Universidad Politcnica Salesiana.

)mplificadores "iferenciales
Barzallo Efra:n, 'uzco Patricio efrayuCoDhotmail.com, cpatricio7Dest.ups.edu.ec. Universidad Politcnica Salesiana

ResumenLos amplificadores son muy utilizados, y

ahora revisaremos los amplificadores diferenciales con transistores FET y !SFET respectivamente pero con la diferencia de su funcionamiento en "in#mica.

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diferencial el terminal fuente de estos transistores se comporta como un nudo de masa virtual y en modo com<n la resistencia &SS se descompone en dos en paralelo. )plicando estos principios de simetr:a es sencillo compro7ar >ue la 3anancia en modo diferencial y com<n vale-

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)mplificadores "iferenciales en din#mica.

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!SFET y FET con un an#lisis

Fi3. )mplificador "iferencial

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A. Amplificadores Diferenciales MOSFET Y FET

La impedancia de entrada de un amplificador diferencial puede ser muy alta si se utiliza transistores FET. La fi3ura 4.56.a presenta un amplificador diferencial 7#sico 7asado en los transistores % !S, 5 y 8, cuya polarizaci9n se realiza a travs de una fuente de corriente de valor $SS con una resistencia interna &SS. )l presentar este amplificador las mismas caracter:sticas de simetr:a descritas en el amplificador diferencial 7ipolar se puede utilizar la conversi9n a se;al modo diferencial y modo com<n. Por similitud, en modo
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Fi3. 'ircuito e>uivalente La 3anancia de este amplificador puede me?orarse utilizando car3as activas. Un amplificador diferencial % !S con car3a activa formado por los transistores 6 y @. 6 y @ tienen la puerta y el drenador cortocircuitado de forma >ue en pe>ue;a

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se;al pueden ser sustituidos por un elemento resistivo de valor rdlEE5F3ml Gsu7:ndice l de loadH. Las eIpresiones de la )d y )c son similares a las descritas en la ecuaci9n sustituyendo la &" por la car3a e>uivalente rdlEE5F3ml. La tecnolo3:a ' !S permite realizar tam7in amplificadores diferenciales con car3a activa. El amplificador de la fi3ura 4.5J.a utiliza un espe?o de corriente de transistores P !S como car3a activa y el de la fi3ura 4.5J.7 otro espe?o de corriente autopolarizado con salida simple >ue realiza una conversi9n salida simpleKentrada diferencial. En am7os casos se puede demostrar >ue, en primera aproIimaci9n, las 3anancias en modo diferencial y com<n valen-

B. Modelado Dinmico del MOSFET )l i3ual >ue en los transistores 7ipolares, la eIistencias de condensadores par#sitos en la estructura MOS ori3ina el retraso en la respuesta del mismo cuando es eIcitado por una se;al de tensi9n o intensidad eIterna. La car3aFdescar3a de los condensadores par#sitos re>uiere un determinado tiempo, >ue determina la capacidad de respuesta de los MOSFET a una eIcitaci9n. En la estructura y funcionamiento de estos transistores se localizan dos 3rupos de capacidades5H Las capacidades asociadas a las uniones PN de las #reas de drenador y fuente. Son no lineales con las tensiones de las uniones. Se denominan 'apacidades de Uni9n. 8H Las capacidades relacionadas con la estructura MOS. Est#n asociadas principalmente a la car3a del canal Giones o car3as li7resH y var:an notoriamente en funci9n de la re3i9n de operaci9n del transistor, de modo >ue no es posi7le, en 3eneral, considerar un valor constante de las mismas. Se denominan 'apacidades de Puerta.
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"e ellas, las capacidades de puerta suelen ser m#s si3nificativas, y dentro de ellas, la capacidad de puerta fuente GC sH y de drenadorKfuente GC dH son en 3eneral las dominantes. El an#lisis din#mico de comportamiento de un transistor MOS es necesario realizarlo en dos conteItos- 5H en el an#lisis de circuitos en PE.UE/) SE/)L, donde adem#s del modelo est#tico del MOS, se incluyen las capacidades par#sitas. Es propio del comportamiento lineal del MOSFET, como por e?emplo en amplificaci9n. 8H En el an#lisis de circuitos en 2&)% SE/)L, donde se analiza la conmutaci9n entre estados l93icos del transistor. En este caso, es necesario incorporar las capacidades par#sitas al an#lisis de las diferentes re3iones de operaci9n >ue recorren los transistores Gruta din#micaH de estos circuitos. En el circuito se muestra un inversor ' !S con una capacidad de car3a C!. Se supone >ue C! incluye tanto la capacidad de car3a del circuito como las capacidades par#sitas m#s importantes del mismo. La eIistencia de esta capacidad limita el tiempo m:nimo necesario para realizar transiciones entre estados l93icos esta7les- cero y uno.

Fi3.K $nversor con car3a 'apacitiva )s:, cuando se pasa de cero a uno en la entrada G " a #DDH la salida no cam7ia instant#neamente de uno a cero G#DD a "H, sino >ue emplea un cierto tiempo. Se puede suponer, para c#lculos simplificados, >ue MP ad>uiere instant#neamente su estado final GCORTEH, de forma >ue el transitorio a analizar contemplar:a el circuito de la Fi3. @.68GaH, con el transistor MN pasando de corte a saturaci9n y 9hmica, hasta >ue alcance la tensi9n A de salida. "urante este proceso se descar3a el condensador

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C!. )l3o simular puede suponerse para la transici9n de uno a cero en la entrada. Si suponemos >ue MN se corta instant#neamente, el circuito, refle?a la car3a del condensador C! a travs de MP, >ue pasa de corte a saturaci9n y finalmente a 9hmica. Los tiempos empleados en am7os transiciones limitan la velocidad de conmutaci9n del inversor CMOS.

mencionar al3o muy importante >ue es el simple hecho >ue no eIiste la 3ran informaci9n de estos amplificadores diferenciales so7re todo en el an#lisis en "in#mica. $L. '!%'LUS$!%S $ could say that the conclusion Mould 7e nice to mention somethin3 very importantis the simple fact that there is 3reat information for these differential amplifiersespecially in the dynamic analysis.
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N5O Boylestad , Teor:a de 'ircuitos y dispositivos electr9nicos 5Ama Edici9n, N8O icroelectronics, illman y 2ra7el, c2raM Pill, 5QRS. N6O Schillin3, ".L. and Belove.- T'ircuitos electr9nicos discretos e inte3radosU. $% edici&n' Mc(ra)*+ill, 5QQ6.

$$$. '!%'LUS$!%ES Podr:a decir >ue como conclusi9n estar:a 7ien

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