UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

Informe de laboratorio n umero 9 Caracterizaci on Transistores de Union Bipolar

Jhon F Baquero, c odigo, 285861, Carlos A Salazar, c odigo, 285990, David F Tosse, c odigo, 262123

ResumenEn la novena pr actica de laboratorio se procedi oa caracterizar el BJT, al generar su curva caracter stica y los circuitos de polarizaci on m as utilizados Palabras ClavesCorriente de base, Voltaje Base-Emisor, corriente de emisor, corriente de colector, Uni on p-n.
Figura 1. Funcionamiento interno del BJT

I.

I NTRODUCCI ON B. Uso del BJT

En esta pr actica se observ o el comportamiento pr actico del transistor BJT, el cual fue visto en clase. Se grac o la curvas caracter sticas del BJT las cuales son Vbe vs. Ic y Vbe vs. Ib en el osciloscopio en modo X-Y y con medici on hecha en mult metros usando los circuitos propuestos para la pr actica; tambi en, se realizaron unos dise nos de polarizaci on en DC cuyos dise nos ser an mostrados m as adelante.

El BJT tiene dos usos principales, uno es actuar como un switch y el otro es amplicar se nales anal ogicas; en nuestro caso lo usaremos para amplicaci on principalmente. Para dise nar con BJT se deben tener en cuenta unos datos propios del BJT que se est a utilizando y unas ecuaciones que describen su funcionamiento. 1. Alfa y Beta del transistor

II.

M ARCO T E ORICO

A. Transistor de Uni on Bipolar BJT Es un dispositivo electr onico que permite controlar el paso de corriente a trav es de sus terminales. Est a compuesto por dos uniones pn muy cercanas entre s . Estos transistores son muy pr acticos y de gran utilidad, son m as robustos y m as f aciles de conseguir que los MOSFET lo que los hace m as f aciles de manipular experimentalmente, sin embargo, el MOSFET en ltimos a los u nos han superado al BJT en las aplicaciones ya que la compuerta carece de conexi on con el canal n entre el gate el source lo cual da una impedancia alta lo cual es una gran ventaja. El BJT tiene tres terminales los cuales son base, colector y emisor Emisor: Es la zona que est a m as dopada y que emite los portadores de carga de ah su nombre. Base: Es la regi on intermedia, separa al emisor del colector, est a ligeramente dopado con material del tipo contrario a los otros dos terminales. Colector: Tiene una secci on transversal mucho mayor. En la gura 1 se puede observar c omo est a compuesto el BJT y c omo funciona
Jhon F Baquero. Estudiante de Ingenier a Mecatr onica de la Universidad Nacional de Colombia. Carlos A Salazar. Estudiante de Ingenier a Mecatr onica de la Universidad Nacional de Colombia. David F Tosse. Estudiante de Ingenier a Electr onica de la Universidad Nacional de Colombia.

El beta es la ganancia de corriente que tiene el colector con respecto a la base. En el caso del alfa es la atenuaci on de corriente que tiene el colector con respecto al emisor. Estos dos datos son propios del transistor que se est a utilizando. Las siguientes ecuaciones describen c omo funciona el BJT.

Ic = Ib

Ic = Ie

+1

Ie = Ib + Ic

2. Curva Ic vs. Vbe En la gr aca de Ic vs. Vbe se puede evidenciar el comportamiento como transistor del BJT con sus regiones de operaci on.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

puede decir que est a en funcionamiento

Figura 2.

Curva Ic vs. Vbe con las regiones de operaci on del transistor

a. Regiones Operativas: Los transistores de uni on bipolar tienen diferentes regiones operativas, denidas principalmente por la forma en que son polarizados: Regi on activa: Cuando un transistor no est a ni en su regi on de saturaci on ni en la regi on de corte entonces est a en una regi on intermedia, la regi on activa. En esta regi on la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regi on es la m as importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplicador de se nal. Regi on inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayor a de los BJT son dise nados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el par ametro beta en modo inverso es dr asticamente menor al presente en modo activo. Regi on de corte: Un transistor est a en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentaci on del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay ca da de voltaje, ver Ley de ohm.). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) Regi on de saturaci on: Un transistor est a saturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor = corriente m axima,(Ic = Ie = M axima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentaci on del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo sucientemente grande como para inducir una corriente de colector veces m as grande. (recordar que Ic = * Ib). 3. Curva Ib vs. Vbe Esta curva muestra que el comportamiento de estas dos variable iguala a las de un diodo en el cual a partir de 0.7 se

Figura 3.

Curva Ib vs. Vbe

III.

P R ACTICA

Esta practica consisti o en conocer como se comporta los transistores en cuanto a los voltajes de base-emisor, y colector-emisor y en c omo se comportan los circuitos de polarizaci on. Para esta pr actica se requiri o: a. Circuito de caracterizaci on y circuitos de polarizaci on hechos con transistor 2n2222 b. Fuente DC c. Generador de se nales d. Osciloscopio e. caimanes y sondas A. Ic vs Vbe . Se visualiz o el comportamiento del voltaje base-emisor y el voltaje de salida del primer circuito en el osciloscopio, en el modo de X-Y, y posteriormente se gracaria la corriente de colector y voltaje base- emisor, como no se puede medir corriente directamente en el osciloscopio.

Figura 4.

circuito de caracterizaci on del BJT

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

B. Ib vs Vbe . Se monta el circuito de la gura, esto con el prop osito de ver la gr aca Ib vs Vbe en el osciloscopio y tambi en para tomar puntos con dos mult metros y comparar.

Figura 7.

Ic vs Vbe en el osciloscopio

B. Ib vs Vbe. Aqu se puede ver la gr aca Ib vs Vbe del osciloscopio Ch1x : 0,1v, ch2y : 2v .
Figura 5. Circuito de caracterizaci on Ib vs. Vbe

C. circuitos de polarizaci on Se proponen tres circuitos de polarizaci on el cual se deben dise nar para que den unos valores de voltaje y de corriente determinados.

Figura 8.

Ic vs Vbe en el osciloscopio

Los datos sacados con los mult metros son los siguientes:
Ib(mA) 15 10 7 6,01 5 4 3,05 2,03 1,1 0,88 Vbe(mV) 818 803 789 785 780 773 765 754 740 737

Figura 6.

Circuitos de polarizaci on

1. Circuito de polarizaci on 1 El circuito debe tener una corriente de base Ib=0,1mA y un voltaje Vce=6V; Al hacer los c alculos se obtiene que: Rb=90Kohms y Rc=133 ohms. 2. Circuito de polarizaci on 2 Este circuito debe tener 0.1mA de corriente de base y 6V de Vce. Al dise nar se obtienen los valores: Rc=166ohms Re=33ohms R2=1Kohm R1=4Kohms. 3. Circuito de polarizaci on 3 Este circuito debe tener 0,01 mA de corriente de base y 6V de Vce. Los c alculos realizados dan como valores: Rb=100kohms, Re=3kohms, Rc=1.5Kohms.

Cuadro I DATOS TOMADOS CON MULT I METROS

C. circuitos de polarizaci on Aqu est an los valores reales obtenidos con los circuitos de polarizaci on Circuito de polarizaci on 1: Ib=0.1mA Vce=5.95V Circuito de polarizaci on 2: Ib=0.11mA Vce=5.1V Circuito de polarizaci on 3: Ib=0.01mA Vce=5.97V V. A. Ic vs Vbe . IV. A. Ic vs Vbe . Se obtuvo la siguiente gr aca en el modo X-Y osciloscopio Ch1x : 2v, ch2y : 10mV . R ESULTADOS En la gr aca de Ic vs Vbe se puede observar tres regiones de operaci on del transistor la regi on de corte, la regi on activa y la inversa. Tambi en se puede ver cuando el transistor comienza a funcionar a un valor despu es del cero, el cual es la tensi on de barrera del transistor. A N ALISIS DE RESULTADOS

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

B. Ib vs Vbe . Se obtuvo una gr aca muy cercana a la de un diodo y los datos tomados con el mult metro corroboran ese comportamiento exponencial. C. circuitos de polarizaci on Se obtuvieron valores muy cercanos a los propuestos, en el que mayor cambio hubo fue en el circuito 2 que es la polarizaci on universal, esto muy seguramente se debe a que los valores de las resistencias tuvieron que ser normalizadas. Aunque el valor de la polarizaci on ja en este caso es muy cercana a lo pedido es recomendable no usarlo ya que es muy sensible a los cambios de temperatura y corriente. VI. P REGUNTAS S UGERIDAS

Cu al de las conguraciones es m as estable con respecto a la variaci on de la temperatura y por qu e? La m as estable a los cambios es la polarizaci on universal ya que las resistencias evitan los cambios bruscos generados por la acci on de la temperatura en el transistor. Cu al es la posible aplicaci on de cada una de las conguraciones de polarizaci on? Debido a que la conguraci on de polarizaci on ja, varia sus par ametros con la temperatura, esta polarizaci on podr a funcionar como un sensor de temperatura, y se funcionaria con algunas de las caracter sticas principales que se alteran cuando cambia la temperatura, tales como la corriente de colector o la tensi on VBE . Las otras dos polarizaciones, pueden ser utilizadas en circuitos amplicadores debido a que se comportan bien ante los cambios de temperatura, y se jan las condiciones de polarizaci on f acilmente en el dise no.

Qu e comportamiento se observa en Vo en comparaci on a la entrada sinusoidal VS ? VS se obtiene una se nal senoidal recortada, debido a la juntura base-emisor que se encuentra polarizada directamente y act ua como un diodo, y amplicada y reejada por las propiedades del efecto transistor en su zona activa. Para cual valor m nimo de VBE , el transistor cambia su estado a encendido?

VII.

C ONCLUSI ON

El BJT es m as pr actico y m as f acil de conseguir que el MOSFET tiene una mayor ganancia lo cual lo hace ideal para aplicaciones anal ogicas, sin embargo, tiene baja resistencia de entrada y la base tiene conexi on con los otros dos terminales lo que hace un poco complicado acomodar la polarizaci on y el amplicador. Tambi en cuenta con las limitaciones de un diodo ya que est a compuesto de uniones PN.

cuando el Vbe est a a 0.4V como m nimo. Que regiones de operaci on puede identicar en los gr acos? En la curva IC vs.VCE , se pueden identicar la zona de saturaci on, que se tiene cuando el voltaje de colector cae por debajo de la tensi on de la base y la uni on Colector Emisor se comporta aproximadamente como un cable; y la zona activa, en donde se observa un comportamiento aproximadamente lineal entre IC y VCE . Qu e diferencia puede encontrar entre la gr aca de VO vs.VBE mostrada en el osciloscopio y la gr aca obtenida a partir de los datos? las gr acas son bastante similares, sin embargo la pendiente de la corriente es mayor en la curva obtenida que en el osciloscopio que la obtenida con los datos. esto se debe a que el osciloscopio eval ua mucho mas precisamente punto a punto las dos funciones y se obtiene una gr aca mas detallada. Qu e puede concluir acerca del del transistor? El es la ganancia que existe entre la corriente de base y la corriente de colector. En los casos de dise no es mejor hacer una medici on previa de las corrientes para hallar el ste valor exacto de e

VIII.

R EFERENCIAS

ADEL S. SEDRA Y KENNETH C. SMITH. Circuitos Microelectr onicos 5ta Edici on ROBERT L. BOYLESTAD Y LOUIS NASHELSKY. Electr onica teor a de circuitos y dispositivos electr onicos D ecima edici on