cart lev entre les rsultats exprimentaux les rsultats simuls par ces deux mthodes pour lclairement 400 et 800 W/m2. Cet cartement peut tre la consquence de la dtermination imprcise des paramtres Im, Vm. Le Tableau 2 regroupe lerreur quadrature entre les rsultats exprimentaux et ceux calculs par chaque mthode de rsolution, et confirme les conclusions tires auparavant.

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Fig. 6: Caractristiques I ( V ) et P ( V ) du module Sp75 pour diffrent clairements et T = 25 C Tableau 2: Erreurs obtenues pour diffrentes valeurs densoleillement temprature constante (25 C) Erreur Erreur RMS (%) Mthodes numriques M. explicite M. itrative M. de la pente Variation de lclairement E=1000 W/m2 E=800 W/m2 E=400 W/m2 0.01 2.71 19.95 0.01 2.71 21.41 0.01 0.9 1

4. CONCLUSION
Lobjectif de la modlisation des panneaux solaires est videmment de dcrire leurs comportements dans toutes les conditions d'utilisation. Trois diffrentes mthodes de rsolution ont t prsentes afin de dterminer les diffrents paramtres spcifiques de la caractristique courant-tension. La mthode de la pente base en partie de son algorithme sur le calcul gomtrique, la mthode explicite simplifie base sur la rsolution analytique et enfin la mthode itrative base sur la rsolution numrique. En comparant leurs rsultats avec ceux donns par le constructeur pour le module de test SP 75, nous a permis de conclure que la mthode de la pente qui est moins lie aux donnes de constructeur est la plus prcise.

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