INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR DE TEZIUTLN

ELECTRNICA ANALOGICA

PRESENTADO POR:

CONTRERAS MARIN FORTINO

ESPECIALIDAD EN: Automatizacin de Procesos

Docente: Ing. Ernesto Garca Moreno NO. CONTROL DE ALUMNO: 11TE0222

Teziutln, Puebla; ENERO 2014

Instituto Tecnolgico Superior de Teziutln

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Introduccin

A continuacin se presentara la investigacin de materiales semiconductores, con el fin de tener una idea de cmo funcionan los diodos, y transistores debido a que esta es utilizada para llevar acabo un impulso de seales elctricas y con los diferentes materiales que se mostraran permitan llevar acabo funciones. En la actualidad todas las tecnologas contienen diodos transistores en su interior llevar acabo funciones, la tecnologa planear es la que en la actualidad hace que tengamos componentes compactos, por eso es de importancia tener un conocimiento bsico como el que se mostrara en seguida.

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Materiales semiconductores Qu es? Son materiales cuya conductancia elctrica puede ser controlada de forma permanente o dinmica variando su estado desde conductores o aislante. Debido a su uso en dispositivos como transistores es de suma importancia el conocimiento de estos materiales, ya que en la actualidad se busca perfeccionar a un ms y buscar mejores materiales conductores esa es un estudio muy importante para la ciencia de materiales. Qu hace? Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Esto se hace con el objeto de generar los dos tipos de semiconductor: el tipo N y el tipo P. Principalmente se utiliza el Silicio (Si) y cada vez menos el Germanio (Ge), ambos por su configuracin de electrones de la capa exterior. Para doparlos (agregar impurezas) se utilizan el boro, galio e Indio. Estructura molecular. Los tomos tienen su orbital externo completo con solo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos.

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Formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para liberarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones que han roto el enlace covalente se les somete potencial elctrico de una pila y se dirigen al polo positivo. Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tienen efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma cara que el electrn pero con signo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos: Los electrones libres son portadores de cargas negativas y se dirigen al polo positivo de la pila. Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. Los huecos solo existen en el seno del cristal del semiconductor. Por el conductor exterior solo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica. Semiconductores extrnsecos Son los materiales semiconductores puros contaminados con impurezas en mnimas proporciones (una partcula entre un milln). A este proceso de contaminacin se le es considerado como dopaje. De acuerdo al tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos: Tipo N: En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5, como son Fosforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al ser

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introducidos, al quinto electrn de este tomo por el material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios. Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o indio (In). Si se introduce este tomo en el material, queda un hueco donde debera ir un electrn. Este hueco se mueve fcilmente por la estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este caso, los huecos son portadores mayoritarios. Los semiconductores tipo N tienen exceso de portadores de carga negativos (electrones) y los semiconductores tipo P tienen exceso de portadores de carga positiva (huecos). Unin PN Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN. Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse. Esta distribucin de cargas en la unin establece una (barrera de potencial) que repele los huecos de la regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la mencionada unin. Unin PN polarizada en directo Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N, la tensin U de la pila contrarresta la (barrera de potencial) creada por la distribucin espacial de cargas en la

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unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contrario. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente elctrica. Unin PN polarizada en inverso Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la regin P (figura 6), la tensin U de la pila ensancha la (barrera de potencial) creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin. La unin PN se comporta de una forma asimtrica respecto de la conduccin; dependiendo del sentido de la conexin, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso).

Conclusin
Yo llego a la conclusin de que los materiales semiconductores son de vital importancia para la aplicacin en los distintos campos de la electrnica, ya que pueden permitir a un elemento semiconductor comportarse conductor elctrico dependiendo el uso con el cual se van a utilizar. como aislante o

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Bibliografa: (wikipedia, 2013) (http://www.etitudela.com/, 2013) Bibliografa (22 de noviembre de 2013). Recuperado el 20 de enero de 2014, de http://www.etitudela.com/: http://www.etitudela.com/electronica/douwloads/introduccion.pdf wikipedia. (20 de diciembre de 2013). Recuperado el 20 de enero de 2014, de es.wikipedia.org/wiki/semiconductor http://www.ecured.cu/index.php/Semiconductores. (s.f.).