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Prctica 5: Caracterizacin y Circuitos con B !

II. M1R., E,RI.,

I.RESUMEN En el presente documento se muestra el manejo transistores, su funcionamiento, estructura y polarizacin de un transistor BJ .se realizaron !arios modelos de transistores con el fin de caracterizar un transistor N"N mediante el reconocimiento de sus modos de operacin. #e i$ual manera se %usca%a o%tener par&metros espec'ficos de un transistor como la relacin de corrientes (alfa o %eta) y el !oltaje %ase emisor. "olarizar un circuito electrnico mediante una fuente de corriente %asada en BJ *s. "ara lo cual en la pr&ctica se realiz el montaje de al$unos modelos de transistores, as' como la simulacin de estos mismos y otros ejemplos para lle$ar dic+os o%jeti!os.
ABSTRACT---This document shows the use transistors, its operation and structure of a transistor polarization BJT.se several models of transistors made in order to characterize an NPN transistor through recognition of its modes of operation. Similarly, it is sought to obtain specific parameters of a transistor as the ratio of currents alpha or beta! and the base"emitter voltage. Biasing an electronic circuit using a current source based on BJT#s. $or which in practice was assembling transistor models and the simulation of the same and other e%amples to reach these goals.

En esta pr&ctica se tra%ajaron con transistores los cuales definiremos como un dispositi!o electrnico semiconductor utilizado para producir una se2al de salida en respuesta a otra se2al de entrada. 3 .umple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El t4rmino 5transistor6 es la contraccin en in$l4s de transfer resistor (5resistencia de transferencia6). 1ctualmente se encuentran pr&cticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario7 radios, tele!isores, reproductores de audio y !ideo, relojes de cuarzo, computadoras, l&mparas fluorescentes, tom$rafos, tel4fonos celulares, etc. En esta pr&ctica se tra%aj con los si$uientes elementos y este procedimiento7 a) Listado de materiales 8 ransistores 8 Resistencias 8 Mult'metro b) Procedimiento La prctica consisti en etapas descritas a continuacin: 3) Medicin de los valores reales. Se realizaron las pertinentes mediciones de cada una de las resistencias, utilizados en el montaje implementado durante la pr&ctica. 9) Simulacin del comportamiento del transistor: esta parte de la pr&ctica, consisti en la simulacin de los : es;uemas presentados en la $u'a mediante el uso de orcad, con el fin de o%ser!ar el comportamiento del transistor en los diferentes casos. "ara esto se us la proto%oard y lo elementos y se conectaron de acuerdo a los modelos ;ue se !ieron en clase donde en el tercer caso se i%a !ariando el !oltaje -BB con el fin de o%ser!ar distintos comportamientos. <) Montaje y simulacin de los ejercicios en clase:: se realiza el montaje y la simulacin de los ejercicios !istos en clase, y con ayuda del mult'metro se miden las corrientes y !oltajes re;ueridos en la pr&ctica. .

,BJE I-,S

Reconocer el funcionamiento, estructura y polarizacin de un transistor BJ . .aracterizar un transistor N"N mediante el reconocimiento de sus modos de operacin. ,%tener par&metros espec'ficos de un transistor como la relacin de corrientes (alfa o %eta) y el !oltaje %ase/emisor. "olarizar un circuito electrnico mediante una fuente de corriente %asada en BJ *s.

"r&ctica =7 >UEN E #E ",#ER

9 III. 1N1?ISIS E,RI.,

"ara los datos tericos, se tu!o en cuenta los si$uientes par&metros los cuales fueron +allados en clase los cuales fueron@

I-.

1N1?ISIS "RE1. I.,

A partir del diseo del circuito y clculos previamente hechos y revisados se obtuvieron los valores de las resistencias que estarn formando parte de los circuitos de la prctica a desarrollar, a continuacin tabla de valores tericos y experimentales de las resistencias calculadas: Valor Terico Valor Real %Error RC1 (5,1K) 5.0 !" 0. 0# RE1 (5,1K) 5.$!" 0# RC2(5.1K) 5.$%!" $.&'# RE2(5.1K) 5.(0!" %# RB2(100K) $0$!" )# RC3(1K) $.%*" 0,&# RB3(10K) '.+5!" $,&# Tabla No.1 ,alores tericos y reales de las resistencias. -on dichos valores se reali.a una simulacin de los % primeros monta/es de la prctica, donde en el primer monta/e se reali.a un barrido para obtener una curva con las caracter0sticas de la seal donde los e/es son 1vs ,-2, a continuacin los resultados.

Fig No.2 -urva ,- vs ,32 2n la se4unda simulacin que el volta/e del colector posee un volta/e continuo de hasta $0,, lue4o el volta/e desciende hasta alcan.ar un valor aproximado a 0.+,, se puede ver entonces que la re4in de operacin de dicho transistor se encuentra entre 0v y 0.5,, lue4o pasa a una re4in de saturacin hasta los 0.+,. Analisis: A partir de las dos simulaciones reali.adas se procede a hacer el monta/e de los circuitos para una comparacin experimental, los datos obtenidos se encuentran en la si4uiente tabla:

Valor Valor Terico E !eri"e#$al &B &! 0 0 &' &! 5 5.%%5 &( &! )0.+ )0, %( &)' &! $0.% '.+ $ &)( &! $6.56 $6.( *B m+! 0.0% 0 *' m+! % $.+& *( m+! %.0% %.$ Tabla No. 2 7abla datos experimentales.

%Error 0 (.$& 0.$+& $.&'( $.6 0.% (.6 0.&'

Fig No.1 -urva 1- vs ,-2 2n el primer barrido se puede concluir que para diferentes ,32 la re4in de saturacin se encuentra entre 0, y 0.+,, lue4o de esto para a re4in activa. 5a si4uiente simulacin es el se4undo monta/e, donde se observa la curva de ,- vs ,32

Fig No. 3 8imulacin de un transistor npn. 8e observa el valor del volta/e emisor tiene un valor ne4ativo, esto se debe a que el volta/e base es i4ual a 0, ya que est a tierra. 2l ob/etivo del se4undo monta/e es hallar los valores de 9 y :, dichos valores se obtendrn de manera experimental y se compararan con los tericos en la si4uiente tabla /unto con la simulacin: "r&ctica =7 >UEN E #E ",#ER

< Valor Valor %Error Terico E !eri"e#$al &B &! 0,+ 0,+$ %,$5 &' &! 0.&& 0,&(% $,06 &( &! 0 0 0 &)' &! ' ',& $, 6 &)B &! $.% $,%'+ $,$ *B m+! 0,$ 0,$'6 0.&+ *' m+! '.+ ',&% 0, 6 *( m+! 5,$ 5,' +,' Tabla No.5 7abla de datos con cambio de volta/e de base. 2n 5a si4uiente tabla contiende los datos del comportamiento en el borde de saturacin. <ara ,33=$0.5v Valor Valor Terico E !eri"e#$al &B &! 0,+ 0,+( &' &! 0,% 0,06(5 &( &! 0 0,00( &)' &! ',& ',' &)B &! ',& ',+5 *B m+! 0,'& 0,' *' m+! ',& $0.$+ *( m+! $0,+ $0,& Tabla No.& 7abla de volta/e base de $0,5,. %Error ,$6 +,+5 0,00% $,$% 0,( $,( (,$% 0,'(

Valor Valor Terico E !eri"e#$al &B &! $ $ &' &! )$.+5 % &( &! $.+ $,$ &)' &! &.6$ &.%( &)( &! +.6 +.%( &)B &! 6 6.6' *B m+! 0.00$0 0.006 *' m+! $. 5 $.$0 *( m+! $. $.65 , 0.'' $ - $ 5 $ 5 Tabla No. 3 7abla valores se4undo monta/e.

%Error 0 %.6 %.+ 0.%% 0.( $.% (.% %.65 $.%% 0.0$ 0

Fig No.% 8imulacin de un transistor pnp. 5as 4anancias tienen valores relativamente parecidos, ya que los valores internos de un transistor no se ven afectados. 2l ;ltimo monta/e a reali.ar y en el mismo se reali.a un barrido donde se alterna el valor de volta/e de la base, con dichos volta/es se hace una toma experimental de datos, determinando las diferentes .onas o re4iones de operacin y proceder a una posterior comparacin con los clculos tericos que se encuentran en la si4uiente la tabla: <ara ,-2=5v ,33=$.+v Valor Valor Terico E !eri"e#$al &B &! 0,+$6 0. &' &! $0 ',' &( &! 0 0 &)' &! '.&( '.' &)B &! 0.' 0.& *B m+! 0.$ 0.$( *' m+! $0 ' Tabla No.% ,alores tercer monta/e. <ara ,-2 ed4e =0.(v ,33=%. 6 "r&ctica =7 >UEN E #E ",#ER %Error $.% 0,6 0 $ %.( 0.'+ %

<ara finali.ar en la si4uiente tabla se encuentra el comportamiento del transistor en la re4in de saturacin, donde hay un 3eta for.ado que toma un valor de $0 y se toma el valor de ,-2 de 0.% aprox.

Fig. No.5 8imulacin del barrido de ,33 en un circuito con un transistor npn. 2n la si4uiente table se muestran los valores teoricos y expreimentales cuandoel ,33=$5, Valor Terico 0,+ 0,% 0 ',& ',& 0,'& ',& $0,+ Valor E !eri"e#$al 0,+( 0,0(& 0,00( ',% ',+5 $,5 $0.$+ $0,& %Error ,$6 +,+5 0,00% $, % 0,( (,( (,$% 0,'(

&B &! &' &! &( &! &)' &! &)B &! *B m+! *' m+! *( m+!

= 2n la simulacin, el valor de corte es pequeo y por lo tanto no cae rpidamente el volta/e a 0.(, que es el volta/e del borde de saturacin.

-.

.,N.?USI,NES

En la medida ;ue -BB aumenta, se puede o%ser!ar como nos !amos mo!iendo desde la re$in cuttoff +asta la de saturacin. ?a corriente de IB aumenta a medida ;ue aumenta -BB mientras ;ue %eta !a disminuyendo ?a corriente de I. del colector en el modo de saturacion es un !alor constante y por ende no !a a !ariar el !oltaje -BB Es notorio ;ue en la re$in acti!a el I. !aria con -.E

"r&ctica =7 >UEN E #E ",#ER