UNIVERSIDAD SIMN BOLVAR DPTO.

DE TECNOLOGA INDUSTRIAL

GUA DE CIRCUITOS ELECTRNICOS I TI-2225

Prof. Alexander Hoyo

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NDICE GENERAL
Pag. DIODOS SEMICONDUCTORES CIRCUITOS CON DIODOS DIODO ZENER TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIN (JFET) AMPLIFICADORES MODELADO AC DE TRANSISTORES BIPOLARES (BJT) MODELADO AC DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (JFET) AMPLIFICADORES OPERACIONALES 3 3 9 10 16 22 24 27 30

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DIODOS SEMICONDUCTORES
CIRCUITOS CON DIODOS 1. Los diodos del siguiente circuito son ideales, calcular el valor de vo.

2. Resuelva el problema anterior considerando al diodo D1 de de Silicio y al diodo D2 de Arseniuro de Galio. (Utilizar el modelo con tensin de codo para los diodos) 3. Hallar vo, i1 e i2, si los diodos son ideales, para los valores dados de v1 y v2. a. v1=5V y v2=0,2V b. v1=0,1V y v2=0,3V c. v1=5,1V y v2=5,3V

4. Resuelva el problema anterior utilizando el modelo con tensin de codo y suponiendo: a. b. c. d. e. Los diodos de Silicio (tensin de codo 0,7V) Los diodos de Germanio (tensin de codo 0,3V) Los diodos de Arseniuro de Galio (tensin de codo 1,2V) D1 de Silicio y D2 de Arseniuro de Galio D1 ideal y D2 de Arseniuro de Galio

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5. Determinar i1 e i2 en el siguiente circuito, considere los diodos ideales.

6. En el siguiente circuito, calcule el voltaje y corriente en cada diodo, considere los diodos ideales.

7. En el siguiente circuito, determine el voltaje y la corriente en los diodos.

8. Repita el ejercicio anterior considerando los diodos de Germanio. 9. Considerando al diodo de Silicio, hallar la tensin E para que el diodo empiece a conducir.

10. En el ejercicio anterior, invierta la polaridad del diodo, hallar el valor de E negativo para que el diodo empiece a conducir.

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11. Dibuje la caracterstica de transferencia de los circuitos mostrados (vo / vi), considere vi(t)=10sen(wt). Considere los diodos ideales.

12. En los casos anteriores, grafique la seal de salida vo. 13. Repita el ejercicio anterior considerando los diodos de silicio. 14. Dibuje vo en el circuito siguiente: (Suponer los diodos ideales) vi = 250 cos(wt) V

15. Dibuje la caracterstica de transferencia del circuito anterior. 16. Considere al diodo y al transformador como ideales, dibuje la forma de la seal en la resistencia. vi (t)= 20 sen(126t) V

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17. En el puente rectificador mostrado a continuacin, los diodos son de Silicio, dibuje la onda de salida.

18. Dibuje la caracterstica de transferencia del circuito anterior. 19. El diodo del siguiente circuito tiene una resistencia esttica de 136, calcular el valor de R si la corriente en el diodo es de 4,9mA y VCC es 6,2V.

20. Para la configuracin del diodo de la figura y empleando la caracterstica del diodo: a. Trace la recta de carga del diodo, b. Determine el punto de operacin del diodo, c. Voltaje y corriente en la resistencia d. Resistencia esttica del diodo. e. Utilizando el modelo con tension de codo, suponiendo que el diodo es de Silicio, hallar el voltaje y corriente en la resistencia.

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21. Los diodos del siguiente circuito son de Silicio: a. Que diodo conduce primero, Para que valor de vi conduce, b. Para que valor de vi conduce el otro diodo

22. En el siguiente circuito, grafique la corriente del diodo. Considere al diodo de Silicio.

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23. Dibujar la forma de la seal de salido vo si la seal de entrada vi es la mostrada. Considere los diodos ideales. Dibujar la caracterstica de transferencia.

24. Dibujar la seal de salida en el siguiente circuito. Considere los diodos ideales, la relacin del transformador es 1:1 y vi(t)=10sen(wt)

25. Dibuje la seal de salida y la caracterstica de transferencia si el diodo es de Silicio.

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DIODO ZENER 1. Use el modelo de tres estados del diodo Zener de Silicio para hallar los valores mximos y mnimos para VCC en el siguiente circuito regulador, el Zener es de 5V y tiene una corriente inversa mnima de 10mA y su potencia mxima es de 1W.

2. En el ejercicio anterior, si VCC esta fija en 13,5V, calcular la variacin de RL para mantener la regulacin. 3. En el siguiente circuito regulador con diodo Zener, calcular el valor de Rz si VCC es 15V y la carga RL puede variar de 100 a 1k, adems el diodo Zener es de 5V, la corriente inversa mnima es de 10mA y su potencia mxima es de 1W.

4. En el circuito anterior, calcular Rz si el diodo Zener trabaja al 75% de su potencia mxima. 5. Dibuje la caracterstica de transferencia del siguiente circuito, considere al diodo Zener de Silicio con voltaje Zener de 4V y vi(t)=10sen(wt)

6. Repita el ejercicio anterior si el diodo posee un voltaje Zener de 8V.

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TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

1. En los siguientes circuitos, determinar la corriente de base (IB), corriente de colector (IE) y voltaje colector emisor (VCE) del transistor.

a.)

b.)

c.)

2. En los siguientes circuitos, determinar la corriente de base (IB), corriente de colector (IC), corriente de emisor (IE), voltaje colector (VC), voltaje emisor (VE) y voltaje base (VB) del transistor.

a.)

b.)

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3. Determine el valor de VCC para obtener una corriente de colector de 2 mA. Calcular el voltaje entre el colector y el emisor del transistor.

4. En el siguiente circuito, determine RB, RC, RE, VCE y VB (Tomar como valor de = 80)

5. Con la informacin proporcionada, determine: , Vcc y RB. (VCE = 7.3 V)

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6. Con la informacin proporcionada en el circuito siguiente, determine: IC, VE, VB, R1 (Tomar como valor de = 100)

7. Dado que el voltaje VB en el circuito es VB = 4V, determine: VE, IC, VC, VCE, IB y .

8. Para el siguiente circuito, determine IB, IC, VCE, VC. ( = 120)

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9. En los siguientes circuitos, determinar IB, IC, IE, VC, VE y VB. (VCC=15V, RB=100k, RC=RE=1k, =100)

10. Determinar la corriente de colector de saturacin en el siguiente circuito, sabiendo que VCC es 10V.

11. Para el circuito del ejercicio anterior, determine el mximo valor de VBB sin que se sature el transistor (VCC=10V, = 100). 12. Si se cambia el transistor por otro con = 400, cual es el valor mximo de VBB antes de saturar al transistor. 13. En el siguiente circuito, especificar el sentido de las corrientes en el transistor, Hallar IB, IC, IE, VC, VB, VE, VCE, VBE, VCB (=100)

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14. Determine la corriente de base (IB), corriente de colector (IC), corriente de emisor (IE), voltaje colector (VC), voltaje emisor (VE) y voltaje base (VB) del transistor. (VCC=12V, RB=470, RC=RE=1k, =100)

15. Repetir el ejercicio anterior para un voltaje del Diodo Zener (Vz) de 7.5V 16. En el siguiente circuito, Determine: IB, IC, IE, VC, VB, VE, VCE, VBE, VCB (=100)

17. Repetir el ejercicio anterior para un beta de 200.

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18. En el siguiente circuito determine IB, IC, IE, VCE para cada transistor. Asumir el beta de cada transistor como 50.

19. Repetir el ejercicio anterior asumiendo el beta de los transistores como 100, en que condicin de polarizacin esta cada transistor.

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TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIN (JFET)

1. Sea el circuito mostrado y sabiendo que VDD=16V, VGG=2V, RD=2k, RG=1M, IDSS=10mA, Vp=-8V. Encontrar el Punto de Operacin (VGSQ, IDQ), VDS, VD, VG y VS.

2. Repetir el ejercicio anterior utilizando el mtodo grfico sabiendo que la curva ID vs. VGS del JFET es la que se muestra.

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3. Sea el circuito mostrado y sabiendo que VDD=20V, RD=3.3k, RG=1M, RS=1k, IDSS=8mA, Vp=-6V. Encontrar el Punto de Operacin: (VGSQ, IDQ), VDS, VS, VG, VD

4. Sea el circuito mostrado y sabiendo que VDD=16V, RD=2.4k, R1=1M, R2=270k, RS=1.5k, IDSS=8mA, Vp=-4V. Encontrar el Punto de Operacin: (VGSQ, IDQ), VDS, VS, VG, VD

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5. Para la configuracin de polarizacin fija mostrada: (IDSS=8mA y VP=-4V), Determine el punto de operacin (IDQ y VGSQ), VDS, VG, VD y VS

6. Para la configuracin de polarizacin fija, determine: Punto de operacin (IDQ y VGSQ), VDS, VG, VD y VS (IDSS=10mA y VP=-4.5V)

7. Para la configuracin de polarizacin mostrada, determine: Punto de operacin (IDQ y VGSQ), VDS, VG, VD y VS. (IDSS=5mA y VP=-5V)

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8. Para la configuracin de polarizacin mostrada, determine el Punto de operacin (IDQ y VGSQ), VDS, VG, VD y VS Datos: IDSS=10mA y VP=-4V

9. Para la configuracin de polarizacin mostrada, determine: Punto de operacin (IDQ y VGSQ), VDS, VG, VD y VS Datos: IDSS=4.5mA y VP=-5V

10. Para la configuracin de polarizacin por divisor de tensin, determine: Punto de operacin (IDQ y VGSQ), VDS, VG, VD y VS Datos: IDSS=10mA y VP=-3.5V

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11. Repita el ejercicio anterior con Rs=510 y con Rs=250 12. Para la configuracin de polarizacin por divisor de tensin, determine: Punto de operacin (IDQ y VGSQ), VDS, VG, VD y VS Datos: IDSS=6mA y VP=-6V

13. En el siguiente circuito determine: VDS, VCE, IB, IC, IE, ID

14. Repetir el ejercicio anterior considerando un transistor con beta de 200. 15. Repetir el ejercicio 13 considerando un JFET con IDSS=9mA, Vp=-6V

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16. Determine el valor de RD en el siguiente circuito, sabiendo que VGG=2V, IDSS=10mA, Vp=-8V, VDD=10V y VDS=5V.

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AMPLIFICADORES
1. Para la siguiente configuracin, determine la impedancia de entrada del amplificador si la corriente Ii = 20 A.

2. Para el ejercicio anterior determine Vi si la fuente aplicada se cambia por una de 12 mV con resistencia interna de 0.4 k. 3. Para el siguiente amplificador, determine la impedancia de salida (Zo) si V = 600 mV e Io = 10 A.

4. Para el amplificador de la figura, determine: Vi, Zi, Av y Avs si la corriente Ii = 10 A.

5. Para el siguiente amplificador, determine: Ii, Zi, Vo, Io, Ai, si Vi = 4mV y Vs = 12 mV.

6. Repita el ejercicio anterior para Vi = 11mV y Vs = 12 mV.

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7. Determinar el valor de Vo en el siguiente circuito, adems, determinar la ganancia de voltaje total Av=Vo/Vi y la ganancia de voltaje desde la fuente Avs=Vo/Vs

8. En el ejercicio anterior determine la ganancia de corriente total. 9. Dado el siguiente circuito, determine la ganancia de voltaje del segundo amplificador.

10. En el ejercicio anterior determine la ganancia de corriente total.

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MODELADO AC DE TRANSISTORES BIPOLARES (BJT)

1. Determine el valor de Vcc para obtener una ganancia de voltaje de Av=-160 en el circuito:

2. Para el circuito anterior, determina ganancia de corriente, impedancia de entrada y de salida. 3. Determine los valores de RE y RB para que obtener una ganancia de voltaje Av = -10 y re = 3.8 .

4. Determine la impedancia de entrada, impedancia de salida y ganancia de corriente en el ejercicio anterior.

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5. Para la siguiente configuracin en emisor comn, determine la expresin para la impedancia de entrada (Zi), impedancia de salida (Zo), ganancia de voltaje (Av) y ganancia de corriente (Ai).

6. Repetir el ejercicio anterior quitando el condensador en paralelo a RE2. 7. Para el siguiente circuito, determine IB, IC, VCE, VC. (Tomar como valor de = 120)

8. Para el ejercicio anterior, determinar la impedancia de entrada (Zi), impedancia de salida (Zo), ganancia de voltaje (Av) y ganancia de corriente (Ai).

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9. Determinar la impedancia de entrada (Zi), impedancia de salida (Zo), ganancia de voltaje (Av) y ganancia de corriente (Ai). (Tomar como valor de = 130)

10. Repetir el ejercicio anterior pero con un condensador de desvi en la resistencia del emisor.

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MODELADO AC DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (JFET)

1. Para la configuracin de auto polarizacin mostrada, determine la expresin para la impedancia de entrada, impedancia de salida y la ganancia de voltaje.

2. Repita el ejercicio anterior quitando el condensador Cs. 3. Para el siguiente circuito, determine la expresin para la ganancia de voltaje, impedancia de entrada y de salida.

4. Repita el ejercicio anterior quitando el condensador Cs.

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5. Para el siguiente circuito, determine la expresin para la ganancia de voltaje, impedancia de entrada y de salida.

6. Para el circuito, si la entrada esta acoplada a travs de un condensador a la compuerta y a la salida acoplada al drenaje. Determine: Transconductancia (gm) Impedancia de Entrada (Zi) Impedancia de Salida (Zo) Ganancia de Voltaje (Av) Datos: yos=50S=50x10-6S

7. Para el siguiente circuito, si la entrada esta acoplada a travs de un condensador a la compuerta y a la salida acoplada al drenaje. Adems agregar un condensador de desvi a la resistencia Rs. Determine: Transconductancia (gm) Impedancia de Entrada (Zi) Impedancia de Salida (Zo) Ganancia de Voltaje (Av)

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Datos: yos=25S=50x10-6S

8. Repita el ejercicio anterior sin colocar el condensador en la resistencia Rs. 9. Dado el siguiente circuito, si la entrada esta acoplada a travs de un condensador a la compuerta y la salida acoplada al drenaje. Adems agregar un condensador de desvi a la resistencia Rs. Determine: Transconductancia (gm) Impedancia de Entrada (Zi) Impedancia de Salida (Zo) Ganancia de Voltaje (Av) Datos: yos=35uS=50x10-6S

10. Repita el ejercicio anterior sin colocar el condensador en la resistencia Rs.

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AMPLIFICADORES OPERACIONALES
1. Cul es el voltaje de salida y la ganancia de voltaje en el siguiente circuito?

Respuesta: Vo=-11.25V, Av=-7.5 2. Cul es el intervalo de ajuste de la ganancia e voltaje en el circuito siguiente?

Respuesta: 25Av50 3. Qu entrada debe aplicarse a la entrada del siguiente circuito para obtener una salida de -2.8V?

Respuesta: Vi=-90.32mV 4. Calcular el voltaje de salida Vo del circuito siguiente.

Respuesta: Vo=-3.4V

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5. Calcule el voltaje de salida Vo en el circuito que se muestra a continuacin:

Respuesta: Vo=-13.5V 6. Calcular los voltajes de salidas V2 y V3 en el circuito, sabiendo que el voltaje de entrada V1 es 0.2V.

Respuesta: V2=-2V, V3=4.2V 7. Calcule el voltaje de salida Vo en el siguiente circuito.

Respuesta: Vo=-11.5V

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8. Calcule el voltaje de salida Vo en el siguiente circuito.

Respuesta: Vo=6.4V 9. Calcular el valor de resistencia (R2) para un amplificador inversor (ver ejercicio 1) de ganancia Av=-150 si la resistencia R1 es de 12k. Respuesta: R2=1.8M 10. Para el amplificador del ejercicio 3, determinar el valor de la ganancia de voltaje (Av) y el voltaje de salida Vo si la entrada es 25uV. Respuesta: Av=31, Vo=0.775mV 11. Determinar la ganancia de voltaje total (Av=Vo/Vi) para el siguiente circuito.

Respuesta: Av =

Vo R R R = 2 4 6 Vi R1 R3 R5

12. En el ejercicio anterior, si R2=R4=R6=10R1=10R3=10R6=R, calcular la ganancia de voltaje (Av=Vo/Vi). Respuesta: Av=-1000

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13. Determinar la ganancia de voltaje total (Av=Vo/Vi) para el siguiente circuito.

Respuesta: Av =

Vo (R1 + R2 )R4 R6 = Vi R1 R3 R5

14. En el ejercicio anterior, si R2=R4=R6=470k, R1=4.3k, R3=R6=33k, calcular la ganancia de voltaje (Av=Vo/Vi). Adems, calcular el voltaje de salida Vo si el voltaje de entrada es 80uV. Respuesta: Av=22.2x103, Vo=1.78V 15. Determinar la expresin de Vo en el siguiente circuito.

Respuesta: Vo =

R4 R1

R1 + R2 R2 R V2 R +R V1 4 1 3

16. En el ejercicio anterior, determinar la expresin de Vo si R3=R1 y R4=R2. Respuesta: Vo =

R2 (V1 V2 ) R1