Investigation and development of a system of electro-stimulation for the

rehabilitation of inferior member in disabled peoples, using technical of

artificial intelligence evaluated in a design of constructed prototype


Electroestimulador inteligente y sistema de clonacin artificial de sensores de
movimiento y control adaptativo-predictivo, por acupuntura con
agujas_electrodos y transmisin inalmbrica, evaluado en un diseo de prototipo
construido

Dr. Sc. Antonio Faustino Muoz Moner Ph. D
Director del Grupo de Investigacin de Control & Mecatrnica
Universidad Autnoma de Bucaramanga
amunozm@unab.edu.co

Ing. Esp.s(c) Edgar Mauricio Jaimes Moreno
Joven Investigador COLCIENCIAS
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA
ejaimes@unab.edu.co


ABSTRACT
The electro-stimulation is long ago, a tool of occupational therapy "; most of the pathologies
needs a sensitive treatment and a motive treatment (strengthening and/or stretching of the
muscles). Between the investigations that are realized in the Advanced Computing Center -
LCE of the UNAB, for the Control and Mechatronics research group recognized by Colciencias
in this project of investigation on an intelligent electro-stimulaTor, which it uses as electrodes,
the needles of acupuncture and applies a methodology based on the artificial cloning of sensors
and automatic controllers, extended to biomedical teams, with wireless broadcast, of the
electrical signs of electrical of electro-stimulation.

RESUMEN
La electroestimulacin es desde hace mucho tiempo, una herramienta de "terapia ocupacional"; la
mayor parte de las patologas necesitan un tratamiento sensitivo y un tratamiento motor
(fortalecimiento y/o estiramiento de los msculos). Entre las investigaciones que se realizan en el
Laboratorio de Computo Especializado- LCE de la UNAB, por el Grupo de Control y Mecatrnica
reconocido por Colciencias, en este proyecto de investigacin sobre un electroestimulador
inteligente, que utiliza como electrodos, las agujas de acupuntura y aplica una metodologa basada
en la clonacin artificial de sensores y controladores automticos, extendida a equipos biomdicos,
con transmisin inalmbrica, de las seales elctricas de electroestimulacin.
1. INTRODUCCIN
El electroestimulador inteligente realiza el
procedimiento de electroterapia, a travs de
un sistema experto, que garantiza una
secuencia y programacin del tratamiento
basado en criterios de especialistas, dotado
con las ventajas de la acupuntura y la
transferencia de un potencial elctrico
(tensin) a la carga (msculo) en el punto
motor- aquel punto que mejor responde a
la estimulacin con cargas elctricas; los
electrodos estn soportados en agujas de
acupuntura y tienen acoplado un dispositivo
piezoelctrico, generador de electricidad, que
produce un flujo de corriente.

El siguiente cuadro, refleja la novedosa
metodologa de clonacin artificial, para
obtener el modelo experimental; dnde se
desarrollan procedimientos avanzados para
llevar a cabo el proceso de diseo con alta
tecnologa y evaluacin de los resultados.








Figura 1 Esquema Metodologa de
desarrollo del proyecto
El instrumento desarrollado, permite
efectuar la electroestimulacin con la
generacin de corrientes constantes de
impulsos rectangulares y simtricos en
frecuencias establecidas de 1 a 80 Hz y es
capaz por clonacin artificial de aportar
una cantidad de corriente en un
determinado periodo de tiempo, por control
adaptativo-predictivo inteligente de la
resistencia de los diversos tejidos del
cuerpo del paciente, que se interponen
entre los electrodos y las fibras que se
van a estimular. La clonacin artificial
aplicada al electroestimulador inteligente,
incluye el diseo de algoritmos genticos y
hardware evolutivos, que buscan la
solucin ptima, para la programacin
gentica de electroterapia, a travs de la
generacin de poblaciones de soluciones
codificadas a travs de cromosomas
artificiales, integrados por mapeo gentico,
el resultado de la estimulacin elctrica,
con acupuntura, mitiga ostensiblemente el
dolor muscular y ayuda al restablecimiento
eficiente de incapacitados motores;
Estmulos adecuados
Howson [1], afirma que para
electroestimulacin, lo ideal es emplear
impulsos con duraciones de fase muy
cortas. La curva l/t muestra que, con
duraciones de fase muy pequeas., es
posible estimular fibras motoras; con estas
duraciones cortas se puede obtener una
intensidad relativamente alta. Se trata de
un rango de intensidad amplio.
El incremento del ancho de pulso da como
resultado un aumento de la energa y del
rea de oleada a lo largo del eje horizontal.
Para obtener una contraccin sostenida,
debemos entregar una secuencia de impulsos
cuya frecuencia depende de la estructura del
msculo a estimular, es decir, los msculos
estn compuestos por diferentes fibras de
inercia limitada, caracterizadas por
metabolismo aerbico, y de fibras para
grandes movimientos caracterizadas por un
metabolismo anaerbico. Las primeras fibras
utilizan frecuencias bajas (de 1 a 30 Hz) y las
ltimas utilizan frecuencias elevadas (de 50
a 120 Hz). La electroestimulacin con
frecuencias elevadas puede transformar
parcialmente las fibras de baja inercia en
fibras de gran movimiento. Una frecuencia
baja (de 1 a 10Hz) es tolerada por cualquier
msculo, como un masaje tonificador y no
produce cansancio muscular.
TRANSDUCTOR PIEZOELECTRICO

Algunos slidos al deformarse generan
internamente carga elctrica. Este efecto
es reversible si al material se le aplicase
una carga elctrica este se deformara en
respuesta. Este fenmeno se denomina
piezoelctrico, esta conversin de
energa elctrica a mecnica y viceversa
tiene carias aplicaciones. Cuando la
entrada es mecnica y la salida es
elctrica, es posible medir fuerzas,
aceleraciones, etc. Incluso puede tener
aplicaciones domesticas, como en las
cocinas de gas con encendido por chispa
piezoelctrica. En el sentido opuesto se
utiliza para sistemas sonoros dedicados
a la deteccin de acstica y localizacin
de objetos sumergidos, equipos
industriales ultrasnicos para ensayos
no destructivos, etctera.
Los materiales que presentan un efecto
piezoelctrico significativo caen dentro
de dos categoras: Naturales (como el
cuarzo y la sal de Rochelle) o cristales
sintticos (sulfato de litio, fosfato de
amonio) y cermicas ferroelctricas
polarizadas (titanio de bario) las
cermicas ferroelctricas no presentan
este efecto en forma natural y deben ser
polarizadas artificialmente, mientras se
encuentran a una temperatura superior
al punto de Curie del material. Despus
se las deja enfriar lentamente con el
campo aplicado. Cuando se remueve el
campo externo, el material ya enfriado
retiene cierta polarizacin remanente y
por lo tanto exhibe el efecto
piezoelctrico. La temperatura de Curie
es aquella temperatura por encima de la
cual el material pierde sus propiedades
ferroelctricas. Es este el lmite de
temperatura al cual el material puede
utilizarse.
El material piezoelctrico puede exhibir
este efecto en diferentes direcciones;
transversal, longitudinal, cortante, etc.
Esto depende de la forma de cuerpo y su
orientacin con respecto a sus ejes
cristalogrficos y tambien de la posicin
de los electrodos. En las cermicas
polarizadas es de extrema importancia a
la direccin del campo elctrico durante
la polarizacin artificial.
En la figura 1 se muestra los ejes que
relacionan el efecto elctrico y el
mecanico, definido por constantes g
ik
y
d
ik.














Figura 1. Elemento piezoelctrico

As, para el elemento piezoelctrico de
la figura 1 se define la constante
(

= =
2
1
33
/
/
. 3
3
m N
m V
l b f
h e
direccin la en aplicado campo
direccin la en producido campo
g
o
(1)
Para constantes los valores tpicos son:
( ) ( ) [ ] bario de tilanato m N m V g
2 3
33
/ / / 10 12

=

( ) ( ) [ ] . / / / 10 50
2 3
33
cuarzo m N m V g

=
Tambin se puede definir la constante:
(

= =
N
C
f
e
direccin la en aplicado esfuerzo
direccin la en generada a c
g
1
33
3
3 arg

Para estas constantes los valores tpicos
son:
( ) [ ] N C d / 10 . 150
12
33

= Titanio de
bario.
( ) [ ] N C d / 10 03 . 2
12
33

= Cuarzo.
Ambas constantes no son
independientes. La capacitancia del
cristal es
0
e
q
h
bl
=

entonces en la
constante
ss
g en la siguiente ecuacin.

33
1 0 1
0
33
d
f
q
e
q
f
e
g = = =

Luego,
0
33
33

=
q
k
d
g

La constante dielctrica del titanio de
bario es 1410 y la del cuarzo es 4.58.
Para expresar la sensibilidad del cristal
en trminos de desplazamiento, es
necesario conocer el mdulo de
elasticidad del material. Para el cuarzo
el valor del mdulo de elasticidad es
8.610^4 MPa y para el titanio de bario
1210^4 MPa. La fuerza
1
f se expresa,
en trminos de esfuerzo y de
formaciones x como
bl
h
x
E rea esfuerzo f = =
1

Sustituyendo en la ecuacin (2) se tiene
que:
x d
h
Ebl
q =
33

Finalmente
x g
h
EAK
x d
h
EA
q
q
= =
33
0
33

En la expresin (4), A(m
2
) es el rea de
la seccin transversal del elemento
piezoelctrico y x la deformacin con
respecto a su espesor inicial h.
Por ejemplo, la sensibilidad carga-
desplazamiento de un elemento de
titanio de bario de 1cm
3
de seccin y
2mm de espesor es de 0.9 C/m. para
3
2
1
5
6
4
b
f
L e
f
h
ELE
deformar el elemento un micrn, hace
falta una fuerza de 6000N.
El elemento piezoelctrico de la figura 1
se puede interpretar como un generador
de cargas entre sus placas, segn la
deformacin del elemento, es decir,
segn se acerquen o alejen dichas
placas. Esta relacin est dad por
[ ] [ ] m C d
h
EA
K C x K Q
q q
/ ;
33
= = (5)
Tambin hay una resistencia entre las
placas, que es la resistencia de fuga del
capacitor formado por las placas y el
elemento piezoelctrico. Su valor
depende de la resistividad del material y
la separacin del rea de las placas
(electrodos). Para los materiales y las
dimensiones usuales la resistencia de
fuga R
a
tiene valores del orden de las
decenas de gigaohm.
La figura 2 muestra el equivalente
elctrico de un elemento piezoelctrico,
que consiste en un generador de vargas
de constante k
q
una resistencia R
a
en
paralelo y la capacitancia C
a
en paralelo
dad por:






Figura 2

Para los materiales y dimensiones
usuales esta capacitancia es del orden de
los cientos de picofarad. El valor de C
a

varia algo al deformarse el cristal, pero
esta variacin es insignificante. No se
debe confundir este caso con el
capacitor polarizado, donde el cambio
de capacitancia debido a la separacin o
acercamiento entre las plaxas era
precisamente la esencia del mtodo de
medicin. Aqu no se aplica voltaje de
polarizacin. Es el piezoelctrico quien
genera cargas.
El valor de K
q
est dado en la ecuacin
(5) para elementos traccin-compresin
como el mostrado en la figura 1 para
elementos a cortante y en otros casos K
q

tiene un valor diferente.
Es evidente que con un instrumento
convencional de medicin se peude
cometer serios errores debido a la
enorme impedancia de salida del
elemento piezoelctrico. Por esta razn
es necesario un preamplificador con alta
impedancia R
p
resistiva de entrada. El
esquema se indica en la figura 3








Figura 3 Circuito de medicin para un
elemento piezoelctrico.
Preamplificador de voltaje.

Se ha incluido tambin la capacitancia
C
c
del cable entre el piezoelctrico y el
preamplificador y la capacitancia de
entrada C
p
del preamplificador. La
resistencia del cable se desprecia debido
a su pequeo valor el cable no debe ser
muy largo, coso se demostrar
enseguida).
La figura 4 muestra el mismo circuito,
pero reducido gracias a que todas las
componentes estn en paralelo.










Figura 4 Circuito reducido para el
sistema de la figura 3

Las tres capacitancias se suman y por lo
tanto

[ ] F C C C C
p c a
+ + =
CARGAS
DE
GENERADOR
x k q
q
=
a
R a
C
x k q
q
=
) (s i
) (s z ) (s e
o
x k q
q
= a
R
a
C
c
C
p
C
p
R
0
e
CABLE
PIEZOEL
PRE-
Las resistencias se suman (en paralelo)
y por lo tanto:

[ ]
+

=
p a
p a
R R
R R
R (7)
La impedancia resultante es la suma en
paralelo de R y 1/CS
RCS
R
s Z
+
=
1
) ( (8)
La corriente que circula por el
piezoelctrico depende de la razn de
cambio de la carga q en la ecuacin (5)

) ( ) ( ; ) ( S Sx K S i
dt
dx
K
dt
dq
t i
q q
= |

\
|
= = (9)
Finalmente el voltaje de salida se
determina segn:

) ( ) ( ) ( S Z S i S e
o
= (10)
Combinando las ecuaciones (8), (9) y
(10) se tiene:

[ ] ) ( ; ;
1
) (
) (
) (
1
1
s RC
m
v
C
K
a
S
S a
S G
S x
S e
q
o
= =
+
= =

(11)
[ ]
+

=
p a
p a
R R
R R
R ;
[ ] F C C C C
p c a
+ + =

Comparando la ecuacin (11) con la
ecuacin resulta que se tiene un
Instrumento de primer orden cuya
sensibilidad esttica es a
1
y su constante
de tiempo es .
El modulo y la fase de la funcin
respuesta de frecuencias aparece en
forma adimensional en la figura
representado en forma de grfico de
Bode. El instrumento se comporta
como un filtro de paso alto y no medir
las frecuencias muy bajas. Se recuerda
que se estableci que este tipo de
instrumento se comporta como un
instrumento ideal si 3.
Entonces la mnima frecuencia
significativa del desplazamiento que se
desea medir es
min
= 3/ para medir
frecuencias lo mas bajas posibles la
constante de tiempo del sistema debe
ser muy elevada. En la ecuacin (11) se
observa que la constante de tiempo
puede ser elevada si la capacidad C total
es elevada, pero esto se opone a yba
adecuada sensibilidad. La nica forma
de elevar la constante de tiempo sin
afectar la sensibilidad es obtener un
elevado valor de R
p
el valor de R
a
es
como se dijo del orden de los Gigaohm.
La resistencia R
q
del preamplificador
debe serlo mayor posible ya que esta en
paralelo con R
a
. En la prctica un buen
preamplificador puede tener una
resistencia R
p
=4.5G en paralelo con
C
p
=1pF.
La sensibilidad estatica depende de la
constante K
p
del generador de cargas,
pero diminuye con la capacitancia total.
La capacitancia del piezoelctrico y del
preamplificador se controlan en la
produccin, pero la del cable depende
de su longitud (95 f/m es un valor tpico
para un cable de buena calidad).
Entonces la sensibilidad depende de la
longitud del cable y esto se debe tener
bien en cuenta. Si es posible por
cuestiones de espacio el preamplificador
se debe conectar junto al transductor,
reduciendo a cero la capacitancia del
cable.
Como un ejemplo numrico se
determinar la sensibilidad y la
respuesta de frecuencias de un elemento
piezoelctrico de titanio de bario de 1
cm
2
de seccin y 2 mm de espesor con
una resistencia de fuga de 20 G.
Conectado por un cable de dos metros a
un preamplificador tpico de calidad de
laboratorio. Su constante de generacion
de cargas se halla en la ecuacin (5) y
resulta C
a
=624pF. La capacitancia de 2
m de cable es de 190 pF y por tanto la
capacitancia total es C=81510
-12
F. la
resistencia del preamplificador en
paralelo con la resistencia de fuga del
piezoelctrico tiene un valor de
R=3.6710
9
(). La constante de tiempo
es entonces de 3seg. y se puede medir
correctamente a partir de 1rad/seg. sea,
0.16Hz.
La sensibilidad esttica debido al
cambio de capacitancia C del cable se
puede hallar segn la expresin:

c
c
C C
C
inicial ad sensibilid
ad sensibilid de cambio
+

=
(12)

Nuevamente se recuerda que para
comprimir (o traccionar) 1m a este
elemento hace falta una fuerza de
6000N.
Ya se hace evidente un hecho: este
sistema es extraordinariamente sensible,
pero el efecto de carga mecnico es
tambin extraordinariamente grande.
En realidad con el elemento
piezoelctrico no se mide
desplazamientos en el sentido que lo
hacen los restantes transductores que se
han visto en este capitulo, pero sirve
como base a sistemas para medir
aceleraciones, fuerzas y presiones. En
la prctica la deformacin del elemento
piezoelctrico es del orden de decenas
de millonsimas de micrn.
Otra solucin al circuito necesario para
transformar en potencial til las
deformaciones del elemento
piezoelctrico se muestra en la figura 5.
Ahora se coloca un amplificador
operacional a la salida del
piezoelctrico, conectado por un cable.
El amplificador operacional debido a su
alta ganancia y su alta impedancia de
entrada se comporta como un elemento
con un potencial de entrada
prcticamente nulo y que sin embargo
no deja pasar la corriente. La relacin
entre en voltaje e
x
a la entrada y e
x
a la
salida es
) ( ) ( ); ( S Ke S e x Ke e
x o o
= = (13)














Figura 5. Circuito de medicin para un
elemento piezoelctrico Preamplificador
de carga

La ganancia K del amplificador en lazo
abierto es del orden de los centenares de
miles o millones.
La figura 6 muestra un circuito
simplificado del circuito de la figura 5

















Figura 6. Circuito reducido para el
sistema de la Figura 5.

La impedancia Z
1
(S) resulta de la
capacitancia del piezoelctrico y del
cable en paralelo con la resistencia de
fuga del piezoelctrico es:
S C C R
R
S Z
c a a
a
) ( 1
) (
1
+ +
=

(14)
La impedancia Z
1
(S) resultante de la
resistencia y la capacitancia de
retroalimentacin del amplificador
operacional es:
f
R
x k q
q
= a
R
a
C
c
C
f
C
0
e
I
CABLE
PIEZ AMPLIFI
I
x k q
q
=
) (s i
a
) (
1
s z
) (s e
o
) (s e
x
) (s i ) (s i
b
) (s i
b
) (
2
s z
S C R
R
S Z
f f
f
+
=
1
) (
1


(15)
Para el circuito de la figura 6 se puede
escribir:
) ( ) ( ; ) ( S Sx K S i
dt
dx
K
dt
dq
t i
q q
= |

\
|
= =


) ( ) ( ) (
1
S Z S i S e
a x
=

(16)
) ( ) ( ) ( ) (
1
S Z S i S e S e
b o x
=

(17)
) ( ) ( ) ( S i S i S i
b a
+ =

(18)
Resolviendo el sistema formado por las
ecuaciones (13), (9), (16), (17) y (18) se
tiene
) (
) ( 1 1
1
) ( ) (
) (
) (
1
1
1
S Z
S Z
k k
S Sx S Z K
S x
S e
q
o
+ +
=

(19)
Sustituyendo en la ecuacin (19) las
ecuaciones (14) y (15) se tiene que:
S C R
S C C R
R
R
k k
S C R
S C R
C
K
S x
S e
f f
c a a
a
f
f f
f f
f
q
o
+
+ +
+ +
+

=
1
) ( 1 1 1
1
1
) (
) (

Como la ganancia K del amplificador
operacional es muy grande el
denominador vale la unidad. Por lo
tanto:
S
S
a S G
S x
S e
o

+
= =
1
) (
) (
) (
1


(20)
[ ] s C R
C
K
a
f f m
V
f
q
= = ); (
1

Bsicamente sigue siendo todo
semejante al caso anterior cuya solucin
est en la ecuacin (11). Pero ahora ni
la sensibilidad ni la constante de tiempo
tiene que ver tericamente con la
capacitancia del cable, sino con los
parmetros de diseo de la resistencia y
la capacitancia de retroalimentacin del
amplificador operacional. En la
prctica es posible utilizar cables hasta
alrededor de 500 m de largo. Algunos
preamplificadores tiene ajustable en
pasos el valor de la capacitancia de
retroalimentacin, ganando en
constantes de tiempo pero
disminuyendo la sensibilidad. No es
extrao encontrar respuestas de
frecuencias desde 0,03 Khz. Una
frecuencia mnima de 0,03 Hz significa
una constante de 16 seg.
Los preamplificadores del tipo recin
descritos y representados en la figura 5
se denominan preamplificadores de
carga. Desde el punto de vista
electrnico son ms complejos que los
preamplificadores de voltaje, pero cada
ao se nota una tendencia mayor a
reemplazar totalmente a los primeros
debido a una ventaja de independizar el
comportamiento del transductor de la
longitud del cable utilizado.
No se desea concluir esta seccin sin
recordar que todo lo expuesto sirve
como base a otras aplicaciones tiles de
los elementos piezoelctricos, pero que
no se utilizan directamente para medir
desplazamientos debido a su altsima
rigidez (baja flexibilidad de entrada).


SISTEMA DE ELECTROESTIMULACIN
PARA DISCAPACITADOS POR
CLONACIN ARTIFICIAL

En el aprendizaje y entrenamiento del
electroestimulador obtenido por clonacin,
se aplica el tratamiento de las seales
recibidas de los sensores, amplificacin,
procesamiento digital (incluyendo filtrado)
producto de la actividad muscular, con esto
la informacin completa del mapa gentico
(genoma), es suficiente para el anlisis
aprovechando la potencialidad del software
basado en algoritmos genticos, con el cual
se identifican los patrones de las seales
EMG para realizar el control adaptativo de
los movimientos de la extremidad inferior.
El empleo de tcnicas de inteligencia
artificial basadas en redes neuronales y
computacin evolutiva, garantiza la
estrategia de accionamiento distribuido, y
los operadores genticos, la evolucin de la
tcnica de control, para la replicacin del
comportamiento del electroestimulador en
el discapacitado. Una parte importante del
proyecto de investigacin, se orienta a la
novedosa metodologa, que permita lograr
la concepcin integral del estudio y
desarrollo de sistemas Mecatrnicos por
clonacin artificial en el control de
dispositivos de electroestimulacin de
miembro inferior ver figura 3.













Figura 3. Esquema general del proyecto de
investigacin.


REFERENCIAS

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Machina Learning. Addison-
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5V Reg
LT C1963A 2. 5V Reg
LT1963A
1. 2V Reg
LTC1963A
Xilinx Spartan 3
XC3S400 4PQ208
JTAG I /F
Cable
II I & IV
25 Pin
D-Sub
Connect or
PS2 I /F
PLL System Clo ck Gener ati on x2 ICS511
LCD Displ ay
2X24 Char acter
Test LEDs
Pus h But tons
RS 232 Int ersil
ICL3232
4 bit
LVDS I /F
With Cntrl
4M X 16
SDRAM 64MB
ISSI
JTAG Configuration
20 U ser
I/O 2 Channel 16bit A/D
LTC1865L
2 Channel
14bit D/A
LTC1654
32Mb Flash
ST Micro
ST29W320
Configurat ion PROM
XCF04
3.3V Reg
LTC1963A
Muoz Moner, Antonio Faustino. Tecnologa de
Control con Anlisis Instrumental On-
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