CircuitosIntegradosen Microondas

UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO
FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL PERODO ACADMICO: SEPTIEMBRE/2013 FEBRERO/2014
FORMATO DE TRABAJO FINAL I. PORTADA
UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO Facultad de Ingeniera en Sistemas, Electrnica e Industrial Proyecto Acadmico de Fin de Semestre Ttulo: Circuitos Integrados en Microondas Carrera: Carrera de Electrnica y Comunicaciones rea Acadmica: Comunicaciones Lnea de Investigacin: Tecnologa de Comunicaciones Ciclo Acadmico y Paralelo: Noveno Electrnica Alumnos participantes: Erika Montesdeoca Mdulo y Docente: Ing. Marco Jurado
II.
1. 2. PP YY
INFORME DEL PROYECTO 2.1 Ttulo Circuitos Integrados en Microondas 2.2 Objetivos Mediante el desarrollo de este proyecto se pretenden lograr los siguientes objetivos Investigar los circuitos integrados que existen en la actualidad Analizar el funcionamiento de los circuitos integrados en microondas Examinar la estructura de los circuitos integrados en microondas. Determinar la estructura del diodo IMPATT y su configuracin.
2.3 Resumen La tecnologa de microondas consista en la utilizacin de guas de ondas para la creacin de circuitos, lo que conllevaba que el proceso de fabricacin fuese largo y costoso. La revolucin aparece sobre 1960 con la aparicin de la tecnologa planar y la produccin de materiales dielctricos ms baratos y con menos prdidas, dando lugar a la tecnologa MIC (Microwaves Integrated Circuits). sta tecnologa evoluciona a los MIC monolticos (MMIC) cuando en 1975 Ray Pengelly y James Turner publican su estudio Monolithic Broadband GaAs FET Amplifiers, convirtindose as en los padres e inventores de los MMIC. Cuando trabajaban en Plessey disearon un amplificador de una sola etapa con una ganancia de 5 dB en la banda X que usaba puertas de escritura ptica de 1 micrn. Los primeros MMIC se fabricaron de Arseniuro de Galio (GaAs), el cual tiene dos ventajas fundamentales frente al Silicio (Si), que es el material tradicional para la fabricacin de circuitos integrados: la velocidad del dispositivo y el sustrato semi-aislante. Este tipo de circuito usa una solucin cristalina para el dielctrico y la capa activa. El GaAs es til gracias a su capacidad para trabajar en altas frecuencias y a que su alta resistividad evita interferencias entre dispositivos. Esto permite la integracin de dispositivos activos (radiofrecuencia), lneas de transmisin y elementos pasivos en un nico sustrato.

En los primeros MMICs, todos los circuitos estaban hechos con GaAs MESFET, diodos IMPATT (Impact Ionization Avalanche Transit Time) y diodos varactores, pero con la maduracin de la tecnologa GaAs se incrementa el uso de Hits, HEMTs y PHEMTs en aplicaciones nicho. En comparacin con otras tecnologas de microondas, los MMIC de GaAs ofrece las siguientes ventajas: Reduccin de tamao. Reduccin de costes para volmenes de produccin medio-altos Mejora de las caractersticas de los sistemas por la inclusin de algunas funciones como lgicas, RF,.. En un nico circuito Mejora de la reproducibilidad, debido al procesamiento e integracin uniforme para todas las partes del circuito. Mejora del diseo sin necesidad de realizar numerosas iteraciones, debido a la reproducibilidad y al diseo asistido por ordenador. Mayor rango de frecuencias, reduciendo efectos parasitarios en los dispositivos. 2.4 Palabras clave: Microondas Circuitos Integrados de Microondas Circuitos Hbridos
2.5 Introduccin Circuitos integrados de microondas Un circuito de microondas es una regin del espacio arbitraria, que puede contener elementos activos y pasivos, concentrados o distribuidos, que presenta cierto nmero de accesos (o puertas) en forma de lneas de transmisin o de guas de onda. Atendiendo a la equivalencia entre gua de onda y lneas de transmisin, todos los accesos pueden representarse simblicamente mediante lneas de transmisin. Lneas de transmisin Parmetros distribuidos (z << ):
Caracterizacin de la lnea:

factores propagacin y atenuacin longitud elctrica: l/ impedancia caracterstica:
potencia:
Tecnologas de Microondas Circuitos de gran tamao E.M.: Efectos propagativos Acoplo E.M. entre lneas
Bloques bsicos: Dispositivos estado slido diodos Schottky, PIN, transistor: BJT, FET, HEMT, HBT
Lneas de transmisin Interconexiones entre dispositivos (con retardo) Efectos capacitivos, inductivos,
Componentes pasivos de microondas: divisor de potencia, redes de adaptacin, filtro, acoplador, desfasador, circulador, Filosofa propia de diseo

DIODO IMPATT En muchos aspectos, el diodo IMPATT es un diodo inusual en que es capaz de proporcionar seales de alta potencia de RF a frecuencias de microondas utilizando una estructura que no est tan lejos diferente de la unin PN bsica. Sin embargo se ha desarrollado para permitir su diferente modo de operacin para ser utilizado adecuadamente. Teora y funcionamiento: El diodo IMPATT se basa en un efecto de negativa causada por el tiempo de trnsito de los transportistas. Esta negativa permite el diodo para actuar como un oscilador, la creacin de frecuencias de microondas. Fabricacin y estructura: Hay un nmero de estructuras y mtodos de utilizados para diodos IMPATT. 2.6 Materiales y Metodologa 2.6.1 2.6.2 Materiales Hoja Esferogrfico Computadora Metodologa resistencia resistencia seales en fabricacin
MICROONDAS Son seales electromagnticas variables en el tiempo de alta frecuencia y pequea longitud de onda: c= f Rango de frecuencias: 300 MHz 300 GHz Rango de longitudes de onda: 1 m 1 mm

La propiedad fundamental que caracteriza a este rango de frecuencia es que el rango de ondas correspondientes es comparable con la dimensin fsicas de los sistemas de laboratorio; debido a esta peculiaridad, las m. Exigen un tratamiento particular que no es extrapolable de ninguno de los mtodos de trabajo utilizados en los mrgenes de frecuencias con que limita. Estos dos lmites lo constituyen la radiofrecuencia y el infrarrojo lejano. En radiofrecuencia son tiles los conceptos de circuitos con parmetros localizados, debido a que, en general, las longitudes de onda son mucho mayores que las longitudes de los dispositivos, pudiendo as, hablarse de autoinducciones, capacidades, resistencias, etc., debido que no es preciso tener en cuenta la propagacin efectiva de la onda en dicho elemento; por el contrario, en las frecuencias superiores a las de m. son aplicables los mtodos de tipo OPTICO, debido a que las longitudes de onda comienzan a ser despreciables frente a las dimensiones de los dispositivos. INGENIERA DE MICROONDAS (Io) Diseo y desarrollo de sistemas que operan con seales E.M. en la banda de frecuencias 1100 GHz Generacin de seales: osciladores, tubos, Procesado de seales: circuitos de microondas de guas de onda Integrados Emisin/recepcin: antenas
Caracterstica fundamental de sistemas Io: Tamao fsico similar a la longitud de onda (30 cm 3 mm) Tcnicas y mtodos propios: Electromagnetismo Aplicado Extensibles a banda submilimtrica (ultramicroondas)
CIRCUITOS INTEGRADOS DE MICROONDAS Las siglas MIC provienen de Microwave Integrated-Circuit (Circuitos Integrados de Microondas). Esta tecnologa se basa, generalmente, en la transmisin de ondas a travs de lneas impresas. Se har en esta seccin hincapi en los dos tipos de lneas de transmisin ms representativas de esta tecnologa: las stripline, y las microstripline, adems de mencionarse un tercer tipo, finline, por considerarse

tambin de inters.
LINEAS STRIPLINE: Stripline es un tipo de lnea de transmisin para modos TEM (Transversal ElectroMagnticos) utilizada en electrnica de comunicacin. Su invento se atribuye a Robert M. Barrett, del Centro de Investigacin de la Fuerza Area de Cambridge en la dcada de 1950. Como se podr observar, consiste en una modificacin del coaxial hacia una estructura planar. Un circuito con stripline est constituido por una tira plana de metal que se inserta entre dos lneas de tierra. El material aislante del sustrato forma un dielctrico. El ancho de la tira, el espesor del sustrato y la permitividad relativa del sustrato determinan la impedancia caracterstica de la tira, la cual constituye la lnea de transmisin. Las dimensiones de este tipo de tecnologa se pueden apreciar en la siguiente figura:
Al igual que el cable coaxial, las lneas stripline no son dispersivas, y no tienen frecuencia de corte.
TECNOLOGA MPC Estas lneas stripline son la clave para las tecnologas MPC (circuitos impresos de microondas), que se caracterizan por sus secciones stripline, que dan lugar a estructuras no dispersivas y con prdidas mnimas. Estos dispositivos complejos requieren del electromagnetismo como base para su diseo, que es muy verstil debido a la multitud de configuraciones de striplines posibles:

Algunos ejemplos de estos dispositivos podran ser:
Las principales propiedades de estos circuitos (MPC) se resumen en su facilidad de fabricacin y su bajo coste (originalmente usando substratos de tefln o PFTE). Adems son muy ligeros, miniaturizables y no integran dispositivos activos. A continuacin se muestran dos ejemplos dos aplicaciones de esta tecnologa basadas en stripline:
Tambin se puede utilizar en estos circuitos lneas microstrip, que se estudian a continuacin. Tecnologa MMIC Los circuitos MMI o MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) son un tipo de circuitos integrados que operan en frecuencias de microondas, es decir, entre 300 MHz y 300 GHz. La tcnica de fabricacin de los circuitos MMIC se basa en la utilizacin de lneas de transmisin planares, y se realiza con compuestos de semiconductores compuestos, tales como el arsenurio de galio (GaAS), nitrato de galio (GaN) y el germanio de silicio (SiGe). Las entradas y salidas de los dispositivos MMIC se adaptan, generalmente, con una impedancia caracterstica de 50 ohmios. Esto facilita el uso de dichos dispositivos, as como su uso en forma de cascada, ya que no requieren red de adaptacin externa. Adicionalmente, la mayora de los equipamientos de

pruebas de microondas se disean para operar en unas condiciones de 50 ohmios. Los MMIC son dimensionalmente pequeos (desde 1 mm2 a 10 mm2) y pueden ser producidos a gran escala, lo que ha facilitado su proliferacin en dispositivos de alta frecuencia, como pueden ser los telfonos mviles. Fabricacin Los circuitos de microondas de estado slido eran fabricados exclusivamente en base a componentes discretos que incluan dispositivos de circuitos activos de semiconductor como transistores y diodos. Incluso hoy, el mercado es compartido entre los antiguos diseos y los nuevos. Mientras que los componentes discretos son hechos en base a tecnologas bipolares de silicio, los circuitos MMIC son hechos principalmente de arseniuro de galio (GaAs). Los circuitos MMIC ofrecen mejoras de ancho de banda sobre los circuitos hechos en base a componentes integrados. La razn de esto es que se evitan prdidas elctricas y capacidades parsitas al poderse colocar las redes de acoplamiento ms prximamente a los transistores. Este efecto produce un gran avance en la fiabilidad de las aplicaciones que requieren un gran nmero de elementos. En estas aplicaciones cada mdulo del sistema de arrays puede necesitar cerca de tres chips que incorporen amplificadores de potencia, amplificadores de bajo ruido y desplazadores de fase. Mientras que los transistores bipolares pueden ser utilizados a frecuencias de microondas, los circuitos integrados que tienen una movilidad de electrones ms baja son generalmente inferiores en frecuencias de microondas. La movilidad de los electrones no es el nico parmetro a favor del arseniuro de galio. La gran capacidad de aislamiento del arseniuro de galio tambin debe ser tomada en cuenta. Ordinariamente el material de silicio es varios rdenes de magnitud ms conductivo que el arseniuro de galio limitando esta caracterstica la ganancia mxima que puede estar disponible a altas frecuencias por dispositivos de silicio. Este aislamiento inhibe corrientes parsitas entre electrodos de transistores en el mismo chip que de otra forma afectaran su rendimiento como un circuito de microondas integrado. A fin de aumentar el rendimiento y disminuir la limitacin de costes de las tecnologas actuales, esta tcnica permite mejorar la fabricacin de circuitos monolticos en silicio que son capaces de operar en frecuencias de microondas se utilizar un sustrato de silicio de alta resistividad, que se obtiene con una tcnica de zona flotante que implanta una capa de aislamiento cerca de su superficie superior, preferiblemente SIMOX. Se forja un plano conductivo en el fondo del sustrato y se forja un circuito en la capa activa de silicio que permanece sobre la capa SIMOX de aislamiento. Aplicaciones de la tecnologa MMIC Amplificadores MMIC en la banda Ka de banda ancha Amplificador MMIC de ganancia variable y baja distorsin Amplificadores de bajo ruido Mezcladores Osciladores Amplificadores de potencia

DIODO IMPATT El diodo IMPATT o para darle el nombre completo, el diodo de avalancha IMPact ionisation Avalanche Transit Time es un dispositivo semiconductor de RF que se utiliza para la generacin de seales de frecuencia de radio de microondas. Con la capacidad de operar a frecuencias entre aproximadamente 3 y 100 GHz o ms, una de las principales ventajas de este diodo de microondas es la capacidad de potencia relativamente alta (a menudo diez vatios y ms) en comparacin con otras formas de diodo de microondas. El diodo IMPATT tiene muchas ventajas, aunque con sintetizadores de frecuencia de gran estabilidad que ofrece altos niveles de rendimiento y otras tecnologas de semiconductores de mejora, en los ltimos aos se ha utilizado menos ampliamente. Aplicaciones Diodos IMPATT son ideales cuando se necesitan pequeas fuentes de radio de microondas rentables. El principal inconveniente de los generadores que utilizan diodos IMPATT es el alto nivel de ruido de fase que generan. Esto es consecuencia de la naturaleza estadstica del proceso de avalancha que es clave para su funcionamiento. Sin embargo, estos diodos son excelentes fuentes de seal para muchas aplicaciones de microondas de RF. Normalmente, el dispositivo se utiliza en un nmero de aplicaciones, incluyendo: alarmas radar Detectores utilizando tecnologa de radiofrecuencia Conceptos bsicos de teora IMPATT diodo En la direccin de avance se llevar a cabo despus de que se ha alcanzado el punto de conduccin directa. En el sentido inverso, se bloquear actual.

Sin embargo, en un cierto voltaje del diodo se descompone y la corriente fluir en la direccin inversa.
Representacin grfica de la caracterstica IMPATT El diodo IMPATT se opera bajo condiciones de polarizacin inversa. Estos se fijan de manera que se produce ruptura de avalancha. Esto ocurre en la regin muy cerca de la P + (es decir, regin P fuertemente dopado). El campo elctrico en la unin pn es muy alta debido a que el voltaje aparece a travs de una brecha muy estrecha la creacin de un alto gradiente de potencial. Bajo estas circunstancias cualesquiera portadores se aceleran muy rpidamente. Como resultado de que choquen con la red cristalina y otros portadores libres. Las siguientes aerolneas recin liberados se aceleran de manera similar y chocan con la red cristalina liberando ms portadores. Este proceso da lugar a lo que se denomina ruptura por avalancha como el nmero de portadores multiplica muy rpidamente. Para este tipo de avera slo se produce cuando se aplica una cierta tensin a la unin. Por debajo de este potencial no acelera los portadores suficientemente . En trminos de su funcionamiento el diodo IMPATT puede considerarse que consta de dos zonas, a saber, la regin de avalancha o regin de inyeccin, y en segundo lugar la regin de deriva. Estas dos reas ofrecen diferentes funciones. La regin de avalancha o inyeccin crea los portadores que pueden ser o bien orificios de electrones, y la regin de deriva es donde los portadores se mueven a travs del diodo de tomar una cierta cantidad de tiempo depende de su grosor. Los dos tipos de deriva portador en direcciones opuestas.

CIRCUITOS IMPATT Diodos IMPATT se utilizan generalmente a frecuencias por encima de alrededor de 3 GHz. Se ha encontrado que cuando se aplica a lo largo de un circuito sintonizado con una tensin alrededor de la tensin de ruptura a la IMPATT, y la oscilacin se producir. En comparacin con otros dispositivos que utilicen resistencia negativa y estn disponibles para la operacin a estas frecuencias, la IMPATT es capaz de producir niveles mucho ms altos de energa. Tpicamente figuras de diez o ms vatios se pueden obtener, depende del dispositivo. Uno de los principales inconvenientes del diodo IMPATT en su operacin es la generacin de altos niveles de ruido de fase como resultado del mecanismo de ruptura de avalancha. Se encontr que los dispositivos basados en la tecnologa de arseniuro de galio son mucho mejores que los que utilizan silicio. Esto da lugar a partir de los coeficientes de ionizacin mucho ms cerca de agujeros y electrones. La construccin del diodo IMPATT Hay una variedad de estructuras que se utilizan para el diodo IMPATT. Todos son variaciones de una unin PN de base y por lo general hay una capa intrnseca, es decir, una capa sin ningn dopaje que se coloca entre el tipo P y tipo N regiones. Las estructuras utilizan una unin PN que est polarizado en sentido inverso de modo que la multiplicacin de avalancha se produce dentro de la regin de campo alto. En la mayora de las estructuras de una barrera de Schottky se puede utilizar como la unin de inyeccin. El mtodo ms comn de fabricacin de un diodo IMPATT es utilizar una estructura vertical donde hay flujo de corriente vertical.

Para este formato de diodo, las capas crecen generalmente de forma epitaxial. Cuando los productos de muy alta frecuencia se deben hacer capas que pueden llegar a ser muy delgadas. Para estas capas, las tcnicas que incluyen MBE, epitaxia de haces moleculares, o MOCVD, deposicin de vapor qumico metaloorgnico que se pueden utilizar. Para un tpico diodo de la capa N puede ser slo de 1 a 2 m de grosor, y la capa intrnseca puede ser de entre 2 y 20m de espesor. Para la operacin de muy alta frecuencia, se reducen estas dimensiones. Los dopantes necesarios para las diferentes capas se pueden introducir usando uno de un nmero de tcnicas que incluyen la difusin, implantacin de iones o dopaje incluso en obra durante el proceso de crecimiento epitaxial de una capa dada.
Adems de la fabricacin vertical y una estructura horizontal tambin se puede usar utilizando la tecnologa ms tradicional plana.
EMPAQUETADO Los dispositivos se utilizan normalmente como fuentes de energa de microondas y, como resultado, la disipacin de calor es un tema clave. Como resultado, los dispositivos estn montados en paquetes donde el calor puede ser transferido lejos de las reas activas de los dispositivos tan rpido como sea posible. Para este fin, los dispositivos se montan a menudo en lo que puede denominarse una forma al revs donde las capas activas son ms cercano a la disipacin de calor proporcionado por el paquete.

A menudo, el paquete es coaxial en formato de modo que las correctas propiedades de la lnea de transmisin se presentan a la seal de RF que puede estar a varias decenas de GHz. Como resultado, el paquete es a menudo muy compleja y, en consecuencia muy caro, especialmente cuando se utilizan frecuencias muy altas. Los materiales ms comnmente utilizados para dispositivos IMPATT son silicio y arseniuro de galio, pero otros materiales incluyendo germanio, y fosfuro de indio o galio aluminio arseniuro tambin se pueden usar. Perfiles de campo elctrico Un elemento importante de la estructura de un diodo IMPATT es la manera en la que se produce el perfil de campo elctrico. El siguiente diagrama muestra el perfil de un campo elctrico tambin las zonas de mayor campo elctrico representado por las zonas grises muestran que se produce la ruptura de avalancha.
El diagrama muestra los principales tipos de diodos de avalancha. El p + n, n + i diodo (ms a la izquierda en el diagrama) es la diodo y la estructura de diodo ms a la derecha, p + n + i tambin se conoce como el diodo Misawa. El diodo utiliza ruptura de avalancha en combinacin con los tiempos de trnsito de los portadores de carga para que pueda proporcionar una regin de resistencia negativa y por lo tanto actuar como un oscilador. Como la naturaleza de la ruptura de avalancha es muy ruidoso, y seales creadas por un diodo IMPATT tener altos niveles de ruido de fase. 2.7 Resultados y Discusin Por la necesidad de los avances tecnolgicos y comerciales los mezcladores han venido determinada, es por ellos que en la actualidad conviven las tecnologas de MIC y MMIC dependiendo de la frecuencia de trabajo, es decir se utiliza MIC (GaAs) para altas frecuencias y MMIC (Si) para bajas frecuencias. Por lo que se ha observado una disminucin exponencial tanto del tamao como del coste y un aumento de las prestaciones a lo largo del tiempo. Un diodo IMPATT es una forma de diodo de alta potencia utilizado en la electrnica de alta frecuencia y dispositivos de microondas. Ellos funcionan a frecuencias entre aproximadamente 3 y 100 GHz o ms. Una ventaja principal es su capacidad de alta potencia. Estos diodos se utilizan en una variedad de

aplicaciones de los sistemas de radar de baja potencia a las alarmas. Un gran inconveniente de la utilizacin de diodos IMPATT es el alto nivel de ruido de fase que generan. Esto es consecuencia de la naturaleza estadstica del proceso de avalancha. Sin embargo, estos diodos son excelentes generadores de microondas para muchas aplicaciones. 2.8 Conclusiones Los circuitos integrados en microondas se basan generalmente, en la transmisin de ondas a travs de lneas impresas. Estas lneas stripline son clave para las tecnologas MPC (circuitos impresos de microondas), las mismas que se caracterizan por sus secciones stripline, que dan lugar a estructuras no dispersivas y con prdidas mnimas. Los circuitos MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) son un tipo de circuitos integrados que operan en frecuencias de microondas, es decir, entre 300 MHz y 300 GHz, estos circuitos se basa en la utilizacin de lneas de transmisin planares, y se realiza con compuestos de semiconductores compuestos, tales como el arsenurio de galio (GaAS), nitrato de galio (GaN) y el germanio de silicio (SiGe). Diodo cuyo funcionamiento asocia la multiplicacin por avalancha de los portadores de carga y su tiempo de propagacin en la unin. Esto conduce, para ciertas frecuencias muy elevadas, a una resistencia negativa que permite utilizar el diodo en modo amplificador o en modo oscilador.
2.9 Referencias bibliogrficas Tecnologa de Radiofrecuencia 2010 pg. 6 Universidad Europea de Madrid http://ftpmirror.your.org/pub/wikimedia/images/wikipedia/commons/7/78/WIKIBOOK _G4.pdf Tecnologia de Circuitos Integrados de Microondas Dpto. Fsica Aplicada III - Universidad de Sevilla www.esi2.us.es/DFA/ARFAI/ficheros_2011/Tecnologias_MIC_10_11.pdf Diodo IMPATT http://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/impatt/impatt-diodes.php 2.10. Fotografas y grficos


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Algunos ejemplos de estos dispositivos podran ser:

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