Ejercicios Finales

Agosot-Diciembre 2007

Nombre:__________________________; Matricula:________________ 1) Disee un circuito recortador que genere la siguiente forma de onda:
Vo +5 t -5

Utilice Diodos IDEALES Suponga una entrada: Vi=10 Sen (wt)

2) Dibuje la forma de onda de Vo y el voltaje de CD a la salida:

+ Vi D2 R2 D1 R1 Vo

D1 = D2 = Diodos de Silicio Vi=117 Sen (wt) R1 = R2 = R3 = 2K

R3

3) Disee un circuito cambiador de nivel (sujetador) que genere la seal de salida de acuerdo a la seal de entrada.
Vi +20 f=1kHz -20 -10 +30 f=1kHz Vo

4) Disee una fuente de poder Regulada: a) Determine C tal que la variacin a la salida sea menor al 10% b) Calcule y grafique los voltajes Vmx y Vmn en el Capacitor c) Determine Ri y su potencia de disipacin mxima d) Determine Izmax y su potencia de disipacin mxima

Ri
n:m + C

n= 10,

m=1

Vs= 120V rms @ 60 Hz, Diodos ideales,

Vs

Dz

RL

Vo -

0.1<IL <1A Vz= 10V

PR

-1-

5) Para el siguiente circuito a) Obtenga las condiciones de operacin del transistor b) Dibuje las lneas de carga de CD y CA c) Calcule las maximas oscilaciones a la Salida y su Eficiencia d) Obtengas su Ganancia de Voltaje (Av) e impedancia de entrada (Zi)
VCC

C1=C2=C3=1F, =100
RE C3

VCC= +12V, RL=2K

iL

RC=4K

Zi
C1

R1

RE=0.5K, R2= 85K,

R1=15K

+
Vi
R2 RC

C2 RL

VBE=0.7

+
Vo

Zo

Circuito en CD:

Mallas 1- Circuito de Base-Emisor:

2- Circuito de Colector-Emisor:

Resistencia de CD:

Intersecciones RCCD: IC':____________ VCE':____________

IBQ : ______________; ICQ : ______________; VCEQ: ______________

PR

-2-

Graficar rectas de Carga:

IC

VCE

Circuito en CA:

Malla Circuito de Drain-Source (CA):

Recta de Carga CA:

Intersecciones RCCA: ID'':____________

Resistencia de CA:

VDS'':____________

Vo (Max.): _____________; iL (Max.): ______________; Eficiencia():___________

PR

-3-

Circuito en Seal Pequea:

re : _____________

Zi:__________

Zo:___________

Av:___________

Ai:____________

PR

-4-

6) De acuerdo al siguiente circuito realice lo siguiente a) Obtenga las condiciones de operacin del transistor b) Dibuje las rectas de carga CA y CD c) Obtenga las mximas oscilaciones en la carga (RL) y su Eficiencia
VDD

C1=C2=C3=10F,
RD Zi Rsi C1 R1 Zo C2 iL

Rsi=500, RL =33K, R1=47K, Vcc=12V VT=4

RD=3.3K, RS=1k,

+ Vs -

+ Vi -

RL R2 RS C3

+
Vo

R2=33K, k=0.139 mA/V2,

Mallas 1- Circuito de Gate-Source:

Circuito en CD:

Solucion (combinacin 1 y x)

2- Circuito de Drain-Source: x- Ecuacin Caracterstica:

Resistencia de CD:

Intersecciones RCCD: ID':____________ VDS':____________

VGSQ: ______________; IDQ : ______________; VDSQ: ______________

PR

-5-

Graficar rectas de Carga:

ID ID

VGS

VDS

Circuito en CA:

Malla Circuito de Drain-Source (CA):

Recta de Carga CA:

Intersecciones RCCA: ID'':____________

Resistencia de CA:

VDS'':____________

Vo (Max.): _____________; iL (Max.): ______________; Eficiencia():___________

PR

-6-

7) De acuerdo al siguiente circuito realice lo siguiente, Suponga VGSQ=-1.45V: a) Obtenga gm y represente al circuito en su equivalente de seal pequea. b) Obtenga las impedancias (Zi y Zo) y Ganancias (Av y Ai) del amplificador
VDD

C1= C2= 10F,

Zi Rsi C1 C2 R1 Zo iL

rd=45K

Rsi= 600, RL = 10K, RS=1.1K, R2= 10M, Vp= -3V

+ Vs -

+ Vi -

+
R2 RS RL

R1= 91Meg, IDSS= 12mA,

Vo

gm: _____________ Circuito en Seal Pequea:

Zi:__________

Zo:___________

Av:___________

Ai:____________

PR

-7-