NOMBRE: RICARDO PONCE CARRERA: MECANICA AUTOMOTRIZ NIVEL: PRIMERO

Electricidad El tomo: El tomo es un constituyente de la materia ordinaria, con propiedades qumicas bien definidas, formado a su vez por constituyentes ms elementales sin propiedades qumicas bien definidas. Cada elemento qumico est formado por tomos del mismo tipo (con la misma estructura electrnica bsica), y que no es posible dividir mediante procesos qumicos.

Actualmente se conoce que el tomo est compuesto por un ncleo atmico, en el que se concentra casi toda su masa, rodeado de una nube de electrones. Esto fue descubierto a principios del siglo XX, ya que durante el siglo XIX se haba pensado que los tomos eran indivisibles, de ah su nombre a-tmo- 'sin divisin'. Poco despus se descubri que tambin el ncleo est formado por partes, como los protones, con carga positiva, y neutrones, elctricamente neutros. Los electrones, cargados negativamente, permanecen ligados a este mediante la fuerza electromagntica.

Los tomos se clasifican de acuerdo al nmero de protones y neutrones que contenga su ncleo. El nmero de protones o nmero atmico determina su elemento qumico, y el nmero de neutrones determina su istopo. Un tomo con el mismo nmero de protones que de electrones es elctricamente neutro. Si por el contrario posee un exceso de protones o de electrones, su carga neta es positiva o negativa.

La teora aceptada hoy es que el tomo se compone de un ncleo de carga positiva formado por protones y neutrones, en conjunto conocidos como nuclen, alrededor del cual se encuentra una nube de electrones de carga negativa. Estructura: Ncleo atmico: El ncleo atmico se encuentra formado por nucleones, los cuales pueden ser de dos formas: Protones: Partcula de carga elctrica positiva igual a una carga elemental, y 1,67262 1027 kg y una masa 1837 veces mayor que la del electrn. Neutrones: Partculas carentes de carga elctrica y una masa un poco mayor que la del protn (1,67493 1027 kg). Alrededor del ncleo se encuentran los electrones que son partculas elementales de carga negativa igual a una carga elemental y con una masa de 9,10 1031 kg. La cantidad de electrones de un tomo en su estado basal es igual a la cantidad de protones que contiene en el ncleo, es decir, al nmero atmico, por lo que un tomo en estas condiciones tiene una carga elctrica neta igual a 0.sss A diferencia de los nucleones, un tomo puede perder o adquirir algunos de sus electrones sin modificar su identidad qumica, transformndose en un ion, una partcula con carga neta diferente de cero.

Estados de la materia:

La materia se presenta en tres estados o formas de agregacin: slido, lquido y gaseoso. Dadas las condiciones existentes en la superficie terrestre, slo algunas sustancias pueden hallarse de modo natural en los tres estados, tal es el caso del agua. La mayora de sustancias se presentan en un estado concreto. As, los metales o las sustancias que constituyen los minerales se encuentran en estado slido y el oxgeno o el CO2 en estado gaseoso: Los slidos: Tienen forma y volumen constantes. Se caracterizan por la

rigidez y regularidad de sus estructuras. Los lquidos: No tienen forma fija pero s volumen. La variabilidad de forma

y el presentar unas propiedades muy especficas son caractersticos de los lquidos. Los gases: No tienen forma ni volumen fijos. En ellos es muy caracterstica

la gran variacin de volumen que experimentan al cambiar las condiciones de temperatura y presin.

La materia se encuentra en la naturaleza formada por tres estados: Estado slido:

Los slidos se caracterizan por tener forma y volumen constantes. Esto se debe a que las partculas que los forman estn unidas por unas fuerzas de atraccin grandes de modo que ocupan posiciones casi fijas. En el estado slido las partculas solamente pueden moverse vibrando u oscilando alrededor de posiciones fijas, pero no pueden moverse trasladndose libremente a lo largo del slido. Las partculas en el estado slido propiamente dicho, se disponen de forma ordenada, con una regularidad espacial geomtrica, que da lugar a diversas estructuras cristalinas.

Estado lquido:

Los lquidos, al igual que los slidos, tienen volumen constante. En los lquidos las partculas estn unidas por unas fuerzas de atraccin menores que en los slidos, por esta razn las partculas de un lquido pueden trasladarse con libertad. El nmero de partculas por unidad de volumen es muy alto, por ello son muy frecuentes las colisiones y fricciones entre ellas. As se explica que los lquidos no tengan forma fija y adopten la forma del recipiente que los contiene. Tambin se explican propiedades como la fluidez o la viscosidad. En los lquidos el movimiento es desordenado, pero existen asociaciones de varias partculas que, como si fueran una, se mueven al unsono. Al aumentar la temperatura aumenta la movilidad de las partculas (su energa).

Estado gaseoso:

Los gases, igual que los lquidos, no tienen forma fija pero, a diferencia de stos, su volumen tampoco es fijo. Tambin son fluidos, como los lquidos. En los gases, las fuerzas que mantienen unidas las partculas son muy pequeas. En un gas el nmero de partculas por unidad de volumen es tambin muy pequeo. Las partculas se mueven de forma desordenada, con choques entre ellas y con las paredes del recipiente que los contiene. Esto explica las propiedades de expansibilidad y compresibilidad que presentan los gases: sus partculas se mueven libremente, de modo que ocupan todo el espacio disponible. La compresibilidad tiene un lmite, si se reduce mucho el volumen en que se encuentra confinado un gas ste pasar a estado lquido.

Cambios de estado:

Cuando un cuerpo, por accin del calor o del fro pasa de un estado a otro, decimos que ha cambiado de estado. En el caso del agua: cuando hace calor, el hielo se derrite y si calentamos agua lquida vemos que se evapora. El resto de las sustancias tambin puede cambiar de estado si se modifican las condiciones en que se encuentran. Adems de la temperatura, tambin la presin influye en el estado en que se encuentran las sustancias. Si se calienta un slido, llega un momento en que se transforma en lquido. Este proceso recibe el nombre de fusin. El punto de fusin es la temperatura que debe alcanzar una sustancia slida para fundirse. Cada sustancia posee un punto de fusin caracterstico. Por ejemplo, el punto de fusin del agua pura es 0 C a la presin atmosfrica normal. Si calentamos un lquido, se transforma en gas. Este proceso recibe el nombre de vaporizacin. Cuando la vaporizacin tiene lugar en toda la masa de lquido, formndose burbujas de vapor en su interior, se denomina ebullicin. Tambin la temperatura de ebullicin es caracterstica de cada sustancia y se denomina punto de ebullicin. El punto de ebullicin del agua es 100 C a la presin atmosfrica normal.

Conductor elctrico:

Un conductor elctrico es un material que ofrece poca resistencia al movimiento de carga elctrica. Son materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja. Los mejores conductores elctricos son metales, como el cobre, el oro, el hierro y el aluminio, y sus aleaciones, aunque existen otros materiales no metlicos que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad, como el grafito o las disoluciones y soluciones salinas (por ejemplo, el agua de mar) o cualquier material en estado de plasma. Para el transporte de energa elctrica, as como para cualquier instalacin de uso domstico o industrial, el mejor conductor es la plata, pero debido a su elevado precio, los materiales empleados habitualmente son el cobre (en forma de cables de uno o varios hilos), o el aluminio; metal que si bien tiene una conductividad elctrica del orden del 60% de la del cobre, es sin embargo un material tres veces ms ligero, por lo que su empleo est ms indicado en lneas areas de transmisin de energa elctrica en las redes de alta tensin. A diferencia de lo que mucha gente cree, el oro es levemente peor conductor que el cobre, sin embargo, se utiliza en bornes de bateras y conectores elctricos debido a su durabilidad y resistencia a la corrosin.

Los conductores elctricos, o conductores, son materiales que permiten que los electrones fluyan a travs de ellos con gran facilidad. Pueden fluir con gran facilidad debido a que los electrones externos estn unidos en forma muy suelta al ncleo y se liberan fcilmente. A temperatura ambiente, estos materiales poseen una gran cantidad de electrones libres que pueden suministrar conduccin. La aplicacin de voltaje hace que los electrones libres se desplacen, lo que hace que la corriente circule.

Aislantes elctricos:

Los materiales aislantes tienen la funcin de evitar el contacto entre las diferentes partes conductoras (aislamiento de la instalacin) y proteger a las personas frente a las tensiones elctricas (aislamiento protector). La mayora de los no metales son apropiados para esto pues tienen resistividades muy grandes. Esto se debe a la ausencia de electrones libres. Los materiales aislantes deben tener una resistencia muy elevada, requisito del que pueden deducirse las dems.

Los aisladores elctricos, o aisladores, son materiales que permiten que los electrones fluyan a travs de ellos con gran dificultad o no lo permiten en absoluto. Entre los ejemplos de aisladores elctricos se incluyen el plstico, el vidrio, el aire, la madera seca, el papel, el caucho y el gas helio. Estos materiales poseen estructuras qumicas sumamente estables, en las que los electrones orbitan muy unidos dentro de los tomos.

Semiconductores elctricos:

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre, capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. Tipos de semiconductores: Semiconductores intrnsecos: En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:

ni = n = p Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento. Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c): ni(Si) = 1.5 1010cm-3 ni(Ge) = 1.73 1013cm-3 Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. Semiconductores extrnsecos: Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material. Semiconductor tipo N: Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen unavalencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej.fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.

Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. Semiconductor tipo P: Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre. Los semiconductores son materiales en los que la cantidad de electricidad que conducen se pueden controlar de forma precisa. Estos materiales se agrupan en una misma columna de la tabla peridica. Entre los ejemplos de estos materiales se incluyen el carbono (C), el germanio (Ge) y la aleacin de arsenuro de galio (GaAs). El semiconductor ms importante, el que permite fabricar los mejores circuitos electrnicos microscpicos es el silicio (Si).

Magnitudes elctricas

Tensin elctrica: Tensin elctrica, voltaje o diferencia de potencial son tres nombres con los que nos referiremos a la diferencia de cargas elctricas que existe entre los polos positivo y negativo del generador del circuito. Esta magnitud es indicativa de la cantidad de energa que ser capaz de desarrollar la corriente de electrones, para una misma intensidad de corriente. La unidad de medida es el voltio (V), y el elemento usado para medir su valor en un circuito se llama voltmetro. Corriente elctrica: Como ya sabemos, la corriente elctrica consiste en un flujo de electrones que van desde un punto con ms carga negativa que otro. La intensidad depende del nmero de electrones que circulen en el circuito. La unidad empleada para su medida es el Amperio (A). Cuando en un circuito se mueve una carga de 63 trillones de electrones (un culombio) en cada segundo, se dice que en el circuito circula una intensidad de un amperio (1 A). Esta unidad es grande, as que ser normal referirnos a un submltiplo del amperio, el miliamperio (mA), equivalente a una milsima de amperio. 1 A = 1000 mA 1 mA = 0'001 A

Para medir esta magnitud se emplea el ampermetro.

Resistencia elctrica: Es la oposicin que presentan a la circulacin de los electrones los distintos elementos intercalados en el circuito, incluido el conductor. La unidad de medida es el ohmio (). Esta unidad es dema siado pequea por lo que es frecuente encontrar mltiplos como el kiloohmio (K), equivalente a 1000 , y el megaohmio (M), equivalente a 106 . Para medir la resistencia elctrica de un elemento se utiliza el hmetro.

Ley de ohm Hay una relacin fundamental entre las tres magnitudes bsicas de todos los circuitos, y es:

Es decir, la intensidad que recorre un circuito es directamente proporcional a la tensin de la fuente de alimentacin e inversamente proporcional a la resistencia en dicho circuito. Esta relacin se conoce como Ley de Ohm. Tambin debemos tener claro que: V sube R baja V baja R sube

I sube si

I baja si

Cuando resolvemos problemas de la ley de Ohm tendremos que saber despejar cada una de las variables en funcin de cul sea la incgnita que nos pregunten. A continuacin tienes un grfico interactivo que te ayudara a comprobar que despejas correctamente; para ello, pulsa sobre la variable que deseas ver despejada. Tensin:

Intensidad:

Resistencia:

Potencia elctrica:

Potencia es la velocidad a la que se consume la energa. Si la energa fuese un lquido, la potencia sera los litros por segundo que vierte el depsito que lo contiene. La potencia se mide en joule por segundo (J/seg) y se representa con la letra P.

Un J/seg equivale a 1 watt (W), por tanto, cuando se consume 1 joule de potencia en un segundo, estamos gastando o consumiendo 1 watt de energa elctrica.La unidad de medida de la potencia elctrica P es el watt, y se representa con la letra W. La potencia elctrica es la relacin de paso de energa de un flujo por unidad de tiempo; es decir, la cantidad de energa entregada o absorbida por un elemento en un tiempo determinado. La unidad en el Sistema Internacional de Unidades es el vatio (watt). Cuando una corriente elctrica fluye en cualquier circuito, puede transferir energa al hacer un trabajo mecnico o termodinmico. Los dispositivos convierten la energa elctrica de muchas maneras tiles, como calor, luz(lmpara incandescente), movimiento (motor elctrico), sonido (altavoz) o procesos qumicos. La electricidad se puede producir mecnica o qumicamente por la generacin de energa elctrica, o tambin por la transformacin de la luz en las clulas fotoelctricas. Por ltimo, se puede almacenar qumicamente en bateras. La energa consumida por un dispositivo elctrico se mide en vatios-hora(Wh), o en kilovatios-hora (kWh). Normalmente las empresas que suministran energa elctrica a la industria y los hogares, en lugar de facturar el consumo en vatioshora, lo hacen en kilovatios-hora (kWh). La potencia en vatios (W) o kilovatios (kW) de todos los aparatos elctricos debe figurar junto con la tensin de alimentacin en una placa metlica ubicada, generalmente, en la parte trasera de dichos equipos. En los motores, esa placa se halla colocada en uno de sus costados y en el caso de las bombillas de alumbrado el dato viene impreso en el cristal o en su base.

Carga elctrica:

La carga elctrica es la cantidad de electricidad almacenada en un cuerpo. Los tomos de un cuerpo son elctricamente neutros, es decir la carga negativa de sus electrones se anula con la carga positiva de sus protones. Podemos cargar un

cuerpo positivamente (potencial positivo) si le robamos electrones a sus tomos y podemos cargarlo negativamente (potencial negativo) si le aadimos electrones. Si tenemos un cuerpo con potencial negativo y otro con potencial positivo, entre estos dos cuerpos tenemos una diferencia de potencial (d.d.p.) Los cuerpos tienden a estar en estado neutro, es decir a no tener carga, es por ello que si conectamos los dos cuerpos con un conductor (elemento por el que pueden pasar los electrones fcilmente) los electrones del cuerpo con potencia negativo pasan por el conductor al cuerpo con potencial positivo, para que los dos cuerpos tiendan a su estado natural, es decir neutro.

Acabamos de generar corriente elctrica, ya que este movimiento de electrones es lo que se llama corriente elctrica. Luego es necesario una d.d.p entre dos puntos para que cuando los conectemos con un conductor se genere corriente elctrica. La diferencia de carga de los dos cuerpos ser la causante de mas a menos corriente. Esta carga de un cuerpo se mide en culombios (C).

Los tomos estn constituidos por un ncleo y una corteza (rbitas) En el ncleo se encuentran muy firmemente unidos los protones y los neutrones. Los protones tienen carga positiva y los neutrones no tienen carga. Alrededor del ncleo se encuentran las rbitas donde se encuentran girando sobre ellas los electrones. Los electrones tienen carga negativa. Ambas cargas la de los protones (positiva) y la de los electrones (negativa) son iguales, aunque de signo contrario. La carga elctrica elemental es la del electrn. El electrn es la partcula elemental que lleva la menor carga elctrica negativa que se puede aislar. Como la carga de un electrn resulta extremadamente pequea se toma en el S.I.(Sistema Internacional) para la unidad de Carga elctrica el Culombio que equivale a 6,24 10E18 electrones. Para denominar la carga se utiliza la letra Q y para su unidad la C.

Ejemplo: Q = 5 C En la tabla adjunta se muestra la masa y la carga de las partculas elementales.

Para el estudio de la electricidad nos basta con este modelo aproximado del tomo, con sus partculas elementales (electrn, protn y neutrn). Los protones son de carga elctrica positiva y se repelen entre s. Los electrones son de carga elctrica negativa y se repelen entre s. Los neutrones no tienen carga elctrica.

Entre los electrones y los protones se ejercen fuerzas de atraccin. Puesto que los electrones giran a gran velocidad alrededor del ncleo existe tambin una fuerza centrpeta que tiende a alejar del ncleo a los electrones. Entre dichas fuerzas se establece un equilibrio, de tal manera que los electrones giran en las rbitas y no son atrados por los protones del ncleo y tampoco se salen de sus rbitas.

Ley de Coulomb.

Como ya se ha dicho cargas del mismo signo se repelen y cargas de signo contrario se atraen. Coulomb en 1777 enunci la ley de la Electrosttica (electricidad esttica) que lleva su nombre(Ley de Coulomb): La intensidad de la fuerza (F) con la cual dos cargas elctricas puntuales se atraen o se repelen, es directamente proporcional al producto de sus cargas(Q1 y Q2) e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia(r) que las separan.

Dnde: F: Fuerza expresada en Newtons[N] Q1 y Q2: Cargas expresadas en Culombios[C] R: Distancia de separacin entre las cargas expresada en metros[m] K: Constante: 910E9 Nm2/C2 para el aire o vaco.

Energa elctrica:

La energa elctrica es la potencia por unidad de tiempo. La energa se consume, es decir a ms tiempo conectado un receptor ms energa consumir. Tambin un receptor que tiene mucha potencia consumir mucha energa. Como vemos la energa depende de dos cosas, la potencia del receptor y del tiempo que est conectado. Su frmula es E= P x t (potencia por tiempos)

Su unidad es el w x h (vatio por hora) pero suele usarse un mltiplo que es el Kw x h (Kilovatios por hora) Si ponemos en la frmula la potencia en Kw y el tiempo en horas ya obtendremos la energa en Kw x h. Generacin de energa elctrica: Actualmente la energa elctrica se puede obtener de distintos medios, que se dividen principalmente en: 1. 2. 3. 4. 5. 1. 2. 3. 4. Renovables: Centrales termoelctricas solares Centrales solares fotovoltaicas Centrales elicas Centrales hidroelctricas Centrales geo-termoelctricas No renovables: Centrales nucleares Combustibles fsiles: Centrales de ciclo combinado (quemadores de gas natural) Centrales de turbo-gas

Tabla de magnitudes: Aqu tenemos una tabla con las principales magnitudes elctricas y sus frmulas: MAGNITUD CARGA TENSIN INTENSIDAD RESISTENCIA POTENCIA ENERGA SIMBOLO C V I R P E UNIDAD CULOMBIO VOLTIOS AMPERIOS OHMIOS VATIOS VATIO POR HORA SIMBOLO C V A W wxh FRMULA V=IxR I = V/R R = V/I P=Vx I E=Pxt

Nmero de paginas Nmero de grficos Nmero de videos

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